JP7479810B2 - 液体金属イオン源及び集束イオンビーム装置 - Google Patents
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Description
この液体金属イオン源は、液体金属を加熱してニードル電極を濡らし、このニードル電極と引出し電極との間に電圧を印可すると、ニードル電極先端の液体金属がテーラーコーンと呼ばれる円錐状となり、この円錐の先端から電界蒸発が生じてイオンを放出させるものである。
ところが、溶融金属が酸化してイオン放出が不安定になることがある。そこで、ニードル電極付近に還元ガスを導入する技術(特許文献1)や、ニードル電極先端の液体金属にイオンを照射する技術(特許文献2)が報告されている。
しかしながら、ビーム絞りにイオンが照射されてスパッタリング現象を引き起こし、ビーム絞りを構成するタングステンやモリブデンなどの高融点材料がスパッタリング粒子として飛散してニードル電極に付着するという問題がある。この付着物は液体金属の流れに乗ってニードル電極先端に凝集し、液体金属の流れを阻害してイオンビームの放出を不安定化させる。
この対策として、一時的にイオンビームの放出量を増やすヒーティングやフラッシングを行っても効果が限定的であった。
水は酸素よりも酸化能力が高く、水蒸気とすることで効率よく酸化反応する。
この液体金属イオン源によれば、水蒸気導入部から水蒸気がニードルへ向かって流れ易くなる。
この液体金属イオン源によれば、電圧が印加されてイオンビームを放出しているときにのみ水蒸気を導入するので、水蒸気の効果が無い電圧非印加のときに水蒸気を導入する無駄を抑制できる。
図1は本発明の第1の実施形態に係る液体金属イオン源50を含む集束イオンビーム装置100の全体構成を示すブロック図である。
図1において、液体金属イオン源50は、液体金属をなすイオン材料(Ga等)を保持するリザーバ10と、ニードル電極20と、引出し電極22と、ビーム絞り24と、これらを収容して真空に保持する真空室30とを備えている。
フィラメントヒータ14の後端側の両端部はそれぞれ一対の電極端子11、12に電気的に接続されている。そして、電極端子11、12に通電することによりリザーバ10に貯留された液体金属状のイオン材料がフィラメントヒータ14で加熱されて、溶融物の粘性が低下する。そして、ニードル電極20に液体金属が流れてその表面を覆う。なお、電極端子11、12は絶縁体からなる支持部13に支持されている。
ビーム絞り24は、引出し電極22の下流側に配置され、イオンのビーム径を制限する。これにより、イオンビームの広がりや、以下の集束レンズ70の汚染を抑制することができる。
なお、ニードル電極20と、引出し電極22との間にサプレッサー電極(抑制電極)26を配置すると、サプレッサー電極26に印可される電圧によりイオンビームの放出量を制御でき、イオンビームが放出しやすいときは電圧を上げてイオンビームを抑制し、イオンビームが放出しにくいときは電圧を下げてイオンビームの放出を促進させる。
そして、液体金属イオン源50を構成するリザーバ10、ニードル電極20、引出し電極22、ビーム絞り24は、真空室30に収容されて真空に保持されている。
排気系46はバルブ46aを介して真空室30に接続され、真空室30をイオンポンプ(最終排気系)45が作動するまでの大まかな(低い)真空度に排気する。具体的には、排気系46がイオンポンプが動作する真空度まで排気した後、しばらくイオンポンプ45を動作させてからバルブ46aを閉じ、イオンポンプ45を動作継続する。これにより、イオンポンプ45にて真空室30をさらに高い目標真空度に排気する。排気系46とイオンポンプ45との流路は合流し、真空室30に1カ所の流路F1にて連通している。
このように、流路F1、F2を異ならせることで、酸化性ガスGは流路F2から流路F1に流れるので、酸化性ガスGの流量が小さくても効率的に酸化反応を進行させることができる。
酸化性ガスの材料としては、水、酸素、オゾン、亜酸化窒素、一酸化窒素、二酸化窒素などが挙げられ、液体でもよい。液体の場合、シリンダ41内には酸化性ガスの蒸気(シリンダ41の温度に応じた蒸気圧)と液体の二相が存在し、その蒸気(例えば水蒸気)が供給される。また、硝酸銅、硫酸銅、ヨウ化鉄のように、結晶内に水を保持している水和物を用いてもよい。水は酸素よりも酸化能力が高く、効率よく酸化反応する。
流量調整部42は、バリアブルバルブやオリフィスやマスフローコントローラや酸化性ガスを透過させる材料などが使用可能である。また、コントロールバルブを用いて真空室30の真空度に応じて供給流量をフィードバック制御することも可能である。
まず、図2に示すように、通常、ニードル電極20の表面を覆ったイオン材料の溶融体Mは、ニードル電極20の先端20tに向かって流れてイオンビームIBとして放出される。
ところが、ビーム絞り24がイオンビームIBでスパッタリングされると、図3に示すように、ビーム絞り24の材料がスパッタリング粒子24sとしてニードル電極20に付着する。スパッタリング粒子24sは溶融体Mの流れに乗ってニードル電極20の先端20tに凝集し、溶融体Mの流れを阻害してイオンビームIBの放出を不安定化させる。
なお、ニードル電極20の先端20tの酸化膜Oxは薄く、又、先端20tには引出し電極22の印加電圧が集中するので、先端20tの溶融体Mは酸化膜Oxを容易に破ってイオンビームIBになると考えられる。
一方、導入される酸化性ガスの量が多過ぎると、ニードル電極20の先端20tの酸化膜Oxが厚くなってイオンビームの放出を不安定化させる。
但し、真空室30に導入される酸化性ガスの量は、排気系46及びイオンポンプ45の排気速度や真空室30の容積により変化するので、個々の装置毎に実際のイオンビームの放出が安定化するよう、適切な範囲を求めればよい。
酸化性ガス導入制御部48はマイコン等のコンピュータからなり、例えばニードル電極20と引出し電極22の間の電圧をモニタし、ニードル電極20と引出し電極22の間に電圧が印加されている間は、流量調整部42を所定の開度で開け、ニードル電極20と引出し電極22の間の電圧がゼロであると検知すると、流量調整部42を閉じる制御を行うことができる。
なお、導入したガスは真空室内の表面に吸着され、そこから徐々に真空室内に放出される。これにより、高圧が印加されていない時にガスを吸着させておき、そこからの供給でも同様の効果が得られる。
第2の実施形態に係る液体金属イオン源50Bを含む集束イオンビーム装置100Bは、真空室30への酸化性ガス導入部40の連通流路が異なること以外は、第1の実施形態と構成が同一であり、第1の実施形態と同一構成部分については図1と同一符号を付して説明を省略する。
すなわち、第2の実施形態においては、排気系46と酸化性ガス導入部40との流路はF3にて合流し、さらに流路F3とイオンポンプ45との流路は合流し、真空室30に1カ所の流路F4にて連通している。排気系46とイオンポンプ45の動作は第1の実施形態と同様である。
流路F4は水平方向にニードル電極20と少なくとも一部が対向する位置に配置されている。
一方、図5に示すように、第2の実施形態においては、酸化性ガス導入部40から流路F3を介して導入された酸化性ガスGは、流路F4を通って真空室30側は流れるだけでなく、イオンポンプ45側へも二手に分かれる。従って、分子流的には均等に別れると仮定すると、酸化反応に有効に働くための酸化性ガスGの導入量が第1の実施形態の2倍程度必要になると考えられる。
そして、真空室30に入った酸化性ガスGも結局はイオンポンプ45で排気されるので、真空度が第1の実施形態より低下する。
第2の実施形態においても、ニードル電極20の周囲に酸化性ガスを導入することで、ニードル電極20の表面の溶融体Mを積極的に酸化させ、イオンビームIBの放出が安定になる。
第1の実施形態において、流路F1、F2が水平方向(イオンビームIBの照射方向に垂直な方向)に対向しなくてもよい。
又、第1の実施形態における流路F1、F2、及び第2の実施形態における流路F4が(イオンビームIBの照射方向に垂直な方向)にニードル電極20と対向する位置に配置されていなくてもよい。
なお、排気系46は、イオンポンプ45が動作する真空度まで引いた後は系から分離される。イオンポンプ45の排気能力を30L/mmとし、真空室30の容積を2Lとした。
具体的には、ニードル電極20と引出し電極22の間に電圧印加を開始してから50時間以上、サプレッサー電極26の電圧が0.1kv以上を維持した場合を評価〇(イオンビーム放出が安定)とし、開始から50時間未満でサプレッサー電極26の電圧が0.1kv未満に低下した場合を評価×(イオンビーム放出が不安定)とした。
図6に示すように、第1の実施形態に係る液体金属イオン源50の場合、真空室30に酸化性ガスが導入された状態での真空度が5.0×10-6~1.5×10-5Paの範囲で、イオンビーム放出が安定することがわかった。
一方、図7に示すように、第2の実施形態に係る液体金属イオン源50の場合、真空室30に酸化性ガスが導入された状態での真空度が1.0×10-5~3.0×10-5Paの範囲で、イオンビーム放出が安定することがわかった。第2の実施形態に係る液体金属イオン源50の方が真空度が低い(酸化性ガスの導入量を多くする)理由は、上述のように酸化性ガスの一部は排気系46で排気されて真空室30に到達できないためと考えられる。
図9は、第1の実施形態に係る液体金属イオン源50において、真空室30へ酸化性ガスを1.0×10-5Pa導入したときのサプレッサー電極26の電圧の時間変化を示す。開始から50時間時間以上、サプレッサー電極26の電圧が0.1kv以上を維持した。
20 ニードル電極
22 引出し電極
24 ビーム絞り
26 サプレッサー電極
30 真空室
40 酸化性ガス導入部
45 イオンポンプ(最終排気系)
48 酸化性ガス導入制御部
50、50B 液体金属イオン源
70 集束レンズ
100、100B 集束イオンビーム装置
IB イオンビーム
M イオン材料(液体金属)
Claims (5)
- 液体金属をなすイオン材料を保持するリザーバと、
前記リザーバから供給される前記イオン材料で表面が覆われるニードル電極と、
前記ニードル電極の先端から前記イオン材料のイオンを放出させる引出し電極と、
前記引出し電極の下流側に配置され、前記イオンのビーム径を制限するビーム絞りと、
これらを収容して真空に保持する真空室と、を備えた液体金属イオン源において、
さらに、前記イオン材料で表面を覆われているニードル電極の周囲に水蒸気を導入する水蒸気導入部を有し、
前記水蒸気導入部は、少なくとも前記ニードル電極と前記引出し電極との間に電圧が印加されているときに、前記真空室に前記水蒸気を導入させ、
前記液体金属イオン源は、前記水蒸気導入部からの前記水蒸気により前記ニードル電極の表面に酸化膜が形成された状態で、前記電圧の印加により前記ニードル電極から前記イオンを放出することを特徴とする液体金属イオン源。 - 前記真空室に前記水蒸気が導入された状態での真空度が1.0×10-5~3.0×10-5Paである請求項1に記載の液体金属イオン源。
- 前記真空室を目標真空度まで排気する最終排気系を有し、前記最終排気系の流路と、前記水蒸気導入部の流路とは、前記イオンのビームの照射方向に垂直な方向に少なくとも一部がニードルとそれぞれ対向する請求項1又は2に記載の液体金属イオン源。
- 前記ニードル電極と前記引出し電極との間に電圧が印加されているときにのみ、前記真空室に前記水蒸気を導入させる水蒸気導入制御部をさらに有する請求項1~3のいずれか一項に記載の液体金属イオン源。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の液体金属イオン源を備えてなる集束イオンビーム装置。
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