JP7498677B2 - テスト装置、テスト方法および記録媒体 - Google Patents

Description

本開示はテスト装置に関し、例えば、複数の測定サイトを有するプローブカードにより半導体ウエハ上に形成された半導体デバイスのテストを実施するテスト装置に適用可能である。

一の半導体ウエハ上に形成された複数の半導体デバイスは、個別に製品化される。ここで、半導体ウエハを、単に、「ウエハ」ともいい、半導体デバイスを、単に、「デバイス」または「チップ」ともいう。従って、ウエハ単位ではなくてデバイス単位で良品か不良品かのテストが行われる。このテストは、テスタにより各デバイスの電気的特性を測定することで行われる。例えば、プローバにセットされたプローブカードにより１つ１つのデバイスにプローブ針を接触させ、テスタはプローバを介して電力および電気信号をデバイスに入力し、その出力を測定する。これにより、各デバイスの電気的特性が測定される。

例えば、特開２００７－３３５７８５号公報には、半導体ウエハの検査装置について下記のことが記載されている。この半導体ウエハの検査装置では、テスタを用いて半導体ウエハ上に形成された個々のチップのテストを行い、半導体ウエハ上に形成された全てのチップのテストを実施し、その結果、不良と判定されたチップの位置を示す不良マップを生成する。

特開２００７－３３５７８号公報

ウエハ上に形成された複数のデバイスを複数の測定サイトを有するプローブカードを使用してテストする場合がある。プローブカードがウエハ上のどのデバイスにコンタクトするかはウエハ上のデバイスの形成状態（配置状態）およびプローブカードの複数の測定サイトの配置状況等に基づいて事前に定められる。

例えば、前のテスト工程の結果、不良と判断されたデバイスが存在するウエハ上に形成されたデバイスのテストでも、事前に定められたコンタクト位置に従いテストを実施する。そうすると、常に定められた位置にプローブカードがコンタクトされるため、すでに不良と判明してテストが不要なデバイスに対してもプローブカードはコンタクトすることがある。このため、プローブカードの全ての測定サイトを有効に利用していないという観点でテスト効率が悪化する。

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、テスト装置は、半導体ウエハに形成された複数の半導体デバイスとコンタクトする複数の測定サイトを有するプローブカードと、前記半導体デバイスの前記半導体ウエハ内の位置情報および固有情報を含むマップ情報と、前記測定サイトの配置情報を含むプローブカード形態情報と、前記プローブカードのコンタクトを制限する制約条件情報に基づいて前記プローブカードが一度にテストする半導体デバイスの範囲であるコンタクト位置を示すコンタクト位置情報を生成するよう構成される制御装置と、前記コンタクト位置情報に基づいて前記プローブカードと前記半導体ウエハとの相対位置を制御するよう構成される位置制御装置と、を備える。

本開示によれば、テスト効率を向上させることが可能となる。

図１はプローブカードによるデバイスのテスト方法を説明する図である。 図２は複数の測定サイトが設けられるプローブカードを示す図である。 図３は図２に示すプローブカードをウエハ上に形成されたデバイスにコンタクトさせる個所を説明する図である。 図４は図３に示すウエハ上に形成されたデバイスに不良品が含まれる例を示す図である。 図５は第１の実施形態におけるテスト装置の構成を示すブロック図である。 図６は図５に示すテスト装置の動作を説明するフローチャートである。 図７はコンタクトマップの作製の動作を説明するフローチャートである。 図８は第１の実施形態における実施例のウエハ上に形成されたデバイスの形成状態を示す図である。 図９は第１の実施形態の実施例におけるマップ情報の一例を説明する図である。 図１０は第２の形態におけるプローブカードを示す模式図である。 図１１は第３の形態におけるプローブカードを示す模式図である。 図１２は第１の実施形態の第１の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図１３は第１の実施形態の第１の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図１４は第１の実施形態の第１の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図１５は第１の実施形態の実施例におけるコンタクト順序の決定方法を説明する図である。 図１６は第１の実施形態の実施例における別のコンタクト順序の決定方法を説明する図である。 図１７は第１の実施形態の実施例における別のコンタクト順序の決定方法を説明する図面である。 図１８は図１４に示すコンタクト位置に対し、図１５で示すコンタクト順序によってコンタクトする順番を表す図である。 図１９は図１８に示すコンタクト位置およびコンタクト順序の情報を示すコンタクトマップの一例を示す図である。 図２０は第２の実施形態の実施例におけるデバイスの形成状態を示す図である。 図２１は第２の実施形態の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図２２は第３の実施形態の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図２３は第３の実施形態の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図２４は第３の実施形態の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図２５は第３の実施形態の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図２６は第３の実施形態の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図２７は第３の実施形態の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図２８は第４の実施形態の実施例におけるデバイスの形成状態を示す図である。 図２９は第４の実施形態の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図３０は第４の実施形態の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図３１は第４の実施形態の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図３２は第４の実施形態の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図３３は第４の実施形態の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図３４は第４の実施形態の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図３５は第４の形態におけるプローブカードを示す模式図である。 図３６は第１の実施形態の第２の実施例におけるコンタクト位置を決定する方法を示すフローチャートである。 図３７は第１の実施形態の第２の実施例におけるプローブカードのコンタクト位置の決定方法を説明する図である。 図３８は第１の実施形態の第２の実施例におけるプローブカードのコンタクト位置の決定方法を説明する図である。

以下、実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。

まず、本実施形態をより明確にするために、複数の測定サイトを有するプローブカードによりウエハ上に形成された複数のデバイスのテストを行う場合の問題点について図１から図４を用いて説明する。この問題点は本開示者が本開示に先立って検討して見出したものである。図１はプローブカードによるデバイスのテスト方法を説明する図である。図２は複数の測定サイトが設けられるプローブカードを示す図である。図３は図２に示すプローブカードをウエハ上に形成されたデバイスにコンタクトさせる個所を説明する図である。図４は図３に示すウエハ上に形成されたデバイスに不良品が含まれる例を示す図である。

図１に示すように、プローブカード２０５は複数の針状のプローブ２０６を有し、プローブ２０６の一端をデバイスＤに設けられたパッドＰに接触させ、デバイスＤと電気的接続をなす。これにより、テスタ１００からの電力および電気信号をデバイスＤに供給して測定を行い、デバイスＤのテストを可能としている。プローブ２０６はデバイスＤに設けられたバンプに接触する場合がある。

図２に示すように、例えば、１つのプローブカード２０５上に３つの測定サイト２０５ａ～２０５ｃがＸ軸方向に沿って並べて設けられることがある。測定サイト２０５ａ～２０５ｃのそれぞれは、図１に示すような複数のプローブ２０６を有している。これにより、一度に３つのデバイスのテストを実施することが可能であり、一度に１つのデバイスのテストを行うのと比較し１枚のウエハ当たりのテストに要する時間を短縮することが可能となる。

図３に示すように、ウエハＷ上には多数のデバイスＤがタイル状に形成され、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に沿って配置されている。ここで、デバイスＤは小さな矩形で表示されている。これらのデバイスＤを図２に示すプローブカード２０５を使用してテストする場合、ウエハＷ上で横方向（Ｘ軸方向）に連続する３つのデバイスＤを一度にテストすることが可能となる。図３においては一度にテストするデバイスＤの範囲としてのコンタクト位置を太い黒色の矩形で示しており、１つの矩形の中に３つのデバイスＤが含まれている。矩形の中に記載されている数値はプローブカード２０５がウエハＷ上のデバイスＤにコンタクトする順番を示している。図３においては１から７０までの番号が振られ、合計７０回プローブカード２０５をデバイスＤにコンタクトさせることでウエハＷ上に形成された全てのデバイスＤのテストが実施される。符号ＣＡ１～ＣＡ６は１回目から６回目のコンタクト位置を示している。なお、１回目のコンタクト位置ＣＡ１と２回目のコンタクト位置ＣＡ２、４回目のコンタクト位置ＣＡ４と５回目のコンタクト位置ＣＡ５のように矩形同士が部分的に重なる領域がある。これは、ウエハＷの外周においてデバイスＤが形成されていない領域であるデバイス非形成領域ＰＡにプローブカード２０５の測定サイト２０５ａ～２０５ｃがコンタクトしないようにプローブカード２０５のコンタクト位置を調整していることによる。ここで、デバイス非形成領域ＰＡはウエハＷの外周のデバイスＤが形成されていない領域である。

プローブカード２０５のウエハＷ上のデバイスＤに対するコンタクト位置およびコンタクト順序は一般に総テスト時間が最小となるように調整され、最少のコンタクト回数でウエハＷ上の全てのデバイスＤのテストが行うようにされる。コンタクトマップＣＭＰは、ウエハＷ上のデバイスＤの形成状態およびプローブカード２０５の複数の測定サイト２０５ａ～２０５ｃの配置状況等に基づいて定められる。コンタクトマップＣＭＰはプローブカード２０５がウエハＷ上のどのデバイスＤにコンタクトするか、どの順番でコンタクトするか、を示す情報である。このコンタクトマップＣＭＰはウエハＷ上のデバイスの種類とプローブカードの種類ごとに事前に定められる。このコンタクトマップＣＭＰに従いプローバ２００はプローブカード２０５をウエハＷ上の指定されたデバイスＤに対し、指定された順番でコンタクトさせてデバイスＤのテストが可能となるように動作する。ウエハＷ上のデバイスの形成状態とは、ウエハＷ上のデバイスの配置であり、デバイスの種類（サイズ）により異なるが、同じ種類のデバイスにおいては同じである。同じ種類のデバイスは少なくともサイズおよびパッド配置が同じである。同じ種類のデバイスが同じ位置に配置されたウエハは同じ種類のウエハである。

ウエハ上のデバイスのテストは、通常、温度などのテスト条件やテスト内容を変え複数回行われる。例えば、室温条件でテストを行い、次いで高温条件でテストを行うことがある。それぞれのテストを室温テスト工程、高温テスト工程という。図４に示すように、前の室温テスト工程の結果、不良と判断されたデバイスが存在するウエハＷ上に形成されたデバイスＤの後の高温テスト工程におけるテストでも、事前に定められたコンタクトマップに従いテストを実施する。ここで、白抜きのデバイスは良品デバイスＤ１でありテスト対象となるデバイス（テスト対象デバイス）を示している。灰色のデバイスは不良デバイスＤ２でありテスト不要なデバイス（テスト非対象デバイス）である。同じ種類のウエハであっても良品デバイスＤ１および不良デバイスＤ２の配置はウエハによって異なる。事前に定められたコンタクトマップは、例えば、前のテスト工程において用いられたコンタクトマップであり、図３に示すコンタクト位置に図３に示す順番でコンタクトさせる情報である。

しかし、事前に定められたコンタクトマップに従いテストを実施すると、常に定められた位置にプローブカード２０５がコンタクトするため、すでに不良と判明している不良デバイスＤ２に対してもプローブカード２０５はコンタクトする。この場合、当該不良デバイスＤ２に対しては実際にはテストを実施しないにも関わらず、他の測定サイトに接続されているデバイスが良品デバイスＤ１であればそれらの良品デバイスＤ１をテストするため一定のテスト時間を要する。すなわち、複数の測定サイト２０５ａ～２０５ｃがコンタクトしているデバイスのうち１つでも良品デバイスＤ１が存在している場合、一定のテスト時間を以て当該良品デバイスＤ１に対してテストを実施する。その間、不良デバイスＤ２に対してもプローブカード２０５の測定サイト２０５ａ～２０５ｃのいずれかはコンタクトしている。このため、プローブカード２０５の全ての測定サイト２０５ａ～２０５ｃを有効に利用していないという観点でテスト効率が悪化する。このテスト効率の悪化はウエハＷ上に形成された全ての良品デバイスＤ１をテストするのに要するテスト時間の長時間化をもたらす。

次に、本実施形態の概要について説明する。実施形態におけるテスト装置は、個々のウエハごとに定められているテスト非対象デバイスのウエハ内の位置情報に基づいて、プローブカードのデバイスに対するコンタクト位置を適切に決定する。これにより、テスト非対象デバイスに対するプローブカードのコンタクト回数を少なくし、測定効率を向上させることで１枚のウエハに対するテスト所要時間を短縮化することが可能となる。

また、実施形態におけるテスト装置は、ウエハ上に形成されたデバイスに対するプローブカードのコンタクト位置を個々のデバイスごとに決められた制約条件に基づき適切に調整する。これにより、テスト品質を向上させることが可能となる。また、実施形態におけるテスト装置は、ウエハ上に形成されたデバイスに対するプローブカードのコンタクト順序を適切に設定する。これにより、デバイスに対するテスト品質を安定化させることが可能となる。

上述の実施形態におけるテスト装置の代表的な例について以下に幾つか例示する。

［第１の実施形態］
第１の実施形態におけるテスト装置の構成について図５を用いて説明する。図５は第１の実施形態におけるテスト装置の構成を示すブロック図である。

第１の実施形態におけるテスト装置１０はテスタ１００およびプローバ２００を備えている。ウエハＷ上に形成された、テスト対象であるデバイスＤはプローバ２００に接続されており、プローバ２００によりウエハＷ上の指定されたデバイスＤにプローブカード２０５が接続される。テスタ１００はプローバ２００に接続され、デバイスＤに対し、プローバ２００を経由して電源を供給し、テスト信号を印加する。さらに、テスタ１００はテスト信号の印加に対するデバイスＤの応答を読み込み、指定テスト条件との照合によりデバイスＤの検査を実施する。

プローバ２００は制御装置２０１、ユーザインターフェース部２０２、記憶装置２０３、位置制御装置２０４、プローブカード２０５およびステージ２０７を有する。記憶装置２０３は制御装置２０１に接続される。記憶装置２０３は、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State DriveＳｏｌｉｄ）等により構成されている。記憶装置２０３にはプローバ２００の制御を司る制御プログラム、制御パラメータ、後述するマップ情報およびプローブカード形態情報等が保持される。制御装置２０１はＣＰＵ（Central Processing Unit）２０１ａおよびＲＡＭ（Random Access Memory）２０１ｂ等を備える。制御装置２０１は記憶装置２０３から制御プログラムをＲＡＭ２０１ｂに読み出し、ＣＰＵ２０１ａがそのプログラムを実行することでプローバ２００の動作を制御する。ユーザインターフェース部２０２は制御装置２０１に接続され、プローバ２００の外部との情報の出し入れを実施する。

記憶装置２０３には、例えば、外部記憶装置からプログラム等が提供されるようになっている。記憶装置２０３および外部記憶装置は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２０３単体のみを含む場合、外部記憶装置単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。なお、記憶装置２０３へのプログラムの提供は、外部記憶装置を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。

位置制御装置２０４は、制御装置２０１から送信されるデバイスＤのウエハＷ上での位置情報に基づきステージ２０７を移動してプローブカード２０５とウエハＷ上のデバイスＤの位置を調整する。そして、位置制御装置２０４はプローブカード２０５を指定されたデバイスＤに電気的に接続する。ステージ２０７は載置されたウエハＷを吸着固定すると共に、位置制御装置２０４からの指示に基づいて水平方向（ＸＹ方向）および垂直方向に移動可能である。位置制御装置２０４はＣＰＵおよびメモリを含むマイクロコントローラ等により構成されている。

次に、本実施形態におけるテスト装置の動作について図６を用いて説明する。図６は図５に示すテスト装置の動作を示すフローチャートである。

（初期設定：ステップＳ１）
プローバ２００を用いたデバイスＤのテストでは通常ウエハ単位でテストが実施される。まず、テストに先立ちプローバ２００では初期設定が実施される。この初期設定には、制御装置２０１によるデバイスＤに対するコンタクトマップＣＭＰの作製が含まれる。

（プローブカードのコンタクト：ステップＳ２）
初期設定が完了後、コンタクトマップＣＭＰに従いデバイスＤに対するテストが開始される。まず、制御装置２０１はコンタクトマップＣＭＰを参照してプローブカード２０５のコンタクト位置を位置制御装置２０４に送信する。位置制御装置２０４はこれに従い、ステージ２０７を移動してプローブカード２０５が指定されたデバイスＤにコンタクトできる位置（指定位置）に調整し、プローブカード２０５とデバイスＤとの電気的接続を構成する。

（テスト実施：ステップＳ３）
電気的接続が完了後、位置制御装置２０４は制御装置２０１にその旨を報告し、それを受けて制御装置２０１はテスタ１００にテスト開始命令を出す。テスト開始命令によりテスタ１００はデバイスＤのテストを実施する。そのテストにおいて、テスタ１００は、デバイスＤに対する電源およびテスト信号を発生し、その電源およびテスト信号をプローバ２００内のプローブカード２０５を経由してデバイスＤに印加する。デバイスＤの応答はプローブカード２０５を介してテスタ１００に戻され、テスタ１００において、事前に定められた規格値との比較によってデバイスＤのテストを実施する。テスト終了後、テスタ１００はテスト結果を制御装置２０１に送信する。

（テスト終了判断：ステップＳ４）
制御装置２０１はコンタクトマップに指定された全てのコンタクト位置に対するテストが完了した否かを判断し、未了であれば次のコンタクト位置を位置制御装置２０４に送信し、上述したステップＳ２，Ｓ３と同様にデバイスＤのテストを実施する。指定された全てのコンタクト個所にプローブカード２０５がコンタクトし、全てのテスト対象デバイスに対するテストが完了していれば一連の処理を終了する。

コンタクトマップＣＭＰの作製の動作について図７を用いて説明する。図７はコンタクトマップの作製の動作を示すフローチャートである。

（マップ情報の読込み：ステップＳ１１）
制御装置２０１はユーザインターフェース部２０２を介してデバイスＤのマップ情報ＭＰＩを読み込む、または記憶装置２０３に格納されているマップ情報ＭＰＩを読み込む。マップ情報ＭＰＩには、各デバイスＤのウエハＷ内の位置情報と良品不良品情報といったデバイスＤの個々の情報（固有情報）が含まれる。良品不良品情報に代えてテスト要否情報であってもよい。良品不良品情報およびテスト要否情報はテスト対象デバイスであるかテスト非対象デバイスであるかの情報である。

（プローブカード形態情報の読込み：ステップＳ１２）
制御装置２０１はユーザインターフェース部２０２を介してプローブカードの形態情報ＰＣＩを読み込む、または記憶装置２０３に格納されているプローブカードの形態情報ＰＣＩを読み込む。プローブカードの形態情報ＰＣＩはプローブカード２０５内に設置されている測定サイトの配置情報、例えば横方向に３個連続で測定サイト２０５ａ～２０５ｃを有する、等である。

（コンタクト位置の決定：ステップＳ１３）
制御装置２０１は入手したマップ情報ＭＰＩとプローブカードの形態情報ＰＣＩに基づきデバイスＤのテストにあたって該デバイスＤに対するプローブカード２０５の最適なコンタクト位置を決定する。最適なコンタクト位置とはテスト対象デバイスをもれなくコンタクトする位置で、かつウエハ当たりの総コンタクト数が最小となるコンタクト位置である。この場合、プローブカード２０５の全ての測定サイト２０５ａ～２０５ｃがデバイスＤに必ずコンタクトしなくてはならないか、またはデバイスＤにコンタクトしないことを許容するか、等の制約条件は事前に与えられている。デバイスＤにコンタクトしないことを許容するとは、デバイス非形成領域ＰＡにコンタクトすることを許容することである。さらには許容する場合、いくつの測定サイトまでなら許容するか等が制約条件に含まれる。

（コンタクト順序の決定：ステップＳ１４）
制御装置２０１は、ステップＳ１３により決定されたコンタクト位置情報に基づいて、プローブカード２０５が各コンタクト位置に対してどの順序でコンタクトするかを示すコンタクト順序情報を決定する。

（コンタクトマップの生成：ステップＳ１５）
制御装置２０１は、ステップＳ１３により決定したコンタクト位置情報とステップＳ１４により決定したコンタクト順序情報に基づきコンタクトマップＣＭＰを生成する。コンタクトマップＣＭＰはプローブカード２０５のウエハＷ上のデバイスＤに対するコンタクト位置情報とコンタクト順序情報を含み、プローブカード２０５がウエハＷ上のどのデバイスＤにどの順序でコンタクトするかを示す情報である。

次に、第１の実施形態における実施例について説明する。図８は第１の実施形態の実施例におけるウエハ上に形成されたデバイスの形成状態を示す図である。

図８に示すウエハＷ上には矩形で表されるデバイスＤが１９２個タイル状にＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って形成されている。なお、デバイスＤのうち白抜きとなっているデバイスは、前のテスト工程において良品と判断されているデバイス（良品デバイスＤ１）であり、今回のテストにおけるテスト対象デバイスである。一方、灰色で示されるデバイスは、前のテスト工程において不良と判断されているデバイス（不良デバイスＤ２）であり、今回のテストにおけるテスト非対象デバイスである。

図８においてはデバイスＤのウエハ内での位置を示すためにＸ軸、Ｙ軸が設けられている。Ｘ軸上には１から１６の数値が振られている、同様にＹ軸上には１から１６の数値が振られている。これにより、ウエハＷ上のそれぞれのデバイスＤはその位置をＸ軸の数値とＹ軸の数値で特定することが可能である。例えば、良品デバイスＤ１はＸ軸の値が１４，Ｙ軸の値が１４である。また不良デバイスＤ２の位置はＸ軸の値が１３，Ｙ軸の値が１４である。これらをそれぞれ、（Ｘ＝１４，Ｙ＝１４）の位置にあるデバイス、（Ｘ＝１３、Ｙ＝１４）の位置にあるデバイスという。

次に、マップ情報について図８および図９を用いて説明する。図９は第１の実施形態の実施例におけるマップ情報の一例を説明する図である。

図８に示すウエハＷにおいては、（Ｘ＝７，Ｙ＝１）の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であり、（Ｘ＝８，Ｙ＝１）と（Ｘ＝９，Ｙ＝１）と（Ｘ＝１０，Ｙ＝１）の位置にあるデバイスはいずれも良品デバイスＤ１である。よって、図８に示すウエハＷ上に形成されたデバイスについてのマップ情報ＭＰＩは、図９に示すように各行に１つのデバイスの情報を含み、その内訳は当該デバイスの位置情報（Ｘ軸およびＹ軸の値）と、良品（Ｐ）か不良品（Ｆ）かの情報である。

プローブカード２０５の形態について図２、図１０、図１１および図３５を用いて説明する。図１０は第２の形態におけるプローブカードを示す模式図である。図１１は第３の形態におけるプローブカードを示す模式図である。図３５は第４の形態におけるプローブカードを示す模式図である。

図２に示すように、第１の形態におけるプローブカード２０５は、第１の測定サイト２０５ａ、第２の測定サイト２０５ｂおよび第３の測定サイト２０５ｃが連続して横方向（Ｘ軸方向）に設けられている。同様に、図１０に示すように、第２の形態におけるプローブカード２０５は、第１の測定サイト２０５ａ、第２の測定サイト２０５ｂおよび第３の測定サイト２０５ｃが縦方向（Ｙ軸方向）に連続して設けられている。図１１に示すように、第３の形態におけるプローブカード２０５に第１の測定サイト２０５ａ、第２の測定サイト２０５ｂおよび第３の測定サイト２０５ｃが横方向（Ｘ軸方向）に１つおきに設けられている。図３５に示すように、第４の形態におけるプローブカード２０５に第１の測定サイト２０５ａ、第２の測定サイト２０５ｂ、第３の測定サイト２０５ｃ、第４の測定サイト２０５ｄ、第５の測定サイト２０５ｅ、第６の測定サイト２０５ｆが横方向（Ｘ軸方向）に３列、縦方向（Ｙ軸方向）に２行に渡って設けられている。このようにプローブカード２０５にどのように測定サイト２０５ａ～２０５ｃが設けられているかを示す情報がプローブカード２０５の形態情報である。

次に、第１の実施形態の第１の実施例における最適なプローブカードのコンタクト位置を決定する方法について図１２から図１４を用いて説明する。図１２から図１４は第１の実施形態の第１の実施例におけるプローブカードのコンタクト位置の決定方法を説明する図である。

図１２および図１３においては、図８に示すウエハＷ上のデバイスを横方向（Ｘ軸方向）に抜き出し、図面においてウエハＷ上側のデバイスから１行目（Ｙ１）、２行目（Ｙ２）のように記載している。すなわち、１行目（Ｙ１）はＹ軸の値が１なるデバイス、２行目（Ｙ２）はＹ軸の値が２なるデバイスである。図中の矩形が各デバイスを表し、矩形の中に記載している数値は各デバイスの位置を示すＸ軸の値であり、各デバイスを特定するために記載している。コンタクト位置の決定にあたっては不良デバイスＤ２にプローブカード２０５をなるべくコンタクトしないように、かつ良品デバイスＤ１に対しては必ずプローブカード２０５の測定サイト２０５ａ～２０５ｃのいずれかがコンタクトするように決定する。ここで、ウエハＷ上のデバイスの横方向に配置されている数は、プローブカード２０５の測定サイトの数以上である。

プローブカード２０５は図２に示す第１の形態のプローブカード２０５を用いるものとする。プローブカード２０５のデバイスＤに対するコンタクトにおいては、いずれの測定サイト２０５ａ～２０５ｃもウエハ上のいずれかのデバイスＤにコンタクトするものとし、デバイス非形成領域ＰＡに対するコンタクトは禁止とする。

本実施例では、原則として、不良デバイスＤ２とコンタクト位置決定済みのデバイスを除いて、一番左側にある良品デバイスＤ１に対して一番左側にある第１の測定サイト２０５ａをコンタクトさせるようにコンタクト位置を決定する。その結果、不良デバイスＤ２にコンタクトすることがあるが、それを許容する。ただし、測定サイト２０５ｂ，２０５ｃがデバイス非形成領域ＰＡに位置する場合は、一番右側にある第３の測定サイト２０５ｃをデバイスの形成されている領域まで戻してコンタクト位置を決定する。その結果、不良デバイスＤ２またはコンタクト位置決定済みのデバイスにコンタクトすることがあるが、それを許容する。

まず、制御装置２０１は、図１２に示す１行目（Ｙ１）の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を探索して決定する。左側から各デバイスを探索していくと、Ｘ＝７の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であるため、このデバイスは除外する。続くＸ＝８の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるため、第１の測定サイト２０５ａを該デバイスにコンタクトするようにプローブカード２０５の位置を定める。そうすると、第２の測定サイト２０５ｂはＸ＝９の位置にあるデバイスに、第３の測定サイトはＸ＝１０の位置にあるデバイスにコンタクトする。これにより、プローブカード２０５のコンタクト位置が決定し、Ｘ＝８から１０の位置にある３つのデバイスがプローブカード２０５の１回のコンタクトの対象となる。すなわち、１行目（Ｙ１）の位置にあるデバイスのうち太い黒線で示した矩形領域がプローブカード２０５のコンタクト位置となる。この矩形領域はＸ＝８から１０の位置にあるデバイスを含む。Ｘ＝１０の位置にあるデバイスに続くデバイスを探索するが、１行目（Ｙ１）にはもうテスト対象デバイスとしての良品デバイスＤ１は無く、１行目（Ｙ１）のコンタクト位置の探索はここで終了する。

次に、制御装置２０１は、２行目（Ｙ２）の位置にあるデバイスについてプローブカード２０５のコンタクト位置を探索して決定する。左側から各デバイスを探索していくと、Ｘ＝５の位置にあるデバイスが一番左に存在し、かつ良品デバイスＤ１であるため第１の測定サイト２０５ａをＸ＝５の位置にあるデバイスにコンタクトするようにプローブカード２０５の位置を定める。それに伴い、Ｘ＝６、７の位置にあるデバイスもそれぞれ第２の測定サイト２０５ｂ、第３の測定サイト２０５ｃによりコンタクトされる。これにより、Ｘ＝５から７の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。

続くＸ＝８の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であるため、該デバイスを除外する。次のＸ＝９の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるため、第１の測定サイト２０５ａをＸ＝９の位置にあるデバイスにコンタクトするようにプローブカード２０５の位置を定める。それに伴い、Ｘ＝１０、１１の位置にあるデバイスもそれぞれ第２の測定サイト２０５ｂ、第３の測定サイト２０５ｃによりコンタクトされる。これにより、Ｘ＝９から１１の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。

続くＸ＝１２の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であり、それに続くデバイスはないため、２行目（Ｙ２）のデバイスに対するコンタクト位置の探索は終了する。これにより２行目（Ｙ２）のデバイスに対するコンタクト位置は黒い太線で示された矩形領域２つとなる。

次に、制御装置２０１は、３行目（Ｙ３）の位置にあるバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を探索する。左側から各デバイスを探索していくと、Ｘ＝３の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であるため、該デバイスを除外する。次のＸ＝４の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるため、Ｘ＝４の位置にあるデバイスに第１の測定サイト２０５ａをコンタクトさせるようにプローブカード２０５の位置を定める。これにより、Ｘ＝４から６の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。なお、Ｘ＝６の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であるが、Ｘ＝４、５の位置にあるデバイスが良品デバイスであるためコンタクトせざるを得ず、Ｘ＝４から６の位置をコンタクト位置とする。

続くＸ＝７の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるためプローブカード２０５の第１の測定サイト２０５ａをコンタクトさせるようにプローブカード２０５の位置を定める。これにより、Ｘ＝７から９の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。

続くＸ＝１０の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるため、第１の測定サイト２０５ａを該デバイスにコンタクトさせるようにプローブカード２０５の位置を定める。これにより、Ｘ＝１０から１２の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。

続くＸ＝１３の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるため、プローブカード２０５の第１の測定サイト２０５ａをコンタクトさせる位置とする。しかし、このコンタクト位置では第３の測定サイト２０５ｃがデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトしてしまうため、制約条件に抵触する。そのため、図１２において左向き矢印（←）によって示すように、プローブカード２０５のコンタクト位置を左方向に１つ戻し、Ｘ＝１３の位置にあるデバイスに対して第２の測定サイト２０５ｂがコンタクトするようにコンタクト位置を定める。これにより、Ｘ＝１２から１４の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。このコンタクト位置では第３の測定サイト２０５ｃがデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトすることはなくコンタクト位置として適切である。Ｘ＝１２の位置にあるデバイスは２回プローブカード２０５によりコンタクトされることとなる。しかし、コンタクト回数に特段の制限がない場合、または制限に抵触する場合を除いて問題はない。また、通常２回目のコンタクトではテスタ１００によるテストは実施されない。以上の操作により３行目（Ｙ３）のデバイスに対して４か所のコンタクト位置が決定する。４か所のコンタクト位置は図中黒い太線の矩形領域で示される。

図１２に示す４行目（Ｙ４）から８行目（Ｙ８）および図１３に示す９行目（Ｙ９）から１６行目（Ｙ１６）のデバイスに対するコンタクト位置の決定も同様の操作で行う。なお、デバイス非形成領域ＰＡにコンタクトしないという制約条件により、図１２に示す４行目（Ｙ４）、６行目（Ｙ６）７行目（Ｙ７）においては、左向き矢印（←）によって示すように、プローブカード２０５のコンタクト位置を左方向に１つ戻している。また、図１３に示す１０行目（Ｙ１０）、１１行目（Ｙ１１）、１２行目（Ｙ１２）、１３行目（Ｙ１３）においては、左向き矢印（←）によって示すように、プローブカード２０５のコンタクト位置を左方向に１つまたは２つ戻している。以上の操作により、ウエハＷ全体で最終的に６３か所のコンタクト位置が定められる。

なお、上記方法では各行のデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置の決定においてそれぞれ左側のデバイスから探索していったが、右側のデバイスから探索してもよい。その場合は、テスト非対象デバイスとしての不良デバイスとコンタクト位置決定済みのデバイスを除いて、一番右側にあるテスト対象デバイスとしての良品デバイスに対して第３の測定サイト２０５ｃをコンタクトさせるようにコンタクト位置を決定する。

同様な方法に基づき、例えば図１０に示す第２の形態のプローブカードにおいてはそのコンタクト位置の決定はウエハを縦方向（Ｙ軸方向）に切り出して考えればよい。さらに、図１１に示す第３の形態のプローブカードに対しては、上記と同様各行のデバイスに対して、不良デバイスとコンタクト位置決定済みのデバイスを除いて、一番左側の良品デバイスに第１の測定サイト２０５ａをコンタクトするようにコンタクト位置を定めればよい。

図９に示すウエハＷ上に形成されたデバイスに対し上記に説明した方法で定められたコンタクト位置を図１４に示す。黒い太線で示された矩形領域がそれぞれのコンタクト位置を示している。分かりやすくするためそれぞれのコンタクト位置において第２の測定サイト２０５ｂがコンタクトするデバイスの位置を黒色の丸印で示している。

本実施例では、不良デバイスにプローブカード２０５をなるべくコンタクトさせないようにすることで、図１４に示すように、計６３回のコンタクトでウエハ全体の良品デバイスのテストが実施可能である。一方、良品デバイスと不良デバイスを区別せず、プローブカード２０５のコンタクト位置を定める方法では、図３に示すようにウエハ全体のデバイスのテストを実施するのに、計７０回のプローブカード２０５のコンタクトを必要とする。１回のコンタクトで実施されるテスト時間が共通であるとすると、本実施例ではウエハ当たりのテスト時間が図３に示す場合より約１０％短縮できることがわかる。

次に、第１の実施形態の第２の実施例における最適なプローブカードのコンタクト位置を決定する方法について図８、図３５から図３９を用いて説明する。図３６は第１の実施形態の第２の実施例におけるコンタクト位置を決定する方法を示すフローチャートである。図３７および図３８は第１の実施形態の第２の実施例におけるプローブカードのコンタクト位置の決定方法を説明する図である。図３７および図３８は、図８と同様に、各デバイスを特定するためにその位置をＸ軸の値、Ｙ軸の値で表している。白抜きのデバイスは良品デバイスＤ１であり、プローブカードのコンタクトが必要なデバイスである。灰色で示すデバイスは不良デバイスＤ２でありプローブカードのコンタクトは不要なデバイスである。斜線で示すデバイスはコンタクト位置決定済みのデバイスである。

本実施例におけるウエハＷ上に形成されたデバイスＤの形成状態は図８に示す第１の実施例と同様である。コンタクト位置の決定にあたっては不良デバイスＤ２にプローブカード２０５をなるべくコンタクトしないように、かつ良品デバイスＤ１に対しては必ずプローブカード２０５の測定サイト２０５ａ～２０５ｆのいずれかがコンタクトするように決定する。ここで、ウエハＷ上のデバイスの横方向に配置されている数は、プローブカード２０５の測定サイトの数以上である。

プローブカード２０５は図３５に示す第４の形態のプローブカード２０５を用いるものとする。プローブカード２０５のデバイスＤに対するコンタクトにおいては、いずれの測定サイト２０５ａ～２０５ｆもウエハ上のいずれかのデバイスＤにコンタクトするものとし、デバイス非形成領域ＰＡに対するコンタクトは禁止とする。

本実施例では、不良デバイスＤ２とコンタクト位置決定済みのデバイスを除いて、一番上側かつ一番左側にある良品デバイスＤ１に対してコンタクト位置を探索する。まず、測定サイト２０５ａ～２０５ｆのいずれかの測定サイトを該良品デバイスＤ１にコンタクトすることを想定する。そして、該コンタクトによっていずれかの測定サイトがデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトしてしまう場合を除外する。そして、該コンタクトによって良品デバイスＤ１、ただしコンタクト位置決定済みのデバイスを除く、を最多に含むコンタクト位置の１つを今回の探索結果とする。このコンタクト位置の決定によりコンタクト位置内の良品デバイスＤ１はコンタクト位置決定済みとなり、以降の探索からは除外されることとなる。この操作を繰り返し全ての良品デバイスＤ１がコンタクト位置決定済みとなった時点でコンタクト位置の決定は完了する。

以下、図３６に示すフローチャートを参照してコンタクト位置の決定方法を説明する。

まず初めに、初期設定として、制御装置２０１は、図８に示すデバイスの配置状況（マップ情報ＭＰＩ）を読み込む（ステップＳ２１）。良品デバイスＤ１をテスト対象デバイスとし、不良品デバイスＤ２をテスト非対象デバイスとし、制御装置２０１はマップ情報ＭＰＩをＲＡＭ２０１ｂに記録する。

次に、制御装置２０１はウエハＷにおいて最上位（Ｙ軸の値が小さい）に位置するデバイスのうち、最左（Ｘ軸の値が小さい）となるテスト対象デバイスを探索する。図８に示す例では（Ｘ＝８，Ｙ＝１）の位置にある良品デバイスＤ１が選出される（ステップＳ２２，Ｓ２３）。

続いて、該デバイスに測定サイト２０５ｃ～２０５ｆのいずれかをコンタクトさせた場合、いずれかの測定サイトがデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトしてしまうためこれらは除外する。測定サイト２０５ａをコンタクトさせると、コンタクト位置には５つのテスト対象デバイスが含まれ、測定サイト２０５ｂをコンタクトさせると４つのテスト対象デバイスが含まれる。このため今回の探索では最多の５つのテスト対象デバイスをコンタクト位置に含む、測定サイト２０５ａが該デバイスにコンタクトする位置をコンタクト位置と決定する（ステップＳ２４）。

制御装置２０１はステップＳ２４により決定したコンタクト位置をＲＡＭ２０１ｂに記録し、コンタクト位置内の５つのテスト対象デバイスをテスト非対象デバイスとする（ステップＳ２５）。ここで、５つのテスト対象デバイスは、（Ｘ＝８，Ｙ＝１）、（Ｘ＝９，Ｙ＝１）、（Ｘ＝１０，Ｙ＝１）の位置にある３つのデバイスと、（Ｘ＝９，Ｙ＝２）、（Ｘ＝１０，Ｙ＝２）の位置にある２つのデバイスである。これらのデバイスはコンタクト位置決定済みであり、以降の探索からは除外されることとなる。図３７において斜線で示す５つのデバイスが、今回、コンタクト位置が決定されたデバイスであり、テスト非対象デバイスとなったことを示している。

制御装置２０１は、同様にして次のコンタクト位置を探索するため、テスト対象デバイスの有無を検査する（ステップＳ２２）そして、最上位かつ最左に位置する（Ｘ＝５，Ｙ＝２）の位置にあるデバイスをテスト対象デバイスとして選出する（ステップＳ２３）。該デバイスに測定サイト２０５ｂ～２０５ｆをコンタクトさせようとすると、いずれかの測定サイトがデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトしてしまう。該デバイスにコンタクト可能なプローブカード２０５の測定サイトは測定サイト２０５ａのみであり、この位置をコンタクト位置と決定する（ステップＳ２４）。このコンタクト位置に含まれるテスト対象デバイスは５つである。それらは、（Ｘ＝５，Ｙ＝２）、（Ｘ＝６，Ｙ＝２）、（Ｘ＝７，Ｙ＝２）の位置にあるデバイスの３つと、（Ｘ＝５，Ｙ＝３）、（Ｘ＝７，Ｙ＝３）の位置にあるデバイスの２つである。そして、制御装置２０１はこれらのテスト対象デバイスをテスト非対象デバイスとしてＲＡＭ２０１ｂに登録する（ステップＳ２５）。

次に選出されるテスト対象デバイスは（Ｘ＝１１，Ｙ＝２）の位置にあるデバイスである（ステップＳ２２，Ｓ２３）。該デバイスに測定サイト２０５ａをコンタクトさせた場合、測定サイト２０５ｃがデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトしてしまい不適切なため候補から除外される。該デバイスに測定サイト２０５ｂをコンタクトさせた場合、４つのテスト対象デバイスがコンタクト位置に含まれる。該デバイスに測定サイト２０５ｃをコンタクトさせた場合も４つのテスト対象デバイスがコンタクト領域に含まれる。該デバイスに測定サイト２０５ｄ～２０５ｆをコンタクトさせた場合、測定サイト２０５ｆはデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトしてしまい不適切なため候補から除外される。これによりコンタクト位置は測定サイト２０５ｂがコンタクトする位置に定められ（ステップＳ２４）、制御装置２０１はそのコンタクト位置をＲＡＭ２０１ｂに登録する。このコンタクト位置に含まれるテスト対象デバイスは、（Ｘ＝１１，Ｙ＝２）、（Ｘ＝１０，Ｙ＝３）、（Ｘ＝１１，Ｙ＝３）および（Ｘ＝１２，Ｙ＝３）の位置にある４つのデバイスである。制御装置２０１はこれらのデバイスをテスト非対象デバイスとしてＲＡＭ２０１ｂに記録する。

以上のコンタクト位置の決定によるテスト対象デバイスからテスト非対象デバイスに変更されたウエハＷのデバイスの状況は図３８において斜線で示されている。

以後同様な操作により順々にコンタクト位置が定められ、最終的にテスト対象デバイスがなくなった時点でコンタクト位置決定手続きは終了する。

本実施例ではプローブカード２０５測定サイトが２行３列の場合を例に、コンタクト位置を定める方法を説明したが、プローブカードの測定サイトｍ行ｎ列（ｍ、ｎは２以上の整数）であってもコンタクト位置の決定方法は変わりがない。さらに、プローブカードの測定サイトの配置が連続ではなく、飛び飛びの状態でも同様にコンタクト位置を定めることが可能である。

次に、決定されたコンタクト位置に対してプローブカードをコンタクトする順序を定める方法について図１５を用いて説明する。図１５は第１の実施形態の実施例におけるコンタクトする順序を決定する方法を説明する図である。

図１４に示す定められたコンタクト位置に対し、図１５に示すように、制御装置２０１はウエハＷの上側から下側に向かってジグザクにコンタクト順序を定める。ここで、Ｙ軸方向を上下方向とし、図１４と同様に、コンタクト位置において第２の測定サイト２０５ｂがコンタクトするデバイスの位置を黒色の丸印で示している。すなわち、１行目のコンタクト位置は１つのみであるので、このコンタクト位置を１回目のコンタクト位置ＣＡ１とする。２行目にはコンタクト位置が２つ定められており右側のコンタクト位置を２回目のコンタクト位置ＣＡ２とし、左側のコンタクト位置を３回目のコンタクト位置ＣＡ３とする。３行目には４つコンタクト位置が定められており、左側のコンタクト位置から４回目から７回目のコンタクト位置とする。以下同様に右側から、または左側からコンタクト位置を選択していきコンタクト順とする。このような選択方法ではテスト実行時に位置制御装置２０４においてプローブカード２０５とウエハＷ上のデバイスＤの位置を調整する際に相互の移動距離が比較的少なくすることが可能である。

次に別のコンタクト順序の決定方法について図１６を用いて説明する。図１６は第１の実施形態の実施例における別のコンタクト順序を決定する方法を説明する図である。

図１４に示す定められたコンタクト位置に対し、図１６に示すように、制御装置２０１はウエハ外周側のコンタクト位置ＣＡ１から開始し、らせん状にコンタクト位置ＣＡ２，ＣＡ３をたどって中心部側に向かうようにコンタクトする順序を定める。これにより、連続するコンタクト位置間でプローブカードの移動距離を最小にする、すなわち、プローブカード２０５とウエハＷとの相対的移動距離を最小にすることが可能である。ウエハ中心部側のコンタクト位置から開始し、らせん状にコンタクト位置をたどってウエハ外周側に向かうようにコンタクトする順序を定めてもよい。

次に、さらに別のコンタクト順序の決定方法について図１７を用いて説明する。図１７は第１の実施形態の実施例における別のコンタクト順序を決定する方法を説明する図面である。

図１４に示す定められたコンタクト位置に対し、図１７に示すように、制御装置２０１はコンタクトする順序を定める。ここでは連続するプローブカードのコンタクト位置において、コンタクトされるデバイス間のウエハ上での距離を一定値以上、または一定値以下とするようなコンタクト順序を示している。例えば、連続するコンタクト、すなわちテストにおいて、前のテストによるデバイスの発熱といった影響を次のテスト対象となるデバイスに及ぼすことが無いようにウエハ上で一定の距離を以て次のテストを実施するデバイスを選択するようコンタクト順序を定める。

コンタクトマップについて図１８および図１９を用いて説明する。図１８は図１４に示すコンタクト位置に対し、図１５で示すコンタクト順序によってコンタクトする順番を表した図である。図１９は図１８に示すコンタクト位置およびコンタクト順序の情報を示すコンタクトマップの一例を示す図である。図１８に示す黒い太線の矩形領域がコンタクト位置であり、その中の数値がコンタクトする順番である。

図１９に示すように、１回目のコンタクト位置ＣＡ１におけるプローブカード２０５の第１の測定サイト２０５ａがコンタクトするデバイスの位置は（Ｘ＝８，Ｙ＝１）である。これが図１９に示すコンタクトマップＣＭＰの１行目に記載されている。同様に、２回目のコンタクト位置ＣＡ２における第１の測定サイト２０５ａがコンタクトするデバイスの位置は（Ｘ＝９，Ｙ＝２）であり、コンタクトマップＣＭＰの２行目に記載されている。３回目のコンタクト位置ＣＡ３における第１の測定サイト２０５ａがコンタクトするデバイスの位置は（Ｘ＝５，Ｙ＝２）であり、コンタクトマップの３行目に記載されている。４行目以降も同様に記載されている。図１９に示すコンタクトマップＣＭＰにおいて左側に示す数字はコンタクト順番である。

本実施例では、良品デバイスＤ１をテスト対象デバイス、不良デバイスＤ２をテスト非対象デバイスとする例を説明したが、別の観点から各デバイスをテストが必要なデバイスをテスト対象デバイスとし、テストが不要なデバイステスト非対象デバイスとしてもよい。

本実施形態では、動的に定められたコンタクトマップにより予めテスト非対象デバイスと判明しておりテスト非対象デバイスを避けるようにプローブカードをテスト対象デバイスにコンタクトさせる。これにより、ウエハ上の全てのテスト対象デバイスに対するプローブカードのコンタクトの総数をコンタクト位置が静的に事前に定められていた場合と比較して少なくすることが可能となる。コンタクト回数はテスト時間に比例するため、コンタクト回数が少なくなることによりウエハ当たりのテスト所要時間が短縮されテスト効率が向上する。

また、本実施形態では、プローブカードがテスト対象デバイスにコンタクトする順序を事前に定められた方針に従い定めているので連続するテストのコンタクト位置の距離を調整することが可能となる。これにより、前回のテストにおいて被測定デバイスに与えた温度上昇などの影響が適切な距離を保つことで回避され、最適な条件、すなわち期待しているテスト条件でテストを実施することが可能となる。これにより、テスト品質が向上する。

［第２の実施形態］
次に、第２の実施形態におけるテスト装置について説明する。第２の実施形態では、ウエハ上に形成されたデバイスにテスト対象デバイス、テスト非対象デバイスおよびテスト禁止デバイスを有する場合におけるプローブカードのコンタクト位置を最適化する例を説明する。ここで、テスト禁止デバイスは、例えば、プローカードによるコンタクトが禁止されるデバイスであり、コンタクト禁止デバイスともいう。

第２の実施形態におけるテスト装置の構成は、図５に示すテスト装置の構成と同様である。第２の実施形態におけるテスト装置の動作は、図６に示すテスト装置の動作と同様である。

次に、第２の実施形態におけるコンタクトマップの作製の動作について図７に示すフローチャートを用いて第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。

（マップ情報の読込み：ステップＳ１１）
制御装置２０１は、第１の実施形態と同様に、デバイスＤのマップ情報ＭＰＩを記憶装置２０３等から読み込む。マップ情報ＭＰＩには、各デバイスＤの位置情報と、各デバイスの固有情報としてテスト対象デバイス、テスト非対象デバイスおよびテスト禁止デバイスの情報と、が含まれる。

（プローブカード形態情報の読込み：ステップＳ１２）
制御装置２０１は、第１の実施形態と同様に、プローブカードの形態情報ＰＣＩを記憶装置２０３等から読み込む。

（コンタクト位置の決定：ステップＳ１３）
制御装置２０１は、マップ情報ＭＰＩおよびプローブカードの形態情報ＰＣＩに基づいて最適なプローブカード２０５のコンタクト位置を決定する。この場合、制御装置２０１は、プローブカード２０５が可能な限りテスト非対象デバイスにコンタクトしないように、テスト禁止デバイスには決してコンタクトしないようにし、最少のコンタクト数で可能な限りウエハ内の全てのテスト対象デバイスにコンタクトできるコンタクト位置を決定する。この場合、プローブカード２０５の測定サイト２０５ａ～２０５ｃがデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトしてもよいか否かを事前に制約条件として与えられている。なお、上記制約条件およびやテスト禁止デバイスの位置次第では絶対にコンタクトできないテスト対象デバイスが存在する可能性があるが、このような場合は該デバイスのテストは不可であり不良判定することとなる。

制御装置２０１は、コンタクト位置を決定すると、次にコンタクト順序を決定しコンタクトマップＣＭＰを生成するが、以降の動作は第１の実施形態のステップＳ１４，Ｓ１５の動作と同様である。

次に、第２の実施形態における実施例について図２０を用いて説明する。図２０は第２の実施形態の実施例におけるデバイスの形成状態を示した図である。

ウエハＷ上に良品デバイスＤ１、不良デバイスＤ２およびコンタクト禁止デバイスＤ３が形成されている。白抜きのデバイスは良品デバイスＤ１であり、テスト対象デバイスである。灰色で示しているデバイスは不良デバイスＤ２であり、テスト非対象デバイスである。斜線で示したデバイス、例えば（Ｘ＝３，Ｙ＝６）の位置にあるデバイスはコンタクト禁止デバイスＤ３である。良品デバイスＤ１に対してはプローブカード２０５をコンタクトさせる必要があり、不良デバイスＤ２に対してはプローブカード２０５をコンタクトさせる必要はない。一方、コンタクト禁止デバイスＤ３は、例えば、バンプ不良によりプローブカード２０５がコンタクトすることでプローブカード２０５を破壊してしまうデバイスであり、プローブカード２０５のコンタクトは禁止されている。コンタクト禁止デバイスＤ３はウエハＷの外観検査等により判明する。

本実施例で使用するプローブカードは、図２に示す第１の形態のプローブカード２０５である。また、本実施例においてもデバイス非形成領域ＰＡへのプローブカード２０５のコンタクトは禁止するものとする。

本実施例によるコンタクト位置の決定方法について図２１を用いて説明する。図２１は第２の実施形態の実施例におけるコンタクト位置の決定方法を説明する図である。

図２１は図２０に示すデバイスのうち４行目と６行目を抜きだしたものである。これ以外の行のデバイスの形成状態は第１の実施形態の実施例と同一であり、プローブカードのコンタクト位置は同様に決定される。

本実施例では、原則として、不良デバイスＤ２とコンタクト位置決定済みのデバイスを除いて、一番左側にある良品デバイスＤ１に対して一番左側にある第１の測定サイト２０５ａをコンタクトさせるようにコンタクト位置を決定する。ただし、測定サイト２０５ｂ，２０５ｃがコンタクト禁止デバイスＤ３またはデバイス非形成領域ＰＡに位置する場合は、一番右側にある第３の測定サイト２０５ｃがコンタクト禁止デバイスＤ３以外のデバイスおよびデバイスの形成されている領域まで戻してコンタクト位置を決定する。ただし、測定サイト２０５ａ，２０５ｂがコンタクト禁止デバイスＤ３またはデバイス非形成領域ＰＡに位置する場合は、テスト不可とする。

制御装置２０１は、図２１に示す４行目（Ｙ４）の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を探索する。左側から各デバイスを探索していくと、Ｘ＝３の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であり、プローブカード２０５の第１の測定サイト２０５ａを該デバイスにコンタクトさせる。これにより、Ｘ＝４、５の位置にあるデバイスもプローブカード２０５とコンタクトし、Ｘ＝３から５の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。

続くＸ＝６の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であり、プローブカード２０５の第１の測定サイト２０５ａを該デバイスにコンタクトさせる。すると、第２の測定サイト２０５ｂはＸ＝７の位置にあるデバイスに、第３の測定サイト２０５ｃはＸ＝８の位置にあるデバイスにコンタクトする。しかし、Ｘ＝８の位置にあるデバイスはコンタクト禁止デバイスＤ３であり、プローブカード２０５をコンタクトさせることは禁止されている。そこで、プローブカード２０５のコンタクト位置を左方向に１つ戻し、第１の測定サイト２０５ａがＸ＝５の位置にあるデバイスにコンタクトするようにコンタクト位置を設定する。この場合、測定サイト２０５ａ～２０５ｃのいずれもコンタクト禁止デバイスＤ３にコンタクトすることなく、かつデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトすることもないのでコンタクト可能であり、Ｘ＝５から７の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。

続くＸ＝９の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるため、プローブカード２０５の第１の測定サイト２０５ａをコンタクトさせる。その場合、第２の測定サイト２０５ｂがＸ＝１０の位置にあるデバイスに、第３の測定サイト２０５ｃがＸ＝１１の位置にあるデバイスにコンタクトする。これらのデバイスはいずれもコンタクト禁止デバイスＤ３ではなく、かつデバイスが存在する領域であるためコンタクト可能であるので、Ｘ＝９から１１の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。

続くＸ＝１２の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であるので、該デバイスを除外する。次のＸ＝１３の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるため、該デバイスに対してプローブカード２０５の第１の測定サイト２０５ａをコンタクトさせる。しかし、その場合、第３の測定サイト２０５ｃがデバイス非形成領域ＰＡとなるためコンタクト位置として不適切であるため、コンタクト位置を左方向に１つ戻し、Ｘ＝１２から１４の位置にあるデバイスにプローブカード２０５をコンタクトさせる。この場合はコンタクト位置にコンタクト禁止デバイスＤ３は含まず、かつ測定サイト２０５ａ～２０５ｃのいずれにもデバイスが存在するためコンタクト位置として適切であり、Ｘ＝１２から１４の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。４行目には探索対象となるデバイスはもう存在しないため、この行の探索は終了する。

次に、制御装置２０１は、図２１に示す６行目（Ｙ６）の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を探索する。左側から各デバイスを探索していくと、一番左のＸ＝２のデバイスは良品デバイスＤ１であるため、プローブカード２０５の第１の測定サイト２０５ａをコンタクトさせる。しかし、この場合、第２の測定サイト２０５ｂがコンタクトするＸ＝３の位置にあるデバイスはコンタクト禁止デバイスＤ３でありコンタクトすることができない。そのためプローブカード２０５のコンタクト位置を１つ左側に戻そうとするが、そうすると第１の測定サイト２０５ａがデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトすることになってしまうため、コンタクト位置としては不適切である。そのためＸ＝２の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクトは断念し該デバイスのテストは不能とする。

続くＸ＝３の位置にあるデバイスはコンタクト禁止デバイスＤ３であり、次のデバイスの探策を行う。Ｘ＝４の位置にあるデバイスは良品デバイスであり、プローブカード２０５の第１の測定サイト２０５ａをコンタクトさせる。その場合、第２の測定サイト２０５ｂはＸ＝５の位置にあるデバイス、第３の測定サイト２０５ｃはＸ＝６の位置にあるデバイスにコンタクトすることとなる。いずれのデバイスも良品デバイスでＤ１あり、コンタクト位置は適切である。Ｘ＝４から６の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。

続くＸ＝７の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であり、同様にＸ＝７から９の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。以下、同様に、Ｘ＝１０から１２の位置にあるデバイス、Ｘ＝１３から１５の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。

６行目（Ｙ６）の位置にあるデバイスに対するコンタクト位置の決定においては、コンタクト禁止デバイスＤ３の存在により良品デバイスＤ１であるにも関わらずコンタクト不能によりテスト実施不可能なデバイスが存在してしまう。これは、不可避な状況でありこれを甘受してコンタクト位置の決定を行う。

以上の操作によりウエハＷ上に形成されたコンタクト禁止デバイスＤ３を含むデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置が定められる。

なお、デバイス非形成領域ＰＡへのプローブカード２０５のコンタクトを許容する場合、６行目（Ｙ６）のＸ＝２の位置にあるデバイスに対するコンタクト位置は第３の測定サイト２０５ｃをＸ＝２の位置にあるデバイスにコンタクトさせる位置となる。この場合、第１の測定サイト２０５ａと第２の測定サイト２０５ｂはデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトすることとなる。

本実施形態では、マップ情報にテスト対象デバイス、テスト非対象デバイスおよびテスト禁止デバイスが含まれる例を説明したが、マップ情報にテスト非対象デバイスの情報を含んでいなくてもよい。

本実施形態では、ウエハごとのテスト禁止デバイスの位置情報を分析することで動的にコンタクトマップを生成する。これにより、ウエハごとにテスト禁止デバイスの位置が相違していてもテストが実施可能となる。なお、プローブカードのコンタクト位置を事前に定めておく場合はウエハごとに異なるテスト禁止デバイスが存在しているときはテストが不可能である。

また、本実施形態では、テスト非対象デバイスに加えてテスト禁止デバイスが存在するときでも、第１の実施形態と同様に、プローブカードのコンタクト数を低減することが可能であり、ウエハ当たりのテスト所要時間を低減することが可能となる。

［第３の実施形態］
次に、第３の実施形態におけるテスト装置について説明する。第３の実施形態は、第１の実施形態と同様に、ウエハ上に形成されたデバイスにテスト対象デバイスとテスト非対象デバイスが含まれる場合に複数の測定サイトを有するプローブカードのコンタクト位置を最適化するものである。第３の実施形態では、さらに、プローブカードの複数の測定サイトのうち１つ以上の測定サイトが使用できない場合におけるプローブカードのコンタクト位置を最適化する例を説明する。

第３の実施形態におけるテスト装置の構成は、図５に示すテスト装置の構成と同様である。第３の実施形態におけるテスト装置の動作は、図６に示すテスト装置の動作と同様である。

次に、第３の実施形態におけるコンタクトマップの作製の動作について図７に示すフローチャートを用いて第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。

（マップ情報の読込み：ステップＳ１１）
制御装置２０１は、第１の実施形態と同様に、デバイスＤのマップ情報ＭＰＩを記憶装置２０３等から読み込む。マップ情報ＭＰＩの内容は第１の実施形態と同様である。

（プローブカード形態情報の読込み：ステップＳ１２）
制御装置２０１は、第１の実施形態と同様に、プローブカードの形態情報ＰＣＩを記憶装置２０３等から読み込む。プローブカードの形態情報ＰＣＩには、第１の実施形態における情報に加えて、どの測定サイトが使用できないかの情報が含まれる。

（コンタクト位置の決定：ステップＳ１３）
制御装置２０１はマップ情報ＭＰＩおよびプローブカードの形態情報ＰＣＩに基づいてプローブカードのデバイスに対する最適なコンタクト位置を決定する。コンタクト位置の決定に際しては、下記の制約条件等に基づきウエハＷ上に形成されたデバイスのうち、全てのテスト対象デバイスに対するテストが実施できる最小のコンタクト数となるコンタクト位置を最適なコンタクト位置としている。なお、下記の制約条件は事前に定められる。

（１）テスト非対象デバイスに可能な限りプローブカード２０５がコンタクトしないようにすること
（２）プローブカード２０５の測定サイト２０５ａ～２０５ｃのうち使用不可の測定サイトではテストが不可能なことを前提に全てのテスト対象デバイスに有効な測定サイトが必ずコンタクトするようにすること
（３）デバイス非形成領域ＰＡへのプローブカード２０５のコンタクトを禁止すること、またはデバイス非形成領域ＰＡへのコンタクトを許容すること、のいずれかであること

制御装置２０１は、コンタクト位置を決定すると、次にコンタクト順序を決定しコンタクトマップＣＭＰを生成するが、以降の動作は第１の実施形態のステップＳ１４，Ｓ１５の動作と同様である。

次に、第３の実施形態における実施例について説明する。第３の実施形態の実施例の前提状況について図２および図８を用いて説明する。

図８に示すように、ウエハＷ上に良品デバイスＤ１および不良デバイスＤ２が形成されている。上述したように、白抜きのデバイスは良品デバイスＤ１であり、テスト対象デバイスである。灰色で示しているデバイスは不良デバイスＤ２であり、テスト非対象デバイスである。

プローブカード２０５は第１の実施形態の実施例で用いるものと同様であり、図２に示す第１の形態のプローブカードである。そのうち第２の測定サイト２０５ｂが故障により、または理由は不明だがテスト歩留まりが悪く、測定に用いるのは不適切であるものとする。ここで、テスト歩留まりとはテストで良品判定となる割合である。また、本実施例においても、第１の実施形態の実施例と同様、プローブカード２０５のデバイス非形成領域ＰＡへのコンタクトは禁止とする。

本実施例におけるコンタクト位置を決定する方法について図２２から２７を用いて説明する。図２２から２７は第３の実施形態の実施例におけるコンタクト位置を決定する方法を説明する図である。

図２２から２６は図８に示すデバイスをウエハ上方から各行ごとに切り出したものである。各デバイスに記載されている数値は、該デバイスの位置をＸ軸上での値で示している。図２２から２６では太い黒線の矩形がプローブカード２０５の各行ごとのコンタクト位置ＣＰ１～ＣＰ６を示している。コンタクト位置ＣＰ１～ＣＰ６の内部に記載された数値はプローブカード２０５の測定サイト２０５ａ～２０５ｃを識別する番号を表している。「１」は第１の測定サイト２０５ａ、「２」は第２の測定サイト２０５ｂ、「３」は第３の測定サイト２０５ｃを表す。

本実施例では、原則として、不良デバイスＤ２とコンタクト位置決定済みのデバイスを除いて、一番左側にある良品デバイスＤ１に対して一番左側にある測定可能な測定サイトとしての第１の測定サイト２０５ａをコンタクトさせるようにコンタクト位置を決定する。その結果、不良デバイスＤ２にコンタクトすることがあるが、それを許容する。ただし、右側にある測定可能な測定サイトとしての測定サイト２０５ｂ，２０５ｃがデバイス非形成領域ＰＡに位置する場合は、一番右側にある測定可能な測定サイトとしての第３の測定サイト２０５ｃがデバイスの形成されている領域まで戻してコンタクト位置を決定する。その結果、不良デバイスＤ２またはコンタクト位置決定済みのデバイスにコンタクトすることがあるが、それを許容する。

制御装置２０１は、図２２に示す１行目（Ｙ１）の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を探索する。左側から各デバイスを探索していくと、Ｘ＝７の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であるので除外する。次のＸ＝８の位置にあるデバイスは良品デバイスであるため、プローブカード２０５の第１の測定サイト２０５ａを該デバイスにコンタクトさせる。このコンタクトにより第２の測定サイト２０５ｂはＸ＝９の位置にあるデバイスに、第３の測定サイト２０５ｃはＸ＝１０の位置にあるデバイスにコンタクトする。しかし、第２の測定サイト２０５ｂは使用不可なため使用することはできず、Ｘ＝９の位置にあるデバイスのテストは実施せず、Ｘ＝８の位置にあるデバイスとＸ＝１０の位置にあるデバイスのみがテスト実施可能となる。これによりプローブカード２０５の１つ目のコンタクト位置ＣＰ１をＸ＝８から１０の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。

続くＸ＝９の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるため、該デバイスにプローブカード２０５の第１の測定サイト２０５ａをコンタクトさせる。しかし、そうすることで第３の測定サイト２０５ｃがデバイス非形成領域ＰＡに位置するため、コンタクト位置としては不適切である。そのため、コンタクト位置を左方向に２つ戻し、第３の測定サイト２０５ｃがＸ＝９の位置にあるデバイスにコンタクトするようにコンタクト位置を定める。この場合、第１の測定サイト２０５ａはＸ＝７の位置にあるデバイスコンタクトするためコンタクト位置として適切であり、Ｘ＝７から９の位置にあるデバイスは２つ目のコンタクト位置ＣＰ２とする。以上の１つ目のコンタクト位置ＣＰ１と２つ目のコンタクト位置ＣＰ２で１行目（Ｙ１）のコンタクト位置は全て決定される。

次に、制御装置２０１は、図２３に示す２行目（Ｙ２）の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を探索する。左側から各デバイスを探索していくと、Ｘ＝５の位置にあるデバイスは良品デバイスであり、このデバイスにプローブカードの第１の測定サイト２０５ａをコンタクトさせる。これにより、第２の測定サイト２０５ｂはＸ＝６の位置にあるデバイスに、第３の測定サイト２０５ｃはＸ＝７の位置にあるデバイスにコンタクトすることとなり、Ｘ＝５から７の位置にあるデバイスを１つ目のコンタクト位置ＣＰ１とする。ただし、Ｘ＝６の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるが、使用不可な第２の測定サイト２０５ｂにコンタクトされるため依然としてコンタクト位置が未決定のままである。そこで、Ｘ＝６の位置にあるデバイスに第１の測定サイト２０５ａをコンタクトさせるものとする。これにより、Ｘ＝６から８の位置にあるデバイスを２つ目のコンタクト位置ＣＰ２とする。

続くＸ＝９の位置にあるデバイスにプローブカードの第１の測定サイト２０５ａをコンタクトさせるようにすると、Ｘ＝１０、１１の位置にあるデバイスがコンタクトされるので、Ｘ＝９から１１の位置にあるデバイスを３つ目のコンタクト位置ＣＰ３とする。ただし、Ｘ＝１０の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるがコンタクト位置が未決定として残るので、最後にＸ＝１０から１２の位置にあるデバイスを４つ目のコンタクト位置ＣＰ４として２行目の良品デバイスのテストができるコンタクト位置が決定する。

次に、制御装置２０１は、図２４に示す３行目（Ｙ３）の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を探索する。左側から各デバイスを探索していくと、Ｘ＝３の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であるので除外する。次のＸ＝４の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるので、Ｘ＝４から６の位置にあるデバイスを最初のコンタクト位置ＣＰ１とする。そうすると、Ｘ＝５の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるがコンタクト位置が未決定として残るので、Ｘ＝５から７の位置にあるデバイスを２つ目のコンタクト位置ＣＰ２とする。

続く、Ｘ＝８の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるので、Ｘ＝８から１０の位置にあるデバイスを３つ目のコンタクト位置ＣＰ３とする。そうすると、Ｘ＝９の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるがコンタクト位置が未決定として残るので、さらにＸ＝９から１１の位置にあるデバイスを４つ目のコンタクト位置ＣＰ４とする。

続く、Ｘ＝１２の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるので、Ｘ＝１２から１４の位置にあるデバイスを５つ目のコンタクト位置ＣＰ５とする。そうすると、Ｘ＝１３の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるがコンタクト位置が未決定として残る。Ｘ＝１３の位置にあるデバイスを第１の測定サイト２０５ａにコンタクトさせようとすると、第３の測定サイト２０５ｃがデバイス非形成領域ＰＡとなる。このため、コンタクト位置を左方向に２つ戻し、第３の測定サイト２０５ｃがコンタクトするようにする。Ｘ＝１１から１３の位置にあるデバイスを６つ目のコンタクト位置ＣＰ６とする。これにより３行目（Ｙ３）の位置にある全ての良品デバイステストが実施可能となる。

次に、制御装置２０１は、図２５に示す４行目（Ｙ４）の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を探索する。左側から各デバイスを探索していくと、Ｘ＝３の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるので、Ｘ＝３から５の位置にあるデバイスを１つ目のコンタクト位置ＣＰ１とする。そうすると、Ｘ＝４の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるがコンタクト位置が未決定として残るので、Ｘ＝４から６の位置にあるデバイスを２つ目のコンタクト位置ＣＰ２とする。

続く、Ｘ＝７の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるので、Ｘ＝７から９の位置にあるデバイスを３つ目のコンタクト位置ＣＰ３とする。なお、使用不可の第２の測定サイト２０５ｂはＸ＝８の位置にあるデバイスにコンタクトするが、Ｘ＝８の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であるのでコンタクト位置が未決定のデバイスは残らない。

続く、Ｘ＝１０の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるので、Ｘ＝１０から１２の位置にあるデバイスを４つ目のコンタクト位置ＣＰ４とする。そうすると、Ｘ＝１１の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるがコンタクト位置が未決定として残るので、さらにＸ＝１１から１３の位置にあるデバイス５つ目のコンタクト位置ＣＰ２とする。

続く、Ｘ＝１４の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるので、Ｘ＝１４の位置にあるデバイスを第１の測定サイト２０５ａにコンタクトさせる。そうすると、第２の測定サイト２０５ｂおよび第３の測定サイト２０５ｃがデバイス非形成領域ＰＡとなる。このため、コンタクト位置を左に２つ戻し、第３の測定サイト２０５ｃがＸ＝１４の位置にあるデバイスにコンタクトするようにする。Ｘ＝１２から１４の位置にあるデバイスを６つ目のコンタクト位置ＣＰ６とする。以上の操作により４行目（Ｙ４）のデバイスのコンタクト位置の決定が完了する。これにより、４行目（Ｙ４）の位置にある全ての良品デバイステストが実施可能となる。

次に、制御装置２０１は、図２６に示す５行目（Ｙ５）の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を探索する。上述した方法と同様に左側から各デバイスを探索していき、Ｘ＝３から５、Ｘ＝４から６、Ｘ＝７から９、Ｘ＝８から１０、Ｘ＝１１から１３、およびＸ＝１２から１４の位置にあるデバイスを１つ目から６つ目のコンタクト位置ＣＰ１～ＣＰ６とする。これにより、５行目（Ｙ５）の位置にある全ての良品デバイスに対するテストが実施可能となる。

制御装置２０１は、上述の方法と同様に６行目から１６行目までのデバイスに対するコンタクト位置を決定する。最終的に決定したコンタクト位置を図２７に示す。図２７での黒い太線の矩形領域がコンタクト位置である。コンタクト位置を明瞭にするため、各コンタクト位置において第２の測定サイトの位置を黒丸印で記載している。なお、本実施例では、第２の測定サイト２０５ｂが測定に用いるのは不適切である例について説明したが、第１の測定サイト２０５ａまたは第３の測定サイト２０５ｃが測定に用いるのが不適切である場合も同様にコンタクト位置を決定することが可能である。

本実施形態では、第１の実施形態と同様にテスト非対象デバイスにプローブカードがなるべくコンタクトしないようにコンタクト位置を定める。それに加えてプローブカードの使用不可能な測定サイトがテストに使用できないことを前提に有効な測定サイトのみで全てのテスト対象デバイスにコンタクトできるようにプローブカードのコンタクト位置を枚葉ごとに定める。これにより、プローブカードの測定サイトに不具合があった場合でも、ウエハ上のデバイスに対するプローブカードのコンタクト数を最小化でき、ウエハ当たりのテスト所要時間を低減化することが可能である。

［第４の実施形態］
次に、第４の実施形態におけるテスト装置について説明する。第４の実施形態におけるテスト装置の構成は、図５に示すテスト装置の構成と同様である。また、第４の実施形態におけるテスト装置の動作は、図６に示すテスト装置の動作と同様である。

次に、第４の実施形態におけるコンタクトマップの作製の動作について図７に示すフローチャートを用いて第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。

（マップ情報の読込み：ステップＳ１１）
制御装置２０１は、第１の実施形態と同様に、ウエハＷ上に形成されたデバイスＤのマップ情報ＭＰＩを記憶装置２０３等から読み込む。マップ情報ＭＰＩには各デバイスの位置情報と、各デバイスの固有情報としてのテスト対象デバイス、テスト非対象デバイス、および前回のテストにおいて使用されたプローブカードの測定サイト情報が含まれる。

（プローブカード形態情報の読込み：ステップＳ１２）
制御装置２０１は、実施形態と同様に、プローブカード２０５の形態情報ＰＣＩを記憶装置２０３等から読み込む。

（コンタクト位置の決定：ステップＳ１３）
制御装置２０１は、マップ情報ＭＰＩおよびプローブカードの形態情報ＰＣＩに基づいて、ウエハ上のデバイスに対するプローブカードの最適なコンタクト位置を決定する。コンタクト位置の決定にあたっては、下記の制約条件に従ってウエハ当たり最少のコンタクト数となるコンタクト位置が最適なコンタクト位置となる。

（１）それぞれのテスト対象デバイスにおいて、今回実施するテストで使用するプローブカードの測定サイトが、前回のテストで使用されたプローブカードの測定サイトとは異なること、または同じ測定サイトであること、または指定された測定サイトであること、のいずれかであること
（２）可能な限りウエハ上の全てのテスト対象デバイスにコンタクトすること
（３）デバイス非形成領域ＰＡへのプローブカードのコンタクトを禁止すること、またはデバイス非形成領域ＰＡへのコンタクトを許容すること、のいずれかであること

制御装置２０１は、コンタクト位置を決定すると、次にコンタクト順序を決定しコンタクトマップＣＭＰを生成するが、以降の動作は第１の実施形態のステップＳ１４，Ｓ１５の動作と同様である。

次に、第４の実施形態における実施例について説明する。第４の実施形態の実施例における前提条件について図２および図２８を説明する。図２８は第４の実施形態の実施例におけるデバイスの形成状態を示す図である。

図２８に示すように、ウエハＷ上に良品デバイスＤ１および不良デバイスＤ２が形成されている。白抜きのデバイスは良品デバイスＤ１であり、テスト対象デバイスである。灰色で示しているデバイスは不良デバイスＤ２であり、テスト非対象デバイスである。各デバイスの内部に記載されている数値は前回のテストにおいてコンタクトしてテストを実施したプローブカード２０５の測定サイト番号（ＭＳＮ）を示している。測定サイト番号（ＭＳＮ）の「１」は第１の測定サイト２０５ａ、「２」は第２の測定サイト２０５ｂ、「３」は第３の測定サイト２０５ｃを表す。

本実施例では、図２に示す第１の形態のプローブカード２０５を使用する。ただし、前回のテストとは異なる測定サイトでテストを行うという制約条件を付与するものとする。その理由は例えばある測定サイトで測定したデバイスが不良判定となった場合、測定サイト間の微小な電気特性の差によりマージン性の不良となった可能性がある。そのため異なる電気特性を有すると期待される別の測定サイトで再度測定することでデバイスが正しく測定され良品判定となる可能性があるからである。また、本実施例においてもデバイス非形成領域ＰＡへのプローブカード２０５のコンタクトは禁止するものとする。

この前提条件の下で可能な限り全ての良品デバイスＤ１に対してプローブカード２０５をコンタクトさせてテストを実施するコンタクト位置においてコンタクト数を最小とするコンタクト位置を決定する。

次に、コンタクト位置の決定方法を図２９から図３４を用いて説明する。図２９から３４は第４の実施形態の実施例におけるコンタクト位置を決定する方法を説明する図である。

図２９から図３３は図２８に示すウエハ上のデバイスをウエハ上方から一行ごとに切り出したデバイスの形成状態を示す図である。各デバイスを示す矩形の中の数値は各デバイスを特定するために記した値であり、ウエハ上での位置に対するＸ軸上での値である。また、各デバイスの下部に記した数値は前回のテストにおいて該デバイスに対してプローブカードがコンタクトしたときの測定サイト番号（ＭＳＮ）である。

本実施例では、原則として、不良デバイスＤ２とコンタクト位置決定済みのデバイスを除いて、一番左側にある良品デバイスＤ１に対して前回と異なる測定サイトをコンタクトさせるようにコンタクト位置を決定する。その際、複数のコンタクト位置が候補として選出された場合、同時にコンタクトしている他の測定サイトのうちテスト実施可能な測定サイト数が最多となるものを選択することとする。ここで、テスト実施可能な測定サイトとは、テスト対象デバイスにコンタクトし、かつ前回のテストにおいてコンタクトした測定サイトと異なる測定サイトである。ただし、いずれのコンタクト位置によってもデバイス非形成領域ＰＡへのコンタクトが生じてしまう場合には該デバイスへのコンタクトは不可とし不良判定するものとする。

まず、制御装置２０１は、図２９に示す１行目（Ｙ１）の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を決定する。左側から各デバイスを探索していくと、Ｘ＝７の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であるので除外する。次のＸ＝８の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂが該デバイスにコンタクトしている。そこで、今回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂ以外の測定サイトが該デバイスにコンタクトするようにコンタクト位置を定める。すなわち、第１の測定サイト２０５ａがＸ＝８の位置にあるデバイスにコンタクトするように、Ｘ＝８から１０の位置にあるデバイスを１つ目のコンタクト位置ＣＰ１とする。こうした場合、Ｘ＝９の位置にあるデバイスに第２の測定サイト２０５ｂがコンタクトし、前回のテストで使用した第３の測定サイト２０５ｃと相違するため問題はない。しかし、Ｘ＝１０の位置にあるデバイスに第３の測定サイト２０５ｃがコンタクトし、前回のテストで使用した第３の測定サイト２０５ｃと同じ測定サイトになるので、該デバイスに対してはテストを実施しない。

次に、Ｘ＝１０の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１であるので該デバイスに対するコンタクト位置を定める。前回のテストでは第３の測定サイト２０５ｃを該デバイスにコンタクトさせため、今回は第１の測定サイト２０５ａまたは第２の測定サイト２０５ｂを該デバイスにコンタクトさせる必要がある。しかし、第１の測定サイト２０５ａまたは第２の測定サイト２０５ｂを該デバイスにコンタクトさせると、必然的に第３の測定サイト２０５ｃがデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトしてしまうため制約条件に抵触し最適なコンタクト位置は決定できない。そのため、Ｘ＝１０の位置にあるデバイスはテスト不可として、コンタクト位置の決定を中止する。なお、制約条件において、デバイス非形成領域ＰＡにコンタクトを許可する場合は、第１の測定サイト２０５ａを該デバイスにコンタクトすることになる。

次に、制御装置２０１は、図２９に示す２行目（Ｙ２）の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を決定する。左側から各デバイスを探索していくと、Ｘ＝５の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａが該デバイスにコンタクトしているため、今回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂまたは第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスにコンタクトする必要がある。しかし、そうした場合、デバイス非形成領域ＰＡに第１の測定サイト２０５ａがコンタクトしてしまうため、制約条件に抵触する。このためＸ＝５の位置にあるデバイスに指定されたプローブカード２０５の測定サイトをコンタクトさせることは不可能であり該デバイスはテスト不可能となる。

続くＸ＝６の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂが該デバイスにコンタクトしていたため、今回テストにおいては第１の測定サイト２０５ａまたは第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスにコンタクトするようにする。第３の測定サイト２０５ｃを該デバイスにコンタクトさせようとすると第１の測定サイト２０５ａがデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトしてしまうため、Ｘ＝６から８の位置にあるデバイスを１つ目のコンタクト位置ＣＰ１とする。これにより、Ｘ＝６の位置にあるデバイスは第１の測定サイト２０５ａに、Ｘ＝７の位置にあるデバイスは第２の測定サイト２０５ｂにコンタクトすることとなる。なお、Ｘ＝８の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であるが、第３の測定サイト２０５ｃにコンタクトする。

続くＸ＝９の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂが該デバイスにコンタクトして用いるため、今回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａまたは第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスとコンタクトする必要がある。そこで、該デバイスを第１の測定サイト２０５ａとコンタクトするようにＸ＝９から１１の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。これにより、Ｘ＝１０の位置にあるデバイスは前回のテストにおいては第３の測定サイト２０５ｃにコンタクトしたが今回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂにコンタクトする。Ｘ＝１１の位置にあるデバイスは前回テストにおいては第２の測定サイト２０５ｂにコンタクトしたが、今回のテストにおいては第３の測定サイト２０５ｃにコンタクトする。Ｘ＝９から１１の位置は、前回のテストにおける測定サイトとは相違し、コンタクト位置として適切であるため、２つ目のコンタクト位置ＣＰ２とする。２行目（Ｙ２）の位置にあるデバイスに対するプローブカードのコンタクト位置はこれにて決定する。

次に、制御装置２０１は、図３０に示す３行目（Ｙ３）の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を決定する。左側から各デバイスを探索していくと、Ｘ＝３の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であるので除外する。次のＸ＝４の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂが該デバイスにコンタクトしているため、今回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａまたは第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスにコンタクトする必要がある。第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスにコンタクトすると第１の測定サイト２０５ａがデバイス非形成領域ＰＡに出てしまう。そのため、第１の測定サイト２０５ａを該デバイスにコンタクトさせるようＸ＝４から６の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。こうすることで、Ｘ＝４の位置にあるデバイスは前回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂにコンタクトしていたが、今回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａにコンタクトすることとなる。Ｘ＝５の位置にあるデバイスは前回のテストにおいて第３の測定サイト２０５ｃにコンタクトしていたが、今回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂにコンタクトすることとなる。Ｘ＝４から６の位置はコンタクト位置として適切であるため、１つ目のコンタクト位置ＣＰ１とする。

続くＸ＝７の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂが該デバイスにコンタクトしたため、今回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａまたは第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスにコンタクトする必要がある。第１の測定サイト２０５ａを該デバイスにコンタクトさせる方が未コンタクトの良品デバイスに対して新たにコンタクトできるため、Ｘ＝７から９の位置にあるデバイスをコンタクト位置とする。そうすると、Ｘ＝７の位置にあるデバイスには第１の測定サイト２０５ａが、Ｘ＝８の位置にあるデバイスには第２の測定サイト２０５ｂが、Ｘ＝９の位置にあるデバイスには第３の測定サイト２０５ｃがコンタクトする。このコンタクト位置はいずれも前回のテストにおける測定サイトとは異なるため制約条件を満足する。よって、Ｘ＝７から９の位置を２つ目のコンタクト位置ＣＰ２とする。

同様に３つ目のコンタクト位置ＣＰ３をＸ＝１０から１２の位置にあるデバイスとする。そうすると、Ｘ＝１０の位置にあるデバイスに対しては第１の測定サイト２０５ａが、Ｘ＝１１の位置にあるデバイスに対しては第２の測定サイト２０５ｂがＸ＝１２の位置にあるデバイスに対しては第３の測定サイト２０５ｃがコンタクトすることとなる。いずれのデバイス関して前回のテストにおける測定サイトとは異なる測定サイトがコンタクトするため、このコンタクト位置は適切である。

続くＸ＝１３の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂが該デバイスにコンタクトしていた。そのため、今回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａまたは第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスにコンタクトする必要がある。第１の測定サイト２０５ａが該デバイスにコンタクトするようにすると第３の測定サイト２０５ｃがデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトしてしまうため、コンタクト位置として不適切である。そこで、第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスにコンタクトするようにコンタクト位置を決定する。そうすると、残りの第１の測定サイト２０５ａおよび第２の測定サイト２０５ｂはＸ＝１１、１２の位置にあるデバイスにコンタクトするためコンタクト位置として適切である。３行目のデバイスに対する４つ目のコンタクト位置ＣＰ４をＸ＝１１から１３の位置にあるデバイスとする。

次に、制御装置２０１は、図３１に示す４行目（Ｙ４）の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を決定する。左側から各デバイスを探索していくと、Ｘ＝３の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａが該デバイスにコンタクトしたため、今回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂまたは第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスにコンタクトする必要がある。いずれの場合でも第１の測定サイト２０５ａがデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトしてしまうためコンタクト位置としては不適であり、Ｘ＝３の位置にあるデバイスにプローブカードをコンタクトさせることはできずテスト実施不可能となる。

続くＸ＝４の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂが該デバイスにコンタクトしたため、今回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａまたは第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスにコンタクトする必要がある。しかし、第３の測定サイト２０５ｃを該デバイスにコンタクトさせると第１の測定サイト２０５ａがデバイス非形成領域ＰＡにコンタクトしてしまい不適である。そのため、第１の測定サイト２０５ａが該デバイスにコンタクトするようＸ＝４から６の位置にあるデバイスを１つ目のコンタクト位置ＣＰ１とする。この場合いずれの測定サイトもデバイスにコンタクトし、コンタクト位置として適切である。さらにＸ＝６の位置にあるデバイスは前回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａにコンタクトしていたがであったのに対し，今回のテストにおいては第３の測定サイト２０５ｃにコンタクトすることとなる。

続くＸ＝７の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂが該デバイスにコンタクトしたため、今回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａが該デバイスにコンタクトするようにする。すなわち、Ｘ＝７から９の位置にあるデバイスを２つ目のコンタクト位置ＣＰ２とする。これにより、Ｘ＝９の位置にあるデバイスも適切にコンタクトされることとなる。

続くＸ＝１０の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂが該デバイスにコンタクトしたため、今回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａが該デバイスにコンタクトするようにする。すなわち、Ｘ＝１０から１２の位置にあるデバイスを３つ目のコンタクト位置ＣＰ３とする。これにより、Ｘ＝１１の位置にあるデバイスも適切にコンタクトされることとなる。

続くＸ＝１３の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂが該デバイスにコンタクトしたため、今回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａまたは第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスにコンタクトする必要がある。しかし、第１の測定サイト２０５ａが該デバイスにコンタクトする場合第３の測定サイト２０５ｃがデバイス非形成領域ＰＡに出てしまうため不適切である。そこで、第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスにコンタクトするよう４つ目のコンタクト位置ＣＰ４をＸ＝１１から１３の位置にあるデバイスとする。

続くＸ＝１４の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。しかし、該デバイスに対しては適切なコンタクト位置を定めることができず、該デバイスのテストは実施不可能となる。以上の操作により４行目のデバイスに対するプローブカードのコンタクト位置が決定できる。

次に、制御装置２０１は、図３１に示す５行目（Ｙ５）の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を決定する。左側から各デバイスを探索していくと、Ｘ＝２の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であるので除外する。次のＸ＝３の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂが該デバイスにコンタクトしていたため、今回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａが該デバイスにコンタクトするように１つ目のコンタクト位置ＣＰ１をＸ＝３から５の位置にあるデバイスに定める。これにより、Ｘ＝４、５の位置にあるデバイスも適切なコンタクトが得られる。

同様に、Ｘ＝６から８およびＸ＝９から１０の位置にあるデバイスにそれぞれ２つ目のコンタクト位置ＣＰ２および３つ目のコンタクト位置ＣＰ３を定める。これにより、Ｘ＝６から１１の位置にある６つのデバイスに対するコンタクトが適切になされることとなる。

続くＸ＝１２の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第２の測定サイト２０５ｂが該デバイスにコンタクトしていたため、今回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａが該デバイスにコンタクトするようにコンタクト位置をＸ＝１２から１４の位置にあるデバイスに定める。このコンタクト位置によってＸ＝１４の位置にあるデバイスは第３の測定サイト２０５ｃがコンタクトし、これは適切なコンタクトであるため４つ目のコンタクト位置が決定する。以上の操作５行目のデバイスに対するプローブカードのコンタクト位置の決定が終了する。

次に、制御装置２０１は、図３３に示す６行目（Ｙ６）の位置にあるデバイスに対するプローブカード２０５のコンタクト位置を決定する。左側から各デバイスを探索していくと、Ｘ＝２の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。しかし、該デバイスに対しては適切なコンタクトを取ることが不可能であり、該デバイスのテストは不可である。続くＸ＝３の位置にあるデバイスは不良デバイスＤ２であるので除外する。

続くＸ＝４の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスにコンタクトしていたため、今回のテストにおいては１つのコンタクト位置ＣＰ１をＸ＝４から６の位置にあるデバイスに定める。これによりＸ＝４から６の３つのデバイスが前回のテストにおける測定サイトとは異なる測定サイトでテストされることとなり、適切なコンタクト位置となる。

同様に、２つ目のコンタクト位置ＣＰ２をＸ＝７から９の位置にあるデバイス、３つ目のコンタクト位置ＣＰ３をＸ＝１０から１２の位置にあるデバイスに定めると、いずれのデバイスに対しても適切なコンタクト位置となる。

続くＸ＝１３の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスにコンタクトしているため、今回のテストにおいては第１の測定サイト２０５ａまたは第２の測定サイト２０５ｂが該デバイスにコンタクトする必要がある。第１の測定サイト２０５ａが該デバイスにコンタクトするようにコンタクト位置をＸ＝１３から１５の位置にあるデバイスに定める。そうすると、Ｘ＝１４の位置にあるデバイスには第２の測定サイト２０５ｂが、Ｘ＝１５の位置にあるデバイスには第３の測定サイト２０５ｃがコンタクトすることになる。このコンタクト位置は、前回のテストにおける測定サイトと一致してしまい不適切である。そこで、コンタクト位置をＸ＝１２から１４の位置にあるデバイスとすることで、Ｘ＝１３の位置にあるデバイスには第２の測定サイト２０５ｂがコンタクトし、Ｘ＝１４の位置にあるデバイスには第３の測定サイト２０５ｃがコンタクトする。この場合いずれも適切なコンタクトであるためＸ＝１２から１４の位置にあるデバイスを４つ目のコンタクト位置とする。

続くＸ＝１５の位置にあるデバイスは良品デバイスＤ１である。前回のテストにおいては第３の測定サイト２０５ｃが該デバイスにコンタクトしているため、今回テストにおいて該デバイスに対して第３の測定サイト２０５ｃ以外の測定サイトをコンタクトすることは不可能である。そのため、該デバイスに対するコンタクト位置を決定することはできない。以上の操作により６行目の半導体デバイスに対するプローブカードのコンタクト位置が定められる。

制御装置２０１は、上述の方法と同様に７行目以降のデバイスに対するプローブカードのコンタクト位置を決定する。最終的に決定したプローブカードのコンタクト位置を図３４に示す。図３４での黒い太線の矩形領域がコンタクト位置である。コンタクト位置を明瞭にするため、各コンタクト位置において第２の測定サイトの位置を黒丸印で記載している。

本実施形態ではプローブカードの測定サイトを前回のテスト時の測定サイトと変更する。プローブカードの測定サイトに何らかの不具合や、特性の微小なずれが存在した場合、デバイスが微小な測定値の変動で不良判定されてしまうことがある。そのようなデバイスに対してプローブカードの測定サイトを交換してテストを再度実行することで一度不良判定されたデバイスを良品として救済できる可能性がある。これにより、デバイスを正しくテストすることができテスト品質を向上させることが可能である。

以上、本開示者によってなされた開示を実施形態に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、実施形態では、制御装置２０１によりコンタクトマップを生成する例を説明したが、ブローバ２００内に別途設けた装置においてＣＰＵがプログラムを実行することにより生成するようにしてもよい。

また、テスタ１００内のＣＰＵがプログラムを実行することによりコンタクトマップを生成してもよいし、テスタ１００の上位装置のＣＰＵがプログラムを実行することによりコンタクトマップを生成してもよい。

また、実施形態では、プローブカード２０５は３つの測定サイト２０５ａ～２０５ｃ、あるいは６つの測定サイト２０５ａ～２０５ｆを有する例を説明したが、測定サイトは２つ、４つ、５つ、または７つ以上であってもよい。

１０・・・テスト装置
２０１・・・制御装置
２０４・・・位置制御装置
２０５・・・プローブカード
２０５ａ・・・第１の測定サイト
２０５ｂ・・・第２の測定サイト
２０５ｃ・・・第３の測定サイト
２０５ｄ・・・第４の測定サイト
２０５ｅ・・・第５の測定サイト
２０５ｆ・・・第６の測定サイト
Ｄ・・・デバイス（半導体デバイス）
ＭＰＩ・・・マップ情報
ＰＣＩ・・・プローブカードの形態情報
Ｗ・・・ウエハ（半導体ウエハ）

Claims (10)

1. 半導体ウエハに形成された複数の半導体デバイスとコンタクトする複数の測定サイトを有するプローブカードと、
   前記半導体デバイスの前記半導体ウエハ内の位置情報および固有情報を含むマップ情報と、前記測定サイトの配置情報を含むプローブカード形態情報と、前記プローブカードのコンタクトを制限する制約条件情報に基づいて前記プローブカードが一度にテストする半導体デバイスの範囲であるコンタクト位置を示すコンタクト位置情報を生成するよう構成される制御装置と、
   前記コンタクト位置に基づいて前記プローブカードと前記半導体ウエハとの相対位置を制御するよう構成される位置制御装置と、
   を備え、
   前記固有情報は半導体デバイスがテスト対象デバイスであるかテスト非対象デバイスであるかの情報であり、
   前記制約条件情報は前記半導体ウエハの半導体デバイスが形成されていないデバイス非形成領域にコンタクトを許可するかどうかの情報であるテスト装置。
2. 請求項１のテスト装置において、
   前記固有情報は、さらに、前記プローブカードにコンタクトが禁止されているコンタクト禁止デバイスであるとの情報を含むテスト装置。
3. 請求項１のテスト装置において、
   前記プローブカード形態情報は、さらに、前記複数の測定サイトのうちどの測定サイトが使用できないかの情報を含むテスト装置。
4. 請求項１のテスト装置において、
   前記固有情報は、さらに、前回のテストにおいて前記プローブカードのどの測定サイトにコンタクトされたかの情報を含むテスト装置。
5. 請求項１のテスト装置において、
   前記複数の測定サイトは前記プローブカードに第１の方向に沿って１列に配置され、前記プローブカードの一端側に配置される測定サイトを一端側の測定サイトとし、他端側に配置される測定サイトを他端側の測定サイトとし、
   前記制御装置は、
   前記半導体ウエハの一端側から他端側に前記第１の方向に沿って半導体デバイスを探索し、最初のテスト対象デバイスに対して前記一端側の測定サイトをコンタクトさせるように仮のコンタクト位置を設定し、
   前記一端側の測定サイトと前記他端側の測定サイトとの間の測定サイトおよび前記他端側の測定サイトが前記デバイス非形成領域に位置しない場合、前記仮のコンタクト位置をコンタクト位置として決定し、
   前記一端側の測定サイトと前記他端側の測定サイトとの間の測定サイトおよび前記他端側の測定サイトが前記デバイス非形成領域に位置する場合、前記他端側の測定サイトが前記半導体ウエハにデバイスが形成されている領域まで戻した位置をコンタクト位置と決定するよう構成されるテスト装置。
6. 請求項２のテスト装置において、
   前記複数の測定サイトは前記プローブカードに第１の方向に沿って１列に配置され、前記プローブカードの一端側に配置される測定サイトを一端側の測定サイトとし、他端側に配置される測定サイトを他端側の測定サイトとし、
   前記制御装置は、
   前記半導体ウエハの一端側から前記第１の方向に沿って半導体デバイスを探索し、最初のテスト対象デバイスに対して前記一端側の測定サイトをコンタクトさせるように仮のコンタクト位置を設定し、
   前記一端側の測定サイトと前記他端側の測定サイトとの間の測定サイトおよび前記他端側の測定サイトが前記コンタクト禁止デバイスおよび前記デバイス非形成領域に位置しない場合、前記仮のコンタクト位置をコンタクト位置として決定し、
   前記一端側の測定サイトと前記他端側の測定サイトとの間の測定サイトおよび前記他端側の測定サイトが前記コンタクト禁止デバイスまたは前記デバイス非形成領域に位置する場合、前記他端側の測定サイトが前記コンタクト禁止デバイス以外の半導体デバイスおよび前記半導体ウエハにデバイスが形成されている領域まで戻した位置を仮のコンタクト位置を設定し、
   前記一端側の測定サイトと前記他端側の測定サイトとの間の測定サイトおよび前記一端側の測定サイトが前記コンタクト禁止デバイスおよび前記デバイス非形成領域に位置しない場合、前記仮のコンタクト位置をコンタクト位置として決定し、
   前記一端側の測定サイトと前記他端側の測定サイトとの間の測定サイトおよび前記一端側の測定サイトが前記コンタクト禁止デバイスおよび前記デバイス非形成領域に位置する場合、コンタクト不能とするよう構成されるテスト装置。
7. 請求項１のテスト装置において、
   前記複数の測定サイトは前記プローブカードに複数行複数列に配置されるテスト装置。
8. 請求項３のテスト装置において、
   さらに、前記半導体デバイスに前記プローブカードを介して電源およびテスト信号を供給するテスタを備えるテスト装置。
9. 半導体ウエハに形成された複数の半導体デバイスとコンタクトする複数の測定サイトを有するプローブカードを用いたテスト方法であって、
   前記半導体デバイスの前記半導体ウエハ内の位置情報および固有情報を含むマップ情報と、測定サイトの配置情報を含むプローブカード形態情報と、前記プローブカードのコンタクトを制限する制約条件情報に基づいて前記プローブカードが一度にテストする半導体デバイスの範囲であるコンタクト位置を示すコンタクト位置情報を生成し、
   前記プローブカードがどの順序で前記半導体ウエハ上の半導体デバイスにコンタクトするかを示すコンタクト順序情報を生成し、
   前記コンタクト位置情報および前記コンタクト順序情報を含むコンタクトマップを生成し、
   前記コンタクトマップに基づいて前記プローブカードと前記半導体ウエハとの相対位置を制御し、
   前記固有情報は半導体デバイスがテスト対象デバイスであるかテスト非対象デバイスであるかの情報であり、
   前記制約条件情報は前記半導体ウエハの半導体デバイスが形成されていないデバイス非形成領域にコンタクトを許可するかどうかの情報であるテスト方法。
10. 半導体ウエハに形成された複数の半導体デバイスとコンタクトする複数の測定サイトを有するプローブカードを備えるテスト装置によって読み取り可能であり、
    前記半導体デバイスの前記半導体ウエハ内の位置情報および固有情報を含むマップ情報と、前記測定サイトの配置情報を含むプローブカード形態情報と、前記プローブカードのコンタクトを制限する制約条件情報に基づいて前記プローブカードが一度にテストする半導体デバイスの範囲であるコンタクト位置を示すコンタクト位置情報を生成し、
    前記プローブカードがどの順序で前記半導体ウエハ上の半導体デバイスにコンタクトするかを示すコンタクト順序情報を生成し、
    前記コンタクト位置情報および前記コンタクト順序情報を含むコンタクトマップを生成し、
    前記コンタクトマップに基づいて前記プローブカードと前記半導体ウエハとの相対位置を制御し、
    前記固有情報は半導体デバイスがテスト対象デバイスであるかテスト非対象デバイスであるかの情報であり、
    前記制約条件情報は前記半導体ウエハの半導体デバイスが形成されていないデバイス非形成領域にコンタクトを許可するかどうかの情報であるプログラムを格納する記録媒体。

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