JP7462441B2 - 保護部材の設置方法、被加工物の加工方法、保護部材の製造方法及び被加工物の保護部材 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態1に係る保護部材の設置方法、被加工物の加工方法、保護部材の製造方法及び被加工物の保護部材を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係る保護部材の設置方法及び被加工物の加工方法の対象の被加工物1を示す斜視図である。被加工物1は、実施形態1では、シリコン、サファイア、ガリウムヒ素、SiC基板、GaN基板、LT基板、単結晶ダイヤモンド基板などを基板2とする円板状の半導体ウェーハである。被加工物1は、実施形態1では、図1に示すように、交差(実施形態1では、直交)する複数の分割予定ライン3で区画された表面4の各領域にそれぞれ半導体デバイス5が形成されている。なお、被加工物1の半導体ウェーハは、本発明ではこれに限定されず、半導体デバイス5が形成されていてもいなくても良い。被加工物1は、半導体デバイス5の表面に複数の電極バンプ6が搭載されている。電極バンプ6は、半導体デバイス5の表面から突出している。半導体デバイス5は、表面4に電極バンプ6が搭載されていることで、凹凸の構造物を備えている。被加工物1及び半導体デバイス5は、表面4とは反対側の裏面7が平坦に形成されている。被加工物1は、各分割予定ライン3に沿って分割されて、個々の半導体デバイス5に分割される。なお、実施形態1において、被加工物1は、半導体デバイス5の表面に電極バンプ6が搭載されて凹凸の構造物を備えているが、本発明ではこれに限定されず、表面に凹凸の構造物を備えていなくてもよい。また、被加工物1は、本発明では、半導体デバイス5を表面4に備える半導体ウェーハに限定されず、光デバイスを表面に備える光デバイスウェーハであってもよい。
本発明の実施形態2に係る保護部材の設置方法を図面に基づいて説明する。図12は、実施形態2に係る保護部材の設置方法を説明する断面図である。なお、図12は、電極バンプ6を省略している。図12は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態1の変形例1に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図13は、変形例1に係る被加工物の加工方法の一例である切削加工を示す断面図である。図14は、変形例1に係る被加工物の加工方法の一例であるレーザー加工を示す断面図である。なお、図13及び図14は、電極バンプ6を省略している。図13及び図14は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態3に係る保護部材の設置方法及び被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図15は、実施形態3に係る保護部材の設置方法を説明する断面図である。図16は、実施形態3に係る被加工物の加工方法の一例である研削加工を示す断面図である。なお、図15及び図16は、電極バンプ6を省略している。図15及び図16は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態4に係る保護部材の設置方法、保護部材の製造方法、被加工物の加工方法及び被加工物の保護部材を図面に基づいて説明する。図17及び図18は、実施形態4に係る保護部材の設置方法を説明する断面図である。なお、図17及び図18は、電極バンプ6を省略している。図17及び図18は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態3の変形例2に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図19は、変形例2に係る被加工物の加工方法の一例である切削加工を示す断面図である。図20は、変形例2に係る被加工物の加工方法の一例であるレーザー加工を示す断面図である。なお、図19及び図20は、電極バンプ6を省略している。図19及び図20は、実施形態3と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の変形例3に係る保護部材の設置方法及び被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図21は、変形例3に係る保護部材の設置方法及び被加工物の加工方法の対象の被加工物1-2を示す斜視図である。図22は、変形例3に係る保護部材の設置方法及び被加工物の加工方法の対象の被加工物1-2を示す斜視図である。図21は、被加工物1-2を表面4-2側から見た斜視図、図22は被加工物1-2を裏面7-2側から見た斜視図である。
本発明の変形例4に係る保護部材の設置方法及び保護部材の製造方法を図面に基づいて説明する。図23から図32は、それぞれ、変形例4に係る保護部材の設置方法における樹脂供給ステップ1011の一例を示す斜視図である。図23から図32は、上記した各実施形態及び各変形例と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
4,4-2 表面
5,5-2 半導体デバイス
6 電極バンプ
7,7-2 裏面
9 フレーム
9-1,109-1 開口
10,110,160 支持テーブル
11,111,161 支持面
20 押圧部材
21 押圧面
85,125,135,155,185,195 チャックテーブル
86,126,136,156,186,196 保持面
100 熱可塑性樹脂
101 保護部材
103 一方の面
104 他方の面
109 肉厚部
127,128,137,138,182,183,192,193 カメラユニット
200,200-2 フレームユニット
Claims (12)
- 板状の被加工物の一方の面を保護する保護部材の設置方法であって、
支持テーブルの平坦な支持面に、塊状、紐状、粒状または流動体状の熱可塑性樹脂を供給する樹脂供給ステップと、
該熱可塑性樹脂を加熱して軟化させながら該支持面に沿って押し広げてシート状に成形し、該支持面にシート状の該熱可塑性樹脂の保護部材を形成する保護部材形成ステップと、
シート状の該保護部材の一方の面に被加工物の一方の面を密着させ、密着した該保護部材を加熱して被加工物に接着する保護部材接着ステップと、
該保護部材接着ステップで加熱した該保護部材を冷却する接着後冷却ステップと、を備え、
該熱可塑性樹脂は、大きさが0.1nm以上400nm以下のフィラーが混合されている保護部材の設置方法。 - 該保護部材接着ステップで該保護部材を加熱する条件は、該保護部材形成ステップで該熱可塑性樹脂を加熱する条件に比べ、温度が低いまたは加熱時間が短い請求項1に記載の保護部材の設置方法。
- 該保護部材形成ステップは、シート状に成形した保護部材を冷却する成形後冷却ステップを備える請求項1または2に記載の保護部材の設置方法。
- 該保護部材形成ステップでは、該熱可塑性樹脂を該支持面と平行な平坦な押圧面で押し広げる請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の保護部材の設置方法。
- 被加工物の一方の面は凹凸の構造物を備え、該保護部材形成ステップで成形したシート状の該保護部材の厚さは、該凹凸の高さより厚く成形されている請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の保護部材の設置方法。
- 該保護部材形成ステップで該熱可塑性樹脂を成形する時より、該保護部材接着ステップで該熱可塑性樹脂を被加工物に接着する時の方が、該熱可塑性樹脂の押圧量が少ない請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の保護部材の設置方法。
- 被加工物は、半導体デバイスを表面に備える半導体ウェーハである請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の保護部材の設置方法。
- 一方の面に保護部材が接着された板状の被加工物の該保護部材側をチャックテーブルの保持面で吸引保持し、該被加工物を他方の面側から加工する被加工物の加工方法であって、該保護部材は、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の保護部材の設置方法で該被加工物に設置される被加工物の加工方法。
- 該保護部材を介して該被加工物の該一方の面に形成されたパターンをカメラユニットで撮影し、該パターンの位置に基づいて該被加工物が加工される請求項8に記載の被加工物の加工方法。
- 板状の被加工物の一方の面を保護する保護部材の製造方法であって、
支持テーブルの平坦な支持面に、塊状、紐状、粒状または流動体状の熱可塑性樹脂を供給する樹脂供給ステップと、
該熱可塑性樹脂を加熱して軟化させながら該支持面に沿って押し広げてシート状に成形し、該支持面にシート状の該熱可塑性樹脂の保護部材を形成する保護部材形成ステップと、を備え、
該熱可塑性樹脂は、大きさが0.1nm以上400nm以下のフィラーが混合されている保護部材の製造方法。 - 該保護部材形成ステップでは、該シート状に成形した該熱可塑性樹脂を冷却する成形後冷却ステップを備える請求項10に記載の保護部材の製造方法。
- 塊状、紐状、粒状または流動体状の熱可塑性樹脂を、加熱しながら押し広げて1層のシート状に成形し、被加工物の一方の面に加熱されて接着されて、被加工物の該一方の面を途切れなく覆う被加工物の保護部材であって、
該熱可塑性樹脂は、大きさが0.1nm以上400nm以下のフィラーが混合されている被加工物の保護部材。
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