JP6111434B2 - 慣性力センサ - Google Patents

慣性力センサ Download PDF

Info

Publication number
JP6111434B2
JP6111434B2 JP2014503480A JP2014503480A JP6111434B2 JP 6111434 B2 JP6111434 B2 JP 6111434B2 JP 2014503480 A JP2014503480 A JP 2014503480A JP 2014503480 A JP2014503480 A JP 2014503480A JP 6111434 B2 JP6111434 B2 JP 6111434B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inertial force
force sensor
insulating layer
interlayer insulating
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2014503480A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2013132830A1 (ja
Inventor
貴巳 石田
貴巳 石田
賢作 山本
賢作 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Publication of JPWO2013132830A1 publication Critical patent/JPWO2013132830A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6111434B2 publication Critical patent/JP6111434B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5607Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating tuning forks
    • G01C19/5628Manufacturing; Trimming; Mounting; Housings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/09Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by piezoelectric pick-up
    • G01P15/0922Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by piezoelectric pick-up of the bending or flexing mode type
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5719Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
    • G01C19/5733Structural details or topology
    • G01C19/574Structural details or topology the devices having two sensing masses in anti-phase motion
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5719Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
    • G01C19/5769Manufacturing; Mounting; Housings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/097Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by vibratory elements
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/097Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by vibratory elements
    • G01P15/10Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by vibratory elements by vibratory strings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H10N30/302Sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/704Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
    • H10N30/706Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
    • H10N30/708Intermediate layers, e.g. barrier, adhesion or growth control buffer layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/85Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853Ceramic compositions
    • H10N30/8536Alkaline earth metal based oxides, e.g. barium titanates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/85Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853Ceramic compositions
    • H10N30/8542Alkali metal based oxides, e.g. lithium, sodium or potassium niobates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/85Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853Ceramic compositions
    • H10N30/8548Lead-based oxides
    • H10N30/8554Lead-zirconium titanate [PZT] based

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)

Description

本発明は、航空機、自動車、ロボット、船舶、車両等の移動体の姿勢制御やナビゲーション等、各種電子機器に用いる慣性力を検出する慣性力センサに関する。
図23は従来の慣性力センサ101の平面図である。慣性力センサ101は、基部102と、基部102に懸架された縦梁部103と、縦梁部103に支持された横梁部104と、横梁部104に支持されたアーム105、106、107、108と、アーム105、106、107、108のそれぞれに接続された錘109と、アーム105、106、107、108を駆動させる駆動部110と、アーム105、106、107、108の変位を検出する検出部111、112、113と、駆動部110、検出部111、112、113のそれぞれから引き出された配線と、それらの配線を介して駆動部110、検出部111、112、113のそれぞれと電気的に接続される接続用電極114とを備える。
互いに直交するX軸、Y軸、Z軸において、横梁部104はX軸方向に延びる。アーム105、106、107、108のそれぞれの一端は、横梁部104に支持されてY軸方向に延出する。駆動部110はアーム105、106、107、108をXY平面内で駆動させる。検出部111、112、113はアーム105、106、107、108のX軸、Y軸、又はZ軸方向の変位を検出する。
図24は、図23に示す慣性力センサ101のアーム105の拡大図である。駆動部110から引き出された配線115は、アーム105上では検出部111と併設され、横梁部104上では検出部112と併設される。また。検出部111から引き出された配線116は、横梁部104上で検出部112と併設される。なお、アーム106、107、108上の配線も、アーム105と同様の構成である。
図25は、図24に示す慣性力センサ101のアーム105の線25−25における断面図である。慣性力センサ101では、配線115は上部電極層119、圧電層117、下部電極層118からなる積層構造で形成されている。
なお、慣性力センサ101に類似する従来の慣性力センサが、例えば、特許文献1に記載されている。
国際公開第2011/093077号
慣性力センサは、基部と、基部に設けられた接続用電極と、基部に支持された可撓部と、可撓部の上面に設けられた駆動部と、可撓部の上面に設けられた検出部と、駆動部と検出部とのうちの一方の上面に配された層間絶縁層と、層間絶縁層の上面を経由して駆動部と検出部とのうちの他方を接続用電極に電気的に接続する配線とを備える。
この慣性力センサは、感度を向上できるとともに、小型である。
図1は実施の形態1における慣性力センサの平面図である。 図2は実施の形態1における慣性力センサの拡大平面図である。 図3は図2に示す慣性力センサの線3−3における断面図である。 図4は実施の形態1における慣性力センサの温度特性を示す図である。 図5は実施の形態1における慣性力センサの熱疲労特性を示す図である。 図6は実施の形態1における他の慣性力センサの断面図である。 図7Aは図2に示す慣性力センサの線7A−7Aにおける断面図である。 図7Bは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサの断面図である。 図8Aは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサの断面図である。 図8Bは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサの断面図である。 図8Cは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサの断面図である。 図9は図2に示す慣性力センサの線9−9における断面図である。 図10Aは図2に示す慣性力センサの線10A−10Aにおける断面図である。 図10Bは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサの断面図である。 図10Cは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサの断面図である。 図11は実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサの平面図である。 図12Aは実施の形態1における慣性力センサの動作を表す模式図である。 図12Bは実施の形態1における慣性力センサの動作を表す模式図である。 図13Aは実施の形態1における慣性力センサの製造工程を示す図である。 図13Bは比較例1の慣性力センサの製造工程を示す図である。 図14Aは実施の形態1における慣性力センサの製造工程を示す平面図である。 図14Bは実施の形態1における慣性力センサの製造工程を示す平面図である。 図14Cは実施の形態1における慣性力センサの製造工程を示す平面図である。 図14Dは実施の形態1における慣性力センサの製造工程を示す平面図である。 図14Eは実施の形態1における慣性力センサの製造工程を示す平面図である。 図14Fは実施の形態1における慣性力センサの製造工程を示す平面図である。 図15は実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサの平面図である。 図16Aは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサの平面図である。 図16Bは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサの平面図である。 図17は実施の形態2における慣性力センサの平面図である。 図18Aは実施の形態3における慣性力センサの平面図である。 図18Bは図18Aに示す慣性力センサの線18B−18Bにおける断面図である。 図19は図18Aに示す慣性力センサの線19−19における断面図である。 図20は図18Aに示す慣性力センサの線20−20における断面図である。 図21Aは実施の形態3における慣性力センサの製造工程を示す図である。 図21Bは比較例2の慣性力センサの製造工程を示す図である。 図22は実施の形態4における慣性力センサの平面図である。 図23は従来の慣性力センサの平面図である。 図24は従来の慣性力センサのアームの平面図である。 図25は図24に示す慣性力センサのアームの線25−25における断面図である。
(実施の形態1)
図1は実施の形態1における慣性力センサ201の平面図である。慣性力センサ201は角速度を検出する慣性力センサである。図1において、互いに直交するX軸、Y軸、Z軸を定義する。さらに、X軸とY軸とを含むXY平面を定義する。慣性力センサ201は、基部202と、基部202に接続された梁部205と、梁部205に一端が支持されたアーム206、207、208、209と、アーム206、207、208、209それぞれに接続された錘210と、アーム206、207、208、209上の錘210側にそれぞれ設けられた駆動部211と、アーム206の梁部205(基部202)側に設けられた検出部212と、梁部205上に設けられた検出部213と、梁部205上に設けられた検出部214と、駆動部211や検出部212、213、214のそれぞれと電気的に接続される接続用電極215とを備えている。駆動部211はアーム206、207、208、209それぞれをXY平面と平行な方向に駆動し振動させる。検出部212は、慣性力センサ201に印加されたZ軸周りの角速度により発生する慣性力を検出する。検出部213は、慣性力センサ201に印加されたY軸周りの角速度により発生する慣性力を検出する。検出部214は、慣性力センサ201に印加されたX軸周りの角速度により発生する慣性力を検出する。慣性力センサ201は、駆動部211や検出部212、213、214の少なくとも一部を覆う層間絶縁層と、駆動部211や検出部212、213、214それぞれから引き出された配線とをさらに備える。それらの配線は層間絶縁層上に設けられている。接続用電極215はそれらの配線を介して駆動部211や検出部212、213、214のそれぞれと電気的に接続される。梁部205とアーム206〜209は撓むことができる可撓部251を構成する。
図2は慣性力センサ201のアーム206の拡大平面図である。上記の配線は、駆動部211から引き出された配線216と、検出部212から引き出された配線217とを含む。
図3は図2に示す慣性力センサ201の線3−3における断面図であり、アーム206の断面を示す。アーム206の上面には検出部212が設けられている。検出部212の上面には層間絶縁層218が設けられている。駆動用配線216は層間絶縁層218の上面に配される。この構成によれば、駆動用配線216を層間絶縁層218上に形成しているので、アーム206の上面および梁部205の上面に駆動用配線216と検出部とが同一平面上に並列して設けられた慣性力センサに比べて、検出部212、213、214の面積を大きくとることができ、慣性力センサ201の高感度化を実現することができる。また、アーム206上および梁部205上における駆動部211や検出部212、213、214の面積比率を向上することができるので、小型な慣性力センサ201を得ることができる。同時に、比誘電率の小さな層間絶縁層218上に配線を引き回すことで、配線容量を低減することができる。従って、配線に起因して生じる不要信号の発生を抑制でき、結果、慣性力センサ201のS/N比を向上することができる。また、配線容量が低減されることで慣性力センサ201のノイズレベルを下げて良化することができる。この点について詳細に説明する。
駆動部211、検出部212、213、214はそれぞれ可撓部251(梁部205またはアーム206)の上面に設けられた下部電極層228と、下部電極層228の上面に設けられた圧電層220と、圧電層220の上面に設けられた上部電極層227よりなる。上部電極層227の上面は駆動部211、検出部212、213、214の上面を構成する。駆動部211、検出部212、213、214の面積が大きい程、圧電効果および逆圧電効果を有効に利用することができるので、慣性力センサ201としての駆動効率及び/または検出感度を向上することができる。
下部電極層228は、例えば、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成からなる。好ましくは、下部電極層228をTiまたはTiOxを含む白金(Pt)で形成することにより、高い導電度と高温酸化雰囲気での高い安定性が得られる。なお、下部電極層228の上面に、例えば、チタン酸塩(PbTiO)からなる配向制御層など、他の層が形成されていてもよい。実施の形態1では、下部電極層228の厚みは100nm〜500nmである。
圧電層220は、例えば、酸化亜鉛、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、又はニオブ酸カリウム等の圧電材料よりなる。好ましくは、圧電層220をジルコニウム酸チタン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O)で形成することにより、圧電特性の良い慣性力センサ201を実現することができる。なお、圧電層220の上面にチタン(Ti)からなる密着層など、他の層が形成されていてもよい。
上部電極層227は、例えば、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成からなる。好ましくは、上部電極層227を金(Au)で形成することにより、熱、湿気、酸素など、ほとんどの化学的腐食に対して非常に強くすることができる。実施の形態1では、上部電極層227の厚みは100nm〜2000nmである。
図4は慣性力センサ201の温度特性PT1を示す特性図であり、従来の慣性力センサ101の温度特性PT2を併せて示す。図4において、横軸は慣性力センサの周囲の環境温度を示し、縦軸は慣性力(角速度)を印加しないときすなわち静止している慣性力センサの出力であるゼロ点出力の変動量を示す。環境温度を−40℃から80℃まで変化させた際の、慣性力センサの静止状態における出力を測定した。
図4に示すように、従来の慣性力センサ101の温度特性PT2では、環境温度の変化に応じて慣性力センサ101のゼロ点出力が大きく変動している。一方、実施の形態1における慣性力センサ201の温度特性PT1では、ゼロ点出力の変動が大幅に抑制されている。これは、層間絶縁層218を設けることで、駆動用配線216と検出部との間の容量結合を低減できることに起因すると考えられる。すなわち、従来の配線構造では圧電層117の比誘電率が大きいために配線115と検出部との間の容量結合が大きくなり、この駆動部と検出部との間の容量結合が温度変化に起因して変動するためにゼロ点の変動が大きくなるものと考えられる。これに対して、慣性力センサ201では、層間絶縁層218上に配線を引き回しているために、駆動用配線216と検出部との間の容量結合が小さくなり、結果、この間の容量結合が温度変化に伴って変動する変化量も小さくなることで、ゼロ点出力の変動が大幅に抑制されているものと考えられる。
図5は慣性力センサ201の熱疲労特性PH1を示す特性図であり、従来の慣性力センサ101の熱疲労特性PH2を併せて示す。図5において、横軸は慣性力センサに与えられた熱サイクルの回数を示し、縦軸は慣性力(角速度)を印加しないときすなわち静止している慣性力センサの出力であるゼロ点出力の変動量を示す。慣性力センサには、−40℃から150℃まで温度を変化させる熱サイクルが複数回与えられ、与えられた熱サイクルの回数と静止状態における慣性力センサ201の出力との関係を測定した。
図5に示すように、従来の慣性力センサ101では、熱サイクル数の増加に応じてゼロ点出力が変動している。一方、実施の形態1における慣性力センサ201では、熱サイクル後においてもゼロ点出力の変動が大幅に抑制されている。これは、層間絶縁層218を設けることで、容量結合の変化を低減できることに起因すると考えられる。すなわち、従来の配線構造では圧電層117が熱サイクルの影響によりその特性が変動するため、容量結合もそれに伴って変動する。結果、熱サイクル後にゼロ点出力が変動するものと考えられる。これに対して、慣性力センサ201では、層間絶縁層218が熱サイクルの影響によりその特性が変動しても、層間絶縁層の誘電率は圧電材料に比較して大幅に小さいために、容量結合の変化も小さくなる。結果、熱サイクル後におけるゼロ点出力の変動が抑制されるものと考えられる。
更には、慣性力センサ201では配線216、217が層間絶縁層218を介して検出部212の上方に配されているので、駆動部211および検出部212の強度を高めることができ、慣性力センサ201の信頼性を向上することができる。より具体的に説明すると、従来の慣性力センサ101では、アーム206が振動することにより生じる応力が、駆動部211や検出部212にクラックやヒロック等の欠陥を引き起こし、信頼性低下を引き起こす場合がある。しかし、慣性力センサ201では、層間絶縁層218及び配線216、217が、駆動部211や検出部212を保護するので、駆動部211や検出部212の信頼性を向上することができる。その結果、慣性力センサ201の信頼性を向上することができる。この構成は、図2に示す領域P1等の応力が集中する部において特に有効である。
駆動用配線216および検出用配線217は上部電極層227と下部電極層228から引き出され、圧電層220の圧電効果および逆圧電効果を利用できるように形成される。ただし、駆動用配線216および検出用配線217において、下部電極層228は可能な範囲で共通化することが出来る。
層間絶縁層218の上面において配線216、217を引き回す経路は、配線216、217間の容量結合を打ち消すことができるように設けることが望ましい。具体的な一例について説明する。
図6は、実施の形態1における他の慣性力センサ201aの断面図である。図6において、図1から図3に示す慣性力センサ201と同じ部分には同じ参照番号を付す。
図6に示す慣性力センサ201aは、層間絶縁層218内に設けられた金属層231(グランド層)をさらに備える。より詳細には、層間絶縁層218は層間絶縁層218a、218bよりなり、慣性力センサ201aは、検出部212の上面に配された層間絶縁層218aと、層間絶縁層218aの上面に配された金属層231と、金属層231の上面に配された層間絶縁層218bとを備え、駆動用配線216は層間絶縁層218bの上面に配されている。金属層231は配線を介してグランド電位等の基準電位に接続される。
図6に示す慣性力センサ201aでは、図3に示す慣性力センサ201による効果に加えて、配線間の容量結合を打ち消すこともできるので、慣性力センサ201aのS/N比をさらに向上することができる。
図7Aは、図2に示す慣性力センサ201の線7A−7Aにおける断面図である。駆動用配線216及び検出用配線217は層間絶縁層218の上面に配されている。さらに、駆動用配線216及び検出用配線217は互いに交互に配置されており、すなわち、互いに逆位相となる信号が流れる配線が交互に配置されている。この構成によれば、図3で説明した効果に加えて、慣性力センサのS/N比を更に向上することができる。これは、配線間の容量結合を打ち消すことができるためである。
図7Bは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサ201bの断面図である。図7Bにおいて、図1から図3や図7Aに示す慣性力センサ201と同じ部分には同じ参照番号を付す。図7Bに示す慣性力センサ201bでは、層間絶縁層218は、検出部213の上面に配された層間絶縁層218aと、層間絶縁層218aの上面に配された層間絶縁層218bよりなる。駆動用配線216は層間絶縁層218aの上面に配されている。層間絶縁層218bは駆動用配線216の上面に配されている。検出用配線217は層間絶縁層218bの上面に配されている。この構成によれば、図7Aで示す慣性力センサ201で得られる効果に加えて、容量結合を更に低減することができる。これは、図7Aで示す慣性力センサ201に比較して、図7Bに示す慣性力センサ201bでは駆動用配線216と検出用配線217との距離を大きくすることができる為である。
図8Aは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサ201cの断面図である。図8Aにおいて、図1から図3や図7Aに示す慣性力センサ201と同じ部分には同じ参照番号を付す。慣性力センサ201cは、層間絶縁層218内に設けられた金属層231(グランド層)をさらに備える。より詳細には、層間絶縁層218は、検出部213の上面に配された層間絶縁層218aと、金属層231の上面に配された層間絶縁層218bよりなる。金属層231は層間絶縁層218aの上面に配されている。駆動用配線216と検出用配線217は、層間絶縁層218bの上面に配されている。金属層231は配線を介してグランド電位等の基準電位に接続される。
慣性力センサ201cでは、図7Aで示す慣性力センサ201で得られる効果に加えて、容量結合を更に低減することができる。これは、検出用配線217及び駆動用配線216のそれぞれと、検出部213の間の容量結合が金属層231により低減されるためである。
図8Bは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサ201dの断面図である。図8Bにおいて、図1から図3や図7Aに示す慣性力センサ201と同じ部分には同じ参照番号を付す。慣性力センサ201dは、層間絶縁層218内に設けられた金属層231(グランド層)をさらに備える。より詳細には、層間絶縁層218は、検出部213の上面に配された層間絶縁層218aと、金属層231の上面に配された層間絶縁層218bと、層間絶縁層218bの上面に配された層間絶縁層218cよりなる。金属層231は層間絶縁層218aの上面に配されている。駆動用配線216は層間絶縁層218bの上面に配されている。層間絶縁層218cは駆動用配線216の上面に配されている。検出用配線217は層間絶縁層218cの上面に配されている。金属層231は配線を介してグランド等の基準電位に接続される。
慣性力センサ201dでは、図7Bで示す慣性力センサ201aで得られる効果に加えて、検出用配線217及び駆動用配線216のそれぞれと、検出部213の間の容量結合を更に低減することができる。
図8Cは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサ201eの断面図である。図8Cにおいて、図1から図3や図7Aに示す慣性力センサ201と同じ部分には同じ参照番号を付す。慣性力センサ201eは、層間絶縁層218内に設けられた複数の金属層231a、231b(グランド層)をさらに備える。より詳細には、層間絶縁層218は、検出部213の上面に配された層間絶縁層218aと、金属層231aの上面に配された層間絶縁層218bと、層間絶縁層218bの上面に配された層間絶縁層218cと、金属層231bの上面に配された層間絶縁層218dよりなる。金属層231aは層間絶縁層218aの上面に配されている。駆動用配線216は、層間絶縁層218bの上面に配されている。層間絶縁層218cは駆動用配線216の上面に配されている。金属層231bは、層間絶縁層218cの上面に配されている。検出用配線217は、層間絶縁層218dの上面に配されている。金属層231a、231bの少なくとも一方は配線を介してグランド電位等の基準電位に接続される。
なお、図7Bおよび図8Bに示す慣性力センサ201b、201dでは、駆動用配線216の上方に検出用配線217が配されているが、検出用配線217と駆動用配線216とを入れ替えて、検出用配線217の上方に駆動用配線216が配されていてもよい。駆動用配線216の上方に検出用配線217が配されている場合には、容量をさらに低減することができる。これは、検出用配線217が、層間絶縁層218よりも更に小さい誘電率を有する空気あるいは真空に暴露していることにより、更に容量結合を低減することができるためである。
接続用電極215が設けられる基部202と、可撓部251(アーム206、梁部205)の上面であって検出部212や駆動部211を設けない領域においては圧電層220を設けず、層間絶縁層218は基部202や可撓部251(アーム206、梁部205)の上面に設けられることが好ましい。配線216、217は層間絶縁層218の上面に設けられている。この構成によれば、配線216、217や接続用電極215が圧電層220の上方を通らないので、慣性力センサ201の配線および接続用電極215で発生する不要信号成分(ノイズ)を抑制することができ、慣性力センサ201の感度を向上することができる。
図9は図2に示す慣性力センサ201の線9−9における断面図である。層間絶縁層218はアーム206の上面に設けられており、層間絶縁層218の上面に配線216、217が設けられている。この構成によれば、配線216および217が圧電層220の上方を通らないので、慣性力センサ201の駆動時の漏れ振動に起因する不要信号成分(ノイズ)を抑制することができる。従って、慣性力センサ201の感度を向上することができる。
また、検出部212の配線である検出用配線217は、検出部213、検出部214の上に設けられた層間絶縁層218上を引き回される。この構成によれば、縦梁部203、横梁部204上に検出部212と各検出部とを並列して設ける場合に比べて、検出部213、検出部214の面積を大きくとることができ、慣性力センサ201の高感度化を実現することが可能となる。また、アーム206上および梁部205上における駆動部211や検出部212、213、214の面積比率を向上することができるので、小型な慣性力センサ201を得ることができる。
また、検出部213および検出部214から引き出される配線についても、検出部212と同様の配置で引き回すことにより、各検出部の面積を大きく取ることができ、慣性力センサ201の高感度化を実現することが可能となる。また、アーム206上および梁部205上における駆動部211や検出部212、213、214の面積比率を向上することができるので、小型な慣性力センサ201を得ることができる。
以下、各構成要素について説明する。
梁部205は、基部202にY軸と平行に懸架された一対の縦梁部203と、一対の縦梁部203に懸架された横梁部204とからなる。
一対の縦梁部203はY軸と平行に延びており、両端が基部202に接続されることにより基部202に懸架されている。これにより、縦梁部203はZ軸の方向に撓むことができる。また、一対の縦梁部203は、慣性力センサ201の中心を通りY軸に平行な軸に関して互いに対称である。これにより、慣性力センサ201に与えられた角速度に対して、一対の縦梁部203のそれぞれに生じる撓みは実質的に同一になる。
横梁部204はX軸と平行に延びており、両端が一対の縦梁部203のそれぞれの実質的に中点に接続されている。これにより、横梁部204はZ軸方向に撓むことができる。なお、基部202、縦梁部203、横梁部204の表面には、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)からなるバリア層や、チタン(Ti)からなる密着層など、他の層が形成されていても良い。
アーム206、207、208、209は、X軸の方向、Y軸の方向及びZ軸の方向に撓むことができ、アーム206とアーム207とは、Y軸に平行な軸に関して互いに対称である。アーム208とアーム209とは、Y軸に平行な軸に関して互いに対称である。アーム206とアーム209とは、X軸に平行な軸に関して互いに対称である。アーム207とアーム208とは、X軸に平行な軸に関して互いに対称である。この構造により、慣性力センサ201に与えられた角速度に対して、アーム206〜209は、実質的に同一の振幅で撓むようになる。
梁部205、錘210及びアーム206〜209は、例えば、ダイヤモンド、溶融石英、アルミナ、ステンレス、ポリマー、又はGaAs等の非圧電材料を用いて形成されている。特に、梁部205、錘210及びアーム206〜209にシリコンを用いることにより、微細加工技術を用いて非常に小型の慣性力センサ201を形成することが可能となるとともに、回路を構成する集積回路(IC)と一体に形成することも可能となる。
駆動部211は、アームをXY平面と平行に駆動し振動させる。検出部212はZ軸周りの角速度により発生する慣性力を検出する。検出部213はY軸周りの角速度により発生する慣性力を検出する。検出部214はX軸周りの角速度により発生する慣性力を検出する。
接続用電極215は、基部202の外縁部に設けられている。接続用電極215は、駆動用配線216および検出用配線217により、駆動部211および検出部212、213、214と電気的に接続されている。
層間絶縁層218は、上部電極層227や下部電極層228および圧電層220やSi上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法、PVD(Physical Vapor Deposition)法、CSD(Chemical Solution Deposition)法などを用いて、SiN、SiON、SiO、Al等で形成される。好ましくは、ALD法(Atomic Layer Deposition)を用いてAlよりなる層を形成することにより、各電極層との密着性、カバレッジ性に優れた層間絶縁層218を形成することができる。また、ALD法を用いたAlの膜を形成する工程では、強い還元雰囲気とならないので、圧電層220に対するダメージを最小限に抑制することが可能となる。
なお、図3に示すように、圧電層220の側面にも層間絶縁層218が延びていてもよい。この構成によれば、圧電層220の側面が大気に暴露することによる劣化、例えば、酸素の浸入による圧電特性の変化を防ぐことができ、慣性力センサ201の経時変化を防ぐことができる。
図10Aは図2に示す慣性力センサ201の線10A−10Aにおける断面図である。層間絶縁層218にはその上面から下面まで貫通するコンタクトホール229が形成されている。コンタクトホール229の内壁面には、層間絶縁層218の上面に設けられた配線217を層間絶縁層218の下面に設けられた検出部212に接続するビア導体229aが設けられている。同様に、層間絶縁層218の上面に設けられた配線216、217は、層間絶縁層218を貫通するコンタクトホール229の内壁面に設けられたビア導体229aにより検出部213、214や駆動部211に接続されている。層間絶縁層218は、配線を電気的に接続ができる範囲で、できるだけ厚く形成することが望ましい。この構成によれば、上部電極層228と配線216、217との容量結合を低減することができるので、慣性力センサ201の感度を向上することができる。
なお、錘210の上面には層間絶縁層218が延びておらず設けられていなくてもよい。この構成によれば、アーム206〜209の不要振動に起因する不要信号のオフセット及びその温度ドリフトを低減するために、レーザー等により錘210を切削加工してのトリミングを容易に行うことができる。
図10Bは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサ201fの断面図である。図10Bにおいて、図3に示す慣性力センサ201と同じ部分には同じ参照番号を付す。図10Bに示す慣性力センサ201fの層間絶縁層218には、検出部212の上部電極層227を層間絶縁層218から露出させる孔218pが設けられている。層間絶縁層218には、他の検出部213、214や駆動部211の上部電極を層間絶縁層218から露出させる孔218pと同様の孔が設けられていてもよい。駆動部211や検出部212〜214はそれぞれ上部電極層227と下部電極層228との間に形成される静電容量を有する。アーム206〜209に駆動部211が設けられた場合、アーム206〜209に設けられた駆動部211で静電容量が大きく異なると、同じ駆動信号を駆動部211に供給してもアーム206〜209を互いに同期して振動できなくなる場合がある。また、可撓部251の様々な位置に設けられた検出部212〜214の静電容量が互いに大きく異なると検出部212〜214から出力される信号の振幅や位相がばらつく場合がある。したがって、駆動部211や検出部212〜214の上部電極層227を切削してトリミングすることで、それらの静電容量を独立して調整し、そのばらつきを低減することができる。慣性力センサ201fでは、駆動部211や検出部212〜214の上部電極層227の切削の際に層間絶縁層218を切削することを防ぐことができ、切削で飛散する層間絶縁層218の残滓の発生を防ぐことができる。例えば層間絶縁層218の残滓が電極215に付着すると電極215の接触不良を起こす場合がある。慣性力センサ201fの信頼性を低下させる接触不良等の問題の発生を防ぐことができる。
図10Cは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサ201gの断面図である。図10Cにおいて、図3に示す慣性力センサ201と同じ部分には同じ参照番号を付す。慣性力センサ201gでは、層間絶縁層218は、可撓部251や駆動部211、検出部212〜214の上面に設けられたAlよりなる下層218mと、下層218mの上面に設けられたSiN、SiON、SiOのうちの少なくとも1つよりなる上層218nからなる積層構造を有する。この構成によれば、それぞれの材料の特性を併せ持つ層間絶縁層218を形成できるので、耐薬品性および耐湿性などの耐久性にすぐれた層間絶縁層218を得ることができる。
なお、アーム206上における駆動部211と検出部212の配置が逆であっても構わない。つまり、アーム206(可撓部251)に沿って検出部212に比べて駆動部211は横梁部204の近くに設けられ、駆動部211に比べて検出部212は錘210の近くに設けられていてもよい。この場合には、検出部212から引き出される検出用配線217が駆動部211、検出部213、検出部214の上方で層間絶縁層218の上面を通る。この構成によれば、アーム206上に検出用配線217と駆動部211とを並列して設ける場合に比べて駆動部211の面積を大きく取ることができ、慣性力センサ201gの駆動効率を向上させることができるため、小型な慣性力センサ201gを得ることができる。
図11は、実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサ201hの平面図である。図11において、図2に示す慣性力センサ201と同じ部分には同じ参照番号を付す。慣性力センサ201hでは、駆動部211はアーム206の延びる方向D1と直角の幅方向D2において2つに分割されている。図11に示すとおり、駆動部211は互いに離れたて幅方向D2に配列されている駆動部219、221よりなる。駆動部219、221は駆動用配線216を介して圧電層220に電圧を印加する。この構成によれば、上下に配置された駆動部219、221に対して互いに逆相の駆動信号を印加することにより、より効率的にアームをXY平面に駆動させることが可能となり、慣性力センサ201hの高感度化を実現することが可能となる。
検出部212〜214についても、XY平面に平行な方向の可撓部251の変位を検出する場合は、それぞれの検出部を可撓部251(アーム206、梁部205)が延びる方向と直角の幅方向に配列された2つの検出部に分割することにより、より効率的に可撓部251のXY平面と平行な方向の変位(歪)を検出することが可能となり、慣性力センサ201hの高感度化を実現することが可能となる。
なお、アーム206のXY平面と平行な方向の変位を検出し、その変位に応じたモニタ信号を出力するモニタ部をアーム206上に設けてもよい。この場合には、アーム206上の駆動部及び/又は検出部から引き出された配線がモニタ部の上面に設けた層間絶縁層218上を通っていてもよい。モニタ部は、検出部212と同様に、アーム206の上面に設けられた下部電極層と、下部電極層の上面に設けられた圧電層と、圧電層の上面に設けられた上部電極層とを有する。この構成によれば、アーム206上で配線と駆動部(又は検出部)とを併設する場合に比べて、より大きな面積でモニタ部を形成することができるので、慣性力センサの感度を向上することができる。また、小型な慣性力センサを得ることができる。
なお、モニタ部の上部電極層と下部電極層から引き出された配線が、駆動部及び/又は検出部上の層間絶縁層218上を通る構成にしても良い。この構成により、配線と駆動部(又は検出部)とを併設する場合に比べ、より大きな面積で駆動部(又は検出部)を形成できる。その結果、慣性力センサの感度を向上することができる。また、小型なセンサを得ることができる。
なお、角速度を検出するための駆動・検出信号の特性に問題が無い範囲で、配線を同一化してもよい。具体的な一例としては、エッチングを施す位置や形状、駆動部および検出部からの配線の引き出し方法によって、駆動部219、221の各々の下部電極層から引き出す配線を共通化して同一の配線としたり、検出部212、213、214の各々の下部電極層から引き出す配線を共通化して同一の配線としたりしてもよい。この構成によれば、基部202に形成される接続用電極215の数を必要最小限に留めることが可能となり、慣性力センサ201の小型化を実現することが可能となる。
なお、梁部205、錘210及びアーム206〜209を、水晶、LiTaO又はLiNbO3等の圧電材料を用いて形成しても良い。この場合、例えば、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成からなる電極層を、これらの圧電材料からなる基部202、縦梁部203、横梁部204、錘210及びアーム206〜209上に設けることにより駆動部211、検出部212、213、214を構成することができる。この構成によれば、可撓部251(アーム206、梁部205)上において、駆動用配線と各検出部とを同一平面上に並列して設ける場合に比べて、検出部212、213、214の面積を大きくとることができ、慣性力センサ201の高感度化を実現することができる。また、可撓部251(アーム206、梁部205)上における駆動部211や検出部212、213、214の面積比率を向上することができるので、小型な慣性力センサ201を得ることができる。更には、配線が層間絶縁層218を介して検出部212の上方に配されているので、駆動部211および検出部212の強度を高めることができ、慣性力センサ201の信頼性を向上することができる。より具体的に説明すると、図23から図25に示す従来の慣性力センサ101では、アーム206が振動することにより生じる応力が、駆動部211や検出部212にクラックやヒロック等の欠陥を引き起こす場合があり、信頼性低下を引き起こす。しかし、実施の形態1における慣性力センサ201では、層間絶縁層218及び配線216、217が駆動部211や検出部212を保護する機能を持つので、駆動部211や検出部212の信頼性を向上することができ、その結果、慣性力センサ201の信頼性を向上することができる。この構成は、図2に示す領域P1等の応力が集中する部分において特に有効である。
なお、ここまでの説明では、アーム206について説明したが、他のアーム207〜209でも同様の構成としてもよい。
以下、実施の形態1における慣性力センサ201の角速度の検出原理について説明する。
図12AはZ軸の周りの角速度222を検出する動作を示す慣性力センサ201の模式平面図である。駆動回路から駆動部211に対して駆動信号が与えられることにより、錘210にはXY平面内で駆動振動223が発生する。慣性力センサ201にZ軸の周りの角速度222が与えられると、慣性力(コリオリ力)がY軸の方向に発生し、錘210に検出振動224が発生する。検出振動224により検出部212から出力される検出信号は、駆動振動223と同じ周波数で、かつ、角速度222に依存した振幅を有する。従って、この検出信号の大きさを測定することにより、角速度222の大きさを検出することができる。
図12Bは、Y軸の周りの角速度225を検出する動作を示す慣性力センサ201の模式平面図である。Y軸の周りの角速度225が入力されると、慣性の力により錘210にZ軸の方向の検出振動226が発生する。検出振動226により検出部213から出力される検出信号は、駆動振動223と同じ周波数で、かつ、角速度225に依存した振幅を有する。従って、この検出信号の大きさを測定することにより、角速度225の大きさを検出することができる。なお、X軸周りの角速度も、Y軸周りの検出原理と同様にして検出できる。
実施の形態1における慣性力センサ201は、角速度とともに、加速度を検出することができる。この場合、アーム206、207、208、209に加速度を検出する加速度検出部が設けられている。加速度検出部は、例えば、アーム206、207、208、209上に設けられて、歪によって抵抗値が変化する歪抵抗素子よりなる。歪抵抗素子は、加速度に起因したアーム206、207、208、209の歪を検出することにより加速度を検出する。具体的には、例えば、X軸方向に加速度が生じると、錘がX軸方向に変位するので、アーム206、207、208、209が歪み、歪抵抗素子がその歪みを検出することで加速度を検出できる。
図23から図25に示す従来の慣性力センサ101では、アーム105、106、107、108の上面に、駆動部110から引き出された配線115と検出部111とが同一平面上に併設されている。したがって、検出部111を設ける面積が制約されることにより慣性力センサ101の感度が低下する場合がある。あるいは、慣性力センサ101が大型化する。
更には、慣性力センサ101の配線の構造では電極の容量が大きいので、慣性力センサ101のノイズレベルが大きくなるとともに、慣性力センサ101に接続される回路部の消費電力を増大する。
また、従来の慣性力センサ101では、配線115は上部電極層119、圧電層117、下部電極層118からなる積層構造で形成されているので、配線長が大きくなるほど容量が大きくなる。ここで、配線が容量を持つということはすなわち、慣性力センサ101に加わる慣性力に起因して配線で不要な電荷(不要信号)が発生するということであり、結果、慣性力センサ101のS/N比が悪化してしまう。また、容量は検出回路においてはノイズを生じる原因であり、従って、配線の持つ容量により慣性力センサ101のノイズが悪化してしまう。
以下、実施の形態1における慣性力センサ201の製造工程について説明する。図13Aは実施の形態1による慣性力センサ201の製造工程を示す。図13Bは、図23から図25に示す比較例1である従来の慣性力センサ101の製造工程を示す。図14Aから図14Dは慣性力センサ201の製造工程を示す平面図である。
実施の形態1における慣性力センサ201の製造工程について説明する。基部202や可撓部251となる基材1201を準備する。基材1201の上面に下部電極層228を形成する(ステップS201)。次に、下部電極層228の上面に圧電層220を形成する(ステップS202)。次に、圧電層220の上面に上部電極層227を形成する(ステップS203)。次に接続用電極215を加工する(ステップS204)。次に、配線216、217を形成する(ステップS205)。次に、圧電層220の圧電材料を分極する(ステップS206)。次に、基材1201をパターニングする(ステップS207)。次に、パターニングされた基材1201を加工して、基部202と可撓部251(アーム206〜207、梁部205)を形成する(ステップS208)。次に、基材1201の下面を研磨する(バックグラインド、ステップS209)。次に、基材1201をダイシングして、慣性力センサ201を得る(ステップS210)。次に、得られた慣性力センサ201の特性を検査する(ステップS211)。
比較例1の従来の慣性力センサ101の製造工程について説明する。図13Bにおいて、図13Aに示す実施の形態1における慣性力センサ201の製造工程と同じ部分には同じ参照番号を付す。図13Bに示す比較例1の慣性力センサ101の製造工程は、図13Aに示す配線を形成する工程を含まない。
図13Aに示すように、配線216、217を形成する工程(ステップS205)は電極を加工する工程(ステップS204)と圧電層220を分極する工程(ステップS206)との間に行われる。配線を形成する工程(ステップS205)では、まず、下部電極層228が引き出される(ステップS2051)。次に、層間絶縁層218を形成する(ステップS2052)。次に、コンタクトホール229を形成する(ステップS2053)。次に、配線層を形成する(ステップS2054)。次に、配線216、217を加工する(ステップS2055)。
以下に配線216、217を形成する工程(ステップS205)を詳述する。ステップS2051において、図14Aに示すように、上部電極層227および圧電層228にエッチングを施して、下部電極層228の一部を露出させる。
ステップS2052において、図14Bに示すように、上部電極層227および下部電極層228上にCVDやPVD、蒸着などにより層間絶縁層218を形成する。
ステップS2053において、図14Cに示すように、層間絶縁層218にエッチングを施して、上部電極層227の一部および下部電極層228の一部を露出させるコンタクトホール229を形成する。
ステップS2054において、図14Dに示すように、図14Cに示すコンタクトホール229を有する層間絶縁層218の上面の全面に、PVD等で導体層230を形成する。この際には、コンタクトホール229の内壁面にも導体層230が形成される。
ステップS2505において、図14Eに示すように、導体層230にエッチングを施して、コンタクトホール229から延びる所定形状を有する配線216、217を形成する。コンタクトホール229の内壁面にはエッチングされた導体層230よりなるビア導体229aが形成されている。
次に、圧電層220を分極し(ステップS206)、図14Fに示すように、基材1201を所定の形状にパターニングし(ステップS207)、加工する(ステップS208)でアーム206が形成される。
なお、コンタクトホール229の形成後に、例えば、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成からなる金属層を、CVD法やPVD法などを用いてコンタクトホール229の内壁面に形成し、その上にさらに層間絶縁層218を、CVD法やPVD法、蒸着法などにより形成することで、多層構造を有する層間絶縁層218を形成することができる。
図15は実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサ201jの平面図である。図15において、図1から図3に示す慣性力センサ201と同じ部分には同じ参照番号を付す。以下、実施の形態1に係る慣性力センサ201の別の形態について説明する。図1から図3に示す慣性力センサ201では可撓部251は梁部205と4つのアーム206〜209とを有する。図15に示す慣性力センサ201jは、2本のアーム206、207と、アーム206、207を連結する基部202とを有する。なお、図15においては、各駆動部の下部電極層及び各検出部の下部電極層から引き出される配線は省略している。アーム206、207上に配された駆動部211から引き出された駆動用配線216が、検出部212の上に配される層間絶縁層218上を通る構成とすることで、梁部205に接続された4つのアーム206〜209を備えた慣性力センサ201と同様の効果を得ることができる。
なお、図15に示す慣性力センサ201jでは、アーム206、207上に配された駆動部211から引き出された駆動用配線216が検出部212の上方を通る構成としたが、アーム206、207に沿って駆動部211と検出部212を逆に配置しても良い。この場合、アーム206、207上に配した検出部から引き出された配線が駆動部211の上方を通る構成としてもよい。この構成によれば、駆動部211の面積を大きくとることができ、慣性力センサ201jの感度を向上させることができる。
図16Aは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサ201kの平面図である。図16Aにおいて、図1から図3に示す慣性力センサ201と同じ部分には同じ参照番号を付す。図16Aに示す慣性力センサ201kは、基部202から延びるアーム280をさらに備え、合計で3本のアームを有する。
図16Bは実施の形態1におけるさらに他の慣性力センサ201mの平面図である。図16Bにおいて、図1から図3に示す慣性力センサ201と同じ部分には同じ参照番号を付す。図16Bに示す慣性力センサ201mでは、基部202を中心対称にもう一対の2本のアーム281が配置され、合計で4本のアームを有する。これにより、慣性力センサ201mの駆動時の漏れ振動を抑制することが可能となり、慣性力センサ201mのS/N比を向上させることが可能となる。
(実施の形態2)
図17は、実施の形態2における慣性力センサ301の上面図である。慣性力センサ301は加速度を検出する慣性力センサである。図17において、互いに直交するX軸、Y軸、Z軸を定義する。さらに、X軸とY軸とを含むXY平面を定義する。慣性力センサ301は、基部302と、錘304と、中央支持梁部309、および梁部303と、を備えている。中央支持梁部309は基部302と錘304とを連結する。中央支持梁部309と梁部303は撓んで変形できる可撓部351を構成する。梁部303の上面には、駆動部305と検出部306と層間絶縁層218と接続用電極308とが設けられている。層間絶縁層218は駆動部305と検出部306の上面に設けられている。層間絶縁層218の上面には、駆動部305及び検出部306を接続用電極308と電気的に接続する配線307が設けられている。
駆動部305、検出部306はそれぞれ、可撓部251の上面に設けられた下部電極層と、下部電極層の上面に設けられた圧電層と、圧電層の上面に設けられた上部電極層とを有する。
配線307は、検出部306の上部電極層及び下部電極層から引き出され、駆動部305の上面に設けられた層間絶縁層218の上面を引き回される。この構成により、梁部303上に配線307と駆動部305とを並列して設ける場合に比べて駆動部305の面積を大きく取ることができ、慣性力センサ301の感度を向上させることができ、小型な慣性力センサ301を得ることができる。
実施の形態2における慣性力センサ301の動作について説明する。
慣性力センサ301では、駆動部305に駆動信号が与えられることにより、梁部303がZ軸方向またはX軸方向に振動する。この状態で、X軸方向に加速度が印加されると錘304に慣性力が発生し、中央支持梁部309について互いに反対側に配置された梁部303に引張り応力と圧縮応力が印加され、それに伴い梁部303の共振周波数が変化する。共振周波数の変化を梁部303に配置されている検出部306で検知することにより加速度を検知することが可能となる。
なお、梁部303に沿って検出部306に比べて駆動部305は基部302の近くに設けられ、梁部303に沿って駆動部305に比べて検出部306は錘304の近くに設けられている。検出部306から引き出される配線307が駆動部305上に設けた層間絶縁層218の上を通る。
梁部303に沿って駆動部305と検出部306が上記と逆に配置されていてもよい。つまり、梁部303に沿って駆動部305に比べて検出部306は基部302の近くに設けられ、梁部303に沿って検出部306に比べて駆動部305は錘304の近くに設けられてもよい。この場合には、駆動部305から引き出される配線307が検出部306上に設けた層間絶縁層218の上を通る。
この構成によれば、梁部303上に配線307と検出部306とを並列して設ける場合に比べて検出部306の面積を大きく取ることができ、慣性力センサ301の感度を向上させることができる。また、小型な慣性力センサ301を得ることができる。
実施の形態1、2における慣性力センサ201、301では、層間絶縁層218の駆動部211と検出部212〜214の上面に設けられている部分は互いに繋がっている。層間絶縁層218の駆動部211と検出部212〜214の上面の部分の少なくとも1つの部分は他の部分と繋がっておらずに互いに離れていてもよく、同様の効果を有する。
実施の形態1、2における慣性力センサ201、301は角速度や加速度を検出する角速度センサもしくは加速度センサであるが、圧力センサなど他の慣性力センサであってもよい。層間絶縁層218により電極容量を低減することができるので、慣性力センサの感度を向上できるとともに、慣性力センサの小型化を実現できる。
(実施の形態3)
図18Aは実施の形態3における慣性力センサ401の平面図である。図18Bは図18Aに示す慣性力センサ401の線18B−18Bにおける断面図である。図19は図18Aに示す慣性力センサ401の線19−19における断面図である。図20は図18Aに示す慣性力センサ401の線20−20における断面図である。実施の形態3における慣性力センサ401は角速度を検出する角速度センサである。
図18Aに示すように、慣性力センサ401は、基部402と、基部402に接続された可撓部409と、可撓部409を励振する駆動部411と、可撓部409に設けられた検出部412、413と、基部402に設けられた接続用電極415a、415bとを備える。検出部412、413は可撓部409の変位を検出する。接続用電極415a、415bは検出部412、413とそれぞれ電気的に接続されている。接続用電極415aは、圧電層と、圧電層の上面に配された電極層とを有する。接続用電極415bは、圧電層と、圧電層の少なくとも一部を覆う絶縁層と、絶縁層の上面に配された電極層とを有する。
実施の形態3では、接続用電極415bは圧電層の少なくとも一部を覆う絶縁層を有し、接続用電極415aは圧電層と電極層とからなるが、これに限定されない。すなわち、接続用電極415a、415bのいずれかが、圧電層と、圧電層の少なくとも一部を覆う絶縁層と、絶縁層上に配される電極層とを有していてもよい。この構成により、検出部412、413の容量を略同一とすることができるので、各検出軸間のノイズレベルの差を低減することができる。同時に、接続用電極で生じる容量が絶縁層により低減されるので、ノイズレベルを低減することができる。
基部402は、例えば、ダイヤモンド、溶融石英、アルミナ、ステンレス、ポリマー、又はGaAs等の非圧電材料よりなる。特に、基部402にシリコンを用いることにより、微細加工技術を用いて非常に小型の慣性力センサ401を形成することが可能となるとともに、回路を構成する集積回路(IC)と一体に形成することも可能となる。
可撓部409は基部402に接続されており、駆動部411及び検出部412、413が設けられている。駆動回路から駆動部411に駆動信号が与えられることにより、可撓部409の少なくとも一部が振動する。この状態で、慣性力センサ401に角速度が印加されると、角速度に起因するコリオリ力により、可撓部409に撓み(変位)が生じ、その撓みに応じた電荷が検出部412、413に発生する。検出部412、413で発生した電荷による電流を配線及び接続用電極415a、415bを介して検出回路に入力することにより、角速度を検出することができる。より詳細には、可撓部409は、基部402に懸架された縦梁部403と、縦梁部403に接続された横梁部404と、横梁部404に接続されたアーム405〜408とを有する。駆動部411はアーム405に設けられている。縦梁部403、404は梁部451を構成する。検出部412はアーム405に設けられ、検出部413は横梁部404に設けられている。駆動回路から駆動部411に駆動信号が与えられることにより、アーム405がX軸とY軸とを含むXY平面内で振動する。この状態で、Y軸周りの角速度が印加されると、その角速度に起因するコリオリ力により横梁部404がZ軸方向に撓み、検出部413から電荷が発生する。第2の検出部413で発生した電荷による電流を配線及び接続用電極415aを介して検出回路に入力することにより、Y軸周りの角速度を検出することができる。同様に、Z軸周りの角速度に起因して生じるアーム405の撓みを、検出部412で発生する電荷による電流として取り出すことでその角速度を検出できる。
実施の形態3における慣性力センサ401は2つの検出部412、413を備えるが、これに限定されない。すなわち、慣性力センサ401は検出部414をさらに備えてもよい。検出部414は縦梁部403に設けられている。X軸周りの角速度に起因する縦梁部403の撓みを、検出部414で発生する電荷による電流として取り出すことでその角速度を検出できる。
実施の形態3における慣性力センサ401の可撓部409は4つのアーム405〜408を有するが、これに限定されない。すなわち、可撓部409はアーム405、406を有してアーム407、408を有していなくてもよい。
可撓部409には錘410が接続される。より詳細には、錘410は、可撓部409のアーム405、406、407、408それぞれの一端にそれぞれ接続される。
駆動部411と検出部412、413はそれぞれ、下部電極層と、圧電層と、上部電極層とを有する。
図19は検出部412の断面を示す。検出部412は、可撓部409の上面に設けられた下部電極層420と、下部電極層420の上面に設けられた圧電層421と、圧電層421の上面に設けられた上部電極層422よりなる積層構造を有する。駆動部411や検出部413、検出部414も検出部412と同様の構造を有する。下部電極層420及び上部電極層422は、例えば、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成からなる。好ましくは、TiまたはTiOxを含む白金(Pt)で形成することにより、伝導度が高く高温酸化雰囲気での安定性が優れた電極層を得るとすることができる。なお、下部電極層420の上面に、例えば、チタン酸塩(PbTiO)からなる配向制御層など、他の層が形成されていてもよい。また、実施の形態3では下部電極層420の厚みは100nm〜500nmである。
圧電層421は、例えば、酸化亜鉛、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、又はニオブ酸カリウム等の圧電材料よりなる。好ましくは、圧電層421をジルコニウム酸チタン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O)で形成することにより、圧電特性の良い慣性力センサ401を実現することができる。なお、圧電層421の上面にチタン(Ti)からなる密着層など、他の層が形成されていてもよい。実施の形態3では、圧電層421の厚みは1000nm〜4000nmである。
なお、基部402、可撓部409、錘410は、水晶、LiTaO又はLiNbO等の圧電材料を用いて形成しても良い。この場合、例えば、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成からなる電極層を、これらの圧電材料からなる基部402、可撓部409、錘410上に設けることにより駆動部411と検出部412、413を構成することができる。可撓部251には可撓部251の振動を検出するモニタ部が設けられていてもよい。駆動部411及びモニタ部と駆動回路とで駆動ループが構成され、この駆動回路から接続用電極及び配線を介して駆動部411に駆動信号が与えられることにより、アーム405がXY平面内で振動する。この状態で角速度が印加されると、検出部412、413の少なくとも一方で電荷が発生する。その電荷による電流を配線及び接続用電極415a、415bを介して検出回路に入力することにより、その角速度を検出することができる。
図20、図18Bを参照して、接続用電極415a、415bについて説明する。
図20は接続用電極415aの断面を示す。接続用電極415aは基部402の上面に設けられており、基部402の上面に設けられた下部電極層420と、下部電極層420の上面に設けられた圧電層421と、圧電層421の上面に配された上部電極層422とを有する。接続用電極415aは配線により検出部412と電気的に接続されているが、検出部412ではなく他の検出部と電気的に接続されていてもよい。
図18Bは接続用電極415bの断面を示す。接続用電極415bは基部402の上面に設けられており、基部402の上面に設けられた下部電極層420と、下部電極層420の上面に設けられた圧電層421と、圧電層421の上面の少なくとも一部に配された絶縁層423と、圧電層421の上面及び絶縁層423の上面に配された上部電極層422とを有する。接続用電極415bは配線により検出部413と電気的に接続されているが、検出部413ではなく他の検出部と電気的に接続されていてもよい。接続用電極415bは2つの領域R1、R2に区分されている。領域R1では、圧電層421の上面に絶縁層423が設けられておらず、圧電層421の上面に上部電極層422が設けられている。領域R2では、圧電層421の上面に絶縁層423が設けられており、絶縁層423の上面に上部電極層422が設けられている。
絶縁層423の面積や厚みを調整することにより、検出部412、検出部413の容量を略同一とすることができるので、各検出軸間のノイズレベルの差を低減することができる。同時に、接続用電極415bで生じる容量が絶縁層423により低減されるので、ノイズレベルを低減することができる。この点について詳細に説明する。
接続用電極415aの容量Cは、圧電層421の比誘電率εr1、圧電層の膜厚d(μm)、上部電極層422の面積S(μm)、誘電率ε(F/m)により以下の式1で表される。
=εr1×ε×S/d …(式1)
接続用電極415bの容量Cは、絶縁層423がない領域R1の容量C2Aと絶縁層423がある領域R2の容量C2Bとを合成して得られた合成容量となる。
接続用電極415aの容量Cは、圧電層421の比誘電率εr1、圧電層の膜厚d(μm)、上部電極層422の面積S(μm2)、真空の誘電率ε(F/m)により以下の式1で表される。
=εr1×ε×S/d …(式1)
接続用電極415bの容量Cは、絶縁層423がない領域R1の容量C2Aと絶縁層423がある領域R2の容量C2Bとを合成して得られた合成容量となる。
図23に示す従来の慣性力センサ101において、検出部111、112、113は電極材料と圧電材料とを有しており、慣性力に起因してアーム105〜108、縦梁部103、横梁部104に生じる歪みを、圧電効果を利用して電荷として取り出し、その電荷による電流に所定の回路処理を施すことで慣性力を検出する。
従来の慣性力センサ101では、アーム105〜108、縦梁部103、横梁部104は銘々に形状が異なるので、外部から加わる慣性力に対してこれらに生じる歪みの大きさが均一ではない。上述のように、慣性力センサ101は慣性力に起因するアーム105〜108、縦梁部103、横梁部104の歪みを、それらの上に設けた検出部111、112、113の圧電効果を利用して電荷として取り出すので、アーム105〜108、縦梁部103、横梁部104の歪み方が異なると、同じ大きさの慣性力に対して各検出部に生じる電荷の量(以下、信号レベル)も異なることになる。より具体的には、歪みを生じ難い部材の上に配された検出部では、信号レベルが低下してしまう。そこで、従来の慣性力センサ101では、各検出部の信号レベルを一定以上にするため、歪みを生じがたい部材の上に配する検出部の面積を大きくし、圧電効果により得られる電荷量が多くなるように構成する。
このように部材の歪み方に応じて検出部それぞれの面積を変えると、各検出部間の容量も異なることになる。結果、検出部間(すなわち検出軸間)でノイズレベルが異なってしまう。
図21Aは実施の形態3による慣性力センサ401の製造工程を示す。基部402や可撓部409となる基材を準備する。基材の上面に下部電極層420を形成する(ステップS401)。次に、下部電極層420の上面に圧電層421を形成する(ステップS402)。次に、圧電層421の上面の少なくなくとも一部に絶縁層423を形成する(ステップS4021、S4022、S4023)。次に、上部電極層422を形成する(ステップS403)。次に接続用電極415a、415bを加工する(ステップS404)。次に、圧電層421の圧電材料を分極する(ステップS405)。次に、基材をパターニングする(ステップS406)。次に、パターニングされた基材を加工して、基部402と可撓部251を形成する(ステップS407)。次に、基材の下面を研磨する(バックグラインド、ステップS408)。次に、基材をダイシングして、慣性力センサ401を得る(ステップS409)。次に、得られた慣性力センサ401の特性を検査する(ステップS410)。
絶縁層423を形成する工程では、まず絶縁層423の材料であるポリイミドと圧電層421の上面の少なくとも一部に塗布する(ステップS4021)。次に塗布されたポリイミドをパターニングする(ステップS4022)。次にパターニングされたポリイミドをキュアさせる(ステップS4023)。
図21Bは、比較例2の慣性力センサの製造工程を示す。図21Bにおいて、図21Aに示す実施の形態3における慣性力センサ401の製造工程と同じ部分には同じ参照番号を付す。図21Bに示す比較例2の慣性力センサの製造工程では、図21Aに示す実施の形態3における慣性力センサ401の製造工程での絶縁層423を形成する工程が行われない。
実施の形態3において、絶縁層423はジアゾナフトキノン(DNQ)を感光剤とした感光性ポリイミドであるアルカリ現像型感光性ポリイミドを用いて形成する。感光剤であるジアゾナフトキノンは、ポジ型レジストの感光剤に広く用いられ、アルカリ現像をすることができる。アルカリ現像型感光性ポリイミドの露光・現像工程では、露光による光化学反応(光重合反応)により、感光体であるジアゾナフトキノンがインデンケテンを介してインデンカルボン酸に変化する。このインデンカルボン酸がアルカリ溶液に対して高い溶解性を持っているため、光が照射した部分が溶解し、未露光部のポリマー部分が残存する。またジアゾナフトキノンは、ポリマー部の溶解阻害剤としても作用する。またパターニングが実施されたアルカリ現像型感光性ポリイミドにキュア処理と呼ばれる熱処理を実施することにより、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸(ポリアミック酸)のイミド化反応(脱水閉環)が進み、ポリイミドが得られる。ここで、ポリアミド酸は有機溶媒に対して溶解し、ポリイミドになると有機溶媒に対して溶解しなくなるため、パターン形成前は、ポリアミド酸に感光剤を含む有機溶媒を結合させた溶液状態で塗布し、その溶液を乾燥(プリベーク)し、露光・現像工程により所望のパターンを形成した後に、キュア処理と呼ばれる熱処理を行うことにより、所望の位置に絶縁層423(ポリイミド)のパターンを形成することができる。
実施の形態3では絶縁層423を有機材料で形成するが、これに限定されない。すなわち、SiNやSiO2等の無機材料をパターニングして絶縁層423を形成することができる。
なお、実施の形態3における接続用電極415aは、下部電極層420と、圧電層421と、上部電極層422とからなる積層構造を有するが、この構成に限定されない。また、接続用電極415bを設ける領域においては、圧電層421を排し、基部402上もしくは下部電極層420上に設けた絶縁層423上に上部電極層422となる金属層を設ける構成でも良い。
なお、実施の形態3においては、接続用電極415a、415bのいずれかが、圧電層421と、圧電層421の上面の少なくとも一部を覆う絶縁層423とを有するが、この構成に限定されない。接続用電極415a、415bとのいずれもが、圧電層421と、圧電層421の上面の少なくとも一部を覆う絶縁層423とを有する構成としても良い。さらには、接続用電極415a、415bのいずれかで、絶縁層423が圧電層421の上面の全てを覆う構成としてもよい。いずれの構成であっても、検出部412〜413の感度を等しくしたまま、接続用電極415aの容量Cと接続用電極415bの容量Cとの差ΔCを任意に調整することが可能であるので、検出部412〜414の容量の差を相殺することができる。
(実施の形態4)
図22は実施の形態4における慣性力センサ501の上面図である。慣性力センサ501は加速度を検出する加速度センサである。図22において、互いに直交するX軸、Y軸、Z軸を定義する。
慣性力センサ501は、基部502と、錘504と、基部502と錘504とを連結する中央支持梁部509と、梁部503a、503bとを備える。慣性力センサ501は、駆動部505と、検出部506a、506bと、接続用電極508a、508bと、配線507a、507bとを備える。駆動部505は梁部503a、503bに設けられている。検出部506a、506bは梁部503a、503bにそれぞれ設けられている。接続用電極508a、508bは基部502に設けられている。配線507aは、検出部506aと接続用電極508aとを電気的に接続する。配線507bは検出部506bと接続用電極508bとを電気的に接続する。ここで、接続用電極508aは、図20に示す実施の形態3における接続用電極415aと同様の構成である。また、接続用電極508bは図18Bに示す実施の形態3における接続用電極415bと同様の構成である。すなわち、接続用電極508bの容量は接続用電極508aの容量よりも小さい。
この構成により、検出部506a、506bの容量を相殺して接続用電極508a、508bでの容量を同じにすることができるので、ノイズレベルの差を低減することができる。同時に、接続用電極508bで生じる容量が絶縁層423により低減されるので、ノイズレベルを低減することができる。この点について詳細に説明する。
慣性力センサ501では、梁部503a、503bの共振周波数が所定の離調周波数だけ異なるようにするために、梁部503a、503bがY軸について互いに非対称に形成される。このために、梁部503a、梁部503bとの撓み方が異なる。その結果、検出部506a、506bとはY軸について互いに非対称に形成されることになり、検出部506a、506bの容量が互いに異なる。慣性力センサ501では、接続用電極508bの容量を、絶縁層423を設けることで調整(低減)することができ、検出部506a、506bの容量の差を相殺して、接続用電極508a、508bでの容量を同じにすることができるので、ノイズレベルの差を低減することができる。結果、検出部間のノイズレベルの差を低減することができる。
以下、慣性力センサ501の各構成について説明する。
中央支持梁部509と梁部503a、503bとは、互いに平行に基部502から延出し、中央支持梁部509は梁部503a、503b間に設けられる。
錘504は、中央支持梁部509と梁部503a、503bとのそれぞれの一端に接続されている。これにより、錘504に加わった加速度(慣性力)で梁部503a、503bが撓むことができる。
基部502、中央支持梁部509と梁部503a、503b、錘504は、例えば、ダイヤモンド、溶融石英、アルミナ、ステンレス、ポリマー、又はGaAs等の非圧電材料を用いて形成されている。特に、上記構成部品にシリコンを用いることにより、微細加工技術を用いて非常に小型の慣性力センサ501を形成することが可能となるとともに、回路を構成する集積回路(IC)と一体に形成することも可能となる。なお、基部502、中央支持梁部509と梁部503a、梁部503b、錘504の表面には、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)からなるバリア層や、チタン(Ti)からなる密着層など、他の層が形成されていても良い。
駆動部505と検出部506a、506bはそれぞれ、上部電極層と、下部電極層と、上部電極層と下部電極層との間に介在する圧電層とを有する。
以下、慣性力センサ501の動作について説明する。
慣性力センサ501では、駆動部505に駆動信号が与えられることにより、梁部503a、503bがZ軸方向またはX軸方向に振動する。この状態で、X軸方向に加速度が印加されると錘504に慣性力が発生し、中央支持梁部509について互いに反対側に配置された梁部503aと梁部503bの一方に引張り応力が印加され、他方に圧縮応力が印加される。それに伴い梁部503a、503bの駆動共振周波数が変化し、その変化を梁部503a、503bに配置されている検出部506a、506bで検知することにより加速度を検知する。
なお、実施の形態3、4における慣性力センサ401、501は、角速度センサおよび加速度センサであるが、圧力センサなど他の慣性力センサにおいても本発明を適用することにより、電極容量を低減することができるので、慣性力センサの感度を向上できるとともに、慣性力センサの小型化を実現できる。
また、実施の形態1、2における慣性力センサ201、301の接続用電極215は、実施の形態3、4における慣性力センサ401、501の接続用電極415a、415bの構造と同様の構造を有していてもよく、同様の効果が得られる。
実施の形態1〜4において、「上面」「上方」等の方向を示す用語は、アームや駆動部、検出部、層間絶縁層等の慣性力センサの構成部品の相対的な位置関係にのみ依存する相対的な方向を示し、鉛直方向等の絶対的な方向を示すものではない。
本発明における慣性力センサは、高感度を有して小型であるので、航空機、自動車、ロボット、船舶、車両等の移動体の姿勢制御やナビゲーション等、各種電子機器等に用いる慣性力センサとして有用である。
201 慣性力センサ
202 基部
205 梁部
211 駆動部
212,213,214 検出部
215 接続用電極(第1の接続用電極、第2の接続用電極)
216 配線
217 配線
218 層間絶縁層(第1の層間絶縁層、第2の層間絶縁層、第3の層間絶縁層)
218a 層間絶縁層(第1の層間絶縁層)
218b 層間絶縁層(第2の層間絶縁層)
220 圧電層
227 上部電極層
228 下部電極層
231 金属層
251 可撓部
401 慣性力センサ
402 基部
409 可撓部
411 駆動部
412,413,414 検出部
415a 接続用電極
415b 接続用電極
420 下部電極層
421 圧電層
422 上部電極層
423 絶縁層

Claims (16)

  1. 基部と、
    前記基部に設けられた第1の接続用電極と、
    前記基部に支持された可撓部と、
    前記可撓部の上面に設けられ、前記可撓部を励振する駆動部と、
    前記可撓部の前記上面に設けられ、前記可撓部の変位を検知する第1の検出部と、
    前記駆動部と前記第1の検出部とのうちの一方の上面に配された第1の層間絶縁層と、
    前記第1の層間絶縁層の上面を経由して、前記駆動部と前記第1の検出部とのうちの他方を前記第1の接続用電極に電気的に接続する第1の配線と、を備え、
    前記第1の接続用電極は、
    第1の圧電層と、
    前記第1の圧電層の上面の一部を覆う絶縁層と、
    前記絶縁層上に配された電極層と、を有する、慣性力センサ。
  2. 前記駆動部と前記第1の検出部とのうちの前記一方は、前記可撓部に沿って前記駆動部と前記第1の検出部とのうちの前記他方と前記基部との間に位置する、請求項1に記載の慣性力センサ。
  3. 前記可撓部の前記上面に設けられ、前記可撓部の変位を検知する第2の検出部と、
    前記第2の検出部の上面に配された第2の層間絶縁層と、
    をさらに備え、
    前記第1の配線は前記第2の層間絶縁層の上面を経由して前記第1の検出部と前記駆動部とのうちの前記他方を前記第1の接続用電極に電気的に接続する、請求項1に記載の慣性力センサ。
  4. 前記基部に設けられた第2の接続用電極と、
    前記第1の配線の上面に配された第3の層間絶縁層と、
    前記第3の層間絶縁層の前記上面を経由して、前記第1の検出部と前記駆動部とのうちの前記一方を前記第2の接続用電極に電気的に接続する第2の配線と、
    をさらに備えた、請求項3に記載の慣性力センサ。
  5. 前記第3の層間絶縁層内に設けられた金属層をさらに備えた、請求項4に記載の慣性力センサ。
  6. 前記金属層は基準電位に接続される、請求項5に記載の慣性力センサ。
  7. 前記第1の層間絶縁層には、前記第1の検出部と前記駆動部とのうちの前記一方を前記第1の層間絶縁層から露出させる孔が設けられている、請求項1に記載の慣性力センサ。
  8. 前記駆動部と前記第1の検出部のそれぞれは、
    前記可撓部の前記上面に設けられた下部電極と、
    前記下部電極の上面に設けられた圧電層と、
    前記圧電層の上面に設けられた上部電極と、
    を有する、請求項1に記載の慣性力センサ。
  9. 前記圧電層の側面は前記第1の層間絶縁層に覆われている、請求項8に記載の慣性力センサ。
  10. 前記可撓部に接続された錘をさらに備えた、請求項1に記載の慣性力センサ。
  11. 前記錘上には前記第1の層間絶縁層が延びていない、請求項10に記載の慣性力センサ。
  12. 前記第1の層間絶縁層はAl2O3よりなる層を含む、請求項1に記載の慣性力センサ。
  13. 前記第1の層間絶縁層はALD法を用いて形成されている、請求項1に記載の慣性力センサ。
  14. 前記第1の層間絶縁層は、SiN、SiON、SiO2のいずれかからなる層を含む、請求項1に記載の慣性力センサ。
  15. 前記第1の層間絶縁層内に設けられた金属層をさらに備えた、請求項1に記載の慣性力センサ。
  16. 前記金属層は基準電位に接続される、請求項15に記載の慣性力センサ。
JP2014503480A 2012-03-09 2013-03-05 慣性力センサ Expired - Fee Related JP6111434B2 (ja)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012052655 2012-03-09
JP2012052655 2012-03-09
JP2012241566 2012-11-01
JP2012241565 2012-11-01
JP2012241566 2012-11-01
JP2012241565 2012-11-01
PCT/JP2013/001349 WO2013132830A1 (ja) 2012-03-09 2013-03-05 慣性力センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2013132830A1 JPWO2013132830A1 (ja) 2015-07-30
JP6111434B2 true JP6111434B2 (ja) 2017-04-12

Family

ID=49116325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014503480A Expired - Fee Related JP6111434B2 (ja) 2012-03-09 2013-03-05 慣性力センサ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150135833A1 (ja)
EP (1) EP2824422B1 (ja)
JP (1) JP6111434B2 (ja)
CN (1) CN104185773A (ja)
WO (1) WO2013132830A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016001160A (ja) * 2014-06-12 2016-01-07 株式会社デンソー 振動型角速度センサ
US10845380B2 (en) * 2015-12-17 2020-11-24 Intel Corporation Microelectronic devices for isolating drive and sense signals of sensing devices
JP6702053B2 (ja) * 2016-07-21 2020-05-27 ソニー株式会社 ジャイロセンサ及び電子機器
CN110308307B (zh) * 2019-05-30 2021-08-10 北京控制工程研究所 一种静电力平衡式石英挠性加速度计的电极参数设计方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4124867B2 (ja) * 1998-07-14 2008-07-23 松下電器産業株式会社 変換装置
US6301965B1 (en) * 1999-12-14 2001-10-16 Sandia Corporation Microelectromechanical accelerometer with resonance-cancelling control circuit including an idle state
JP4292668B2 (ja) * 2000-01-31 2009-07-08 富士ゼロックス株式会社 発光サイリスタアレイ
JP2007240540A (ja) * 2001-11-27 2007-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜微小機械式共振子ジャイロ
JP2004069435A (ja) * 2002-08-05 2004-03-04 Denso Corp 容量式半導体センサ
JP2005249645A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 角速度センサおよびその製造方法
US20060087199A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Larson John D Iii Piezoelectric isolating transformer
JP5030135B2 (ja) * 2006-07-18 2012-09-19 Necトーキン株式会社 圧電単結晶振動子および圧電振動ジャイロ
JP5070813B2 (ja) * 2006-11-17 2012-11-14 パナソニック株式会社 電子部品およびその製造方法
WO2008129865A1 (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Panasonic Corporation 慣性力センサ
US7628071B2 (en) * 2007-06-20 2009-12-08 Headway Techologies, Inc. Sensing unit and method of making same
US20100206073A1 (en) * 2007-09-25 2010-08-19 Rohm Co., Ltd Angular velocity detecting device and manufacturing method of the same
JP4455678B1 (ja) * 2008-10-24 2010-04-21 パナソニック株式会社 圧電体薄膜とその製造方法、角速度センサ、角速度センサによる角速度の測定方法、圧電発電素子ならびに圧電発電素子を用いた発電方法
US20100155883A1 (en) * 2008-10-31 2010-06-24 Trustees Of Boston University Integrated mems and ic systems and related methods
JP2010127763A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Hitachi Ltd 半導体力学量検出センサ及びそれを用いた制御装置
JP2010147285A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Yamaha Corp Mems、振動ジャイロスコープおよびmemsの製造方法
CN101769784B (zh) * 2008-12-27 2012-06-20 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 感测器组合
JP5419488B2 (ja) * 2009-02-17 2014-02-19 Necトーキン株式会社 圧電素子
WO2011093077A1 (ja) * 2010-01-29 2011-08-04 パナソニック株式会社 角速度センサ
JP5423572B2 (ja) * 2010-05-07 2014-02-19 セイコーエプソン株式会社 配線基板、圧電発振器、ジャイロセンサー、配線基板の製造方法
JP2011259120A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Seiko Epson Corp 振動片、周波数調整方法、振動子、振動デバイス、および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
EP2824422A1 (en) 2015-01-14
WO2013132830A1 (ja) 2013-09-12
US20150135833A1 (en) 2015-05-21
JPWO2013132830A1 (ja) 2015-07-30
CN104185773A (zh) 2014-12-03
EP2824422B1 (en) 2019-07-24
EP2824422A4 (en) 2015-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5682267B2 (ja) 角速度センサ
US8833163B2 (en) Angular velocity sensor
WO2013179647A2 (ja) 物理量センサ
JP6111434B2 (ja) 慣性力センサ
JP2007285879A (ja) 角速度センサおよびその製造方法
US20100064806A1 (en) Angular velocity sensor element, angular velocity sensor, and electronic apparatus
JP6572892B2 (ja) ジャイロセンサおよび電子機器
US20120247207A1 (en) Piezoelectric thin film structure and angular velocity detection apparatus
WO2010041422A1 (ja) 角速度センサ素子およびこれを用いた角速度センサと角速度センサユニット及びその信号検出方法
US9726492B2 (en) Angular velocity detection element
JP5831647B2 (ja) 角速度検出素子
JP3262082B2 (ja) 振動式角速度検出器
US7950282B2 (en) Acceleration sensor incorporating a piezoelectric device
JPH10318758A (ja) 圧電マイクロ角速度センサおよびその製造方法
JP4362739B2 (ja) 振動型角速度センサ
JP2010008128A (ja) Mems
US9231182B2 (en) Angular velocity sensor
WO2017204057A1 (ja) ジャイロセンサ及び電子機器
JP2012093154A (ja) 3軸検出角速度センサ
JP2014173871A (ja) 圧電素子
WO2015141771A1 (ja) センサ
JP2011163791A (ja) モーションセンサの製造方法、加速度センサ、角速度センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160115

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20160520

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160823

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160906

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170131

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170213

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6111434

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees