JP7502611B2 - 樹脂含浸方法、波長変換モジュールの製造方法及び波長変換モジュール - Google Patents
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Description
また、信頼性が高い波長変換モジュールの提供及び波長変換モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
また、信頼性が高い波長変換モジュールの提供及び波長変換モジュールの製造方法を提供することができる。
尚、以下の説明において、樹脂材料表面で気泡が巨大化して破泡したり激しく泡立ったりして破泡することを過剰な泡立ちということがある。
実施形態1に係る樹脂含浸方法は、多孔質構造の金属焼結体の空隙に樹脂を含浸させる方法であって、図1に示すように、
(1)親水性又は疎水性の粒子を含む消泡剤を含む樹脂材料を準備する樹脂材料準備工程S11と、
(2)準備した樹脂材料を減圧することにより脱泡する脱泡工程S12と、
(3)脱泡した樹脂材料を前記金属焼結体の表面に塗布する塗布工程S13と、
(4)金属焼結体と表面に塗布した樹脂材料とを減圧して空隙内の気体を排出し、空隙に樹脂材料を含浸させる樹脂含浸工程S14と、
(5)樹脂材料を加熱により硬化させる硬化工程S15と、
を含む。
また、多孔質材料というと、一般に細孔が非常に多く空いている材料のことをいい、例えば、ミクロポーラス材料、メソポーラス材料、マクロポーラス材料と言われるが、本開示おける金属焼結体は、例えば、焼結前の金属粉体の粒度分布に依存して種々の大きさの空隙を含み得る。さらに、本開示における金属焼結体は、例えば、2つの部材を接合する接合部材として用いる場合には、2つの部材に挟まれた部分にも空隙は存在し、これによってより効果的に熱応力に耐えうる強度を確保できる。
以下、実施形態1に係る樹脂含浸方法について詳細に説明する。
樹脂材料準備工程S11では、親水性又は疎水性の粒子を含む消泡剤を含む樹脂材料を準備する。
ここでは、まず、樹脂材料の主成分である熱硬化性のエポキシ樹脂を準備する。シリコーン樹脂等でも良いが、エポキシ樹脂はガスバリア性が高いので、含浸後に金属焼結体を外気から遮断できるため、より好ましい。熱硬化性のエポキシ樹脂としては、塩素等のハロゲンを含まないものが好ましい。エポキシ樹脂の種類は、脂環式、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、水素化ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等があり、液状品として、各種エポキシ反応性希釈剤を添加してもよい。中でも脂環式エポキシ樹脂が好ましい。脂環式エポキシ樹脂は粘度が低いため充填性に優れているのでボイドが発生しにくい。また、ガラス転移温度を200℃以上まで上げることができ、必要とする耐熱温度に応じたガラス転移温度へ容易に調整できる。
また、樹脂材料は、熱衝撃時のクラック対策のためにフィラーを含んでいてもよく、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを用いることができる。
脱泡工程S12では、準備した樹脂材料を塗布前に減圧で保持することにより脱泡する。
例えば、後述の塗布工程S13で、樹脂材料をシリンジに入れて塗布する場合には、シリンジに樹脂材料を充填して塗布前にシリンジごと真空脱泡器に入れて脱泡する。このように減圧して脱泡することにより、樹脂材料の調合時やシリンジへの充填時に含まれた、非常に小さく、浮力が小さいため浮上できない気泡を効率よく脱泡することができる。この脱泡時における真空度は、例えば、103Pa以上10-3Pa以下好ましくは102Pa以上10-2Pa以下より好ましくは10Pa以上10-1Pa以下の範囲に設定する。
また、本実施形態1の樹脂材料は、消泡剤を含んでいるので、脱泡工程S12において減圧した場合であっても大きな泡になって脱泡されることが抑制され、例えば、シリンジからの吹きこぼれを防止できる。
塗布工程S13では、脱泡した樹脂材料を金属焼結体の表面に塗布する。
塗布する樹脂量は、金属焼結体の空隙全体に充填された場合の樹脂量以上になるように設定される。具体的には、例えば、塗布する樹脂量は、金属焼結体の焼結密度と金属焼結体の全体の体積に基づいて金属焼結体の空隙の体積を求め、当該空隙体積以上となるように設定する。ここで、塗布する樹脂材料は、金属焼結体の空隙に充填することを考慮すると粘度は低い方が好ましいが、粘度を低くすると、以下のような課題がある。例えば、2つの部材を接合する接合部材として金属焼結体を用いる場合には、塗布する金属焼結体の表面は通常水平ではなく傾斜している。このような場合、塗布した樹脂材料は、水平方向に広がりワイヤーパッド等の樹脂材料を塗布するべきではない領域まで達するおそれがある。したがって、塗布した樹脂材料の水平方向への広がりを抑える工夫を凝らすことが好ましい。樹脂材料の水平方向への広がりを抑制する手段については、後述する実施形態において説明する。
樹脂含浸工程S14では、金属焼結体と表面に塗布した樹脂材料とを減圧して空隙内の気体を排出し、空隙に樹脂材料を含浸させる。含浸させる際の真空度は、金属焼結体における空隙の体積率及び空隙の大きさに基づき、過剰な泡立ちを抑えつつ空隙全体に樹脂材料が含浸されるように適宜調整するが、例えば、103Pa以上10-3Pa以下好ましくは102Pa以上10-2Pa以下より好ましくは10Pa以上10-1Pa以下の範囲に設定する。樹脂の塗布工程S13でチップ下に残る空気はある程度大きいため、自身の浮力で浮上していくので脱泡工程S12とは異なりある程度は常圧でもチップ下から抜けていくが、完全には抜けきらないため減圧が必要である。樹脂含浸工程S14において、実施形態1の樹脂含浸方法では上述したように、樹脂材料に親水性又は疎水性の粒子を有する消泡剤が含まれているので、樹脂材料を塗布した後に減圧しても空隙内の気体は樹脂材料表面で大きな泡に成長することなく小さい泡として脱泡される。このように、過剰な泡立ちを抑えて空隙内の気体を除去ことが可能になり、樹脂材料の飛散若しくは樹脂材料の不必要な広がりを抑制できる。また、樹脂材料それ自身に含まれている泡は、塗布前に減圧により除去されているので、樹脂材料それ自身に含まれている泡による樹脂材料の泡立ちを抑制できる。尚、消泡剤に含まれていた親水性又は疎水性の粒子(粉末)は、粒子であることから金属焼結体の空隙の中央部には侵入しにくく、また中央部に侵入する必要もない。すなわち、樹脂材料が塗布された金属焼結体の表面近傍に留っていても、その粒子による抑泡機能または破泡機能が金属焼結体の表面近傍において発揮され、樹脂材料の過剰な泡立ちは抑制される。
硬化工程S15では、空隙内に含浸させた樹脂材料を加熱により硬化させる。
また、樹脂材料に親水性又は疎水性の粒子を有する消泡剤が含まれているので、樹脂材料を塗布した後に減圧しても空隙内の気体は樹脂材料内で大きな泡に成長することなく小さい泡として脱泡され、樹脂材料の過剰な泡立ちは抑制できる。
したがって、本実施形態1の樹脂含浸方法によれば、塗布した樹脂材料の飛散及び不必要な広がりを抑制しつつ金属焼結体の空隙に樹脂を含浸させることが可能になる。
実施形態2は、実施形態1の樹脂含浸方法を含む製造方法により作製される波長変換モジュールに係り、該波長変換モジュールは、例えば、半導体レーザー等の発光素子からの光を蛍光体によって波長変換して出射する。
以下、図2~図4を参照しながら実施形態2の波長変換モジュールについて詳細に説明する。図2は、本開示に係る波長変換モジュールの上面図である。図3は、図2に示す波長変換モジュールのA-A線についての断面図である。図4は、図3の断面図の一部を拡大して示す断面図である。
また、波長変換部材10は、蛍光体板11と、蛍光体板11の上面に設けられた反射防止層12と、蛍光体板11の下面に設けられた接合層13と、を含む。
蛍光体板11は、例えば、イットリウムアルミニウムガーネットの焼結体からなるYAG板、ルテチウムアルミニウムアガーネットの焼結体からなるLAG板から構成することができ、好ましくは、YAG板により構成する。
反射防止層12は、例えば、SiO2、Nb2O5、TiO2、等の金属酸化物または、例えば、SiN、GaN、AlN等の窒化物により構成することができ、好ましくは、SiO2により構成する。
接合層13は、蛍光体板11の下面に設けられた光遮蔽層13aと、光遮蔽層13aの下面に設けられた金属接合層13bと、を含む。光遮蔽層13aは、例えば、Al2O3膜、SiO2膜、Nb2O5膜、TiO2膜により構成することができ、好ましくは、Al2O3膜により構成する。金属接合層13bは、例えば、Ag膜、Ni膜とAg膜の積層、Ag膜とAu膜の積層、Al膜とAg膜の積層、Au膜、Al膜とAu膜の積層、前記積層で密着性や加熱時のバリア層として任意の金属層を挟んだ積層等により構成することができ、好ましくは、Ag膜により構成する。
また、この分散された粒子53は、製造時において樹脂50を形成するための樹脂材料の泡が液面に到達した際に泡の表面に作用し、配列を乱す事によって泡表面を不安定化して、液面からの泡の成長を抑制する機能を有するものである。後述するように、粒子53の樹脂部材における泡抑制機能は第1樹脂部51内で発揮されればよく、第2樹脂部52は、実質的に粒子53は含んでいなくてもよい。
また、波長変換モジュール100は、実施形態1の樹脂含浸方法を含む製造方法により製造することによって、樹脂50の表面におけるブリームやブリードの発生を抑えることができ、波長変換モジュールを発光面側から見たときの意匠性が高い波長変換モジュールを提供することができる。
基体として板状の基板を用いる場合、凹部31aを形成するための環状の凸部に代えて基体(基板)の上面に形成された、凹部31aを形成するための環状の凸部より低い低背構造の環状の凸部あるいは凹部を形成することが好ましい。低背構造の環状の凸部あるいは凹み部は、金属焼結体の厚さより低くてもよい。環状の凸部あるいは凹部があると、樹脂50を形成する際に表面張力によって樹脂50の広がりを止める事ができる。
波長変換モジュール100の製造方法は、図5に示すように、第1塗布工程S21と、配置工程S22と、接合工程S23と、実施形態1の樹脂含浸方法を含む含浸工程S24と、を含む。
第1塗布工程では、金属粉体を含む金属ペーストを準備し、前記金属ペーストを前記基体上に塗布する。
配置工程では、前記波長変換部材を前記塗布した金属ペースト上に配置する。
接合工程では、金属ペーストを加熱して金属粉体を焼結させて前記基体と前記波長変換部材とを空隙を含む多孔質構造の金属焼結体により接合する。
含浸工程では、実施形態1の樹脂含浸方法により金属焼結体の空隙に樹脂を含浸させる。
以下、各工程について詳細に説明する。
ここでは、まず、金属粉体を含む金属ペーストを準備する。
(1)金属ペースト準備
以下の説明では、金属粉として銀粒子を使用する場合について説明し、金属ペーストを銀ペーストと称する。
(1-1)銀粒子の準備
準備する銀粒子の形状は特に限定されるものではなく、例えば、略球状であってよく、フレーク状であってもよい。なお、本明細書において、銀粒子が「略球状である」とは、銀粒子の長径aと短径bとの比で定義されるアスペクト比(a/b)が2以下であることを意味し、銀粒子が「フレーク状である」とは、アスペクト比が2より大きいことを意味する。銀粒子の長径aおよび短径bは、SEMによる画像解析により測定することができる。
ここでは、準備した銀粒子と分散媒である有機溶剤とを混合する。
さらに銀ペーストは、樹脂等を含んでいてもよい。
混合する際の銀粒子の含有量は、好ましくは70質量%以上、より好ましくは85質量%以上である。混合可能な樹脂は、後述する焼成時の加熱によって分解し、形成される接合体中に残存しないものである。樹脂は、例えば、ポリスチレン(PS)やポリメチルメタクリレート(PMMA)であってよい。銀粒子を分散媒である有機溶剤と混合することにより、銀ペーストを基体の表面に所望の厚さで塗布することが容易になる。ここで使用する有機溶剤は、例えば、1種類の有機溶剤であっても、2種類以上の有機溶剤の混合物であってもよく、例えば、ジオールとエーテルとの混合物を用いることができる。有機溶剤の沸点は、150℃以上250℃以下の範囲であることが好ましい。沸点が150℃以上であると、加熱工程までの間に乾燥してしまうことによる、銀粒子の大気による汚染やチップの脱落を防ぐことができる。沸点が250℃以下であると、加熱工程での揮発速度が速くなり、焼結を促進することができる。
尚、以上の説明では、銀粒子を用いて構成した銀ペーストを例に説明したが、本実施形態は、銀ペーストに限定されるものではなく、銀粒子以外の、例えば、銅粒子等の他の金属粒子を用いて構成した金属ペーストであってもよい。
ここでは、基体30上に金属ペーストを塗布する。
具体的には、凹部31aの底面上に準備した金属ペーストを塗布する。
金属ペーストの塗布方法は、例えば、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、ディスペンサー印刷法、グラビア印刷法、スタンピング、ディスペンス、スキ-ジ印刷、シルクスクリ-ン印刷、噴霧、刷毛塗り、コーティング法等の公知の方法を適宜採用することができる。金属ペーストの塗布厚みは用途等に応じて適宜設定することができ、例えば1μm以上1000μm以下、好ましくは5μm以上800μm以下、より好ましくは10μm以上500μm以下とすることができる。
波長変換部材10を凹部30aの底面上に塗布した金属ペーストの上に載置する。例えば、金属ペーストの上方から載置し、波長変換部材10を凹部30aの底面の間の金属ペーストが所定の厚さになり、好ましくは、波長変換部材10の側面の一部に金属ペーストが這い上がるように、例えば、波長変換部材10を押圧する。
接合工程では、金属ペーストを加熱して有機溶剤を除去し、金属粉を融着させることにより金属粉体を焼結させて基体30と波長変換部材10とを空隙を含む多孔質構造の金属焼結体により接合する。
ここでの加熱焼成は、必要に応じて還元雰囲気中で加熱した後、酸化雰囲気中で焼成することもできる。
(1-1)還元雰囲気中での加熱
還元雰囲気中での加熱は、上述したように必要に応じて実施されるものであり、任意である。還元雰囲気中での加熱は、金属粉の表面に微量に存在する酸化被膜等を還元により除去するものであり、これにより、金属粉の表面に金属原子を露出させて金属粉表面における金属原子の表面拡散が促進される。そのため、後続の酸化雰囲気中での加熱において、低温で金属粒子の焼結を促進することができる。
ここでは、酸化雰囲気中での加熱焼成することにより、金属粒子同士を融着させて、金属焼結体を形成する。酸化雰囲気は、好ましくは酸素含有雰囲気であり、より好ましくは大気雰囲気である。酸化雰囲気が酸素含有雰囲気である場合、雰囲気中の酸素濃度は2以上21体積%以下であることが好ましい。雰囲気中の酸素濃度が高いほど、金属粒子表面において金属原子の表面拡散が促進されて、金属粒子同士を融着させやすくなる。酸素濃度が2体積%以上であると、低い加熱温度で融着させることができ、酸素濃度が21体積%以下であると、加熱装置に加圧機構が不要となり、工程コストが低減できる。
酸化雰囲気中での焼成温度は、例えば、300℃以下で行い、好ましくは280℃以下であり、より好ましくは260℃以下、更に好ましくは200℃以下である。酸化雰囲気中での焼成の前に、還元雰囲気中での加熱を実施すると、より低温での焼成が可能になる。
酸化雰囲気中での焼成は、好ましくは150℃以上、より好ましくは160℃以上である。焼成温度を150℃以上、より好ましくは160℃以上とすることにより、電気抵抗率が低くかつ熱伝導特性が良好な金属焼結体を形成することができる。
酸化雰囲気中での焼成は、加圧してもよいし、例えば大気圧であってよい。
含浸工程では、実施形態1の樹脂含浸方法にしたがって樹脂を含浸させる。
ここでは、まず、親水性又は疎水性の粒子を含む消泡剤を含む樹脂材料を準備する(樹脂材料準備工程S11)。
次いで、脱泡した樹脂材料を金属焼結体の表面に塗布する(塗布工程S13)。
ここでは、波長変換部材10の外側の凹部31a内、すなわち凹部31aの側面とフィレットの表面の間の領域に、例えば、シリンジにより脱泡後の樹脂材料を塗布する。
最後に、空隙内に含浸させた樹脂材料を加熱により硬化させる(硬化工程S15)。
以上のようにして、実施形態2の波長変換モジュールは作製される。
したがって、該製造方法により作製される波長変換モジュールは、金属焼結体21の空隙に樹脂を含むことにより熱応力耐久性を高くでき、かつ発光面に樹脂材料による汚染がないことにより光取り出し効率の低下を抑制でき、発光効率を高くできる。
実施例1では、以下のようにして、図2に示す波長変換モジュール100を作製した。
基体30の準備
凹部31aを有し、銅からなる基部31に、第1金属層32として、厚さ、2μmのNiメッキ層が設けられ、第2金属層33として、厚さ0.05μmのAuメッキ層が設けられた、基体30を準備した。
ここでは、まず、蛍光体板11として、厚さ0.2mmのアルミナ一体焼結型のYAG板を準備した。ここで、準備したYAG板は、Y2O3、Al2O3、CeO2を含む。
そして、YAG板の下面にAl2O3膜を1μmの厚さにスパッタリングにより成膜し、そのAl2O3膜の上にAg膜を0.5μmの厚さにスパッタリングにより成膜した。
また、YAG板の上面には、SiO2膜を0.11μmの厚さにスパッタリングにより成膜することにより複数の波長変換部材10が一体化された波長変換部材板を作製した。
次に、波長変換部材板を、ダイシングで個片化して、5.5mm×5.5mm×0.2mmの波長変換部材10を作製した。
波長変換部材10と基体30とを接合する金属ペーストとして、銀ペーストを準備した。銀ペーストは、まず有機溶剤である2-エチル-1,3-ヘキサンジオール(0.852g)とジエチレングリコールモノブチルエーテル(0.213g)および、アニオン性液状界面活性剤(三洋化成工業株式会社製、製品名「ビューライトLCA-H」、ラウレス-5-カルボン酸、25℃で液状、0.150g)を、自転・公転ミキサー(商品名「あわとり錬太郎AR-250」、株式会社シンキー製)にて1分間攪拌、次いで15秒間脱泡のサイクルを1サイクル用いて攪拌し、溶剤混合物を得た。
次に、フレーク状銀粒子(福田金属箔粉工業株式会社製、製品名「AgC-239」、フレーク状、平均粒径(メジアン径)が2.5μm、比表面積が0.7m2/g、粒径0.3μm未満の粒子の含有量は2質量%、粒径0.5μm以下の粒子の含有量は6質量%、13.776g)と、スペーサ粒子として粒径100μmのジルコニア粒子(株式会社ニッカトー製、商品名「YTZボール」、0.009g)を計量して前記溶剤混合物に加えた。得られた混合物を、自転・公転ミキサー(商品名「あわとり錬太郎AR-250」、株式会社シンキー製)にて1分間攪拌および15秒間脱泡のサイクルを、1サイクル用いて攪拌し、(樹脂を含まない) 銀ペーストを得た。
次に、基体30の凹部31aの底面に、準備した銀ペーストを塗布した。
そして、塗布した銀ペーストの上に、波長変換部材10をダイボンダーで配置した。
波長変換部材を配置した基体30をオーブンに入れて焼成することにより焼成銀ペーストに含まれる銀粉体を大気中で焼結させて基体30と波長変換部材10接合する。
焼成温度は、0.24℃/minの昇温速度で200℃まで昇温し、200℃で1時間保持して銀粉体を焼結させた。
まず、含浸樹脂として、エポキシ樹脂セルビーナスW221(株式会社ダイセル社製、2液タイプ、熱硬化型、5.000g)に抑泡型シリコーンオイルコンパウンドタイプ(シリカ粒子を含む)消泡剤KS-66(信越化学工業株式会社製、0.005g、0.1%)を添加することにより樹脂材料を作製した。
準備した樹脂材料を塗布用のシリンジに充填してシリンジごと真空脱泡器で脱泡した。
脱泡は、到達真空度0.67Paの油回転真空ポンプ(アルバック社製、GLD-136C)を用いて30秒の条件で行った。
脱泡後の樹脂材料が入ったシリンジを用いてエアーディスペンサーで樹脂材料を凹部31a内に塗布した。具体的には、凹部31aの内周壁と波長変換部材の外周側面の間に、樹脂材料を充填することにより、銀焼結体の波長変換部材の周りに形成されたフィレットの表面に樹脂材料を塗布した。
樹脂材料を塗布した後、波長変換部材10を接合した基体30を、真空脱泡機内で減圧し、銀焼結体の空隙のエアーを抜き、樹脂材料を含浸させた。減圧は、到達真空度0.67Paの油回転真空ポンプ(アルバック社製、GLD-136C)を用いて10分の条件で行った。
波長変換部材10を接合した基体30全体を、オーブンを用いて大気中で加熱し、樹脂材料を硬化させた。硬化条件は、150℃、1時間とした。
消泡剤を含んでいない含浸樹脂を用いた以外は、実施例1と同様にして比較例1の波長変換モジュールを作製した。
比較例1の波長変換モジュールは、波長変換部材の上面(発光面)に樹脂材料による汚染があり、波長変換効率が実施例1の波長変換モジュールに比較して劣っていた。
11 蛍光体板
12 反射防止層
13 接合層
13a 光遮蔽層
13b 金属接合層
20 接合部材
21 金属焼結体
30 基体
31 基部
31a 凹部
32 第1金属層
33 第2金属層
50 樹脂
51 第1樹脂部
52 第2樹脂部
53 粒子
100 波長変換モジュール
Claims (23)
- 多孔質構造の金属焼結体の空隙に樹脂を含浸させる方法であって、
親水性又は疎水性の粒子を含む消泡剤を含む樹脂材料を準備する樹脂材料準備工程と、
前記準備した樹脂材料を減圧することにより脱泡する脱泡工程と、
前記脱泡した樹脂材料を前記金属焼結体の表面に塗布する塗布工程と、
前記金属焼結体と表面に塗布した樹脂材料とを減圧して前記空隙内の気体を排出し、前記空隙に樹脂材料を含浸させる樹脂含浸工程と、
前記樹脂材料を加熱により硬化させる硬化工程と、
を含む樹脂含浸方法。 - 前記樹脂材料準備工程において、前記粒子はシリカ粒子である請求項1記載の樹脂含浸方法。
- 前記樹脂材料準備工程において、前記樹脂材料はエポキシ樹脂である請求項1又は2に記載の樹脂含浸方法。
- 前記塗布工程において、前記多孔質構造の金属焼結体に設けられている前記空隙は、網状に繋がっている請求項1から3のいずれか1つに記載の樹脂含浸方法。
- 前記塗布工程において、前記多孔質構造の金属焼結体に設けられている前記空隙は、短手方向の直径が2μm以下の空隙が分散されている請求項1から4のいずれか1つに記載の樹脂含浸方法。
- 前記硬化工程後において、前記消泡剤は、前記金属焼結体の中心部に含まれておらず、前記金属焼結体の表面に配置されている請求項1から5のいずれか1つに記載の樹脂含浸方法。
- 波長変換部材を接合部材により基体上に接合することを含む波長変換モジュールの製造方法であって、
金属粉体を含む金属ペーストを準備し、前記金属ペーストを前記基体上に塗布する第1塗布工程と、
前記波長変換部材を前記塗布した金属ペースト上に配置する配置工程と、
前記金属ペーストを加熱して金属粉体を焼結させて前記基体と前記波長変換部材とを空隙を含む多孔質構造の金属焼結体により接合する接合工程と、
請求項1から6のいずれか1つに記載の樹脂含浸方法により前記金属焼結体の空隙に樹脂を含浸させる含浸工程と、
を含む波長変換モジュールの製造方法。 - 前記第1塗布工程において、前記金属粉体は、0.3μm以上5μm以下のメジアン径を有する銀粉体である請求項7に記載の波長変換モジュールの製造方法。
- 前記接合工程において、前記銀粉体を含む金属ペーストを160℃以上300℃以下の温度で加熱して前記銀粉体を焼結させる請求項8に記載の波長変換モジュールの製造方法。
- 前記配置工程前において、下面と上面を有する蛍光体板と、前記蛍光体板の下面に設けられたAl2O3膜と、前記Al2O3膜の下面に設けられたAg膜と、を含む波長変換部材を準備する第1波長変換部材準備工程を含み、
前記配置工程において、前記Ag膜を前記基体に対向させて前記波長変換部材を配置する請求項7から9のいずれか1つに記載の波長変換モジュールの製造方法。 - 前記配置工程前において、下面と上面を有する蛍光体板と、前記蛍光体板の上面に設けられたSiO2膜と、を含む波長変換部材を準備する第2波長変換部材準備工程を含み、
前記配置工程において、前記波長変換部材の下面を前記基体に対向させて前記波長変換部材を配置する請求項7から10のいずれか1つに記載の波長変換モジュールの製造方法。 - 前記第1塗布工程前において、前記基体は基材の上面にAu膜が配置されており、
前記配置工程において、前記Au膜を前記波長変換部材の下面に対向させて前記波長変換部材を配置する請求項7から11のいずれか1つに記載の波長変換モジュールの製造方法。 - 前記接合工程前において、前記基材の上面は、前記波長変換部材を実装する実装領域の周りに前記塗布した樹脂材料の実装領域外への流出を防止する環状凹部又は環状凸部を有し、
前記塗布工程において、前記環状凹部又は環状凸部の内側に前記脱泡した樹脂材料を塗布する請求項12に記載の波長変換モジュールの製造方法。 - 前記第1塗布工程において、前記金属ペーストには更にスペーサ粒子を含み、前記基体と前記波長変換部材の間の前記金属焼結体の厚さを前記スペーサ粒子の粒径と同じ又は厚くする請求項7から13のいずれか1つに記載の波長変換モジュールの製造方法。
- 基体と、前記基体上に設けられた波長変換部材と、前記基体と前記波長変換部材とを接合する接合部材と、を含み、
前記接合部材は、空隙を含む多孔質構造の金属焼結体と、前記金属焼結体の外表面を覆う第1樹脂部と前記空隙に含浸された第2樹脂部とを含む樹脂と、前記樹脂中に分散された粒子を含んでなり、
前記第1樹脂部に分散された前記粒子の密度は、前記第2樹脂部に分散された前記粒子の密度より大きい波長変換モジュール。 - 前記第2樹脂部は、実質的に前記粒子を含まない請求項15に記載の波長変換モジュール。
- 前記金属焼結体は、前記波長変換部材の側面の少なくとも一部を覆うフィレットを含む、請求項15又は16に記載の波長変換モジュール。
- 前記フィレットの表面は、前記第1樹脂部に覆われており、
前記第1樹脂部の厚さは、1μm以上である、請求項17に記載の波長変換モジュール。 - 前記金属焼結体は、銀又は銅を含む、請求項15から18のいずれか1つに記載の波長変換モジュール。
- 前記基体は、前記波長変換部材を囲む環状の凸部を有する、請求項15から19のいずれか1つに記載の波長変換モジュール。
- 前記波長変換部材は、前記基体に対向する下面と上面を有する蛍光体板と前記蛍光体板の上面に設けられたSiO2膜とを含む請求項15から20のいずれか1つに記載の波長変換モジュール。
- 前記波長変換部材は、前記基体に対向する下面と上面を有する蛍光体板と、前記蛍光体板の下面に設けられたAl2O3膜と、前記Al2O3膜の下面に設けられたAg膜と、を含む請求項15から21のいずれか1つに記載の波長変換モジュール。
- 前記金属焼結体は更にスペーサ粒子を含み、前記基体と前記波長変換部材の間の金属焼結体の厚さは前記スペーサ粒子の粒径と同じ又は厚い請求項15から22のいずれか1つに記載の波長変換モジュール。
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