JPH01108729A - 半導体アセンブリ製造装置 - Google Patents

半導体アセンブリ製造装置

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JPH01108729A
JPH01108729A JP26717787A JP26717787A JPH01108729A JP H01108729 A JPH01108729 A JP H01108729A JP 26717787 A JP26717787 A JP 26717787A JP 26717787 A JP26717787 A JP 26717787A JP H01108729 A JPH01108729 A JP H01108729A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frame
belt
magazine
stopped
curing furnace
Prior art date
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Pending
Application number
JP26717787A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriyoshi Kajitani
梶谷 憲美
Masaharu Yoshida
吉田 正治
Makoto Kanda
誠 神田
Shinichi Hasegawa
慎一 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP26717787A priority Critical patent/JPH01108729A/ja
Publication of JPH01108729A publication Critical patent/JPH01108729A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はダイボンダで半導体装W(以下ICチップとい
う)をフレーム上にボンディングしてキュア炉内へ送り
込み、炉内で搬送しながら樹脂を加熱して硬化させたの
ち、キュア炉から出してワイヤボンダへ搬送する半導体
アセンブリ製造装置に関するものである。
(従来の技術〕 第4図は従来におけるこの種製造装置の概要平面図、第
5図は同じくキュア炉の断面図であって−、これを同図
に基づいて説明すると、ICチップをフレーム上に樹脂
でボンディングするダイボンダlは、ボンディング後の
フレームを搬送する搬送装置2を備えており、その搬送
終端部は搬送方向と直交方向に延びるキュア炉3の始端
部に係入されている。キュア炉3内には、搬入されたフ
レーム4を取り込んで移動させるフレーム移載機5が収
納されている。6はフレーム移a!115の移動径路下
方に沿って並設された複数個のヒートブロックであって
、ボンディングした樹脂を加熱して硬化させるように構
成されており、その下流側であるキュア炉3終端部には
、ワイヤボンダ7のフレーム排出装置f Bへフレーム
4を排出するフレーム排出装置9が配設されている。
このように構成されていることにより、ダイボンダ1で
ICチップをボンディングされたフレーム4は、搬送袋
R2でキュア炉3内へ送り込まれてフレーム移載機5で
取込まれ、各ヒートブロック6へ所定時間ずつR置され
るように移送されながら加熱されて樹脂を硬化されたの
ち、フレーム排出装置9でワイヤボンダ7のフレーム搬
送装置8へ排出されてこれで搬送されながらワイヤボン
ディングされる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、このような従来の半導体アセンブリ製造
装置においては、キュア炉3にワイヤボンダ7のフレー
ム搬送装置8が直接接続されているので、ワイヤボンダ
7が長時間停止した場合、キュア炉3内のフレーム4が
排出できずに収納を続けられることになり、フレーム4
が過熱により酸化して劣化するという問題があった。そ
こで現在ではフレーム移載機5を持ち上げヒートブロッ
ク6から遠ざけることにより過熱を防止しているが、高
温の炉内であるために長時間になるとほとんど効果を期
待することができない、また、キュア炉3を通過したの
ちのボンディング状態を確認したい場合があるが、この
ときにはキュア炉3のフレーム排出装置9ヘフレーム4
が送られた時点でフレーム移載機を一時停止させてフレ
ーム4を取出さなければならず、生産性が低下するとい
う゛問題があった。
本発明は以上のような点に鑑みなされたもので、キュア
炉から次工程のワイヤボンダへ送り込むICチップ搭載
フレームを必要に応じて搬送径路から退避させることを
可能にした半導体アセンブリ製造装置を提供することを
目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
このような目的を達成するために本発明においては、キ
ュア炉のフレーム排出部と次工程のワイヤボンダとの間
に、前後の搬送装置に連続するフレーム搬送無端帯と、
その上の搬送フレームの両端縁と係合する複数段の溝を
備えたフレーム収納マガジンと、このマガジンを前記溝
の1ピッチ分ずつ昇降させる昇降駆動装置とからなるフ
レーム退避ステーションを設けた。
〔作 用〕
平時は、無端帯とマガジンの溝とが一致しているので、
フレームは溝と係合しながら無端帯で次工程へ搬送され
る0次工程の都合やフレームの抜取り検査等のために次
工程への搬送を中断したい場合には、フレームを無端帯
上で停止させてマガジンを溝の1ピッチ分上昇させると
、そのフレームが上昇して退避するとともに、次のフレ
ームは2段目の溝と係合しながら搬送される。何枚か退
避させる場合には、フレームがベルト上に位置するごと
にマガジンを溝の1ピッチ分ずつ上昇させればよい。
〔実施例〕
第1図ないし第3図は本発明に係る半導体アセンブリ製
造装置の実施例を示し、第1図はその概要平面図、第2
図は同じく概要正面図、第3図は退避ステーションの斜
視図である0図において、tCチップをフレーム上に樹
脂でボンディングするダイボンダ11は、ボンディング
後のフレームを搬送する搬送装置12を備えており、そ
の搬送終端部は、搬送方向と直交方向に延びるキュア炉
13の始端部に係入されている。キュア炉3内には、搬
送装置12で送り込まれたフレーム14を取り込んで移
動させるフレーム移載機15が収納されている。16は
フレーム移載機15の移動径路下方に沿って並設された
複数個のヒートプロッタであって、ボンディングした樹
脂を加熱して硬化させるように構成されており、その下
流側であるキュア炉3終端部には、炉外ヘフレーム14
を排出するフレーム排出装置17が配設されて    
□いる。このフレーム排出装置17と同一軸線上であっ
てかつキュア炉13の外方には、ワイアボンダ18のフ
レーム搬送装置19が、フレーム排出装置W17との間
に間隔をおいて配設されており、これらフレーム排出装
置17とフレーム搬送装置19との間の空間部には、全
体を符号20で示すフレーム退避ステーションが配設さ
れている。
このフレーム退避ステーション20は、モータ21で駆
動されて走行する無端帯としての2条のベルト22を備
えており、このベルト22は、前記フレーム排出装置1
7およびフレーム搬送装置19にはり連続し、かつこれ
らと走行面が同−手面となるように張架されている。こ
うすることにとよりフレーム排出部21?で排出される
フレーム14はベルト22に受は渡されて搬送され、さ
らにベルト22からフレーム搬送装置19に受は渡され
て搬送され4.23は水平板23aとその両端に立設さ
れた一対の垂直+Ji23bとで0字状に形成されたマ
ガジンであって、垂直板23bの平面をベルト22と平
行させて支持板24上に固定されており、支持板24が
、モータ35に駆動されて回転するねじ軸26にねじ孔
を螺合されて支持されていることにより、ねじ軸26の
回転によってマガジン23が昇降する0両垂直板23b
の内面には、ベルト22で搬送されるフレーム14の両
端縁と係合する複数段の溝23cが設けられており、マ
ガジン23はこの溝23cの1ピッチ分ずつ昇降するよ
うに構成されている。このように構成されていることに
よりフレーム14が溝23cと係合してベルト22で停
止中にマガジン23が上昇すると、フレーム14がベル
ト22から退避してマガジン23内に収納される。フレ
ーム14の通過ごとにこれを繰返すことによりマガジン
23内には溝の段数だけのパレット14が収納される。
以上のように構成された半導体アセンブリ製造装置の動
作を説明する。ダイボイダ11でICチップをボンディ
ングされたフレーム14は、搬送装置12でキュア炉1
3内へ送り込まれてフレーム移1!1m115で取込ま
れ、各ヒートブロック16へ所定時間ずつ!!置される
ように移送されるので、樹脂が硬化し、このフレーム1
4はフレーム排出装置17によって炉外へ排出される。
そこにはベルト22がフレーム排出装置17にはり連続
して張架されており、またベルト22にはり連続してワ
イヤボンダ18のフレーム搬送装置19が配設されてい
るので、炉外へ排出されたフレーム14は、両端縁をマ
ガジン23の溝23cと係合させながらベルト22で搬
送され、次工程のワイヤボンダ18に供給されてボンデ
ィングされる。
ワイヤボンダ18を事故等によりかなりの時間停止させ
る場合には、フレーム14がベルト22上に達したとき
にキュア炉13へのフレーム14の送り込みを停止させ
るとともに、ベルト22を一時停止させ、モータ25に
よりマガジン23を溝23cの1ピッチ分だけ上昇させ
ると、溝23Cと係合して停止しているフレーム14は
、ベルト22から退避してマガジン23内へ収納される
そこでベルト22の走行と停止を繰返しながら、フレー
ム14がベルト22上に達するごとに上記動作を繰返す
ことにより、マガジン23内へは、溝23cの段数だけ
のフレーム14が収納され、キュア炉13内のフレーム
14が無くなる。
ワイヤボンダ18の運転が再開された場合には、ベルト
22の走行と停止を繰返しながらマガジン23を1段ず
つ下降させれば、マガジン23内に退避していたフレー
ム14は、順次ワイヤボンダ18へ送り込まれてボンデ
ィングされる。
そこでキュア炉13へのフレーム14の送り込みを再開
すると、正規の作業に移行する。
また、ボンディング状態の確認等のためにフレーム14
をキュア炉13からの排出位置で抜き取りたい場合には
、フレーム14がベルト22上を通過中にマガジン23
を上昇させると、フレーム14.がマガジン23内へ収
納されるので、これを抜き取ってボンディング状態を確
認する。fll後後フレーム14をマガジン23内へ返
却し、投入操作をすると、マガジン23が下降してベル
ト22が走行し、フレーム14はワイヤボンダ18へ送
り込まれる。
〔発明の効果〕
以上の説明により明らかなように本発明によれば半導体
アセンブリ製造装置において、キュア炉のICチップ搭
載フレーム排出部と次工程のワイヤボンダとの間に、前
後の搬送装置に連続するフレーム搬送無端帯と、その上
の搬送フレームの両端縁と係合する複数段の溝を備えた
フレーム収納マガジンと、このマガジンを昇降させる昇
降駆動装置とからなるフレーム退避ステーションを設け
、キュア炉外でフレームを一時退避させるように構成し
たことにより、次工程のワイヤボンダが長時間停止して
もキエア炉内にフレームが残ることがないので、フレー
ムが過熱によって酸化することがなく、その劣化を防止
することができる。またボンディング状態の確認等のた
めにフレームを抜取り検査する場合にはマガジンの昇降
操作だけでフレームを取出すことができるので、ボンデ
ィング作業を中断する必要がなく、生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第3図は本発明に係る半導体アセンブリ製
造装置の実施例を示し、第1図はその概要平面図、第2
図は同じく概要正面図、第3図は退避ステーションの斜
視図、第4図は従来における半導体アセンブリ製造装置
の概要平面図、第5図は同じくキュア炉の断面図である
。 11・・・・ダイボンダ、12・・・・搬送装置、13
・・・・キュア炉、14・・・・フレーム、15・・・
・フレーム移載1m、ts・・・・ヒートブロック、1
7・・・・フレーム排出装置、18・・・・ワイヤボン
ダ、19・・・・フレーム搬送装置、20・・・・フレ
ーム退避ステーション、21・・・・−IIニー9.2
2・・・・ベルト、23・・・・マガジン、23a・・
・・、水平板、23b・・・・垂直板、23c・・・・
溝、24・・・・支持板、25・・・・モータ、26・
・・・ねじ軸。 代 理 人  大岩増雄

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  キュア炉のフレーム排出部と次工程のワイヤボンダと
    の間に、前後の搬送装置に連続するフレーム搬送無端帯
    と、この無端帯上の搬送フレームの両端縁と係合する複
    数段の溝を備えたフレーム収納マガジンと、このマガジ
    ンを前記溝の1ピッチ分ずつ昇降させる昇降駆動装置と
    からなるフレーム退避ステーションを設けたことを特徴
    とする半導体アセンブリ製造装置。
JP26717787A 1987-10-21 1987-10-21 半導体アセンブリ製造装置 Pending JPH01108729A (ja)

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JP26717787A JPH01108729A (ja) 1987-10-21 1987-10-21 半導体アセンブリ製造装置

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JP26717787A JPH01108729A (ja) 1987-10-21 1987-10-21 半導体アセンブリ製造装置

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JPH01108729A true JPH01108729A (ja) 1989-04-26

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ID=17441176

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JP26717787A Pending JPH01108729A (ja) 1987-10-21 1987-10-21 半導体アセンブリ製造装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007100977A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 連続式熱処理炉

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6155930A (ja) * 1984-08-27 1986-03-20 Mitsubishi Electric Corp 工程間リ−ドフレ−ム搬送装置
JPS62213259A (ja) * 1986-03-14 1987-09-19 Shinkawa Ltd バツフア装置

Patent Citations (2)

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