JPH01113427A - 熱硬化性樹脂組成物及びそれを用いたプリント回路板 - Google Patents
熱硬化性樹脂組成物及びそれを用いたプリント回路板Info
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Landscapes
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂組成物及びプリント回路板に係り、特に
吸湿による電気特性に優れ、高温にさらされても基板の
信頼性が低下しないプリント回路板用樹脂組成物及びそ
れを用いたプリント回路板に関する。
吸湿による電気特性に優れ、高温にさらされても基板の
信頼性が低下しないプリント回路板用樹脂組成物及びそ
れを用いたプリント回路板に関する。
従来、多層プリント回路板用積層材料として、難燃性を
付与する為に各種の難燃化剤の使用が提案されてきた。
付与する為に各種の難燃化剤の使用が提案されてきた。
例えば1合成樹脂に普遍的に使用される難燃化剤として
は、二酸化アンチモン等のアンチモン系化合物、トリフ
ェニルホスファイト、トリス(β−クロロエチル)ホス
ファイト、トリス(ジクロルプロピル)ホスファイト、
トリス(ジブロムプロピル)ホスファイト等の含ハロゲ
ン燐酸塩化合物、塩素化ポリエチレン、ペンタクロロフ
ェノール、テトラブロモエタン、テトラブロモブタン。
は、二酸化アンチモン等のアンチモン系化合物、トリフ
ェニルホスファイト、トリス(β−クロロエチル)ホス
ファイト、トリス(ジクロルプロピル)ホスファイト、
トリス(ジブロムプロピル)ホスファイト等の含ハロゲ
ン燐酸塩化合物、塩素化ポリエチレン、ペンタクロロフ
ェノール、テトラブロモエタン、テトラブロモブタン。
デカブロモジフェニルエーテル等の各種ハロゲン化物が
ある。又、反応性の難燃化剤としては、例えば、塩素又
は臭素化エポキシ樹脂、無水ジクロロマレイン酸、無水
テトラクロロフタル酸、無水テトラブロムフタル酸、無
水ヘット酸等の各種ハロゲン化物及び含燐ポリオール化
合物等がある。
ある。又、反応性の難燃化剤としては、例えば、塩素又
は臭素化エポキシ樹脂、無水ジクロロマレイン酸、無水
テトラクロロフタル酸、無水テトラブロムフタル酸、無
水ヘット酸等の各種ハロゲン化物及び含燐ポリオール化
合物等がある。
また最近シクロトリホスファゼン等の使用も提案されて
いる(例えば特開昭6l−120850)。
いる(例えば特開昭6l−120850)。
積層板に関するものとしては、例えば電子材料VoQ1
ON<17(1971年)第130〜136頁および
特開昭53−3486号公報が挙げられる。
ON<17(1971年)第130〜136頁および
特開昭53−3486号公報が挙げられる。
プリント回路板に使用する樹脂用の難燃化剤としては、
■合成樹脂とは相容性が良く安定であること、■硬化後
の樹脂の電気的、物理的2機械的特性を低下させないも
の、■熱的に安定でありかつはんだ何時の高温処理時に
おいても腐食性、有毒性のガス等を発生しないものが必
要である。ところが、二酸化アンチモンは多量に配合せ
ねば十分な難燃性を示さず、それ故にプリント板を製作
す・る際、ガラスクロス等への樹脂の含浸がうまくゆか
ず良好な基板ができないという欠点を有している。又、
ハロゲン化合物は熱的に不安定であり、特に耐熱性を要
求されるプリント回路板の場合、その加工時に高温にさ
らされると腐食性の有毒ガスを発生し、その上ふくれ等
が生じる。又、一般にハロゲン化合物を難燃化剤として
使用したプリント回路板では、耐水性が悪く、その結果
該難燃化剤が加水分解を起こし回路全体に影響を及ぼし
信頼性を低下させるばかりでなく、成形品を高湿度雰囲
気にさらすと電気的特性を大幅に低下させる。
■合成樹脂とは相容性が良く安定であること、■硬化後
の樹脂の電気的、物理的2機械的特性を低下させないも
の、■熱的に安定でありかつはんだ何時の高温処理時に
おいても腐食性、有毒性のガス等を発生しないものが必
要である。ところが、二酸化アンチモンは多量に配合せ
ねば十分な難燃性を示さず、それ故にプリント板を製作
す・る際、ガラスクロス等への樹脂の含浸がうまくゆか
ず良好な基板ができないという欠点を有している。又、
ハロゲン化合物は熱的に不安定であり、特に耐熱性を要
求されるプリント回路板の場合、その加工時に高温にさ
らされると腐食性の有毒ガスを発生し、その上ふくれ等
が生じる。又、一般にハロゲン化合物を難燃化剤として
使用したプリント回路板では、耐水性が悪く、その結果
該難燃化剤が加水分解を起こし回路全体に影響を及ぼし
信頼性を低下させるばかりでなく、成形品を高湿度雰囲
気にさらすと電気的特性を大幅に低下させる。
また難燃性でかつ耐燃性のポリマーとしてはヘキサクロ
ルシクロトリホスファゼンを原料とするポリマーが知ら
れている(USPNα4,550,177) 。
ルシクロトリホスファゼンを原料とするポリマーが知ら
れている(USPNα4,550,177) 。
しかし、このポリマーでプリンと基板を製造しようとす
ると成形性に難点があり、ワニスとして使用するのが困
難でこのまNでは使用できないという欠点を有する。
ると成形性に難点があり、ワニスとして使用するのが困
難でこのまNでは使用できないという欠点を有する。
ところで、プリント回路板の基板は、大気開放下で使用
される場合が多く、吸湿によって電気的特性が悪くなる
と信頼性が低下する。このため、吸水率が小さく電気特
性が変化しないものが望ま′れる。また、基板に電子部
品を接続搭載する際。
される場合が多く、吸湿によって電気的特性が悪くなる
と信頼性が低下する。このため、吸水率が小さく電気特
性が変化しないものが望ま′れる。また、基板に電子部
品を接続搭載する際。
あるいは加熱接着させる際、基板は高温にさらされる。
このため、短時間でふくれや剥離が生じると部品を搭載
できなくなったり、高温での曲げ強度や銅箔引きはがし
強度が低下すると基板が変形したり導体が剥離し易くな
るため基板の信頼性が低下する。したがってはんだ耐熱
時間の長いもの、更に高温での曲げ強度及び銅箔引はき
がしの高いものが望まれる。
できなくなったり、高温での曲げ強度や銅箔引きはがし
強度が低下すると基板が変形したり導体が剥離し易くな
るため基板の信頼性が低下する。したがってはんだ耐熱
時間の長いもの、更に高温での曲げ強度及び銅箔引はき
がしの高いものが望まれる。
本発明者らは種々研究した結果、前記ホスフォニトリル
環を有する化合物の持つ優れた耐熱性。
環を有する化合物の持つ優れた耐熱性。
耐湿性を維持しつつ、脆弱性、高い成形温度に由来する
難加工性を除去するべく鋭意研究した結果、芳香族マレ
イミド化合物及び/又は芳香族アミン化合物に、ホスホ
ニトリル環を有する化合物をある適正な範囲で配合する
ことによって、反応性及び硬化物の諸特性特に耐湿性を
改良することが可能となることを見い出し本発明を完成
した。
難加工性を除去するべく鋭意研究した結果、芳香族マレ
イミド化合物及び/又は芳香族アミン化合物に、ホスホ
ニトリル環を有する化合物をある適正な範囲で配合する
ことによって、反応性及び硬化物の諸特性特に耐湿性を
改良することが可能となることを見い出し本発明を完成
した。
この発明によるプリント回路板用の、熱硬化性樹脂組成
物は、下記一般式[1]および/または(II)式で示
される環状ホスファニトリル化合物と特定のビスマレイ
ミド類又はアミン化合物との配合物である。
物は、下記一般式[1]および/または(II)式で示
される環状ホスファニトリル化合物と特定のビスマレイ
ミド類又はアミン化合物との配合物である。
(式中、R1〜R6のうち少なくなくとも2つは選ばれ
た基であり、残りは−H1低級アルコキシOCH= C
Hz 、−〇−CHZ CH= CH2および−〇−
CF z CF = CF zから選ばれる基であり
、望ましくは付加重合反応を起こさせるため更に少なく
とも2つの基は−OH。
た基であり、残りは−H1低級アルコキシOCH= C
Hz 、−〇−CHZ CH= CH2および−〇−
CF z CF = CF zから選ばれる基であり
、望ましくは付加重合反応を起こさせるため更に少なく
とも2つの基は−OH。
へ
CH” CH2および一〇−CFz−CF =CF2か
ら選ばれる基で同一または相異なっていてもよい。) また、本発明によるプリント回路板は常法に従って調製
すればよく、上記環状ホスフォニトリル化合物及びマレ
イミド化合物又はアミン化合物を用いて銅張り基板など
を得る。
ら選ばれる基で同一または相異なっていてもよい。) また、本発明によるプリント回路板は常法に従って調製
すればよく、上記環状ホスフォニトリル化合物及びマレ
イミド化合物又はアミン化合物を用いて銅張り基板など
を得る。
環状ホスフォニトリル化合物のうちで本発明に好適に用
いられるものとしては、上記一般式[1)及び〔II〕
式で示されるホスファゼン化合物のうち、少なくなくと
も二つ以上の置換基かのをマレイミド化環状ホスフォニ
トリル化合物と称す。
いられるものとしては、上記一般式[1)及び〔II〕
式で示されるホスファゼン化合物のうち、少なくなくと
も二つ以上の置換基かのをマレイミド化環状ホスフォニ
トリル化合物と称す。
尚、マレイミド化環状ホスフォニトリル化合物として好
ましいものは、残りの置換基のうち少な−O−CH=
CH2、−〇 −CH2−CH= CH2および一〇−
CF2−CF =CFzから選ばれる基であって、これ
らは相互に同じであっても、相異なっていてもよい。こ
れらの置換基を有するものは、付加重合反応がこれら置
換基によって生ずるのでより好適な基板が得られる。
ましいものは、残りの置換基のうち少な−O−CH=
CH2、−〇 −CH2−CH= CH2および一〇−
CF2−CF =CFzから選ばれる基であって、これ
らは相互に同じであっても、相異なっていてもよい。こ
れらの置換基を有するものは、付加重合反応がこれら置
換基によって生ずるのでより好適な基板が得られる。
その他の残りの置換基としては、上記の置換基に加えて
、H,アミノ基で置換されていてもよいアルキル基、ア
ルケニル基、アルキルオキシ基。
、H,アミノ基で置換されていてもよいアルキル基、ア
ルケニル基、アルキルオキシ基。
フェノキシ基、アミノ基で置換されていてもよいアリー
ル基、NH2基などが挙げられる。
ル基、NH2基などが挙げられる。
前記マレイミド化環状ホスフォニトリル化合物としては
、例えばUSP、Nα4,550,177記載の方法に
より合成しても良く、また市販のものを使用しても良い
。
、例えばUSP、Nα4,550,177記載の方法に
より合成しても良く、また市販のものを使用しても良い
。
マレイミド化環状ホスフオニトル化合物と配合するのに
使用されるマレイミド化合物としては芳香族マレイミド
化合物が、成形性の点から、選択される。
使用されるマレイミド化合物としては芳香族マレイミド
化合物が、成形性の点から、選択される。
これらの芳香族マレイミド系化合物としては例えばN、
N’ −m−フェニレンビスマレイミド、N、N’−p
−フェニレンビスマレイミド、N。
N’ −m−フェニレンビスマレイミド、N、N’−p
−フェニレンビスマレイミド、N。
N’−4,4’ −ジフェニルメタンビスマレイミド、
N、N’ −4−4’ −ジフェニルエーテルビスマレ
イミド、N、N’−メチレンビス(3−クロロ−p−フ
ェニレン)ビスマレイミド、N、N’−4,4’ −ジ
フェニルスルホンビスマレイミド、N、N’−m−キシ
レンビスマレイミド、N、N’−4,4’ −ジフェニ
ルシクロヘキサンビスマレイミド、2,2−ビス[4−
(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、2
,2−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニ
ル〕へキサフロロプロパン、等のビスマレイミド化合物
、アニリンとホルムアルデヒドの縮合物と無水マレイン
酸とを反応させて得られる多価マレイミド、及びN−フ
ェニルマレイミド、N−3−クロロフさ エニルマレイミド、N−l−トリルマレイミド、N−m
−トリルマレイミド、N−P−トリルマレ号 イミド、N−9−メトキシフェニルマレイミド。
N、N’ −4−4’ −ジフェニルエーテルビスマレ
イミド、N、N’−メチレンビス(3−クロロ−p−フ
ェニレン)ビスマレイミド、N、N’−4,4’ −ジ
フェニルスルホンビスマレイミド、N、N’−m−キシ
レンビスマレイミド、N、N’−4,4’ −ジフェニ
ルシクロヘキサンビスマレイミド、2,2−ビス[4−
(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、2
,2−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニ
ル〕へキサフロロプロパン、等のビスマレイミド化合物
、アニリンとホルムアルデヒドの縮合物と無水マレイン
酸とを反応させて得られる多価マレイミド、及びN−フ
ェニルマレイミド、N−3−クロロフさ エニルマレイミド、N−l−トリルマレイミド、N−m
−トリルマレイミド、N−P−トリルマレ号 イミド、N−9−メトキシフェニルマレイミド。
N−m−メトキシフェニルマレイミド、N−p−メトキ
シフェニルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−
ピリジルマレイミド、N−ヒドロキシフェニルマレイミ
ド、N−アセトキシフェニルマレイミド、N−ジクロロ
フェニルマレイミド、N−ベンゾフェノンマレイミド、
N−ジフェニルエーテルマレイミド、N−7セチルフエ
ニルマレイミド等のモノマレイミド化合物が用いられる
。
シフェニルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−
ピリジルマレイミド、N−ヒドロキシフェニルマレイミ
ド、N−アセトキシフェニルマレイミド、N−ジクロロ
フェニルマレイミド、N−ベンゾフェノンマレイミド、
N−ジフェニルエーテルマレイミド、N−7セチルフエ
ニルマレイミド等のモノマレイミド化合物が用いられる
。
特に好ましいものとしては、N、N’−4,4’−ジフ
ェニルメタンビスマレイミド、2,2−ビス(4−(4
−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン等、また
、アミン化合物としては、基板の耐熱性の観点から芳香
族のものが選択される。
ェニルメタンビスマレイミド、2,2−ビス(4−(4
−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン等、また
、アミン化合物としては、基板の耐熱性の観点から芳香
族のものが選択される。
これらの芳香族アミン化合物としては例えば、m−フェ
ニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、4,4′−
ジアミノジフェニルメタン、2゜2′−ビス(4−アミ
ノフェニル)プロパン、ベンジジン、4,4′−ジアミ
ノフェニルスルホン。
ニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、4,4′−
ジアミノジフェニルメタン、2゜2′−ビス(4−アミ
ノフェニル)プロパン、ベンジジン、4,4′−ジアミ
ノフェニルスルホン。
ビス−(4−アミノフェニル)メチルホスフィンオキシ
ド、ビス(4−アミノフェニル)フェニルホスフィンオ
キシト、ビス(4−アミノフェニル)メチルアミン、1
,5−ジアミノナフタレン、m−キシリレンジアミン、
1,1−ビス(p−アミノフェニル)フラン、p−キシ
リレンジアミン、6.6′−ジアミノ−2,2′−ジピ
リジル、4゜4′−ジアミノベンゾフェノン、4,4′
−ジアミノミゾベンゼン、ビス(4−アミノフェニル)
フェニルメタン、1,1−ビス(4−アミノフェニル)
シクロヘキサン、1,1−ビス(4−アミノ−3−メチ
ルフェニル)シクロヘキサン、2゜5−ビス(m−アミ
ノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5
−ビス(p−アミノフェニル) −1,3,4−オキサ
ジアゾール1.2゜5−ビス(m−アミノフェニル)チ
アゾロ(4゜5−d)チアゾール、5,5′−ジ(m−
アミノフェニル)−(2,2”)ビス(1,3,4−オ
キサジアゾリル)、4.4’ −ジアミノジフェニルエ
ーテル、4,4′−ビス(p−アミノフェニル)−2,
2’−ジアゾール、m−ビス(4−p−アミノフェニル
−2−チアゾリル)ベンゼン、4.4′−ジアミノベン
ズアニリド、4.4’ −ジアミノフェニルベンゾエー
ト、N、N’ −ビス(4−アミノベンジル)−p−フ
エニレンジアミン、4.4’−メチレンビス(2−ジク
ロロアニリン)、ベンゾグアナミン、メチルグアナミン
、1.2.4−トリアミノベンゼン、1,3.5−トリ
アミノベンゼン、2,4.6−トリアミノトルエン、2
,4.6−トリアミノ−1,3,5−トリメチルベンゼ
ン、2,4.4’ −トリアミノジフェニルエーテル、
2,4.4’ −トリアミノジフェニルメタン、2,4
.4’ −トリアミノジフェニルスルホン、2,4.4
’ −トリアミノベンゾフェノン、2,2−ビス(4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2
−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕へキ
サフロロプロパン、4,4′−ビス(3−アミノフェノ
キシ)ビフェニル、1,3−ビス(3−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)
ベンゼン、3,5.3’ 、5’−テトラアミノベンゾ
フェノン、1,2,4.5−テトラアミノベンゼンある
いはアニリン樹脂等が用いられる。特に好ましいものと
しては、4゜4′−ジアミノジフェニルメタン、2,2
−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロ
パン、等がある。マレイミド化環状ホスフォニトリル化
合物と芳香族マレイミド化合物又は芳香族アミン化合物
との配合割合は、プリント回路板としての良好な特性を
引き出せるように選択すれば良い0通常は前記ホスフォ
ニトリル化合物100重量部に対して芳香族マレイミド
化合物又は芳香族アミン化合物10〜10oO重量部、
好ましくは2o〜700、より好ましくは50〜500
を用いる。
ド、ビス(4−アミノフェニル)フェニルホスフィンオ
キシト、ビス(4−アミノフェニル)メチルアミン、1
,5−ジアミノナフタレン、m−キシリレンジアミン、
1,1−ビス(p−アミノフェニル)フラン、p−キシ
リレンジアミン、6.6′−ジアミノ−2,2′−ジピ
リジル、4゜4′−ジアミノベンゾフェノン、4,4′
−ジアミノミゾベンゼン、ビス(4−アミノフェニル)
フェニルメタン、1,1−ビス(4−アミノフェニル)
シクロヘキサン、1,1−ビス(4−アミノ−3−メチ
ルフェニル)シクロヘキサン、2゜5−ビス(m−アミ
ノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5
−ビス(p−アミノフェニル) −1,3,4−オキサ
ジアゾール1.2゜5−ビス(m−アミノフェニル)チ
アゾロ(4゜5−d)チアゾール、5,5′−ジ(m−
アミノフェニル)−(2,2”)ビス(1,3,4−オ
キサジアゾリル)、4.4’ −ジアミノジフェニルエ
ーテル、4,4′−ビス(p−アミノフェニル)−2,
2’−ジアゾール、m−ビス(4−p−アミノフェニル
−2−チアゾリル)ベンゼン、4.4′−ジアミノベン
ズアニリド、4.4’ −ジアミノフェニルベンゾエー
ト、N、N’ −ビス(4−アミノベンジル)−p−フ
エニレンジアミン、4.4’−メチレンビス(2−ジク
ロロアニリン)、ベンゾグアナミン、メチルグアナミン
、1.2.4−トリアミノベンゼン、1,3.5−トリ
アミノベンゼン、2,4.6−トリアミノトルエン、2
,4.6−トリアミノ−1,3,5−トリメチルベンゼ
ン、2,4.4’ −トリアミノジフェニルエーテル、
2,4.4’ −トリアミノジフェニルメタン、2,4
.4’ −トリアミノジフェニルスルホン、2,4.4
’ −トリアミノベンゾフェノン、2,2−ビス(4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2
−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕へキ
サフロロプロパン、4,4′−ビス(3−アミノフェノ
キシ)ビフェニル、1,3−ビス(3−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)
ベンゼン、3,5.3’ 、5’−テトラアミノベンゾ
フェノン、1,2,4.5−テトラアミノベンゼンある
いはアニリン樹脂等が用いられる。特に好ましいものと
しては、4゜4′−ジアミノジフェニルメタン、2,2
−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロ
パン、等がある。マレイミド化環状ホスフォニトリル化
合物と芳香族マレイミド化合物又は芳香族アミン化合物
との配合割合は、プリント回路板としての良好な特性を
引き出せるように選択すれば良い0通常は前記ホスフォ
ニトリル化合物100重量部に対して芳香族マレイミド
化合物又は芳香族アミン化合物10〜10oO重量部、
好ましくは2o〜700、より好ましくは50〜500
を用いる。
一般に、環状ホスフォニトリル化合物の配合量が多くな
ると硬化した樹脂の難燃性、耐熱性は向上するが、成形
性が低下する傾向があるので基板の用途に応じた選択が
重要なことは云うまでもない。
ると硬化した樹脂の難燃性、耐熱性は向上するが、成形
性が低下する傾向があるので基板の用途に応じた選択が
重要なことは云うまでもない。
本発明によるプリント回路板の製造に際しては、まず、
マレイミド化環状ホスフォニトリル化合物および芳香族
マレイミド化合物又は芳香族アミン化合物を有機溶媒に
溶解させてワニスを調製する。
マレイミド化環状ホスフォニトリル化合物および芳香族
マレイミド化合物又は芳香族アミン化合物を有機溶媒に
溶解させてワニスを調製する。
有機溶剤としては例えば、トルエン、キシレン。
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、N、N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリ
ドン、ジメチルスルホキシド、トリクロロエチレン、ト
リクロロエタン、塩化メチレン、ジオキサン、酢酸エチ
ル等であり、前記樹脂組成物を均一に溶解する溶媒であ
れば限定することなく使用できる。
ン、N、N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリ
ドン、ジメチルスルホキシド、トリクロロエチレン、ト
リクロロエタン、塩化メチレン、ジオキサン、酢酸エチ
ル等であり、前記樹脂組成物を均一に溶解する溶媒であ
れば限定することなく使用できる。
なお、積層板を製作する際の樹脂の流動性、ゲル化時間
等を調整するように必要に応じてワニスを加熱して予備
反応しておいてもよい。又、クロスとの密着性を向上さ
せるための各種カップリング剤の添加しても良い。
等を調整するように必要に応じてワニスを加熱して予備
反応しておいてもよい。又、クロスとの密着性を向上さ
せるための各種カップリング剤の添加しても良い。
次に得られた含浸用ワニスをシート状基材に含浸塗工し
、室温〜170℃で乾燥し、粘着性のないプリプレグを
得る。この時の乾燥温度の設定は用いた溶媒によって決
まる。
、室温〜170℃で乾燥し、粘着性のないプリプレグを
得る。この時の乾燥温度の設定は用いた溶媒によって決
まる。
次に銅箔2枚の間に上記プリプレグを挾んで100〜2
50℃で1〜100kg−f/alYの条件で加熱加圧
成形し導体回路形成用両面銅張り基板を得る。この両面
銅張基板に回路パターンを形成後、これらを前記プリプ
レグシートに必要枚数挾んで、100〜250℃で1〜
100kg−f/c+#の条件で接着成形を行い多層板
を得る。接着成形後、層間接続用の穴をドリルであけて
、該穴を銅めつき等の処理を行い1層間接続し、最後に
最外層の導体を形成しプリント回路板を得る。
50℃で1〜100kg−f/alYの条件で加熱加圧
成形し導体回路形成用両面銅張り基板を得る。この両面
銅張基板に回路パターンを形成後、これらを前記プリプ
レグシートに必要枚数挾んで、100〜250℃で1〜
100kg−f/c+#の条件で接着成形を行い多層板
を得る。接着成形後、層間接続用の穴をドリルであけて
、該穴を銅めつき等の処理を行い1層間接続し、最後に
最外層の導体を形成しプリント回路板を得る。
得られた回路板の形状を第1図に示す。
プリント回路板用のシート状基材としては、−般にプリ
ント基板用として使用されるものが好適に使用される、
無機繊維としては、S i Oz。
ント基板用として使用されるものが好適に使用される、
無機繊維としては、S i Oz。
AQzOa等を成分とするEガラス、Cガラス、A゛ガ
ラスSガラス、Dガラス、YM−31−Aガラスおよび
石英を使用したCガラス等の各種ガラス繊維がある。又
、有機繊維としては、芳香族ポリアミドであるアラミド
繊維等がある。
ラスSガラス、Dガラス、YM−31−Aガラスおよび
石英を使用したCガラス等の各種ガラス繊維がある。又
、有機繊維としては、芳香族ポリアミドであるアラミド
繊維等がある。
本発明は、難燃性を付与するためのハロゲン化合物やア
ンチモン系化合物の配合が不要であるため、補強用基材
に樹脂を含浸したブリプレグシートを用い、これを熱圧
縮成形しても腐食性の有害ガスの発生がなく、回路板を
製作する際の基材への樹脂の含浸性を損なうことがない
。
ンチモン系化合物の配合が不要であるため、補強用基材
に樹脂を含浸したブリプレグシートを用い、これを熱圧
縮成形しても腐食性の有害ガスの発生がなく、回路板を
製作する際の基材への樹脂の含浸性を損なうことがない
。
しかも本発明によるプリント回路板の基板は、大気開放
下で使用されても吸水率が小さいため電気特性に優れ、
高温におけるはんだ耐熱性がよいので基板のふくれや剥
離が生じにくく、高温での曲げ強度、銅箔引きはがし強
度が高いので基板の変形や導体(回路)の剥離が起こり
にくい。
下で使用されても吸水率が小さいため電気特性に優れ、
高温におけるはんだ耐熱性がよいので基板のふくれや剥
離が生じにくく、高温での曲げ強度、銅箔引きはがし強
度が高いので基板の変形や導体(回路)の剥離が起こり
にくい。
以下実施例を挙げて本発明を説明するが勿論本発明はこ
れらの実施例に限定されるものではない。
れらの実施例に限定されるものではない。
実施例1
環状ホスフォニトリル化合物として、ヘキサキス4−マ
レイミドフェノキシシクロトリフオスファゼン(HMC
P)100gとN、N’ −4,4’−ジフェニルメタ
ンビスマレイミド(BMI)250gをN、N’ −ジ
メチルフォルムアミド(DMF)溶媒500gに溶解し
、撹拌しながら120℃で60分間加熱反応させてプリ
プレグ用ワニスを得る。このワニスをガラスクロス(厚
さ0.11)に含浸塗工し、160℃で10分間乾燥し
てプリプレグを得た。次に、接着処理した厚さ35μm
の銅箔2枚の間に該プリプレグを10枚重ねて、圧力5
kg−f/a#、温度170℃で10分間加熱°し、更
に圧力を40kgf/cdにして、温度を170℃から
230℃に昇温して120分間加熱してプリント回路板
用両面鋼張り基板を得た。
レイミドフェノキシシクロトリフオスファゼン(HMC
P)100gとN、N’ −4,4’−ジフェニルメタ
ンビスマレイミド(BMI)250gをN、N’ −ジ
メチルフォルムアミド(DMF)溶媒500gに溶解し
、撹拌しながら120℃で60分間加熱反応させてプリ
プレグ用ワニスを得る。このワニスをガラスクロス(厚
さ0.11)に含浸塗工し、160℃で10分間乾燥し
てプリプレグを得た。次に、接着処理した厚さ35μm
の銅箔2枚の間に該プリプレグを10枚重ねて、圧力5
kg−f/a#、温度170℃で10分間加熱°し、更
に圧力を40kgf/cdにして、温度を170℃から
230℃に昇温して120分間加熱してプリント回路板
用両面鋼張り基板を得た。
実施例2〜12及び比較例1〜2
第1表に示した配合組成にして、樹脂の固形分として約
40%になるように溶媒量を変えただけで実施例1と同
様にして両面銅張り基板を得た。
40%になるように溶媒量を変えただけで実施例1と同
様にして両面銅張り基板を得た。
なお、実施例1〜12及び比較例2は、170℃でワニ
スのゲル化時間を熱板法にて測定したが、その際、溶媒
が揮発した後の樹脂成分は粘度が低くなり流動性を示し
た。しかし比較例1のへキサキス−(4−マレイミドフ
ェノキシ)シクロトリホスファゼンだけのものは溶媒が
揮発すると粉状になり流動性を示さなかった。このため
、良好な基板を得ることができなかった。
スのゲル化時間を熱板法にて測定したが、その際、溶媒
が揮発した後の樹脂成分は粘度が低くなり流動性を示し
た。しかし比較例1のへキサキス−(4−マレイミドフ
ェノキシ)シクロトリホスファゼンだけのものは溶媒が
揮発すると粉状になり流動性を示さなかった。このため
、良好な基板を得ることができなかった。
比較例3
DER−332,100gと臭素化ビスフェノールA型
エポキシ樹脂(ダウ・ケミカル社製商品名DER−51
1、臭素含有率18〜20重量%)200gttDMF
溶媒500gに溶解し更に4゜4′ジアミノジフ工ニル
メタン50gと二酸化アンチモン5g加え撹拌しながら
100℃で30分間加熱反応させてプリプレグ用ワニス
を得る。このワニスをガラスクロス(厚さ0.1m)に
含浸塗工し、160℃で10分間乾燥してプリプレグを
得た。次に、実施例1で示したと同様の条件でプリント
回路板用両面鋼張り基板を得た。
エポキシ樹脂(ダウ・ケミカル社製商品名DER−51
1、臭素含有率18〜20重量%)200gttDMF
溶媒500gに溶解し更に4゜4′ジアミノジフ工ニル
メタン50gと二酸化アンチモン5g加え撹拌しながら
100℃で30分間加熱反応させてプリプレグ用ワニス
を得る。このワニスをガラスクロス(厚さ0.1m)に
含浸塗工し、160℃で10分間乾燥してプリプレグを
得た。次に、実施例1で示したと同様の条件でプリント
回路板用両面鋼張り基板を得た。
前記、実施例および比較例による硬化樹脂及びプリント
回路板の主な特性を第2表に示す。
回路板の主な特性を第2表に示す。
吸水率2体積抵抗率は両面の銅箔を塩化第二鉄液でエツ
チング除去し、JIS C6481に準じて測定した
。
チング除去し、JIS C6481に準じて測定した
。
積燃性はUL−94垂直法に準じて測定を行った。
はんだ耐熱性、銅箔引きはがし強度2曲げ特性はJIS
C6481に準じて測定した。
C6481に準じて測定した。
曲げ強度の保持率は、劣化前の室温で測定した曲げ強度
に対する劣化後の曲げ強度を百分率で示した。
に対する劣化後の曲げ強度を百分率で示した。
実施例から明らかなように、ホスファゼン単独に比べて
、芳香族系アレイミドあるいは芳香族系アミン類が配合
されることによって、極めて優れた流動性を示し、良好
なプリント回路板用積層材料を得ることができ又、耐熱
性、耐湿性に優れ、難燃性は難燃化剤を添加することな
しにUL規格V−Oクラスに相当する。
、芳香族系アレイミドあるいは芳香族系アミン類が配合
されることによって、極めて優れた流動性を示し、良好
なプリント回路板用積層材料を得ることができ又、耐熱
性、耐湿性に優れ、難燃性は難燃化剤を添加することな
しにUL規格V−Oクラスに相当する。
本発明の熱硬化性樹脂組成物は、優れた耐熱性と廻熱性
を有し、溶剤に溶解して、繊維質基材に含有してプリプ
レグとすることができるので、特にプリント回路板用と
して優れている。得られたプリント回路板は、耐熱性、
難燃性および電気特性において優れている。
を有し、溶剤に溶解して、繊維質基材に含有してプリプ
レグとすることができるので、特にプリント回路板用と
して優れている。得られたプリント回路板は、耐熱性、
難燃性および電気特性において優れている。
第1図は、本発明の熱硬化性樹脂組成物を用いて作成し
た多層プリント回路板の部分断面斜視図である。
た多層プリント回路板の部分断面斜視図である。
Claims (8)
- 1.一般式〔 I 〕及び/又は〔II〕で示される環状ホ
スフオニトリル化合物と、芳香族マレイミド化合物及び
/または芳香族アミンとを含む熱硬化性樹脂組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 (式中R_1〜R_8の少なくとも2つが ▲数式、化学式、表等があります▼及び/又は▲数式、
化学式、表等があります▼ で、残りが水素原子,低級アルコキシ基,フェノキシ基
で示される。) - 2.前記環状ホスフオニトリル化合物のR_1〜R_8
の少なくとも3つがマレイミド基であり、残りの置換基
がフェノキシ基である特許請求の範囲第1項記載の熱硬
化性樹脂組成物。 - 3.前記環状ホスフオニトリル化合物100重量部に対
し、芳香族マレイミド化合物10〜1000重量部であ
る特許請求の範囲第1項または第2項記載の熱硬化性樹
脂組成物。 - 4.一般式〔 I 〕及び/又は〔II〕で示される環状ホ
スフオニトリル化合物と、芳香族マレイミド化合物及び
/または芳香族アミンとを含む熱硬化性樹脂組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 (式中R_1〜R_8の少なくとも2つが ▲数式、化学式、表等があります▼及び/又は▲数式、
化学式、表等があります▼ で、残りの置換基のうち少なくとも2つが −OH,▲数式、化学式、表等があります▼,▲数式、
化学式、表等があります▼ −NH_2,▲数式、化学式、表等があります▼,▲数
式、化学式、表等があります▼ −O−CH=CH_2,−O−CH_2CH=CH_2
−OCF_2CF=CF_2から選ばれたもので、残り
が水素原子,低級アルコキシ基,フェノキシ基で示され
る。) - 5.前記環状ホスフオニトリル化合物のR_1〜R_8
の少なくとも3つがマレイミド基であり、残りの置換基
がフェノキシ基である特許請求の範囲第4項記載の熱硬
化性樹脂組成物。 - 6.前記環状ホスフオニトリル化合物100重量部に対
し、芳香族マレイミド化合物10〜1000重量部であ
る特許請求の範囲第4項又は第5項記載の熱硬化性樹脂
組成物。 - 7.繊維質補強基材に熱硬化性樹脂組成物を含有させて
なるプリプレグを加圧成形した基板上に回路を設けたプ
リント回路板において、上記熱硬化性樹脂組成物が、一
般式〔 I 〕及び/又は〔II〕で示される環状ホスフオ
ニトリル化合物と、芳香族マレイミド化合物及び/また
は芳香族アミンとを含む熱硬化性樹脂組成物であること
を特徴とするプリント回路板。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 (式中R_1〜R_2の少なくとも2つが ▲数式、化学式、表等があります▼及び/又は▲数式、
化学式、表等があります▼ で、残りが水素原子,低級アルコキシ基,フェノキシ基
で示される。) - 8.繊維質補強基材に熱硬化性樹脂組成物を含有させて
なるプリプレグを加圧成形した基板上に回路を設けたプ
リント回路板において、上記熱硬化性樹脂組成物が、一
般式〔 I 〕及び/又は〔II〕で示される環状ホスフオ
ニトリル化合物と、芳香族マレイミド化合物及び/また
は芳香族アミンとを含む熱硬化性樹脂組成物であること
を特徴とするプリント回路板。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 (式中R_1〜R_8の少なくとも2つが ▲数式、化学式、表等があります▼及び/又は▲数式、
化学式、表等があります▼ で、残りの置換基のうち少なくとも2つが −OH,▲数式、化学式、表等があります▼,▲数式、
化学式、表等があります▼ −NH_2,▲数式、化学式、表等があります▼,▲数
式、化学式、表等があります▼ −O−CH=CH_2,−O−CH_2CH=CH_2
−OCF_2CF=CF_2から選ばれたもので、残り
が水素原子,低級アルコキシ基,フェノキシ基で示され
る。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29209287A JPH01113427A (ja) | 1986-11-21 | 1987-11-20 | 熱硬化性樹脂組成物及びそれを用いたプリント回路板 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61-276591 | 1986-11-21 | ||
JP62-175925 | 1987-07-16 | ||
JP17592587 | 1987-07-16 | ||
JP29209287A JPH01113427A (ja) | 1986-11-21 | 1987-11-20 | 熱硬化性樹脂組成物及びそれを用いたプリント回路板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01113427A true JPH01113427A (ja) | 1989-05-02 |
Family
ID=26497026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29209287A Pending JPH01113427A (ja) | 1986-11-21 | 1987-11-20 | 熱硬化性樹脂組成物及びそれを用いたプリント回路板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01113427A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109280264A (zh) * | 2018-07-19 | 2019-01-29 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种含有三维结构阻燃剂的环保型阻燃聚丙烯复合材料 |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP29209287A patent/JPH01113427A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109280264A (zh) * | 2018-07-19 | 2019-01-29 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种含有三维结构阻燃剂的环保型阻燃聚丙烯复合材料 |
CN109280264B (zh) * | 2018-07-19 | 2020-12-01 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种含有三维结构阻燃剂的环保型阻燃聚丙烯复合材料 |
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