JPH01103803A - 感温・感湿センサー素子およびその製造方法 - Google Patents
感温・感湿センサー素子およびその製造方法Info
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- JPH01103803A JPH01103803A JP63158944A JP15894488A JPH01103803A JP H01103803 A JPH01103803 A JP H01103803A JP 63158944 A JP63158944 A JP 63158944A JP 15894488 A JP15894488 A JP 15894488A JP H01103803 A JPH01103803 A JP H01103803A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、温度や湿度を検出するための感温・感湿セン
サー素子とその製造方法に関するもので、例えば、空調
装置が空気中の温度や湿度を制御するため等に使用され
る。
サー素子とその製造方法に関するもので、例えば、空調
装置が空気中の温度や湿度を制御するため等に使用され
る。
（従来の技術）
温度や湿度の変動が単一のセンサー素子で検出できるこ
とは既に多くの文献に紹介されている。
とは既に多くの文献に紹介されている。
例えば、１９８１年５月２１日に公開された特開昭５６
−５８２０２号公報には、 Ｂａｏ、ｓ Ｓｒｏ、５Ｔｉ０３ ＋ＭｇＣｒｚ ０４
という成分組成を有するセンサー素子が紹介されている
。
−５８２０２号公報には、 Ｂａｏ、ｓ Ｓｒｏ、５Ｔｉ０３ ＋ＭｇＣｒｚ ０４
という成分組成を有するセンサー素子が紹介されている
。
上記センサー素子では、温度変動はセンサー素子の誘電
率の変動によって検出される。それとは別に、湿度変動
はセンサー素子の抵抗率の変動によって検出される。
率の変動によって検出される。それとは別に、湿度変動
はセンサー素子の抵抗率の変動によって検出される。
上記組成では、Ｓｒはキューリー点Ｔｃをシフトさせる
ために存在し、Ｍ ｇ Ｃｒ ｚ ０４は湿度変動に対
する感度を高めるために加えられる。センサー素子のキ
ューリー点Ｔ。は、センサー素子に要求された最低検出
可能温度よりも１０°Ｃ〜５０°Ｃ下に設定される。そ
して、温度変動はセンサー素子の常誘電域内の誘電率を
測定することによって検出される。
ために存在し、Ｍ ｇ Ｃｒ ｚ ０４は湿度変動に対
する感度を高めるために加えられる。センサー素子のキ
ューリー点Ｔ。は、センサー素子に要求された最低検出
可能温度よりも１０°Ｃ〜５０°Ｃ下に設定される。そ
して、温度変動はセンサー素子の常誘電域内の誘電率を
測定することによって検出される。
（発明が解決しようとした課題）
上記従来のセンサー素子は以下のような問題点を有する
。
。
（ａ）上記成分組成においては、キューリー点Ｔ。
が単一の元素Ｓｒによって引き下げられている。
このために、温度変動に対する誘電率の変動が幾分鈍く
なる。特に、キューグー点Ｔｃが一３０°Ｃ以下に設定
された場合には、温度変動が正確に検出されなくなる。
なる。特に、キューグー点Ｔｃが一３０°Ｃ以下に設定
された場合には、温度変動が正確に検出されなくなる。
（ｂ）上記成分組成においては、粒子成長を抑制するた
めの抑制剤が含まれていない。従って、粒子成長が容易
に発生し、温度変動や湿度変動に対する感度が鈍くなり
、経時変化が大きくなる。
めの抑制剤が含まれていない。従って、粒子成長が容易
に発生し、温度変動や湿度変動に対する感度が鈍くなり
、経時変化が大きくなる。
（Ｃ）上記成分組成においては、センサー素子が高い抵
抗率を有する。
抗率を有する。
そこで本発明では、従来技術の問題点を解消し、温度や
湿度の変動に対して敏感なセンサー素子を提供すること
を共通の技術的課題とした。
湿度の変動に対して敏感なセンサー素子を提供すること
を共通の技術的課題とした。
また、本発明では、経時変化が少ないセンサー素子を提
供することを第二の技術的課題とした。
供することを第二の技術的課題とした。
（課題を解決するための手段）
前述した共通の技術的課題を達成するために講じた技術
的手段は、センサー素子の成分組成を、（Ｂ ａ Ｈ，
−ｋｓ ｒ、１）（Ｔ ｉ １−（Ｌ−１１） Ｓ ｎ
ｔ Ｚ ｒｌＩ） ０３ただし、Ｏａｋ≦１． ０≦Ｉ
≦１゜ ０≦ｍ≦１、ｊ２十ｍ≠０゜ としたことである。
的手段は、センサー素子の成分組成を、（Ｂ ａ Ｈ，
−ｋｓ ｒ、１）（Ｔ ｉ １−（Ｌ−１１） Ｓ ｎ
ｔ Ｚ ｒｌＩ） ０３ただし、Ｏａｋ≦１． ０≦Ｉ
≦１゜ ０≦ｍ≦１、ｊ２十ｍ≠０゜ としたことである。
また、前述した第二の技術的課題を達成するために講じ
た技術的手段は、前記センサー素子に約０．５〜約７ｗ
ｔ％のＴｉＯ２を含ませたことである。
た技術的手段は、前記センサー素子に約０．５〜約７ｗ
ｔ％のＴｉＯ２を含ませたことである。
（作用）
前述した第一の技術的手段によれば、センサー素子のキ
ューリー点ＴｃはＳｒ、Ｓｎ、Ｚｒの中から選ばれた少
なくとも二つの元素によって引き下げられる。温度変動
に対する感度はＳｒ、Ｓｎ。
ューリー点ＴｃはＳｒ、Ｓｎ、Ｚｒの中から選ばれた少
なくとも二つの元素によって引き下げられる。温度変動
に対する感度はＳｒ、Ｓｎ。
ＺｒＯ中から選ばれた少なくとも二つの元素によって高
められる。
められる。
また、前述した第二の技術的手段によれば、ＴｉＯ□に
よって湿度に対する感度が高められ、さらに、粒子成長
が抑制される。
よって湿度に対する感度が高められ、さらに、粒子成長
が抑制される。
（実施例）
本実施例のセンサー素子は焼結後の最終組成が以下の通
りである。
りである。
（Ｂ ａ ＋−ｈｓ ｒＪ（Ｔ ｒ ＋−（Ｌ、１１１
１ Ｓ ｎｔ Ｚ ｒｍ） ０３十χＴｉＯ□ ただし、Ｏ＜ｋ≦１，０≦ｌ≦１゜ ０≦ｍ≦１． ｆｆｉ＋ｍ≠０゜ χは約０．５〜約７ｗｔ％。
１ Ｓ ｎｔ Ｚ ｒｍ） ０３十χＴｉＯ□ ただし、Ｏ＜ｋ≦１，０≦ｌ≦１゜ ０≦ｍ≦１． ｆｆｉ＋ｍ≠０゜ χは約０．５〜約７ｗｔ％。
前述した化合物を製造するために、複数のシフターと抑
制剤が誘電体に加えられる。純粋なりａＴｉＯ，のキュ
ーリー点Ｔ、は約１２０°Ｃである。それゆえに、純粋
なりａＴｉＯ３は約１３０°Ｃ以上の温度しか検出でき
ない。ＢａＴｉＯ３のキューリー点Ｔｃを引き下げるシ
フターは良く知られており、Ｓｒ、Ｓｎ、Ｚｒ等が含ま
れる。
制剤が誘電体に加えられる。純粋なりａＴｉＯ，のキュ
ーリー点Ｔ、は約１２０°Ｃである。それゆえに、純粋
なりａＴｉＯ３は約１３０°Ｃ以上の温度しか検出でき
ない。ＢａＴｉＯ３のキューリー点Ｔｃを引き下げるシ
フターは良く知られており、Ｓｒ、Ｓｎ、Ｚｒ等が含ま
れる。
これらのシフターのキューり点Ｔｃに関する効果は、Ｂ
ａＴｉＯ３の固溶体構造内における、それぞれのシフタ
ーに特有のイオン半径と原子価によって決定される。
ａＴｉＯ３の固溶体構造内における、それぞれのシフタ
ーに特有のイオン半径と原子価によって決定される。
センサー素子を製造するための一つの方法は以下の通り
である。
である。
（ａ−１）Ｓｒ、Ｓｎ、Ｚｒから選ばれた少なくとも二
つのシフターを生成するための出発原料がＢ ａ Ｔ
ｉＯｙを生成するための別の出発原料に混ぜられる。こ
のようにして、センサー素子を製造するための基本材料
が準備される。
つのシフターを生成するための出発原料がＢ ａ Ｔ
ｉＯｙを生成するための別の出発原料に混ぜられる。こ
のようにして、センサー素子を製造するための基本材料
が準備される。
（ａ−２）それから、基本材料にＴｉＯ７が加えられる
。加えられるＴｉＯ□は抑制剤として、また乾燥剤とし
ての機能を有する誘電体である。
。加えられるＴｉＯ□は抑制剤として、また乾燥剤とし
ての機能を有する誘電体である。
（ａ−３） Ｔ ｉ Ｏ□が加えられた基本材料は、固
溶反応体を生成するために仮焼きされる。仮焼き後、Ｔ
ｉＯ□が加えられた基本材料はセンサー素子を生成する
ために焼結される。
溶反応体を生成するために仮焼きされる。仮焼き後、Ｔ
ｉＯ□が加えられた基本材料はセンサー素子を生成する
ために焼結される。
センサー素子を製造するためのもう一つの方法は以下の
通りである。
通りである。
（ｂ−１）少なくとも二種類のシフターを含む化合物が
生成される。このような化合物は良く知られており、５
ｒＳｎ（１＋や５ｒＺｒＯ，およびＳ ｒ （ｓｎ＋−
ｙ Ｚｒｙ）ｏｉ等が含まれる。なお、ｙの値は０≦ｙ
≦１に設定される。
生成される。このような化合物は良く知られており、５
ｒＳｎ（１＋や５ｒＺｒＯ，およびＳ ｒ （ｓｎ＋−
ｙ Ｚｒｙ）ｏｉ等が含まれる。なお、ｙの値は０≦ｙ
≦１に設定される。
（ｂ−２）前述したステップ（ｂ−１）で生成された化
合物にＢａＴｉＯ３が混ぜられ、基本材料が準備される
。
合物にＢａＴｉＯ３が混ぜられ、基本材料が準備される
。
（ｂ−３）それから固溶反応を促進させるために基本材
料が仮焼きされる。仮焼きされた後、基本材料はセンサ
ー素子を生成するために焼結される。
料が仮焼きされる。仮焼きされた後、基本材料はセンサ
ー素子を生成するために焼結される。
以下の例は本発明のより詳細を示すものである。
本発明が以下の例によって限定されるものではないこと
は容易に理解されるであろう。
は容易に理解されるであろう。
（例１）
最終組成が（Ｂ ａ ｌ−８ｔｓ ｒ ａ＞＜Ｔｉ、−
ａＳ ｎａ） ０３の化合物を生成し、ａの値を変化さ
せてキューリー点Ｔｃを測定した。その結果を第１表に
示す。
ａＳ ｎａ） ０３の化合物を生成し、ａの値を変化さ
せてキューリー点Ｔｃを測定した。その結果を第１表に
示す。
（例２）
最終組成が（Ｂ ａ １．−ｂＳ ｒｂ）（Ｔ ｉ １
−ｂＺ ｒｂ） Ｏｘの化合物を生成し、ｂの値を変化
させてキューリー点Ｔ。を測定した。その結果を第２表
に示す。。
−ｂＺ ｒｂ） Ｏｘの化合物を生成し、ｂの値を変化
させてキューリー点Ｔ。を測定した。その結果を第２表
に示す。。
（例３）
キューリー点が一６０°Ｃに設定され、最終組成が、（
Ｂ ａ ｏ、ｅｏｓ ｒ ０．２０）（Ｔ ｉ ｏ、ａ
ｏｓ ｎ Ｏ，２０） ０３の化合物を生成するための
基本材料が準備された。
Ｂ ａ ｏ、ｅｏｓ ｒ ０．２０）（Ｔ ｉ ｏ、ａ
ｏｓ ｎ Ｏ，２０） ０３の化合物を生成するための
基本材料が準備された。
それから、それぞれの基本材料のサンプルに０．５゜１
，３，４，５，６．７ｗｔ％のＴ ｉ Ｏ，が加えられ
た。そして、それらのサンプルは、おのおの５０時間の
間、ボールミルで混ぜられた。その後、おのおののサン
プルについて、ＴｉＯ２を含む基本材料がセンサー素子
を作り出すために焼結された。
，３，４，５，６．７ｗｔ％のＴ ｉ Ｏ，が加えられ
た。そして、それらのサンプルは、おのおの５０時間の
間、ボールミルで混ぜられた。その後、おのおののサン
プルについて、ＴｉＯ２を含む基本材料がセンサー素子
を作り出すために焼結された。
上述した方法によって作り出されたセンサー素子は、−
３０℃から１２０″Ｃの範囲の温度を検出することがで
き、さらに、０％〜１００％の範囲の湿度も検出するこ
とができた。また、これらのセンサー素子は、温度変動
に対して、従来のセンサー素子である（Ｂ ａ６．ｓ
Ｓ ｒｏ、５） Ｔ ｉ ０３に比べて大きく、そして
直線的な誘電率変動を示した。さらにまた、本例のセン
サー素子は、湿度変動に対して、従来のセンサー素子に
比べて大きく、そして直線的な抵抗率変動を示した。
３０℃から１２０″Ｃの範囲の温度を検出することがで
き、さらに、０％〜１００％の範囲の湿度も検出するこ
とができた。また、これらのセンサー素子は、温度変動
に対して、従来のセンサー素子である（Ｂ ａ６．ｓ
Ｓ ｒｏ、５） Ｔ ｉ ０３に比べて大きく、そして
直線的な誘電率変動を示した。さらにまた、本例のセン
サー素子は、湿度変動に対して、従来のセンサー素子に
比べて大きく、そして直線的な抵抗率変動を示した。
第１図は、例３のセンサー素子によって得られた誘電率
を従来のセンサー素子と比較したグラフである。例３の
センサー素子は、典型的な従来のセンサー素子に比べて
誘電率曲線の傾きが急である。
を従来のセンサー素子と比較したグラフである。例３の
センサー素子は、典型的な従来のセンサー素子に比べて
誘電率曲線の傾きが急である。
第２図は、センサー素子中のＴｉＯ□の量を変化させた
時の効果を示す。χＴ ｉ Ｏ２の値が０．５〜７ｗｔ
％の範囲にある時には、その範囲外である時に比べて抵
抗率がより忠実な湿度の関数として変化する。
時の効果を示す。χＴ ｉ Ｏ２の値が０．５〜７ｗｔ
％の範囲にある時には、その範囲外である時に比べて抵
抗率がより忠実な湿度の関数として変化する。
（例４）
最終組成が、
（Ｂ ａ ０．７６Ｓ ｒ ｏ、ｚ＜）（Ｔ ｊ Ｏ，
７６２ｒ Ｏ，２４） ０３の化合物を生成するための
基本材料が準備された。
７６２ｒ Ｏ，２４） ０３の化合物を生成するための
基本材料が準備された。
それから、その基本材料のサンプルに０．５〜７ｗｔ％
のＴｉＯ□が加えられた。そして、基本材料とＴｉＯ７
は、５０時間の間、ボールミルで混ぜられた。その後、
ＴｉＯ４を含む基本材料が仮焼・きされ、焼結された。
のＴｉＯ□が加えられた。そして、基本材料とＴｉＯ７
は、５０時間の間、ボールミルで混ぜられた。その後、
ＴｉＯ４を含む基本材料が仮焼・きされ、焼結された。
例４では、センサー素子が温度変動や湿度変動に対して
改善された特性を示した。
改善された特性を示した。
例３や例４で得られたセンサー素子は共に、加えられた
ＴｉＯ□が約０．５ ｗ ｔ％未満になると、（ｌ １
） センサー素子の抵抗値が増加し易くなり、また、誘電率
変動が減少し易くなる。同様に、加えられたＴｉＯ□が
約０．５ ｗ ｔ％未溝になると、粒子成長が充分に抑
制されなくなる。また、例３や例４で得られたセンサー
素子は共に、加えられたＴｉＯ２が約７ｗｔ、％を越え
ると、誘電率変動が減少し易くなる。
ＴｉＯ□が約０．５ ｗ ｔ％未満になると、（ｌ １
） センサー素子の抵抗値が増加し易くなり、また、誘電率
変動が減少し易くなる。同様に、加えられたＴｉＯ□が
約０．５ ｗ ｔ％未溝になると、粒子成長が充分に抑
制されなくなる。また、例３や例４で得られたセンサー
素子は共に、加えられたＴｉＯ２が約７ｗｔ、％を越え
ると、誘電率変動が減少し易くなる。
さらにまた、例３や例４で得られたセンサー素子は、Ｓ
ｒ、Ｓｎ、Ｚｒから選ばれた少なくとも二種類のシフタ
ー元素を有している。これらのシフターとＢ ａ Ｔ
ｉ Ｏ３は、ＴｉＯ□が加えられたペロプスカイト固溶
体を作り出す。従って、以下のような優位点が現れる。
ｒ、Ｓｎ、Ｚｒから選ばれた少なくとも二種類のシフタ
ー元素を有している。これらのシフターとＢ ａ Ｔ
ｉ Ｏ３は、ＴｉＯ□が加えられたペロプスカイト固溶
体を作り出す。従って、以下のような優位点が現れる。
（１）キューリー点Ｔｃが自由に設定できる。また、温
度変動に対する誘電率変動が大きい。それゆえに、温度
変動が正確に検出される。
度変動に対する誘電率変動が大きい。それゆえに、温度
変動が正確に検出される。
（２）粒子成長が抑制されているので、誘電率変動が大
きい。また、水分を吸着するための面積が大きい。従っ
て、センサー素子は湿度変動に対して敏恣になる。また
、センサー素子は低い抵抗値になる。
きい。また、水分を吸着するための面積が大きい。従っ
て、センサー素子は湿度変動に対して敏恣になる。また
、センサー素子は低い抵抗値になる。
（３）粒子成長が抑制されているので、経時変化が少な
くなる。
くなる。
本発明によれば、センサー素子のキューリー点ＴｃがＳ
ｒ、Ｓｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも二つの元素
によって引き下げられる。また、温度変動に対する感度
がＳｒ、Ｓｎ、ＺｒＯ中から選ばれた少なくとも二つの
元素によって高められる。
ｒ、Ｓｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも二つの元素
によって引き下げられる。また、温度変動に対する感度
がＳｒ、Ｓｎ、ＺｒＯ中から選ばれた少なくとも二つの
元素によって高められる。
さらにまた、請求項（２）記載の発明によれば、Ｔ ｉ
Ｏｚによって湿度に対する感度が高められ、粒子成長
が抑制される。
Ｏｚによって湿度に対する感度が高められ、粒子成長
が抑制される。
第１図は、本発明のセンサー素子の一実施例を用いて、
温度に対する誘電率をプロットしたグラフである。 第２図は、本発明のセンサー素子の一実施例を用いて、
相対湿度に対する抵抗率をプロットしたグラフである。
温度に対する誘電率をプロットしたグラフである。 第２図は、本発明のセンサー素子の一実施例を用いて、
相対湿度に対する抵抗率をプロットしたグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）成分組成が、 （Ｂａ＿１＿−＿ｋＳｒ＿ｋ）（Ｔｉ＿１＿−＿（＿ｌ
＿＋＿ｍ＿）Ｓｎ＿ｌＺｒ＿ｍ）Ｏ＿３ただし、０＜ｋ
≦１，０≦ｌ≦１， ０≦ｍ≦１，ｌ＋ｍ≠０， からなる感温・感湿センサー素子。 （２）前記センサー素子が約０．５〜約７ｗｔ％のＴｉ
Ｏ＿２を含むことを特徴とした請求項（１）記載の感温
・感湿センサー素子。 （３）成分組成が、 （Ｂａ＿１＿−＿ａＳｒ＿ａ）（Ｔｉ＿１＿−＿ａＳｎ
＿ａ）Ｏ＿３＋χＴｉＯ＿２ただし、χは約０．５〜約
７ｗｔ％， ０．１６≦ａ≦０．２５， であることを特徴とした請求項（２）記載の感温・感湿
センサー素子。 （４）成分組成が、 （Ｂａ＿１＿−＿ｂＳｒ＿ｂ）（Ｔｉ＿１＿−＿ｂＺｒ
＿ｂ）Ｏ＿３＋χＴｉＯ＿２ただし、χは約０．５〜約
７ｗｔ％、 ０．１９≦ｂ≦０．２９， であることを特徴とした請求項（２）記載の感温・感湿
センサー素子。 （５）ストロンチウム，すず，ジルコニウムからなるグ
ループから選ばれた少なくとも二つの元素を含む化合物
にバリウム，チタニウム，酸素を含む化合物を混合して
基本材料を構成する段階と、該基本材料に酸化チタンを
加える段階と、 固溶反応体を作り出すために前記基本材料と前記酸化チ
タンを仮焼きする段階と、 請求項（１）に記載されたセンサー素子を作り出すため
に前記固溶反応体を焼結する段階と、 を備える感温・感湿センサー素子の製造方法。 （６）ストロンチウム，すず，ジルコニウムからなるグ
ループから選ばれた少なくとも二つの元素を含む化合物
を生成する段階と、 該化合物にＢａＴｉＯ＿３を化合させて基本材料を構成
する段階と、 固溶反応体を作り出すために前記基本材料を仮焼きする
段階と、 請求項（１）に記載されたセンサー素子を作り出すため
に前記固溶反応体を焼結する段階と、 を備える感温・感湿センサー素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16010187 | 1987-06-27 | ||
| JP62-160101 | 1987-06-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01103803A true JPH01103803A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=15707872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63158944A Pending JPH01103803A (ja) | 1987-06-27 | 1988-06-27 | 感温・感湿センサー素子およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4938892A (ja) |
| JP (1) | JPH01103803A (ja) |
| DE (1) | DE3821620A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014156409A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 日本碍子株式会社 | 誘電体磁器組成物及び複合セラミックス構造体 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE4202556C1 (en) * | 1992-01-30 | 1993-04-08 | Ant Nachrichtentechnik Gmbh, 7150 Backnang, De | Measurement probe for temp. and dampness - has moisture and temp. sensitive resistor made of cement, graphite and quartz sand |
| GB9207507D0 (en) * | 1992-04-06 | 1992-05-20 | Elmwood Sensors | Humidity sensor |
| US6139780A (en) * | 1998-05-28 | 2000-10-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dynamic random access memories with dielectric compositions stable to reduction |
| DE102006049717B3 (de) * | 2006-10-13 | 2008-04-30 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Verfahren und Vorrichtung zur kontaktlosen Ermittlung der Temperatur an vorzugsweise unzugänglichen Orten sowie deren Verwendung |
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| ES2406383B1 (es) * | 2011-02-28 | 2014-05-09 | Universidad Publica De Navarra | Dispositivo multifuncional basado en recubrimientos de óxidos cerámicos con simetría cilíndrica |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS5820221A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-05 | Shin Nisso Kako Co Ltd | ガス吸収用器材の使用方法 |
-
1988
- 1988-06-27 DE DE3821620A patent/DE3821620A1/de active Granted
- 1988-06-27 US US212180A patent/US4938892A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-06-27 JP JP63158944A patent/JPH01103803A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014156409A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 日本碍子株式会社 | 誘電体磁器組成物及び複合セラミックス構造体 |
| JPWO2014156409A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2017-02-16 | 日本碍子株式会社 | 誘電体磁器組成物及び複合セラミックス構造体 |
| US9573851B2 (en) | 2013-03-26 | 2017-02-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition and composite ceramic structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3821620C2 (ja) | 1989-11-09 |
| DE3821620A1 (de) | 1989-01-05 |
| US4938892A (en) | 1990-07-03 |
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