JP7459165B2 - ガーネット構造のリン光剤およびこのリン光剤を含む発光装置 - Google Patents

ガーネット構造のリン光剤およびこのリン光剤を含む発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7459165B2
JP7459165B2 JP2022073662A JP2022073662A JP7459165B2 JP 7459165 B2 JP7459165 B2 JP 7459165B2 JP 2022073662 A JP2022073662 A JP 2022073662A JP 2022073662 A JP2022073662 A JP 2022073662A JP 7459165 B2 JP7459165 B2 JP 7459165B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
garnet
phosphorescent agent
phosphorescent
garnet structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022073662A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023007401A (ja
Inventor
栄輝 劉
少偉 秦
元紅 劉
彦鋒 李
暁霞 陳
小楽 馬
原 薛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rare Earth Functional Materials Xiong'an Innovation Center Co Ltd
Grirem Hi Tech Co Ltd
Original Assignee
Rare Earth Functional Materials Xiong'an Innovation Center Co Ltd
Grirem Hi Tech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rare Earth Functional Materials Xiong'an Innovation Center Co Ltd, Grirem Hi Tech Co Ltd filed Critical Rare Earth Functional Materials Xiong'an Innovation Center Co Ltd
Publication of JP2023007401A publication Critical patent/JP2023007401A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7459165B2 publication Critical patent/JP7459165B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77346—Aluminium Nitrides or Aluminium Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7706—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
    • C01P2004/82—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases
    • C01P2004/84—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases one phase coated with the other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、発光材料の技術分野に関し、特にガーネット構造のリン光剤およびこのリン光剤を含む発光装置に関する。
新世代のグリーン照明製品である半導体照明（Ｗｈｉｔｅ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、白色ＬＥＤ）は、高発光効率、低エネルギー消費、長寿命、汚染がないなどの利点があり、グリーン照明および尖端ディスプレイ分野では広く応用され、中国の重要な発展である戦略的な新興産業である。ＬＥＤ用の希土類リン光剤は、希土類光学機能材料の大きな一類として人間の生産と生活に重要な役割を果たしている。
現在、市販されている製品は一般に、青色光チップ複合アルミン酸塩黄緑色粉末、窒化物赤色粉末の形態で白色ＬＥＤを形成し、このような方法は技術的に最も成熟している。応用分野と消費構造の点から、約９０％のＬＥＤ用の希土類リン光剤は半導体照明と電子情報産業によって消費されている。白色ＬＥＤのコア材料として、ＬＥＤ用の希土類リン光剤の性能がデバイスの発光効率と発光色品質を直接決定し、Ｇａ含有のガーネット構造のリン光剤は、ＡｌがＧａでドープされてなり、ガーネット構造を有するキュービッククリスタルシステムに属する。ＧａＹＡＧ:Ｃｅシリーズ含有のグリーンリン光剤の研究は現在最も成熟しており、市販されている白色ＬＥＤ用の主なリン光剤の１つでもある。半導体照明技術の発展と市場応用の急速進行に伴って、白色ＬＥＤの光効率に対する市場要求がますます高まっているが、Ｇａ含有ガーネット構造のリン光剤は、Ｇａ含有量が増加すると、波長帯域が短くなり、粒度が小さくなり、リン光剤の輝度が低下するため、ＧａＹＡＧグリーンリン光剤の励起効率および光効率性能により高い要求が求められている。
従来技術の問題を鑑み、本発明は、ガーネット構造のリン光剤およびこのリン光剤を含む発光装置を提供し、リン光剤は青色光によって励起され得、発光効率を効果的に高め、Ｇａ含有ガーネット構造のリン光剤の優れた発光性能を兼ね、Ｇａ含有量を効果的に減少し、スペクトラムを効果的にブルーシフトでき、コストダウンの利点を有する。
上記の目的を達成するために、本発明によって提供されるガーネット構造のリン光剤は、重量パーセントで、３８．４７～４５．１９％のＹ元素、９．４９～２２．０９％のＡｌ元素、２．０６～２４．３１％のＧａ元素、２７．３～３２．０４％のＯ元素、０．４３～１．４６％のＣｅ元素を含み、粒子一方側表面から粒子質量中心を通って反対側表面までの最短距離をＲとして定義すると、５μｍ≦Ｒ≦４０μｍであり、
さらに、前記リン光剤は、重量パーセントで、４０．６～４５．２％のＹ元素、１０．９～２１．９％のＡｌ元素、２．２～１９．８％のＧａ元素、２７．７～３２％のＯ元素、０．６７～１．２％のＣｅ元素を含む。
さらに、前記リン光剤は、１０μｍ≦Ｒ≦３０μｍである。
さらに、前記ｎの値の範囲は、０≦ｎ≦０．５である。
さらに、青色光により励起されたときのピーク波長は５１５ｎｍ～５５０ｎｍである。
他方、本発明は、上記のガーネット構造のリン光剤を含む発光装置を提供する。
さらに、(Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)ＡｌＳｉＮ３:Ｅｕ、(Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)２ＳｉＯ４:Ｅｕ、(Ｃａ、Ｓｒ)３ＳｉＯ５:Ｅｕ、ＺｎＳ:Ｃｕ、ＺｎＳ:Ａｇ、(Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ)３ＺｒＦ７:Ｍｎ、(Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ)２(Ｔｉ、Ｚｒ)Ｆ６:Ｍｎ、(Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ)２(Ｓｉ、Ｇｅ)Ｆ６:Ｍｎ、(Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)(Ｔｉ、Ｚｒ)Ｆ６:Ｍｎ、(Ｓｒ、Ｃａ)Ｓ:Ｅｕ、Ｙ２Ｏ３:Ｅｕ、(Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ)５(ＰＯ４)３Ｃｌ:Ｅｕ、(Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)ＭｇＡｌ１０Ｏ７:Ｅｕ、(Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２:Ｅｕ中の１つまたは複数を含む他のリン光剤をさらに含む。
さらに、前記リン光剤は、膜、ガラスまたはセラミックの形態で存在し、または膜、ガラスおよびセラミックの混合形態で存在する。
本発明の上記技術的解決策は、以下の有益な技術的効果を有する。
（１）ＧａＹＡＧとＹＡＧはいずれもガーネット構造のリン光剤であり、両者は同様の相構造を有し、いずれもキュービッククリスタルシステムに属し、Ｃｅを発光中心としてＹ元素、Ａｌ元素、Ｇａ元素、Ｏ元素とともに一定の割合で配置してガーネット構造を有するリン光剤を形成し、それは堅固なネットワーク構造を有し、さらに安定な物理的および化学的特性を保持し、各元素は上記の比率範囲で制御される同時にガーネット構造のリン光剤粒子における粒子表面から質量中心の方向までの任意距離をｒに協同して制御し、ｒ外とｒ内の任意の単位体積のＧａ元素の重量パーセント含有量の比率をｎとすると、０≦ｎ＜１である。両者の構造が同様であるため、ＧａＹＡＧとＹＡＧを含有する相の融合成長を促進し、結晶粒子の成長を促進し、形態が球形になり、発光効率が向上し、パッケージの光効率が大幅に向上する。
（２）本発明によって調製したリン光剤の内外Ｇａ含有量の差により、最終的に得られたリン光剤は同じ元素含有量の通常のリン光剤よりもピーク波長が短く、同じ発光波長の場合より良好な発光効率を有する。
（３）本発明によって提供されるガーネット構造のリン光剤の調製方法は簡単で実行しやすく、通常のＧａＹＡＧ含有のグリーンリン光剤よりも低コストである。
（４）本発明は同じ元素含有量のＧａ含有ガーネット構造のリン光剤のスペクトラムを効果的にブルーシフトでき、その発光効率を向上させ、ＬＥＤに応用された場合より高い光効率を有する。
リン光剤粒子の構造概略図である。 範囲内の各Ｇａ元素含有量を走査することによって得られるリン光剤粒子の断面ＥＤＳ状態図である。 調製方法のフローチャートである。
本発明の目的、技術的解決策および利点をより明らかにするために、以下、具体的な実施形態と併せて図面を参照して、本発明をより詳細に説明する。理解できるように、これらの説明は例示であり、本発明の範囲を制限するものではない。また、以下の説明では、本発明の概念を不必要に曖昧にすることを回避するために、周知の構造および技術の説明を省略する。
本発明では、「単位体積」という用語は、具体的に指すものではなく、リン光剤粒子内の任意体積を表してもよく、粒子質量中心からｒ位置までの範囲内の任意の単位体積中Ｇａ元素の重量パーセント含有量と、ｒから粒子表面までの範囲内の任意の単位体積中Ｇａ元素の重量パーセント含有量の比を比較するために提出される相対体積の概念である。
背景技術におけるＧａＹＡＧグリーンリン光剤の発光効率を高め、コストを削減するために、本発明はガーネット構造のリン光剤を提供する。提供されるガーネット構造のリン光剤は、以下の技術的解決策を採用している。
図１および図２を参照すると、このリン光剤中のＲ１とＲはリン光剤のＤ５０粒子径（中央値粒子径）を表し、通常の焼成によって得られたリン光剤の粒子径分布は正規分布図に一致するために、Ｒ１とＲで代表されるように、本発明の実施効果は同様に正規分布中のすべての粒子径の粒子にも適用可能である。したがって、本発明は、異なるＤ５０粒子径で代表されるリン光剤について普遍的な法則を有し、ほとんどの結晶粒子に適用可能であるが、ある結晶粒子の異常な状況を排除するものではない。また、本発明では、リン光剤粒子の質量中心から表面延伸方向への任意の単位体積のＧａの重量パーセント含有量の増減変化は同様に本発明の保護範囲内に含まれる。
本発明は、ＣｅをアクティベーターとしてＹ元素、Ａｌ元素、Ｇａ元素、Ｏ元素とともに一定の割合で配置してガーネット構造を有するリン光剤を形成し、堅固なネットワーク構造を有し、さらに安定な物理的および化学的特性を保持する。この構造のリン光剤結晶粒子の成長過程中、焼成温度が徐々に上昇すると、フラックスの作用下で、Ｇａ含有の原料の物質移動が増加し、徐々に拡散してＧａを含まないまたはＧａ含有量が低いガーネット構造の結晶粒子を取り囲み、Ｇａを含まないガーネット構造の結晶粒子の表面に作用して核を形成し、融合して成長し、さらに大きくなる。成長過程中、リン光剤粒子表面が丸く滑らかになる。最終的にリン光剤粒子の内外のＧａ含有量が大きな差を有する構造を得、通常の同じ元素含有量のＧａ含有ガーネット構造のリン光剤と比較すると、本発明の構造のリン光剤は試験過程中スペクトラムブルーシフト効果を達成し、かつ同じ発光ピーク波長の場合Ｇａ含有量が少なくなる。
さらに、好ましくは、上記リン光剤は重量パーセントで４０．６～４５．２％のＹ元素、１０．９～２１．９％のＡｌ元素、２．２～１９．８％のＧａ元素、２７．７～３２％のＯ元素、０．６７～１．２％のＣｅ元素を含む。
これにより、質量パーセント含有量範囲内の各元素によって得られたＧａ含有ガーネット構造のリン光剤はより高い発光効率を有する。
さらに、好ましくは、上記のリン光剤のＲの値の範囲は１０μｍ≦Ｒ≦３０μｍである。通常のリン光剤の応用角度およびリン光剤合成の点から、この粒子径は、リン光剤の成熟した合成および応用に対して最も良い範囲であり、良好な発光性能を有しパッケージに適している。
さらに、好ましくは、上記ガーネット構造のリン光剤のｎの値の範囲は、０≦ｎ≦０．５である。
ｒとｎは関連して本発明の最終的な実施効果に影響を及ぼし、ｒ値が小さいほど、ｒ内の体積範囲が小さくなることを意味し、ｒ値が大きいほど、ｒ内の体積範囲が大きくなることを意味し、発光効率、発光スペクトラムおよび粒度の包括的な性能の向上に不利である。なお、ｎ値が小さいほど、ｒ内と外のＧａ含有量の差が大きくなることを意味し、これは本発明の実施効果にとって有益であり、逆もまた同様である。
さらに、上記のガーネット構造のリン光剤は青色光によって励起されたときのピーク波長は５１５ｎｍ～５５０ｎｍである。
本発明によって調製されたガーネット構造のリン光剤は、３種類の酸素配位子、Ｙ－Ｏ十二面体、Ａｌ－Ｏ八面体およびＡｌ－Ｏ四面体を有するので、スペクトラム調節はＣｅ３+とＧａ３+の異なる占有下での結晶場強度によって制御され得、Ｃｅ３+のＹ３+への置換量の増加に伴い、ガーネット構造の結晶場によりＣｅ３+エネルギー準位分割が大きくなり、スペクトラムが長波長シフトするが、Ｇａ３+が格子に入ると八面体Ａｌ３+位置を優先的に置き換えるため、Ｇａ３+含有量が増加すると格子定数の拡大を引き起こし、十二面体の中心Ｃｅ３+の結晶場強度を低減し、スペクトラムが短波長シフトする。
本発明によって提供される発光装置は、本発明のガーネット構造のリン光剤を含む。
さらに、上記発光装置は、(Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)ＡｌＳｉＮ３:Ｅｕ、(Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)２ＳｉＯ４:Ｅｕ、(Ｃａ、Ｓｒ)３ＳｉＯ５:Ｅｕ、ＺｎＳ:Ｃｕ、ＺｎＳ:Ａｇ、(Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ)３ＺｒＦ７:Ｍｎ、(Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ)２(Ｔｉ、Ｚｒ)Ｆ６:Ｍｎ、(Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ)２(Ｓｉ、Ｇｅ)Ｆ６:Ｍｎ、(Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)(Ｔｉ、Ｚｒ)Ｆ６:Ｍｎ、(Ｓｒ、Ｃａ)Ｓ:Ｅｕ、Ｙ２Ｏ３:Ｅｕ、(Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ)５(ＰＯ４)３Ｃｌ:Ｅｕ、(Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)ＭｇＡｌ１０Ｏ７:Ｅｕ、(Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２:Ｅｕ中の１つまたは複数を含む他のリン光剤をさらに含む。
また、本発明のリン光剤は粉末の形態に加えて、蛍光膜、蛍光ガラスまたは蛍光セラミック等、または以上の形態の混合形態で存在し得る。上記の形態により、高エネルギー密度下でリン光剤の発光性能を保持することができるため、本発明は高出力デバイスにも応用できる。
本発明のガーネット構造のリン光剤では、元素ＧａとＣｅの割合を変えることにより、発光材料の発光主ピークを制御でき、レッドシフトまたはブルーシフトの制御により、リン光剤の発光色を変えることができる。
本発明のガーネット構造のリン光剤では、粒子表面から質量中心の方向までの任意距離をｒとし、空間ｒ外範囲内の任意の単位体積中Ｇａ元素の重量パーセント含有量と空間ｒ内範囲内の任意の単位体積中Ｇａ元素の重量パーセント含有量の比をｎとし、ｎの測定方法は以下のとおりであり:
まず、ＥＤＳ装置を使用してガーネット構造のリン光剤の粒子表面から質量中心の方向までの任意距離をｒとし、粒子質量中心からｒ位置までの範囲内の任意の第１点(例えばこの第１点の単位体積が１×１０－６～５×１０－２μｍ３)を取って測定し、この点でのＧａ元素重量パーセント含有量ｎ１を測定する。
次に、ＥＤＳ装置を使用して、ガーネット構造粒子中のｒから粒子表面までの範囲内の任意の単位体積で第２点(この第２点は上記第１点と体積が同じである)を取って測定し、この点でのＧａ元素重量パーセント含有量ｎ２を測定し、かつｎ１／ｎ２＝ｎである。この測定方法では、既存のＥＤＳ装置を使用して測定し、測定する第１点および第２点の具体的な単位体積を考慮せず、測定する上記第１点と第２点の体積が同じであることを確保すればよい。具体的な測定は図１の粒子構造概略図を参照し、図２は粒子断面図である。
上記ガーネット構造のリン光剤では、Ｙ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｅ元素に加えて、必要に応じてガーネット構造のリン光剤でよく使用されている他の化学元素、例えばＬｕ、Ｓｃ、Ｔｂ、Ｆ等の元素を含んでもよく、リン光剤のガーネット構造を維持できれば、それに含まれるＹ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｅ元素の含有量および割合関係は上記の要件を満足すればよい。
当業者は、本発明の上記ガーネット構造のリン光剤の教示下で、当業者に周知の方法を合理的に選択して上記ガーネット構造のリン光剤を調製することができる。本発明では、上記ガーネット構造のリン光剤を調製するときの操作難しさを低減し、操作手順を簡素化し、プロセスコストを削減するために好ましい調製方法を提供し、この方法は、まずＹ、ＡｌまたはＡｌ／Ｇａ、Ｃｅの酸化物を原料として混合した後熱処理して中間体を得て、Ｇａ含有中間体またはＧａを含まない中間体を混合して二次焼成を行って、本発明の上記リン光剤を得ることを含む。
図３を参照すると、ガーネット構造のリン光剤の調製方法は、以下のステップを含む。
（１）Ｙ、ＡｌまたはＡｌ／Ｇａ、Ｃｅ元素を含有する酸化物、塩、フッ化物などを原料として秤量し、フラックスとともに乳鉢に入って均一に混合し、１２７０～１５００℃で熱処理して、初期原料Ａを取得し、
（２）Ｙ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｅの酸化物を原料として秤量し均一に混合した後、原料Ｂを取得し、
（３）初期原料Ａと異なる量の原料Ｂを簡単に混合し、後処理の後、フラックスを加えて均一に混合した後、還元雰囲気で１４００～１５００℃で１～５ｈの熱処理を行い、焼成が完了した後、後処理過程を経って、ガーネット構造のリン光剤を得る。
さらに、初期原料Ａと原料Ｂの重量比が０．５:１０～２０：１０であり、得られたガーネット構造のリン光剤の各元素重量パーセントはいずれも、３８．４７～４５．１９％のＹ元素、９．４９～２２．０９％のＡｌ元素、２．０６～２４．３１％のＧａ元素、２７．３～３２．０４％のＯ元素、０．４３～１．４６％のＣｅ元素である。
上記各原料の使用量はガーネット構造のリン光剤の各元素の重量パーセントに応じて秤量され、上記ステップによって調製されたガーネット構造のリン光剤は、粒子表面から質量中心の方向までの任意距離をｒとし、ｒ外とｒ内の任意の単位体積のＧａ元素の重量パーセント含有量の比率をｎとし、かつ０≦ｎ＜１である。
上記各原料の使用量はガーネット構造のリン光剤の各元素の重量パーセントに応じて秤量され、Ｙ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｅの酸化物はそれぞれ酸化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化セリウムである。
さらに、上記方法のステップでは、前記のフラックスはアルカリ金属ハロゲン化物／酸化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物／酸化物、炭酸塩、ホウ酸中の少なくとも１つである。
上記の調製方法によってガーネットリン光剤を合成することにより、リン光剤の輝度と安定性を向上させる同時に、上記調製方法では、フラックスの添加により、リン光剤の核形成と成長に寄与し、フラックスはアルカリ金属ハロゲン化物／酸化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物／酸化物、炭酸塩、ホウ酸中の少なくとも１つである。
本発明のガーネットリン光剤の品質をさらに向上させるために、このリン光剤の調製過程中、中間体および焼成後のリン光剤を後処理し、後処理は破砕、洗浄、および等級付け中の少なくとも１つを含む。上記後処理ステップでは、破砕により粒度１～１００ミクロン、例えば１ミクロン、１０ミクロン、５０ミクロン、１００ミクロンなどの粒子を形成し得る。洗浄の過程中、水洗浄や弱酸洗浄などにより、１～５回洗浄、例えば１回、２回、３回、５回などの回数で水洗浄してもよい。
以下、具体的な実施例により本発明のガーネットリン光剤の発光効率を説明し、さらに本発明の有益な効果を説明する。
試験方法は、以下を含む。
ＥＤＳ検出：ＥＤＳ装置を使用し、試験条件は、１５ｋＶの加速電圧、７０μＡの検出電流である。相対輝度測定：分光光度計で本発明の比較例１～４と実施例１～２４のガーネットグリーンリン光剤の相対輝度およびピーク波長を試験し、励起波長を４６０ｎｍに設定する。
比較例１
Ｇａガーネットリン光剤中のＹ、Ａｌ、Ｇａ、Ｏ、Ｃｅ元素の質量パーセント３８．４７％、９．４８％、２４．３１％、２７．３１％、０．４３％でそれぞれ原料を秤量し、ＢａＦ２フラックスを加えて混合し、１４５０℃温度で３時間維持し、温度が１００℃に低下すると取り出し、後処理して５１７ｎｍ波長帯域のリン光剤を取得し、このリン光剤の相対輝度を１００として定義する。
実施例３
１６．６４ｇのＹ２Ｏ３、１３．４２ｇのＡｌ２Ｏ３、０．１８ｇのＣｅＯ２を正確に秤量し、ＢａＦ２フラックスとともに混合した後、１３００℃で熱処理し、初期原料Ａを取得し、２８．７４ｇのＹ２Ｏ３、９．２７ｇのＡｌ２Ｏ３、２１．３ｇのＧａ２Ｏ３、０．３１ｇのＣｅＯ２を正確に秤量し、均一に混合した後原料Ｂを取得し、原料Ａと原料Ｂを３:１０で混合し、ＢａＦ２フラックスを加え、還元雰囲気（Ｎ２:Ｈ２＝５０:１）で１４５０℃で１時間熱処理し、温度が１００℃以下まで低下すると取り出し、破砕、不純物除去、乾燥処理した後、所要のガーネット構造のリン光剤を取得し、得られたリン光剤構造中のＹ、Ａｌ、Ｇａ、Ｏ、Ｃｅ元素の質量とリン光剤質量パーセント、Ｒ、ｒ、ｎピーク波長、相対輝度を表１に示している。
比較例２
Ｇａガーネットリン光剤中のＹ、Ａｌ、Ｇａ、Ｏ、Ｃｅ元素の質量パーセント４０．７２％、１１．３３％、１９．０３％、２７．８５％、１．０７％でそれぞれ原料を秤量し、ＢａＦ２フラックスを加えて混合し、１４７０℃で３時間維持し、温度が１００℃に低下すると取り出し、後処理した後５２２ｎｍ波長帯域のリン光剤を取得し、このリン光剤の相対輝度を１０９として定義する。
実施例７
１７．８３ｇのＹ２Ｏ３、１３．４２ｇのＡｌ２Ｏ３、０．４５ｇのＣｅＯ２を正確に秤量し、ＢａＦ２フラックスを加えて混合した後、１３５０℃で熱処理して、初期原料Ａを取得し、３０．７９ｇのＹ２Ｏ３、１１．５９ｇのＡｌ２Ｏ３、１７．０４ｇＧａ２Ｏ３、０．７８ｇのＣｅＯ２を正確に秤量し、均一に混合した後原料Ｂを取得し、原料Ａと原料Ｂを１:１０で混合し、ＢａＦ２フラックスを加え、還元雰囲気（Ｎ２:Ｈ２＝５０:１）で１４７０℃で１時間熱処理し、温度が１００℃以下に低下すると、取り出して、破砕、不純物除去、乾燥処理して所要のガーネット構造のリン光剤を取得し、得られたリン光剤構造中のＹ、Ａｌ、Ｇａ、Ｏ、Ｃｅ元素の質量とリン光剤質量パーセント、Ｒ、ｒ、ｎピーク波長、相対輝度を表１に示している。
比較例３
Ｇａガーネットリン光剤中のＹ、Ａｌ、Ｇａ、Ｏ、Ｃｅ元素の質量パーセント４０．７２％、１１．３３％、１９．０３％、２７．８５％、１．０７％でそれぞれ原料を秤量し、ＢａＦ２フラックスを加えて混合し、１５００℃で３時間維持し、温度が１００℃に低下すると取り出し、後処理して５５０ｎｍ波長帯域のリン光剤を取得し、このリン光剤の相対輝度を１２０として定義する。
実施例１３
１９．０２ｇのＹ２Ｏ３、１４．７６ｇのＡｌ２Ｏ３、０．６３ｇのＣｅＯ２を正確に秤量し、ＢａＦ２フラックスと混合した後、１４５０℃で熱処理して、初期原料Ａを取得し、３２．８４ｇのＹ２Ｏ３、２５．４９ｇのＡｌ２Ｏ３、２．５６ｇＧａ２Ｏ３、１．１０ｇのＣｅＯ２を正確に秤量し、均一に混合した後原料Ｂを取得し、原料Ａと原料Ｂを１:２で混合し、ＢａＦ２、Ｂ２Ｏ３フラックスを加えた後、還元雰囲気（Ｎ２:Ｈ２＝５０:１）で１５００℃で５時間熱処理し、温度が１００℃以下に低下すると、取り出して、破砕、不純物除去、乾燥処理した後所要のガーネット構造のリン光剤を取得し、得られたリン光剤構造中のＹ、Ａｌ、Ｇａ、Ｏ、Ｃｅ元素の質量とリン光剤質量パーセント、Ｒ、ｒ、ｎピーク波長、相対輝度を表１に示している。
比較例４
Ｇａガーネットリン光剤中のＹ、Ａｌ、Ｇａ、Ｏ、Ｃｅ元素の質量パーセント３９．５０％、１６．２７％、１３．２３％、２９．９１％、１．０９％でそれぞれ原料を秤量し、ＢａＦ２フラックスを加えて混合し、１５００℃で３時間維持し、温度が１００℃に低下すると取り出し、後処理して５３３ｎｍ波長帯域のリン光剤を取得し、このリン光剤の相対輝度を１１８として定義する。
実施例１６
１６．６４ｇのＹ２Ｏ３、１４．７６ｇのＡｌ２Ｏ３、０．４５ｇのＣｅＯ２を正確に秤量し、ＢａＦ２フラックスと混合した後、１３５０℃で熱処理して、初期原料Ａを取得し、２９．５６ｇのＹ２Ｏ３、１５．７６ｇのＡｌ２Ｏ３、１３．６３ｇＧａ２Ｏ３、０．７８ｇのＣｅＯ２を正確に秤量し、均一に混合した後原料Ｂを取得し、原料Ａと原料Ｂを１:２で混合し、ＢａＦ２、ＹＦ３フラックスを加えた後、還元雰囲気（Ｎ２:Ｈ２＝５０:１）で１５００℃で２時間熱処理し、温度が１００℃以下に低下すると、取り出して、破砕、不純物除去、乾燥処理した後所要のガーネット構造のリン光剤を取得し、得られたリン光剤構造中のＹ、Ａｌ、Ｇａ、Ｏ、Ｃｅ元素の質量とリン光剤質量パーセント、Ｒ、ｒ、ｎピーク波長、相対輝度を表１に示している。
実施例２２
１６．６４ｇのＹ２Ｏ３、１２．０７ｇのＡｌ２Ｏ３、１．９７ｇＧａ２Ｏ３、０．４５ｇのＣｅＯ２を正確に秤量し、ＢａＦ２フラックスと混合した後、１５００℃で熱処理して、初期原料Ａを取得し、２８．７４ｇＹ２Ｏ３、１６．６８ｇのＡｌ２Ｏ３、１１．９３ｇＧａ２Ｏ３、０．６３ｇのＣｅＯ２を正確に秤量し、均一に混合した後原料Ｂを取得し、原料Ａと原料Ｂを１:５で混合し、ＢａＦ２、ＹＦ３フラックスを加え、還元雰囲気（Ｎ２:Ｈ２＝５０:１）で１５００℃で２時間熱処理し、温度が１００℃以下低下すると、取り出して、破砕、不純物除去、乾燥処理した後所要のガーネット構造のリン光剤を取得し、得られたリン光剤構造中のＹ、Ａｌ、Ｇａ、Ｏ、Ｃｅ元素の質量とリン光剤質量パーセント、Ｒ、ｒ、ｎピーク波長、相対輝度を表１に示している。
実施例１～２４
以上代表的な実施例を説明したが、他の実施例の調製方法は上記の方法と同様であり、各実施例中の目標化合物の化学式組成に従い、適切量の化合物を選択して混合および研磨し、適切な焼成条件を選択して、所要のガーネット構造のリン光剤を得、測定された質量パーセントと発光色のデータを表１に示している。
表１ 実施例１～２４のリン光剤の元素の質量パーセント、Ｒ、ｒ、ｎ、ピーク波長、相対輝度
以下、本発明の装置の具体的な実施形態を説明する。
比較例５
本実施例は、青色ＬＥＤチップを放射源として使用し、比較例４のリン光剤とＣａＡｌＳｉＮ３:Ｅｕを質量比９４:４．５で均一に混合した後、リン光剤をシリコンゴム(屈折率１．４１、透過率９９％)に均一に分散させ、チップと光変換膜を組み合わせ、回路を溶接して封止した後白色発光装置を取得する。
実施例２６～３２は、比較例５と同様の青色ＬＥＤチップを放射源として使用し、それぞれ本発明の実施例１４～１７、実施例１９、実施例２２～２４のリン光剤とＣａＡｌＳｉＮ３:Ｅｕを同様に質量比９４:４．５で均一に混合し、シリコンゴムに分散した後白色発光装置にパッケージされる。
比較例５と実施例２５～３２のデバイス発光色データを表２に示している。
表２から分かるように、本発明を用いた比較例４、実施例１４～１７、実施例１９、実施例２２～２４のリン光剤中のガーネットリン光剤は他のリン光剤と併せて白色発光装置を作製し、ｒ値が増加するとその光効率が向上し、カラーレンダリング指数Ｒａが増加する傾向がある。ｎが大きくなると、光効率が低下する。しかしながら、本発明の保護範囲内のガーネットリン光剤は、実際の用途において他のリン光剤と組み合わせて作製された発光装置は高い光効率の特徴を有する。
実施例３３
実施例１４中のリン光剤、ＣａＡｌＳｉＮ３:Ｅｕと低温ガラス粉末を質量比１:０．０５:１０で混合し、ガラス粉末組成はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３およびアルカリ金属酸化物（Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）または２価金属酸化物（ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ）であり、低温共融の後ガラスマトリックスを得て、薄くし研磨して、スライスした後サイズ２．８×３．５×０．１５ｍｍの蛍光ガラスシートを得、このガラスシートと青色ＬＥＤチップとともにパッケージした後発光装置を得、この発光装置の色座標は（０．３１３２、０．３５５５）であり、色温は６３００Ｋであり、カラーレンダリング指数Ｒａは８２である。
本実施例の装置は、供給電流が１Ａのとき１０００℃で点灯およびエージングした後光減衰が５％であるが、実施例２５～３２の装置は同じ電流でエージングした後光減衰が１５～２０％に達し、これは、ガラス状態下の蛍光変換層は高出力密度の光源によりよく適用できることを示す。
理解できるように、本発明の上記の具体的な実施形態は、本発明の原理を例示的に説明または解釈するために使用され、本発明を制限するものではない。したがって、本発明の精神および範囲を逸脱しないかぎりなされた変更、同等置換、改善などは、すべて本発明の保護範囲内に含まれるべきである。さらに、本発明の添付の特許請求の範囲は、添付の特許請求の範囲および境界、またはこれらの範囲および境界と同等の変更や修正のすべてを網羅することを意図している。

Claims (9)

  1. 重量パーセントで、３８．４７～４５．１９％のＹ元素、９．４９～２２．０９％のＡｌ元素、２．０６～２４．３１％のＧａ元素、２７．３～３２．０４％のＯ元素、０．４３～１．４６％のＣｅ元素を含み、粒子の一方側表面から粒子の質量中心を通って反対側の表面までの最短距離をＲとして定義すると、５μｍ≦Ｒ≦４０μｍであり、
    粒子表面から質量中心の方向への任意距離をｒとすると、

    粒子表面から質量中心の方向への距離がｒ以下である空間をｒ内として定義し、粒子表面から質量中心の方向への距離がｒよりも大きい空間をｒ外として定義し、
    前記ｒ内と前記ｒ外は、重量パーセントで、それぞれ異なるＧａ元素の含有量を含み、前記ｒ外の単位体積のＧａ元素の重量パーセント含有量をｎ１とし、前記ｒ内の単位体積のＧａ元素の重量パーセント含有量をｎ２とし、ｎ１／ｎ２＝ｎとすると、０≦ｎ＜１である、ことを特徴とするガーネット構造のリン光剤 。
  2. 前記リン光剤は、重量パーセントで、４０．６～４５．２％のＹ元素、１０．９～２１．９％のＡｌ元素、２．２～１９．８％のＧａ元素、２７．７～３２％のＯ元素、０．６７～１．２％のＣｅ元素を含む、ことを特徴とする請求項１に記載のガーネット構造のリン光剤。
  3. 前記リン光剤は、１０μｍ≦Ｒ≦３０μｍである、ことを特徴とする請求項１に記載のガーネット構造のリン光剤。
  4. 前記ｒの値の範囲は、

    ことを特徴とする請求項３に記載のガーネット構造のリン光剤。
  5. 前記ｎの値の範囲は、０≦ｎ≦０．５である、ことを特徴とする請求項４に記載のガーネット構造のリン光剤。
  6. 青色光により励起されたときのピーク波長は、５１５ｎｍ～５５０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１に記載のガーネット構造のリン光剤。
  7. 請求項１～６のいずれか１項に記載のガーネット構造のリン光剤を含む、ことを特徴とする発光装置。
  8. (Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)ＡｌＳｉＮ３:Ｅｕ、(Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)２ＳｉＯ４:Ｅｕ、(Ｃａ、Ｓｒ)３ＳｉＯ５:Ｅｕ、ＺｎＳ:Ｃｕ、ＺｎＳ:Ａｇ、(Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ)３ＺｒＦ７:Ｍｎ、(Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ)２(Ｔｉ、Ｚｒ)Ｆ６:Ｍｎ、(Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ)２(Ｓｉ、Ｇｅ)Ｆ６:Ｍｎ、(Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)(Ｔｉ、Ｚｒ)Ｆ６:Ｍｎ、(Ｓｒ、Ｃａ)Ｓ:Ｅｕ、Ｙ２Ｏ３:Ｅｕ、(Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ)５(ＰＯ４)３Ｃｌ:Ｅｕ、(Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)ＭｇＡｌ１０Ｏ７:Ｅｕ、(Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ)Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２:Ｅｕ中の１つまたは複数を含む他のリン光剤をさらに含む、ことを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
  9. 前記リン光剤は、膜、ガラスまたはセラミックの形態で存在し、または膜、ガラスおよびセラミックの混合形態で存在する、ことを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
JP2022073662A 2021-06-29 2022-04-27 ガーネット構造のリン光剤およびこのリン光剤を含む発光装置 Active JP7459165B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110725551.4A CN113416544B (zh) 2021-06-29 2021-06-29 一种石榴石结构荧光粉及包含该荧光粉的发光装置
CN202110725551.4 2021-06-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023007401A JP2023007401A (ja) 2023-01-18
JP7459165B2 true JP7459165B2 (ja) 2024-04-01

Family

ID=77717787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022073662A Active JP7459165B2 (ja) 2021-06-29 2022-04-27 ガーネット構造のリン光剤およびこのリン光剤を含む発光装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11932793B2 (ja)
JP (1) JP7459165B2 (ja)
KR (1) KR20230002035A (ja)
CN (1) CN113416544B (ja)
TW (1) TWI836463B (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013001879A (ja) 2011-06-21 2013-01-07 Nippon Electric Glass Co Ltd 蛍光体複合部材の製造方法
JP2013056999A (ja) 2011-09-08 2013-03-28 Covalent Materials Corp セラミックス複合体

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3469425B2 (ja) * 1996-03-15 2003-11-25 株式会社東芝 蛍光体およびその製造方法
CN1153825C (zh) * 2002-02-27 2004-06-16 北京大学 铈激活的钇铝石榴石白光粉的制备方法
US9617469B2 (en) * 2011-01-06 2017-04-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor particles, making method, and light-emitting diode
CN103275705B (zh) * 2013-06-21 2017-08-25 北京有色金属研究总院 荧光粉、其制备方法及包括其的发光装置
CN103805196B (zh) * 2014-02-27 2016-09-28 昆山开威电子有限公司 一种基于Ce:YAG晶片的复合结构及制作方法
CN105567236B (zh) * 2014-10-15 2018-07-20 有研稀土新材料股份有限公司 石榴石型荧光粉和制备方法及包含该荧光粉的装置
JP6555111B2 (ja) * 2015-12-09 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 ハイブリッド蛍光体の製造方法及びハイブリッド蛍光体
CN106929017B (zh) * 2015-12-31 2019-08-13 有研稀土新材料股份有限公司 石榴石型结构的荧光粉及其制成的发光装置
JP6870707B2 (ja) * 2019-07-11 2021-05-12 日亜化学工業株式会社 ハイブリッド蛍光体の製造方法及びハイブリッド蛍光体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013001879A (ja) 2011-06-21 2013-01-07 Nippon Electric Glass Co Ltd 蛍光体複合部材の製造方法
JP2013056999A (ja) 2011-09-08 2013-03-28 Covalent Materials Corp セラミックス複合体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023007401A (ja) 2023-01-18
CN113416544B (zh) 2022-05-10
KR20230002035A (ko) 2023-01-05
TWI836463B (zh) 2024-03-21
CN113416544A (zh) 2021-09-21
US11932793B2 (en) 2024-03-19
TW202300630A (zh) 2023-01-01
US20220411694A1 (en) 2022-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20200291294A1 (en) Phosphor, Method for Producing a Phosphor and Use of a Phosphor
KR100632144B1 (ko) 신규한 실리케이트계 옐로우-그린 형광체
KR100811054B1 (ko) 실리케이트계 그린 형광체
JP6101700B2 (ja) Ｌｅｄ赤色蛍光体及び該蛍光体を含有する発光デバイス
KR20080009198A (ko) 형광체, 형광체 시트 및 그 제조 방법, 및 상기 형광체를이용한 발광 장치
CN103881706B (zh) 一种氮氧化物荧光粉、其制备方法及含该荧光粉的发光装置
TW201140891A (en) Warelength converting member, optical elemant and manufacturing method for wavelength converting member
JP6718991B2 (ja) 窒化ルテチウム蛍光粉末、及びその蛍光粉末を有する発光装置
JP2019521218A (ja) 蛍光粉末、製造方法及びその蛍光粉末を有する発光装置
CN103045267B (zh) 一种氮化物荧光粉、其制备方法及含该荧光粉的发光装置
JP6833683B2 (ja) 蛍光体およびその製造方法、ならびにｌｅｄランプ
CN107502354B (zh) 一种暖白光led用荧光粉及其制备方法
WO2016127843A1 (zh) 固体光源用荧光材料、其制造方法及包含该荧光材料的组合物
JP4904694B2 (ja) 酸化物蛍光体、並びにそれを用いた発光素子、画像表示装置、及び照明装置
CN110240900B (zh) 一种Eu2+掺杂的窄带绿色发光材料、制备方法及照明与显示光源
JP5749743B2 (ja) ホウ珪酸塩発光材料及びその製造方法
JP7459165B2 (ja) ガーネット構造のリン光剤およびこのリン光剤を含む発光装置
CN102936497B (zh) 一种发射主峰变化可调的荧光材料及其制备方法
CN102329614B (zh) Led 荧光粉的制备方法
CN116410745B (zh) 一种荧光粉材料
CN115232617A (zh) 一种发光材料以及包含该发光材料的发光装置
CN116814260A (zh) 一种锗锆酸镁钙荧光粉及其制备方法
JP2022117394A (ja) 蛍光体、蛍光部材および発光モジュール
CN117186884A (zh) 红色荧光材料、其制备方法及应用

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220427

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230428

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230509

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230803

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230822

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20231121

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20240117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240209

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240227

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240319

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7459165

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150