JPH01110664A - 2−(2−クロロエトキシ)−ベンゼンスルホンアミドの製造方法 - Google Patents

2−(2−クロロエトキシ)−ベンゼンスルホンアミドの製造方法

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JPH01110664A
JPH01110664A JP63222171A JP22217188A JPH01110664A JP H01110664 A JPH01110664 A JP H01110664A JP 63222171 A JP63222171 A JP 63222171A JP 22217188 A JP22217188 A JP 22217188A JP H01110664 A JPH01110664 A JP H01110664A
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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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    • C07C311/22Sulfonamides, the carbon skeleton of the acid part being further substituted by singly-bound oxygen atoms
    • C07C311/29Sulfonamides, the carbon skeleton of the acid part being further substituted by singly-bound oxygen atoms having the sulfur atom of at least one of the sulfonamide groups bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C381/00Compounds containing carbon and sulfur and having functional groups not covered by groups C07C301/00 - C07C337/00
    • C07C381/12Sulfonium compounds

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は2−(2−クロロエトキシ)−ベンゼンスルホ
ンアミドの新規な製造方法に関するものである。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕新規外
方法によってy製造することができる2−(2−クロロ
エトキシ)−ベンゼンスルホンアミドは除草剤である2
−(2−クロロエトキシ)−ベンゼンスルホニル尿素の
合成のための有用な中間体である。この種の高い効力を
有する除草剤は、近年多数の特許出顔明細書及び公報に
記載さn7’H0本発明の方法によって製造することが
できる2−(2−クロロエトキシ)−ベンゼンスルホン
アミド、その製造方法及び特定の種類のスルホニル尿素
からの除草剤である最終生成物の合成における七の用途
は、ヨーロッパ特許筒44808号明細曹中に記載され
ている。
アルコキシベンゼンスルホンアミドの製造のための今1
でに記載された方法は、不安定なジアゾニクム塩が中間
体として得られること及びCu(1)t−用いるサンド
マイヤー型の交換反応が不充分な選択性のみを有するか
又は形成さf′した生成混合物が複雑な分離方法を必要
とするかのいずれかのために、大規模な工業生産のため
にはほとんど適さない。
し友がって、大きな工業的規模で実施可能な2−(2−
クロロエトキシ)−ベンゼンスルホンアミドの製造のた
めの安価な方法が望”Inてtn7’c。
〔課題を解決するための手段〕
驚くべきことに1本発明の新規な方法は実質的に前記要
望に合致するものである。
本発明において、次式■: テ表わサレる4−クロロフェノールをエチレンカーボネ
ートを用いてエーテル化し1次いで得られ九次式■: で表わさルる4−(2−ヒドロキシ−エトキシ)−10
ロベンゼンをホスゲン又ハチオニルクロリドを用いて塩
素化して次式■: で表わされる4−(2−クロロエトキシ)−クロロベン
ゼンとなし、こt″Lヲクロロスルホン酸C15O3H
及び水酸化ナトリウムを用いて次式V:で表わされるス
ルホン酸ナトリウム塩に変換し。
こ几を水素化して次式■ で表わされる化合物となし、こ′n−を続いてホスゲン
と反応させて次式■: で表わされるスルホン酸クロリドとなし、これをアンモ
ニアと反応させて式Iで表わされるスルホンアミドとな
す次式■: で表わされる2−(2−クロロエトキシ)−ベンゼンス
ルホンアミドの製造方法を提供スる。
新規な方法によって作ら几る2−(2−クロロエトキシ
)−ベンゼンスルホンアミ)−u 高純度である。七几
は適するピリミジニル力ルバメ−ト若L<はトリアジニ
ルカルバメートと又は相当するイソシアネートと反応さ
せることにより公知方法によって、特定の種類のスルホ
ニル尿素からなる農薬として有用な活性成分に直接変換
することができる。前記方法の別法においては1式lで
表わされる2−(2−クロロエトキシ)−ベンゼンスル
ホンアミドft較初ニ相当スルイソシアネート又はカル
バメートに変換し。
次いでご几ヲ適するピリミジニルアミン又はトリアジニ
ルアミンと反応させて有効なスルホニル尿素を得る。
式IIで表わされる出発物質は公知であり市販妊几てい
る。
市販のエチレンカーボネー) (1,3−ジオキソラン
−2−オン)とホスゲン又はチオニルクロリドは取初の
2つの反応段階(■→■→■)を行うために使用する。
前記2つの反応は弐■で表わき几る中間体を単離するこ
となく単一槽内で行うことができる。生の出発物質■、
エチレンカーボネート及びホスゲン又はチオニルクロリ
ドは、最初の2つの段階で各課なしで使用することがで
きるということは特筆に値する。
最初の段階(■→■)のための反応温度は+130℃な
いし+150℃の範囲内である。前記段階は第三アミン
例えばトリブチルアミン又は1゜8−ジアザビシクロ(
5,4,0)ウンデセ−7−エンの触媒量の存在下で行
うのが好lしい。第二段階(■→■)のための反応温度
は+70℃ないし+90℃の範囲内である。前記段I8
はジメチルホルムアミド又はジメチルアセトアミドの触
媒量の存在下で行うのが好ましい。ジメチルホルムアミ
ドが好ましい。
単一構法における一連の反応(■→■→■)後の粗反応
混合物を、希水酸化ナトリウム溶液の添加及び続く式I
Vで表わ−ynる化合物の蒸留によって処理する。前記
方法により式IVで表わき几る中間体を高純度で得る。
市販のクロロスルホン酸は本発明の方法の第三段階(■
→Vl’を行5ために使用する。反応を行うために式I
Vで表わされる化合物のモル当すクロロスルホン酸を当
モル量使用する。
前記製造変法において1反応源度は一20℃ないし+6
a℃、好1しくは一10℃ないし+5℃の範囲内である
。+50℃ないし+90℃。
好Iしくは+60℃ないし+80℃の範囲内の温度で水
酸化ナトリウム水溶液を用いてこの反応混合物を中和す
ることにより処理して1式■で表わされる相当するスル
ホン酸す) IJタム塩を得る。好ましい処理方法にお
いては、前記反応混合物を水を用いて希釈し、0℃と+
50℃との間、好1しくけ+20℃と+40℃との間の
温度でトルエン又はキシレンを用いて抽出し。
水溶液を+50℃と+70℃との間の温度で水酸化ナト
リウムを用いて中和する。
前記反応は不活性溶媒例えばアルカン又はクロロアルカ
ン側光ばペンタン、ヘキサン、ヘゲタン、オクタン、デ
カン、ドデカン、及びシクロペンタン、シクロヘキサン
又はデカリン、並びにメナレンクロリド、クロロホルム
、四塩化炭素、ジクロロエタン、トリクロロエタン又ハ
チトラクロロエタン中で行うのが都合がよい。
ヘキサン及びn−デカンが好ましい。
水素を用いる接触水添によジ式VIで表わされる化合物
を得るための式■で表わされる化合物の脱塩素化は、一
般に+20℃ないし+70℃。
好IL<は+40℃ないし+60Cの温度範囲内で、1
ないし5 bar 、好mしくは1ないし4barの圧
力範囲内で、不活性溶媒中で且つ酸受容体の存在下で穏
やかな条件下で行う。一般に。
用いる触媒は貴金属触媒例えば酸化白金の形態の白金又
はパラジウム、白金黒又は硫酸バリウム上に担持した白
金、パラジクム黒又は炭素上に担持したパラジウムであ
る。最も広く使用することができる触媒は5%パラジウ
ム担持炭素の形態で市販されているパラジウム担持炭素
である。通常用いる酸受容体は水酸化ナトリウムである
。前記塩基は一定のpH値(本件においてはp)19.
5と11.5との間)を維持するために連続的に反応混
合物に添加するのが好lしい。好lしい態様においてl
llS式Vで表わされる化合物を、塩基と水との混合物
中で常圧下、+40℃ないし+60℃の温度範囲内で且
つ5%−くラジウム担持炭素触媒の存在下で水素ヲ用い
て水素添加する。
水素添加反応の完結後、濾過又は沈降により触媒を混合
物から除去する。好tL<は反応全体にわたって、P液
をクロロベンゼン?添加し続いて共沸蒸留物を留去する
ことにより乾燥する。前記の好lしい方法において、残
った2−(2−りoロエトキシ)−ベンゼンスルホン酸
ナトリウム塩のスラリーは次の反応段階CM−■)に直
接用いる。
武VIで表わされる化合物は気体状ホスゲンを用いる反
応により武VIIで表わされるスルホニルクロリドに変
換する。経済的及び環境的理由の友めに、ホスゲンは該
ホスゲンを中間的に貯蔵することなく連続ホスゲン発生
機で発生させるのが好ましい。触媒例えばジメチルホル
ムアミド又はジメチルアセトアミドを使用するのが都合
がよい。ナトリウム塩からのスルホニルクロリド生成(
■→■)のための反応条件はこの種の反応のための通常
の条件に相当する。
湿気の除去及び溶媒の不活性化は本質的に重要である。
このような条件は上記の如くである。好ましい反応温度
は+60℃ないし+120℃の範囲内であり、約+95
℃が特に適している。好1しくに反応全体にわたって過
剰のホスゲンを水を用いて洗浄することにより溶液から
除去する。有機相を濾過し1次いで次の反応段階(■→
I)に直接用いる。
式VIIで表わされるスルホン酸クロリドの式Iで表わ
される相当するスルホンアミドへの変換は、この公知反
応段階のための通常の条件下で。
例えば常圧下、0℃ないし100℃、好1しくに+50
℃ないし+70℃の範囲内の温度で1式VIIで表わさ
れる化合物にアンモニア水溶液を添加することにより行
う。この反応は好1しくは、塩素化段階(■→■)から
得られるスルホン酸クロリド溶液にアンモニア水溶液を
加えることによジ行う。
アミド化反応(■→I)の完結後、水と過剰のアンモニ
アとを含む水性相を+70℃、80mbarで共沸的に
留去する。得らnfca濁液を+100℃で木炭上でF
遇する。この涙液ヲ+10℃に冷却後、式Iで表わされ
るスルホンアミドが収率70%〔4−クロロ−2−(ク
ロロエトキシ)−ベンゼンに対して計算した〕、純度9
8ないし99%で結晶化する。
本発明の方法を行うのに好ましい態様においては、弐I
Vで表わされる化合物を反応させて。
式V、  M及びVIIで表わされる中間体を単離する
ことなく式■で表わされる化合物を得る。
前記の好ましい方法においては1式IVで表わされる化
合物を一10℃と+5℃との間の温度でヘキサン又はn
−デカン中でクロロスルホン酸1当量を用いて処理し;
水を用いて急冷し次いでキシレンを用いて抽出し、+5
′O℃と+70℃との間の温度で水酸化ナトリウム水溶
e、ヲ用いて中和し;酸受容体の存在下で、+20℃と
−1−70[との間の温度で1ないし5 barの圧力
範囲内で且つ5%パラジウム担持炭素触媒の存在下で水
素を用いて脱塩素化し:+60℃と+120℃との間の
温度でホスゲンを用いてこの混合物を処理することによ
ジスルホン酸クロリドに変換し;続いてアンモニア水溶
液を用いてこの反応混合物を処理することによジ最終生
成物となす。
更に好lしい変法においては1本発明の方法の実施は中
間体として弐IVで表わされる化合物のみを単離する。
すなわち1式■で表わされる化合物への式IIで表わさ
れる化合物の反応を弐m、 v、 ■及びVIIで表わ
される中間体を単離することなく行うことからなる。
非常に好lしい製造変法においては1式nで表わされる
化合物1−)130℃と+150℃との間の温度でトリ
ブチルアミンの触媒量の存在下でエチレンカーボネート
と反応きせ:得られた反応混合物を+70℃と+90℃
との間の温度でジメチルホルムアミドの触媒量の存在下
でホスゲン又はチオニルクロリドを用いて処理して式I
Vで表わされる化合物を得、こf′Lを精製後−10℃
と+5℃との間の温度でヘキサン又はn−デカン中でク
ロロスルホン酸1当量を用いて処理し;+50℃と+7
0℃との間の温度で水酸化ナトリウム水溶液を用いて中
和し;酸受容体の存在下で、+20℃と+70℃との間
の温度で1ないし5 barの圧力範囲内で且つ5%パ
ラジウム担持炭素触媒の存在下で水素を用いて脱塩素化
し;+60℃と+120℃との間の温度でホスゲンを用
いてこの混合物を処理することによジスルホン酸クロリ
ドに変換し;続いてアンモニア水溶液を用いてこの反応
混合物を処理することにより最終生成物となす。
本発明の方法の最も好ましい操作に2いては。
式■で表わされる化合物1−1−130℃と+150℃
との間の温度でトリブチルアミンの触媒量の存在下でエ
チレンカーボネートと反応させ:得らnた反応混合物を
+70℃と+90℃との間の温度でジメチルホルムアミ
ドの触媒量の存在下でホスゲン又はチオニルクロリドを
用いて処理して式IVで表わされる化合物を得、こt″
Lヲ精製後−100と+5℃との間の温度でn−デカン
中でクロロスルホン酸1当量を用いて処理し:水を用い
て急冷し次いでキシレンを用いて抽出し、+50℃と+
70℃との間の温度で水酸化ナトリウム水@tLを用い
て中和し:水酸化ナトリウムの存在下で、+40℃と+
60℃との間の温度で1ないし4 barの圧力範囲内
で且つ5条パラジウム担持炭素触媒の存在下で水素を用
いて脱塩素化し;+95℃の温度でホスゲンを用いてこ
の混合物を処理することによジスルホン酸クロリドに変
換し:続いて+60℃の温度でアンモニア水溶Kk用い
てこの反応混合物を処理することにより最終生度物とな
す。
〔実施例及び発明の効果〕
製造実施例 一ベンゼン 4−クロロフェノール26.45’トエチレンカ−ボネ
ート1a7fとを、トリブチルアミン1f′1に加えた
後150℃にゆっくり加熱する。反応混合物を二酸化炭
素ガスの発生が止むlで約3時間+150℃に保持する
。次いでこの反応混合物を+85℃に冷却し、次いでジ
メチルホルムアミド12を加える。続いてホスゲン24
1を混合物中に導入する。反応温度を+85℃に8時間
保持し1次いで+60℃に下げる。水100ゴを過剰の
ホスゲンを分解するために加え、続いてこの混合物を2
5%水酸化す) IJウム水溶液1α5fを用いて中和
する。有機相を分離し。
仄イで150−152℃/ 40 rnbarで蒸留し
て4−クロロ−(2−クロロエトキシ)−ベンゼン56
.Of(収率93%)を得る。
一ベンゼン トリブチルアミン112.1Fi4−クロロフェノール
77&8fとエチレンカーボネート560tとの混合物
に加えた後、得らn7′c混合物をゆっくり+150℃
に加熱する。この反応混合物を二酸化炭素ガスの発生が
止むlで約3時間+150℃に保持する。粗混合物中の
トリブチルアミンの大部分を+95℃ないし+105℃
/ 55 rnbarで留去する。続いて残部の4−(
2−ヒドロキシエト°キシ)−クロロベンゼンに、ジメ
チルホルムアミドIA2fの存在下で+85℃ないし+
950でチオニルクロリド785.4t全部を滴下する
。塩化水素ガス及び二酸化硫黄ガスの激しい発生が観察
さ几る。4時間後、チオニルクロリドの添加を完了し1
次いで反応混合物ヲ+30℃ないし+500の水500
mgをi用いて急冷する。
得らf″Lfc二相系を+50℃ないし+60℃で30
係水酸化ナトリウム水溶液684?を用いて中和する。
有機相を分離し、欠いで+87℃なイL + 95 C
/ 5 mbarで蒸留して4−クロロ−(2−クロロ
エトキシ)−ベンゼン1044/(収率90%)を得る
a)クロ0 /C/L/ホン酸124.7fを、+35
Cないし+40℃の範囲内の温度でn−デカン23゜M
l中の4−クロロ−(2−クロロエトキシ)−ベンゼン
2037の溶液に2時間かけて加える。
塩化水素ガスが発生し1次いで粗沈殿が生成する。最後
に得らnた懸濁液を+55℃ないし+40℃で更に2時
間保持する。この反応混合物を水400alf用いて急
冷し、次いで+60℃ないし+65℃の範、凹円の温度
で30%水酸化ナトリウム水溶液158f f用いて中
和する。水相(8asy )を熱時分離し1次いで水素
添加のために直接便用する。
b)  攪拌フラスコ中で、パラジウム5%担持炭素触
媒15pi、+40℃ないし+45℃で上記で得たナト
リウム塩溶液(885f)に加える。
前記混合物を常圧下+40℃ないし+60℃の温度範囲
内で水素を用いて水素添加する。この反応混合物のpH
130%水酸化ナトIJウム水6液12&5S”((連
続的に加えることにより25−11.5の間に保持する
。水素の吸収が全く観察されなくなった時、パラジウム
触媒を戸別し。
次いでF液にクロロベンゼン750dを加える。
水を共沸蒸留によりこの混合物から除去して2−(2−
クロロエトキシ)−ベンゼンスルホン酸ナトリウム塩を
含む懸濁物1150fを得る。
C)上記で得たクロロベンゼン性懸濁液11502をク
ロロベンゼン600dを用いて希釈し、次いで90℃に
加熱する。ジメチルホルムアミド6.8tを加えt後、
ホスゲン1209(12モル)をこの混合物に吹き込む
。反応混合物を2−3時間+90℃に保持し1次いで水
1200 td f用いて+70℃の温度に急冷する。
下層の有機層を+60℃ないし+65℃で分離し1次い
で30%アンモニア水溶液160tと反応させる。
アンモニア全部を加えた時、得られた懸濁液を+60℃
で1時間保持し1次いで無機塩を除去する友めに木炭上
で+100℃で濾過する。F液中の水を共沸蒸留により
除去する。生成物の結晶化Uクロロベンゼン溶液を+1
0℃に冷却することにより起る。無色結晶性沈殿tF別
し。
次いで真空下で乾燥して117−118℃の融点を有t
−る2−(2−クロロエトキシ)−ベンゼンスルホンア
ミド17(1(理論量の70%>tmる。
実施例P3に基づく方法において、最初の反応工程(a
)を下記操作によって置き換えてもよい。
クロロスルホン酸12A8p−i、−10℃ナイし+5
℃の範囲内の温度でn−デカン3801中の4−クロロ
−(2−クロロエトキシ)−ベンゼン2062の懸濁液
に2時間かけて加える。塩化水素ガスが発生する。最後
に得らfL之懸濁液を一10℃ないし+5℃で更に2時
間保持する。
七の後、この反応混合物を水400Mを用いて急冷し1
次いで20−40℃でキシレン500au金用いて抽出
する。次いで水層を分離し、+60℃ないし+65℃の
範囲内の温度で60%水酸化す) l)ラム水溶115
8pi用いて中和する。水層(885p)を熱時分離し
、次いで水素添加のために直接使用する。
反応工程(b)と(C)は実施例P3に記載した操作と
同様に行う。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)次式II: ▲数式、化学式、表等があります▼(II) で表わされる4−クロロフェノールをエチレンカーボネ
    ートを用いてエーテル化し、次いで得られた次式III: ▲数式、化学式、表等があります▼(III) で表わされる4−(2−ヒドロキシ−エトキシ)−クロ
    ロベンゼンをホスゲン又はチオニルクロリドを用いて塩
    素化して次式VI: ▲数式、化学式、表等があります▼(VI) で表わされる4−(2−クロロエトキシ)−クロロベン
    ゼンとなし、これをクロロスルホン酸ClSO_3H及
    び水酸化ナトリウムを用いて次式V: ▲数式、化学式、表等があります▼(V) で表わされるスルホン酸ナトリウム塩に変換し、これを
    水素化して次式VI: ▲数式、化学式、表等があります▼(VI) で表わされる化合物となし、これを続いてホスゲンと反
    応させて次式VII: ▲数式、化学式、表等があります▼(VII) で表わされるスルホン酸クロリドとなし、これをアンモ
    ニアと反応させて式 I で表わされるスルホンアミドと
    なす次式 I : ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で表わされる2−(2−クロロエトキシ)−ベンゼンス
    ルホンアミドの製造方法。
  2. (2)式VIで表わされる化合物を得るための式IIで表わ
    される化合物の反応を、式IIで表わされる化合物を最初
    にエチレンカーボネートと反応させ、続いて得られた反
    応混合物をホスゲン又はチオニルクロリドを用いて処理
    することにより、式IIIで表わされる中間体を単離する
    ことなく行う請求項1記載の方法。
  3. (3)式IIで表わされる化合物を+130℃と+150
    ℃との間の温度でトリブチルアミンの触媒量の存在下で
    エチレンカーボネートと反応させ、次いで得られた反応
    混合物を+70℃と+90℃との間の温度でジメチルホ
    ルムアミドの触媒量の存在下でホスゲン又はチオニルク
    ロリドを用いて処理する請求項2記載の方法。
  4. (4)式IVで表わされる化合物をヘキサン又はn−デカ
    ン中でクロロスルホン酸1当量と−20℃ないし+60
    ℃の範囲内の温度で反応させて式Vで表わされる化合物
    にし、次いでこの溶液を+50℃ないし+90℃の範囲
    内の温度で水酸化ナトリウム水溶液を用いて中和する請
    求項1記載の方法。
  5. (5)式IVで表わされる化合物をヘキサン又はn−デカ
    ン中でクロロスルホン酸1当量と−10℃ないし+5℃
    の範囲内の温度で反応させて式Vで表わされる化合物に
    し、次いでこの溶液を水を用いて急冷し、次いでキシレ
    ン又はトルエンを用いて抽出し、+50℃ないし+70
    ℃の範囲内の温度で水酸化ナトリウム水溶液を用いて中
    和する請求項4記載の方法。
  6. (6)式VIで表わされる化合物を得るための式Vで表わ
    される化合物の脱塩素化を、+20℃ないし+70℃の
    範囲内の温度で1ないし5barの範囲内の圧力下で水
    素を用いて、そして塩基と水との混合物中で5%パラジ
    ウム担持炭素触媒の存在下で行う請求項1記載の方法。
  7. (7)式VIで表わされるスルホン酸ナトリウム塩を+6
    0℃ないし+120℃の範囲内の温度で、ホスゲンを用
    いる反応により式VIIで表わされるスルホン酸クロリド
    に変換する請求項1記載の方法。
  8. (8)式VIIで表わされるスルホン酸クロリドをクロロ
    ベンゼンの存在下でアンモニア水溶液と反応させて式
    I で表わされる化合物を得る請求項1記載の方法。
  9. (9)式IVで表わされる化合物から式 I で表わされる
    化合物への反応を式V、VI及びVIIで表わされる中間体
    を単離することなく行う請求項1記載の方法。
  10. (10)式IVで表わされる化合物を+20℃と+60℃
    との間の温度でシクロヘキサン又はn−デカン中でクロ
    ロスルホン酸1当量を用いて又はそのわずかに過剰量を
    用いて処理し;+50℃と+90℃との間の温度で水酸
    化ナトリウム水溶液を用いて中和し;酸受容体の存在下
    で、+20℃と+70℃との間の温度で1ないし5ba
    rの圧力範囲内で且つ5%パラジウム担持炭素触媒の存
    在下で水素を用いて脱塩素化し;+60℃と+120℃
    との間の温度でホスゲンを用いてこの混合物を処理する
    ことによりスルホン酸クロリドに変換し;続いてアンモ
    ニア水溶液を用いてこの反応混合物を処理することによ
    り最終生成物となす請求項9記載の方法。
  11. (11)式IIで表わされる化合物から式 I で表わされ
    る化合物への反応を式III、V、VI及びVIIの中間体を単
    離することなく行う請求項1記載の方法。
  12. (12)式IVで表わされる化合物を−10℃と+5℃と
    の間の温度でヘキサン又はn−デカン中でクロロスルホ
    ン酸1当量を用いて処理し;水を用いて急冷し次いでキ
    シレンを用いて抽出し、+50℃と+70℃との間の温
    度で水酸化ナトリウム水溶液を用いて中和し;酸受容体
    の存在下で、+20℃と+70℃との間の温度で1ない
    し5barの圧力範囲内で且つ5%パラジウム担持炭素
    触媒の存在下で水素を用いて脱塩素化し;+60℃と+
    120℃との間の温度でホスゲンを用いてこの混合物を
    処理することによりスルホン酸クロリドに変換し;続い
    てアンモニア水溶液を用いてこの反応混合物を処理する
    ことにより最終生成物となす請求項11記載の方法。
  13. (13)式IIで表わされる化合物を+130℃と+15
    0℃との間の温度でトリブチルアミンの触媒量の存在下
    でエチレンカーボネートと反応させ;得られた反応混合
    物を+70℃と+90℃との間の温度でジメチルホルム
    アミドの触媒量の存在下でホスゲン又はチオニルクロリ
    ドを用いて処理して式IVで表わされる化合物を得、これ
    を精製後−10℃と+5℃との間の温度でヘキサン又は
    n−デカン中でクロロスルホン酸1当量を用いて処理し
    ;+50℃と+90℃との間の温度で水酸化ナトリウム
    水溶液を用いて中和し;酸受容体の存在下で、+20℃
    と+70℃との間の温度で1ないし5barの圧力範囲
    内で且つ5%パラジウム担持炭素触媒の存在下で水素を
    用いて脱塩素化し;+60℃と+120℃との間の温度
    でホスゲンを用いてこの混合物を処理することによりス
    ルホン酸クロリドに変換し;続いてアンモニア水溶液を
    用いてこの反応混合物を処理することにより最終生成物
    となす請求項1記載の方法。
  14. (14)式IIで表わされる化合物を+130℃と+15
    0℃との間の温度でトリブチルアミンの触媒量の存在下
    でエチレンカーボネートと反応させ;得られた反応混合
    物を+70℃と+90℃との間の温度でジメチルホルム
    アミドの触媒量の存在下でホスゲン又はチオニルクロリ
    ドを用いて処理して式IVで表わされる化合物を得、これ
    を精製後−10℃と+5℃との間の温度でn−デカン中
    でクロロスルホン酸1当量を用いて処理し;水を用いて
    急冷し次いでキシレンを用いて抽出し、+50℃と+7
    0℃との間の温度で水酸化ナトリウム水溶液を用いて中
    和し;水酸化ナトリウムの存在下で、+40℃と+60
    ℃との間の温度で1ないし4barの圧力範囲内で且つ
    5%パラジウム担持炭素触媒の存在下で水素を用いて脱
    塩素化し;+95℃の温度でホスゲンを用いてこの混合
    物を処理することによりスルホン酸クロリドに変換し;
    続いて+60℃の温度でアンモニア水溶液を用いてこの
    反応混合物を処理することにより最終生成物となす請求
    項13記載の方法。
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