JP2004069435A - 容量式半導体センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板10に、互いに対向して配置された可動部20及び固定部21を形成してなり、可動部20と固定部21の間隔22の変化に伴う容量変化を検出するようにした容量式半導体センサS1において、可動部20の表面、固定部21における可動部20と対向する面、及び、半導体基板10における可動部20と対向する面の各面に、当該面を被覆する保護膜30が形成されている。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板に形成された可動部及び固定部の間の容量変化を検出する容量式半導体センサに関し、例えば、加速度センサや角速度センサ等に適用することができる。
【0002】
【従来の技術】
この種の容量式半導体センサは、一般に半導体基板に溝を形成することで可動部及び固定部を区画形成したものである。ここで、これら可動部と固定部は間隔を有して対向して配置されている。例えば、櫛歯構造の可動部と櫛歯構造の固定部とが噛み合って対向する構成が知られている。
【0003】
このセンサにおいては、加速度等の力学量が印加されたときに可動部と固定部との間隔が変化し、この間隔変化に伴う容量変化を検出し、検出された容量変化に基づいて印加力学量を求めるようにしている。
【0004】
このようなセンサは、半導体基板に上記溝を形成する工程や可動部を半導体基板から開放して可動状態とするために可動部の下の半導体基板部分をエッチングして除去する工程などを行うことで製造される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記製造工程において半導体基板を加工する際に発生するパーティクルなどの異物が可動部に付着し、付着した位置によっては可動部が保持されて可動できなくなったり、所定の可動範囲を確保できなくなったりする等、容量式半導体センサとして機能しなくなるという問題がある。
【0006】
また、パーティクルなどの異物が導電性の場合、容量検出部に付着することによって電気的な短絡が生じ、正確な出力が得られなくなるという問題もある。したがって、このような問題が生じた容量式半導体センサは、出荷前の検査にて除外される。
【0007】
このような異物が、可動部の可動機能や電気特性を確保できる部位に付着してそこに留まっていれば、センサの機能を妨げないはずであり、そのようなセンサは検査では正常と判断され出荷される。しかし、このようなセンサであっても、可動部の可動や外部からの振動などにより、使用時に異物が初期の付着部位から移動した場合は、上記問題が発生する。
【0008】
そのため、実際には機能を損なっていなくても多少なりとも上記問題が発生する可能性のあるセンサは、検査の時に除外することとなるため、センサの歩留まりが低下するという問題につながる。
【0009】
ちなみに、従来では、例えば特開平7−74132号公報に記載されているように、ブラシによるスクラブ洗浄によってパーティクルを除去する方法が提案されているが、可動部を有する容量式半導体センサの場合、当該可動部を破壊するなどのダメージを与えやすいことから適用は困難である。
【0010】
その他、パーティクルを除去する方法として、例えば特開平7−194056号公報に記載されているようなパーティクルを一つずつ針で除去する方法が提案されているが、手間がかかり実用的ではない。
【0011】
本発明は上記問題に鑑み、可動部と固定部を有する容量式半導体センサにおいて、製造時に発生したパーティクルなどの異物が移動するのを防止してセンサ機能を確保できるようにすることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、半導体基板(10)に、互いに対向して配置された可動部(20)及び固定部(21)を形成してなり、前記可動部と前記固定部の間隔(22)の変化に伴う容量変化を検出するようにした容量式半導体センサにおいて、前記可動部の表面、前記固定部における前記可動部と対向する面、及び、前記半導体基板における前記可動部と対向する面の各面のうち少なくとも一つの面に、当該面を被覆する保護膜(30)が形成されていることを特徴とする。
【0013】
可動部の表面、固定部における可動部と対向する面、及び、半導体基板における可動部と対向する面といった各面は、当該面に付着したパーティクルなどの異物が移動した場合にセンサの機能が損なわれる部位である。
【0014】
そこで、これら各面のうち少なくとも一つの面に当該面を被覆する保護膜(30)を形成することによって、異物を拘束することができる。したがって、本発明によれば、製造時に発生したパーティクルなどの異物が移動するのを防止してセンサ機能を確保することができる。
【0015】
ここで、請求項2に記載の発明のように、保護膜(30)自身が絶縁膜であれば、電気的な短絡を防止するという点で好ましい。
【0016】
また、保護膜(30)を絶縁膜とした場合に、当該絶縁膜を誘電体材料から構成するようにすれば、可動部及び固定部の検出間隔に保護膜を設けた場合に、検出容量を増大させることができるという利点がある。
【0017】
また、請求項4に記載の発明のように、前記保護膜(30)を、ガス状態の原料を用いた薄膜形成方法により形成されたものにすれば、保護膜を成膜する面が複雑な形状や奥まった位置にあっても、ガス状態の原料が回り込んで成膜が行われるため、カバレッジと膜厚の均一性に優れた保護膜を実現できる。
【0018】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図1は本発明の実施形態に係る容量式半導体センサS1の概略断面構成を示す図である。
【0020】
容量式半導体センサS1は、半導体基板10に、互いに対向して配置された可動部20及び固定部21を形成してなり、可動部20と固定部21の間隔22の変化に伴う容量変化を検出するようにしたものであり、例えば、加速度等の力学量を検出するセンサとして適用される。
【0021】
本例では、半導体基板10は、第1のシリコン層11上に絶縁層としての埋め込み酸化膜13を介して第2のシリコン層12を積層してなるSOI(シリコンオンインシュレータ)基板10である。
【0022】
SOI基板10における第2のシリコン層(SOI層)12には、当該第2のシリコン層12の表面からその厚み方向に貫通する溝14が形成されている。この溝14はプラズマエッチングなどのドライエッチングを利用した垂直トレンチエッチングによって形成することができる。
【0023】
そして、第2のシリコン層12は、上記溝14を介して、可動部20と固定部21とに区画されている。本例では、このように区画された部分は、良く知られている櫛歯状の梁構造体を構成している。
【0024】
図1において、可動部20と固定部21とは交互に配置され、溝14を介して互いに隣り合って対向している。ここで、可動部20と固定部21との間の溝14は検出間隔22として構成されており、この検出間隔22において可動部20と固定部21との間に検出容量が形成されている。
【0025】
また、可動部20及び固定部21に対応してこれら両部20、21の下部に位置する埋め込み酸化膜13の部分は除去されており、上記溝14と連通する空洞部15が形成されている。この空洞部15上において、可動部20および固定部21は第1のシリコン層11から開放されている。
【0026】
そして、図示しないが、空洞部15以外の領域において、固定部21は、埋め込み酸化膜13を介して第1のシリコン層11に支持固定されており、可動部20は、埋め込み酸化膜13を介して第1のシリコン層11に対して梁部などのバネ部を介して弾性的に支持されている。これにより、可動部20は空洞部15上において可動状態となっている。
【0027】
ここにおいて、本実施形態では、可動部20の表面、固定部21における可動部20と対向する面、及び、半導体基板10における可動部20と対向する面の各面のうち少なくとも一つの面に、当該面を被覆する保護膜30を形成したものとする。
【0028】
本例では、図1に示すように、上記各面のすべてに保護膜30が形成されている。この保護膜30は、プラズマCVD法、熱CVD法、ALD(原子層デポジション)法、スパッタ法、蒸着法等から選択された成膜法を用いて形成されたセラミック、樹脂、金属等からなる膜である。
【0029】
ここで、電気的な短絡を防止するという点では、保護膜30は絶縁性のセラミックや樹脂などからなる絶縁膜であることが好ましい。また、当該絶縁膜を誘電体材料からなるものにすれば、可動部20及び固定部21の検出間隔22に保護膜30を設けた場合に、上記検出容量を増大させることができるという利点がある。
【0030】
そのような誘電体材料としては、Al2O3、SiN、SiON、ZrO2、TiO2、Ta2O5、HfO2、SrTiO3、PZT(チタン酸ジルコン鉛)等の高誘電率材料が挙げられる。
【0031】
このような容量式半導体センサS1において加速度を検出する場合、加速度の印加に伴い可動部20が変位し、それによって可動部20と固定部21との間の距離すなわち検出間隔22が変化する。そして、この距離変化に基づく上記検出容量の変化を検出することで、印加された上記加速度を求めることができる。
【0032】
次に、上記容量式半導体センサS1の製造方法について、図2(a)〜(d)及び図3(a)、(b)を参照して述べる。図2は上記図1に対応した断面にて本製造方法を示す工程図であり、図3(a)は図2(c)の部分拡大図、図3(b)は図2(d)の部分拡大図である。
【0033】
[図2(a)、(b)の工程]
まず、上記半導体基板10としてのSOI基板10を用意し、良く知られているホト、エッチング工程を行い、第2のシリコン層12に溝14を形成して可動部20及び固定部21を形成する。
【0034】
具体的には、第2のシリコン層12の表面に上記可動部20及び固定部21を区画するための溝14のパターンに対応したマスク(図示せず)をホトレジストにより形成した後、ドライエッチングによりトレンチエッチングを行い第2のシリコン層12に溝14及び可動部20、固定部21を形成する。SOI基板10を用いた本例では、埋め込み酸化膜13でエッチングをストップさせることにより、制御性に優れたものになる。
【0035】
[図2(c)の工程]
次に、溝14を介して埋め込み酸化膜13を犠牲層とした犠牲層エッチングを行って埋め込み酸化膜13の一部を除去することで空洞部15を形成し、この空洞部15上の可動部20を可動状態とする。この犠牲層エッチングは例えば選択性のあるフッ酸等を用いたウェットエッチング等により行うことができる。
【0036】
この状態において、実際には、図3(a)に示すように、可動部20の表面及び半導体基板10における可動部20と対向する面、あるいは図示しないが固定部21における可動部20と対向する面等にパーティクルP等の異物が付着している。
【0037】
このパーティクルP等の異物は、エッチング工程内にて発生する反応生成物や工場環境における環境パーティクル等であり、絶縁性、導電性等の性質も様々で、その付着の度合も簡単に移動可能なものから固着しているものもあると考えられる。
【0038】
[図2(d)の工程]
次に、可動部20の表面、固定部21における可動部20と対向する面、及び、半導体基板10における可動部20と対向する面の各面のうち少なくとも一つの面に、上記保護膜30を形成する。
【0039】
本例のように、上記各面のすべてに保護膜30を形成する場合、保護膜30は、ガス状態の原料を用いた薄膜形成方法により形成することが好ましい。具体的には、プラズマCVD法、熱CVD法、ALD法等が挙げられる。
【0040】
それによれば、保護膜30を成膜する面が複雑な形状や奥まった位置にあっても、ガス状態の原料が回り込んで成膜が行われるため、カバレッジと膜厚の均一性に優れた保護膜30を実現できる。本例のように、可動部20における下面及びこの下面と対向する半導体基板10(つまり第1のシリコン層11)の面等の成膜しにくい面にも容易に保護膜30を形成できる。
【0041】
なお、スパッタ法や蒸着法により保護膜30を形成する場合でも、可動部20の表面、固定部21における可動部20と対向する面、及び、半導体基板10における可動部20と対向する面の各面のうち少なくとも一つの面に対しては、適所に保護膜30を形成することができる。
【0042】
このように保護膜30を形成することにより、上記図1に示す容量式半導体センサS1が完成する。そして、保護膜30を形成したことによって、図3(b)に示すように、可動部20や半導体基板10等に付着したパーティクルP等の異物も保護膜30にて被覆され、その移動が拘束された状態となる。
【0043】
このように、本実施形態の容量式半導体センサS1によれば、製造時に発生したパーティクルなどの異物が移動するのを防止することができる。そのため、当該異物がセンサの使用中に移動して、可動部の可動機能が阻害されたり、電気的短絡が生じたりすることが防止される。すなわち、センサ機能を確保することができる。
【0044】
(他の実施形態)
なお、上記実施形態における容量式半導体センサは、半導体基板10の一面側からの加工により可動部の形成及び可動状態の形成が行われるものであったが、図4に示すような半導体基板10の表裏両面から加工するものに対しても本発明は適用可能である。
【0045】
図4に示す変形例は、上記図2(a)、(b)までの工程を行った後、半導体基板10の裏面すなわち第1のシリコン層11から異方性エッチングを行い、更にドライエッチングを行って埋め込み酸化膜13を除去することで、当該裏面に開口した空洞部15を形成したものである。
【0046】
この場合も上記容量式半導体センサと同様、可動部20は空洞部15上にて可動状態であり、同様の検出を行うことができる。そして、この変形例においても、図4に示す状態とした後、上記実施形態と同様の要領で保護膜30を形成することにより、本発明の効果を奏する容量式半導体センサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る容量式半導体センサの概略断面図である。
【図2】図1に示す容量式半導体センサの製造方法を示す工程図である。
【図3】(a)は図2(c)の部分拡大図、(b)は図2(d)の部分拡大図である。
【図4】本発明の変形例を示す図である。
【符号の説明】
10…半導体基板としてのSOI基板、20…可動部、21…固定部、
30…保護膜。
Claims (4)
- 半導体基板(10)に、互いに対向して配置された可動部(20)及び固定部(21)を形成してなり、前記可動部と前記固定部の間隔(22)の変化に伴う容量変化を検出するようにした容量式半導体センサにおいて、
前記可動部の表面、前記固定部における前記可動部と対向する面、及び、前記半導体基板における前記可動部と対向する面の各面のうち少なくとも一つの面に、当該面を被覆する保護膜(30)が形成されていることを特徴とする容量式半導体センサ。 - 前記保護膜(30)は絶縁膜であることを特徴とする請求項1に記載の容量式半導体センサ。
- 前記絶縁膜は誘電体材料からなることを特徴とする請求項2に記載の容量式半導体センサ。
- 前記保護膜(30)は、ガス状態の原料を用いた薄膜形成方法により形成されたものであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の容量式半導体センサ。
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