JP7686862B2 - フレキシブル回路基板およびその製造方法、ならびに電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、フレキシブル回路基板およびその製造方法、ならびに電子機器に関し、より詳しくは、曲げ領域が減層構造または中空構造を有するフレキシブル回路基板およびその製造方法、ならびに当該フレキシブル回路基板が設けられた電子機器に関する。

近年、第５世代移動通信システム（５Ｇ）の普及により、スマートフォン等の電子機器内のアンテナ接続ケーブルの本数が増している。加えて、スマートフォン等の筐体の小型化も進んでいる。このため、アンテナ接続ケーブルがさらに高密度に配線されたフレキシブル回路基板が求められている。

５Ｇシステムにおいては、ＳＵＢ６帯の電波とミリ波帯の電波が適用されるとともに、これまでの第４世代移動通信システム（４Ｇ）の周波数帯の電波も適用される。したがって、５Ｇシステムではアンテナ接続ケーブルの本数が増加する。従来は、アナログ信号を伝送する同軸ケーブルと、デジタル信号を伝送するケーブルを各々別個のものとして筐体内部に組み込んでいた。しかし、５Ｇシステムにおいてアンテナ接続ケーブルの本数が増加するに伴い、それら二種類のケーブルを多層フレキシブル回路基板に統合することが求められている。
なお、特許文献１および特許文献２には、一般的な多層フレキシブル回路基板が記載されている。

特許第５２０４８７１号公報 特開２００４－３１１９２７号公報

前述のように、５Ｇシステムの普及に伴い、スマートフォン等の電子機器内のアンテナ数が増加している。無線信号などのアナログ信号を伝送するケーブルのほか、ＵＳＢ等のデジタル端子が受信するデジタル信号を伝送するケーブル、および電源の電力を伝送するケーブルも必要である。これらのケーブルは、バッテリの上面を跨ぐように配置される。一方、バッテリ上面には、無線給電等に使われるコイルが配置されることが増えている。このため、バッテリ上面に配置するケーブルの省スペース化が求められている。また、スマートフォン等の筐体の側面等にケーブルを配置するなど、ケーブルをバッテリ上面以外に配置する方法が併せて求められている。

本発明は、上記の技術的認識に基づいてなされたものであり、アナログ信号とデジタル信号の両方を伝送させることが可能であり、スマートフォン等の電子機器の筐体内部に曲げた状態で容易に組み込むことが可能なフレキシブル回路基板およびその製造方法ならびに電子機器を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に係るフレキシブル回路基板は、
アナログ信号を受信する無線通信アンテナおよびデジタル信号を受信するデジタル端子を有する第１モジュールと、前記アナログ信号および前記デジタル信号の信号処理を行う第２モジュールとを電気的に接続するためのフレキシブル回路基板であって、前記フレキシブル回路基板には、信号線領域と、コネクタ領域と、前記信号線領域と前記コネクタ領域とを接続する曲げ領域が設けられており、
前記信号線領域の長手方向に延在するように形成され、前記無線通信アンテナから受信したアナログ信号を伝送する１又は複数のアナログ信号線と、
前記信号線領域の前記長手方向に延在するように形成され、前記デジタル端子から受信したデジタル信号を伝送する１又は複数のデジタル信号線と、
絶縁層を介して前記アナログ信号線を覆うように形成されたグランド層と、
を備え、
前記曲げ領域は、前記信号線領域と比べて配線層および／または絶縁層の数が少ない減層構造を有する、ことを特徴とする。

また、前記フレキシブル回路基板において、
前記コネクタ領域も、前記信号線領域と比べて配線層および／または絶縁層の数が少ない減層構造を有してもよい。

本発明の第２の態様に係るフレキシブル回路基板は、
アナログ信号を受信する無線通信アンテナおよびデジタル信号を受信するデジタル端子を有する第１モジュールと、前記アナログ信号および前記デジタル信号の信号処理を行う第２モジュールとを電気的に接続するためのフレキシブル回路基板であって、前記フレキシブル回路基板には、信号線領域と、コネクタ領域と、前記信号線領域と前記コネクタ領域とを接続する曲げ領域が設けられており、
前記信号線領域の長手方向に延在するように形成され、前記無線通信アンテナから受信したアナログ信号を伝送する１又は複数のアナログ信号線と、
前記信号線領域の前記長手方向に延在するように形成され、前記デジタル端子から受信したデジタル信号を伝送する１又は複数のデジタル信号線と、
絶縁層を介して前記アナログ信号線を覆うように形成されたグランド層と、
を備え、
前記曲げ領域は、内部に配線層および絶縁層のいずれも設けられない中空領域が設けられた中空構造を有する、ことを特徴とする。

また、前記フレキシブル回路基板において、
前記フレキシブル回路基板の厚さ方向について前記中空領域の一側または両側の領域に、前記信号線領域の長手方向と直交する幅方向の成分を有する切り込みが設けられてもよい。

また、前記フレキシブル回路基板において、
前記フレキシブル回路基板の厚さ方向について前記中空領域の一側または両側の領域は、前記フレキシブル回路基板を平面視してミアンダ状またはクランク状に形成されてもよい。

また、前記フレキシブル回路基板において、
前記コネクタ領域には、前記アナログ信号線または前記デジタル信号線と接続された層間接続路が設けられてもよい。

また、前記フレキシブル回路基板において、
前記層間接続路は、前記アナログ信号線または前記デジタル信号線と接続されためっきスルーホールと、導電層を介して前記めっきスルーホールと接続されたフィルドビアとを有してもよい。

また、前記フレキシブル回路基板において、
前記コネクタ領域には、前記層間接続路を介して前記アナログ信号線および前記デジタル信号線に電気的に接続されたコネクタ部品が実装されてもよい。

本発明に係る電子機器は、
筐体と、
前記筐体内に配置された、前記フレキシブル回路基板と、
前記筐体内に配置された前記第１モジュールと、
前記筐体内に配置された前記第２モジュールと、
前記筐体内において前記第１モジュールと前記第２モジュールの間に配置されたバッテリと、
を備える、ことを特徴とする。

また、前記電子機器において、
前記フレキシブル回路基板は、前記筐体の側面と前記バッテリの間を通るように配置されてもよい。

また、前記電子機器において、
前記フレキシブル回路基板は、前記筐体の背面または正面と前記バッテリの間を通るように配置されてもよい。

本発明の第１の態様に係るフレキシブル回路基板の製造方法は、
第１主面、および前記第１主面と反対側の第２主面を有する第１絶縁基材と、前記第１絶縁基材の前記第１主面に設けられた第１金属箔と、前記第１絶縁基材の前記第２主面に第１接着剤層を介して設けられた第１保護膜層と、を有する第１片面金属箔張積層板を用意する工程と、
前記第１金属箔をパターニングして第１導電パターンを形成する工程と、
前記第１保護膜層、前記第１接着剤層および前記第１絶縁基材を貫通し、前記第１金属箔まで到達する第１有底孔を形成する工程と、
前記第１有底孔に第１導電ペーストを充填する工程と、
前記第１保護膜層を剥離し、第１配線基材を得る工程と、
第３主面、および前記第３主面と反対側の第４主面を有する第２絶縁基材と、前記第２絶縁基材の前記第３主面に設けられた第２金属箔と、前記第２絶縁基材の前記４主面に設けられた第３金属箔と、を有する第１両面金属箔張積層板を用意する工程と、
前記第２金属箔をパターニングして第２導電パターンを形成する工程と、
前記第３金属箔および前記第２絶縁基材を貫通し、前記第２金属箔まで到達する第２有底孔を形成する工程と、
前記第２有底孔の側壁および底面に第１金属めっきを堆積させる工程と、
前記第３金属箔をパターニングして第３導電パターンを形成する工程と、
前記第３金属箔の前記第３導電パターンと、前記第２有底孔に堆積された前記第１金属めっきを埋設するように、前記第３金属箔の上に、第２接着剤層を形成する工程と、
前記第２接着剤層の上に、第１カバー材層を形成する工程と、
前記第第１カバー材層の上に、第１開口部を有する第３接着剤層を形成する工程と、
前記第３接着剤層の前記第１開口部を充填するように前記第３接着剤層の上に第２保護膜層を形成する工程と、
前記第２保護膜層、前記第３接着剤層、前記第１カバー材層および前記第２接着剤層を貫通し、前記第３金属箔まで到達する第３有底孔を形成する工程と、
前記第３有底孔に第２導電ペーストを充填する工程と、
前記第２保護膜層を剥離し、第２配線基材を得る工程と、
第５主面、および前記第５主面と反対側の第６主面を有する第３絶縁基材と、前記第３絶縁基材の前記第５主面に設けられた第４金属箔と、前記第３絶縁基材の前記６主面に設けられた第５金属箔と、を有する第２両面金属箔張積層板を用意する工程と、
前記第４金属箔をパターニングして第４導電パターンを形成する工程と、
前記第５金属箔をパターニングして第５導電パターンを形成する工程と、
前記第３絶縁基材を貫通し、前記第５金属箔に到達する第４有底孔を形成する工程と、 前記第４有底孔の側壁および底面に第２金属めっきを堆積させる工程と、
前記第４金属箔、前記第３絶縁基材および前記第５金属箔を貫通する第１貫通孔を形成し、第３配線基材を得る工程と、
前記第１導電ペーストが前記第２導電パターンに接触するように前記第１配線基材を前記第２配線基材に積層し、前記第２導電ペーストが前記第３導電パターンに接触するように前記第３配線基材を前記第２配線基材に積層する工程と、
を備えることを特徴とする。

本発明の第２の態様に係るフレキシブル回路基板の製造方法は、
第１主面、および前記第１主面と反対側の第２主面を有する第１絶縁基材と、前記第１絶縁基材の前記第１主面に設けられた第１金属箔と、前記第１絶縁基材の前記第２主面に第１接着剤層を介して設けられた第１保護膜層と、を有する第１片面金属箔張積層板を用意する工程と、
前記第１金属箔をパターニングして第１導電パターンを形成する工程と、
前記第１保護膜層、前記第１接着剤層および前記第１絶縁基材を貫通し、前記第１金属箔まで到達する第１有底孔を形成する工程と、
前記第１有底孔に第１導電ペーストを充填する工程と、
前記第１保護膜層を剥離し、第１配線基材を得る工程と、
第３主面、および前記第３主面と反対側の第４主面を有する第２絶縁基材と、前記第２絶縁基材の前記第３主面に設けられた第２金属箔と、前記第２絶縁基材の前記４主面に設けられた第３金属箔と、を有する第１両面金属箔張積層板を用意する工程と、
前記２金属箔パターニングして第２導電パターンを形成する工程と、
前記第３金属箔および前記第２絶縁基材を貫通し、前記第２金属箔まで到達する第２有底孔を形成する工程と、
前記第２有底孔の側壁および底面に第１金属めっきを堆積させる工程と、
前記第３金属箔をパターニングして第３導電パターンを形成する工程と、
前記第３金属箔の前記第３導電パターンと、前記第２有底孔に堆積された前記第１金属めっきを埋設するように、前記第３金属箔の上に、第２接着剤層を形成する工程と、
前記第２接着剤層の上に、第１カバー材層を形成する工程と、
前記第第１カバー材層の上に、第１開口部を有する第３接着剤層を形成する工程と、
前記第３接着剤層の前記第１開口部を充填するように前記第３接着剤層の上に第２保護膜層を形成する工程と、
前記第２保護膜層と、前記第３接着剤層、前記第１カバー材層、および前記第２接着剤層を貫通し、前記第３金属箔まで到達する第３有底孔を形成する工程と、
前記第３有底孔に第２導電ペーストを充填する工程と、
前記第２保護膜層を剥離し、第２配線基材を得る工程と、
第５主面、および前記第５主面と反対側の第６主面を有する第３絶縁基材と、前記第３絶縁基材の前記第５主面に設けられた第４金属箔と、前記第３絶縁基材の前記６主面に設けられた第５金属箔と、を有する第２両面金属箔張積層板を用意する工程と、
前記第４金属箔をパターニングして第４導電パターンを形成する工程と、 前記第５金属箔をパターニングして第５導電パターンを形成する工程と、
前記第３絶縁基材を貫通し、前記第５金属箔に到達する第４有底孔を形成する工程と、 前記第４有底孔の側壁および底面に第２金属めっきを堆積させる工程と、
前記第４金属箔の前記第３導電パターンと、前記第４有底孔に堆積された前記第２金属めっきを埋設するように、前記第４金属箔の上に、第４接着剤層を形成する工程と、
前記第４接着剤層の上に、第２カバー材層を形成する工程と、
前記第２カバー材層の上に、第３保護膜層を形成する工程と、
前記第３保護膜層の上に、第４保護膜層を形成する工程と、
前記第４保護膜層と、前記第３保護膜層と、前記第２カバー材層と、前記第３接着剤層とを貫通し、前記第４金属箔まで到達する第５有底孔を形成する工程と、
前記第５有底孔に第３導電ペーストを充填する工程と、
前記第３保護膜及び前記第４保護膜層を剥離し、第３配線基材を得る工程と、
前記第１導電ペーストが前記第２導電パターンに接触するように前記第１配線基材と前記第２配線基材に積層し、前記第２導電ペーストが前記第３導電パターンに接触するように前記第３配線基材を前記第２配線基材に積層する工程と、
を備えることを特徴とする。

また、前記フレキシブル回路基板の製造方法において、
前記第２導電パターンはアナログ信号線を含んでいてもよい。

また、前記フレキシブル回路基板の製造方法において、
前記第５導電パターンはデジタル信号線を含んでいてもよい。

本発明によれば、アナログ信号とデジタル信号の両方を高速かつ低損失で伝送させることが可能であり、電子機器の筐体内に曲げた状態で容易に組み込むことが可能なフレキシブル回路基板およびその製造方法ならびに電子機器を提供することできる。

実施形態に係るフレキシブル回路基板の平面図である。 図１の領域Ａにおける拡大平面図である。 図２のＢ－Ｂ線における模式断面図である。 第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 図４に続く、第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 図５Ａに続く、第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 図５Ｂに続く、第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 図５Ｃに続く、第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 図６に続く、第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 第２の実施形態に係る図２のＢ－Ｂ線における模式断面図である。 第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 図９Ａに続く、第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 図９Ｂに続く、第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 図９Ｃに続く、第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。 第３の実施形態に係る図２の領域Ｃにおける模式斜視図である。 第４の実施形態（ミアンダ形状）に係る図２の領域Ｃにおける模式斜視図である。 第４の実施形態（クランク形状）に係る図２の領域Ｃにおける模式斜視図である。 変形例に係るフレキシブル回路基板の平面図である。 第５の実施形態に係る電子機器の模式斜視図である。 第６の実施形態に係る電子機器の模式平面図および模式断面図である。

以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。各図において同等の機能を有する構成要素には同一の符号を付している。図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係（縦横比）、各層の厚みの比率等は現実のものと必ずしも一致しない。

＜フレキシブル回路基板１００の全体構造＞

まず、図１を参照して、実施形態に係るフレキシブル回路基板１００の全体構造について説明する。図１は、フレキシブル回路基板１００の平面図を示している。フレキシブル回路基板１００には、コネクタ領域１１０と、信号線領域１２０と、曲げ領域１３０とが設けられている。フレキシブル回路基板１００は、アナログ信号を受信する無線通信アンテナおよびデジタル信号を受信するデジタル端子を有する第１モジュール（図１３Ａの第１モジュール２００参照）と、前記アナログ信号および前記デジタル信号の信号処理を行う第２モジュール（図１３Ａの第２モジュール３００参照）とを電気的に接続する。

コネクタ領域１１０は、信号線領域１２０の両端部に設けられている。一方のコネクタ領域１１０は、無線信号などのアナログ信号を送受信するアンテナモジュールに接続され、他方のコネクタ領域１１０は、信号処理チップが実装された信号処理モジュールに接続される。信号線領域１２０は、その長手方向に延材するように形成され、アナログ信号線とデジタル信号線とを含む。アナログ信号線は無線信号などのアナログ信号を伝送し、デジタル信号線はデジタル信号を伝送する。

なお、アンテナモジュールはデジタル信号を受信するデジタル端子を有してもよい。第１の実施形態のフレキシブル回路基板１００において、第１モジュールはアンテナモジュールであり、第２モジュールは信号処理モジュールである。フレキシブル回路基板１００は、第１モジュールと第２モジュールを電気的に接続する。具体的には、一方のコネクタ領域１１０が第１モジュールに電気的に接続され、他方のコネクタ領域１１０が第２モジュールに電気的に接続される。そして、信号線領域１２０に含まれるアナログ信号線とデジタル信号線が、それぞれのコネクタ領域１１０を電気的に接続する。言い換えると、第１モジュールと第２モジュールとは、フレキシブル回路基板１００のコネクタ領域１１０および信号線領域１２０を介して電気的に接続される。

次に、図２を参照して、曲げ領域１３０を説明する。図２は、図１における領域Ａの拡大平面図であり、フレキシブル回路基板１００の一端部を拡大して図示している。曲げ領域１３０は、コネクタ領域１１０と信号線領域１２０とを接続する。曲げ領域１３０においても、アナログ信号線とデジタル信号線とが含まれている。詳しくは後述するが、曲げ領域１３０は、信号線領域１２０と比べて配線層および／または絶縁層の数が少ない減層構造を有する。または、曲げ領域１３０は、内部に配線層および絶縁層のいずれも設けられない中空領域が設けられた中空構造を有する。

（第１の実施形態）
＜フレキシブル回路基板１００の構造＞
次に、図３を参照して、第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００の断面構造について説明する。図３は、図２のＢ－Ｂ線における模式断面図である。図３では、図面の左側がコネクタ領域１１０に相当する領域を示し、図面の右側が信号線領域１２０に相当する領域を示す。そして、曲げ領域１３０は、コネクタ領域１１０と信号線領域１２０との間に位置している。この曲げ領域１３０は、減層構造を有する。すなわち、第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００の曲げ領域１３０は、コネクタ領域１１０および信号線領域１２０と比べて配線層および／または絶縁層の数が少ない減層構造を有する。

より詳細には、曲げ領域１３０は３層の配線層を有し、信号線領域１２０は５層の配線層を有している。具体的には、曲げ領域１３０は配線層として、導電パターン（配線１２ｂ、２２ｉおよび２３ｂ）を有し、信号線領域１２０は、配線層として、導電パターン（配線１２ｂ、２２ｉ、２３ｂ、３２ｂおよび３３ｉ）を有している。したがって、曲げ領域１３０は、信号線領域１２０に比べて２層分の配線層の数が少ない減層構造を有している。同様に、曲げ領域１３０は２層の絶縁層を有し、信号線領域１２０は３層の絶縁層を有している。具体的には、曲げ領域１３０は第１の絶縁層（絶縁基材１１と接着剤層１３）、第２の絶縁層（絶縁基材２１）および第３の絶縁層（接着剤層２４とカバー材層７１）を有する。他方、信号線領域１２０は、第１の絶縁層（絶縁基材１１と接着剤層１３）、第２の絶縁層（絶縁基材２１）、第３の絶縁層（接着剤層２４とカバー材層７１）および第４の絶縁層（絶縁基材３１）を有する。したがって、曲げ領域１３０は、信号線領域１２０に比べて１層分の絶縁層が少ない減層構造を有している。

曲げ領域１３０は、上記のように、信号線領域１２０と比べて配線層および絶縁層の数が少ない減層構造を有する。このため、曲げ領域１３０は、信号線領域１２０に比べて曲げる際の応力が緩和される。したがって、スマートフォン等の電子機器の筐体内にフレキシブル回路基板１００を組み込む際にフレキシブル回路基板１００を曲げた状態で組み込むことが容易となる。具体的には、筐体内にフレキシブル回路基板１００を曲げた状態で組み込む場合、フレキシブル回路基板１００は曲げ領域１３０で曲げられて筐体に組み込まれる。この際、比較的応力が緩和された曲げ領域１３０は、比較的容易に曲げることができる。これにより、筐体内へのフレキシブル回路基板１００の曲げ組み込みを容易に行うことができる。

なお、フレキシブル回路基板１００においては、アナログ信号線は配線２２ｉに配置され、デジタル信号線は配線３３ｉに配置される。このように、フレキシブル回路基板１００には、アナログ信号線およびデジタル信号線の両方が組み込まれている。これにより、フレキシブル回路基板１００を用いることで、アナログ信号線およびデジタル信号線のいずれも配置することができ、電子機器の筐体内の省スペース化を図ることができる。

また、フレキシブル回路基板１００においては、絶縁層を介してアナログ信号線を覆うように形成されたグランド層を有する。具体的には、グランド層１２ｂおよび２３ｂ（配線１２ｂおよび２３ｂ）は、アナログ信号線の配線２２ｉを絶縁層を介して覆う。図３に示すように、配線２２ｉの上には第１の絶縁層（接着剤層１３および絶縁基材１１）が積層され、第１の絶縁層の上にはグランド層１２ｂ（配線１２ｂ）が形成されている。同様に、配線２２ｉの下には第２の絶縁層（絶縁基材２１）が積層され、第２の絶縁層の下にはグランド層２３ｂ（配線２３ｂ）が積層されている。このように、フレキシブル回路基板１００においては、第１および第２の絶縁層を介してアナログ信号線（配線２２ｉ）を覆うように形成されたグランド層１２ｂおよび２３ｂ）を有する。すなわち、フレキシブル回路基板１００は３層ストリップライン構造を有する。

フレキシブル回路基板１００のコネクタ領域１１０には、アナログ信号線またはデジタル信号線と電気的に接続された層間接続路が設けられている。この層間接続路は、図３に示すコネクタ領域１１０のホールＨ１～Ｈ４に設けられ、アナログ信号線またはデジタル信号線に電気的に接続される。たとえば、ホールＨ２に設けられた層間接続路と、アナログ信号線（配線２２ｉ）とが電気的に接続される。また、ホールＨ４に設けられた層間接続路と、デジタル信号線（配線３３ｉ）とが電気的に接続される。

なお、コネクタ領域１１０の層間接続路は、めっきスルーホールにより構成されてもよい。詳しくは、ホールＨ２には銅めっき６１が堆積され、ホールＨ４には銅めっき６２が堆積されて、それぞれめっきスルーホールが形成される。このように、コネクタ領域１１０の層間接続路は、アナログ信号線（配線２２ｉ）またはデジタル信号線（配線３３ｉ）に接続されためっきスルーホール（ホールＨ２またはホールＨ４）を有する。

また、コネクタ領域１１０の層間接続路は、フィルドビアにより構成されてもよい。より詳細には、ホールＨ１には、導電ペーストが充填され、フィルドビアが形成されている。そして、ホールＨ１に形成されたフィルドビアは、配線２２ｉに接続される。同様にして、ホールＨ３にも導電ペーストが充填され、フィルドビアが形成されている。そして、ホールＨ３に形成されたフィルドビアは、受けランド３２ａに接続される。受けランド３２ａは、ホールＨ４のめっきスルーホールに接続されている。コネクタ領域１１０の層間接続路は、めっきスルーホールと、導電層（受けランド２２ａまたは３２ａ）を介して当該めっきスルーホールと接続されたフィルドビアとを有する。なお、コネクタ領域１１０には、上記の層間接続路を介してアナログ信号線およびデジタル信号線に電気的に接続されたコネクタ部品（図示せず）が実装されていてもよい。

以上、第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００の概略的な構成について説明した。第１の実施形態によれば、フレキシブル回路基板１００の曲げ領域１３０は、信号線領域１２０と比べて配線層および絶縁基材の数が少ない減層構造を有する。このため、曲げ領域１３０を曲げる際の応力が緩和される。したがって、スマートフォン等の電子機器の筐体内へのフレキシブル回路基板１００の曲げ組み込みを容易に行うことができる。

なお、フレキシブル回路基板１００には、アナログ信号線およびデジタル信号線の両方が収容されている。これにより、アナログ信号線用のケーブルとデジタル信号線用のケーブルを別個に電子機器の筐体内に配置する必要がなくなり、スマートフォン等の電子機器の筐体内の省スペース化を図ることができる。

また、曲げ領域１３０では信号線領域１２０と比べて配線層および絶縁層の数が削減されることから、フレキシブル回路基板１００の製造に要する配線層および絶縁基材の材料を低減することができ、製造コストを低減することができる。

＜フレキシブル回路基板１００の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００の製造方法について、図４～６の工程断面図を参照して説明する。

まず、図４（１）に示すように、片面金属箔張積層板１０を用意する。この片面金属箔張積層板１０は、絶縁基材１１と、この絶縁基材１１の上面に設けられた金属箔１２と、この絶縁基材１１の下面に接着剤層（微粘着層）１３を介して設けられた保護膜層１４とを有する。金属箔１２は、絶縁基材１１の主面に形成されたシード層（図示せず）を介して絶縁基材１１上に形成されている。絶縁基材１１は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）のほか、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、変性ポリイミド（ＭＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フッ素樹脂（ＰＦＡ、ＰＴＥＥ等）などでよく、特に限定されない。

絶縁基材１１の厚さは、例えば、１００μｍである。金属箔１２は、銅のほか、例えば、銀、アルミニウムである。金属箔１２の厚さは、例えば、１２μｍである。保護膜層１４は、接着剤層１３を介して絶縁基材１１の下面に設けられる。保護膜層１４は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などの絶縁フィルムである。保護膜層１４の厚さは、例えば、１０μｍである。接着剤層１３は、例えば、厚さ１０μｍである。

次に、図４（２）に示すように、片面金属箔張積層板１０の金属箔１２を公知のフォトファブリケーション手法によりパターニングして、第１導電パターンを形成する。この第１導電パターンは、受けランド１２ａおよび配線１２ｂを含む。受けランド１２ａの径は、例えば、φ３５０μｍである。配線１２ｂは、フレキシブル回路基板１００においてグランド層として機能する。

次に、図４（２）に示すように、保護膜層１４にレーザ光を照射することにより、保護膜層１４、接着剤層１３および絶縁基材１１を除去して、底面に受けランド１２ａが露出した有底のホールＨ１を形成する。ホールＨ１の径は、例えば、φ１５０～２００μｍである。より詳しくは、炭酸ガスレーザである赤外線レーザを用いて、レーザパルスを保護膜層１４の所定の位置に照射して穿孔する。赤外線レーザのビーム径は、ホールＨ１の径と同様の１５０μｍに設定する。また、赤外線レーザのパルス幅は１０μ秒に設定し、赤外線レーザの１パルス当たりのエネルギを５ｍＪに設定する。

上記の通り設定された赤外線レーザのレーザ光を、保護膜層１４に５ショット照射してホールＨ１を得る。なお、上記のように、赤外線レーザのビーム径とホールＨ１の径とは略同一である。言い換えると、ホールＨ１の径に合わせるように赤外線レーザのビーム径を調整すればよい。このため、ホールＨ１の形成において、赤外線レーザはビーム径の調整が容易であり、好適である。なお、ホールＨ１の形成においては、ＵＶ－ＹＡＧレーザなどを用いてもよく、赤外線レーザに限定されない。

赤外線レーザでホールＨ１を穿孔した後、デスミア処理を行う。デスミア処理では、絶縁基材１１と受けランド１２ａとの境界における樹脂残渣（残膜）、および、受けランド１２ａの裏面処理膜（ＮｉまたはＣｒなど）を除去する。

次に、図４（３）に示すように、スクリーン印刷等の印刷手法により、ホールＨ１の内部に導電ペースト５１を充填する。導電ペースト５１は、ペースト状の熱硬化性樹脂である樹脂バインダーに金属粒子を分散させたものである。

次に、図４（４）に示すように、接着剤層１３から保護膜層１４を剥離する。これにより、ホールＨ１に充填された導電ペースト５１の一部が突出し、突出部５１ａが形成される。なお、この突出部５１ａの高さは、保護膜層１４の厚さと同程度である。
以上の工程により、配線基材１０１（第１配線基材）が得られる。

次に、図５Ａ（１）に示すように、両面金属箔張積層板２０を用意する。この両面金属箔張積層板２０は、絶縁基材２１と、この絶縁基材２１の上面に設けられた金属箔２２と、この絶縁基材２１の下面に設けられた金属箔２３とを有する。絶縁基材２１は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）のほか、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、変性ポリイミド（ＭＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フッ素樹脂（ＰＦＡ、ＰＴＥＥ等）などでよく、特に限定されない。

絶縁基材２１の厚さは、例えば、１００μｍである。金属箔２２および金属箔２３は、銅のほか、例えば、銀、アルミニウムである。金属箔２２および金属箔２３の厚さは、例えば、それぞれ１２μｍである。金属箔２２は、絶縁基材２１の上面に形成されたシード層（図示せず）を介して絶縁基材２１上に形成される。同様に、金属箔２３は、絶縁基材２１の下面に形成されたシード層（図示せず）を介して絶縁基材２１下に形成される。

次に、図５Ａ（２）に示すように、両面金属箔張積層板２０の金属箔２２を公知のフォトファブリケーション手法によりパターニングして、第２導電パターンを形成する。この第２導電パターンは、受けランド２２ａおよび配線２２ｉを含む。受けランド２２ａの径は、例えば、φ３５０μｍである。配線２２ｉは、フレキシブル回路基板１００においてアナログ信号線として機能する。すなわち、第２導電パターンは、アナログ信号線を含む。

次に、図５Ａ（３）に示すように、両面金属箔張積層板２０の金属箔２３を公知のフォトファブリケーション手法によりパターニングして、第３導電パターンを形成する。この第３導電パターンは、受けランド２３ａおよび配線２３ｂを含む。受けランド２３ａの径は、例えば、φ３５０μｍである。配線２３ｂは、フレキシブル回路基板１００においてグランド層として機能する。

次に、図５Ａ（４）に示すように、受けランド２３ａのコンフォーマルマスクにレーザ光を照射することにより、絶縁基材２１を除去して、底面に受けランド２２ａが露出した有底のホールＨ２を形成する。ホールＨ２の径は、例えば、φ１５０～２００μｍである。以下、ホールＨ２の形成はホールＨ１の形成と同様である。すなわち、炭酸ガスレーザである赤外線レーザを用いて、レーザパルスを受けランド２３ａの所定の位置に照射してホールＨ２を穿孔する。赤外線レーザのビーム径は、ホールＨ２の径と同様の１５０μｍに設定する。また、赤外線レーザのパルス幅は１０μ秒に設定し、赤外線レーザの１パルス当たりのエネルギを５ｍＪに設定する。

上記の通り設定された赤外線レーザのレーザ光を、５ショット照射してホールＨ２を得る。なお、ホールＨ２の形成においては、ＵＶ－ＹＡＧレーザなどを用いてもよく、赤外線レーザに限定されない。

赤外線レーザでホールＨ２を穿孔した後、デスミア処理を行う。デスミア処理では、絶縁基材２１と受けランド２３ａとの境界における樹脂残渣（残膜）を除去する。また、受けランド２３ａおよび受けランド２２ａの裏面処理膜（ＮｉまたはＣｒなど）を除去する。

次に、図５Ａ（５）に示すように、ホールＨ２の側壁および底面に、第１金属めっき６１を堆積させる。第１金属めっき６１は、例えば、銅めっきである。また、第１金属めっき６１は、部分めっきまたはパネルめっきにより堆積される。第１金属めっき６１のめっき厚は、例えば、１６μｍである。

次に、図５Ｂ（１）に示すように、第３導電パターン（受けランド２３ａおよび配線２３ｂ）と、ホールＨ２に堆積された第１金属めっき６１を埋設するように、接着剤層２４を形成する。この接着剤層２４は、例えば、厚さ１０μｍの微粘着層である。次に、図５Ｂ（２）に示すように、接着剤層２４上にカバー材層７１を形成する。カバー材層７１は、例えば、絶縁樹脂フィルムである。絶縁樹脂フィルムとして、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリイミドが用いられる。カバー材層７１の厚さは、例えば、１２μｍである。

次に、図５Ｂ（３）に示すように、カバー材層７１の上に開口部Ａ１を有する接着剤層２５を形成する。接着剤層２５は、例えば、厚さ１０μｍの微粘着層である。次に、図５Ｂ（４）に示すように、接着剤層２５の開口部Ａ１を充填するように、接着剤層２５の上に保護膜層２６を形成する。保護膜層２６は、例えば、厚さ２０μｍの微粘着剤付きＰＥＴフィルムである。開口部Ａ１の径は、例えば、長手方向に３０ｍｍであり、短手方向に２ｍｍである。

次に、図５Ｃ（１）に示すように、保護膜層２６にレーザ光を照射することにより、保護膜層２６、接着剤層２５、カバー材層７１および接着剤層２４を除去して、底面に受けランド２３ａが露出した有底のホールＨ３を穿孔する。ホールＨ３の径は、例えば、φ１５０～２００μｍである。以下、ホールＨ３の形成はホールＨ１の形成と同様である。すなわち、炭酸ガスレーザである赤外線レーザを用いて、レーザパルスを保護膜層２６の所定の位置に照射して穿孔する。赤外線レーザのビーム径は、ホールＨ３の径と同様の１５０μｍに設定する。また、赤外線レーザのパルス幅は１０μ秒に設定し、赤外線レーザの１パルス当たりのエネルギを５ｍＪに設定する。

次に、図５Ｃ（２）に示すように、スクリーン印刷等の印刷手法により、ホールＨ３の内部に導電ペースト５２を充填する。導電ペースト５２は、ペースト状の熱硬化性樹脂である樹脂バインダーに金属粒子を分散させたものである。

次に、図５Ｃ（３）に示すように、接着剤層２５およびカバー材層７１から保護膜層２６を剥離する。これにより、ホールＨ３に充填された導電ペースト５２の一部が突出し、突出部５２ａが形成される。なお、この突出部５２ａの高さは、接着剤層２５上に形成された保護膜層２６の厚さと同程度である。
以上の工程により、配線基材１０２（第２配線基材）が得られる。

次に、図６（１）に示すように、両面金属箔張積層板３０を用意する。この両面金属箔張積層板３０は、絶縁基材３１と、この絶縁基材３１の上面に設けられた金属箔３２と、この絶縁基材３１の下面に設けられた金属箔３３とを有する。絶縁基材３１は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）のほか、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、変性ポリイミド（ＭＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フッ素樹脂（ＰＦＡ、ＰＴＥＥ等）などでよく、特に限定されない。

絶縁基材３１の厚さは、例えば、５０μｍである。金属箔３２および金属箔３３は、銅のほか、例えば、銀、アルミニウムである。金属箔３２および金属箔３３の厚さは、例えば、それぞれ１２μｍである。金属箔３２は、絶縁基材３１の上面に形成されたシード層（図示せず）を介して絶縁基材３１上に形成されている。同様に、金属箔３３は、絶縁基材３１の下面に形成されたシード層（図示せず）を介して絶縁基材３１下に形成されている。

絶縁基材３１の厚さを、比較的薄い５０μｍとすることで、より詳細には、Ｚ_０＝√（Ｌ／Ｃ）で表される特性インピーダンスに整合した信号線（配線３３ｉ）の線幅を狭くすることができる。ここで、Ｌは単位長さ当たりのインダクタンスであり、Ｃは線間キャパシタンスである。これにより、信号線の線幅が狭くなることにより、フレキシブル回路基板１００の幅を狭くすることができ、フレキシブル回路基板１００をスマートフォン等の電子機器の筐体内に組み込む際に省スペース化を図ることができる。

次に、図６（２）に示すように、金属箔３２をパターニングして、コンフォーマルマスクである受けランド３２ａを含む第４導電パターンを形成した後、図６（３）に示すように、当該コンフォーマルマスクにレーザ光を照射することにより、絶縁基材３１を除去して、底面に受けランド３３ａが露出した有底のホールＨ４を形成する。ホールＨ４の径は、例えば、φ１５０～２００μｍである。ホールＨ４はホールＨ１と同様にして形成される。すなわち、炭酸ガスレーザである赤外線レーザを用いて、レーザパルスをコンフォーマルマスクの開口部に照射してホールＨ４を穿孔する。赤外線レーザのビーム径は、ホールＨ４の径と同様の１５０μｍに設定する。なお、図６（２）に示すように、金属箔３３をパターニングして第５導電パターン（受けランド３３ａおよび配線３３ｉ）を形成する。受けランド３３ａの径は、例えば、φ３５０μｍである。なお、配線３３ｉは、フレキシブル回路基板１００においてデジタル信号線として機能する。すなわち、第５導電パターンはデジタル信号線を含む。

赤外線レーザでホールＨ４を穿孔した後、デスミア処理を行う。デスミア処理では、受けランド３３ａおよび絶縁基材３１との境界における樹脂残渣（残膜）を除去する。また、受けランド３３ａの裏面処理膜（ＮｉまたはＣｒなど）を除去する。

次に、図６（４）に示すように、ホールＨ４の側壁および底面に、第２金属めっき６２を堆積させる。第２金属めっき６２は、例えば、銅めっきである。また、第２金属めっき６２は、部分めっきまたはパネルめっきにより堆積される。第２金属めっき６２のめっき厚は、例えば、１６μｍである。

次に、図６（５）に示すように、刃型等で金属箔３２、絶縁基材３１および受けランド３３ａの一部を除去して、窓開け部Ｗを形成する。窓開け部Ｗの大きさは、例えば、図５Ｂ（３）に示す接着剤層２５の開口部Ａ１の大きさと同程度であり、例えば、長手方向に３０ｍｍであり、短手方向に２ｍｍである。
以上の工程により、配線基材１０３（第３配線基材）が得られる。

なお、上述の工程において、各配線基材１０１、１０２、１０３の金属箔に対して粗化処理を行ってもよい。粗化処理により、金属箔と絶縁基材との接着する強度を向上させることができる。

以下では、図７を参照して、上述の工程で得られた配線基材１０１、配線基材１０２および配線基材１０３を積層する工程を説明する。

まず、配線基材１０１を配線基材１０２の上に積層する。具体的には、導電ペースト５１の突出部５１ａが、受けランド２２ａに接触するように積層する。

次に、上記の工程で得られた配線基材１０１と配線基材１０２とからなる積層体を、配線基材１０３の上に積層する。具体的には、導電ペースト５２の突出部５２ａが、受けランド３２ａに接触するように積層する。このようにして、配線基材１０１、配線基材１０２および配線基材１０３が電気的に層間接続なされる。なお、配線基材１０１、１０２、１０３の積層順序は上記に限られない。

配線基材１０１、配線基材１０２および配線基材１０３からなる積層体を形成する上記の積層工程においては、真空プレス装置または真空ラミネータ装置を用いる。この真空プレス装置または真空ラミネータ装置により、積層体を加熱および加圧する。例えば、積層体を約２００℃で加熱し、数ＭＰａ（例えば、２．０ＭＰａ）の圧力で加圧する。フレキシブル回路基板１００を加熱する温度は、例えば、絶縁基材１１、２１および３１を構成する液晶ポリマー（ＬＣＰ）の軟化する温度よりも約５０℃以上低い温度である。

積層工程において、真空プレス装置を用いる場合は上述の条件で約３０～６０分間、積層体を加熱および加圧する。このため、真空プレス装置による積層体の加熱および加圧において、接着剤層１３、２４および２５の熱硬化が完了し、導電ペースト５１および５２の熱硬化についても完了する。

他方、積層工程において、真空ラミネータ装置を用いる場合は、上述の条件で約数分間、積層体を加熱および加圧する。このため、真空ラミネータ装置により積層体を加熱および加圧した後に、オーブン装置に積層体を移動し、ポストキュア処理を行う。ポストキュア処理では、例えば、積層体を約２００℃にて約６０分間加熱する。このポストキュア処理により、接着剤層１３、２４および２５の熱硬化が完了し、導電ペースト５１および５２の熱硬化についても完了する。

次に、必要に応じて、外側に露出した第１および第５導電パターンの表面処理、ソルダーレジストを行い、外形加工を行う。
以上の工程により、図３に示す断面構造を有するフレキシブル回路基板１００が得られる。

以上のように、第１の実施形態によるフレキシブル回路基板の製造方法によれば、曲げ領域１３０は、信号線領域１２０と比べて配線層および／または絶縁層の数が少ない減層構造を有するフレキシブル回路基板１００が得られる。このため、曲げ領域１３０は、信号線領域１２０に比べて曲げる際の応力が緩和され、スマートフォン等の電子機器の筐体内へのフレキシブル回路基板１００の曲げ組み込みを容易に行うことができる。

さらに、フレキシブル回路基板１００においては、アナログ信号線は配線２２ｉとして形成され、デジタル信号線は配線３３ｉとして形成される。図３に示すように、フレキシブル回路基板１００には、アナログ信号線およびデジタル信号線が組み込まれている。したがって、スマートフォン等の電子機器の筐体内にフレキシブル回路基板１００を組み込むことで、無線通信アンテナが受信したアナログ信号を伝送するアナログ信号線と、ＵＳＢ等のデジタル端子が受信したデジタル信号を伝送するデジタル信号線とを一度にまとめて配置することができる。その結果、スマートフォン等の電子機器の筐体内の省スペース化を図ることができる。

また、フレキシブル回路基板１００の曲げ領域１３０では、信号線領域１２０と比べて配線層および絶縁層の数が削減されているため、フレキシブル回路基板１００に要する配線層および絶縁基材の材料を低減することができ、製造コストを低減することができる。

また、フレキシブル回路基板１００は、配線基材１０１、配線基材１０２および配線基材１０３を積層することで製造される。すなわち、フレキシブル回路基板１００は、３つの配線基材を積層することで製造されるため、配線基材同士の位置ずれの発生が比較的抑制される。このため、フレキシブル回路基板１００の製造工程における歩留まりを抑制することができる。加えて、上記の位置ずれに係るマージンを比較的小さくすることができ、フレキシブル回路基板１００の配線層における配線構造を高密度化することができる。

（第２の実施形態）
＜フレキシブル回路基板１００Ａの構造＞
次に、図８を参照して、第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００Ａの構造について説明する。第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００は、曲げ領域１３０に減層構造を有していたが、第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００Ａは、曲げ領域１３０に中空構造を有する。以下、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。

図８は、図２のＢ－Ｂ線における模式断面図である。図８では、図面の左側がコネクタ領域１１０に相当する領域を示し、図面の右側が信号線領域１２０に相当する領域を示す。曲げ領域１３０は、コネクタ領域１１０と信号線領域１２０との間に位置する。この曲げ領域１３０は中空構造を有する。すなわち、図７が示すように、第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００Ａの曲げ領域１３０は配線層および絶縁層のいずれも設けられない空間（中空領域）ＨＳを有する。

具体的には、曲げ領域１３０において、カバー材層７１とカバー材層７２との間に空間ＨＳが設けられている。このため、曲げ領域１３０は、信号線領域１２０に比べて曲げる際の応力が緩和される。したがって、スマートフォン等の電子機器の筐体内にフレキシブル回路基板１００Ａを組み込む際にフレキシブル回路基板１００Ａを曲げた状態での組み込むことが容易となる。具体的には、筐体内へフレキシブル回路基板１００Ａを曲げた状態で組み込む場合、フレキシブル回路基板１００Ａは曲げ領域１３０で曲げられて筐体内に組み込まれる。この際、比較的応力が緩和された曲げ領域１３０は、比較的容易に曲げることができる。これにより、筐体内へのフレキシブル回路基板１００Ａの曲げ組み込みを容易に行うことができる。

第１の実施形態の場合と同様に、フレキシブル回路基板１００Ａにおいては、アナログ信号線は配線２２ｉにより構成され、デジタル信号線は配線３３ｉにより構成される。すなわち、フレキシブル回路基板１００Ａには、アナログ信号線およびデジタル信号線が組み込まれ、筐体内の省スペース化を図ることができる。

また、フレキシブル回路基板１００Ａにおいては、絶縁層を介してアナログ信号線を覆うように形成されたグランド層を有する。具体的には、第１の実施形態と同様に、フレキシブル回路基板１００Ａにおいては、第１の絶縁層（接着剤層１３と絶縁基材１１）および第２の絶縁層（絶縁基材２１）を介してアナログ信号線（配線２２ｉ）を覆うように形成されたグランド層１２ｂ、２３ｂ（配線１２ｂ、２３ｂ）を有する。すなわち、フレキシブル回路基板１００Ａは３層ストリップライン構造を有する。

フレキシブル回路基板１００Ａのコネクタ領域１１０には、アナログ信号線またはデジタル信号線と接続された層間接続路が設けられている。第１実施形態と同様に、この層間接続路は、図８に示すコネクタ領域１１０のホールＨ１～Ｈ４に設けられる。そして、ホールＨ２に設けられた層間接続路と、アナログ信号線（配線２２ｉ）とが接続される。また、ホールＨ４に設けられた層間接続路と、デジタル信号線（配線３３ｉ）とが接続される。

なお、コネクタ領域１１０の層間接続路は、アナログ信号線またはデジタル信号線と接続されためっきスルーホールを有する。第１の実施形態と同様に、コネクタ領域１１０の層間接続路は、アナログ信号線（配線２２ｉ）またはデジタル信号線（配線３３ｉ）に接続されためっきスルーホール（ホールＨ２またはホールＨ４）を有する。

また、コネクタ領域１１０の層間接続路は、フィルドビアにより構成されてもよい。より詳細には、第１の実施形態と同様に、ホールＨ１、ホールＨ３およびホールＨ５に導電ペーストが充填され、フィルドビアが形成される。したがって、上記ように、コネクタ領域１１０の層間接続路は、めっきスルーホールと、導電層（受けランド２２ａまたは３２ａ）を介して当該めっきスルーホールと接続されたフィルドビアを有する。なお、コネクタ領域には、上記の層間接続路を介してアナログ信号線およびデジタル信号線に電気的に接続されたコネクタ部品（図示せず）が実装されていてもよい。

以上が第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００Ａの概念的な構成について説明した。第２の実施形態によれば、フレキシブル回路基板１００Ａの曲げ領域１３０は、配線層および絶縁基材のいずれもが設けられない中空構造を有する。このため、曲げ領域１３０の曲げる際の応力が緩和される。したがって、スマートフォン等の電子機器の筐体内へのフレキシブル回路基板１００Ａの曲げ組み込みを容易に行うことができる。

なお、フレキシブル回路基板１００Ａには、アナログ信号線およびデジタル信号線の両方が収容されている。これにより、アナログ信号線用のケーブルとデジタル信号線用のケーブルを別個に電子機器の筐体内に配置する必要がなくなり、スマートフォン等の電子機器の筐体内の省スペース化を図ることができる。

また、曲げ領域１３０では信号線領域１２０と比べて絶縁層の数が削減されることから、フレキシブル回路基板１００Ａの製造に要する配線層および絶縁基材の材料を低減することができ、製造コストを低減することができる。

＜フレキシブル回路基板１００Ａの製造方法＞
次に、第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００Ａの製造方法について、図９Ａ～図１０の工程断面図を参照して説明する。

第２の実施形態においても、配線基材１０１（第１配線基材）、配線基材１０２（第２配線基材）および配線基材１０３Ａ（第３配線基材）を積層してフレキシブル回路基板１００Ａを製造する。なお、配線基材１０１および配線基材１０２の製造方法は第１実施形態と同様である。すなわち、第２の実施形態における配線基材１０１の製造方法は図４で示されており、配線基材１０２の製造方法は図５Ａ～図５Ｃで示されているため説明は省略する。以下では、配線基材１０３Ａの製造方法を説明する。

図９Ａ（１）に示すように、両面金属箔張積層板３０を用意する。この両面金属箔張積層板３０は、絶縁基材３１と、この絶縁基材３１の上面に設けられた金属箔３２と、この絶縁基材３１の下面に設けられた金属箔３３とを有する。絶縁基材３１は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）のほか、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、変性ポリイミド（ＭＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フッ素樹脂（ＰＦＡ、ＰＴＥＥ等）などでよく、特に限定されない。

絶縁基材３１の厚さは、例えば、５０μｍである。金属箔３２および金属箔３３は、銅のほか、例えば、銀、アルミニウムである。金属箔３２および金属箔３３の厚さは、例えば、それぞれ１２μｍである。金属箔３２は、絶縁基材３１の上面に形成されたシード層（図示せず）を介して絶縁基材３１上に形成される。同様に、金属箔３３は、絶縁基材３１の下面に形成されたシード層（図示せず）を介して絶縁基材３１下に形成される。

絶縁基材３１の厚さを、比較的薄い５０μｍとすることで、より詳細には、Ｚ_０＝√（Ｌ／Ｃ）で表される特性インピーダンスに整合した信号線（配線３３ｉ）の線幅を狭くすることができる。ここで、Ｌは単位長さ当たりのインダクタンスであり、Ｃは線間キャパシタンスである。これにより、信号線の線幅が狭くなることにより、フレキシブル回路基板１００Ａの幅を狭くすることができ、フレキシブル回路基板１００Ａをスマートフォン等の電子機器の筐体内に組み込む際に省スペース化を図ることができる。

次に、図９Ａ（２）に示すように、金属箔３２をパターニングして、コンフォーマルマスクとして機能する受けランド３２ａを含む第４導電パターンを形成する。そして、図９Ａ（３）に示すように、金属箔３３をパターニングして、受けランド３３ａおよび配線３３ｉを含む第５導電パターンを形成する。受けランド３３ａの径は、例えば、φ３５０μｍである。なお、配線３３ｉは、フレキシブル回路基板１００においてデジタル信号線として機能する。すなわち、第５導電パターンはデジタル信号線を含む。

次に、図９Ａ（４）に示すように、コンフォーマルマスクである受けランド３２ａにレーザ光を照射することにより、絶縁基材３１を除去して、底面に受けランド３３ａが露出したホールＨ４を形成する。ホールＨ４の径は、例えば、φ１５０～２００μｍである。なお、ホールＨ４の形成は第１の実施形態のホールＨ１の形成と同様である。

絶縁基材３１を、赤外線レーザで貫通した後、デスミア処理を行う。デスミア処理では、受けランド３３ａと絶縁基材３１との境界における樹脂残渣（残膜）を除去する。また、受けランド３３ａの裏面処理膜（ＮｉまたはＣｒなど）を除去する。

次に、図９Ａ（５）に示すように、ホールＨ４の側壁および底面に、第２金属めっき６２を堆積させる。第２金属めっき６２は、例えば、銅めっきである。また、第２金属めっき６２は、部分めっきまたはパネルめっきにより堆積される。第２金属めっき６２のめっき厚は、例えば、１６μｍである。

次に、図９Ｂ（１）に示すように、金属箔３２をパターニングして形成された第４導電パターン（受けランド３２ａ、配線３２ｂ）と、ホールＨ４に堆積された第２金属めっき６２を埋設するように、金属箔３２の上に接着剤層３４を形成する。なお、接着剤層３４の厚さは、例えば、１０μｍである。次に、図８Ｂ（２）に示すように、接着剤層３４の上にカバー材層７２を形成する。なお、カバー材層７２は、例えば、絶縁樹脂フィルムである。絶縁樹脂フィルムとして、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリイミドが用いられる。カバー材層７２の厚さは、例えば、１２μｍである。次に、図８Ｂ（３）に示すように、カバー材層７２の上に保護膜層３５を形成する。なお、保護膜層３５の厚さは、例えば、１０μｍである。

次に、図９Ｃ（１）に示すように、保護膜層３５にレーザ光を照射することにより、保護膜層３５、カバー材層７２および接着剤層３４を除去して、底面に受けランド３２ａが露出した有底のホールＨ５を穿孔する。ホールＨ５の径は、例えば、φ１５０～２００μｍである。以下、ホールＨ５の形成は第１の実施形態におけるホールＨ１の形成と同様である。すなわち、炭酸ガスレーザである赤外線レーザを用いて、レーザパルスを保護膜層３５の所定の位置に照射して穿孔する。赤外線レーザのビーム径は、ホールＨ５の径と同様の１５０μｍに設定する。また、赤外線レーザのパルス幅は１０μ秒に設定し、赤外線レーザの１パルス当たりのエネルギを５ｍＪに設定する。

次に、図９Ｃ（２）に示すように、スクリーン印刷等の印刷手法により、ホールＨ５の内部に導電ペースト５３を充填する。導電ペースト５３は、ペースト状の熱硬化性樹脂である樹脂バインダーに金属粒子を分散させたものである。

次に、図９Ｃ（３）に示すように、カバー材層７２から保護膜層３５を剥離する。これにより、ホールＨ５に充填された導電ペースト５３の一部が突出し、突出部５３ａが形成される。なお、この突出部５３ａの高さは、保護膜層３５の厚さと同程度である。
以上の工程により、配線基材１０３Ａが得られる。

上述の工程において、各配線基材における金属箔の粗化処理を行ってもよい。粗化処理により、金属箔と絶縁基材との接着する強度を向上させることができる。
以下では、図１０を参照して、上述の工程で得られた配線基材１０１、配線基材１０２および配線基材１０３Ａを積層する工程を説明する。

まず、配線基材１０１を配線基材１０２の上に積層する。具体的には、導電ペースト５１の突出部５１ａが、受けランド２２ａに接触するように積層する。

次に、上記の工程で得られた配線基材１０１と配線基材１０２とからなる積層体を、配線基材１０３Ａの上に積層する。具体的には、導電ペースト５２の突出部５２ａが導電ペースト５３の突出部５３ａに接触するように積層する。このようにして、配線基材１０１、配線基材１０２および配線基材１０３Ａが電気的に層間接続なされる。なお、配線基材１０１、１０２、１０３Ａの積層順序は上記に限られない。

配線基材１０１、配線基材１０２および配線基材１０３Ａからなる積層体を形成する上記の積層工程においては、第１の実施形態と同様に、真空プレス装置または真空ラミネータ装置を用いる。この真空プレス装置または真空ラミネータ装置により、積層体を加熱および加圧する。例えば、積層体を約２００℃で加熱し、数ＭＰａ（例えば、２．０ＭＰａ）の圧力で加圧する。積層体を加熱する温度は、例えば、絶縁基材１１、２１および３１の液晶ポリマー（ＬＣＰ）の軟化する温度よりも約５０℃以上低い温度である。

積層体の積層工程において、真空プレス装置を用いる場合は上述の条件で約３０～６０分間、積層体を加熱および加圧する。このため、真空プレス装置による積層体の加熱および加圧において、接着剤層１３、２４、２５および３４の熱硬化が完了し、導電ペースト５１および５２の熱硬化についても完了する。

他方、積層工程において、真空ラミネータ装置を用いる場合は、上述の条件で約数分間、積層体を加熱および加圧する。このため、真空ラミネータ装置によるフレキシブル回路基板１００Ａの加熱および加圧の後に、オーブン装置に積層体を移動し、ポストキュア処理を行う。ポストキュア処理では、例えば、約２００℃にて約６０分間加熱する。このポストキュア処理により、接着剤層１３、２４、２５および３４の熱硬化が完了し、導電ペースト５１および５２の熱硬化についても完了する。

次に、必要に応じて、外側に露出した第１および第５導電パターンの表面処理、ソルダーレジストを行い、外形加工を行う。
以上の工程により、図８に示す断面構造を有するフレキシブル回路基板１００Ａが得られる。

以上のように、第２の実施形態によるフレキシブル回路基板１００Ａの製造方法によれば、曲げ領域１３０は、内部に配線層および絶縁層のいずれもが設けられない中空構造を有するフレキシブル回路基板１００Ａが得られる。このため、曲げ領域１３０は、信号線領域１２０に比べて曲げる際の応力が緩和され、スマートフォン等の電子機器の筐体内へのフレキシブル回路基板１００Ａの曲げ組み込みを容易に行うことができる。

さらに、第１の実施形態と同様に、フレキシブル回路基板１００Ａにおいては、アナログ信号線は配線２２ｉとして形成され、デジタル信号線は配線３３ｉとして形成される。図８に示すように、フレキシブル回路基板１００Ａには、アナログ信号線およびデジタル信号線が組み込まれている。したがって、スマートフォン等の筐体内にフレキシブル回路基板１００Ａを組み込むことで、無線通信アンテナが受信したアナログ信号を伝送するアナログ信号線と、ＵＳＢ等のデジタル端子が受信したデジタル信号を伝送するデジタル信号線とを一度にまとめて配置することができる。その結果、スマートフォン等の電子機器の筐体内の省スペース化を図ることができる。

また、フレキシブル回路基板１００Ａの曲げ領域１３０では、信号線領域１２０と比べて配線層および絶縁層の数が削減されているため、フレキシブル回路基板１００Ａに要する配線層および絶縁基材の材料を低減することができ、製造コストを低減することができる。

また、フレキシブル回路基板１００Ａは、配線基材１０１、配線基材１０２および配線基材１０３Ａを積層することで製造される。すなわち、フレキシブル回路基板１００Ａは、３つの配線基材を積層することで製造されるため、配線基材同士の位置ずれの発生が比較的抑制される。このため、フレキシブル回路基板１００Ａの製造工程における歩留まりを抑制することができる。加えて、上記の位置ずれに係るマージンを比較的小さくすることができ、フレキシブル回路基板１００Ａの配線層における配線構造を高密度化することができる。

（第３の実施形態）
次に、図１１Ａを参照して、第３の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００Ｂについて説明する。第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００Ａと同様に、フレキシブル回路基板１００Ｂは曲げ領域１３０に中空構造を有する。加えて、フレキシブル回路基板１００Ｂは、その曲げ領域１３０の一側（図１１Ａでは下面側）に切り込みが設けられている。以下、第２の実施形態と異なる部分を中心に説明する。

図１１Ａは、フレキシブル回路基板１００Ｂの曲げ領域１３０を示す模式斜視図である。この図１１Ａは、図２の領域Ｃに関する模式的な斜視図であり、コネクタ領域１１０の一部と、信号線領域１２０の一部と、曲げ領域１３０とを示している。

より詳細には、フレキシブル回路基板１００Ｂの曲げ領域１３０は、配線層および絶縁層のいずれもが設けられない空間ＨＳを有している。すなわち、曲げ領域１３０は中空構造を有する。言い換えると、曲げ領域１３０における上面１３０ａと、曲げ領域１３０における下面１３０ｂとの間に中空領域である空間ＨＳが設けられている。

図１１Ａが示すように、曲げ領域１３０の下面１３０ｂには、切り込みであるスリットＳＴ１およびスリットＳＴ２が設けられている。具体的には、スリットＳＴ１およびスリットＳＴ２は、フレキシブル回路基板１００Ｂの厚さ方向について空間ＨＳの一側の領域に設けられている。なお、スリットＳＴ１およびスリットＳＴ２は、曲げ領域１３０の両側に設けてもよい。すなわち、スリットＳＴ１およびスリットＳＴ２は、曲げ領域１３０の両側である上面１３０ａおよび下面１３０ｂに設けてもよい。スリットＳＴ１，ＳＴ２は信号線領域１２０の長手方向に直交する幅方向に沿って設けられている。なお、これに限らず、スリットＳＴ１、ＳＴ２は、曲げ領域１３０の幅方向と交差する方向に沿って設けられてもよい。一般的に言えば、スリットＳＴ１およびスリットＳＴ２は、フレキシブル回路基板１００Ｂの信号線領域１２０の長手方向に直交する幅方向の成分を有するように設けられている。

フレキシブル回路基板１００Ｂのその他の構造は、第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００Ａと同様であるから説明を省略する。また、フレキシブル回路基板１００Ｂの製造方法についても、第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００Ａと同様であるから説明を省略する。配線２２ｉ，３３ｉは、スリットＳＴ１、ＳＴ２を避けるように惰行して形成される。

以上のように、フレキシブル回路基板１００Ｂの曲げ領域１３０は、配線層および絶縁層のいずれもが設けられない空間ＨＳを有しており、さらに、曲げ領域１３０の下面１３０ｂにスリットＳＴ１およびスリットＳＴ２を有している。このため、曲げ領域１３０は、信号線領域１２０に比べて曲げる際の応力がより緩和され、スマートフォン等の筐体内へのフレキシブル回路基板１００Ｂの曲げ組み込みがより容易に行うことができる。

なお、フレキシブル回路基板１００Ｂにおいては、第２の実施形態と同様に、アナログ信号線およびデジタル信号線が組み込まれている。これにより、フレキシブル回路基板１００Ｂを配置することで、アナログ信号線およびデジタル信号線とを一度にまとめて配置することができ、スマートフォン等の筐体内の省スペース化を図ることができる。

また、フレキシブル回路基板１００Ｂの曲げ領域１３０は、信号線領域１２０と比べて配線層および絶縁層の数が削減されているため、フレキシブル回路基板１００Ｂに要する配線層および絶縁基材の材料を低減することができ、製造コストを低減することができる。

また、フレキシブル回路基板１００Ｂは、配線基材１０１（第１配線基材）、配線基材１０２（第２配線基材）および配線基材１０３Ａ（第３配線基材）を積層することで製造される。すなわち、フレキシブル回路基板１００Ｂは、３つの配線基材を積層することで製造されるため、配線基材同士の位置ずれの発生が比較的抑制される。このため、フレキシブル回路基板１００Ｂの製造工程における歩留まりを抑制することができる。加えて、上記の位置ずれに係るマージンを比較的小さくすることができ、フレキシブル回路基板１００Ｂの配線層における配線構造を高密度化することができる。

（第４の実施形態）
次に、図１１Ｂおよび図１１Ｃを参照して、第４の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００Ｃについて説明する。第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００Ａと同様に、フレキシブル回路基板１００Ｃは曲げ領域１３０に中空構造を有する。加えて、フレキシブル回路基板１００Ｃは、その曲げ領域１３０の一側（図１１Ｂ，図１１Ｃの下面側）が、ミアンダ状またはクランク状に設けられている。以下、第２の実施形態と異なる部分を中心に説明する。

図１１Ｂおよび図１１Ｃは、フレキシブル回路基板１００Ｃの曲げ領域１３０を示す模式斜視図である。この図１１Ｂおよび図１１Ｃは、図２の領域Ｃに関する模式的な斜視図であり、コネクタ領域１１０の一部と、信号線領域１２０の一部と、曲げ領域１３０とを示している。

より詳細には、フレキシブル回路基板１００Ｃの曲げ領域１３０は、配線層および絶縁層のいずれもが設けられない空間ＨＳを有しており、すなわち、曲げ領域１３０は中空構造を有する。言い換えると、曲げ領域１３０における上面１３０ａと、曲げ領域１３０における下面１３０ｂとの間に空間ＨＳを有する。

まず、図１１Ｂが示すように、曲げ領域１３０の下面１３０ｂは、蛇行するようなミアンダ形状を有する。具体的には、曲げ領域１３０の下面１３０ｂは、フレキシブル回路基板１００Ｃを平面視してミアンダ状に設けられている。言い換えると、このミアンダ状の下面１３０ｂは、フレキシブル回路基板１００Ｃの厚さ方向について空間ＨＳの一側の領域に設けられている。なお、曲げ領域１３０の両側である上面１３０ａおよび下面１３０ｂがミアンダ状に設けてもよい。

一方で、図１１Ｃが示すように、曲げ領域１３０の下面１３０ｂは、クランク形状を有してもよい。具体的には、曲げ領域１３０の下面１３０ｂは、フレキシブル回路基板１００Ｃを平面視してクランク状に設けられている。言い換えると、このクランク状の下面１３０ｂは、フレキシブル回路基板１００Ｃの厚さ方向について空間ＨＳの一側の領域に設けられている。なお、曲げ領域１３０の両側である上面１３０ａおよび下面１３０ｂがクランク状に設けてもよい。

フレキシブル回路基板１００Ｃのその他の構造は、第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００Ａと同様であるから説明を省略する。また、フレキシブル回路基板１００Ｃの製造方法についても、第２の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００Ａと同様であるから説明を省略する。配線２２ｉ，３３ｉは、ミアンダ形状またはクランク形状に沿って形成される。

以上のように、フレキシブル回路基板１００Ｃの曲げ領域１３０は、配線層および絶縁層のいずれもが設けられない空間ＨＳを有しており、さらに、曲げ領域１３０の下面１３０ｂは、ミアンダ状またはクランク状に設けられている。このため、曲げ領域１３０は、信号線領域１２０に比べて曲げる際の応力がより緩和され、スマートフォン等の筐体内へのフレキシブル回路基板１００Ｃの曲げ組み込みがより容易に行うことができる。

なお、フレキシブル回路基板１００Ｃにおいては、第２の実施形態と同様に、アナログ信号線およびデジタル信号線が組み込まれている。これにより、フレキシブル回路基板１００Ｃを配置することで、アナログ信号線およびデジタル信号線とを一度にまとめて配置することができ、スマートフォン等の筐体内の省スペース化を図ることができる。

また、フレキシブル回路基板１００Ｃの曲げ領域１３０は、信号線領域１２０と比べて配線層および絶縁層の数が削減されているため、フレキシブル回路基板１００Ｃに要する配線層および絶縁基材の材料を低減することができ、製造コストを低減することができる。

また、フレキシブル回路基板１００Ｃは、配線基材１０１（第１配線基材）、配線基材１０２（第２配線基材）および配線基材１０３Ａ（第３配線基材）を積層することで製造される。すなわち、フレキシブル回路基板１００Ｃは、３つの配線基材を積層することで製造されるため、配線基材同士の位置ずれの発生が比較的抑制される。このため、フレキシブル回路基板１００Ｃの製造工程における歩留まりを抑制することができる。加えて、上記の位置ずれに係るマージンを比較的小さくすることができ、フレキシブル回路基板１００Ｃの配線層における配線構造を高密度化することができる。

（変形例）
次に、図１２を参照して、変形例に係るフレキシブル回路基板１００Ｄの構造について説明する。第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００は、曲げ領域１３０に減層構造を有していたが、変形例に係るフレキシブル回路基板１００Ｄは、コネクタ領域１１０Ａも減層構造を有する。以下、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。

図１２は、変形例に係るフレキシブル回路基板１００Ｄの模式平面図である。図１２に示すように、変形例に係るフレキシブル回路基板１００Ｄは、コネクタ領域１１０および１１０Ａと、信号線領域１２０と、曲げ領域１３０とを備える。なお、図１２においては、コネクタ領域１１０Ａにコネクタ部品１１１が実装されている状態が示されている。

変形例に係るフレキシブル回路基板１００Ｄにおいても、曲げ領域１３０は減層構造を有する。すなわち、フレキシブル回路基板１００Ｄの曲げ領域１３０は、信号線領域１２０と比べて配線層および／または絶縁層の数が少ない減層構造を有する。

そして変形例においては、コネクタ領域１１０Ａも減層構造を有する。すなわち、コネクタ領域１１０Ａは、信号線領域１２０と比べて配線層および／または絶縁層の数が少ない減層構造を有する。なお、コネクタ領域１１０Ａの断面構造は、曲げ領域１３０と同様であってもよい。すなわち、コネクタ領域１１０Ａの断面構造は、図３に示す曲げ領域１３０の断面構造と同様であってもよい。また、図１２に示すフレキシブル回路基板１００Ｄにおいては、一方のコネクタ領域が減層構造を有するコネクタ領域１１０Ａであるように図示されている。変形例に係るフレキシブル回路基板１００Ｄは、両方のコネクタ領域が減層構造を有するコネクタ領域１１０Ａであってもよい。

フレキシブル回路基板１００Ｄのその他の構造は、第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００と同様である。また、フレキシブル回路基板１００Ｄの製造方法についても、第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００と同様である。すなわち、フレキシブル回路基板１００Ｄの製造方法において、曲げ領域１３０の減層構造の形成に係る工程を、コネクタ領域１１０Ａの減層構造の形成に係る工程に適用させればよい。

以上のように、変形例に係るフレキシブル回路基板１００Ｄによれば、曲げ領域１３０に加えてコネクタ領域１１０Ａが、信号線領域１２０と比べて配線層および／または絶縁層の数が少ない減層構造を有する。このため、フレキシブル回路基板１００Ｄに要する配線層および絶縁基材の材料をより削減することができ、製造コストをより削減することができる。

なお、コネクタ領域１１０Ａおよび曲げ領域１３０は、信号線領域１２０に比べて曲げる際の応力が緩和される。このため、第１の実施形態に係るフレキシブル回路基板１００と同様に、スマートフォン等の筐体内へのフレキシブル回路基板１００Ｄの曲げ組み込みを容易に行うことができる。

また、フレキシブル回路基板１００Ｄには、アナログ信号線およびデジタル信号線が組み込まれている。これにより、フレキシブル回路基板１００Ｄを配置することで、アナログ信号線およびデジタル信号線を一度にまとめて配置することができ、スマートフォン等の筐体内の省スペース化を図ることができる。

また、フレキシブル回路基板１００Ｄは、配線基材１０１（第１配線基材）、配線基材１０２（第２配線基材）および配線基材１０３（第３配線基材）を積層することで製造される。すなわち、フレキシブル回路基板１００Ｄは、３つの配線基材を積層することで製造されるため、配線基材同士の位置ずれの発生が比較的抑制される。このため、フレキシブル回路基板１００Ｄの製造工程における歩留まりを抑制することができる。加えて、上記の位置ずれに係るマージンを比較的小さくすることができ、フレキシブル回路基板１００Ｄの配線層における配線構造を高密度化することができる。

＜フレキシブル回路基板を組み込んだ電子機器＞
（第５の実施形態）
次に、図１３Ａを参照して、上述の第１～第４の実施形態または変形例に係るフレキシブル回路基板１００が組み込まれた電子機器の実施形態について説明する。本実施形態に係る電子機器においては、電子機器の筐体内の側面に、フレキシブル回路基板１００を曲げて組み込んでいる。

図１３Ａの右側および中央の図は、フレキシブル回路基板１００を曲げる前後の状態を模式的に示す図である。この図１３Ａの右側および中央の図に示すように、電子機器の筐体内にフレキシブル回路基板１００を組み込む際、所望の形状にフレキシブル回路基板１００の曲げ領域１３０を曲げて組み込む。電子機器の筐体内の側面にフレキシブル回路基板１００を組み込んでいる。このため、図１３Ａの右側の図のように、信号線領域１２０の上にコネクタ領域１１０ａおよび曲げ領域１３０が直立するような状態から、図１３Ａの中央の図ように、曲げ領域１３０を前方に曲げてコネクタ領域１１０ｂが前方に倒れるような状態とする。

図１３Ａの左側の図は、フレキシブル回路基板１００が組み込まれた電子機器ＵＥを模式的に示す図である。電子機器ＵＥには、筐体５００内にフレキシブル回路基板１００およびその他の電子部品が組み込まれている。具体的には、この電子機器ＵＥは、筐体５００と、筐体５００内に上述の実施形態または変形例に係るフレキシブル回路基板１００とが配置されている。さらに、筐体５００の内部には、第１モジュール２００および第２モジュール３００が配置され、第１モジュール２００と第２モジュール３００との間にバッテリ４００が配置されている。

本実施形態に係る電子機器ＵＥにおいては、第１モジュール２００は、アナログ信号を受信する無線通信アンテナ、およびデジタル信号を受信するデジタル端子を有する。第２モジュール３００は、第１モジュール２００にて受信したアナログ信号およびデジタル信号の信号処理を行う。なお、図１３Ａに示すように、電子機器ＵＥの全体制御を行うプロセッサ２１０を、第１モジュール２００の上に配置してもよい。

第１モジュール２００にはコネクタ部品２２０が設けられている。このコネクタ部品２２０を介して、第１モジュール２００とコネクタ領域１１０ａが電気的に接続される。一方で、第２モジュール３００にもコネクタ部品３１０が設けられている。このコネクタ部品３１０を介して、第２モジュール３００とコネクタ領域１１０ｂが電気的に接続される。これにより、フレキシブル回路基板１００を介して第１モジュール２００と第２モジュール３００とが電気的に接続される。言い換えると、フレキシブル回路基板１００は、第１モジュール２００と第２モジュール３００とを電気的に接続する。

上述のようにして本実施形態では、電子機器ＵＥの筐体５００内の側面に沿ってフレキシブル回路基板１００が組み込まれる。すなわち、コネクタ部品２２０およびコネクタ部品３１０が第１モジュール２００および第２モジュール３００にそれぞれ嵌合するように曲げ領域１３０を曲げ、信号線領域１２０が筐体５００内の側面を沿うようにフレキシブル回路基板１００を筐体５００内に組み込む。

以上のように、本実施形態によれば、第１モジュール２００と第２モジュール３００とをフレキシブル回路基板１００で電気的に接続することができる。このため、電子機器ＵＥの筐体内の省スペース化を図ることができ、バッテリ４００の大型化などが可能となる。また、バッテリ４００を跨ぐことなくフレキシブル回路基板１００を配置できるので、バッテリ上面に無線給電等に使われるコイルを配置することができる。

（第６の実施形態）
次に、図１３Ｂを参照して、上述の第１～第４の実施形態または変形例に係るフレキシブル回路基板１００が組み込まれた電子機器の別の実施形態について説明する。本実施形態においては、電子機器の筐体内の底面に、フレキシブル回路基板１００を曲げ領域１３０が曲げられた状態で組み込む。以下、第５の実施形態と異なる部分を中心に説明する。

図１３Ｂは、フレキシブル回路基板１００が組み込まれた電子機器ＵＥを示す図である。図１３Ｂ（１）は、電子機器ＵＥの平面の模式断面図であり、図１３Ｂ（２）は、電子機器ＵＥの側面の模式断面図である。この図１３Ｂ（１），（２）が示すように、電子機器ＵＥには、筐体５００内にフレキシブル回路基板１００およびその他の電子部品が組み込まれている。具体的には、この電子機器ＵＥは、筐体５００と、筐体５００内に上述の実施形態または変形例に係るフレキシブル回路基板１００とが配置されている。さらに、筐体５００の内部には、第１モジュール２００および第２モジュール３００が配置され、第１モジュール２００と第２モジュール３００との間にバッテリ４００が配置されている。

図１３Ｂ（３）は、筐体５００内に組み込まれたフレキシブル回路基板１００の斜視画像を示している。この図１３Ｂ（３）が示すように、フレキシブル回路基板１００は、Ｐ１およびＰ２で曲げ領域１３０Ｂが曲げられており、Ｐ３およびＰ４で曲げ領域１３０Ａが曲げられている。言い換えると、曲げ領域１３０Ａおよび曲げ領域１３０Ｂは、それぞれ２箇所で曲げられている。すなわち、第１～第４の実施形態または変形例に係るフレキシブル回路基板１００においては、曲げ領域１３０を曲げる際の応力が低減されているため、本実施形態のように曲げ領域１３０の２箇所を曲げることが可能となる。

なお、第５の実施形態と同様に、第１モジュール２００と第２モジュール３００とをフレキシブル回路基板１００で電気的に接続することができる。このため、電子機器ＵＥの筐体内の省スペース化を図ることができ、バッテリ４００の大型化などが可能となる。また、バッテリ４００の上面を跨ぐことなくフレキシブル回路基板１００を配置できるので、バッテリ上面に無線給電等に使われるコイルを配置することができる。

上記の記載に基づいて、当業者であれば、本発明の追加の効果や種々の変形を想到できるかもしれないが、本発明の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではない。異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。特許請求の範囲に規定された内容及びその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。

１０ 片面金属箔張積層板
２０、３０ 両面金属箔張積層板
１１、２１、３１ 絶縁基材
１２、２２、２３、３２、３３ 金属箔
１３、２４、２５、３４ 接着剤層
１４、２６、３５ 保護膜層
１２ａ、２２ａ、２３ａ、３２ａ、３３ａ 受けランド
１２ｂ、２３ｂ グランド層（配線）
２２ｉ 配線（アナログ信号線）
３２ｂ 配線
３３ｉ 配線（デジタル信号線）
５１、５２、５３ 導電ペースト
６１、６２ 金属めっき
７１、７２ カバー材層
１００ フレキシブル回路基板
１０１、１０２、１０３ 配線基材
１１０、１１０Ａ コネクタ領域
１２０ 信号線領域
１３０、１３０Ａ、１３０Ｂ 曲げ領域
２００ 第１モジュール
３００ 第２モジュール
４００ バッテリ
５００ 筐体
Ａ１ 開口部
Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４、Ｈ５ ホール
ＨＳ 空間
ＳＴ１、ＳＴ２ スリット
Ｗ 窓開け部
ＵＥ 電子機器

Claims (4)

1. 第１主面、および前記第１主面と反対側の第２主面を有する第１絶縁基材と、前記第１絶縁基材の前記第１主面に設けられた第１金属箔と、前記第１絶縁基材の前記第２主面に第１接着剤層を介して設けられた第１保護膜層と、を有する第１片面金属箔張積層板を用意する工程と、
   前記第１金属箔をパターニングして第１導電パターンを形成する工程と、
   前記第１保護膜層、前記第１接着剤層および前記第１絶縁基材を貫通し、前記第１金属箔まで到達する第１有底孔を形成する工程と、
   前記第１有底孔に第１導電ペーストを充填する工程と、
   前記第１保護膜層を剥離し、第１配線基材を得る工程と、
   第３主面、および前記第３主面と反対側の第４主面を有する第２絶縁基材と、前記第２絶縁基材の前記第３主面に設けられた第２金属箔と、前記第２絶縁基材の前記第４主面に設けられた第３金属箔と、を有する第１両面金属箔張積層板を用意する工程と、
   前記第２金属箔をパターニングして第２導電パターンを形成する工程と、
   前記第２絶縁基材を貫通し、前記第２金属箔まで到達する第２有底孔を形成する工程と、
   前記第２有底孔の側壁および底面に第１金属めっきを堆積させる工程と、
   前記第３金属箔をパターニングして第３導電パターンを形成する工程と、
   前記第３金属箔の前記第３導電パターンと、前記第２有底孔に堆積された前記第１金属めっきを埋設するように、前記第３金属箔の上に、第２接着剤層を形成する工程と、
   前記第２接着剤層の上に、第１カバー材層を形成する工程と、
   前記第１カバー材層の上に、第１開口部を有する第３接着剤層を形成する工程と、
   前記第３接着剤層の前記第１開口部を充填するように前記第３接着剤層の上に第２保護膜層を形成する工程と、
   前記第２保護膜層、前記第３接着剤層、前記第１カバー材層および前記第２接着剤層を貫通し、前記第３金属箔まで到達する第３有底孔を形成する工程と、
   前記第３有底孔に第２導電ペーストを充填する工程と、
   前記第２保護膜層を剥離し、第２配線基材を得る工程と、
   第５主面、および前記第５主面と反対側の第６主面を有する第３絶縁基材と、前記第３絶縁基材の前記第５主面に設けられた第４金属箔と、前記第３絶縁基材の前記第６主面に設けられた第５金属箔と、を有する第２両面金属箔張積層板を用意する工程と、
   前記第４金属箔をパターニングして第４導電パターンを形成する工程と、
   前記第５金属箔をパターニングして第５導電パターンを形成する工程と、
   前記第３絶縁基材を貫通し、前記第５金属箔に到達する第４有底孔を形成する工程と、 前記第４有底孔の側壁および底面に第２金属めっきを堆積させる工程と、
   前記第３絶縁基材および前記第５金属箔を貫通する第１貫通孔を形成し、第３配線基材を得る工程と、
   前記第１導電ペーストが前記第２導電パターンに接触するように前記第１配線基材を前記第２配線基材に積層し、前記第２導電ペーストが前記第３導電パターンに接触するように前記第３配線基材を前記第２配線基材に積層する工程と、
   を備えることを特徴とするフレキシブル回路基板の製造方法。
2. 第１主面、および前記第１主面と反対側の第２主面を有する第１絶縁基材と、前記第１絶縁基材の前記第１主面に設けられた第１金属箔と、前記第１絶縁基材の前記第２主面に第１接着剤層を介して設けられた第１保護膜層と、を有する第１片面金属箔張積層板を用意する工程と、
   前記第１金属箔をパターニングして第１導電パターンを形成する工程と、
   前記第１保護膜層、前記第１接着剤層および前記第１絶縁基材を貫通し、前記第１金属箔まで到達する第１有底孔を形成する工程と、
   前記第１有底孔に第１導電ペーストを充填する工程と、
   前記第１保護膜層を剥離し、第１配線基材を得る工程と、
   第３主面、および前記第３主面と反対側の第４主面を有する第２絶縁基材と、前記第２絶縁基材の前記第３主面に設けられた第２金属箔と、前記第２絶縁基材の前記第４主面に設けられた第３金属箔と、を有する第１両面金属箔張積層板を用意する工程と、
   前記第２金属箔をパターニングして第２導電パターンを形成する工程と、
   前記第２絶縁基材を貫通し、前記第２金属箔まで到達する第２有底孔を形成する工程と、
   前記第２有底孔の側壁および底面に第１金属めっきを堆積させる工程と、
   前記第３金属箔をパターニングして第３導電パターンを形成する工程と、
   前記第３金属箔の前記第３導電パターンと、前記第２有底孔に堆積された前記第１金属めっきを埋設するように、前記第３金属箔の上に、第２接着剤層を形成する工程と、
   前記第２接着剤層の上に、第１カバー材層を形成する工程と、
   前記第１カバー材層の上に、第１開口部を有する第３接着剤層を形成する工程と、
   前記第３接着剤層の前記第１開口部を充填するように前記第３接着剤層の上に第２保護膜層を形成する工程と、
   前記第２保護膜層と、前記第３接着剤層、前記第１カバー材層、および前記第２接着剤層を貫通し、前記第３金属箔まで到達する第３有底孔を形成する工程と、
   前記第３有底孔に第２導電ペーストを充填する工程と、
   前記第２保護膜層を剥離し、第２配線基材を得る工程と、
   第５主面、および前記第５主面と反対側の第６主面を有する第３絶縁基材と、前記第３絶縁基材の前記第５主面に設けられた第４金属箔と、前記第３絶縁基材の前記第６主面に設けられた第５金属箔と、を有する第２両面金属箔張積層板を用意する工程と、
   前記第４金属箔をパターニングして第４導電パターンを形成する工程と、
   前記第５金属箔をパターニングして第５導電パターンを形成する工程と、
   前記第３絶縁基材を貫通し、前記第５金属箔に到達する第４有底孔を形成する工程と、 前記第４有底孔の側壁および底面に第２金属めっきを堆積させる工程と、
   前記第４金属箔の前記第３導電パターンと、前記第４有底孔に堆積された前記第２金属めっきを埋設するように、前記第４金属箔の上に、第４接着剤層を形成する工程と、
   前記第４接着剤層の上に、第２カバー材層を形成する工程と、
   前記第２カバー材層の上に、第３保護膜層を形成する工程と、
   前記第３保護膜層の上に、第４保護膜層を形成する工程と、
   前記第４保護膜層と、前記第３保護膜層と、前記第２カバー材層と、前記第３接着剤層とを貫通し、前記第４金属箔まで到達する第５有底孔を形成する工程と、
   前記第５有底孔に第３導電ペーストを充填する工程と、
   前記第３保護膜層及び前記第４保護膜層を剥離し、第３配線基材を得る工程と、
   前記第１導電ペーストが前記第２導電パターンに接触するように前記第１配線基材と前記第２配線基材に積層し、前記第２導電ペーストが前記第３導電ペーストに接触するように前記第３配線基材を前記第２配線基材に積層する工程と、
   を備えることを特徴とするフレキシブル回路基板の製造方法。
3. 前記第２導電パターンはアナログ信号線を含む、ことを特徴とする請求項１または２に記載のフレキシブル回路基板の製造方法。
4. 前記第５導電パターンはデジタル信号線を含む、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のフレキシブル回路基板の製造方法。

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