JPH0836983A - イオン源 - Google Patents
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- JPH0836983A JPH0836983A JP6193535A JP19353594A JPH0836983A JP H0836983 A JPH0836983 A JP H0836983A JP 6193535 A JP6193535 A JP 6193535A JP 19353594 A JP19353594 A JP 19353594A JP H0836983 A JPH0836983 A JP H0836983A
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガス使用時にオーブンからの蒸気がプラズマ
生成部内のガスに混入するするのを防止できるようにし
たイオン源を提供すること。 【構成】 固体試料21をヒータ22を用いて加熱し、
蒸気23を発生させるオーブン2に、温度制御可能な冷
却機構6を付設したことを特徴とする。
生成部内のガスに混入するするのを防止できるようにし
たイオン源を提供すること。 【構成】 固体試料21をヒータ22を用いて加熱し、
蒸気23を発生させるオーブン2に、温度制御可能な冷
却機構6を付設したことを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、固体試料加熱用のオ
ーブンを有し、イオン種としてガスとオーブンからの蒸
気とを切換えて使用することができるようにしたイオン
源に関し、より具体的には、ガス使用時にオーブンから
の蒸気がプラズマ生成部内のガスに混入するのを防止す
る手段に関する。
ーブンを有し、イオン種としてガスとオーブンからの蒸
気とを切換えて使用することができるようにしたイオン
源に関し、より具体的には、ガス使用時にオーブンから
の蒸気がプラズマ生成部内のガスに混入するのを防止す
る手段に関する。
【0002】
【従来の技術】この種のイオン源の従来例を第3図に示
す。このイオン源は、フリーマン型イオン源と呼ばれる
ものであり、導入されたイオン種を用いてプラズマ(図
示省略)を発生させるプラズマ生成部1と、固体試料2
1を例えば、シーズヒータなどのヒータ22により加熱
して蒸気23を発生させるオーブン2とを備えている。
前記プラズマ生成部1は、イオン源フランジ3から支持
されており、オーブン2は、前記イオン源フランジ3に
取付けられたオーブンフランジ24から支持されてい
る。25は、前記ヒータ22用の電流導入端子である。
す。このイオン源は、フリーマン型イオン源と呼ばれる
ものであり、導入されたイオン種を用いてプラズマ(図
示省略)を発生させるプラズマ生成部1と、固体試料2
1を例えば、シーズヒータなどのヒータ22により加熱
して蒸気23を発生させるオーブン2とを備えている。
前記プラズマ生成部1は、イオン源フランジ3から支持
されており、オーブン2は、前記イオン源フランジ3に
取付けられたオーブンフランジ24から支持されてい
る。25は、前記ヒータ22用の電流導入端子である。
【0003】プラズマ生成部1は、その前面部にスリッ
ト11が設けられたプラズマ生成容器12を有してお
り、その内部に前記スリット11に沿ってカソードとし
ての棒状のフィラメント13が配設されている。また、
プラズマ生成容器12の側壁部にはガス導入口14が、
底部には蒸気導入口15を有する蒸気導入部16がそれ
ぞれ設けられている。
ト11が設けられたプラズマ生成容器12を有してお
り、その内部に前記スリット11に沿ってカソードとし
ての棒状のフィラメント13が配設されている。また、
プラズマ生成容器12の側壁部にはガス導入口14が、
底部には蒸気導入口15を有する蒸気導入部16がそれ
ぞれ設けられている。
【0004】ガス導入口14には、ガス源4から開閉弁
41を経由して、ガスイオン種としてのガス42、例え
ばヒ素や三フッ化ホウ素などが供給される。
41を経由して、ガスイオン種としてのガス42、例え
ばヒ素や三フッ化ホウ素などが供給される。
【0005】オーブン2は、試料室26内に収納した固
体試料21、例えばリン、ヒ素、金属などの単体または
これらの酸化物、フッ化物などの化合物を試料室26の
外部に設けたヒータ22で加熱して固体イオン種として
の蒸気23を発生するものであり、試料室26の前方部
に蒸気導入ノズル27を有している。この蒸気導入ノズ
ル27は、その先端部分がプラズマ生成部1の蒸気導入
部16内に挿入されており、したがって蒸気23は、こ
の蒸気導入ノズル27および蒸気導入部16を経由して
プラズマ生成容器12内に導入される。前記試料室26
の近傍には、図示しないが熱電対またはその他の測温素
子が設置され、これからの信号によってヒータ22へ供
給する電流を制御し、試料室26の温度を一定に保って
いる。
体試料21、例えばリン、ヒ素、金属などの単体または
これらの酸化物、フッ化物などの化合物を試料室26の
外部に設けたヒータ22で加熱して固体イオン種として
の蒸気23を発生するものであり、試料室26の前方部
に蒸気導入ノズル27を有している。この蒸気導入ノズ
ル27は、その先端部分がプラズマ生成部1の蒸気導入
部16内に挿入されており、したがって蒸気23は、こ
の蒸気導入ノズル27および蒸気導入部16を経由して
プラズマ生成容器12内に導入される。前記試料室26
の近傍には、図示しないが熱電対またはその他の測温素
子が設置され、これからの信号によってヒータ22へ供
給する電流を制御し、試料室26の温度を一定に保って
いる。
【0006】なお、プラズマ生成容器12のスリット1
1の前方には、通常は複数枚の電極で構成された引出し
電極系が設けられるが、ここではその図示を省略してい
る。
1の前方には、通常は複数枚の電極で構成された引出し
電極系が設けられるが、ここではその図示を省略してい
る。
【0007】次に、動作例について説明すると、先ず、
イオン種として固体試料21を用いる場合は、図示しな
い電源につながれた電流導入端子17を介してフィラメ
ント13に電力を供給し、フィラメント13を加熱する
とともに、このフィラメント13とプラズマ生成容器1
2との間に図示しない電源からアーク電圧を印加し、か
つプラズマ生成容器12内にイオン種として、例えばオ
ーブン2からの蒸気23を導入してフィラメント13と
プラズマ生成容器12との間でアーク放電を起させる
と、プラズマ生成容器12内にプラズマが生成される。
そして、このプラズマからスリット11を通して、図示
しない引出し電極系に印加された電界の作用でイオンビ
ーム5を引出すことができる。
イオン種として固体試料21を用いる場合は、図示しな
い電源につながれた電流導入端子17を介してフィラメ
ント13に電力を供給し、フィラメント13を加熱する
とともに、このフィラメント13とプラズマ生成容器1
2との間に図示しない電源からアーク電圧を印加し、か
つプラズマ生成容器12内にイオン種として、例えばオ
ーブン2からの蒸気23を導入してフィラメント13と
プラズマ生成容器12との間でアーク放電を起させる
と、プラズマ生成容器12内にプラズマが生成される。
そして、このプラズマからスリット11を通して、図示
しない引出し電極系に印加された電界の作用でイオンビ
ーム5を引出すことができる。
【0008】次に、イオン種をガス42に切換える場合
は、オーブン2のヒータ22への通電を切り、その代り
に開閉弁41を開いてガス源4からガス導入口14を介
してプラズマ生成容器12内にガス42を導入し、上述
の固体試料21を用いる場合と同様、フィラメント13
を加熱するとともに、フィラメント13とプラズマ生成
容器12との間でアーク放電を起させると、プラズマ生
成容器12内にプラズマが生成される。
は、オーブン2のヒータ22への通電を切り、その代り
に開閉弁41を開いてガス源4からガス導入口14を介
してプラズマ生成容器12内にガス42を導入し、上述
の固体試料21を用いる場合と同様、フィラメント13
を加熱するとともに、フィラメント13とプラズマ生成
容器12との間でアーク放電を起させると、プラズマ生
成容器12内にプラズマが生成される。
【0009】このようなイオン源は、固体イオン種とガ
スイオン種との切替えを短時間で行うことができるとい
う長所を有している。
スイオン種との切替えを短時間で行うことができるとい
う長所を有している。
【0010】
【発明が解決しょうとする課題】ところが、上述のよう
な構成のイオン源においては、イオン種としてガス42
を使用しているときに、オーブン2のヒータ22への通
電を切っているにもかかわらず、プラズマ生成部1から
の輻射熱18、より具体的にはそのフィラメント13や
アーク放電などによる輻射熱18や、イオン源が正電位
にあるため周りの電子が吸込まれ、これによって発生す
る熱などによって、オーブン2が加熱されて温度上昇す
る。イオン源の構造や運転条件によって異なるが、従来
の例では、フル定格で運転時、百数十度になることがあ
った。
な構成のイオン源においては、イオン種としてガス42
を使用しているときに、オーブン2のヒータ22への通
電を切っているにもかかわらず、プラズマ生成部1から
の輻射熱18、より具体的にはそのフィラメント13や
アーク放電などによる輻射熱18や、イオン源が正電位
にあるため周りの電子が吸込まれ、これによって発生す
る熱などによって、オーブン2が加熱されて温度上昇す
る。イオン源の構造や運転条件によって異なるが、従来
の例では、フル定格で運転時、百数十度になることがあ
った。
【0011】このようにオーブン2が温度上昇すると、
それによって試料室26内に充填されている固体試料2
1が加熱され、蒸気23を放出し、これがプラズマ生成
部1内に導入されてガス42に混入するといった問題が
ある。このような混入が生じると、不要イオンによって
引出し電流が増大し、電源容量不足となったり、ガス圧
増大にともなう放電、不要ガスによる引出し電極系やプ
ラズマ生成容器12などの汚れが発生して放電の増加に
つながる他、イオンビーム5中に含まれる所望イオンの
割合が低下してしまうなどといった不都合があった。
それによって試料室26内に充填されている固体試料2
1が加熱され、蒸気23を放出し、これがプラズマ生成
部1内に導入されてガス42に混入するといった問題が
ある。このような混入が生じると、不要イオンによって
引出し電流が増大し、電源容量不足となったり、ガス圧
増大にともなう放電、不要ガスによる引出し電極系やプ
ラズマ生成容器12などの汚れが発生して放電の増加に
つながる他、イオンビーム5中に含まれる所望イオンの
割合が低下してしまうなどといった不都合があった。
【0012】そこでこの発明は、ガス使用時にオーブン
からの蒸気がプラズマ生成部内のガスに混入するするの
を防止できるようにしたイオン源を提供することを主た
る目的とする。
からの蒸気がプラズマ生成部内のガスに混入するするの
を防止できるようにしたイオン源を提供することを主た
る目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオン源は、オーブンに温度制御可能な
冷却機構を付設したことを特徴とする。
め、この発明のイオン源は、オーブンに温度制御可能な
冷却機構を付設したことを特徴とする。
【0014】
【作用】上記構成によれば、イオン種としてガスを使用
する場合、すなわち、オーブンを使用しない場合には、
オーブンに付設した冷却機構を動作させると、オーブン
の試料室は所定の温度以下に冷却される。従って、ガス
使用時に、プラズマ生成室からの輻射熱や電子による熱
入力があっても、試料室は所定の温度以上には温度上昇
しない。その結果、試料室内の固体試料は蒸気化され
ず、プラズマ生成部内のガスに、固体試料による蒸気が
混入するのを防止することができる。
する場合、すなわち、オーブンを使用しない場合には、
オーブンに付設した冷却機構を動作させると、オーブン
の試料室は所定の温度以下に冷却される。従って、ガス
使用時に、プラズマ生成室からの輻射熱や電子による熱
入力があっても、試料室は所定の温度以上には温度上昇
しない。その結果、試料室内の固体試料は蒸気化され
ず、プラズマ生成部内のガスに、固体試料による蒸気が
混入するのを防止することができる。
【0015】なお、試料室の温度をどの程度に抑えるか
は、固体試料の物性、形状や大きさなどによって大きく
異なるが、本発明者の実験によれば、例えば固体ヒ素の
顆粒の場合、100℃以下に抑えれば、その蒸発が問題
とならない程度のレベルに抑えられた。
は、固体試料の物性、形状や大きさなどによって大きく
異なるが、本発明者の実験によれば、例えば固体ヒ素の
顆粒の場合、100℃以下に抑えれば、その蒸発が問題
とならない程度のレベルに抑えられた。
【0016】
【実施例】図1は、この発明の一実施例に係るイオン源
を示す要部断面図である。なお、図3の従来例と同じ符
号を付した部分は、同一または対応する部分を示す。以
下においては当該従来例との相違点を主に説明する。
を示す要部断面図である。なお、図3の従来例と同じ符
号を付した部分は、同一または対応する部分を示す。以
下においては当該従来例との相違点を主に説明する。
【0017】この実施例においては、前述したオーブン
2の試料室26の外側を覆うように、試料室26の温度
制御を行うことのできる冷却機構6を付設している。温
度制御が可能な冷却機構6は、この実施例では、試料室
26の外周に設けられた、例えばシーズヒータなどから
なるヒータ22の外側を覆うように冷却パイプ61を設
け、この冷却パイプ61内を、大気側に設けられた図示
しない冷媒源から接続パイプ62を介して、例えば、窒
素などの不活性ガスあるいは空気などからなる冷媒63
を循環するよう構成されている。冷媒62の流量制御な
どは、例えば、試料室26の近傍に設けられた図示しな
い熱電対からの信号に基づき、試料室26が所定の温度
以下に冷却されるように制御される。
2の試料室26の外側を覆うように、試料室26の温度
制御を行うことのできる冷却機構6を付設している。温
度制御が可能な冷却機構6は、この実施例では、試料室
26の外周に設けられた、例えばシーズヒータなどから
なるヒータ22の外側を覆うように冷却パイプ61を設
け、この冷却パイプ61内を、大気側に設けられた図示
しない冷媒源から接続パイプ62を介して、例えば、窒
素などの不活性ガスあるいは空気などからなる冷媒63
を循環するよう構成されている。冷媒62の流量制御な
どは、例えば、試料室26の近傍に設けられた図示しな
い熱電対からの信号に基づき、試料室26が所定の温度
以下に冷却されるように制御される。
【0018】冷媒63の流量は、冷却パイプ61の形
状、内径や長さ、さらには設定温度などによって異なる
が、例えば、冷媒63として窒素を用い、試料室26を
100℃以下とする場合、冷却パイプ61として内径2
mm、その長さが40cm程度としたとき、3リッタ/
分程度とすればよい。
状、内径や長さ、さらには設定温度などによって異なる
が、例えば、冷媒63として窒素を用い、試料室26を
100℃以下とする場合、冷却パイプ61として内径2
mm、その長さが40cm程度としたとき、3リッタ/
分程度とすればよい。
【0019】動作例を説明すると、オーブン2を使用す
るときは、冷却機構6の動作を停止しておき、ヒータ2
2に通電して試料室26内の固体試料21を加熱する。
したがって、オーブン2の試料室26で発生された蒸気
23は、蒸気導入ノズル27および蒸気導入部16の蒸
気導入口15を通じてプラズマ生成部1内に導入され
る。勿論、このときガスラインの開閉弁41は閉じてお
く。
るときは、冷却機構6の動作を停止しておき、ヒータ2
2に通電して試料室26内の固体試料21を加熱する。
したがって、オーブン2の試料室26で発生された蒸気
23は、蒸気導入ノズル27および蒸気導入部16の蒸
気導入口15を通じてプラズマ生成部1内に導入され
る。勿論、このときガスラインの開閉弁41は閉じてお
く。
【0020】イオン種をガスに切換えるときは、ヒータ
22への通電を切るとともに、冷却機構6を運転し、冷
却パイプ61内へ冷媒63を強制循環して試料室26が
所定の温度以上に温度上昇しないように冷却する。そし
て、開閉弁41を開いてプラズマ生成部1内にガス42
を導入する。
22への通電を切るとともに、冷却機構6を運転し、冷
却パイプ61内へ冷媒63を強制循環して試料室26が
所定の温度以上に温度上昇しないように冷却する。そし
て、開閉弁41を開いてプラズマ生成部1内にガス42
を導入する。
【0021】試料室26は、所定の温度以上に温度上昇
しないように冷却機構6によって冷却されているので、
試料室26内の固体試料21は加熱されず、蒸気23は
発生しない。その結果、ガス使用時にプラズマ生成部1
内のガス42に蒸気23が混入するのを防止することが
でき、ひいてはガス使用時に、不要イオンによる引出し
電流が増大し、電源容量不足となったり、ガス圧増大に
ともなう放電、不要ガスによる引出し電極系やプラズマ
生成容器12などの汚れが発生して放電の増加につなが
るのを防止することができる他、イオンビーム5中に含
まれる所望イオンの割合が低下するのを防止することも
できる。
しないように冷却機構6によって冷却されているので、
試料室26内の固体試料21は加熱されず、蒸気23は
発生しない。その結果、ガス使用時にプラズマ生成部1
内のガス42に蒸気23が混入するのを防止することが
でき、ひいてはガス使用時に、不要イオンによる引出し
電流が増大し、電源容量不足となったり、ガス圧増大に
ともなう放電、不要ガスによる引出し電極系やプラズマ
生成容器12などの汚れが発生して放電の増加につなが
るのを防止することができる他、イオンビーム5中に含
まれる所望イオンの割合が低下するのを防止することも
できる。
【0022】図2は、この発明の他の実施例に係るイオ
ン源を示す要部断面図である。以下、前述の実施例との
相違点のみを主に説明する。前述の実施例では、冷却機
構6として、ヒータ22の外側を覆うように冷却パイプ
61を設け、この冷却パイプ61内に冷媒63を循環す
るようにしたが、この実施例では、試料室26の外周を
覆うように冷媒溜室64を形成し、この冷媒溜室64に
大気側に設けられた図示しない冷媒源から接続パイプ6
2を介して前述の実施例と同様、例えば、窒素などの不
活性ガスあるいは空気などの冷媒63を試料室26が所
定の温度以下に冷却されるように循環させる。
ン源を示す要部断面図である。以下、前述の実施例との
相違点のみを主に説明する。前述の実施例では、冷却機
構6として、ヒータ22の外側を覆うように冷却パイプ
61を設け、この冷却パイプ61内に冷媒63を循環す
るようにしたが、この実施例では、試料室26の外周を
覆うように冷媒溜室64を形成し、この冷媒溜室64に
大気側に設けられた図示しない冷媒源から接続パイプ6
2を介して前述の実施例と同様、例えば、窒素などの不
活性ガスあるいは空気などの冷媒63を試料室26が所
定の温度以下に冷却されるように循環させる。
【0023】以上の構成によっても、前述の実施例と同
様、ガス使用時にプラズマ生成部1内のガス42に蒸気
23が混入するのを防止することができ、ひいてはガス
使用時に、不要イオンによる引出し電流が増大し、電源
容量不足となったり、ガス圧増大にともなう放電、不要
ガスによる引出し電極系やプラズマ生成容器12などの
汚れが発生して放電の増加につながるのを防止すること
ができる他、イオンビーム5中に含まれる所望イオンの
割合が低下するのを防止することもできる。
様、ガス使用時にプラズマ生成部1内のガス42に蒸気
23が混入するのを防止することができ、ひいてはガス
使用時に、不要イオンによる引出し電流が増大し、電源
容量不足となったり、ガス圧増大にともなう放電、不要
ガスによる引出し電極系やプラズマ生成容器12などの
汚れが発生して放電の増加につながるのを防止すること
ができる他、イオンビーム5中に含まれる所望イオンの
割合が低下するのを防止することもできる。
【0024】なお、上述した実施例では、いずれもガス
使用時のみ冷却機構6を運転する場合について詳述した
が、前記冷却機構6をオーブン2の使用時にも運転し、
例えば、図示しない熱電対からの信号を基に、ヒータ2
2への通電量と冷却機構6の冷媒63の流量などとを図
示しないコントローラで制御すれば、試料室26の温度
がより安定し、固体試料21の蒸発量の制御性がより向
上し、都合がよいのは勿論である。
使用時のみ冷却機構6を運転する場合について詳述した
が、前記冷却機構6をオーブン2の使用時にも運転し、
例えば、図示しない熱電対からの信号を基に、ヒータ2
2への通電量と冷却機構6の冷媒63の流量などとを図
示しないコントローラで制御すれば、試料室26の温度
がより安定し、固体試料21の蒸発量の制御性がより向
上し、都合がよいのは勿論である。
【0025】また、上述した実施例では、いずれも冷媒
63として、気体を用いた場合について述べたが、必用
に応じて純水などの液体を用いてもよいのは勿論であ
る。このような液体を冷媒63として用いる場合は、オ
ーブン2の使用時に高温となるため、蒸発時に残渣が残
っても、その後再度冷却のために液体を冷媒63として
循環させても問題がないような冷却用冷媒であるのが好
ましい。
63として、気体を用いた場合について述べたが、必用
に応じて純水などの液体を用いてもよいのは勿論であ
る。このような液体を冷媒63として用いる場合は、オ
ーブン2の使用時に高温となるため、蒸発時に残渣が残
っても、その後再度冷却のために液体を冷媒63として
循環させても問題がないような冷却用冷媒であるのが好
ましい。
【0026】また、上述した実施例では、いずれもヒー
タ22として、シーズヒータを用いたが、この発明は、
これに限られることはなく、例えばニクロム線や、他の
金属線をヒータ22として用いたオーブンにも適用でき
るのは勿論である。
タ22として、シーズヒータを用いたが、この発明は、
これに限られることはなく、例えばニクロム線や、他の
金属線をヒータ22として用いたオーブンにも適用でき
るのは勿論である。
【0027】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ガス使
用時に、冷却機構を運転し、冷却パイプ内へ冷媒を強制
循環して試料室が所定の温度以上に温度上昇しないよう
に冷却することができるので、試料室内の固体試料は気
化せず、蒸気は発生しない。その結果、ガス使用時にプ
ラズマ生成部内のガスに蒸気が混入するのを防止するこ
とができ、ひいてはガス使用時に、不要イオンによる引
出し電流が増大し、電源容量不足となったり、ガス圧増
大にともなう放電、不要ガスによる引出し電極系やプラ
ズマ生成容器などの汚れが発生して放電の増加につなが
るのを防止することができる他、イオンビーム中に含ま
れる所望イオンの割合が低下するのを防止することもで
きる。
用時に、冷却機構を運転し、冷却パイプ内へ冷媒を強制
循環して試料室が所定の温度以上に温度上昇しないよう
に冷却することができるので、試料室内の固体試料は気
化せず、蒸気は発生しない。その結果、ガス使用時にプ
ラズマ生成部内のガスに蒸気が混入するのを防止するこ
とができ、ひいてはガス使用時に、不要イオンによる引
出し電流が増大し、電源容量不足となったり、ガス圧増
大にともなう放電、不要ガスによる引出し電極系やプラ
ズマ生成容器などの汚れが発生して放電の増加につなが
るのを防止することができる他、イオンビーム中に含ま
れる所望イオンの割合が低下するのを防止することもで
きる。
【図1】この発明の一実施例に係るイオン源を示す要部
断面図である。
断面図である。
【図2】この発明の他の実施例に係るイオン源を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図3】従来のイオン源の一例を示す断面図である。
1 プラズマ生成部 2 オーブン 6 冷却機構 14 ガス導入口 16 蒸気導入部 21 固体試料 22 ヒータ 23 蒸気 42 ガス 61 冷却パイプ 63 冷媒 64 冷媒溜室
Claims (1)
- 【請求項1】 導入されたイオン種を用いてプラズマを
発生させるものであって、ガス導入口および蒸気導入部
を有するプラズマ生成部と、固体試料をヒータによって
加熱して蒸気を発生させこれをプラズマ生成部に供給す
るオーブンとを備え、前記プラズマ生成部内にイオン種
としてガスと、オーブンからの蒸気とを切換えて導入す
るようにしたイオン源において、前記オーブンに温度制
御可能な冷却機構を付設してなることを特徴とするイオ
ン源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6193535A JPH0836983A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6193535A JPH0836983A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | イオン源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0836983A true JPH0836983A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=16309699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6193535A Pending JPH0836983A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0836983A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002100298A (ja) * | 2000-04-04 | 2002-04-05 | Applied Materials Inc | アークチャンバ用フィードガス発生気化器 |
US6593580B2 (en) | 2001-04-24 | 2003-07-15 | Nissin Electric Co., Ltd. | Ion source vaporizer |
KR100690447B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-03-09 | (주)인텍 | 이온 발생 장치 및 이를 이용한 박막 증착 장치 |
JP2014154250A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Japan Atomic Energy Agency | イオンの生成方法 |
-
1994
- 1994-07-25 JP JP6193535A patent/JPH0836983A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002100298A (ja) * | 2000-04-04 | 2002-04-05 | Applied Materials Inc | アークチャンバ用フィードガス発生気化器 |
US6593580B2 (en) | 2001-04-24 | 2003-07-15 | Nissin Electric Co., Ltd. | Ion source vaporizer |
KR100690447B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-03-09 | (주)인텍 | 이온 발생 장치 및 이를 이용한 박막 증착 장치 |
JP2014154250A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Japan Atomic Energy Agency | イオンの生成方法 |
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