KR0133295B1

KR0133295B1 - 2-(2-클로로에톡시)벤젠술폰아미드의 제조방법

Info

Publication number: KR0133295B1
Application number: KR1019880011434A
Authority: KR
Inventors: 게오르크 한라이히 라인하드
Original assignee: 베르너 발레크, 발트라우트 베케레; 노바티스 아게
Priority date: 1987-09-04
Filing date: 1988-09-03
Publication date: 1998-04-13
Also published as: IL87659A0; ES2053803T3; JPH01110664A; US4959501A; EP0306453B1; DE3877664D1; KR890005044A; IL87659A; JPH0565504B2; EP0306453A2; EP0306453A3

Abstract

내용 없음.

Description

[발명의 명칭]

2-(2-클로로에톡시)벤젠술폰아미드의 제조방법

[발명의 상세한 설명]

본 발명은 2-(2-클로로에톡시)벤젠술폰아미드의 신규한 제조방법에 관한 것이다.

신규 제조 방법에의해 제조할 수 있는 2-(2-클로로에톡시)벤젠술폰아미드는 제초활성이 있는 2-(2-클로로에톡시)벤젠술포니우레아의 합성에 중요한 중간체이다. 이러한 종류의 매우 효과적인 제초제는 최근 다수의 특허원 및 특허 공고에 기재된 바 있다.

본 발명의 방법에의해 제조할 수 있는 2-(2-클로로에톡시)벤젠술폰아미드, 이것의 제조방법 및 술포니우레아류로부터 제초 활성이 있는 최종 생산물 합성 시의 이들의 용도가 유럽 특허 제 44 808호에 기술되어 있다.

종래의 알콕시벤젠술폰아미드의 제조 방법은, 불안정한 디아조늄염이 중간체로서 수득되고 Cu(I) 화합물과의 샌드 메이어-형(Sandmeyer-type) 교환반응이 단지 불충분한 선택도를 갖거나 생성물 화합물이 복잡한 분리 기법을 요하는 형태로 생성되기 때문에 대규모 공업에 적용하기에는 덜 적합하다.

따라서, 대규모 공업용으로 수행할 수 있는, 2-(2-클로로에톡시)벤젠술폰아미드의 원가 낮은 제조방법에대한 필요성이 존재해 왔다.

놀랍게도, 본 발명의 신규 방법은 이러한 요구 조건들을 거의 만족시킨다.

본 발명에 따르면, 에티렌 카보네이트를 사용하여 하기 구조식(II)의 4-클로로페놀을 에테르화시키고 생성된 하기 구조식(III)의 4-(2-히드록시에톡시)클로로벤젠을 포스겐 또는 티오닐 클로라이드로 염소화시켜 하기 구조식(IV)의 4-(2-클로로에톡시)클로로벤젠을 수득한 다음 이것을 클로로술폰산 CLSO₃H 및 수산화나트륨을 사용하여 하기 구조식(V)의 술폰산 나트륨염으로 전환시키고 다시 하기 구조식(VI)의 화합물로 수소화시킨 다음 포스겐과 반응시켜 하기 구조식(VII)의 술폰산 클로라이드를 제조하고 이를 암모니아와 반응시켜 하기 구조식(I)의 술폰아미드를 수득하는 것을 포함하는, 구조식(I)의 2-(2-클로로에톡시)벤젠술폰아미드의 제조가 제안된다.

신규한 방법에의해 형성된 2-(2-클로로에톡시)벤젠술폰아미드는 고순도이다. 적합한 피리미딘일카르바메이트 또는 트리아진일 카르바메이트와, 또는 상응하는 이소시아네이트와 반응시키는 공지된 방법에 의해 이것을 농약으로서 유용한 술포닐우레아류의 활성 성분으로 직접 전환시킬 수 있다. 이것에 대한 다른 방법으로서, 구조식 (I)의 2-(2-클로로에톡시)벤젠술폰아미드를 우선 상응하는 이소시아네이트 또는 카르바메이트로 전환시키고 이어 이것을 적합한 피리미딘일아민 또는 트리아진일아민과 반응시켜 유효한 술포닐우레아를 수득한다.

구조식(II)의 출발 물질은 공지되어 있고 상업적으로 유용하다.

상업적으로 유용한 에틸렌 카보네이트(1,3-이옥솔란-2-온) 및 포스겐 또는 티오닐 클로라이드를 처음 2개 반응 단계(II → III → IV)를 수행하는데 사용할 수 있다. 이들 2개 반응은 구조식(III)의 중간체를 분리함없이 단일 반응조내에서 수행할 수 있다. 순수한 출발 물질(II), 에틸렌 카보네이트 및 포스겐 또는 티오닐 클로라이드를 처음 2개 단계에서 용매없이 사용할 수 있다는 것은 주목할 만하다. 제 1단계(II → III)에 대한 반응 온도는 +130℃ 내지 +150℃의 범위이다. 바람직하게는 이 단계를 예를들어 촉매량의 트리부틸아민과 같은 3급아민 또는 1,8-디아자비시클(5,4,0)운데스-7-앤 존재하에서 수행한다. 제 2단계(III → IV)에 대한 반응 온도는 +70℃ 내지 +90℃이다. 바람직하게는 이 단계를 촉매량의 디메틸포름아미드 또는 디메틸아세트아미드 존재하에 수행한다. 디메틸포름아미드가 바람직하다.

단일 반응조 과정에서 반응순서 (II → III → IV) 후 수산화나트륨 희석 용액을 부가하고 또 구조식(IV)의 화합물을 후속적으로 증류시키면서 조 반응 화합물을 처리한다. 이 과정을 통하여 고순도의 구조식(IV)의 중간체가 수득된다.

상업적으로 유용한 클로로술폰산이 본 발명 방법의 제 3단계 (IV → V)를 수행하는데 사용된다. 반응을 수행하기 위해 일반식(V)의 화합물 몰당 등몰량의 클로로술폰산을 사용한다.

이러한 방법 변형에 따르면, 반응 온도는 -20℃ 내지 +60℃ 바람직하게는 -10℃ 내지 +5℃ 범위이다. +50 내지 +90℃, 바람직하게는 +60℃ 내지 80℃ 범위의 온도에서 수성 수산화 나트륨으로 반응 혼합물을 증화시켜 후속 처리함으로써, 구조식(V)의 상응하는 술폰산 나트륨염을 수득한다. 바람직한 후처리 과정에 있어서, 반응 혼합물을 물로 희석시키고, 0℃ 내지 +50℃, 바람직하게는 +20℃ 내지 +40℃의 온도에서 톨루엔 또는 크실렌으로 추출한다음, 수용액을 +50℃ 및 +70℃ 사이의 온도에서 수산화 나트륨으로 증화시킨다.

이 반응은 유리하게는 예를들어 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 데칸, 도데칸, 및 또한 시클로펜탄, 시클로헥산 또는 데칼린은 물론 메틸렌클로라이드, 클로로포름, 카본 테트라클로라이드, 디클로로에탄, 트리클로로에탄 또는 테트라클로로에탄등의 알칸 또는 클로로알칸과 같은 비활성 용매내에서 수행한다. 헥산 및 n-데칸이 바람직하다.

수소를 사용하는 촉매 수소화 반응에 의해 구조식(VI)의 화합물을 수득할 수 있는 구조식(V)의 화합물의 탈염소화 반응은 일반적으로 부드러운 조건하에서, 즉 +20℃ 내지 +70℃, 바람직하게는 +40℃ 내지 +60℃의 온도범위, 1 내지 5 바아, 바람직하게는 1 내지 4 바아의 압력 범위에서, 비활성 용매내 및 산 수용체의 존재하에 수행된다. 일반적으로, 사용되는 촉매는 산화 백금 형태의 백금 또는 팔라듐, 백금 블랙 또는 황산 바륨상의 백금, 팔라듐 블랙 또는 탄소상의 팔라듐과 같은 귀금속 촉매이다. 가장 널리 사용될 수 있는 촉매는 탄소상의 5% 팔라듐으로서 상업적으로 유용한 탄소상의 팔라듐이다. 보통 사용되는 산 수용체는 수산화 나트륨이다. 일정한 pH-값, 본 발명의 경우에는 pH9.5 내지 11.5를 유지하기 위해 바람직하게는 이러한 염기를 반응 혼합물에 계속적으로 부가한다. 바람직한 구체예에 있어서, 구조식(V)의 화합물을 +40℃ 내지 +60℃ 범위의 온도 및 상압에서 염기 및 물의 혼합물내에서 탄소상의 5% 팔라듐 촉매 존재하에 수소를 사용하여 수소화시킨다.

수소화 반응 종료 후, 여과 또는 침강에의해 혼합물로부터 촉매를 제거한다. 바람직하게는 전체 반응에 걸쳐서, 클로로벤젠을 부가하고 또 이어 공비 증류액을 증류 제거함으로써 여액을 건조시킨다. 상기 바람직한 과정에 있어서, 잔류하는 2-(2-클로로에톡시)벤젠술폰나트륨염의 슬러리를 직접 그다음 반응 단계(VI - VII)에 도입한다.

구조식(VI)의 화합물을 기체상 포스겐과의 반응에 의해 구조식(VII)의 술포닐 클로라이드로 전환시킨다. 경제적인 및 생태학적인 이유로, 바람직하게는 포스겐을 상기 포스겐이 중간체 저장없이 포스겐 발생기로부터 계속적으로 발생시킨다. 예를들어 디메틸포름아미드 또는 디메틸아세트아미드와 같은 촉매를 사용하는 것이 유리하다. 나트륨염으로부터 술포닐 클로라이드를 발생시키는 (VI → VII) 반응 조건은 이러한 형태의 반응에 대한 통상적인 조건에 해당한다. 습기의 차단 및 용매의 비활성이 본질적인 특징이다. 이러한 조건은 상기 지시한 바와 같다. 바람직한 반응 온도는 +60℃ 내지 +120℃ 범위이고, 약 95℃가 특별히 바람직하다. 바람직하게는 전체 반응에 있어서, 과량의 포스겐은 그것을 물론 세척함으로써 용액으로부터 제거시킨다. 유기층을 여과하고 직접 그다음 반응 단계(VII → I)에 도입한다.

구조식(VII) 술폰산 클로라이드 구조식(I)의 상응하는 술폰아미드로의 전환은 그자체 공지된 반응 단계에대한 통상적인 조건하에서, 예를들어 상압하 및 0℃ 내지 +100℃, 바람직하게는 +50℃ 내지 +70℃ 범위의 온도에서, 구조식(VII)의 화합물에 암모니아 수용액을 부가함으로써 수행한다. 바람직하게는 염소화단계 (VI → VII)로부터 수득된 바와같은 술폰산 클로라이드 용액에 부가되는 암모니아 수용액을 사용하여 반응을 수행한다.

아미드화 반응 (VII → I)종료 후, 물 및 과량의 암모니아를 함유하는 수성 상을 +70℃ 및 80 mbar에서 공비 증류 제거시킨다. 생성된 현탁액을 +100℃에서, 또 챠르콜 상에서 여과한다. 여액을 +10℃로 냉각시킨 후 구조식(I)의 술폰아미드 70% 수율(4-클로로-2-(클로로에톡시)벤젠을 기준하여 계산됨) 및 98 내지 99% 순도로 결정화된다.

본 발명의 방법을 수행하는 바람직한 방식에 있어서, 구조식(V), (VI) 및 (VII)의 중간체를 분리함없이, 구조식(IV)의 화합물을 반응시켜 구조식(I)의 화합물을 수득한다.

상기 바람직한 방법에 있어서, 구조식(IV)의 화합물을 -10℃ 내지 +5℃의 온도에서 핵산 또는 n-데칸중의 클로로술폰산 1당량으로 처리하고; 물론 식힌(guenching)다음, 크실렌으로 추출하고, +50℃ 내지 +70℃의 온도에서 수성 수산화나트륨으로 중화시키며; 산 수용체 존재하, 1 내지 5bar 범위의 압력 및 +20℃ 내지 +70℃의 온도에서 탄소상의 5% 팔라듐 촉매 존재하에 수소로 탈염소화시키고; +60℃ 내지 +120℃의 온도에서 포스겐으로 혼합물을 처리하여 술폰산 클로라이드로 전환시킨 다음; 반응 혼합물을 암모니아 수용액으로 처리함으로써 최종 생성물에 이르기까지 반응시킨다.

더욱 바람직한 변형에 있어서, 본 발명 방법의 수행은 유일한 중간체로서 구조식(IV)의 화합물의 분리를 포함한다. 즉, 구조식(III), (V), (VI) 및 (VII)의 중간체를 분리함없이 구조식(II) 화합물의 반응을 진행시켜 구조식(I)의 화합물이 생성되도록 한다.

훨씬 더 바람직한 방법 변형에 있어서, +130℃ 내지 +150℃의 온도에서 촉매량의 트리부틸아민의 존재하에 구조식(II)의 화합물을 에틸렌 카보네이트와 반응시키고; 생성된 반응 혼합물을 +70℃ 내지 +90℃의 온도에서 촉매량의 디메틸포름아미드 존재하에 포스겐 또는 티오닐 클로라이드로 처리하여 구조식(IV)의 화합물을 수득하며, 정제후 이 화합물을 -10℃ 내지 +5℃의 온도에서 헥산 또는 n-데칸중의 클로로술폰산 1당량으로 처리하고; 물로 식혀, 크실렌으로 추출하고, +50℃ 내지 +70℃의 온도에서 수성 수산화 나트륨으로 증화시키며; 산 수용체 존재하, 1 내지 5bar 범위의 압력 및 +20℃ 내지 +70℃의 온도에서 또 탄소상의 5% 팔라듐 촉매 존재하에 수소를 사용하여 탈할로겐화시키고; +60℃ 내지 +120℃의 온도에서 포스겐으로 혼합물을 처리하여 술폰산 클로라이드로 전환시킨 다음; 암모니아 수용액으로 반응 혼합물을 처리함으로써 반응을 진행시켜 최종 생성물을 형성시킨다.

본 발명 방법의 가장 바람직한 과정은, +130℃ 내지 +150℃의 온도에서 촉매량의 트리부틸아민 존재하에 구조식(II)의 화합물을 에틸렌 카보네이트와 반응시키고; +70℃ 내지 +90℃의 온도에서 촉매량의 디메틸포름아미드 존재하에, 상기 생성된 반응 혼합물을 티오닐 클로라이드로 처리하여 구조식(IV)의 화합물을 수득하며, 정제 후, 이 화합물을 -10℃ 내지 +5℃의 온도에서 n-데칸중의 클로로술폰산 1당량으로 처리하고; 물로 식혀, 크실렌으로 추출하고, +50℃ 내지 +70℃의 온도에서 수성 수산화 나트륨으로 증화시키며; 수산화나트륨 존재하, 1 내지 4bar 범위의 압력 및 +40℃ 내지 +60℃의 온도에서, 또 탄소상의 5% 팔라듐 촉매 존재하에, 수소를 사용하여 탈염소화시키고; +95℃ 온도에서 포스겐으로 혼합물을 처리하여 술폰산 클로라이드로 전환시킨다음; +60℃에서 암모니아 수용액으로 반응 혼합물을 처리함으로써 반응을 진행시켜 최종 생성물을 형성시킨다.

[제조 실시예]

[실시예 1]

4-클로로-(2-클로로에톡시)-벤젠

26.4g의 4-클로로페놀 및 18.7g 의 에틸렌 카보네이트에 1g의 트리부틸아민을 부가한 후 150℃로 서서히 가열한다. 이산화탄소 기체의 방출이 중지될 때까지 약 3시간동안 반응 혼합물을 150℃로 유지시킨다. 이어 반응 혼합물을 +85℃로 냉각시키고 디메틸포름아미드 1g을 부가한다. 이어 포스겐 24g을 혼합물을 통하여 기포화시킨다. 반응 혼합물을 85℃에서 8시간 유지시킨 다음 +60℃로 낮춘다. 100ml의 물을 부가하여 과량의 포스겐을 없앤 다음 수산화 나트륨의 25% 수용액 10.5g으로 혼합물을 증화시킨다. 유기 층을 분리하고 150 내지 152℃/40mb에서 증류시켜 4-클로로-(2-클로로에톡시)-벤젠 36.0g(93%수율)을 수득한다.

[실시예 2]

4-클로로-(2-클로로에톡시)-벤젠

4-클로로페놀 778.8g 및 560g의 에틸렌 카보네이트의 혼합물에 112.4g의 트리부틸아민을 부가한 후, 생성된 혼합물을 150℃로 서서히 가열한다. 반응 혼합물을 이산화 탄소 기체의 방출이 중지될 때가지 약 3시간동안 150℃로 유지시킨다. 조 혼합물중의 트리부틸아민은 대부분 +95℃ 내지 +105℃/35mb에서 증류 제거시킨다. 이어 13.2g의 디메틸포름아미드 존재하, +85℃ 내지 +90℃에서 전체 785.4g의 티오닐 클로라이드를 방울 방울 사용하여 잔류하는 4-(2-히드록시에톡시)-클로로벤젠을 처리한다. 염화 수소 및 이산화황 기체의 격렬한 방출이 관찰된다. 4시간 후 티오닐 클로라이드 부가를 종료하고 +30℃ 내지 +50℃의 물 500ml로 반응 혼합물을 식힌다. 생성된 2상 계를 +50℃ 내지 +60℃에서 30% 수산화나트륨 수용액 384g으로 중화시킨다. 유기층을 분리하고 +87℃ 내지 +95℃/5mb에서 증류시켜 4-클로로-(2-클로로에톡시)-벤젠 1044g(90%수율)을 수득한다.

[실시예 3]

2-(2-클로로에톡시)-벤젠술폰아미드

a) +35℃ 내지 40℃ 범위의 온도에서 n-데칸 230ml중의 4-클로로-(2-클로로에톡시)-벤젠 203g의 용액에 124.7g의 클로로술폰산을 2시간에 걸쳐 부가한다. 염화 수소 기체를 배기시키면 조 침전물이 형성된다. 최종 현탁액을 +35℃ 내지 +40℃에서 다시 2시간동안 방치한다. 반응 혼합물을 400ml의 물로 식힌 다음 +60℃ 내지 +65℃ 범위의 온도에서 30% 수산화 나트륨 수용액 158g으로 중화시킨다. 수성층(885g)을 뜨거운 상태로 분리하고 직접 수소화 반응에 사용한다.

b) 교반 플라스크 내에서 +40℃ 내지 +45℃의 상기 수득한 나트륨염 용액(885g)에 탄소상의 팔라듐 5% 촉매 15g을 부가한다. 이 혼합물을 +40℃ 내지 +60℃ 범위의 온도 및 상압하에서 수소를 사용하여 수소화시킨다. 30% 수산화 나트륨 수용액 126.5g을 계속적으로 부가하므로써 반응 혼합물의 pH를 9.5 내지 11.5로 유지시킨다. 수소 흡수가 관찰되지 않는 경우에는 팔라듐 촉매를 여과 제거하고 여액을 750ml의 클로로벤젠에 부가한다. 공비 증류(azeotropic distillation)에 의해 이 혼합물로부터 물을 제거하여 2-(2-클로로에톡시)벤젠술론산 나트륨염을 함유하는 현탁액 1150g을 수득한다.

c) 1150g의 상기 수득한 클로로벤젠형 현탁액을 600ml의 클로로벤젠으로 희석하고 +90℃로 가열하다. 6.8g의 디메틸포름 아미드를 부가한 후 포스겐 120g(1.2몰)을 혼합물을 통하여 기포화시킨다. 반응 혼합물을 90℃에서 2내지 3시간동안 방치한다음 70℃의 온도에서 물 1200ml로 식힌다. +60℃ 내지 +65℃에서 아래 유기층을 분리하고 30% 암모니아 수용액 160g과 반응시킨다.

암모니아를 모두 부가한 경우, 생성된 현탁액을 +60℃에서 1시간동안 방치한 다음 +100℃에서 챠르콜상에서 여과하여 무기염을 제거한다. 여액중의 물을 공비 증류에의해 제거한다. 클로로벤젠 용액을 +10℃로 냉각시켜 생성물을 결정화를 야기시킨다. 무색 결정성 침전물을 여과제거하고 진공하에서 건조시켜 117 내지 118℃의 융점을 갖는 2-(2-클로로에톡시)벤젠술론아미드 170g(이론치의 70%)을 수득한다.

[실시예 4]

2-(2-클로로에톡시)-벤젠술폰아미드

실시예 3에 따른 방법에서 제 1 반응 단계(a)를 하기 과정으로 대신할 수 있다.

-10℃ 내지 +5℃ 범위의 온도에서 n-데칸 380g중의 4-클로로-(2-클로로에톡시)-벤젠 203g의 현탁액에 123.8g의 클로로술폰산을 2시간에 걸쳐 부가한다. 염화 수소 기체를 방출시킨다. 최종 현탁액을 -10℃ 내지 +5℃에서 다시 2시간동안 방치한다. 그후, 반응 혼합물을 400ml의 물로 식히고 20내지 40℃에서 300ml의 크실렌으로 추출한다. 이어 수성층을 분리하고 +60℃ 내지 +65℃ 범위의 온도에서 30% 수산화나트륨 수용액 158g으로 중화시킨다. 수성층(885g)을 뜨거운 상태로 분리하고 직접적으로 수소화 반응에 사용한다. 반응 단계 (b) 및 (c)를 실시예 3에 기술된 바와 같이 수행한다.

Claims

하기 구조식(II)의 4-클로로페놀을 에틸렌 카보네이트로 에테르화시키고 생성된 하기 구조식(III)의 4-(2-히드록시에톡시)클로로벤젠을 포스겐 또는 티오닐 클로라이드로 염소화시켜 하기 구조식(IV)의 4-(2-클로로에톡시)클로로벤젠을 수득하며 이것을 클로로술폰산 CLSO₃H 및 수산화나트륨을 사용하여 하기 구조식(V)의 술폰산 나트륨염으로 전환시키고 다시 하기 구조식(VI)의 화합물로 수소화시킨 다음 포스겐과 반응시켜 하기 구조식(VII)의 술폰산 클로라이드를 형성시키고 이것을 암모니아와 반응시켜 하기 구조식(I)의 술폰아미드를 수득하는 것을 포함하는, 하기 구조식(I)의 2-(2-클로로에톡시)벤젠술폰아미드의 제조방법.
제1항에 있어서, 구조식(IV)의 화합물을 생성시키는 구조식(II)의 화합물의 반응을, 구조식(III)의 중간체를 분리함없이, 구조식(II)이 화합물을 처음에 에틸렌 카보네이트와 반응시킨 다음 이어 생성된 반응 혼합물을 포스겐 또는 티오닐 클로라이드로 처리함으로써 수행하는 방법.
제2항에 있어서, 구조식(II)의 화합물 반응을 +130℃ 내지 +150℃의 온도에서 촉매량의 트리부틸아민 존재하에 에틸렌 카보네이트를 사용하여 수행하고, 또 생성된 반응 혼합물을 +70℃ 내지 +90℃의 온도에서 촉매량의 디메틸 포름아미드 존재하에 포스겐 또는 티오닐 클로라이드를 처리하는 방법.
제1항에 있어서, 구조식(IV)의 화합물을, -20℃ 내지 +60℃의 온도에서, 핵산 또는 n-데칸중의 클로로술폰산 1당량으로 사용하여 화합물(V)로 반응시키고, +50℃ 내지 +90℃ 범위의 온도에서, 수성 수산화나트륨으로 용액을 중화시키는 방법.
제4항에 있어서, 구조식(IV)의 화합물을, -10℃ 내지 +5℃ 범위의 온도에서, 핵산 또는 n-데칸중의 클로로술폰산 1당량으로 사용하여 화합물(V)로 반응시키고, 또 용액을 물로 식혀 크렌실 또는 톨루엔으로 추출하고, +50℃ 내지 +70℃ 범위의 온도에서, 수성 수산화 나트륨으로 용액을 중화시키는 방법.
제1항에 있어서, 구조식(IV)의 화합물이 생성되는 구조식(V) 화합물의 탈염소화 반응을 염기 및 물이 혼합물 내에서 1 내지 5bar 범위의 압력 및 +20℃ 내지 +70℃ 범위의 온도에서 또 탄소상의 5% 팔라듐 촉매 존재하에 수소를 사용하여 수행하는 방법.
제1항에 있어서, 구조식(Ⅵ)의 술폰산 나트륨염을 +60℃ 내지 +120℃ 범위의 온도에서 포스겐과의 반응에 의해 구조식 (VII)의 술폰산 클로라이드로 전환시키는 방법.
제1항에 있어서, 구조식(IV)의 술폰산 클로라이드를 클로로벤젠 존재하에 암모니아의 수용액과 반응시켜 구조식(I)의 화합물을 생성시키는 방법.
제1항에 있어서, 구조식(V), (VI) 및 (VII)의 중간체를 분리함없이, 구조식(IV) 화합물의 반응을 진행시켜 구조식(I)의 화합물을 생성시키는 방법.
제1항에 있어서, 구조식(III), (V), (VI) 및 (VII)의 중간체를 분리함없이, 구조식(II) 화합물의 반응을 수행하여 구조식(I)의 화합물을 생성시키는 방법.
제9항에 있어서, -20℃ 내지 +60℃의 온도에서 구조식(IV)의 화합물을 시클로헥산 또는 n-데칸 중의 1당량 또는 약간 과량의 클로술폰산으로 처리하고; +50℃ 내지 +90℃의 온도에서 수성 수산화 나트륨으로 증화시키며; 산 수용체 존재 하, 1 내지 5bar 범위의 압력 및 +20℃ 내지 +70℃의 온도 조건에서 또 탄소상의 5% 팔라듐 촉매 존재하에 수소를 사용하여 탈염소화시키고; +60℃ 내지 +120℃의 온도에서 포스겐으로 혼합물을 처리함으로써 술폰산 클로라이드로 전환시킨 다음; 암모니아 수용액으로 반응 혼합물을 처리함으로써 최종 생성물을 형성시키는 방법.
제11항에 있어서, -10℃ 내지 +5℃의 온도에서 헥산 또는 n-데칸중의 클로로술폰산 1당량으로 구조식(IV)의 화합물을 처리하고; 물로 식혀, 크실렌으로 추출하고, +50℃ 내지 +70℃의 온도에서 수성 수산화 나트륨으로 증화시키며; 산 수용체 존재하, 1 내지 5bar 범위의 압력 및 +20℃ 내지 +70℃의 온도조건에서 또 탄소상의 5% 팔라듐 촉매 존재하에 수소를 사용하여 탈염소화시키고; +60℃ 내지 +120℃의 온도에서 포스겐으로 혼합물을 처리함으로써 술폰산 클로라이드로 전환시킨 다음; 반응 혼합물을 암모니아 수용액으로 반응 혼합물을 처리함으로써 반응을 진행시켜 최종 생성물을 형성시키는 방법.
제1항에 있어서, +130℃ 내지 +150℃의 온도에서 촉매량의 트리부틸아민의 존재하에 구조식(II)의 화합물을 에틸렌 카보네이트와 반응시키고; 생성된 반응 혼합물을 +70℃ 내지 +90℃의 온도에서 촉매량의 디메틸포름아미드 존재하에 포스겐 또는 티오닐 클로라이드로 처리하여 구조식(IV)의 화합물을 생성시키며, 정제 후 이 화합물을 -10℃ 내지 +5℃의 온도에서 헥산 또는 n-데칸중의 클로로술폰산 1당량으로 처리하고, +50℃ 내지 +90℃의 온도에서 수성 수산화 나트륨으로 중화시켜; 산 수용체 존재 하, 1 내지 5bar의 압력 및 +20℃ 내지 +70℃의 온도에서 또 탄소상의 5% 팔라듐 촉매 존재하에 수소를 사용하여 탈염소화시키고; +60℃ 내지 +120℃의 온도에서 포스겐으로 혼합물을 처리하여 술폰산 클로라이드로 전환시킨 다음; 반응 혼합물을 암모니아 수용액으로 처리함으로써 반응을 진행시켜 최종 생성물을 형성시키는 방법.
제13항에 있어서, +130℃ 내지 +150℃의 온도에서 촉매량의 트리부틸아민 존재하에 구조식(II)의 화합물을 에틸렌 카보네이트와 반응시키고; +70℃ 내지 +90℃의 온도에서 촉매량의 디메틸포름아미드 존재하에 생성된 반응 혼합물을 포스겐 또는 티오닐 클로라이드로 처리하여 구조식(IV)의 화합물을 수득하고, 정제후 이 화합물을 -10℃ 내지 +5℃의 온도에서 n-데칸중의 클로로술폰산 1당량으로 처리하여, 물로 식히고 크실렌으로 추출한 다음 +50℃ 내지 +70℃의 온도에서 수성 수산화 나트륨으로 중화시키고; 수산화 나트륨 존재하, 1 내지 4bar 범위의 압력 및 +40℃ 내지 +60℃의 온도 조건에서, 또 탄소상의 5% 팔라듐 촉매 존재하에 수소를 사용하여 탈염소화시키며; +95℃의 온도에서 혼합물을 포스겐으로 처리하여 술폰산 클로라이드로 전환시킨 다음; +60℃의 온도에서 암모니아 수용액으로 반응 혼합물을 처리함으로써 반응을 진행시켜 최종 생성물을 형성시키는 방법.