JP7501518B2 - 検出値補正システム、係数算出方法、及び検出値補正方法 - Google Patents

検出値補正システム、係数算出方法、及び検出値補正方法 Download PDF

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Description

本発明は、センサの検出値を補正する検出値補正システム、検出値補正方法、及び検出値の補正に用いられる係数を算出する係数算出方法に関する。
従来より、アモルファスワイヤと、アモルファスワイヤの周囲に巻回されるコイルとを備えたＭＩ（Magneto Impedance）センサが知られている。また、ＭＩセンサを一列に並べた磁気センサアレイによって、磁気の分布を検出することが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００２－１６９６１４号公報
ところで、上述のＭＩセンサによって磁気の分布を検出する場合、分布位置の分解能は、ＭＩセンサの隣接ピッチで決まる。従って、分布位置の分解能を高めるためには、ＭＩセンサの隣接ピッチを小さくする必要があると考えられる。しかしながら、ＭＩセンサの隣接ピッチを小さくすると、ＭＩセンサの動作原理に起因して、下記のような問題が発生することが考えられる。
ＭＩセンサのアモルファスワイヤにパルス電流を流すと、その電流により生じた磁界によって、アモルファスワイヤ内のスピンの向きが、アモルファスワイヤと直交する方向に揃えられる。この状態で電流がゼロになり、電流による磁界が消えると各スピンの向きは、外部磁界に応じた方向に向く。このように、アモルファスワイヤと直交する方向から外部磁界に応じた方向にスピンが変化することで、外部磁界に応じた強度の磁束が発生する。この磁束の変化に応じてコイルに起電力が発生する。従って、ＭＩセンサは、外部磁界に応じた起電力がコイルに発生することによって、外部磁界を検出する。
しかしながら、スピンの方向変化に伴う磁束は、ある程度、周辺に拡がって生じる。そのため、ＭＩセンサの隣接ピッチが小さいと、あるＭＩセンサのスピンの方向変化に応じて生じた磁束が、その周辺のＭＩセンサまで到達し、そのＭＩセンサで検出される。その結果、隣接するＭＩセンサでの磁界の検出精度が低下するおそれがある。
ＭＩセンサと同様に、ＭＩセンサ以外のセンサでも、複数のセンサを並べることによって各センサがその周辺の他のセンサの検出値に対して影響を与える場合、センサの隣接ピッチを小さくすると、センサの検出精度が低下するおそれがある。
本発明の目的は、一列に配置された各センサの検出値を補正することが容易な検出値補正システム、検出値補正方法、及び検出値の補正に用いられる係数を算出する係数算出方法を提供することである。
本発明の一例に係る検出値補正システムは、一列に配置された、物理量を検出する複数のセンサの検出値を補正する検出値補正システムであって、前記複数のセンサのうち、補正対象となるセンサである注目センサの検出値を、少なくとも当該注目センサと隣接する第一センサの検出値に基づいて補正する補正処理を実行する補正処理部を備える。
また、本発明の一例に係る検出値補正方法は、一列に配置された、物理量を検出する複数のセンサの検出値を補正する検出値補正方法であって、前記複数のセンサのうち、補正対象となるセンサである注目センサの検出値を、少なくとも当該注目センサと隣接する第一センサの検出値に基づいて補正する補正処理を実行する。
また、本発明の一例に係る係数算出方法は、一列に配置された、物理量を検出する複数のセンサのうちの一つについて、そのセンサに対して当該センサと隣接する第一センサが与える影響を表す第一係数ｋ１と、前記第一センサに対して前記一つのセンサと逆方向に隣接する第二センサが与える影響を表す第二係数ｋ２とを算出する係数算出方法であって、（ａ）前記一列に配置された複数のセンサに対して不均一に前記物理量が付与された状態で、前記各センサの検出値を取得する工程と、（ｂ）複数の前記第一係数ｋ１に対して互いに異なる値を仮に付与し、当該仮の値が付与された前記第一係数ｋ１のそれぞれに対応して、（ｂ１）前記複数のセンサに追い番を付してセンサ１～Ｑとし、センサ１～Ｑのうち任意のＸ番のセンサＸの検出値をＢＸ、前記センサＸの一方の側に隣接するＸ＋１番のセンサ（Ｘ＋１）の検出値をＢＸ＋１、前記センサＸの他方の側に隣接するＸ－１番のセンサ（Ｘ－１）の検出値をＢＸ－１、前記センサ（Ｘ＋１）に対して前記センサＸと逆方向に隣接するＸ＋２番のセンサ（Ｘ＋２）の検出値をＢＸ＋２、前記センサ（Ｘ－１）に対して前記センサＸと逆方向に隣接するＸ－２番のセンサ（Ｘ－２）の検出値をＢＸ－２、前記第二係数をｋ２とし、Ｘが３～（Ｑ－２）の場合について、下記の式（２）に基づいて値ＤＸを算出し、（ｂ２）前記（ｂ１）工程で算出された値Ｄ（３）～Ｄ（Ｑ－２）のうち、４～（Ｑ－２）の整数であるｎについて、隣り合うセンサｎ及びセンサ（ｎ－１）の値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）の差の二乗が最大となる値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）を探索し、当該最大となる値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）の差の二乗をＭＡＸ［｛Ｄ（ｎ）－Ｄ（ｎ－１）｝２］として算出し、（ｂ３）前記（ｂ１）工程で算出された値Ｄ（３）～Ｄ（Ｑ－２）のうち、４～（Ｑ－２）の整数であるｍについて、隣り合うセンサｍ及びセンサ（ｍ－１）の値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）の差の二乗が最小となる値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）を探索し、当該最小となる値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）の差の二乗をＭＩＮ［｛Ｄ（ｍ）－Ｄ（ｍ－１）｝２］として算出し、（ｂ４）下記の式（３）に基づいて、複数の前記係数ｋ１の値に対応する複数の評価値Ｕ（ｋ１）を算出する工程と、（ｃ）前記複数の評価値Ｕ（ｋ１）のうち、最大の評価値Ｕ（ｋ１）を探索し、当該最大の評価値Ｕ（ｋ１）に対応する第一係数ｋ１と、その第一係数ｋ１から得られた第二係数ｋ２とを、前記補正処理で用いるための前記第一係数及び前記第二係数として確定する工程とを含む。
Ｄ（Ｘ）＝ｋ２ＢＸ－２－ｋ１ＢＸ－１＋ＢＸ－ｋ１ＢＸ＋１＋ｋ２ＢＸ＋２ ・・・（２）
Ｕ（ｋ１）＝ＭＡＸ［｛Ｄ（ｎ）－Ｄ（ｎ－１）｝２］－ＭＩＮ［｛Ｄ（ｍ）－Ｄ（ｍ－１）｝２］ ・・・（３）
本発明の一実施形態に係る検出値補正方法を用いる磁気測定装置の構成の一例を概念的に示す説明図である。 図１に示す磁気測定装置の動作の一例を示すフローチャートである。 係数ｋ２、－ｋ１、１、－ｋ１、ｋ２をグラフ化した説明図である。 係数ｋ２、－ｋ１、１、－ｋ１、ｋ２をグラフ化した説明図である。 係数ｋ２、－ｋ１、１、－ｋ１、ｋ２をグラフ化した説明図である。 係数ｋ２、－ｋ１、１、－ｋ１、ｋ２をグラフ化した説明図である。 本発明の一実施形態に係る係数算出方法の一例を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態に係る係数算出方法の一例を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態に係る検出値補正方法を用いるＸ線測定装置の構成の一例を概念的に示す説明図である。 本発明の一実施形態に係る検出値補正方法を適用可能なセンサの構成の一例を概念的に示す説明図である。
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。図１に示す磁気測定装置１は、本発明に係る検出値補正システムの一例に相当している。
図１に示す磁気測定装置１は、磁気センサアレイ２、電源３、複数の電圧測定部４、及び演算処理部５を備えている。磁気センサアレイ２は、アモルファスワイヤ２１と、１～１０のセンサ番号が付された複数のセンサＭ１～Ｍ１０（センサ）とを備えている。以下、センサＭ１～Ｍ１０を総称してセンサＭと称する。センサＭは、磁界の強度を検出する、いわゆるＭＩセンサ（磁気インピーダンスセンサ）である。
アモルファスワイヤ２１は、例えばＣｏＦｅＳｉＢ等の、線状の磁性導体である。アモルファスワイヤ２１は、例えば直径１００μｍ以下とされている。アモルファスワイヤ２１の外周には、例えばアクリル系樹脂の絶縁体層が形成されている。なお、アモルファスワイヤ２１に代えて、線状体に磁気異方性薄膜を被覆したもの、又は、Ｎｉ－Ｆｅ合金であるパーマロイ等のワイヤを採用することも可能である。
アモルファスワイヤ２１には、複数のコイルＬが、互いに予め設定された間隔ｄずつ離間して一列に巻回されている。アモルファスワイヤ２１と、その外周に巻回された一つのコイルＬとによって、一つのセンサＭが構成されている。図１では、一本のアモルファスワイヤ２１に、１０個のコイルＬが巻回されて、１０個のセンサＭ１～Ｍ１０が構成される例を示している。なお、センサＭの数は、１０に満たなくてもよく、１０を超えていてもよい。
アモルファスワイヤ２１の両端部には、電源３が接続されている。電源３は、演算処理部５からの制御信号に応じて、アモルファスワイヤ２１に、予め設定された電流値の電流をパルス状に出力する。
なお、必ずしも一本のアモルファスワイヤ２１に複数のコイルＬが巻回されて複数のセンサＭが構成される例に限らない。センサＭ毎にアモルファスワイヤ２１が分離されていてもよい。そして、分離された各アモルファスワイヤ２１に対して、それぞれ電源から電流を供給してもよい。しかしながら、一本のアモルファスワイヤ２１に複数のコイルＬを巻回することによって、各センサＭに流れる電流が等しくなる。その結果、各センサＭの検出値のバラツキが低減されるので、一本のアモルファスワイヤ２１に複数のコイルＬを巻回する構成がより好ましい。
電圧測定部４は、例えばアンプ、ピークホールド回路、及びアナログデジタルコンバータ等を用いて構成されている。各電圧測定部４は、センサＭ１～Ｍ１０における各コイルＬに誘起された電圧を測定し、その測定結果を示す信号をセンサＭ１～Ｍ１０の検出値Ｂ１～Ｂ１０として演算処理部５へ送信する。
演算処理部５は、例えば、所定の演算処理を実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）、データを一時的に記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）、所定の制御プログラム等を記憶するＨＤＤ（Hard Disk Drive）及び／又はフラッシュメモリ等の記憶部、及びこれらの周辺回路等を用いて構成されている。また、演算処理部５は、所定の制御プログラム等を実行することによって、検出処理部５１、補正処理部５２、及び係数算出処理部５３として機能する。
検出処理部５１は、各電圧測定部４の出力を、センサＭ１～Ｍ１０の検出値Ｂ１～Ｂ１０として取得する。
補正処理部５２は、センサＭ１～Ｍ１０のうち、補正対象となるセンサである注目センサＭｎの検出値Ｂｎを、少なくとも、当該注目センサＭｎと隣接する第一センサの検出値に基づいて補正する補正処理を実行する。補正処理部５２は、センサＭ１～Ｍ１０を順次注目センサＭｎとして補正処理を実行することによって、センサＭ１～Ｍ１０の検出値Ｂ１～Ｂ１０を補正する。補正処理部５２は、検出値Ｂ１～Ｂ１０を補正して、補正値Ｃ１～Ｃ１０を生成する。
係数算出処理部５３は、実験的に検出された検出値Ｂ１～Ｂ１０に基づいて、後述する係数ｋ１，ｋ２を算出する。
なお、検出値補正システムは、必ずしも複数のセンサと、補正処理部５２及び係数算出処理部５３とが、単一の装置として構成される例に限らない。例えば、磁気測定装置は、補正処理部５２及び係数算出処理部５３を備えていなくてもよい。そして、磁気測定装置とは別体の、例えばパーソナルコンピュータ等のコンピュータによって、補正処理部５２及び係数算出処理部５３を備える補正装置が構成されていてもよい。そして、磁気測定装置で検出された検出値Ｂ１～Ｂ１０を、補正装置で補正させる構成であってもよい。この場合、磁気測定装置と補正装置とによって検出値補正システムが構成される。
また、検出値補正システムは、必ずしも複数のセンサを備える必要はない。検出値補正システムは、補正処理部５２及び係数算出処理部５３を備えた補正装置であってもよい。また、検出値補正システムは、補正処理部５２を備える補正処理装置と、係数算出処理部５３を備える係数算出処理装置とによって構成されていてもよい。
また、磁気測定装置１は、補正処理部５２によって生成された補正値Ｃ１～Ｃ１０に基づいて測定対象物の検査を行う検査部をさらに備えた検査装置として構成されていてもよい。例えば、磁気測定装置１は、検査部が、例えば予め記憶部に記憶された基準値と補正値Ｃ１～Ｃ１０とを比較することによって、検査対象物の良否を判定したり、磁性を有する異物の混入を検出したりする検査装置であってもよい。より具体的には、磁気測定装置１は、電池表面の磁界を磁気センサアレイ２によって検出することによって、電池に混入した金属異物を検出する検査装置として構成されていてもよい。
次に、上述のように構成された磁気測定装置１の動作について説明する。まず、ユーザは、磁界を測定しようとする測定対象物に磁気センサアレイ２を近接対向させたり、磁界を測定したい場所に磁気センサアレイ２を配置させたりする。その後、磁気測定装置１の動作を開始させる。
図２を参照して、まず、検出処理部５１は、電源３によって、アモルファスワイヤ２１に、予め設定された電流値の電流をパルス状に流させる（ステップＳ１）。
電流による磁束は、アモルファスワイヤ２１の周囲に同心円状に発生する。コイルＬはアモルファスワイヤ２１の外周に巻回されているから、電流により生じる磁束とコイルＬの巻き線の向きは、略同一方向となる。コイルＬには、巻き線と交差する磁束が変化した場合に電磁誘導により電圧が発生する。しかしながら、電流により生じる磁束はコイルＬの巻き線と交差しないから、アモルファスワイヤ２１に流れた電流に対しては、コイルＬには電圧は発生しない。
一方、アモルファスワイヤ２１に電流が流れると、その電流が流れている期間、その電流により生じた磁界によって、アモルファスワイヤ２１内のスピンの向きが、アモルファスワイヤ２１と直交する方向に揃えられる。その後、パルスが立ち下がって電流がゼロになり、電流により生じた磁界が消失すると、アモルファスワイヤ２１の各スピンの向きは、外部磁界に応じた方向に向く。このように、アモルファスワイヤ２１と直交する方向から外部磁界に応じた方向にスピンが変化することで、外部磁界に応じた強度の磁束が発生する。このスピンの方向変化に伴う磁束にはコイルＬの巻き線と交差する方向の成分が含まれるから、スピンの方向変化に伴う磁束の変化に応じてコイルＬに電圧が発生する。
このようにして各コイルＬに発生した電圧は、センサＭ１～Ｍ１０の各位置における外部磁界の強度を表している。各電圧測定部４は、センサＭ１～Ｍ１０のコイルＬで発生したピーク電圧をそれぞれ測定する。各電圧測定部４は、その測定電圧を示す信号を、センサＭ１～Ｍ１０の検出値Ｂ１～Ｂ１０として演算処理部５へ出力する。
検出処理部５１は、各電圧測定部４によって測定された電圧を、検出値Ｂ１～Ｂ１０として取得する（ステップＳ２）。
ここで、センサＭ１～Ｍ１０の検出値Ｂ１～Ｂ１０には、他のセンサＭの影響による誤差が含まれている。例えば、センサＭ５のコイルＬは、センサＭ５の位置のアモルファスワイヤ２１におけるスピンで生じる磁束以外にも、センサＭ５と隣接するセンサＭ４，Ｍ６の位置のスピンで生じる磁束を検出する。また、センサＭ５のコイルＬは、さらに、それらセンサＭ４，Ｍ６に隣接するセンサＭ３，Ｍ７の位置のスピンで生じる磁束を検出するおそれもある。そのため、センサＭ１～Ｍ１０の検出値Ｂ１～Ｂ１０には、他のセンサＭの影響による誤差が含まれることになる。
そこで、補正処理部５２は、他のセンサＭの影響による誤差を低減するように、検出処理部５１により取得された検出値Ｂ１～Ｂ１０を補正する補正処理を実行する。下記のステップＳ３～Ｓ６が、補正処理の一例に相当する。
まず、補正処理部５２は、変数ｎを１に初期化する（ステップＳ３）。
次に、補正処理部５２は、補正対象となる注目センサＭｎの検出値をＢｎ、注目センサＭｎの一方の側に隣接する第一センサに相当するセンサＭ（ｎ＋１）の検出値をＢｎ＋１、注目センサＭｎの他方の側に隣接する第一センサに相当するセンサＭ（ｎ－１）の検出値をＢｎ－１、センサＭ（ｎ＋１）に対して注目センサＭｎと逆方向に隣接する第二センサに相当するセンサＭ（ｎ＋２）の検出値をＢｎ＋２、センサＭ（ｎ－１）に対して注目センサＭｎと逆方向に隣接する第二センサに相当するセンサＭ（ｎ－２）の検出値をＢｎ－２とした場合に、注目センサＭｎの検出値Ｂｎの補正値Ｃｎを、下記の式（１）に基づき算出する（ステップＳ４）。
Ｃｎ＝ｋ２Ｂｎ－２－ｋ１Ｂｎ－１＋Ｂｎ－ｋ１Ｂｎ＋１＋ｋ２Ｂｎ＋２ ・・・（１）
係数ｋ１（第一係数），及び係数ｋ２（第二係数）は、例えば後述する係数算出方法によって予め算出され、記憶部に記憶されている。
補正処理部５２は、ｎ＝１のときはＢｎ－１＝Ｂｎ－２＝０、ｎ＝２のときはＢｎ－２＝０、ｎ＝９のときはＢｎ＋２＝０、ｎ＝１０のときはＢｎ＋１＝Ｂｎ＋２＝０として、式（１）の計算を実行する。
式(1)によれば、注目センサの検出値に対して、第一係数を第一センサの検出値に乗じた値を加算し、第一係数より小さい第二係数を第二センサの検出値に対して乗じた値を減算することによって、注目センサであるセンサＭｎの検出値を補正することが出来る。
次に、補正処理部５２は、センサＭの数である１０と変数ｎとを比較する（ステップＳ５）。変数ｎが１０でなければ（ステップＳ５でＮＯ）、補正処理部５２は、変数ｎに１を加算し（ステップＳ６）、再びステップＳ４，Ｓ５を繰り返す。
一方、変数ｎが１０であれば（ステップＳ５でＹＥＳ）、補正値Ｃ１～Ｃ１０が算出され、全ての検出値を補正し終えたことになるから、補正処理部５２は補正処理を終了する。
次に、上述の式（１）によって、検出値Ｂ１～Ｂ１０を、他のセンサＭの影響による誤差を低減するように補正可能である理由について説明する。
センサＭｎの正しい検出値、すなわちセンサＭｎが他のセンサＭの影響を受けない場合の検出値をＡｎとし、センサＭｎが隣接するセンサＭ（ｎ－１），Ｍ（ｎ＋１）から受ける影響の度合いを数値化して示す係数をｋ１とし、センサＭｎがセンサＭ（ｎ－１），Ｍ（ｎ＋１）にさらに隣接するセンサＭ（ｎ－２），Ｍ（ｎ＋２）から受ける影響の度合いを数値化して示す係数を、後述する式（４）に従いｋ２＝ｋ１ ２とした場合、センサＭｎの検出値Ｂｎは、下記の式（Ａ）で表される。
Ｂｎ＝ｋ１ ２Ａｎ－２－ｋ１Ａｎ－１＋Ａｎ－ｋ１Ａｎ＋１＋ｋ１ ２Ａｎ＋２ ・・・（Ａ）
従って、上述の式（１）によって算出される補正値Ｃｎが正しければ、式（１）に式（Ａ）を代入すると、補正値Ｃｎ＝Ａｎとなるはずである。
そこで、式（１）に式（Ａ）を代入すると、下記となる。但し、ｋ２＝ｋ１ ２、０．５＜ｋ１＜１とする。
Ｃｎ＝ｋ１ ２Ｂｎ－２－ｋ１Ｂｎ－１＋Ｂｎ－ｋ１Ｂｎ＋１＋ｋ１ ２Ｂｎ＋２
＝ｋ１ ２（ｋ１ ２Ａｎ－４＋ｋ１Ａｎ－３＋Ａｎ－２＋ｋ１Ａｎ－１＋ｋ１ ２Ａｎ）
－ｋ１（ｋ１ ２Ａｎ－３＋ｋ１Ａｎ－２＋Ａｎ－１＋ｋ１Ａｎ＋ｋ１ ２Ａｎ＋１）
＋ｋ１ ２Ａｎ－２＋ｋ１Ａｎ－１＋Ａｎ＋ｋ１Ａｎ＋１＋ｋ１ ２Ａｎ＋２
－ｋ１（ｋ１ ２Ａｎ－１＋ｋ１Ａｎ＋Ａｎ＋１＋ｋ１Ａｎ＋２＋ｋ１ ２Ａｎ＋３）
＋ｋ１ ２（ｋ１ ２Ａｎ＋ｋ１Ａｎ＋１＋Ａｎ＋２＋ｋ１Ａｎ＋３＋ｋ１ ２Ａｎ＋４）
ここで、０．５＜ｋ１＜１であるから、ｋ１ ３≒ｋ１ ４は非常に小さい。
そこで、ｋ１ ３＝ｋ１ ４＝０と近似すると、
Ｃｎ＝ｋ１ ２Ａｎ－２
－ｋ１ ２（Ａｎ－２＋Ａｎ）－ｋ１Ａｎ－１
＋ｋ１ ２Ａｎ－２＋ｋ１Ａｎ－１＋Ａｎ＋ｋ１Ａｎ＋１＋ｋ１ ２Ａｎ＋２
－ｋ１ ２（Ａｎ＋Ａｎ＋２）－ｋ１Ａｎ＋１
＋ｋ１ ２Ａｎ＋２
＝ｋ１ ２（Ａｎ－２－２Ａｎ＋Ａｎ＋２）
＋ｋ１（－Ａｎ－１＋Ａｎ－１＋Ａｎ＋１－Ａｎ＋１）
＋Ａｎ
ここで、（－Ａｎ－１＋Ａｎ－１＋Ａｎ＋１－Ａｎ＋１）はゼロであるから、
Ｃｎ＝ｋ１ ２（Ａｎ－２－２Ａｎ＋Ａｎ＋２）＋Ａｎ ・・・（Ｂ）
となる。
さらに、本発明に係る検出値補正システム及び検出値補正方法は、センサの隣接ピッチを小さくすると、センサの検出精度が低下するおそれがあるという課題の解決を目的としている。そのため、磁界等の検出対象の物理量の空間的な拡がり範囲に対して、センサの隣接ピッチが充分に小さい。その結果、互いに隣接するセンサＭｎ，Ｍ（ｎ＋１）、又はセンサＭｎ，Ｍ（ｎ－１）の配置位置で、検出対象の物理量の差が、センサＭｎの位置での物理量であるＡｎの例えば１％以下になるように、センサの隣接ピッチが設定されている。
そうすると、Ａｎ＋２及びＡｎ－２は、センサＭｎの隣の隣のセンサ位置での磁界強度（物理量）であるから、センサＭｎの位置での磁界強度（物理量）との差は、１％＋１％＝２％程度である。従って、Ａｎ≒Ａｎ－２≒Ａｎ＋２と近似できるから、（Ａｎ－２－２Ａｎ＋Ａｎ＋２）≒０と近似できる。加えて、０．５＜ｋ１＜１であるから、ｋ１ ２（Ａｎ－２－２Ａｎ＋Ａｎ＋２）はさらにゼロに近くなり、ｋ１ ２（Ａｎ－２－２Ａｎ＋Ａｎ＋２）≒０と近似できるから、上記式（Ｂ）は、Ｃｎ≒Ａｎと近似できる。
従って、上述の式（１）によって算出される補正値Ｃｎは、センサＭｎが他のセンサＭの影響を受けない場合の正しい検出値Ａｎと近似できることがわかる。
従って、式（１）によって算出される補正値Ｃｎは、センサＭｎが他のセンサＭの影響を受けない場合の正しい検出値Ａｎと近似できるから、ステップＳ１～Ｓ６の処理により、全ての検出値Ｂ１～Ｂ１０を補正して補正値Ｃ１～Ｃ１０が得られる。従って、一列に配置された各センサＭの検出値を補正することが容易である。
次に、係数ｋ１，ｋ２について説明する。係数ｋ１，ｋ２は、センサＭの製造バラツキ等による感度の違い、各センサＭの間隔、磁気センサアレイ２から測定対象物までの距離等によって変化する。従って、例えば磁気センサアレイ２の製造後にその磁気センサアレイ２の係数ｋ１，ｋ２を算出して演算処理部５の記憶部に記憶させたり、あるいは磁気センサアレイ２を磁気測定装置１に取り付けた後に、その磁気センサアレイ２の係数ｋ１，ｋ２を算出して演算処理部５の記憶部に記憶させたりすることが好ましい。
上記式（１）において、Ｂｎ－２、Ｂｎ－１、Ｂｎ、Ｂｎ＋１、Ｂｎ＋２の係数は、符号も含めてｋ２、－ｋ１、１、－ｋ１、ｋ２となっており、この係数は一種のフィルタとして機能する。注目センサＭｎが、その左右のセンサＭから受ける影響度は略等しいので、検出値Ｂｎを中心に左右対称に係数が配置される。
図３はｋ１＝０．６、ｋ２＝０．１の場合、図４はｋ１＝０．７、ｋ２＝０．２の場合を示している。
係数ｋ１は、第一センサであるセンサＭ（ｎ＋１），Ｍ（ｎ－１）が、注目センサＭｎに対して与える影響の度合いを数値化して示している。係数ｋ２は、第二センサであるセンサＭ（ｎ＋２），Ｍ（ｎ－２）が、注目センサＭｎに対して与える影響の度合いを数値化して示している。センサＭ（ｎ＋２），Ｍ（ｎ－２）は、センサＭ（ｎ＋１），Ｍ（ｎ－１）よりも注目センサＭｎから離れているから、センサＭ（ｎ＋２），Ｍ（ｎ－２）が注目センサＭｎに対して与える影響は、センサＭ（ｎ＋１），Ｍ（ｎ－１）が注目センサＭｎに対して与える影響より小さい。従って、係数ｋ２が表す影響は、係数ｋ１が表す影響よりも小さくなるから、ｋ１＞ｋ２となる。
影響とは、エネルギーに他ならない。例えば、あるセンサＭが他のセンサＭに影響を与えた場合、影響を与えたセンサから影響を受けたセンサへエネルギーが移動したことになる。
従って、図３，図４の係数を表すバーは、他から受けたエネルギーをプラス、他に与えたエネルギーをマイナスとして、エネルギーのやりとりを表しているとみなすことができる。このようなエネルギーのやりとりがあったとしても、エネルギーの総量は変化しないから、ｋ２、－ｋ１、１、－ｋ１、ｋ２の合計は略ゼロとなる。すなわち、係数ｋ２の合計に１を加算した値から、係数ｋ１の合計を減算した値が略ゼロとなる。
その結果、図３、図４におけるプラスの値の合計と、マイナスの値の合計とは等しくなる。従って、プラスの係数ｋ２，１，ｋ２と、マイナスの係数ｋ１，ｋ１とから、下記の式（５）が得られる。
ｋ２＋１＋ｋ２＝ｋ１＋ｋ１＝２ｋ１
２ｋ２＋１＝２ｋ１
２ｋ２＝２ｋ１－１
ｋ２＝ｋ１－１／２ ・・・（５）
図５は、係数ｋ１が１の場合を示している。
係数ｋ１が１を超えると、注目センサＭｎから出るエネルギーよりも隣接する両側のセンサＭが受け取るエネルギーの方が大きくなって矛盾する。従って、ｋ１＜１となる。
図６は、係数ｋ１が０．５の場合を示している。係数ｋ１が０．５の場合、式（５）から係数ｋ２は０になり、係数ｋ２が消えてしまう。従って、係数ｋ１の範囲は、０．５＜ｋ１＜１となる。
なお、係数ｋ１と、係数ｋ２との関係は、必ずしも式（５）で表される例に限らない。係数ｋ１と係数ｋ２との関係式は、使用するセンサの特性に応じて適宜設定される。例えば、注目センサから離れるにつれて、その離れたセンサが注目センサに与える影響が急激に小さくなる特性を有するセンサの場合、下記の式（４）の関係式が適している。
ｋ２＝ｋ１ ２ ・・・（４）
また、例えば、注目センサからの距離の二乗に反比例して影響が小さくなる特性を有するセンサの場合、下記の式（６）の関係式が適している。
ｋ２＝ｋ１／４ ・・・（６）
次に、本発明の一実施形態に係る係数算出方法について図７、図８を参照しつつ説明する。まず、例えばユーザが、磁石をＱ個のセンサＭ１～ＭＱの一部、例えばセンサＭ５付近に配置する。これにより、センサＭ１～ＭＱに対して、不均一な磁界が印加される（ステップＳ１０１）。図１に示す例では、Ｑ＝１０である。センサＭ１～ＭＱに印加される磁界は、各センサＭで検出される検出値の差がなるべく大きくなるように、センサＭ１～ＭＱの各位置に対する変化が大きいことが好ましい。センサＭ１～ＭＱはセンサ１～Ｑに相当している。
センサＭ１～ＭＱに対して不均一な磁界が印加された状態で、係数算出処理部５３は、センサＭ１～ＭＱの検出値Ｂ１～ＢＱを取得する（ステップＳ１０２：工程（ａ））。
次に、係数算出処理部５３は、仮に、係数ｋ１＝０．５１とする（ステップＳ１０３）。次に、係数算出処理部５３は、初期値としてセンサ番号Ｘを３とする（ステップＳ１０４）。次に、係数算出処理部５３は、センサＭＸの検出値をＢＸ、センサＭＸの一方の側に隣接するセンサＭ（Ｘ＋１）の検出値をＢＸ＋１、センサＭＸの他方の側に隣接するセンサＭ（Ｘ－１）の検出値をＢＸ－１、センサＭ（Ｘ＋１）に対してセンサＭＸと逆方向に隣接するセンサＭ（Ｘ＋２）の検出値をＢＸ＋２、センサＭ（Ｘ－１）に対してセンサＭＸと逆方向に隣接するセンサＭ（Ｘ－２）の検出値をＢＸ－２とし、下記の式（２）及び上述の式（５）に基づき、値Ｄ（Ｘ）を算出する（ステップＳ１０５：工程（ｂ１））。
Ｄ（Ｘ）＝ｋ２ＢＸ－２－ｋ１ＢＸ－１＋ＢＸ－ｋ１ＢＸ＋１＋ｋ２ＢＸ＋２ ・・・（２）
なお、ステップＳ１０５において、係数ｋ１から係数ｋ２を求めるために、式（５）の代わりに、式（４）を用いてもよく、式（６）を用いてもよい。あるいは、例えば実験的に求められた、式（４）～（６）以外の関係式を用いて係数ｋ１から係数ｋ２を求めてもよい。
次に、係数算出処理部５３は、センサ番号ＸとＱ－２とを比較する（ステップＳ１０６）。センサ番号ＸがＱ－２と等しくなければ（ステップＳ１０６でＮＯ）、係数算出処理部５３は、センサ番号Ｘに１を加算して（ステップＳ１０７）、再びステップＳ１０５，Ｓ１０６を繰り返す。
一方、センサ番号ＸがＱ－２と等しければ（ステップＳ１０６でＹＥＳ）、値Ｄ（３）～Ｄ（Ｑ－２）を算出し終えたことになるから、係数算出処理部５３は、ステップＳ１０８へ処理を移行する。
ステップＳ１０８において、係数算出処理部５３は、値Ｄ（３）～Ｄ（Ｑ－２）のうち、隣り合うセンサＭｎ及びセンサＭ（ｎ－１）の値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）の差の二乗が最大となる値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）を探索し、当該最大となる値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）の差の二乗をＭＡＸ［｛Ｄ（ｎ）－Ｄ（ｎ－１）｝２］として算出する（ステップＳ１０８：工程（ｂ２））。ｎは、４～（Ｑ－２）の整数である。
ステップＳ１０８によれば、隣り合うセンサＭ相互間の検出値Ｂの差が、最も大きいセンサＭｎとセンサＭ（ｎ－１）とを探し出したことになる。
次に、係数算出処理部５３は、値Ｄ（３）～Ｄ（Ｑ－２）のうち、隣り合うセンサＭｍ及びセンサＭ（ｍ－１）の値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）の差の二乗が最小となる値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）を探索し、当該最小となる値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）の差の二乗をＭＩＮ［｛Ｄ（ｍ）－Ｄ（ｍ－１）｝２］として算出する（ステップＳ１０９：工程（ｂ３））。ｍは、４～（Ｑ－２）の整数である。
ステップＳ１０９によれば、隣り合うセンサＭ相互間の検出値Ｂの差が、最も小さいセンサＭｍとセンサＭ（ｍ－１）とを探し出したことになる。
次に、係数算出処理部５３は、下記の式（３）に基づいて、評価値Ｕ（ｋ１）を算出する（ステップＳ１１０：工程（ｂ４））。
Ｕ（ｋ１）＝ＭＡＸ［｛Ｄ（ｎ）－Ｄ（ｎ－１）｝２］－ＭＩＮ［｛Ｄ（ｍ）－Ｄ（ｍ－１）｝２］ ・・・（３）
評価値Ｕ（ｋ１）は、ステップＳ１０３又はＳ１１２で設定した係数ｋ１のときに、隣り合うセンサＭ相互間の検出値Ｂの差が最も大きいセンサＭｎとセンサＭ（ｎ－１）とについて、それぞれの検出値Ｂを式（１）で補正した値の差の二乗であるＭＡＸ［｛Ｄ（ｎ）－Ｄ（ｎ－１）｝２］と、隣り合うセンサＭ相互間の検出値Ｂの差が最も小さいセンサＭｍとセンサＭ（ｍ－１）とについて、それぞれの検出値Ｂを式（１）で補正した値の差の二乗であるＭＩＮ［｛Ｄ（ｍ）－Ｄ（ｍ－１）｝２］との差である。
言い換えると、評価値Ｕ（ｋ１）は、磁気センサアレイ２に対して印加された不均一な磁界に対して、仮の係数ｋ１のときに、隣接するセンサＭ間で検出値Ｂの補正値の差が最も大きくなったその補正値の差と、隣接するセンサＭ間で検出値Ｂの補正値の差が最も小さくなったその補正値の差との差を表している。
すなわち、評価値Ｕ（ｋ１）が大きいほど、その係数ｋ１のときに得られる補正値が、位置に対する変化が大きい部分と小さい部分とで差が大きくなるような値が得られることを意味する。
評価値Ｕ（ｋ１）は、係数ｋ１が、センサＭが隣接する他のセンサＭに与える影響を正しく表しているほど、磁気センサアレイ２に対して印加された磁界の不均一さが正しく評価値Ｕ（ｋ１）に現れる結果、評価値Ｕ（ｋ１）が大きな値になる。一方、係数ｋ１が、センサＭが隣接する他のセンサＭに与える影響と乖離しているほど、磁気センサアレイ２に対して印加された磁界の不均一さが拡散されて、評価値Ｕ（ｋ１）が小さな値になる。
従って、ステップＳ１０３～Ｓ１２３に記載の処理は、係数ｋ１を変化させながら、評価値Ｕ（ｋ１）を算出し、最も大きな評価値Ｕ（ｋ１）が得られたときの係数ｋ１を、センサＭが隣接する他のセンサＭに与える影響を最も正確に表した係数ｋ１、すなわち正しい係数ｋ１として取得するものである。
次に、係数算出処理部５３は、係数ｋ１と０．９９とを比較する。係数ｋ１と０．９９とが等しくなければ（ステップＳ１１１でＮＯ）、係数算出処理部５３は、係数ｋ１に０．０１を加算して再びステップＳ１０４～Ｓ１１１を繰り返す。一方、係数ｋ１と０．９９とが等しければ（ステップＳ１１１でＹＥＳ）、複数の評価値Ｕ（０．５１），Ｕ（０．５２），Ｕ（０．５３），・・・，Ｕ（０．９９）を算出し終えたことになるから、ステップＳ１２１へ移行する。
なお、ステップＳ１１２は、複数の係数ｋ１に対して互いに異なる値を設定できればよく、必ずしも０．０１ずつ異なる値にする必要はない。ステップＳ１１２で加算する値、すなわち異ならせる値は、小さくするほど係数ｋ１を求める精度が向上する一方、演算処理量が増大する。従って、ステップＳ１１２で加算する値は、精度と処理量とを勘案して適宜設定すればよい。
ステップＳ１２１において、係数算出処理部５３は、評価値Ｕ（０．５１）～Ｕ（０．９９）の中から、最大の評価値Ｕ（ｋ１）を探索する（ステップＳ１２１）。次に、係数算出処理部５３は、最大の評価値Ｕ（ｋ１）に対応する係数ｋ１を補正処理用の係数ｋ１として取得する（ステップＳ１２２）。例えば、評価値Ｕ（０．７７）が最大で有った場合、０．７７が正しい係数ｋ１であると推定できるので、係数算出処理部５３は、補正処理用の係数ｋ１＝０．７７とする。この係数ｋ１が、上述のステップＳ４で用いられる。
次に、係数算出処理部５３は、ステップＳ１０５で用いられたのと同じ関係式、例えば式（５）を用いて、最大の評価値Ｕ（ｋ１）に対応する係数ｋ１から補正処理用の係数ｋ２を算出する（ステップＳ１２３）。例えば、係数ｋ１＝０．７７であった場合、係数ｋ１＝０．７７を式（５）に代入すると、係数ｋ２＝０．２７となる。
以上、ステップＳ１０１～Ｓ１２３の処理により、係数ｋ１，ｋ２を算出することができる。
なお、係数ｋ１，ｋ２は、必ずしも上述の係数算出方法によって算出される例に限らない。係数ｋ１，ｋ２は、注目センサに対して他のセンサが与える影響を示す値であるから、例えば実験的に、注目センサ単独で他のセンサの影響を受けない状態での検出値Ａを測定し、注目センサと第一センサのみによって第二センサの影響を受けない状態での注目センサの検出値Ｂ及び第一センサの検出値Ｃを測定し、さらに実際に用いられる構成と同じように注目センサ、第一センサ、及び第二センサによって検出された検出値Ｄ，Ｅ，Ｆを測定し、検出値Ａ～Ｆに基づいて、係数ｋ１，ｋ２を求めてもよい。
すなわち、検出値Ｄを検出値Ｂｎとし、検出値Ｅを検出値Ｂｎ＋１，Ｂｎ－１とし、検出値Ｆを検出値Ｂｎ＋２，Ｂｎ－２として式（１）に代入し、検出値Ａと略等しい補正値Ｃｎが得られるように、係数ｋ１，ｋ２を求めてもよい。
このように、他のセンサの影響を受けない状態で測定を行うためには、例えば図１に示すセンサＭ１～Ｍ１０を、センサ毎に分離されたアモルファスワイヤで構成し、このように分離されたセンサを用いて、上述の実験的な測定を行えばよい。後述する図９に示すセンサＥ１～Ｅ１０の場合は、シンチレータＳＣをセンサ毎に分離し、必要なセンサのみを配置して上述の実験的な測定を行えばよい。後述する図１０に示すセンサＦ１～ＦＱの場合は、必要なセンサのみを流体内に配置して上述の実験的な測定を行えばよい。
しかしながら、係数ｋ１，ｋ２は、各センサ間の距離、各センサの特性バラツキ等の影響を受ける。そのため、実際に測定に用いられるセンサの組み立て精度による距離の変化や、センサ特性のバラツキのため、上述のように各センサをバラバラにした状態で実験的な測定により係数ｋ１，ｋ２を得ると、係数の精度が低下するおそれがある。
一方、上述の係数算出方法によれば、実際の測定に用いるセンサが組み立てられた状態で、係数ｋ１，ｋ２を算出することができるので、係数ｋ１，ｋ２の精度を向上することが容易である。従って、係数算出方法を用いて係数ｋ１，ｋ２を算出することがより好ましい。
図９に示すＸ線測定装置１ａは、図１に示す磁気測定装置１とは、センサＭ１～Ｍ１０の代わりにセンサＥ１～Ｅ１０を備える点で異なる。Ｘ線測定装置１ａは、その他の点では磁気測定装置１と同様に構成されているのでその説明を省略し、以下、Ｘ線測定装置１ａの特徴的な点について説明する。
Ｘ線測定装置１ａは、一列に配列された複数のフォトダイオードＰＤと、Ｘ線により発光する蛍光板であるシンチレータＳＣとを備えている。複数のフォトダイオードＰＤは、シンチレータＳＣに対して対向配置されている。そして、各フォトダイオードＰＤと、シンチレータＳＣの各フォトダイオードＰＤに対向する部分とから、センサＥ１～Ｅ１０が構成されている。このように一列に配列されたセンサＥ１～Ｅ１０から、Ｘ線センサアレイ２ａが構成されている。
測定対象のＸ線がシンチレータＳＣに当たると、シンチレータＳＣがそのＸ線強度に応じた発光量で発光する。シンチレータＳＣの発光は、その発光位置と対応する位置に配置されたフォトダイオードＰＤによって検出され、その発光量に応じた電圧が、そのフォトダイオードＰＤから出力される。
例えば図９に示すＸ線１００がセンサＥ５のシンチレータＳＣに当たってシンチレータＳＣが発光すると、その光は、センサＥ５のフォトダイオードＰＤのみならず、その周辺のセンサＥ４，Ｅ６等でも検出されるおそれがある。すなわち、センサＥ１～Ｅ１０は、Ｘ線（物理量）を検出する際に、センサＥ１～Ｅ１０周辺の他のセンサの検出値Ｂに対して影響を与えるセンサの一例に相当している。
各電圧測定部４は、センサＥ１～Ｅ１０における各フォトダイオードＰＤの出力電圧を測定し、その測定結果を示す信号をセンサＥ１～Ｅ１０の検出値Ｂ１～Ｂ１０として演算処理部５へ送信する。
演算処理部５は、センサＥ１～Ｅ１０の検出値Ｂ１～Ｂ１０に基づいて図１に示す演算処理部５と同様に動作する。具体的には、ステップＳ１０１でセンサＥ１～Ｅ１０に不均一なＸ線を照射する点を除いて上述と同様の係数算出方法を実行する。また、ステップＳ１を除く検出値補正方法を実行する。これにより、各センサＥ１～Ｅ１０の検出値Ｂ１～Ｂ１０を補正することが容易となる。
図１０は、本発明の一実施形態に係る検出値補正方法を適用可能なセンサの構成の一例を概念的に示す説明図である。図１０に示すＱ個のセンサＦ１～ＦＱは、流体の流量又は流速を測定する流量センサである。センサＦ１～ＦＱは、例えば電磁式流量計、カルマン渦式流量計、羽根車式流量計、浮き子式流量計、熱式流量計、ダイヤフラム式流量計、超音波式流量計、コリオリ式流量計等として知られている種々の流量計であってもよい。
図１０に示す例では、川Ｒの中に、流体である川の水の流れる方向に対して交差する方向に列が延びるように、センサＦ１～ＦＱが一列に配置されている。以下、センサＦ１～ＦＱを総称してセンサＦと称する。
川Ｒの川岸には、演算処理部５が、例えば図略の筐体に収容されて設置されている。センサＦ１～ＦＱは、各センサの設置位置における流量又は流速を測定し、その検出値Ｂ１～Ｂ１０を、図略の有線又は無線通信回路を用いて演算処理部５へ送信する。
演算処理部５は、センサＦ１～ＦＱの検出値Ｂ１～ＢＱに基づいて図１に示す演算処理部５と同様に動作する。具体的には、ステップＳ１０１でセンサＦ１～ＦＱに不均一な水量を流す点を除いて上述と同様の係数算出方法を実行する。また、ステップＳ１を除く検出値補正方法を実行する。これにより、各センサＦ１～ＦＱの検出値Ｂ１～ＢＱを補正することが容易となる。センサＦ１～ＦＱ及び演算処理部５によって、検出値補正システムの一例である流量測定システム１ｂが構成されている。
川Ｒの流れは、センサＦ１～ＦＱにぶつかると、図１０に矢印で示すように、その流れが乱れる。川の流れの乱れは、隣接するセンサＦで測定される流れにも影響を与える。すなわち、センサＦ１～ＦＱは、流体の流量又は流速（物理量）を検出する際に、各センサＦ周辺の他のセンサＦの検出値Ｂに対して影響を与える。演算処理部５は、このようなセンサＦの検出値Ｂを容易に補正することができる。
なお、式（１）に基づいて、注目センサであるセンサＭｎの検出値を補正する例を示したが、必ずしも式（１）を用いる例に限らない。
また、補正処理は、注目センサの検出値を、求められる補正精度に応じて、第一及び第二センサの検出値と、第一及び第二係数とに基づいて補正すればよく、例えば第一及び第二センサの検出値、第一及び第二係数以外のパラメータをさらに加味して補正を行ってもよい。
補正処理は、少なくとも第一センサの検出値に基づいて補正を行えばよく、求められる補正精度に応じて、例えば第一センサの検出値のみに基づいて補正を行ってもよく、第一センサの検出値と第一係数のみに基づいて補正を行ってもよく、第一及び第二センサの検出値と第一係数のみに基づいて補正を行ってもよく、第一及び第二センサの検出値と第二係数のみに基づいて補正を行ってもよい。
また、注目センサの両側に、第一センサが二つ設けられ、さらにその外側両側に、第二センサが二つ設けられる例を示したが、第一及び第二センサは、注目センサの片側に一つずつ設けられる構成であってもよい。第一及び第二センサが注目センサの片側に一つずつ設けられる構成であっても、ある程度の補正効果は得られる。
すなわち、本発明の一例に係る検出値補正システムは、一列に配置された、物理量を検出する複数のセンサの検出値を補正する検出値補正システムであって、前記複数のセンサのうち、補正対象となるセンサである注目センサの検出値を、少なくとも当該注目センサと隣接する第一センサの検出値に基づいて補正する補正処理を実行する補正処理部を備える。
また、本発明の一例に係る検出値補正方法は、一列に配置された、物理量を検出する複数のセンサの検出値を補正する検出値補正方法であって、前記複数のセンサのうち、補正対象となるセンサである注目センサの検出値を、少なくとも当該注目センサと隣接する第一センサの検出値に基づいて補正する補正処理を実行する。
この構成によれば、複数のセンサが一列に配置されている場合において、補正対象となるセンサである注目センサの検出値が、当該注目センサと隣接する第一センサの検出値に基づいて補正されるので、第一センサが注目センサに及ぼす影響を低減するように補正することが可能となる。従って、一列に配置された各センサの検出値を補正することが容易となる。
また、前記補正処理は、さらに、前記注目センサに対して前記第一センサが与える影響を表す第一係数に基づいて前記注目センサの検出値を補正することが好ましい。
この構成によれば、第一センサの検出値と、注目センサに対して第一センサが与える影響を表す第一係数とに基づいて注目センサの検出値が補正されるので、補正精度を向上させることが容易である。
また、前記補正処理は、さらに、前記第一センサに対して前記注目センサと逆方向に隣接する第二センサの検出値に基づいて前記注目センサの検出値を補正することが好ましい。
この構成によれば、注目センサの検出値を、第一センサのみならず、第二センサが注目センサに与える影響を低減するように補正することが可能となる。
また、前記補正処理は、さらに、前記注目センサに対して前記第二センサが与える影響を表す第二係数に基づいて前記注目センサの検出値を補正し、前記第二係数は、前記第一係数よりも小さいことが望ましい。
この構成によれば、さらに、注目センサに対して第二センサが与える影響を表す第二係数を加味して注目センサの検出値が補正されるので、補正精度を向上させることが容易である。
また、前記補正処理は、前記注目センサの検出値をＢｎ、前記注目センサの一方の側に隣接する第一センサの検出値をＢｎ＋１、前記注目センサの他方の側に隣接する第一センサの検出値をＢｎ－１、前記注目センサの一方の側に隣接する第一センサに対して前記注目センサと逆方向に隣接する第二センサの検出値をＢｎ＋２、前記注目センサの他方の側に隣接する第一センサに対して前記注目センサと逆方向に隣接する第二センサの検出値をＢｎ－２、前記第一係数をｋ１、前記第二係数をｋ２とした場合に、前記注目センサの検出値の補正値Ｃｎを、下記の式（１）に基づき算出する処理であることが好ましい。
Ｃｎ＝ｋ２Ｂｎ－２－ｋ１Ｂｎ－１＋Ｂｎ－ｋ１Ｂｎ＋１＋ｋ２Ｂｎ＋２ ・・・（１）
この構成によれば、式（１）を用いた数値演算によって、注目センサの検出値を補正することができる。
また、（ａ）前記一列に配置された複数のセンサに対して前記物理量が付与された状態で、前記各センサの検出値を取得する工程と、（ｂ）複数の前記第一係数ｋ１に対して互いに異なる値を仮に付与し、当該仮の値が付与された前記第一係数ｋ１のそれぞれに対応して、（ｂ１）前記複数のセンサに追い番を付してセンサ１～Ｑとし、センサ１～Ｑのうち任意のＸ番のセンサＸの検出値をＢＸ、前記センサＸの一方の側に隣接するＸ＋１番のセンサ（Ｘ＋１）の検出値をＢＸ＋１、前記センサＸの他方の側に隣接するＸ－１番のセンサ（Ｘ－１）の検出値をＢＸ－１、前記センサ（Ｘ＋１）に対して前記センサＸと逆方向に隣接するＸ＋２番のセンサ（Ｘ＋２）の検出値をＢＸ＋２、前記センサ（Ｘ－１）に対して前記センサＸと逆方向に隣接するＸ－２番のセンサ（Ｘ－２）の検出値をＢＸ－２、前記第二係数をｋ２とし、Ｘが３～（Ｑ－２）の場合について、下記の式（２）に基づいて値ＤＸを算出し、（ｂ２）前記（ｂ１）工程で算出された値Ｄ（３）～Ｄ（Ｑ－２）のうち、４～（Ｑ－２）の整数であるｎについて、隣り合うセンサｎ及びセンサ（ｎ－１）の値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）の差の二乗が最大となる値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）を探索し、当該最大となる値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）の差の二乗をＭＡＸ［｛Ｄ（ｎ）－Ｄ（ｎ－１）｝２］として算出し、（ｂ３）前記（ｂ１）工程で算出された値Ｄ（３）～Ｄ（Ｑ－２）のうち、４～（Ｑ－２）の整数であるｍについて、隣り合うセンサｍ及びセンサ（ｍ－１）の値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）の差の二乗が最小となる値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）を探索し、当該最小となる値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）の差の二乗をＭＩＮ［｛Ｄ（ｍ）－Ｄ（ｍ－１）｝２］として算出し、（ｂ４）下記の式（３）に基づいて、複数の前記第一係数ｋ１の値に対応する複数の評価値Ｕ（ｋ１）を算出する工程と、（ｃ）前記複数の評価値Ｕ（ｋ１）のうち、最大の評価値Ｕ（ｋ１）を探索し、当該最大の評価値Ｕ（ｋ１）に対応する第一係数ｋ１と、その第一係数ｋ１から得られた第二係数ｋ２とを、前記補正処理で用いるための前記第一係数及び前記第二係数として確定する工程とを実行する係数算出処理部をさらに備えることが好ましい。
Ｄ（Ｘ）＝ｋ２ＢＸ－２－ｋ１ＢＸ－１＋ＢＸ－ｋ１ＢＸ＋１＋ｋ２ＢＸ＋２ ・・・（２）
Ｕ（ｋ１）＝ＭＡＸ［｛Ｄ（ｎ）－Ｄ（ｎ－１）｝２］－ＭＩＮ［｛Ｄ（ｍ）－Ｄ（ｍ－１）｝２］ ・・・（３）
この構成によれば、上述の補正処理に適した第一係数ｋ１と、第二係数ｋ２とを算出することができる。
また、前記第二係数ｋ２は、下記の式（４）に基づき得られることが好ましい。
ｋ２＝ｋ１ ２ ・・・（４）
この構成によれば、注目センサから離れるにつれて、その離れたセンサが注目センサに与える影響が急激に小さくなる場合に適した第二係数ｋ２を得ることができる。
また、前記第二係数ｋ２は、下記の式（５）に基づき得られるものであってもよい。
ｋ２＝ｋ１－１／２ ・・・（５）
第一係数ｋ１と第二係数ｋ２とは、センサ間の影響を表しており、影響とはエネルギーのやりとりに他ならない。この構成によれば、注目センサ、第一センサ、及び第二センサ相互間でエネルギーのやりとりがなされ、これらのセンサ全体のエネルギーが一定である場合に適した第二係数ｋ２を得ることができる。
また、前記第二係数ｋ２は、下記の式（６）に基づき得られるものであってもよい。
ｋ２＝ｋ１／４ ・・・（６）
この構成によれば、注目センサからの距離の二乗に反比例して影響が小さくなる場合に適した第二係数ｋ２を得ることができる。
また、前記第一係数ｋ１は０．５より大きく、１より小さいことが好ましい。
この構成によれば、第一係数ｋ１を適切な値とすることが容易である。
また、前記各センサは、前記物理量を検出する際に、当該各センサ周辺の他のセンサの検出値に対して影響を与えるものであってもよい。
上述の補正処理によれば、このようなセンサの検出値を補正することが容易である。
また、前記物理量は磁界であり、前記各センサはＭＩセンサであってもよい。
上述の補正処理によれば、このようなＭＩセンサの検出値を補正することが容易である。
また、前記物理量はＸ線であり、前記各センサは、前記Ｘ線により発光する蛍光板と、前記蛍光板の発光を検出する光センサとを備えるＸ線センサであってもよい。
上述の補正処理によれば、このようなＸ線センサの検出値を補正することが容易である。
また、前記物理量は流体の流量又は流速であり、前記各センサは、前記流体の流れる方向に対して交差する方向に前記列が延びるように配置されていてもよい。
上述の補正処理によれば、このようなセンサの検出値を補正することが容易である。
また、前記複数のセンサをさらに備えることが好ましい。
この構成によれば、上述の検出値補正システムは、上述の物理量の検出と補正とを行うことができる。
また、本発明の一例に係る係数算出方法は、一列に配置された、物理量を検出する複数のセンサのうちの一つについて、そのセンサに対して当該センサと隣接する第一センサが与える影響を表す第一係数ｋ１と、前記第一センサに対して前記一つのセンサと逆方向に隣接する第二センサが与える影響を表す第二係数ｋ２とを算出する係数算出方法であって、（ａ）前記一列に配置された複数のセンサに対して不均一に前記物理量が付与された状態で、前記各センサの検出値を取得する工程と、（ｂ）複数の前記第一係数ｋ１に対して互いに異なる値を仮に付与し、当該仮の値が付与された前記第一係数ｋ１のそれぞれに対応して、（ｂ１）前記複数のセンサに追い番を付してセンサ１～Ｑとし、センサ１～Ｑのうち任意のＸ番のセンサＸの検出値をＢＸ、前記センサＸの一方の側に隣接するＸ＋１番のセンサ（Ｘ＋１）の検出値をＢＸ＋１、前記センサＸの他方の側に隣接するＸ－１番のセンサ（Ｘ－１）の検出値をＢＸ－１、前記センサ（Ｘ＋１）に対して前記センサＸと逆方向に隣接するＸ＋２番のセンサ（Ｘ＋２）の検出値をＢＸ＋２、前記センサ（Ｘ－１）に対して前記センサＸと逆方向に隣接するＸ－２番のセンサ（Ｘ－２）の検出値をＢＸ－２、前記第二係数をｋ２とし、Ｘが３～（Ｑ－２）の場合について、下記の式（２）に基づいて値ＤＸを算出し、（ｂ２）前記（ｂ１）工程で算出された値Ｄ（３）～Ｄ（Ｑ－２）のうち、４～（Ｑ－２）の整数であるｎについて、隣り合うセンサｎ及びセンサ（ｎ－１）の値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）の差の二乗が最大となる値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）を探索し、当該最大となる値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）の差の二乗をＭＡＸ［｛Ｄ（ｎ）－Ｄ（ｎ－１）｝２］として算出し、（ｂ３）前記（ｂ１）工程で算出された値Ｄ（３）～Ｄ（Ｑ－２）のうち、４～（Ｑ－２）の整数であるｍについて、隣り合うセンサｍ及びセンサ（ｍ－１）の値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）の差の二乗が最小となる値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）を探索し、当該最小となる値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）の差の二乗をＭＩＮ［｛Ｄ（ｍ）－Ｄ（ｍ－１）｝２］として算出し、（ｂ４）下記の式（３）に基づいて、複数の前記係数ｋ１の値に対応する複数の評価値Ｕ（ｋ１）を算出する工程と、（ｃ）前記複数の評価値Ｕ（ｋ１）のうち、最大の評価値Ｕ（ｋ１）を探索し、当該最大の評価値Ｕ（ｋ１）に対応する第一係数ｋ１と、その第一係数ｋ１から得られた第二係数ｋ２とを、前記補正処理で用いるための前記第一係数及び前記第二係数として確定する工程とを含む。
Ｄ（Ｘ）＝ｋ２ＢＸ－２－ｋ１ＢＸ－１＋ＢＸ－ｋ１ＢＸ＋１＋ｋ２ＢＸ＋２ ・・・（２）
Ｕ（ｋ１）＝ＭＡＸ［｛Ｄ（ｎ）－Ｄ（ｎ－１）｝２］－ＭＩＮ［｛Ｄ（ｍ）－Ｄ（ｍ－１）｝２］ ・・・（３）
この構成によれば、上述の補正処理に適した第一係数ｋ１と、第二係数ｋ２とを算出することができる。
また、上述の検出値補正方法において、前記補正処理は、さらに、前記第一センサに対して前記注目センサと逆方向に隣接する第二センサの検出値と前記注目センサに対して前記第二センサが与える影響を表す第二係数とに基づいて、前記注目センサの検出値をＢｎ、前記注目センサの一方の側に隣接する第一センサの検出値をＢｎ＋１、前記注目センサの他方の側に隣接する第一センサの検出値をＢｎ－１、前記注目センサの一方の側に隣接する第一センサに対して前記注目センサと逆方向に隣接する第二センサの検出値をＢｎ＋２、前記注目センサの他方の側に隣接する第一センサに対して前記注目センサと逆方向に隣接する第二センサの検出値をＢｎ－２、前記第一係数をｋ１、前記第二係数をｋ２とした場合に、前記注目センサの検出値の補正値Ｃｎを、下記の式（１）に基づき算出することが好ましい。
Ｃｎ＝ｋ２Ｂｎ－２－ｋ１Ｂｎ－１＋Ｂｎ－ｋ１Ｂｎ＋１＋ｋ２Ｂｎ＋２ ・・・（１）
この構成によれば、式（１）を用いた数値演算によって、注目センサの検出値を補正することができる。
このような検出値補正システム、及び検出値補正方法は、複数のセンサが一列に配置されている場合であっても、各センサの検出値を補正することが容易である。また、このような係数算出方法は、上記検出値補正システム、及び検出値補正方法における補正処理に適した係数を算出することができる。
この出願は、２０１９年３月１３日に出願された日本国特許出願特願２０１９－０４５７８０を基礎とするものであり、その内容は、本願に含まれるものである。なお、発明を実施するための形態の項においてなされた具体的な実施態様又は実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、本発明は、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではない。
１ 磁気測定装置（検出値補正システム）
１ａ Ｘ線測定装置（検出値補正システム）
１ｂ 流量測定システム（検出値補正システム）
２ 磁気センサアレイ
２ａ Ｘ線センサアレイ
３ 電源
４ 電圧測定部
５ 演算処理部
２１ アモルファスワイヤ
５１ 検出処理部
５２ 補正処理部
５３ 係数算出処理部
Ａ，Ｂ，Ｂ１～Ｂ１０，Ｂｎ，ＢＱ 検出値
Ｃ１～Ｃ１０，Ｃｎ 補正値
Ｅ１～Ｅ１０，Ｆ，Ｆ１～ＦＱ，Ｍ ，Ｍ１～Ｍ１０ センサ
Ｌ コイル
ＰＤ フォトダイオード
Ｒ 川
ＳＣ シンチレータ
Ｕ 評価値
Ｘ センサ番号
ｄ 間隔
ｋ１ 係数（第一係数）
ｋ２ 係数（第二係数）

Claims (17)

  1. 一列に配置された、物理量を検出する複数のセンサの検出値を補正する検出値補正システムであって、
    前記複数のセンサのうち、補正対象となるセンサである注目センサの検出値を、少なくとも当該注目センサと隣接する第一センサの検出値に基づいて補正する補正処理を実行する補正処理部を備え、
    第二センサは、前記第一センサに対して前記注目センサと逆方向に隣接し、
    前記補正処理は、さらに、前記注目センサに対して前記第一センサが与える影響を表す第一係数に基づいて前記注目センサの検出値を補正し、前記注目センサに対して前記第二センサが与える影響を表す第二係数に基づいて前記注目センサの検出値を補正し、
    前記第二係数は、前記第一係数よりも小さい検出値補正システム。
  2. 前記第二係数は、前記第一係数の二乗である、請求項１に記載の検出値補正システム。
  3. 前記補正処理は、前記注目センサの検出値をＢｎ、前記注目センサの一方の側に隣接する第一センサの検出値をＢｎ＋１、前記注目センサの他方の側に隣接する第一センサの検出値をＢｎ－１、前記注目センサの一方の側に隣接する第一センサに対して前記注目センサと逆方向に隣接する第二センサの検出値をＢｎ＋２、前記注目センサの他方の側に隣接する第一センサに対して前記注目センサと逆方向に隣接する第二センサの検出値をＢｎ－２、前記第一係数をｋ１、前記第二係数をｋ２とした場合に、前記注目センサの検出値の補正値Ｃｎを、下記の式（１）に基づき算出する処理である請求項１に記載の検出値補正システム。
    Ｃｎ＝ｋ２Ｂｎ－２－ｋ１Ｂｎ－１＋Ｂｎ－ｋ１Ｂｎ＋１＋ｋ２Ｂｎ＋２ ・・・（１）
  4. （ａ）前記一列に配置された複数のセンサに対して前記物理量が付与された状態で、前記各センサの検出値を取得する工程と、
    （ｂ）複数の前記第一係数ｋ１に対して互いに異なる値を仮に付与し、当該仮の値が付与された前記第一係数ｋ１のそれぞれに対応して、
    （ｂ１）前記複数のセンサに追い番を付してセンサ１～Ｑとし、センサ１～Ｑのうち任意のＸ番のセンサＸの検出値をＢＸ、前記センサＸの一方の側に隣接するＸ＋１番のセンサ（Ｘ＋１）の検出値をＢＸ＋１、前記センサＸの他方の側に隣接するＸ－１番のセンサ（Ｘ－１）の検出値をＢＸ－１、前記センサ（Ｘ＋１）に対して前記センサＸと逆方向に隣接するＸ＋２番のセンサ（Ｘ＋２）の検出値をＢＸ＋２、前記センサ（Ｘ－１）に対して前記センサＸと逆方向に隣接するＸ－２番のセンサ（Ｘ－２）の検出値をＢＸ－２、前記第二係数をｋ２とし、Ｘが３～（Ｑ－２）の場合について、下記の式（２）に基づいて値ＤＸを算出し、
    （ｂ２）前記（ｂ１）工程で算出された値Ｄ（３）～Ｄ（Ｑ－２）のうち、４～（Ｑ－２）の整数であるｎについて、隣り合うセンサｎ及びセンサ（ｎ－１）の値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）の差の二乗が最大となる値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）を探索し、当該最大となる値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）の差の二乗をＭＡＸ［｛Ｄ（ｎ）－Ｄ（ｎ－１）｝２］として算出し、
    （ｂ３）前記（ｂ１）工程で算出された値Ｄ（３）～Ｄ（Ｑ－２）のうち、４～（Ｑ－２）の整数であるｍについて、隣り合うセンサｍ及びセンサ（ｍ－１）の値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）の差の二乗が最小となる値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）を探索し、当該最小となる値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）の差の二乗をＭＩＮ［｛Ｄ（ｍ）－Ｄ（ｍ－１）｝２］として算出し、
    （ｂ４）下記の式（３）に基づいて、複数の前記第一係数ｋ１の値に対応する複数の評価値Ｕ（ｋ１）を算出する工程と、
    （ｃ）前記複数の評価値Ｕ（ｋ１）のうち、最大の評価値Ｕ（ｋ１）を探索し、当該最大の評価値Ｕ（ｋ１）に対応する第一係数ｋ１と、その第一係数ｋ１から得られた第二係数ｋ２とを、前記補正処理で用いるための前記第一係数及び前記第二係数として確定する工程とを実行する係数算出処理部をさらに備える請求項３に記載の検出値補正システム。
    Ｄ（Ｘ）＝ｋ２ＢＸ－２－ｋ１ＢＸ－１＋ＢＸ－ｋ１ＢＸ＋１＋ｋ２ＢＸ＋２ ・・・（２）
    Ｕ（ｋ１）＝ＭＡＸ［｛Ｄ（ｎ）－Ｄ（ｎ－１）｝２］－ＭＩＮ［｛Ｄ（ｍ）－Ｄ（ｍ－１）｝２］ ・・・（３）
  5. 前記第二係数ｋ２は、下記の式（４）に基づき得られる請求項３又は４に記載の検出値補正システム。
    ｋ２＝ｋ１ ２ ・・・（４）
  6. 前記第二係数ｋ２は、下記の式（５）に基づき得られる請求項３又は４に記載の検出値補正システム。
    ｋ２＝ｋ１－１／２ ・・・（５）
  7. 前記第二係数ｋ２は、下記の式（６）に基づき得られる請求項３又は４に記載の検出値補正システム。
    ｋ２＝ｋ１／４ ・・・（６）
  8. 前記第一係数ｋ１は０．５より大きく、１より小さい請求項３～７のいずれか１項に記載の検出値補正システム。
  9. 前記各センサは、前記物理量を検出する際に、当該各センサ周辺の他のセンサの検出値に対して影響を与える請求項１～８のいずれか１項に記載の検出値補正システム。
  10. 前記物理量は磁界であり、
    前記各センサはＭＩセンサである請求項１～９のいずれか１項に記載の検出値補正システム。
  11. 前記物理量はＸ線であり、
    前記各センサは、前記Ｘ線により発光する蛍光板と、前記蛍光板の発光を検出する光センサとを備えるＸ線センサである請求項１～９のいずれか１項に記載の検出値補正システム。
  12. 前記物理量は流体の流量又は流速であり、
    前記各センサは、前記流体の流れる方向に対して交差する方向に前記列が延びるように配置されている請求項１～９のいずれか１項に記載の検出値補正システム。
  13. 前記複数のセンサをさらに備える請求項１～１２のいずれか１項に記載の検出値補正システム。
  14. 一列に配置された、物理量を検出する複数のセンサのうちの一つについて、そのセンサに対して当該センサと隣接する第一センサが与える影響を表す第一係数ｋ１と、前記第一センサに対して前記一つのセンサと逆方向に隣接する第二センサが与える影響を表す第二係数ｋ２とを算出する係数算出方法であって、
    （ａ）前記一列に配置された複数のセンサに対して不均一に前記物理量が付与された状態で、前記各センサの検出値を取得する工程と、
    （ｂ）複数の前記第一係数ｋ１に対して互いに異なる値を仮に付与し、当該仮の値が付与された前記第一係数ｋ１のそれぞれに対応して、
    （ｂ１）前記複数のセンサに追い番を付してセンサ１～Ｑとし、センサ１～Ｑのうち任意のＸ番のセンサＸの検出値をＢＸ、前記センサＸの一方の側に隣接するＸ＋１番のセンサ（Ｘ＋１）の検出値をＢＸ＋１、前記センサＸの他方の側に隣接するＸ－１番のセンサ（Ｘ－１）の検出値をＢＸ－１、前記センサ（Ｘ＋１）に対して前記センサＸと逆方向に隣接するＸ＋２番のセンサ（Ｘ＋２）の検出値をＢＸ＋２、前記センサ（Ｘ－１）に対して前記センサＸと逆方向に隣接するＸ－２番のセンサ（Ｘ－２）の検出値をＢＸ－２、前記第二係数をｋ２とし、Ｘが３～（Ｑ－２）の場合について、下記の式（２）に基づいて値ＤＸを算出し、
    （ｂ２）前記（ｂ１）工程で算出された値Ｄ（３）～Ｄ（Ｑ－２）のうち、４～（Ｑ－２）の整数であるｎについて、隣り合うセンサｎ及びセンサ（ｎ－１）の値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）の差の二乗が最大となる値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）を探索し、当該最大となる値Ｄ（ｎ）及び値Ｄ（ｎ－１）の差の二乗をＭＡＸ［｛Ｄ（ｎ）－Ｄ（ｎ－１）｝２］として算出し、
    （ｂ３）前記（ｂ１）工程で算出された値Ｄ（３）～Ｄ（Ｑ－２）のうち、４～（Ｑ－２）の整数であるｍについて、隣り合うセンサｍ及びセンサ（ｍ－１）の値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）の差の二乗が最小となる値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）を探索し、当該最小となる値Ｄ（ｍ）及び値Ｄ（ｍ－１）の差の二乗をＭＩＮ［｛Ｄ（ｍ）－Ｄ（ｍ－１）｝２］として算出し、
    （ｂ４）下記の式（３）に基づいて、複数の前記第一係数ｋ１の値に対応する複数の評価値Ｕ（ｋ１）を算出する工程と、
    （ｃ）前記複数の評価値Ｕ（ｋ１）のうち、最大の評価値Ｕ（ｋ１）を探索し、当該最大の評価値Ｕ（ｋ１）に対応する第一係数ｋ１と、その第一係数ｋ１から得られた第二係数ｋ２とを確定する工程とを含む係数算出方法。
    Ｄ（Ｘ）＝ｋ２ＢＸ－２－ｋ１ＢＸ－１＋ＢＸ－ｋ１ＢＸ＋１＋ｋ２ＢＸ＋２ ・・・（２）
    Ｕ（ｋ１）＝ＭＡＸ［｛Ｄ（ｎ）－Ｄ（ｎ－１）｝２］－ＭＩＮ［｛Ｄ（ｍ）－Ｄ（ｍ－１）｝２］ ・・・（３）
  15. 一列に配置された、物理量を検出する複数のセンサの検出値を補正する検出値補正方法であって、
    前記検出値補正方法は、前記複数のセンサのうち、補正対象となるセンサである注目センサの検出値を、少なくとも当該注目センサと隣接する第一センサの検出値に基づいて補正する補正処理を実行し、
    前記補正処理は、さらに、前記注目センサに対して前記第一センサが与える影響を表す第一係数に基づいて前記注目センサの検出値を補正し、前記第一センサに対して前記注目センサと逆方向に隣接する第二センサの検出値に基づいて前記注目センサの検出値を補正し、前記注目センサに対して前記第二センサが与える影響を表す第二係数に基づいて前記注目センサの検出値を補正し、
    前記第二係数は、前記第一係数よりも小さい。
  16. 前記第二係数は、前記第一係数の二乗である、請求項１５に記載の検出値補正方法。
  17. 前記補正処理は、さらに、前記第一センサに対して前記注目センサと逆方向に隣接する第二センサの検出値と前記注目センサに対して前記第二センサが与える影響を表す第二係数とに基づいて、
    前記注目センサの検出値をＢｎ、前記注目センサの一方の側に隣接する第一センサの検出値をＢｎ＋１、前記注目センサの他方の側に隣接する第一センサの検出値をＢｎ－１、前記注目センサの一方の側に隣接する第一センサに対して前記注目センサと逆方向に隣接する第二センサの検出値をＢｎ＋２、前記注目センサの他方の側に隣接する第一センサに対して前記注目センサと逆方向に隣接する第二センサの検出値をＢｎ－２ 、第一係数をｋ１ 、第二係数をｋ２とした場合に、前記注目センサの検出値の補正値Ｃｎを、下記の式（１）に基づき算出する処理である請求項１５に記載の検出値補正方法。
    Ｃｎ＝ｋ２Ｂｎ－２－ｋ１Ｂｎ－１＋Ｂｎ－ｋ１Ｂｎ＋１＋ｋ２Ｂｎ＋２ ・・・（１）
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