JP5136009B2 - 磁気センサ検出信号の検出方法及び検出装置 - Google Patents
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Description
この発明の要旨による磁気センサ検出信号の検出方法では、光センサを用いて、磁性担体の、磁気センサの配列方向の幅を検知し、検知した幅に対応させて、前記複数の磁気センサから、前記磁性担体に正対する、第1から第n(nは0を除く自然数)番目まで順に配置されたn個の磁気センサを選択する。
n個の磁気センサの第i(iは1<i<nの自然数)番目に配置された第i磁気センサが取り出す出力信号をA i 、第i磁気センサに正対する第i正対磁区からの正対磁界強度に起因する正対信号成分をB i 、補正係数をα(αは0<α<1の実数)、また第i正対磁区からの正対磁界強度に隣接する第i−1隣接磁区及び第i+1隣接磁区からの隣接磁界強度に起因する隣接信号成分をαB i−1 及びαB i+1 とする。
また、n個の磁気センサの第1番目に配置された第1磁気センサが取り出す出力信号をA 1 、第1磁気センサに正対する第1正対磁区からの正対磁界強度に起因する正対信号成分をB 1 、また第1正対磁区に隣接する第2隣接磁区からの隣接磁界強度に起因する隣接信号成分をαB 2 とする。
また、n個の磁気センサの第n番目に配置された第n磁気センサが取り出す出力信号をA n 、第n磁気センサに正対する第n正対磁区からの正対磁界強度に起因する正対信号成分をB n 、また第n正対磁区に隣接する第n−1隣接磁区からの隣接磁界強度に起因する隣接信号成分をαB n−1 とする。
そして、式
A i =B i +αB i−1 +αB i+1 (1<i<n)
A 1 =B 1 +αB 2 (i=1)
A n =B n +αB n−1 (i=n)
に、n個の磁気センサによって取り出したA i (iは1≦i≦nの自然数)の値を利用して、B i (iは1≦i≦nの自然数)を算出することによって、正対信号成分を各磁気センサの検出信号としてそれぞれ出力させる。
この発明の要旨による磁気センサ検出信号の検出装置では、複数の磁気センサは、磁性担体に正対する、第1から第n(nは0を除く自然数)番目まで順に配置されたn個の磁気センサを含む。
また、補正手段は、記憶部と処理部とを含む。
記憶部は、n個の磁気センサの第i(iは1<i<nの自然数)番目に配置された第i磁気センサが取り出す出力信号をA i 、第i磁気センサに正対する第i正対磁区からの正対磁界強度に起因する正対信号成分をB i 、補正係数をα(αは0<α<1の実数)、また第i正対磁区に隣接する第i−1隣接磁区及び第i+1隣接磁区からの隣接磁界強度に起因する隣接信号成分をαB i−1 及びαB i+1 とし、n個の磁気センサの第1番目に配置された第1磁気センサが取り出す出力信号をA 1 、第1磁気センサに正対する第1正対磁区からの正対磁界強度に起因する正対信号成分をB 1 、また第1正対磁区に隣接する第2隣接磁区からの隣接磁界強度に起因する隣接信号成分をαB 2 とし、n個の磁気センサの第n番目に配置された第n磁気センサが取り出す出力信号をA n 、第n磁気センサに正対する第n正対磁区からの正対磁界強度に起因する正対信号成分をB n 、また第n正対磁区に隣接する第n−1隣接磁区からの隣接磁界強度に起因する隣接信号成分をαB n−1 として、式
A i =B i +αB i−1 +αB i+1 (1<i<n)
A 1 =B 1 +αB 2 (i=1)
A n =B n +αB n −1 (i=n)
を、予め記憶する。
また、処理部は、記憶部から読み出した前記式から、n個の磁気センサによって取り出したA i (iは1≦i≦nの自然数)の値を利用して、B i (iは1≦i≦nの自然数)を算出する。
また、この発明の要旨による磁気センサ検出信号の検出装置は、さらに光センサを備えている。光センサは、磁性担体の、磁気センサの配列方向の幅を検知し、かつ検知された幅に対応して、複数の磁気センサからn個の磁気センサを選択する。
この実施の形態では、磁気センサアレイを用いて磁性担体を検知する磁気センサ検出信号の検出方法であって、磁気センサの配列方向に隣接する隣接磁区からのオーバーラップの影響を受けずに、各磁気センサから検出信号を出力させる磁気センサ検出信号の検出方法、及び磁気センサ検出信号の検出装置について説明する。
また、第1から第n番目までの各対向磁気センサ18aのうち、両端に位置する対向磁気センサ、すなわち第1磁気センサ及び第n磁気センサにそれぞれ正対する第1正対磁区及び第n正対磁区は、各磁区23のうち磁気センサ17の配列方向の両端に位置する。従って、これら第1正対磁区及び第n正対磁区は、それぞれ磁気センサ17の配列方向における片側で1つの隣接磁区と隣接する。
An=Bn+αBn−1 (i=n) ・・・(3)
ここで、当然のことながら、第i−1隣接磁区は、対向磁気センサ18aのうち、第i−1番目の第i−1磁気センサに正対する第i−1正対磁区である。従って、Bi−1は、第i−1磁気センサに対応する正対信号成分である。また、第i+1隣接磁区は、対向磁気センサ18aのうち、第i+1番目の第i+1磁気センサに正対する第i+1正対磁区である。従って、Bi+1は、第i+1磁気センサに対応する正対信号成分である。また、第2隣接磁区は、対向磁気センサ18aのうち、第2番目の第2磁気センサに正対する第2正対磁区である。従って、B2は、第2磁気センサに対応する正対信号成分である。また、第n−1隣接磁区は、対向磁気センサ18aのうち、第n−1番目の第n−1磁気センサに正対する第n−1正対磁区である。従って、Bn−1は、第n−1磁気センサに対応する正対信号成分である。
また、第2磁気センサ17dは、第1磁気センサ17c、及び第n磁気センサ、すなわちこの構成例における第4磁気センサ17f間に位置する第i磁気センサである。そのため、上述の式(1)を用いて正対信号成分を算出する。すなわち第2磁気センサ17dが取り出す出力信号A2は、正対する磁区23dからの正対信号成分B2と、磁区23dの隣接磁区である磁区23c及び磁区23eからの隣接信号成分αB1及びαB3を含むため、上述の式(1)を用いて、以下の式(5)で表される。
また、第3磁気センサ17eは、第1磁気センサ17c、及び第n磁気センサ、すなわちこの構成例における第4磁気センサ17f間に位置する第i磁気センサである。そのため、上述の式(1)を用いて正対信号成分を算出する。すなわち第3磁気センサ17eが取り出す出力信号A3は、正対する磁区23eからの正対信号成分B3と、磁区23eの隣接磁区である磁区23d及び磁区23fからの隣接信号成分αB2及びαB4を含むため、上述の式(1)を用いて、以下の式(6)で表される。
また、第4磁気センサ17fは、各対向磁気センサ18aの第n番目であって、磁気センサ17の配列方向の第1磁気センサ17cとは反対の一端に位置しているため、上述の式(3)を用いて正対信号成分を算出する。すなわち第4磁気センサ17fが取り出す出力信号A4は、正対する磁区23fからの正対信号成分B4と、磁区23fの隣接磁区である磁区23eからの隣接信号成分αB3を含むため、上述の式(3)を用いて、以下の式(7)で表される。
これら式(4)〜(7)から、B2及びB3は以下の式(8)及び(9)で表される。
B3=(A3−αA4−αB2)/(1−α2) ・・・(9)
これら式(8)及び(9)に、各対向磁気センサ18aが取り出したA1、A2、A3、A4と補正係数αとを代入することによって、B2及びB3を算出することができる。そして、算出したB2及びB3を式(4)及び(7)に代入することによって、B1及びB4を算出することができる。
13:磁化担体
15:走行面
17:磁気センサ
18a:対向磁気センサ
18b:非対向磁気センサ
19:補正手段
21:磁気センサアレイ
22:駆動回路
23:磁区
25、39:増幅回路
29、41:A/Dコンバータ
32:制御部
33:記憶部
35:処理部
36:判別部
37:光センサ
Claims (2)
- 磁化領域を有する磁性担体の走行方向と直交する方向に、アレイ状に隣接して配置された複数の磁気センサを前記磁性担体に対して作動させ、
該作動によって、各前記磁気センサから、それぞれの磁気センサに正対する正対磁区からの正対磁界強度と、該正対磁区に隣接する隣接磁区からの隣接磁界強度とに対応した出力信号を取り出し、
それぞれの該出力信号に対し、前記隣接磁界強度に起因する隣接信号成分の補正を行って、前記正対磁界強度に起因する正対信号成分を、各前記磁気センサの検出信号としてそれぞれ出力させる磁気センサ検出信号の検出方法であって、
光センサを用いて、前記磁性担体の、前記磁気センサの配列方向の幅を検知し、
該検知した幅に対応させて、前記複数の磁気センサから、前記磁性担体に正対する、第1から第n(nは0を除く自然数)番目まで順に配置されたn個の磁気センサを選択し、
該n個の磁気センサの第i(iは1<i<nの自然数)番目に配置された第i磁気センサが取り出す出力信号をA i 、前記第i磁気センサに正対する第i正対磁区からの正対磁界強度に起因する正対信号成分をB i 、補正係数をα(αは0<α<1の実数)、また前記第i正対磁区からの正対磁界強度に隣接する第i−1隣接磁区及び第i+1隣接磁区からの隣接磁界強度に起因する隣接信号成分をαB i−1 及びαB i+1 とし、
該n個の磁気センサの第1番目に配置された第1磁気センサが取り出す出力信号をA 1 、前記第1磁気センサに正対する第1正対磁区からの正対磁界強度に起因する正対信号成分をB 1 、また前記第1正対磁区に隣接する第2隣接磁区からの隣接磁界強度に起因する隣接信号成分をαB 2 とし、
該n個の磁気センサの第n番目に配置された第n磁気センサが取り出す出力信号をA n 、前記第n磁気センサに正対する第n正対磁区からの正対磁界強度に起因する正対信号成分をB n 、また前記第n正対磁区に隣接する第n−1隣接磁区からの隣接磁界強度に起因する隣接信号成分をαB n−1 として、式
A i =B i +αB i−1 +αB i+1 (1<i<n)
A 1 =B 1 +αB 2 (i=1)
A n =B n +αB n−1 (i=n)
に、前記n個の磁気センサによって取り出したA i (iは1≦i≦nの自然数)の値を利用して、B i (iは1≦i≦nの自然数)を算出することによって、前記正対信号成分を各前記磁気センサの検出信号としてそれぞれ出力させる
ことを特徴とする磁気センサ検出信号の検出方法。 - 磁化領域を有する磁性担体に対して作動し、かつ該磁性担体の走行方向と直交する方向にアレイ状に隣接して配置された複数の磁気センサと、
各前記磁気センサの出力信号を補正して検出信号を出力させる補正手段と
を含み、
前記複数の磁気センサは、各該磁気センサから、それぞれの磁気センサに正対する正対磁区からの正対磁界強度と、該正対磁区に隣接する隣接磁区からの隣接磁界強度とに対応した前記出力信号を取り出し、
前記補正手段は、それぞれの前記出力信号に対し、前記隣接磁界強度に起因する隣接信号成分の補正を行って、前記正対磁界強度に起因する正対信号成分を、前記検出信号としてそれぞれ出力させる磁気センサ検出信号の検出装置であって、
前記複数の磁気センサは、前記磁性担体に正対する、第1から第n(nは0を除く自然数)番目まで順に配置されたn個の磁気センサを含み、
前記補正手段は、記憶部と処理部とを含み、
前記記憶部は、該n個の磁気センサの第i(iは1<i<nの自然数)番目に配置された第i磁気センサが取り出す出力信号をA i 、前記第i磁気センサに正対する第i正対磁区からの正対磁界強度に起因する正対信号成分をB i 、補正係数をα(αは0<α<1の実数)、また前記第i正対磁区に隣接する第i−1隣接磁区及び第i+1隣接磁区からの隣接磁界強度に起因する隣接信号成分をαB i−1 及びαB i+1 とし、
該n個の磁気センサの第1番目に配置された第1磁気センサが取り出す出力信号をA 1 、前記第1磁気センサに正対する第1正対磁区からの正対磁界強度に起因する正対信号成分をB 1 、また前記第1正対磁区に隣接する第2隣接磁区からの隣接磁界強度に起因する隣接信号成分をαB 2 とし、
該n個の磁気センサの第n番目に配置された第n磁気センサが取り出す出力信号をA n 、前記第n磁気センサに正対する第n正対磁区からの正対磁界強度に起因する正対信号成分をB n 、また前記第n正対磁区に隣接する第n−1隣接磁区からの隣接磁界強度に起因する隣接信号成分をαB n−1 として、式
A i =B i +αB i−1 +αB i+1 (1<i<n)
A 1 =B 1 +αB 2 (i=1)
A n =B n +αB n −1 (i=n)
を、予め記憶し、
前記処理部は、前記記憶部から読み出した前記式から、前記n個の磁気センサによって取り出したA i (iは1≦i≦nの自然数)の値を利用して、B i (iは1≦i≦nの自然数)を算出し、
さらに光センサを備え、
該光センサは、前記磁性担体の、前記磁気センサの配列方向の幅を検知し、かつ前記検知された幅に対応して、前記複数の磁気センサから前記n個の磁気センサを選択する
ことを特徴とする磁気センサ検出信号の検出装置。
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