JP7517020B2 - 圧電駆動装置及びロボット - Google Patents
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Description
先ず、第1実施形態に係る圧電駆動装置3について、圧電駆動装置3を備える圧電モーター1を一例として挙げ、図1~図5を参照して説明する。
尚、説明の便宜上、以降における図6及び図11を除く各図には、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、及びZ軸を図示している。また、X軸に沿った方向を「X方向」、Y軸に沿った方向を「Y方向」、Z軸に沿った方向を「Z方向」と言う。また、各軸の矢印側を「プラス側」、矢印と反対側を「マイナス側」、X方向のプラス側を「上」、X方向のマイナス側を「下」とも言う。
第1溝部61は、基板60の長手方向であるY方向に延在し、X方向からの平面視で、圧電素子7Aと圧電素子7Cとの間、圧電素子7Bと圧電素子7Cとの間、圧電素子7Cと圧電素子7Dとの間、及び圧電素子7Cと圧電素子7Eとの間に配置されている。尚、圧電素子7Aと圧電素子7Cとの間の第1溝部61と、圧電素子7Bと圧電素子7Cとの間の第1溝部61と、はそれぞれのY方向の端部どうしが連結している。また、図3に示すように、第1溝部61の側面65の少なくとも一部と底部66には、第1配線81が設けられている。
ここで、圧電素子間隔を60μmとすると、素子間の配線幅は、最大でも50μmである。そのため、素子間に幅50μmで溝深さ25μmの第1溝部61を設け、第1溝部61の側面65と底部66に第1配線81を設けることで、実質的な配線幅を100μmとすることができ、配線抵抗を半減することができる。
第3配線83の一方の端部は、共通電極用端子86と電気的に接続されており、第3配線83の他方の端部は、圧電素子7A,7Bと圧電素子7Cとの間に配置された第1溝部61に設けられた第1配線81と電気的に接続されている。
3つの第3配線83A,83D,83Eも第3配線83Bと同様に、一方の端部は、駆動電極用端子87と電気的に接続され、他方の端部は、それぞれ圧電素子7A,7D,7Eの第2電極73と電気的に接続されている。
圧電駆動装置3の製造方法は、図6に示すように、酸化膜形成工程、第1電極形成工程、圧電体形成工程、第2電極形成工程、絶縁層形成工程、溝形成工程、配線形成工程、及び外形形成工程を含んでいる。
先ず、ステップS1において、シリコン基板を準備し、シリコン基板を大気中において高温で加熱することで、シリコン基板の表面に絶縁層となる酸化膜を形成する。
次に、ステップS2において、金(Au)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)等の金属をスパッタ法又は蒸着法でシリコン基板の酸化膜上に成膜し、第1電極71を形成する。
次に、ステップS3において、ゾル-ゲル法やスパッタリング法を用いて第1電極71上に圧電層を形成し、その後、フォトリソグラフィー技法で圧電層と第1電極71をパタニングして圧電素子パターンを形成し、圧電体72を形成する。尚、圧電体72の構成材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、タングステン酸ナトリウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウムストロンチウム(BST)、タンタル酸ストロンチウムビスマス(SBT)、メタニオブ酸鉛、スカンジウムニオブ酸鉛等の圧電セラミックスを用いることができる。
次に、ステップS4において、第1電極71と同様に、金(Au)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)等の金属をスパッタ法又は蒸着法でシリコン基板の酸化膜上に成膜し、その後、フォトリソグラフィー技法で圧電素子パターンを形成し、第2電極73を形成する。
次に、ステップS5において、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、第2電極73上にSiO2,Al2O3等の絶縁膜を成膜し、その後、フォトリソグラフィー技法で圧電素子パターンを形成し、絶縁層74を形成する。また、圧電素子7A~7Eの第2電極73と、第3配線83A,83B,83D,83E又は第1配線81Cと、の電気的な接続を図るために、第2電極73にRIE(Reactive Ion Etching)法により貫通孔67を形成する。
次に、ステップS6において、RIE法又はICP(Inductively Coupled Plasma)法等のドライエッチングにより、圧電素子7A~7Eの周辺や支持部42に相当するシリコン基板上に、所定の深さとなるようにハーフエッチングして第1溝部61、第2溝部62、及び第3溝部63等を形成する。また、シリコン基板の厚みが50μmの場合には、溝の深さは25μmが好適であり、シリコン基板の厚みが20μm~200μmの場合には、溝の深さはシリコン基板の厚みの半分となる10μm~100μmが好適である。
次に、ステップS7において、金(Au)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)等の金属をスパッタ法又は蒸着法でシリコン基板や絶縁層74上に成膜し、その後、フォトリソグラフィー技法で配線パターンを形成し、第1配線81、第2配線82、及び第3配線83等を形成する。なお、溝の側面65に金属を成膜する場合には、溝の側面65への回り込み性の良いプラズマCVD法を用いるのが好ましい。また、スパッタ法の場合には、シリコン基板を斜めに配置し回転させながら成膜することが好ましい。また、配線の厚みとしては、2μmが好適であるが、0.5μm~5μmの範囲にあれば構わない。
次に、ステップS8において、フォトリソグラフィー技法で振動体41、支持部42、及び接続部43が一体となっている圧電アクチュエーター外形パターンを形成し、RIE法又はICP法等のドライエッチングにより、圧電アクチュエーター4の外形を形成する。
次に、第2実施形態に係る圧電駆動装置3aについて、図7及び図8を参照して説明する。
次に、第3実施形態に係る圧電駆動装置3bについて、図9及び図10を参照して説明する。
次に、第4実施形態に係る圧電駆動装置3,3a,3bを備えているロボット1000について、図11を参照して説明する。尚、以下の説明では、圧電駆動装置3を備えた圧電モーター1を適用した構成を例示して説明する。
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に配置されている複数の圧電素子と、
前記複数の圧電素子の間に設けられている第1溝部と、
前記第1溝部の側面の少なくとも一部と底部とに設けられている第1配線と、
を備え、
前記基板を支持している支持部を有し、
前記支持部に第2配線と第2溝部とが設けられており、
前記第2配線は、前記第2溝部の側面の少なくとも一部と底部とに設けられている、
る、
圧電駆動装置。 - 前記第1溝部は、前記基板に設けられている、
請求項1に記載の圧電駆動装置。 - 前記基板は、シリコンである、
請求項1又は請求項2に記載の圧電駆動装置。 - 前記第1配線及び前記第1溝部が複数あり、
複数の前記第1配線どうしを繋ぐ第3配線と複数の前記第1溝部と連結する第3溝部と
が設けられており、
前記第3配線は、前記第3溝部の側面の少なくとも一部と底部とに設けられている、
請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の圧電駆動装置。 - 前記第1配線、前記第2配線、及び前記第3配線は、共通電極用配線である、
請求項1に記載の圧電駆動装置。 - 前記第1配線及び前記第2配線は、駆動電極用配線である、
請求項1に記載の圧電駆動装置。 - 請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の圧電駆動装置を有する圧電モーターを備え
ている、
ロボット。
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