JPH01103953A - 耐熱衝撃フェライト材料 - Google Patents
耐熱衝撃フェライト材料Info
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- JPH01103953A JPH01103953A JP62259896A JP25989687A JPH01103953A JP H01103953 A JPH01103953 A JP H01103953A JP 62259896 A JP62259896 A JP 62259896A JP 25989687 A JP25989687 A JP 25989687A JP H01103953 A JPH01103953 A JP H01103953A
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- ferrite
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Links
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Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、耐熱衝撃性を有するフェライト材料に関する
ものである。
ものである。
（従来の技術）
フェライトコアにコイルを施し、インダクターとして使
用するものの中には、フェライトコアにコイルの端末接
続用のリードピンを植設し、このリードピンにコイルの
端末を絡げ、はんだ付けしたものが広く使用されている
。
用するものの中には、フェライトコアにコイルの端末接
続用のリードピンを植設し、このリードピンにコイルの
端末を絡げ、はんだ付けしたものが広く使用されている
。
このようなインダクターの場合、リードピンにコイルの
端末をはんだ付けする方法として、り一ドビンにコイル
の端末を絡げた状態で、高温のはんだ槽にコアを挿入し
、はんだ付けする方法が用いられている。この場合、コ
アには急激な温度変化が生じ、この熱衝撃によりコアが
割れるといった問題点があった。
端末をはんだ付けする方法として、り一ドビンにコイル
の端末を絡げた状態で、高温のはんだ槽にコアを挿入し
、はんだ付けする方法が用いられている。この場合、コ
アには急激な温度変化が生じ、この熱衝撃によりコアが
割れるといった問題点があった。
これに対し、従来のフェライト材料では、材料の空孔率
を５％以上に高めて、熱応力の分散を図ることにより対
応していた。
を５％以上に高めて、熱応力の分散を図ることにより対
応していた。
（発明が解決しようとする問題点）
従来の方法、すなわち、材料の空孔率を高める方法では
、フェライト材料の強度、飽和磁束密度、透磁率等が比
較的小さくなり、実用上の問題が生じ、この問題を解決
しようとすると空孔率を小さくしていく必要があり、耐
熱衝撃性に優れ、しかも強度、飽和磁束密度、透磁率等
を満足するフェライト材料が得られなく、そのようなフ
ェライト材料が切望されていた。
、フェライト材料の強度、飽和磁束密度、透磁率等が比
較的小さくなり、実用上の問題が生じ、この問題を解決
しようとすると空孔率を小さくしていく必要があり、耐
熱衝撃性に優れ、しかも強度、飽和磁束密度、透磁率等
を満足するフェライト材料が得られなく、そのようなフ
ェライト材料が切望されていた。
本発明は、上記の事を鑑みて、低い空孔率により高い電
磁気特性（飽和磁束密度、透磁率等）及び強度を有し、
かつ耐熱衝撃性に優れたフェライト材料を提供すること
を目的とするものである。
磁気特性（飽和磁束密度、透磁率等）及び強度を有し、
かつ耐熱衝撃性に優れたフェライト材料を提供すること
を目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、Ｆｅ、０．４０〜５０ｍｏｌ％、Ｚｒｙｏ
２０〜３５ｍｏｌ％。
２０〜３５ｍｏｌ％。
ＣｕＯ３〜ｌＯｍｏｌ％、残部ＮｉＯからなるＮｉ−Ｚ
ｎ系フェライトに、０．０５〜２．０重量％のＢｉ２Ｏ
，又は焼成後当該量のＢｉ、 ０３となりうるＢｉ塩を
含むフェライト材料が、耐熱衝撃性に優れ、しかも強度
、飽和磁束密度、透磁率等が高いことを見い出したもの
であある。
ｎ系フェライトに、０．０５〜２．０重量％のＢｉ２Ｏ
，又は焼成後当該量のＢｉ、 ０３となりうるＢｉ塩を
含むフェライト材料が、耐熱衝撃性に優れ、しかも強度
、飽和磁束密度、透磁率等が高いことを見い出したもの
であある。
また、この本発明のフェライト材料は、ＮｉＯの多くと
も１７２以下が、ＭｇＯ及び／又は（１／４） （ＬＬ
、０÷Ｆｅ２Ｏ，）及び／又はＭｎ酸化物に置換しても
同様の効果を得ることができる。又、 Ｂｉ２Ｏ，の一
部をｐｂＯに置換しても同様の効果を得ることができる
。
も１７２以下が、ＭｇＯ及び／又は（１／４） （ＬＬ
、０÷Ｆｅ２Ｏ，）及び／又はＭｎ酸化物に置換しても
同様の効果を得ることができる。又、 Ｂｉ２Ｏ，の一
部をｐｂＯに置換しても同様の効果を得ることができる
。
又、 ＳｉＯ□を０〜１ｗｔ％添加しても同様の効果を
得ることができる。
得ることができる。
また本発明は、Ｆｅ、０．４０〜５０ｍｏｌ％ｙＺｎＯ
２０〜３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ３〜１０＋ｍｏｌ％、残部
ＮｉＯからなるＮｉ −Ｚｎ系フェライトに２Ｏ３ＯＳ
〜２．０重量％のＰｂＯを添加したフェライト材料が、
耐熱衝撃性に優れ、しかも強度、飽和磁束密度、透磁率
等が高いことを見い出したものである。
２０〜３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ３〜１０＋ｍｏｌ％、残部
ＮｉＯからなるＮｉ −Ｚｎ系フェライトに２Ｏ３ＯＳ
〜２．０重量％のＰｂＯを添加したフェライト材料が、
耐熱衝撃性に優れ、しかも強度、飽和磁束密度、透磁率
等が高いことを見い出したものである。
また、この本発明のフェライト材料は、 ＮｉＯの多く
とも１７２以下が、ＭｇＯ及び／又は（１／４）（Ｌｉ
ｉＯ÷Ｆａ、 ０． ）及び／又はＭｎ酸化物に置換し
ても同様の効果を得ることができる。又、ＳｉＯ２を０
〜１ｗｔ％添加しても同様の効果を得ることができる。
とも１７２以下が、ＭｇＯ及び／又は（１／４）（Ｌｉ
ｉＯ÷Ｆａ、 ０． ）及び／又はＭｎ酸化物に置換し
ても同様の効果を得ることができる。又、ＳｉＯ２を０
〜１ｗｔ％添加しても同様の効果を得ることができる。
（実施例）
Ｆｅ２０．、４９ｍｏｌ％、 ＺｎＯ２８ｍｏｌ％、Ｃ
ｕＯ６ｍｏｌ％、ＮｉＯＮ１０ｌ７％の各成分粉末を混
合後９００℃で２時間仮焼した後、振動ミルで粉砕し平
均粒径１μ園としたフェライト粉末に、乳鉢でＢｉ、０
３． ＰｂＯ、Ｓｉｎ、等の副成分を所定量添加混合し
、これを造粒して約２００μ鴎の顆粒としたものを３
ｔｏｎ／ａｆで圧縮成形して丸棒状コアとし、乾燥した
後ダイヤグラインダーで溝加工し、ドラム型コアとし、
これを空気中で１１００℃２時間焼成し試料とした。こ
の作成した試料の各組成を第１表に示す。
ｕＯ６ｍｏｌ％、ＮｉＯＮ１０ｌ７％の各成分粉末を混
合後９００℃で２時間仮焼した後、振動ミルで粉砕し平
均粒径１μ園としたフェライト粉末に、乳鉢でＢｉ、０
３． ＰｂＯ、Ｓｉｎ、等の副成分を所定量添加混合し
、これを造粒して約２００μ鴎の顆粒としたものを３
ｔｏｎ／ａｆで圧縮成形して丸棒状コアとし、乾燥した
後ダイヤグラインダーで溝加工し、ドラム型コアとし、
これを空気中で１１００℃２時間焼成し試料とした。こ
の作成した試料の各組成を第１表に示す。
第１表
この試料の４２０℃に加熱された半田槽に浸漬した後の
破壊率を計数し、耐熱衝撃性を計った。これを熱衝撃破
壊率とし、強度、電磁気特性と共に各試料の特性を第２
表に示す。
破壊率を計数し、耐熱衝撃性を計った。これを熱衝撃破
壊率とし、強度、電磁気特性と共に各試料の特性を第２
表に示す。
笛 ２ 表
また、第１図は、 Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ，Ｂｉ２Ｏ，＋
ＳｉＯ，（Ｓｉｎ。
ＳｉＯ，（Ｓｉｎ。
は０．０５ｖｔ％）の各々を添付したときの熱衝撃破壊
率の変化を示すグラフである。この第１図より、Ｂｉ２
Ｏ，、ＰｂＯ、Ｂｉ、０． ＋ＳｉＯ，を添加すると耐
熱衝撃性が向上することがわかる。この添加量は、０．
０５ｗｔ％で破壊率が約半分に減少し、１ｗｔ％以上で
は、全く破壊が見られなかった。従って、Ｂｉ、 Ｏ□
、ＰｂＯ，Ｂｉ、 ０． ＋ＳｉＯ，を０．０５ｗｔ％
以上添加することにより、耐熱衝撃性を向上させること
が可能であることがわかる。
率の変化を示すグラフである。この第１図より、Ｂｉ２
Ｏ，、ＰｂＯ、Ｂｉ、０． ＋ＳｉＯ，を添加すると耐
熱衝撃性が向上することがわかる。この添加量は、０．
０５ｗｔ％で破壊率が約半分に減少し、１ｗｔ％以上で
は、全く破壊が見られなかった。従って、Ｂｉ、 Ｏ□
、ＰｂＯ，Ｂｉ、 ０． ＋ＳｉＯ，を０．０５ｗｔ％
以上添加することにより、耐熱衝撃性を向上させること
が可能であることがわかる。
また、第２図は、Ｂｉ、０３．ＰｂＯ，Ｂｉ□０３÷Ｓ
ｉｎ、 （Ｓｉｎｔは０．０５ｖｔ％）の各々を添付し
たときの強度（抗折力）の変化を示すグラフである。こ
の第２図により、通常の機械的強度（抗折力）は、Ｂ１
，０３．ｐｂｏ。
ｉｎ、 （Ｓｉｎｔは０．０５ｖｔ％）の各々を添付し
たときの強度（抗折力）の変化を示すグラフである。こ
の第２図により、通常の機械的強度（抗折力）は、Ｂ１
，０３．ｐｂｏ。
Ｂｉ、 Ｏ，＋ｓｉｏ、を添付すると、微量添付（０，
０５ｗｔ％）時では向上するが、それ以上添加していく
と劣化する傾向にあることがわかる。従って、耐熱衝撃
性の向上は、機械的強度の向上によるものではない事が
わかる。
０５ｗｔ％）時では向上するが、それ以上添加していく
と劣化する傾向にあることがわかる。従って、耐熱衝撃
性の向上は、機械的強度の向上によるものではない事が
わかる。
また、第３図は、 Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ，Ｂｉ２Ｏ３◆
５ｉｎｓ Ｃ５ｘＯｍは０．０５％＋１％）の各々を添
加したときの透磁率（μｉ）の変化を示すグラフであり
、第４図は、Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ、Ｂｉ、 ０．◆Ｓｉ
ｎ、 （Ｓｉｎ、は０．０５ｗｔ％）の各々を添加した
ときの飽和磁束密度（Ｂｍ）の変化を示すグラフである
。この第３図と第４図によると、Ｂｉ、０３゜ＰｂＯ、
Ｂｉ２Ｏ，＋ｓｉｏ、の添加量を増やしていくと、μｉ
及びＢ＋ｓとも小さくなっていく。特に添加量が２．５
ｖｔ％以上になると実用的でなくなってしまう、従って
、Ｂｉ、 ０３． ＰｂＯ、Ｂｉ、 ０． ＋５ｉｏ２
の添加量は、２．０ｗｔ％以下であることが望ましい。
５ｉｎｓ Ｃ５ｘＯｍは０．０５％＋１％）の各々を添
加したときの透磁率（μｉ）の変化を示すグラフであり
、第４図は、Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ、Ｂｉ、 ０．◆Ｓｉ
ｎ、 （Ｓｉｎ、は０．０５ｗｔ％）の各々を添加した
ときの飽和磁束密度（Ｂｍ）の変化を示すグラフである
。この第３図と第４図によると、Ｂｉ、０３゜ＰｂＯ、
Ｂｉ２Ｏ，＋ｓｉｏ、の添加量を増やしていくと、μｉ
及びＢ＋ｓとも小さくなっていく。特に添加量が２．５
ｖｔ％以上になると実用的でなくなってしまう、従って
、Ｂｉ、 ０３． ＰｂＯ、Ｂｉ、 ０． ＋５ｉｏ２
の添加量は、２．０ｗｔ％以下であることが望ましい。
また、Ｓｉｎ、の添加については、抗折力以外は、Ｂｉ
、 Ｏ，のみの添加の方が多少良い結果を得ているが、
ＳｉＯ２を添加しても本発明の効果を得ることが可能で
あることは明白である。従って、Ｓｉｎ、は、実用的な
添加範囲（Ｏ〜１ｗｔ％）で添加しても良い。
、 Ｏ，のみの添加の方が多少良い結果を得ているが、
ＳｉＯ２を添加しても本発明の効果を得ることが可能で
あることは明白である。従って、Ｓｉｎ、は、実用的な
添加範囲（Ｏ〜１ｗｔ％）で添加しても良い。
また、Ｂｉ、０．とＰｂＯとは、はぼ同等の添加効果を
示すものである。
示すものである。
（発明の効果）
本発明は、耐熱＊＊性に優れ、強度、飽和磁束密度、透
磁率等も高い優れたフェライト材料を提供するものであ
り、本発明の材料を用いることにより、コアにリードピ
ン電極を植設する方法が、より現実的なものとすること
ができ、部品の小型化、コイル製造上の歩留向上が著し
く、当分野の製品コストを大幅に減低できるものである
。又。
磁率等も高い優れたフェライト材料を提供するものであ
り、本発明の材料を用いることにより、コアにリードピ
ン電極を植設する方法が、より現実的なものとすること
ができ、部品の小型化、コイル製造上の歩留向上が著し
く、当分野の製品コストを大幅に減低できるものである
。又。
従来、耐熱衝撃性の問題から実用化できなかった特に複
雑で中型のドラムコアでの用途の拡大を図ることができ
るものであり、産業上極めて有益なものである。
雑で中型のドラムコアでの用途の拡大を図ることができ
るものであり、産業上極めて有益なものである。
第１図は、Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯｅ Ｂｉ、０３÷５ｉ０
２ （ＳｉＯ＊は０．０５ｗｔ％）の各々を添加したと
きの熱衝撃破壊率の変化を示すグラフであり、第２図は
、第１図と同様の添加を行ったときの抗折力の変化を示
すグラフであり、第３図は、第１図と同様の添加を行っ
たときの透磁率の変化を示すグラフであり、第４図は、
第１図と同様の添加を行ったときの飽和磁束密度の変化
を示すグラフである。 特許出願人 日本フェライト株式会社 第１図 添加量ｒｗｔ％） 第２図 第３図 Ｓｈ量［ｗｔχ） 第４図 （−■） 潜加量１ｗｔ駕） 手続有口正置（自発） 昭和 ｆｆ１３．田３０日 事件の表示 昭和６２年特許願第２５９８９６号 発明の名称 耐熱？＃撃ラフエライト材料補正
する者 事件との関係 特許出願人 ・−ン／′ １、明細書第４頁第９行のｒあある。」を「ある、」に
補正する。 以上
２ （ＳｉＯ＊は０．０５ｗｔ％）の各々を添加したと
きの熱衝撃破壊率の変化を示すグラフであり、第２図は
、第１図と同様の添加を行ったときの抗折力の変化を示
すグラフであり、第３図は、第１図と同様の添加を行っ
たときの透磁率の変化を示すグラフであり、第４図は、
第１図と同様の添加を行ったときの飽和磁束密度の変化
を示すグラフである。 特許出願人 日本フェライト株式会社 第１図 添加量ｒｗｔ％） 第２図 第３図 Ｓｈ量［ｗｔχ） 第４図 （−■） 潜加量１ｗｔ駕） 手続有口正置（自発） 昭和 ｆｆ１３．田３０日 事件の表示 昭和６２年特許願第２５９８９６号 発明の名称 耐熱？＃撃ラフエライト材料補正
する者 事件との関係 特許出願人 ・−ン／′ １、明細書第４頁第９行のｒあある。」を「ある、」に
補正する。 以上
Claims (7)
- １．Ｆｅ＿２Ｏ＿３４０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ＿２０
〜３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ３〜１０ｍｏｌ％、残部ＮｉＯ
からなるＮｉ−Ｚｎ系フェライトに、０．０５〜２．０
重量％のＢｉ＿２Ｏ＿３又は焼成後当該量のＢｉ＿２Ｏ
＿３となりうるＢｉ塩を含むことを特徴とする耐熱衝撃
フェライト材料。 - ２．特許請求の範囲第１項において、ＮｉＯの多くとも
１／２以下が、ＭｇＯ及び／又は（１／４）（Ｌｉ＿２
Ｏ＋Ｆｅ＿２Ｏ＿３）及び／又はＭｎ酸化物に置換され
ていることを特徴とする耐熱衝撃フェライト材料。 - ３．特許請求の範囲第１項において、Ｂｉ＿２Ｏ＿３の
一部をＰｂＯに置換した耐熱衝撃フェライト材料。 - ４．特許請求の範囲第１項において、ＳｉＯ＿２を０〜
１ｗｔ％添加したことを特徴とする耐熱衝撃フェライト
材料。 - ５．Ｆｅ＿２Ｏ＿３４０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ２０〜
３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ３〜１０ｍｏｌ％、残部ＮｉＯか
らなるＮｉ−Ｚｎ系フェライトに、０．０５〜２．０重
量％のＰｂＯを添加したことを特徴とする耐熱衝撃フェ
ライト材料。 - ６．特許請求の範囲第５項において、ＮｉＯの多くとも
１／２以下が、ＭｇＯ及び／又は（１／４）（Ｌｉ＿２
Ｏ＋Ｆｅ＿２Ｏ＿３）及び／又はＭｎ酸化物に置換され
ていることを特徴とする耐熱衝撃フェライト材料。 - ７．特許請求の範囲第５項において、ＳｉＯ＿２を０〜
１ｗｔ％添加したことを特徴とする耐熱衝撃フェライト
材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259896A JPH01103953A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 耐熱衝撃フェライト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259896A JPH01103953A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 耐熱衝撃フェライト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01103953A true JPH01103953A (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=17340443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62259896A Pending JPH01103953A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 耐熱衝撃フェライト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01103953A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01179402A (ja) * | 1988-01-07 | 1989-07-17 | Tdk Corp | インダクタ用磁心 |
| JPH02137767A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-28 | Tokin Corp | ロータリートランスコア用Ｎｉ―Ｃｕ―Ｚｎ系酸化物磁性材料およびその製造方法 |
| JPH0391209A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Hitachi Ferrite Ltd | チップインダクタ |
| JPH0393667A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-18 | Hitachi Ferrite Ltd | 高周波用磁性材料 |
| JPH0851012A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Hitachi Ferrite Ltd | 酸化物磁性材料 |
| KR960022381A (ko) * | 1994-12-16 | 1996-07-18 | 김익명 | 연질 페라이트 자성 재료 |
| JP2021057424A (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-08 | 太陽誘電株式会社 | コイル部品、回路基板及び電子機器 |
| CN113135748A (zh) * | 2021-04-19 | 2021-07-20 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 铁氧体材料及其制备方法、磁芯及其制备方法、绕线变压器 |
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-
1987
- 1987-10-14 JP JP62259896A patent/JPH01103953A/ja active Pending
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