JP7489250B2 - エッチング液 - Google Patents
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Description
特許文献2には、酸と酸化剤を含むエッチング液を用いてエッチング液が提案されており、酸としてリン酸等が挙げられ、酸化剤として硝酸第二セリウムアンモニウム等が挙げられている(請求項12~13)。
シリコン窒化膜のエッチング機構は、シリコン窒化膜とリン酸と水との反応であると考えられている。
本開示のエッチング液に含まれる3価のセリウムイオンは親水性を有すると考えられる。そのため、本開示では、親水性を有する3価のセリウムイオンがシリコン窒化膜表面に水分子を引き寄せることで、シリコン窒化膜の表面に水分子を多く存在させて、リン酸と水による化学反応が促進し、シリコン窒化膜のエッチング速度が向上すると考えられる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
本開示において、「3価のセリウムイオンを含む溶液と、リン酸と、水とを配合してなる」とは、3価のセリウムイオンを含む溶液、リン酸、及び水だけでなく、必要に応じて任意成分を配合できることを意味する。また、本開示において、エッチング液における各成分の配合量は、エッチング液中の含有量として読み替えることができる。
本開示のエッチング液は、一又は複数の実施形態において、3価のセリウムイオンを含有する。本開示のエッチング液は、一又は複数の実施形態において、3価のセリウムイオンを含む溶液が配合されている。
本開示のエッチング液は、一又は複数の実施形態において、リン酸が配合されている。
本開示のエッチング液におけるリン酸の配合量は、シリコン窒化膜のエッチング速度向上の観点から、50質量%以上が好ましく、70質量%以上がより好ましく、80質量%以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、95質量%以下が好ましく、90質量%以下がより好ましく、85質量%以下が更に好ましい。より具体的には、本開示のエッチング液中におけるリン酸の配合量は、50質量%以上95質量%以下が好ましく、70質量%以上90質量%以下がより好ましく、80質量%以上85質量%以下が更に好ましい。
本開示のエッチング液は、一又は複数の実施形態において、水が配合されている。
本開示のエッチング液に含まれる水としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が挙げられる。
本開示のエッチング液は、一又は複数の実施形態において、循環使用におけるフィルタの閉塞を抑制する観点から、高温安定化剤をさらに含有する又は配合してなるものであってもよい。高温安定化剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。本開示のエッチング液に高温安定化剤がさらに配合されている場合、高温安定化剤がエッチング工程中に生成されるケイ酸由来の析出物(例えば、シリカ)の表面にイオン結合することで、該ケイ酸由来の析出物の凝集が抑制され、エッチング液の循環使用におけるフィルタの閉塞を抑制できると考えられる。
本開示のエッチング液は、一又は複数の実施形態において、シリカのSiO2膜への析出又は付着抑制の観点から、有機ホスホン酸化合物をさらに含有する又は配合してなるものであってもよい。有機ホスホン酸化合物は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。本開示のエッチング液に有機ホスホン酸化合物がさらに配合されている場合、有機ホスホン酸化合物がエッチング工程中に生成したシリカやSiO2膜表面に吸着し、SiO2膜表面に吸着した場合には保護膜作用によりシリカの析出や付着を抑制し、シリカに付着した場合にはSiO2膜表面に吸着した有機ホスホン酸化合物との反発により付着を抑制すると考えられる。
リン酸系ポリマーとしては、例えば、ポリビニルホスホン酸(PVPA)等が挙げられる。
アルキルホスホン酸のアルキル基は直鎖でも分岐鎖でもよい。アルキルホスホン酸の具体例としては、ヘキシルホスホン酸、ヘプチルホスホン酸、オクチルホスホン酸、カプリルホスホン酸、ドデシルホスホン酸、テトラデカシルホスホン酸等が挙げられる。
アルケニルホスホン酸のアルケニル基は直鎖でも分岐鎖でもよい。
アルキルエーテルホスホン酸のアルキル基は直鎖でも分岐鎖でもよい。アルキルエーテルホスホン酸の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテルホスホン酸等が挙げられる。
これらのなかでも、有機ホスホン酸化合物としては、シリカのSiO2膜への析出又は付着抑制の観点から、ポリビニルホスホン酸、アルキルホスホン酸、及びアルキルエーテルホスホン酸から選ばれる少なくとも1種が好ましい。
本開示のエッチング液は、一又は複数の実施形態において、シリカのSiO2膜への析出又は付着抑制の観点から、ノニオン性界面活性剤をさらに含有する又は配合してなるものとすることができる。ノニオン性界面活性剤としては、シリカのSiO2膜への析出又は付着抑制の観点から、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルが挙げられ、具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンラウリルミリスチルエーテルから選ばれる少なくとも1種が挙げられる。ノニオン性界面活性剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
本開示のエッチング液は、本開示の効果が損なわれない範囲で、その他の成分をさらに配合してなるものであってもよい。その他の成分としては、リン酸以外の酸、キレート剤、上述したノニオン性界面活性剤以外の界面活性剤、可溶化剤、防腐剤、防錆剤、殺菌剤、抗菌剤、酸化防止剤等が挙げられる。
したがって、本開示は、一態様において、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程用のエッチング液に添加するための添加剤であって、3価のセリウムイオンを含む溶液を含む、添加剤(以下、「本開示の添加剤」ともいう)に関する。本開示の添加剤は、一又は複数の実施形態において、有機ホスホン酸化合物、高温安定化剤、及びノニオン性界面活性剤から選ばれる少なくとも1種をさらに含むことができる。本開示の添加剤は、一又は複数の実施形態において、リン酸をさらに含むことができる。
本開示のエッチング液は、例えば、3価のセリウムイオンを含む溶液、リン酸、水、並びに、所望により上述した任意成分(有機ホスホン酸化合物、高温安定化剤、ノニオン性界面活性剤、その他の成分)を公知の方法で配合することにより得られる。したがって、本開示は、一態様において、少なくとも3価のセリウムイオンを含む溶液、リン酸及び水を配合する工程(以下、「配合工程」ともいう)を含む、エッチング液の製造方法(以下、「本開示のエッチング液製造方法」ともいう)に関する。
本開示において「少なくとも3価のセリウムイオンを含む溶液、リン酸及び水を配合する」とは、一又は複数の実施形態において、3価のセリウムイオンを含む溶液、リン酸、水、並びに必要に応じて上述した任意成分(有機ホスホン酸化合物、高温安定化剤、ノニオン性界面活性剤、その他の成分)を同時に又は順に混合することを含む。混合する順序は、特に限定されなくてもよい。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。
本開示は、一態様において、本開示のエッチング液を製造するためのキット(以下、「本開示のキット」ともいう)に関する。
本開示のキットの一実施形態としては、例えば、3価のセリウムイオンを含む溶液(第1液)と、リン酸を含む溶液(第2液)とを相互に混合されない状態で含み、これらが使用時に混合されるキット(2液型エッチング液)が挙げられる。前記第1液と前記第2液とが混合された後、必要に応じて水又はリン酸水溶液を用いて希釈されてもよい。前記第1液又は第2液には、エッチング液の調製に使用する水の全量又は一部が含まれていてもよい。第2液に含まれるリン酸は、エッチング液の調製に使用するリン酸の全量でもよいし、一部でもよい。前記第1液及び前記第2液にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分が含まれていてもよい。本実施形態のキットによれば、シリコン窒化膜のエッチング速度を向上可能なエッチング液が得られうる。
本開示のキットのその他の実地形態としては、例えば、3価のセリウムイオンを含む溶液(a液)と、リン酸を含む溶液(b液)と、高温安定化剤を含む溶液(c液)とを相互に混合されない状態で含み、これらが使用時に混合されるキット(3液型エッチング液)が挙げられる。a液とb液とc液とが混合された後、必要に応じて水又はリン酸水溶液を用いて希釈されてもよい。a液、b液、又はc液には、エッチング液の調製に使用する水の全量又は一部が含まれていてもよい。b液に含まれるリン酸は、エッチング液の調製に使用するリン酸の全量でもよいし、一部でもよい。a液、b液及びc液にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分が含まれていてもよい。本実施形態のキットによれば、シリコン窒化膜のエッチング速度を向上でき、エッチング液の循環使用におけるフィルタの閉塞を抑制可能なエッチング液が得られうる。
本開示のキットのその他の実施形態としては、例えば、3価のセリウムイオンを含む溶液(a’液)と、リン酸を含む溶液(b’液)と、有機ホスホン酸化合物を含む溶液(c’液)とを、相互に混合されない状態で含み、これらが使用時に混合されるキット(3液型エッチング液)が挙げられる。a’液とb’液とc’液とが混合された後、必要に応じて水又はリン酸水溶液を用いて希釈されてもよい。a’液、b’液又はc’液には、エッチング液の調製に使用する水の全量又は一部が含まれていてもよい。b’液に含まれるリン酸は、エッチング液の調製に使用するリン酸の全量でもよいし、一部でもよい。a’液、b’液及びc’液にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分が含まれていてもよい。本実施形態のキットによれば、シリコン窒化膜のエッチング速度を向上でき、エッチング工程中に生成されるシリカのSiO2膜への析出又は付着を抑制可能なエッチング液が得られうる。
本開示のエッチング液を用いてエッチング処理される被処理基板は、一又は複数の実施形態において、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板である。シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板は、一又は複数の実施形態において、複数のシリコン窒化膜と複数のシリコン酸化膜とが交互に積層された3次元構造を有する基板であってもよい。基板としては、例えば、半導体、フラットパネルディスプレイに使用される基板等が挙げられる。シリコン窒化膜としては、例えば、低圧化学気相成長法(LPCVD法)、プラズマ化学気相成長法(PECVD法)、原子層堆積法(ALD法)等により形成された窒化膜が挙げられる。シリコン酸化膜としては、例えば、熱酸化法、LPCVD法、PECVD法、ALD法等により形成された酸化膜が挙げられる。
本開示のエッチング液は、一又は複数の実施形態において、3次元NAND型フラッシュメモリ等の3次元半導体装置の製造に好適に使用できる。例えば、本開示のエッチング液は、一又は複数の実施形態において、複数のシリコン窒化膜と複数のシリコン酸化膜とが交互い積層された3次元構造を有する基板のエッチングに使用することができる。
本開示は、一態様において、本開示のエッチング液を用いて、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程(以下、「本開示のエッチング工程」ともいう)を含み、前記基板は、半導体に使用するための基板である、半導体基板の製造方法(以下、「本開示の基板製造方法」ともいう)に関する。本開示の半導体基板製造方法によれば、シリコン窒化膜のエッチング速度の向上が可能である。したがって、本開示の半導体基板製造方法によれば、品質が向上した半導体基板を効率よく製造できるという効果が奏されうる。
本開示は、一態様において、本開示のエッチング液を用いて、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程(エッチング工程)を含む、エッチング方法(以下、「本開示のエッチング方法」ともいう)に関する。本開示のエッチング方法を使用することにより、シリコン窒化膜のエッチング速度の向上が可能であるため、品質が向上した半導体基板の生産性を向上できるという効果が奏されうる。具体的なエッチングの方法及び条件は、上記本開示の半導体基板製造方法と同じようにすることができる。
表1に示すセリウムイオンを含む溶液とリン酸水溶液とを配合し、実施例1~5及び比較例1~4のエッチング液(pH0.45)を得た。実施例1~5及び比較例1~4のエッチング液におけるリン酸の配合量(質量%、有効分)、セリウムイオンの配合量(ppm、有効分)を表1に示した。
(セリウムイオンの供給源)
Ce(NO3)3:硝酸セリウム(3価)[富士フィルム和光純薬(株)社製]
Ce(SO4)2:硫酸セリウム(4価)[富士フィルム和光純薬(株)社製]
CeO2:酸化セリウム(4価)[富士フィルム和光純薬(株)社製]
Ce(NH4)2(NO3)6:硝酸第二セリウムアンモニウム(4価)[富士フィルム和光純薬(株)社製]
(リン酸)
リン酸水溶液[リン酸濃度85%、燐化学工業社製]
[エッチング液のpH]
エッチング液の25℃におけるpH値は、pHメータ(東亜ディーケーケー社製)を用いて測定した値であり、pHメータの電極をエッチング液へ浸漬して1分後の数値である。
[エッチング速度]
各組成に調製したエッチング液(実施例1~5、比較例1~4)に、予めシリコン窒化膜(SiN膜)の厚みを測定した1cm×1cmのシリコン窒化膜ウエハ及び1.5cm×1cmのLP-TEOSであるシリコン酸化膜ウエハを浸漬させ、160℃~170℃で90分間エッチングさせた。その後、冷却、水洗浄した後に再度、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の厚みを測定し、その差分をエッチング量とした。膜厚の測定には、光干渉式膜厚測定装置(SCREEN社、「ランダムエース VM-100」)を用いた。そして、下記式により、シリコン窒化膜のエッチング速度、シリコン酸化膜のエッチング速度を算出した。算出結果を表1に示した。
シリコン窒化膜(SiN膜)のエッチング速度(Å/min)=シリコン窒化膜エッチング量(Å)/90(min)
シリコン酸化膜(SiO2膜)のエッチング速度(Å/min)=シリコン酸化膜エッチング量(Å)/90(min)
各組成に調製したエッチング液を165℃で2時間保持し、その後室温まで冷却する。そして、エッチング液を孔径0.1μmのフィルタ[ADVANTEC社製、メンブレンフィルタ、H010A025A、フィルタ面積3.5cm2]をプラスチックホルダー(ADVANTEC社製 PP-25)にセットして0.25MPaの圧力下で6分間通液したときのフィルタ面積あたりの通液量を測定した。測定結果を表1に示した。
Claims (11)
- シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程用のエッチング液であって、3価のセリウムイオンと、リン酸と、水とを含有し、3価のセリウムイオンの配合量は250ppm以上50,000ppm以下であり、リン酸の配合量は50質量%以上95質量%以下である、エッチング液。
- 3価のセリウムイオンを含む溶液と、リン酸と、水とを配合してなる、請求項1に記載のエッチング液。
- エッチング液を孔径0.1μmのメンブレンフィルタを用いて0.25MPaの圧力下で6分間通液したときのフィルタ面積あたりの通液量が10g/6分・3.5cm2以上である、請求項1又は2に記載のエッチング液。
- エッチング液中の3価のセリウムイオンの配合量が250ppm以上である、請求項1から3のいずれかに記載のエッチング液。
- 3価のセリウムイオンは、硝酸セリウムに由来するセリウムイオンである、請求項1から4のいずれかに記載のエッチング液。
- 使用時のエッチング液の25℃におけるpHが2以下である、請求項1から5のいずれかに記載のエッチング液。
- エッチング温度が110℃以上250℃以下であるエッチングに使用するための、請求項1から6のいずれかに記載のエッチング液。
- 請求項1から7のいずれかに記載のエッチング液を用いて、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程を含む、エッチング方法。
- 請求項1から7のいずれかに記載のエッチング液を用いて、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程を含み、
前記基板は、半導体に使用するための基板である、半導体基板の製造方法。 - シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程用のリン酸と水とを含有するエッチング液に添加して請求項1から7のいずれかに記載のエッチング液とするための添加剤であって、
3価のセリウムイオンを含む溶液を含む、添加剤。 - シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を有する基板からシリコン窒化膜を除去する工程用のエッチング液であって、請求項1から7のいずれかに記載のエッチング液を製造するためのキットであって、
3価のセリウムイオンを含む溶液(第1液)と、リン酸を含む溶液(第2液)とを相互に混合されない状態で含み、これらが使用時に混合されるキット。
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