JPH01118142A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、複写機などの画像形成装置において好適に使
用される電子写真用感光体に関する。

〈従来の技術と発明が解決しようとする問題点〉近年、
電子写真用感光体として、機能設計の自由度が大きな感
光体、中でも光照射により電荷を発生する電荷発生材料
と、発生した電荷を輸送する電荷輸送材料とを含有する
感光層を備えた電子写真用感光体が提案されている。よ
り詳細には、電荷発生材料と電荷輸送材料とを含有する
単層型感光層を備えた感光体、例えば、電荷発生材料と
しての多環式芳香族炭化水素と、電荷輸送材料としての
ポリビニルカルバゾールとを含有する単層型感光層を有
する感光体（特開昭５８−１４３４’３８号公報）や、
上記電荷発生材料を含有する電荷発生層と、電荷輸送材
料を含有する電荷輸送層とが積層された積層型感光層を
備えた感光体、例えば、電荷発生材料としてスクエアリ
ン酸誘導体を含有する電荷発生層と、４．４’−ビス［
Ｎ−）二ニル−Ｎ−（３−メチルフェニル）アミノコジ
フェニルなどのジアミン誘導体を含有する電荷輸送層と
が積層された感光体（特開昭５７−１４４５５８号公報
、特開昭６１−８２０３８号公報参照）、上記電荷発生
材料に代えて、シアニン系化合物、アゾ系化合物’ＩＮ
ＩＮ′−ビス（２，４，６−１リメチルフエニル）ペリ
レン−３，４，９，１０−テトラカルボキシジイミド、
Ｎ、Ｎ’−ジフェニルペリレン−３，４゜９、■０−テ
トラカルボキシジイミドや、Ｎ、Ｎ’−ジメチルペリレ
ン−３，４，９，１０−テトラカルボキシジイミドなど
のペリレン系化合物を用いた電子写真用感光体（特開昭
５７−１４４５５８号公報、特開昭５７−１４４５５７
号公報、特開昭８０−２０７１４８号公報、特開昭６１
−２７５８４８号公報、特開昭６１−１３２９５５号公
報参照）などが提案されている。また、上記電荷輸送材
料として、４−　（Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ）ベンズア
ルデヒド　Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｎ−エチル
−３−カルバゾリルアルデヒド　Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒ
ドラゾンなどのヒドラゾン系化合物や１−フェニル−３
−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエチ
ルアミノフェニル）ピラゾリンなどのピラゾリン系化合
物を使用することも提案されている。

上記感光体、特に積層型感光層を有する感光体は、電気
発生材料により発生させる電荷発生機能と、発生した電
荷を電荷輸送材料により輸送する電荷輸送機能とが分離
しているので、感度が大きく、残留電位の小さな感光体
が得られるという利点がある。

しかしながら、上記感光体の感光層に使用されている電
荷輸送材料としてのポリビニルカルバゾール、前記ヒド
ラゾン系化合物およびピラゾリン系化合物は、ドリフト
移動度に関して大きな電界強度依存性を示すだけでなく
、ドリフト移動度・が小さいため、残留電位が大きいだ
けでなく、感度が小さく、未だ十分な電子写真特性を示
さない。

一方、前記ジアミン誘導体は、上記電荷輸送材料よりも
ドリフト移動度が大きいものの、前記ペリレン系化合物
など・の電荷発生材料と組合せて、単層型または積層型
感光層を形成しても、残留電位が未だ大きく感度も十分
でないという問題がある。

また、上記ヒドラゾン系化合物は、光照射により光異性
化、光二量化反応などが生じるため、光安定性が十分で
なく、繰返し使用により感度が低下すると共に、残留電
位が増加するという問題がある。

〈発明の目的〉 本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、光安
定性に優れるとともに、感度が高く、しかも残留電位が
小さな電子写真用感光体を提供することを目的とする。

く問題点を解決するための手段および作用〉上記目的を
達成するため、本発明の電子写真用感光体は、導電性基
材上に感光層が形成された感光体において、上記感光層
が下記一般式（１）で表される化合物を含有することを
特徴とする。

（以下、余白） ＲＪ （式中、Ｒ１は、水素原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン原子、フェニル環上に低級アルキル
基、低級アルコキシ基または）＼ロゲン原子を有してい
てもよいジフェニルアミノ基、ジアルキルアミノ基を示
し、Ｒ２およびＲ３は、同一または異なって、フェニル
環上に低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲ
ン原子を有していてもよいジフェニルアミノ基を示す。

）以下に、本発明の詳細な説明する。

本発明の電子写真用感光体は、導電性基材上に上記一般
式（１）で表される化合物を含有する感光層が形成され
ている。

上記導電性基材は、シート状やドラム状のいずれであっ
てもよく、基材自体が導電性を有するか、基材の表面が
導電性を有し、使用に際し十分な機械的強度を有するも
のが好ましい。上記導電性基材としては、導電性を有す
る種々の材料が使用でき、例えば、アルミニウム、銅、
錫、白金、金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、
カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウ
ム、ステンレス鋼、真鍮などの金属単体や、上記金属が
蒸着または積層されたプラスチック材料、ヨウ化アルミ
ニウム、酸化錫、酸化インジウム等で被覆されたガラス
等が例示される。上記導電性基材のうち、アルミニウム
、特に、アルミニウムの結晶粒が表面に存在せず、複写
画像等において黒点やピンホール等が発生するのを防止
すると共に、上記ペリレン系化合物、トリフェニルアミ
ン誘導体等を含有する感光層と基材との密着性をよくす
るため、アルマイト処理されたアルミニウム、中でもア
ルマイト処理層の膜厚が５〜１２μｍであり、表面粗さ
が１．５Ｓ以下のアルマイト処理されたアルミニウムが
好ましい。

上記感光層に含有される一般式（１）で表される化合物
において、低級アルキル基としては、メチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒ
ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル基などの炭素数１〜６
のアルキル基が例示される。上記低級アルキル基のうち
、炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。

また、低級アルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ
、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキ
シ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオ
キシ基などの炭素数１〜６のアルコキシ基が例示される
。上記低級アルコキシ基のうち、炭素数１〜４のアルコ
キシ基が好ましい。

また、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素およ
びヨウ素原子が挙げられる。

ジアルキルアミノ基としては、ジメチルアミノ、ジエチ
ルアミノ、メチルエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジ
イソプロピルアミノ、ジエチルアミノ、ジイソブチルア
ミノ、ジーｔｅｒｔ−ブチルアミノ、ジエチルアミノ、
ジアキルアミノ基などの炭素数１〜６のアルキル基を有
するジアルキルアミノ基が例示される。上記ジアルキル
アミノ基のうち、アルキル基部分の炭素数１〜４のアル
キル基を有するジアルキルアミノ基が好ましい。

なお、Ｒ’、Ｒ２およびＲ３が置換基を有するジフェニ
ルアミノ基である場合、置換基は、フェニル環の〇−位
、ｍ−位、ｐ−位のいずれに置換していてもよい。

また、上記一般式（１）で表される化合物において、Ｒ
１が水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハ
ロゲン原子であるトリフェニルアミン誘導体のうち、好
ましい化合物としては、例えば、４．４′−ビス（Ｎ、
Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４′
−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−４１−メチルト
リフェニルアミン、４．４′−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニ
ルアミノ）−４′−二チルトリフェニルアミン、４゜４
′−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−４′−プロピ
ルトリフェニルアミン、４．４’　　−ビス（Ｎ、Ｎ−
ジフェニルアミノ）−４１−イソプロピルトリフェニル
アミン、４．４’　　−ビス（Ｎ。

Ｎ−ジフェニルアミノ）−４１−イソブチルトリフェニ
ルアミン、４．４′−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ
）　−４’　−ｔｅｒｔ−ブチルトリフェニルアミン、
４．４′−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−４１−
メトキシトリフェニルアミン、４．４′−ビス（Ｎ、Ｎ
−ジフェニルアミノ）−４１−エトキシトリフェニルア
ミン、４．４’　−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）
−４１−プロポキシトリフェニルアミン、４．４’−ビ
ス（Ｎ。

Ｎ−ジフェニルアミノ）−４′−イソプロポキシトリフ
ェニルアミン、４，４′−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルア
ミノ）−４′−イソブトキシトリフ工二ルアミン、４，
４′−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）　−４’　−
１ｅｒｔ−ブトキシトリフェニルアミン、４．４′−ビ
ス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−４１−クロロトリフ
ェニルアミン、４゜４′−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルア
ミノ）−４・′−ブロモトリフェニルアミン、４−［Ｎ
−（４−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４
′−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン
、４−［Ｎ−（４−エチルフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ］　−４’　−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）トリ
フェニルアミン、４−　［Ｎ−（４−イソプロピルフェ
ニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’　−（Ｎ、Ｎ−ジ
フェニルアミノ）トリフェニルアミン、４−　［Ｎ−（
４−イソブチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−
４’　−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルア
ミン、４−ＣＮ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノ］　−４’　−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ
）トリフェニルアミン、４−　［Ｎ−（４−エトキシフ
ェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　−（Ｎ。

Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン、４−　［
Ｎ−（４−イソプロポキシフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ］　−４’　−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）トリ
フェニルアミン、４−［Ｎ−（４−イソブトキシフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’　−（Ｎ、Ｎ−ジフ
ェニルアミノ）トリフェニルアミン、４−　［Ｎ−（４
−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　
−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン、
４−　［Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ］−４’　−（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフ
ェニルアミン、４，４′−ビス［Ｎ−（２−メチルフェ
ニル）−Ｎ−フェニルアミノコトリフェニルアミン、４
，４′　−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミノコ　トリフェニルアミン、４，４′　−ビ
ス［Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ
コ　トリフェニルアミン、４゜４′−ビス［Ｎ−（２−
エチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ　トリフェニ
ルアミン、４．４’−ビス［Ｎ−（３−エチルフェニル
）−Ｎ−フェニルアミノコ　トリフェニルアミン、４．
４’　−ビス［Ｎ−（４−エチルフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノコ　トリフェニルアミン、４．４’　　−ビ
ス［Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノコ　トリフェニルアミン、４．４’　　−ビス［
Ｎ−（４−イソブチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ
コ　トリフェニルアミン、４．４’　−ビス［Ｎ　−（
４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ
コ　トリフェニルアミン、４．４’　　−ビス［Ｎ−（
２−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　トリ
フェニルアミン、４．４’　　−ビス［Ｎ−（３−メト
キシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　トリフェニル
アミン、４．４’　−ビスＣＮ−（４−メトキシフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ］　トリフェニルアミン、４
．４’　　−ビス［Ｎ−（２−エトキシフェニル）τＮ
−フェニルアミノコ　トリフェニルアミン、４．４’　
　−ビス［Ｎ−（３−エトキシフェニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノコ　トリフェニルアミン、４．４’　−ビス［
Ｎ　−（４−ｓ−トキシフエニ／Ｉ／）　−Ｎ−フェニ
ルアミノコ　トリフェニルアミン、４．４’　−ビス［
Ｎ−（４−イソプロポキシフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノコ　トリフェニルアミン、４．４’　　−ビス［Ｎ
−（４−イソブトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ
コ　トリフェニルアミン、４．４’−ビスＣＮ　−（４
−１ｅｒｔ−ブトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ
コ　トリフェニルアミン、４゜４′−ビスＣＮ−（２−
クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ　トリフェニ
ルアミン、４．４’−ビス［Ｎ−（３−クロロフェニル
）−Ｎ−フ工ニルアミノコ　トリフェニルアミン、４．
４’　　−ビス［Ｎ−（４−クロロフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミノコ　トリフェニルアミン、４．４’　　−
ビス［Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノコ　トリフェニルアミン、４−［Ｎ−（２−メチルフ
ェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　−［Ｎ−（
３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ　トリフ
ェニルアミン、４−　［Ｎ−（２−メチルフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　−［Ｎ−（４−メチル
フェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ　トリフェニルアミ
ン、４−　［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノ］−４’−［Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノコ　トリフェニルアミン、４．４’　
　−ビス［Ｎ−（２−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル
アミ゛ノ］−４１−メチルトリフェニルアミン、４．４
’　　−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノコ−４′−メチルトリフエニルアミン、４．
４′　−ビス［Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノコ−４′−メチルトリフエニルアミン、４，
４′　−ビス［Ｎ−（２−エチルフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノコ−４′−メチルトリフェニルアミン、４，
４′　−ビス［Ｎ−（３−エチルフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノコ−４′−メチルトリフエニルアミン、４．
４’　　−ビス［Ｎ−（４−エチルフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミノコ−４１−メチルトリフェニルアミン、４
゜４′　−ビス［Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノコ−４′−メチルトリフエニルアミ
ン、４，４′−ビス［Ｎ−（４−イソブチルフェニル）
−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　−メチルトリフェニ
ルアミン、４．４’−ビス［Ｎ−（４−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−メチルト
リフエニルアミン、４゜４′−ビス［Ｎ−（４−エチル
フェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−エチルトリ
フェニルアミン、４，４′−ビス［Ｎ−（２−メトキシ
フェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−メトキシト
リフェニルアミン、４．４′　−ビス［Ｎ−（３−メト
キシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−メトキ
シトリフエニルアミン、４．４’　−ビス［Ｎ−（４−
メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−メ
トキシトリフェニルアミン、４．４′　−ビス［Ｎ−（
４−エトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′
−メトキシトリフエニルアミン、４，４′　−ビス［Ｎ
−（４−イソプロポキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノコ−４′−メトキシトリフエニルアミン、４．４’−
ビス［Ｎ−（４−イソブトキシフェニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノコ−４′−メトキシトリフエニルアミン、４，
４′　−ビスＣＮ　　（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’−メトキシトリフ
ェニルアミン、４．４’　　−ビス［Ｎ−（４−メトキ
シフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−エトキシ
トリフエニルアミン、４．４′−ビス［Ｎ−（４−エト
キシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４１−エトキ
シトリフェニルアミン、４．４′　−ビス［Ｎ−（４−
メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　
−メチルトリフェニルアミン、４．４’　−ビス［Ｎ−
（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４
１−エチルトリフェニルアミン、４゜４′−ビス［Ｎ−
（２−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４’
−クロロトリフェニルアミン、４．４′−ビス［Ｎ−（
３−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−
クロロトリフェニルアミン、４．４′−ビス［Ｎ−（４
−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　
−クロロトリフェニルアミン、４．４’−ビス［Ｎ−（
２−ブロモフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４１−
クロロトリフェニルアミン、４．４’　−ビスＣＮ−（
３−ブロモフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−
ブロモトリフェニルアミン、４．４′−ビス［Ｎ−（４
−ブロモフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４’−ブ
ロモトリフェニルアミン、ｉ、４’−ビス［Ｎ−（４−
クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−メチ
ル″トリフエニルアミン、４，４′　−ビス［Ｎ−（４
−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−メ
トキシトリフェニルアミン、４−　［Ｎ−（２−メチル
フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’　−［Ｎ−（
３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４１−
メチルトリフェニルアミン、４−　［Ｎ−（２−メチル
フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　−［Ｎ−
（４−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４１
−メチルトリフェニルアミン、４−　［Ｎ−（３−メチ
ルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　−ＣＮ
−（４−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４
′−メチルトリフエニルアミン、４−［Ｎ−（３−メチ
ルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’　−［Ｎ−
（４−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′
−エチルトリフェニルアミン、４−　［Ｎ−（２−エチ
ルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　−［Ｎ
−（４−エチルツブ工二ル）−Ｎ−フェニルアミノコ−
４′−メチルトリフェニルアミン、４−［Ｎ−（３−エ
チルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　−［
Ｎ−（４−エチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−
４′−メチルトリフエニルアミン、４−　［Ｎ−（３−
エチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’　−［
Ｎ−（４−エチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−
４′−二チルトリフェニルアミン、４−［Ｎ−（２−メ
トキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　−
［Ｎ−（３−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ
コ−４′−メトキシトリフエニルアミン、４−　［Ｎ−
（２−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４
’−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノコ−４′−メトキシトリフエニルアミン、４−［Ｎ
−（３−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　
−４’　−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノコ−４′−メトキシトリフエニルアミン、４
−　［Ｎ−（２−エトキシフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ］　−４’　−［Ｎ−（３−エトキシフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノコ−４′−メトキシトリフェニルア
ミン、４−［Ｎ−（２−クロロフェニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノ］　−４’　−［Ｎ−（３−クロロフェニル）
−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’−クロロトリフェニル
アミン、４−　［Ｎ−（２−クロロフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ］　−４’　−［Ｎ−（４−クロロフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’−クロロトリフェ
ニルアミン、４−　［Ｎ−（３−クロロフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノ］−４’−［Ｎ−（４−クロロフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−クロロトリフエニ
ルアミンなどが例示される。

また、Ｒ１が、フェニル環上に低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、ハロゲン原子を有していてもよいジフェニ
ルアミノ基であるトリフェニルアミン誘導体のうち、好
ましい化合物としては、例えば、４．４’　、４’−ト
リス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン
、４．４’　、４’−トリス［Ｎ−（２−メチルフェニ
ル）−Ｎ−・フェニルアミノコ　トリフェニルアミン、
４　、４　’　。

４′−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノコ　トリフェニルアミン、４゜４’　、４’
−トリス［Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ］　トリフェニルアミン、４゜４’、４’−トリ
ス［Ｎ−（２−エチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ
］　トリフェニルアミン、４゜４’、４’−トリス［Ｎ
−（３−エチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ　ト
リフェニルアミン、４゜４’、４’−トリスＣＮ−（４
−エチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ　トリフェ
ニルアミン、４゜４’　、４’　−トリス［Ｎ−（４−
プロピルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ　トリフェ
ニルアミン、４．４’　、４’−トリス［Ｎ−（４−イ
ソプロピルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコトリフェ
ニルアミン、４．４’　、４’−）リス［Ｎ−（４−ブ
チルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ　トリフェニル
アミン、４．４’　、４’　−）リス［Ｎ−（４−イソ
ブチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ　トリフェニ
ルアミン、４．４’　、４’−）リス［Ｎ　−（４−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　ト
リフェニルアミン、４．４’。

４′−トリス［Ｎ−（２−メトキシフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミノコ　トリフェニルアミン、４゜４’、４’
−トリス［Ｎ−（３−メトキシフエニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノコトリフェニルアミン、４．４’　、４’　−
トリス［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノコ　トリフェニルアミン、４．４’　、４’　−
）リスＣＮ−Ｃ２−エトキシフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノコ　トリフェニルアミン、４．４’　、４’　−
トリス［Ｎ−（３−エトキシフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノコ　トリフェニルアミン、４．４’　、４’　−
トリス［Ｎ−（４−エトキシフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノコ　トリフェニルアミン、４．４’　、４’　−
トリス［Ｎ−（４−プロポキシフェニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノコ　トリフェニルアミン、４．４’。

４′−トリス［Ｎ−（４−イソプロポキシフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノコトリフェニルアミン、４．４’　
、４’−）リス［Ｎ−（４−ブトキシフェニル）−Ｎ−
フェニルアミノコトリフェニルアミン、４．４’　、４
’　−トリス［Ｎ−（４−イソブトキシフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノ］　トリフェニルアミン、４．４’　
、４’−トリス［Ｎ−（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ］　トリフェニルアミン、４
．４’　、４’　−トリス［Ｎ−（２−クロロフェニル
）−Ｎ−フェニルアミノコ　トリフェニルアミン、４．
４’。

４′−トリス［Ｎ−（３−クロロフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノコ　トリフェニルアミン、４゜４’、４’−
トリス［Ｎ−（４−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノコ　トリフェニルアミン、４゜４’　、４’−１−
リス［Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノコ　トリフェニルアミン、４−　［Ｎ−（２−メチル
フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　−［Ｎ−
（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４
’　−［Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノコ　トリフェニルアミン、４，４′　−ビス［Ｎ−
（２−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４
’　−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノコトリフェニルアミン、４，４′　−ビス［Ｎ−（
２−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’　
−［Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ
コ　トリフェニルアミン、４．４’　−ビス［Ｎ−（３
−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　
−［Ｎ−（２−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ
］　トリフェニルアミン、４゜４′−ビス［Ｎ−（４−
メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　−
［Ｎ−（２−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ
トリフェニルアミン、４，４′　−ビス［Ｎ−（３−メ
チルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　−［
Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ　
トリフェニルアミン、４，４′−ビス［Ｎ−（４−メチ
ルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　−［Ｎ
−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ　ト
リフェニルアミン、４．４’　、４’　−トリス［Ｎ、
Ｎ−ジ（２−メチルフェニル）アミノコトリフェニルア
ミン、４．４’　、４’　−）リス［Ｎ、Ｎ−ジ（３−
メチルフェニル）アミノ］　トリフェニルアミン、４．
４’　、４’　−トリス［Ｎ。

Ｎ−ジ（４−メチルフェニル）アミノコ　トリフェニル
アミン、４−　［Ｎ−（２−メチルフェニル）−Ｎ−（
３−メチルフェニル）アミノ］　−４’　−［Ｎ−（２
−メチルフェニル）　−Ｎ−（４−メチルフェニル）ア
ミノコ−４’　−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−
（４−メチルフェニル）アミノ］　トリフェニルアミン
、４−　［Ｎ、Ｎ−ジ（２−メチルフェニル）アミノ］
　−４’　−［Ｎ−（２−メチルフェニル）−Ｎ−（３
−メチルフェニル）アミノ］　−４’　−［Ｎ−（２−
メチルフェニル）−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノ
コ　トリフェニルアミン、４−　［Ｎ、Ｎ−ジ（２−メ
チルフェニル）アミノ］　−４’　−［Ｎ、Ｎ−ジ（４
−メチルフェニル）アミノ］　−４’−［Ｎ−（３−メ
チルフェニル）−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノ］
　トリフェニルアミン、４−　［Ｎ、Ｎ−ジ（２−メチ
ルフェニル）アミノ］　−４’　、４’−ビス［Ｎ−（
２−メチルフェニル）−Ｎ−（４−メチルフェニル）ア
ミノコ　トリフェニルアミン、４−［Ｎ、Ｎ−ジ（２−
メチルフェニル）アミノ］−４’　−［Ｎ、Ｎ−ジ（４
−メチルフェニル）アミノ］　−４’　−［Ｎ−（３−
メチルフェニル）−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノ
コ　トリフェニルアミン、４−　［Ｎ、Ｎ−ジ（２−メ
チルフェニル）アミノコ−４’　　−［Ｎ−（２−メチ
ルフェニル）−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノ］　
−４’　−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−（４−
メチルフェニル）アミノコ　トリフェニルアミン、４−
［Ｎ、Ｎ−ジ（３−メチルフェニル）アミノ］−４’　
−［Ｎ−（２−メチルフェニル）　−Ｎ−（４−メチル
フェニル）アミノ］　−４’　−［Ｎ−（３−メチルフ
エニル’）−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノ］　ト
リフェニルアミン、４．４’　、４’　−トリス［Ｎ、
Ｎ−ジ（２−メトキシフェニル）アミノ］　トリフェニ
ルアミン、４．４’　、４’　−トリス［Ｎ、Ｎ−ジ（
３−メトキシフェニル）アミノコ　トリフェニルアミン
、４．４’　、４’　−トリス［Ｎ、Ｎ−ジ（４−メト
キシフェニル）アミノコトリフェニルアミン、４．４’
　、４’　−）リス［Ｎ、Ｎ−ジ（２−クロロフェニル
）アミノ］　トリフェニルアミン、４．４’　、４’　
−）リス［Ｎ。

Ｎ−ジ（３−クロロフェニル）アミノ］　トリフェニル
アミン、４．４’　、４’　−トリス［Ｎ、Ｎ−ジ（４
−クロロフェニル）アミノ］　トリフェニルアミンなど
が例示される。

また　Ｒ１が、ジアルキルアミノ基であるトリフェニル
アミン誘導体のうち、好ましい化合物としては、例えば
、４，４′−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−４１
−ジメチルアミノトリフェニルアミン、４．４′−ビス
（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−４′−ジエチルアミノ
トリフェニルアミン、４，４′−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルアミノ）−４１−ジプロピルアミノトリフェニルア
ミン、４，４′−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−
４１−ジイソプロピルアミノトリフェニルアミン、４．
４′−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−４１−ジブ
チルアミノドＪフェニルアミン、４，４′−ビス（Ｎ、
Ｎ−ジフェニルアミノ）−４′−ジイソブチルアミノト
リフェニルアミン、４．４′−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニ
ルアミノ）−４′−ジーｔｅｒｔ−ブチルアミノトリフ
ェニルアミン、４．４′　−ビス［Ｎ、Ｎ−ジ（２−メ
チルフェニル）アミノコ−４１−ジメチルアミノトリフ
工二ルアミン、４，４′−ビス［Ｎ、Ｎ−ジ（３−メチ
ルフェニル）アミノコ−４１−ジメチルアミノトリフェ
ニルアミン、４．４’　　−ビス［Ｎ。

Ｎ−ジ（４−メチルフェニル）アミノ］　−４’　−ジ
メチルアミノトリフェニルアミン、４．４’　−ビス［
Ｎ−（４−メチルフェニル）＝Ｎ−フェニルアミノノコ
４′−ジメチルアミノトリフェニルアミン、４−　［Ｎ
−（２−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−
４’−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノコ−４′−ジメチルアミノトリフエニルアミン、４
−　［Ｎ−（２−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］−４’−［Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノコ−４′−ジメチルアミノトリフェニルアミ
ン、４−　ＣＮ−（３−メチルフェニル）°−Ｎ−フェ
ニルアミノ］　−４’　　−［Ｎ−（４−メチルフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−ジメチルアミノト
リフエニルアミン、４．４′−ビス［Ｎ、Ｎ−ジ（２−
メトキシフェニル）アミノコ−４１−ジメチルアミノト
リフェニルアミン、４゜４′−ビス［Ｎ、Ｎ−ジ（３−
メトキシフェニル）アミノコ−４′−ジメチルアミノト
リフエニルアミン、４，４′　−ビス［Ｎ、Ｎ−ジ（４
−メトキシフェニル）アミノコ−４′−ジメチルアミノ
トリフエニルアミン、４，４′　−ビス［Ｎ−（４−メ
トキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−ジメ
チルアミノトリフエニルアミン、４−［Ｎ−（２−メト
キシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］　−４’　−［
Ｎ−（３−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ
−４′−ジメチルアミノトリフエニルアミン、４−　［
Ｎ−（２−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］
　−４’−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノコ−４′−ジメチルアミノトリフエニルアミ
ン、４−　［Ｎ−（３−メトキシフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノ］　−４’　−［Ｎ−（４−メトキシフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−ジメチルアミノト
リフエニルアミン、４．４’−ビス［Ｎ。

Ｎ−ジ（２−クロロフェニル）アミノ］　−４’　−ジ
メチルアミノトリフェニルアミン、４．４’　　−ビス
［Ｎ、Ｎ−ジ（３−クロロフェニル）アミノコ−４１−
ジメチルアミノトリフェニルアミン、４゜４′−ビス［
Ｎ、Ｎ−ジ（４−クロロフェニル）アミノコ−４′−ジ
メチルアミノトリフェニルアミン、４，４′−ビス［Ｎ
−（４−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４
５−ジメチルアミノトリフェニルアミン、４−　［Ｎ−
（２−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−４’
−［Ｎ−（３−ゝクロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノコ−４１−ジメチルアミノトリフェニルアミン、４−
　［Ｎ’−（２−クロロフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］　−４’　−［Ｎ−（４−クロロフェニル）−Ｎ−
フェニルアミノコ−４′−ジメチルアミノトリフエニル
アミン、４−　［Ｎ−（３−クロロフェニル）−Ｎ−フ
ェニル７　ミ）〕−４’　−［Ｎ−（４−クロロフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノコ−４′−ジメチルアミノト
リフエニルアミンなどが例示される。

上記トリフェニルアミン誘導体は一種または二種以上混
合して用いられる。なお、上記トリフェニルアミン誘導
体は、分子の対称性がよく、従来の４−　（Ｎ、Ｎ−ジ
エチルアミノ）ベンズアルデヒド　Ｎ、Ｎ−ジフェニル
ヒドラゾンや、Ｎ−メチル−３−カルバゾリルアルデヒ
ド　Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾンなどのように光照射
により異性化反応などが生じず、光安定性に優れている
だけでなく、ドリフト移動度が大きく、シかもドリフト
移動度に関する電界強度依存性が小さい。より具体的に
は、４．４’　、４’−トリス（Ｎ、　　Ｎ−ジフェニ
ルアミノ）トリフェニルアミン（化合物Ａ）を例にとっ
て説明すると、電界として２．０Ｘ１０５　Ｖ／ｃｊ　
（低電界）および５．０×１０５Ｖ／ｃｊ（高電界）を
作用させた場合、従来の電荷輸送材料、例えばポリビニ
ルカルバゾール（化合物Ｂ）　、Ｎ−エチル−３−カル
バゾリルアルデヒド　Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン（
化合物Ｃ）や、１−フェニル−３−（４−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン（化合物Ｄ）に比べて、下表に示すようにドリ
フト移動度が大きく電界強度依存性が小さい。

上記のような特性を有するトリフェニルアミン誘導体を
用いることにより、高感度で残留電位の小さな感光体が
得られる。

なお、上記一般式（１）で表される化合物は、種々の方
法で製造することができる。Ｒ１が水素原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子である化
合物は、例えば、下記一般式（２）で表される化合物と
一般式（３）、（４）で表される化合物とを同時または
順次反応させることにより製造することができる。

（以下、余白） （式中、Ｒ１／　　は水素原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。Ｒ４およびＲ
５は、水素原子、低級アルキル基または低級アルコキシ
基、ハロゲン原子を示す。Ｘは、ハロゲン原子を示す。

） 上記一般式（２）で表される化合物と一般式（３）、（
４）で表される化合物との反応は、通常有機溶媒中で行
われ、溶媒としてはこの反応に悪影響を及ぼさない溶媒
であればいずれの溶奴も使用でき、例えば、ニトロベン
ゼン、ジクロロベンゼン、キノリン、Ｎ、Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホ
キシドなどのを機溶媒が例示される。該反応は、通常、
銅粉、酸化銅、ハロゲン化銅などの触媒、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなどの塩−基
性物質の存在下、１５０〜２５０℃の温度で行なわれる
。

また、一般式（１）で表される化合物において、置換基
Ｒ１がフェニル環上に低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子を有するジフェニルアミノ基、ジアル
キルアミノ基である場合、例えば、下記一般式（５）で
表される化合物と、一般式（６）で表される化合物およ
び前記一般式（３）　（４）で表される化合物とを同時
または順次反応させることにより製造することができる
。

（式中、Ｒ６は、低級アルキル基、低級アルコキシ基ま
たはハロゲン原子を有するフェニル基、アルキル基を示
し、Ｒ４、Ｒ５およびＸは、前記に同じ。） 上記一般式（５）で表される化合物と一般式（６）　（
３）　（４）で表される化合物との反応は、前記一般式
（りで表される化合物と一般式（３）　（４）で表され
る化合物との反応と同様にして行なうことができる。

反応終了後、反応混合物を濃縮し、再結晶、溶媒抽出、
カラムクロマトグラフィー等の慣用の手段で容易に分離
精製することができる。

前記一般式（１）で表される化合物を含有する感光層と
しては、電荷発生材料と上記一般式（１）の化合物と結
着樹脂とを含有する単層型感光層や、少なくとも電荷発
生材料を含有する電荷発生層と、上記一般式（１）で表
きれる化合物と結着樹脂とを含有する電荷輸送材料とが
積層された積層型感光層のいずれであってもよい。また
、上記積層型感光層は、電荷発生層上に電荷輸送層が形
成されていたり、これとは逆に電荷輸送層上に電荷発生
層が形成されていてもよい。

上記電荷発生材料としては、例えば、セレン、セレン−
テルル、アモルファスシリコン、ピリリウム塩、アゾ系
化合物、ジスアゾ系化合物、フタロシアニン系化合物、
アンサンスロン系化合物、ペリレン系化合物、インジゴ
系化合物、トリフェニルメタン系化合物、スレン系化合
物、トルイジン系化合物、ピラゾリン系化合物、他のペ
リレン系化合物、キナクリドン系化合物等が例示される
。

上記電荷発生材料は一種または二種以上使用される。

なお、上記電荷発生材料は、適宜選択することができる
が、分光感度を高めるため、フタロシアニン系化合物、
例えば、α型、β型、γ型など、種々の結晶型を有する
アルミニウムフタロシアニン、銅フタロシアニン、中で
もメタルフリーフタロシアニンおよび／またはチタニル
フタロシアニンを含有するものが好ましい。上記フタロ
シアニン系化合物は、適宜の粒径を有していてもよいが
、平均粒径０．１μｍ以下のものが好ましい。メタルフ
リーフタロシアニンの平均粒径が０，１ｐを越えると感
光体の感度が低下する。

また、上記結着樹脂としては、種々のもの、例えば、ス
チレン系重合体、アクリル系重合体、ス　′チレンーア
クリル系共重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニ
ル共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレン、ア
イオノマー等のオレフィン系重合体、ポリ塩化ビニル、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アル
キッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂
、ポリカーボネート、ボリアリレート、ポリスルホン、
ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ケトン樹脂
、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂、フェ
ノール樹脂や、エポキシアクリレート等の光硬化型樹脂
等、各種の重合体が例示される。上記結着樹脂は一種ま
たは二種以上用いられる。

なお、前記のように一般式（１）で表される化合物は、
電荷の輸送性に優れ、高感度で残留電位が小さな感光体
が得られるが、必要に応じて、帯電特性、感光特性など
を阻害しない範囲で、他の電荷輸送材料と併用してもよ
い。上記他の電荷輸送材料としては、例えば、テトラシ
アノエチレン、２゜４．７−ドリニトロー９−フルオレ
ノン等のフルオレノン系化合物、２．４．８−１リニト
ロチオキサントン、ジニトロアントラセン等のニトロ化
化合物、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水
マレイン酸、２．５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル
）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾー
ル系化合物、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アン
トラセン等のスチリル系化合物、ポリビニルカルバゾー
ル等のカルバゾール系化合物、１−フェニル−３−（ｐ
−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン
系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物
、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チ
アジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾ
ール系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式化
合物、縮合多環族化合物等が例示される。なお、前記電
荷輸送材料としての光導電性ポリマー、例えば、ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール等は結着樹脂として使用しても
よい。

また、感光層は、ターフェニル、ハロナフトキノン類、
アセナフチレン等、従来公知の増感剤、９−　（Ｎ、Ｎ
−ジフェニルヒドラジノ）フルオレン、９−カルバゾリ
ルイミノフルオレンなどのフルオレン系化合物、可塑剤
、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの劣化防止剤等、種々
の添加剤を含有していてもよい。

前記単層型感光層における電荷発生材料と一般式（１）
で表される化合物と結着樹脂との使用割合は、特に限定
されず、所望する電子写真用感光体の特性等に応じて適
宜選択することができるが、結着樹脂１００重量部に対
して電荷発生材料２〜２０重量部、特に３〜１５重量部
、一般式（１）で表される化合物４０〜２００重量部、
特に５０〜１００重量部からなるものが好ましい。電荷
発生材料および一般式（１）で表される化合物が上記量
よりも少ないと、感光体の感度が十分でないばかりか、
残留電位が大きくなる。また上記範囲を越えると感光体
の耐摩耗性等が十分でなくなる。

なお、単層型感光層において、前記フタロシアニン系化
合物は適宜量含有されるが、上記結着樹脂１００重量部
に対して０〜２重量部含有されたものが好ましい。フタ
ロシアニン系化合物の量が２重量部を越えると、上記フ
タロシアニン系化合物が長波長領域に分光感度を有する
ため、赤色再現性が十分でなくなる。

単層型感光層は、適宜の厚みを有していてもよいが、１
０〜５０μＦ、特に１５〜２５μｍの厚みを有するもの
が好ましい。

また、積層型感光層における電荷発生層は、前記電荷発
生材料からなる蒸着膜、スパッタリング膜などで形成さ
れていてもよく、電荷発生層が結着樹脂とともに形成さ
れている場合、電荷発生層における電荷発生材料と結着
樹脂との割合は適宜設定することができるが、結着樹脂
１００重量部に対して電荷発生材料５〜５０００重量部
、特に１０〜２５００重量部からなるものが好ましい゛
。

電荷発生材料が５重量部未満であると電荷発生能が小さ
く、５０００重量部を越えると密着性が低下する等の問
題がある。上記電荷発生層は、適宜の厚みを有していて
もよいが、０．０１〜３０μｍ。

特に０．１〜２０μｍ程度の厚みを有するものが好まし
い。

また、電荷輸送層における一般式（１）で表される化合
物と結着樹脂との割合は適宜設定することができるが、
結着樹脂１００重量部に対して、一般式（１）で表され
る化合物１０〜５００重量部、特に２５〜２００重量部
からなるものが好ましい。−般式（１）で表される化合
物が、１０重量部未満であると電荷輸送能が十分でなく
、５００重量部を越えると電荷輸送層の機械的強度等が
低下する。上記電荷輸送層は、適宜の厚みを有していて
もよいが、２〜１０Ｃ１ｌ、特に５〜３０μｍ程度の厚
みを有するものが好ましい。

上記単層型感光層は、電荷発生材料と一般式（１）で表
される化合物と結着樹脂などを含有する感光層用分散液
を調製し、該分散液を前記導電性基材に塗布し、乾燥さ
せることにより形成することができる。また、積層型感
光層は、電荷発生材料と結着樹脂などを含有する電荷発
生層用分散液と、前記一般式（１）で表される化合物と
結着樹脂などを含有する電荷輸送層用塗布液をそれぞれ
調製し、導電性基材に順次塗布し、乾燥させることによ
り形成することができる。

また、上記分散液などの調製に際しては、使用される結
着樹脂等の種類に応じて種々の有機溶剤を使用すること
ができる。上記溶剤としては、ｎ−へキサン、オクタン
、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン
、ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハ
ロゲン化炭化水素、ジメチルエーテル、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチル
エーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケ
トン類、酢酸エチル、゛酢酸メチル等のエステル類、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等、種々の
溶剤が例示され、一種または二種以上混合して用いられ
る。なお、上記分散液などを調製する際、分散性、塗工
性等をよくするため、界面活性剤、レベリング剤等を併
用してもよい。

また、上記分散液などは、従来慣用の方法、例えば、ミ
キサ、ボールミル、ペイントシェーカー、サンドミル、
アトライター、超音波分散器等を用いて調製することが
でき、得られた分散液などを前記導電性基材に塗布し、
加熱して溶剤を除去することにより、本発明の電子写真
用感光体を得ることができる。

なお、前記導電性基材と感光層との密着性を高めるため
、導電性基材と感光層との間に下引き層を形成してもよ
い。該下引き層は、天然または合成高分子を含有する溶
液を塗布し、乾燥後の膜厚が０．０１〜１μ−程度にな
るように形成される。

また、前記感光層を保護するため、感光層上に表面保護
層を形成してもよい。前記表面保護層は、前記種々の結
着樹脂や、該結着樹脂と劣化防止剤等の添加剤との混合
液を通常、乾燥後の膜厚０゜１〜１０μｍ１好ましくは
０．２〜５μｍ程度に塗布することにより形成される。

本発明の電子写真用感光体は、感光層が、前記一般式（
１）で表される化合物を含有しているため、光安定性に
優れると共に、感度および表面電位が高く、しかも残留
電位が小さい。従って、本発明の電子写真用感光体は、
複写機、レーザビームプリンターなどで使用される感光
体として有用である。

（以下、余白） 〈実施例〉 以下に、実施例に基づき、この発明をより詳細に説明す
る。

実施例１ ポリビニルブチラール（漬水化学社製、商品名工スレツ
クＣ）１４０ｆｆｌ量部に対して、β型メタルフリーフ
タロシアニン７０重量部およびベンゼン７００重量部を
ボールミルに仕込み、２４時間混合分散して電荷発生層
用分散液を調製した。上記電荷発生層用分散液をアルマ
イト処理されたアルミニウム板上に塗布し、膜厚的０．
５μｍの電荷発生層を形成した。

また、ポリエステル（東洋紡社製、商品名バイロン２０
０）１００重量部に対して、４．４’　。

４′−トリス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニ
ルアミン７０重量部およびテトラヒドロフラン８００重
量部を用い、撹拌混合して、電荷輸送層用塗布液を調製
し、上記電荷発生層上に塗布し、膜厚的１８μ―の電荷
輸送層を形成することにより、積層型感光層を有する電
子写真用感光体を作製した。

実施例２ 実施例１の４．４’　、４’−１リス（Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルアミノ）トリフェニルアミンに代えて、４．４’　
、４’　−トリス［Ｎ、Ｎ−ジ（４−メチルフェニル）
アミノコ　トリフェニルアミンを用い、上記実施例１と
同様にして電子写真用感光体を作製した。

実施例３ 実施例１の４．４’　、４’　、トリス（Ｎ、Ｎ−ジフ
ェニルアミノ）トリフェニルアミンに代えて、４．４’
　、４’　−トリス［Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノコ　トリフェニルアミンを用い、上記
実施例１と同様にして電子写真用感光体を作製した。

実施例４ 実施例１の４．４’　、４”−トリス（Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルアミノ）トリフェニルアミンに代えて、４．４’　
、４″−トリス［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−
フェニルアミノコ　トリフェニルアミンを用い、上記実
施例１と同様にして電子写真用感光体を作製した。

実施例５ 実施例１の４．４’　、４’−トリス（Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルアミノ）トリフェニルアミンに代えて、４．４’　
、４’−トリス［Ｎ−Ｃ４−クロロフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ］　トリフェニルアミンを用い、上記実施
例１と同様にして電子写真用感光体を作製した。

実施例６ 実施例１の４．．４’　、４’−トリス（Ｎ、Ｎ−ジフ
ェニルアミノ）トリフェニルアミンに代えて、４−　［
Ｎ−（２−メチルフェニル）−Ｎ−（４−メチルフェニ
ル）アミノ］　−４’　−［Ｎ−（３−メチルフェニル
）−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノコ−４’　−［
Ｎ、Ｎ−ジ（３−メチルフェニル）アミノ〕　トリフェ
ニルアミンを用い、上記実施例１と同様にして電子写真
用感光体を作製した。

実施例７ 実施例１の４．４’　、４’　、トリス（Ｎ、Ｎ−ジフ
ェニルアミノ）トリフェニルアミンに代えて、４．４′
−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミ
ンを用い、上記実施例１と同様にして電子写真用感光体
を作製した。

実施例８ 実施例１の４．４’　、４’−）リス（Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルアミノ）トリフェニルアミンに代えて、５４．４′
−ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−４１−メチルト
リフェニルアミンを用い、上記実。

絶倒１と同様にして電子写真用感光体を作製した。

実施例９ 実施例１の４．４’　、４’−トリス（Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルアミノ）トリフェニルアミンに代えて、４．４′−
ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−４１−メトキシト
リフェニルアミンを用い、上記実施例１と同様にして電
子写真用感光体を作゛製した。

実施例１０ 実施例１の４．４’　、４’−トリス（Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルアミノ）トリフェニルアミンに代えて、４．４′−
ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−４′−クロロトリ
フェニルアミンを用い、上記実施例１と同様にして電子
写真用感光体を作製した。

実施例１１ 実施例１の４．４’　、４’−トリス（Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルアミノ）トリフェニルアミンに代えて、４．４′−
ビス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−４１−ジメチルア
ミノ庫すフェニルアミンを用い、上記実施例１と同様に
して電子写真用感光体を作製した。

実施例１２ 実施例１のβ型メタルフリーフタロシアニンに代えて、
ジブロモアンサンスロンを用い、上記実施例１と同様に
して電子写真用感光体を作製した。

実施例１３ 実施例１のβ型メタルフリーフタロシアニンに代えて、
Ｎ、Ｎ’−ジ（４−メチルフェニル）ペリレン−３，４
，９，１０−テトラカルボキシシイ。

ミドを用い、上記実施例１と同様にして電子写真用感光
体を作製した。

比較例１ 実施例１の４．４’　、４’−１リス（Ｎ、Ｎ−ジフェ
ニルアミノ）トリフェニルアミンに代えて、４−　（Ｎ
、Ｎ−ジエチルアミノ）ベンズアルデヒド　Ｎ、Ｎ−ジ
フェニルヒドラゾンを用いて、上記実施例１と同様にし
て積層型感光層を有する電子写真用感光体を作製した。

比較例２ 実施例１のβ型メタルフリーフタロシアニンおよび４．
４’　、４’−トリス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）ト
リフェニルアミンに代えて、Ｎ、Ｎ−ジ（４−メチルフ
ェニル）ペリレン−３，４゜９．１０−テトラカルボキ
シジイミドおよびＮ−エチル−３−カルバゾリルアルデ
ヒド　Ｎ、Ｎ−’ジフェニルヒドラゾンを用いて、上記
実施例１と同様にして電子写真用感光体を作製した。

比較例３ 実施例１のβ型メタルフリーフタロシアニンおよび４．
４’　、４’−）リス（Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ）トリ
フェニルアミンに代えて、Ｎ。

Ｎ′−ジ（４−メチルフェニル）ペリレン−３゜４、　
９．１０−テトラカルボキシジイミドおよび４゜４′　
−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル］
ビフェニルを用いて、上記実施例１と同様にして電子写
真用感光体を作製した。

比較例４ 比較例３のＮ、Ｎ’−ジ（４−メチルフェニル）ペリレ
ン−３，４，９，１０−テトラカルボキシジイミドに代
えて、４．４′−ビス［Ｎ−（２，４゜６−ドリメチル
フエニル）−Ｎ−フェニル］ビフェニルを用いて、上記
比較例３と同様にして電子写真用感光体を作製した。

そして、上記実施例および比較例で得られた電子写真用
感光体の帯電特性、感光特性を調べるため、静電複写紙
試験装置（川口電機社製、５Ｐ−４２８型）を用いて、
−６，ＯＫＶの条件でコロナ放電を行なうことにより、
前記各実施例および比較例の電子写真用感光体を帯電さ
せた。なお、各感光体の表面電位Ｖ　ｓ、ｐ、　（Ｖ）
を測定すると共に、照度１０ルツクスのタングステンラ
ンプを用いて、感光体表面を露光し、上記表面電位Ｖ　
ｓ、ｐ、が１／２となるまでの時間を求め、半減露光量
Ｅ　１／２（μＪ　／　ｃｊ　）を算出した。また、露
光後、０．　１５秒経過後の表面電位を残留電位Ｖ　ｒ
、Ｉ）、　（Ｖ）とした。

上記実施例および比較例で得られた各電子写真用感光体
の帯電特性、感光特性の結果を表１に示す。

（以下、余白） 表１から明らかなように、各比較例の感光体は、いずれ
も感度が十分でなく、残留電位が高いものであった。

これに対して、各実施例の電子写真用感光体は、いずれ
も半減露光量が小さく、感度がよいと共に、残留電位が
小さいことが判明した。

また、光照射による感光体の特性の変化を調べるため、
上記実施例１および１３、比較例１および２の電子写真
用感光体を、照度１０００ルツクスの光源で５分間光照
射した後、上記各感光体の特性を上記と同様にして調べ
、当初の特性との差を求めたところ、表２に示す結果を
得た。

表　　２ 上記表２より明らかなように、比較例１および２の電子
写真用感光体は、光照射により、表面電位、残留電位が
著しく大きくなるだけでなく、感度が大きく低下し、繰
返し特性が十分でないことが判明した。

これに対して、実施例１および１３の感光体は、光照射
しても、帯電特性、感度特性の変化が少なく、繰返し使
用したときでも、安定した特性を示すことが判明した。

〈発明の効果〉 以上のように、本発明の電子写真用感光体によれば、感
光層が、特定のトリフェニルアミン誘導体を含有してい
るので、光安定性に優れると共に、感度および表面電位
が高くミしがち残留電位が小さいという特有の効果を奏
する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性基材上に感光層が形成された感光体において
   、上記感光層が下記一般式（１）で表される化合物を含
   有することを特徴とする電子写真用感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （式中、Ｒ＾１は、水素原子、低級アルキル基、低級ア
   ルコキシ基、ハロゲン原子、フェニル環上に低級アルキ
   ル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を有してい
   てもよいジフェニルアミノ基、ジアルキルアミノ基を示
   し、Ｒ＾２およびＲ＾３は、同一または異なって、フェ
   ニル環上に低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハ
   ロゲン原子を有していてもよいジフェニルアミノ基を示
   す。） ２、Ｒ＾１が、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、
   炭素数１〜４のアルコキシ基またはハロゲン原子、フェ
   ニル環上に炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４の
   アルコキシ基またはハロゲン原子を有していてもよいジ
   フェニルアミノ基、アルキル基部分の炭素数が１〜４の
   ジアルキルアミノ基である上記特許請求の範囲第１項記
   載の電子写真用感光体。 ３、Ｒ＾２およびＲ＾３が、同一または異なって、フェ
   ニル環上に炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４の
   アルコキシ基またはハロゲン原子を有していてもよいジ
   フェニルアミノ基である上記特許請求の範囲第１項記載
   の電子写真用感光体。 ４、感光層が、メタルフリーフタロシアニンまたはチタ
   ニルフタロシアニンを含有する上記特許請求の範囲第１
   項記載の電子写真用感光体。