JP7451905B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulted Gate Bipolar Transistor）、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）等の半導体チップを含んでいる。このような半導体装置は、例えば、電力変換装置として利用されている。このような半導体装置は、絶縁板と絶縁板のおもて面に形成された複数の導電板とを有する基板を備えている。また、導電板上に半導体チップ及び外部接続端子が配置されており、外部接続端子から印加された信号が導電板を経由して半導体チップに入力される。また、外部接続端子からは主電流も入出力され、導電板を経由して半導体チップでスイッチングされる。外部接続端子を導電板に取り付ける際には、導電板にはんだにより接合された筒状のコンタクト部品が用いられる。外部接続端子をコンタクト部品に嵌合して、外部接続端子がコンタクト部品を経由して導電板に電気的に接続される。そして、外装ケースの上蓋板の挿通孔に外部接続端子を挿通して、外装ケースが基板に取り付けられる（例えば、特許文献１参照）。
このようにして外装ケースの上蓋板の挿通孔から突出した外部接続端子に対してさらにプリント回路基板が取り付けられる。外部接続端子とプリント回路基板とが電気的に接続される。このため、外部接続端子は基板に対して垂直であることが必要となる。
特開２０１４－１８７１７９号公報
しかし、コンタクト部品が何らかの理由によりわずかに傾いていると、コンタクト部品に嵌合される外部接続端子も基板に対して傾いて取り付けられる。このように傾いた外部接続端子が外装ケースの上蓋板の挿通孔を挿通して突出しても、外部接続端子は傾いているために、プリント回路基板の適切な位置に取り付けることができない。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、外部接続端子を垂直に保つことができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一観点によれば、半導体チップと、前記半導体チップがおもて面に設けられた導電板と前記導電板がおもて面に形成された絶縁板とを有する基板と、前記導電板上に接合部材を介して設けられた筒状のコンタクト部品と、前記コンタクト部品に下端部が嵌合された、棒状の外部接続端子と、前記基板の主面に対向する裏面の入口と前記裏面の反対側のおもて面の、前記入口に対向する出口とを貫通する挿通孔を有し、前記外部接続端子が前記挿通孔に挿通された、平板状の上蓋板と、を有し、前記外部接続端子の側面の前記挿通孔に重なる交差領域または前記挿通孔の内壁面の少なくともいずれか一方に、前記入口から前記出口に向けて前記外部接続端子の中心側に傾斜した傾斜面を備え、前記傾斜面を備える案内部が前記交差領域に設けられており、前記上蓋板の前記挿通孔に挿通された前記外部接続端子と前記挿通孔との摩擦力は、前記コンタクト部品の前記外部接続端子に対する嵌合力よりも小さい、半導体装置が提供される。
また、このような半導体装置を製造する半導体装置の製造方法が提供される。
開示の技術によれば、外部接続端子の垂直に保つことができ、組み立て性の低下を抑制することができる。
第１の実施の形態の半導体装置の断面図である。 第１の実施の形態のセラミック回路基板を説明するための図である。 第１の実施の形態のコンタクト部品を説明するための図である。 第１の実施の形態の外部接続端子を説明するための図である。 第１の実施の形態の半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。 第１の実施の形態のセラミック回路基板に対するケースの取り付け工程を説明するための図（その１）である。 第１の実施の形態のセラミック回路基板に対するケースの取り付け工程を説明するための図（その２）である。 第１の実施の形態のセラミック回路基板に対するケースの取り付け工程を説明するための図（その３）である。 第１の実施の形態の別の外部接続端子を説明するための図（その１）である。 第１の実施の形態の別の外部接続端子を説明するための図（その２）である。 第２の実施の形態の半導体装置の断面図である。 第２の実施の形態のセラミック回路基板に対するケースの取り付け工程を説明するための図（その１）である。 第２の実施の形態のセラミック回路基板に対するケースの取り付け工程を説明するための図（その２）である。 第３の実施の形態の半導体装置の断面図である。 第３の実施の形態のセラミック回路基板に対するケースの取り付け工程を説明するための図（その１）である。 第３の実施の形態のセラミック回路基板に対するケースの取り付け工程を説明するための図（その２）である。
以下、図面を参照して、実施の形態について説明する。なお、以下の説明において、「おもて面」及び「上面」とは、図１の半導体装置１０において、上側を向いた面を表す。同様に、「上」とは、図１の半導体装置１０において、上側の方向を表す。「裏面」及び「下面」とは、図１の半導体装置１０において、下側を向いた面を表す。同様に、「下」とは、図１の半導体装置１０において、下側の方向を表す。必要に応じて他の図面でも同様の方向性を意味する。「おもて面」、「上面」、「上」、「裏面」、「下面」、「下」、「側面」は、相対的な位置関係を特定する便宜的な表現に過ぎず、本発明の技術的思想を限定するものではない。例えば、「上」及び「下」は、必ずしも地面に対する鉛直方向を意味しない。つまり、「上」及び「下」の方向は、重力方向に限定されない。
［第１の実施の形態］
第１の実施の形態の半導体装置について、図１～図４を用いて説明する。図１は、第１の実施の形態の半導体装置の断面図である。また、図２は、第１の実施の形態のセラミック回路基板を説明するための図であり、図３は、第１の実施の形態のコンタクト部品を説明するための図であり、図４は、第１の実施の形態の外部接続端子を説明するための図である。なお、図２（Ａ）は、セラミック回路基板１４の平面図、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）における一点鎖線Ｘ－Ｘにおける断面図をそれぞれ表している。図３（Ａ）は、コンタクト部品１７の平面図、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）における一点鎖線Ｘ－Ｘにおける断面図をそれぞれ表している。図４（Ａ）は、外部接続端子１９の正面図、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）における一点鎖線Ｘ－Ｘにおける断面図をそれぞれ表している。
半導体装置１０は、図１に示されるように、セラミック回路基板１４と、セラミック回路基板１４上に配置された半導体チップ１５及びコンタクト部品１７とを有している。また、半導体装置１０は、これらの部品を収納する外装ケース２０を有している。また、半導体装置１０は、外部接続端子１９を有している。外部接続端子１９は、コンタクト部品１７に下端部が圧入され、外装ケース２０から上端部側の一部が延出されている。さらに、半導体装置１０は、外装ケース２０から延出されている外部接続端子１９に取り付けられるプリント回路基板５０を有している。
セラミック回路基板１４は、板状であり、半導体装置１０内側に面するおもて面と半導体装置１０外側に面する裏面とが主面である。また、セラミック回路基板１４は、絶縁板１１と絶縁板１１の裏面に形成された放熱板１２と絶縁板１１のおもて面に形成された導電板１３とを有している。半導体チップ１５が導電板１３上にはんだ１６を介して接合されている。また、コンタクト部品１７が導電板１３上にはんだ１６を介して接合されている。このようなセラミック回路基板１４の導電板１３及び半導体チップ１５のおもて面の電極、導電板１３間、及び半導体チップ１５のおもて面の電極間がボンディングワイヤ１８等の配線部材で電気的に接続されている。そのため、半導体チップ１５とコンタクト部品１７とは、ボンディングワイヤ１８及び導電板１３等を介して電気的に接続されている。
このようなセラミック回路基板１４は、図２に示されるように、絶縁板１１と絶縁板１１の裏面に形成された放熱板１２と絶縁板１１のおもて面に形成された導電板１３とを有している。絶縁板１１は、熱伝導性に優れた、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素等の高熱伝導性のセラミックスにより構成されている。放熱板１２は、熱伝導性に優れたアルミニウム、鉄、銀、銅、または、少なくともこれらの一種を含む合金等の金属により構成されている。導電板１３は、導電性に優れた銅あるいは銅合金等の金属により構成されている。なお、導電板１３の数及び形状は一例であり、別の枚数及び形状であってもよい。また、導電板１３に破線で描かれた円はコンタクト部品１７の配置位置を示している。導電板１３に破線で描かれた矩形は半導体チップ１５の配置位置を示している。このようなコンタクト部品１７及び半導体チップ１５の配置位置は一例であって、この場合に限らない。このような構成を有するセラミック回路基板１４として、例えば、ＤＣＢ（Direct Copper Bonding）基板、ＡＭＢ（Active Metal Brazed）基板を用いることができる。
また、セラミック回路基板１４の裏面には、図示を省略するものの、はんだまたは銀ろう等を介してベース板を設けてもよい。このベース板は、熱伝導性に優れた、例えば、アルミニウム、鉄、銀、銅、または、少なくともこれらの一種を含む合金により構成されている。また、耐食性を向上させるために、例えば、ニッケル等の材料をめっき処理等によりベース板の表面に形成してもよい。また、放熱板１２の裏面側に冷却器（図示を省略）を取り付けて放熱性を向上させることも可能である。この冷却器は、例えば、熱伝導性に優れたアルミニウム、鉄、銀、銅、または、少なくともこれらの一種を含む合金等により構成されている。また、冷却器として、フィン、または、複数のフィンから構成されるヒートシンク並びに水冷による冷却装置等を適用してもよい。また、ベース板は、このような冷却器と一体的に構成されてもよい。その場合は、熱伝導性に優れたアルミニウム、鉄、銀、銅、または、少なくともこれらの一種を含む合金により構成される。そして、耐食性を向上させるために、例えば、ニッケル等の材料をめっき処理等により冷却器と一体化されたベース板の表面に形成してもよい。
半導体チップ１５は、シリコンまたは炭化シリコンから構成される、例えば、ＩＧＢＴ、パワーＭＯＳＦＥＴ等のスイッチング素子を含んでいる。このような半導体チップ１５は、例えば、裏面に主電極としてドレイン電極（または、コレクタ電極）を、おもて面に、主電極としてゲート電極及びソース電極（または、エミッタ電極）をそれぞれ備えている。また、半導体チップ１５は、必要に応じて、ＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）、ＦＷＤ（Free Wheeling Diode）等のダイオードを含んでいる。このような半導体チップ１５は、裏面に主電極としてカソード電極を、おもて面に主電極としてアノード電極をそれぞれ備えている。なお、必要に応じて、半導体チップ１５に加えて、電子部品を設置してもよい。なお、電子部品は、例えば、抵抗、サーミスタ、コンデンサ、サージアブソーバ等である。
コンタクト部品１７は、図３に示されるように、内部に円筒状の貫通孔１７ｂが形成された胴体部１７ａと胴体部１７ａの開口端部１７ｂ１，１７ｂ２にそれぞれ設けられたフランジ１７ｃ１，１７ｃ２とを備えている。また、ここでは、２つの開口端部１７ｂ１，１７ｂ２の両方にフランジ１７ｃ１，１７ｃ２を形成した例を示したが、片方にのみ形成されていてもよい。このようなコンタクト部品１７は、導電性に優れたアルミニウム、鉄、銀、銅、または、少なくともこれらの一種を含む合金により構成されている。また、耐食性を向上させるために、例えば、ニッケルや金等の金属をめっき処理等によりコンタクト部品１７の表面に形成してもよい。具体的には、ニッケルや金の他に、ニッケル－リン合金や、ニッケル－ボロン合金等がある。さらに、ニッケル－リン合金上に金を積層してもよい。なお、このような構成のコンタクト部品１７において、貫通孔１７ｂの開口端部１７ｂ１，１７ｂ２における内径Ｄは、好ましくは、０．３ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下であり、より好ましくは、０．６ｍｍ以上、２．５ｍｍ以下である。また、コンタクト部品１７の高さは、好ましくは、１．０ｍｍ以上、７．０ｍｍ以下であり、より好ましくは、２．０ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下である。
ボンディングワイヤ１８は、導電性に優れたアルミニウム、銅等の金属、または、少なくともこれらの一種を含む合金等により構成されている。なお、半導体装置１０のボンディングワイヤ１８では、銅または銅合金により構成されている。また、この径は、１００μｍ以上、１ｍｍ以下であることが好ましい。
外部接続端子１９は、図４に示されるように、胴体部１９ａと、胴体部１９ａの両端部から離れた位置に形成された案内部１９ｄと、胴体部１９ａの両端部にそれぞれ形成された、テーパ状の先端部１９ｂ，１９ｃとを有している。特に、胴体部１９ａは、四方が側面１９ａ１で構成された角柱状であって、その断面は、正方形を成している。さらに、その四隅は、Ｃ面取りやＲ面取りされていてもよい。また、外部接続端子１９の断面の側面１９ａ１の一辺の長さＬは、０．５ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下であり、対角線の長さは、０．８ｍｍ以上、２．７ｍｍ以下である。すなわち、コンタクト部品１７の内径Ｄよりもやや長くなっている。また、外部接続端子１９の側面１９ａ１の交差領域Ｃに案内部１９ｄがそれぞれ取り付けられている。交差領域Ｃは、外部接続端子１９が外装ケース２０の上蓋板２２の挿通孔２２ａに取り付けられた際に挿通孔２２ａと重なる側面１９ａ１の領域である。案内部１９ｄは、傾斜面１９ｄ１と外面１９ｄ２とを備えるくさび型状を成している。傾斜面１９ｄ１は、外部接続端子１９が上蓋板２２の挿通孔２２ａに挿通されている際に（図１参照）、挿通孔２２ａの入口２２ｂから出口２２ｃに向けて外部接続端子１９の中心側に傾斜している。そのため、傾斜面１９ｄ１は、外部接続端子１９が上蓋板２２の挿通孔２２ａに挿通されている際に（図１参照）、外部接続端子１９の挿通孔２２ａに対する挿通方向に対して外部接続端子１９側に傾斜している。外面１９ｄ２は、外部接続端子１９の当該挿通方向に平行に成している。胴体部１９ａと案内部１９ｄと先端部１９ｂ，１９ｃとは、一体的に形成されていてよい。このような外部接続端子１９は、棒状の部材をプレス成形することにより、形成することができる。また、外部接続端子１９は、導電性に優れたアルミニウム、鉄、銀、銅、または、少なくともこれらの一種を含む合金により構成されている。また、外部接続端子１９もまた、耐食性を向上させるために、例えば、ニッケルや錫等の金属をめっき処理等により表面に形成してもよい。
外装ケース２０は、セラミック回路基板１４のおもて面、半導体チップ１５、コンタクト部品１７、及び外部接続端子１９の下端部を収納する。外装ケース２０は、側壁２１と上蓋板２２とを有している。側壁２１は、平面視で、セラミック回路基板１４の外囲を取り囲む箱型を成している。側壁２１の裏面はセラミック回路基板１４の周縁部に対して接着剤（図示を省略）を介して取り付けられる。上蓋板２２は、平板状であって、側壁２１に対して、側壁２１の開口部を覆うように設けられている。上蓋板２２は、セラミック回路基板１４の主面に対して水平に対向して配置されている。また、上蓋板２２は、外装ケース２０がセラミック回路基板１４に対して設けられた際に、平面視で外部接続端子１９に対応する位置に挿通孔２２ａが形成されている。さらに、平面視でコンタクト部品１７に対応する位置に挿通孔２２ａが形成されている。挿通孔２２ａは、上蓋板２２の裏面の入口２２ｂと裏面の反対側のおもて面の、入口２２ｂに対向する出口２２ｃとを貫通している。このようにして構成される挿通孔２２ａを外部接続端子１９が挿通する。なお、第１の実施の形態では、入口２２ｂ及び出口２２ｃの径は同一であって、例えば、１．０ｍｍ以上、３．０ｍｍ以下である。このようにして上蓋板２２の挿通孔２２ａに挿通された外部接続端子１９は、挿通孔２２ａの内壁面２２ｄと接することができる。外部接続端子１９と挿通孔２２ａの内壁面２２ｄとの摩擦力は、コンタクト部品１７の外部接続端子１９に対する嵌合力よりも小さい。外装ケース２０の側壁２１と上蓋板２２とは一体に形成されていてよい。外装ケース２０は、熱可塑性樹脂により構成されている。熱可塑性樹脂は、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂、ポリブチレンサクシネート（ＰＢＳ）樹脂、ポリアミド（ＰＡ）樹脂、または、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）樹脂等である。また、外装ケース２０内には、図示を省略するものの、封止樹脂により封止されていることが好ましい。封止部材は、例えば、シリコーンゲルであってよい。また、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、マレイミド樹脂等の熱硬化性樹脂と熱硬化性樹脂に含有される充填材とを含んでいる。
また、プリント回路基板５０は、外部接続端子１９が嵌合される嵌合孔が形成されており、絶縁板と当該絶縁板のおもて面に形成された回路パターンとを有している。プリント回路基板５０では、外部接続端子１９が嵌合されると回路パターンに電気的に接続される。このようなプリント回路基板５０は、制御電流及び入出力用の主電流が外部接続端子１９を介して導通する。また、プリント回路基板５０には、必要に応じて、制御ＩＣ（Integrated Circuit）等が実装され制御回路が形成されていてもよい。制御ＩＣに代えて、または、制御ＩＣと共に、抵抗、サーミスタ、コンデンサ、サージアブソーバ等の電子部品が実装されていてもよい。
次に、このような半導体装置１０の製造方法の一例について、図５を用いて説明する。図５は、第１の実施の形態の半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。なお、以下で説明する図５に示す工程は、人為的、機械的またはそれらの両方を用いて実行することができる。
［ステップＳ１０］ セラミック回路基板１４、半導体チップ１５、コンタクト部品１７、外部接続端子１９等の半導体装置１０の構成部品を準備する。
［ステップＳ１１］ セラミック回路基板１４の導電板１３の所定位置にはんだ１６を介してコンタクト部品１７を接合する。また、この際、導電板１３の所定位置にはんだ１６を介して半導体チップ１５を接合する。なお、はんだ１６は、例えば、錫－銀－銅からなる合金、錫－亜鉛－ビスマスからなる合金、錫－銅からなる合金、錫－銀－インジウム－ビスマスからなる合金のうち少なくともいずれかの合金を主成分とする鉛フリーはんだにより構成される。さらに、ニッケル、ゲルマニウム、コバルトまたはシリコン等の添加物が含まれてもよい。
［ステップＳ１２］ ステップＳ１１でセラミック回路基板１４上に接合したコンタクト部品１７に、外部接続端子１９を上方（セラミック回路基板１４の半導体装置１０内側のおもて面側）から差し込み、外部接続端子１９の下端部をコンタクト部品１７に圧入して取り付ける。なお、その際、外部接続端子１９の下端部と、セラミック回路基板１４及びはんだ１６との間に、空隙があることが好ましい。
［ステップＳ１３］ このようにして外部接続端子１９がコンタクト部品１７に圧入されたセラミック回路基板１４において、ボンディングワイヤ１８により、導電板１３間、導電板１３及び半導体チップ１５間を適宜接続する。なお、このようなワイヤボンディングの後、必要に応じて、セラミック回路基板１４の裏面にベース板をはんだまたは銀ろう等を介して取り付けてもよい。または、放熱板１２の裏面側に冷却器（図示を省略）を取り付けて放熱性を向上させることも可能である。なお、ステップＳ１３は、ステップＳ１２の前に行ってもよい。
［ステップＳ１４］ ステップＳ１３までに外部接続端子１９等が取り付けられたセラミック回路基板１４上に外装ケース２０を取り付ける。この取り付け工程について、さらに、図６～図８を用いて具体的に説明する。図６～図８は、第１の実施の形態のセラミック回路基板に対するケースの取り付け工程を説明するための図である。なお、図６～図８には、図１の断面図の左側部分について表示している。なお、この際、例えば、ステップＳ１１において外部接続端子１９をコンタクト部品１７に圧入させる際、または、圧入させた後に、セラミック回路基板１４の反り、コンタクト部品１７のはんだ付け治具の傾き、及び外部接続端子１９の差し込み時の傾き等の理由によりコンタクト部品１７または外部接続端子１９がわずかに傾いてしまっている場合のものとする。
まず、外部接続端子１９に対して外装ケース２０の上蓋板２２の挿通孔２２ａの入口２２ｂが対応するように外装ケース２０をセットする（図６参照）。次いで、外部接続端子１９を上蓋板２２の入口２２ｂに突入させて、さらに、上蓋板２２の入口２２ｂが外部接続端子１９の案内部１９ｄに当接するまで外装ケース２０を降下する（図７参照）。なお、この際、外部接続端子１９は傾いているために、案内部１９ｄの傾斜面１９ｄ１が上蓋板２２の入口２２ｂに当接している。次いで、さらに、外装ケース２０を降下すると、外部接続端子１９の案内部１９ｄの傾斜面１９ｄ１が上蓋板２２の挿通孔２２ａの入口２２ｂを摺動する。これにより、外部接続端子１９がセラミック回路基板１４に対して垂直になるように案内される。そして、案内部１９ｄの外面１９ｄ２が上蓋板２２の挿通孔２２ａの内壁面２２ｄに接触して外部接続端子１９に上蓋板２２が取り付けられる（図８参照）。なお、第１の実施の形態では、外部接続端子１９が図６中右側に傾いている場合を示している。この場合に限らず、外部接続端子１９はどの方向に傾いても同様に垂直に案内される。このようにして、セラミック回路基板１４に対して外装ケース２０が取り付けられ（図１参照）、内部に封止樹脂を充填して封止する。
上記半導体装置１０は、半導体チップ１５と、半導体チップ１５がおもて面に設けられた導電板１３と導電板１３がおもて面に形成された絶縁板１１とを有するセラミック回路基板１４とを有する。また、半導体装置１０は、導電板１３上にはんだ１６を介して設けられた筒状のコンタクト部品１７と、コンタクト部品１７に下端部が嵌合（圧入）された、棒状の外部接続端子１９とを有する。さらに、半導体装置１０は、セラミック回路基板１４の主面に対向する裏面の入口２２ｂと裏面の反対側のおもて面の、入口２２ｂに対向する出口２２ｃとを貫通する挿通孔２２ａに外部接続端子１９が入口２２ｂから出口２２ｃに挿通された平板状の上蓋板２２を有する。この場合において、外部接続端子１９の側面１９ａ１の挿通孔２２ａに重なる交差領域Ｃに、外部接続端子１９の挿通孔２２ａに対する挿通方向に対して外部接続端子１９側に傾斜した傾斜面１９ｄ１を備える。コンタクト部品１７がセラミック回路基板１４の主面に対して傾いて取り付けられた場合に、これに伴って外部接続端子１９も傾く。このような外部接続端子１９は、上蓋板２２の挿通孔２２ａを挿通すると案内部１９ｄの傾斜面１９ｄ１によりセラミック回路基板１４の主面に対して垂直に案内されて上蓋板２２が取り付けられる。したがって、外装ケース２０の上蓋板２２から突出される外部接続端子１９に対して、プリント回路基板の適切な位置に取り付けることができ、組み立て性の向上を図ることができる。また、このようにして外装ケース２０が取り付けられると、外部接続端子１９は、下端部がコンタクト部品１７に、上端部側が上蓋板２２の２か所で支持される。このため、半導体装置１０に対して外部から衝撃等を受けても、外部接続端子１９の傾きが防止され、外部接続端子１９のセラミック回路基板１４に対する垂直性が維持される。このため、プリント回路基板５０の嵌合孔５１に外部接続端子１９を取り付ける際に、プリント回路基板５０の嵌合孔５１以外の裏面等に外部接続端子１９が衝突しても、外部接続端子１９は傾くことがなく垂直に保たれる。したがって、プリント回路基板５０を取り付ける作業の作業性が向上する。
なお、外部接続端子１９に設けられる案内部１９ｄの別の形態について図９及び図１０を用いて説明する。図９及び図１０は、第１の実施の形態の別の外部接続端子を説明するための図である。例えば、図９に示す外部接続端子１９の対向する側面１９ａ１の交差領域Ｃにそれぞれ案内部２９ｄが設けられている。案内部２９ｄは、側面視で半リング状の弾性部材により構成されている。このような弾性部材としては金属等を用いることができる。リング状の案内部２９ｄの外面が傾斜面２９ｄ１として機能する。このような外部接続端子１９がセラミック回路基板１４に対して傾斜している場合、案内部２９ｄもまた、外部接続端子１９の案内部１９ｄと同様の機能を有する。
また、図１０に示す外部接続端子１９は、上蓋板２２が取り付けられた際に挿通孔２２ａと重なる側面１９ａ１の交差領域Ｃを取り囲むように案内部３９ｄが取り付けられている。案内部３９ｄは、側面視で円形状または楕円形状の樹脂により構成されている。樹脂は、例えば、マレイミド変性エポキシ樹脂、マレイミド変性フェノール樹脂、マレイミド樹脂等が用いられる。この案内部３９ｄの外面が傾斜面３９ｄ１として機能する。このような外部接続端子１９がセラミック回路基板１４に対して傾斜している場合、案内部３９ｄもまた、外部接続端子１９の案内部１９ｄと同様の機能を有する。
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態では、上蓋板に形成される挿通孔が第１の実施の形態とは異なる場合について、図１１を用いて説明する。図１１は、第２の実施の形態の半導体装置の断面図である。なお、第２の実施の形態の半導体装置１０ａは、外装ケース３０の上蓋板３２、外部接続端子１９の案内部１９ｄの取り付け位置以外は第１の実施の形態の半導体装置１０と同様の構成を成しており、それらの説明については省略する。
半導体装置１０ａは、第１の実施の形態の半導体装置１０の上蓋板２２に代わり、上蓋板３２が設けられている。上蓋板３２に形成されている挿通孔３２ａは、裏面の入口３２ｂの面積がおもて面の出口３２ｃの面積よりも大きく構成されている。そして、外部接続端子１９は、第１の実施の形態と同様に、側面１９ａ１の挿通孔３２ａに重なる交差領域Ｃに傾斜面１９ｄ１を備える案内部１９ｄが設けられている（図４参照）。さらに、上蓋板３２の挿通孔３２ａの内壁面３２ｄに、外部接続端子１９の挿通孔３２ａに対する挿通方向に対して外部接続端子１９側に傾斜した傾斜面３２ｄ１が設けられている。すなわち、挿通孔３２ａは、上蓋板３２の入口３２ｂから出口３２ｃに向けて径が小さい（縮径した）形状を成している。なお、図１１の挿通孔３２ａは、入口３２ｂから出口３２ｃに向けて縮径され、途中から出口３２ｃまで同一の径となっている場合を示している。このような構成を有する半導体装置１０ａでは、挿通孔３２ａに入口３２ｂから外部接続端子１９が挿通されて、案内部１９ｄの傾斜面１９ｄ１と挿通孔３２ａの傾斜面３２ｄ１とが当接している。このような半導体装置１０ａの製造方法もまた、図５で示したフローチャートのステップＳ１０～Ｓ１４に沿って製造することができる。
そこで、以下では、第１の実施の形態で説明した図５のステップＳ１４の詳細について、図１２及び図１３を用いて説明する。図１２及び図１３は、第２の実施の形態のセラミック回路基板に対するケースの取り付け工程を説明するための図である。第２の実施の形態でもステップＳ１０～Ｓ１３と同様の工程が実施される。なお、第２の実施の形態では、ステップＳ１２でコンタクト部品１７に嵌合した外部接続端子１９が、何らかの原因でコンタクト部品１７に適切に嵌合できずに、例えば、図１２に示されるように、高さが異なっている場合を説明する。なお、この時、先端部１９ｃの高さの位置が一方の外部接続端子１９よりも高い外部接続端子１９（図１２では右側の外部接続端子１９）においては、外部接続端子１９の（下側の）先端部１９ｂ（図１２では図示を省略）と、セラミック回路基板１４及びはんだ１６との間に空隙がある。
ステップＳ１４では、第１の実施の形態と同様に、外部接続端子１９等が取り付けられたセラミック回路基板１４上に外装ケース３０を取り付けるものである。この取り付け工程では、まず、外部接続端子１９に対して外装ケース３０の上蓋板３２の入口３２ｂが対応するように外装ケース３０をセットする。次いで、外装ケース３０をセラミック回路基板１４側に降下して、外部接続端子１９を上蓋板３２の入口３２ｂに突入させる。すると、外部接続端子１９の案内部１９ｄの傾斜面１９ｄ１と上蓋板３２の挿通孔３２ａの傾斜面３２ｄ１とが当接する。この状態で、外装ケース３０をさらにセラミック回路基板１４側に降下すると、上蓋板３２の挿通孔３２ａの傾斜面３２ｄ１が外部接続端子１９の案内部１９ｄの傾斜面１９ｄ１に当接して重なる。この状態からさらに外装ケース３０（上蓋板３２）をセラミック回路基板１４側に押圧する。これにより、コンタクト部品１７に対して高さが異なって嵌合されていた外部接続端子１９の高さを揃えることができる（図１３参照）。さらに、外装ケース３０をセラミック回路基板１４側に降下して、セラミック回路基板１４に対して外装ケース３０が取り付けられる（図１１参照）。
上記半導体装置１０ａは、半導体チップ１５と、半導体チップ１５がおもて面に設けられた導電板１３と導電板１３がおもて面に形成された絶縁板１１とを有するセラミック回路基板１４とを有する。また、半導体装置１０ａは、導電板１３上にはんだ１６を介して設けられた筒状のコンタクト部品１７と、コンタクト部品１７に下端部が嵌合された、棒状の外部接続端子１９とを有する。さらに、半導体装置１０ａは、セラミック回路基板１４の主面に対向する裏面の入口３２ｂと裏面の反対側のおもて面の、入口３２ｂに対向する出口３２ｃとを貫通する挿通孔３２ａに外部接続端子１９が入口３２ｂから出口３２ｃに挿通された平板状の上蓋板３２を有する。この場合において、外部接続端子１９の側面１９ａ１の挿通孔３２ａに重なる交差領域Ｃ及び挿通孔３２ａの内壁面３２ｄに、外部接続端子１９の挿通孔３２ａに対する挿通方向に対して外部接続端子１９側に傾斜した傾斜面１９ｄ１，３２ｄ１をそれぞれ備える。コンタクト部品１７に嵌合されて、高さの異なる外部接続端子１９を上蓋板３２の挿通孔３２ａに挿通させると、外部接続端子１９の案内部１９ｄの傾斜面１９ｄ１が、上蓋板３２の挿通孔３２ａの傾斜面３２ｄ１により押圧される。このため、外部接続端子１９はコンタクト部品１７に押圧されて高さが揃う。また、上蓋板３２の挿通孔３２ａの傾斜面３２ｄ１により、第１の実施の形態と同様に傾いた外部接続端子１９をセラミック回路基板１４の主面に対して垂直に案内することができる。したがって、コンタクト部品１７へ外部接続端子１９を適切な嵌合力で圧入できると共に、外装ケース３０の上蓋板３２から突出される外部接続端子１９に対して、プリント回路基板の適切な位置に取り付けることができ、組み立て性の向上を図ることができる。また、この場合でも、外部接続端子１９は、先端部１９ｂがコンタクト部品１７に、先端部１９ｃ側が上蓋板３２の２か所で支持されて、外部接続端子１９のセラミック回路基板１４に対する垂直性が維持される。このため、外部接続端子１９に対するプリント回路基板５０を取り付ける作業の作業性が向上する。
なお、外部接続端子１９の案内部１９ｄは、必ずしも外面１９ｄ２を必要とせず、側面視で傾斜面１９ｄ１を含む三角形状のくさび型であってよい。さらに、このような外部接続端子１９に対して、上蓋板３２の挿通孔３２ａの形成される傾斜面３２ｄ１は、例えば、後述する図１４の傾斜面４２ｄ１のように入口３２ｂと出口３２ｃとを直接接続するような形状であってもよい。
［第３の実施の形態］
第３の実施の形態では、外部接続端子２９に案内部１９ｄが形成されていない点、上蓋板４２の挿通孔４２ａに傾斜面４２ｄ１を形成している点が第１の実施の形態と異なっている。この場合について、図１４を用いて説明する。図１４は、第３の実施の形態の半導体装置の断面図である。なお、第３の実施の形態の半導体装置１０ｂは、外装ケース４０の上蓋板４２及び外部接続端子２９以外は第１の実施の形態の半導体装置１０と同様の構成を成しており、それらの説明については省略する。
半導体装置１０ｂは、第１の実施の形態の半導体装置１０の上蓋板２２に代えて、上蓋板４２が設けられている。上蓋板４２に形成されている挿通孔４２ａは、裏面の入口４２ｂの面積がおもて面の出口４２ｃの面積よりも大きく構成されている。そして、挿通孔４２ａの内壁面４２ｄが、外部接続端子２９の挿通孔４２ａに対する挿通方向に対して外部接続端子２９側に傾斜している。したがって、この場合の内壁面４２ｄは、傾斜面４２ｄ１ということもできる。すなわち、挿通孔４２ａは、上蓋板４２の入口４２ｂから出口４２ｃに向けて径が小さい（縮径した）形状を成している。このような半導体装置１０ｂの製造方法もまた、図５で示したフローチャートのステップＳ１０～Ｓ１４に沿って製造することができる。
そこで、以下では、第３の実施の形態における、図５のステップＳ１４の詳細について、図１５及び図１６を用いて説明する。図１５及び図１６は、第３の実施の形態のセラミック回路基板に対するケースの取り付け工程を説明するための図である。第３の実施の形態でもステップＳ１０～Ｓ１３と同様の工程が実施される。なお、第３の実施の形態では、ステップＳ１１において外部接続端子２９をコンタクト部品１７に嵌合させる際、または、嵌合させた後に、何らかの理由によりコンタクト部品１７がわずかに傾いてしまっているものとする。
まず、外部接続端子２９に対して外装ケース４０の上蓋板４２の入口４２ｂが対応するように外装ケース４０をセットする。次いで、外装ケース４０をセラミック回路基板１４側に降下して、外部接続端子２９を上蓋板４２の入口４２ｂに突入させる。すると、上蓋板４２の挿通孔４２ａの傾斜面４２ｄ１に外部接続端子２９の先端部１９ｃが当接する（図１５参照）。この状態からさらに、外装ケース４０をセラミック回路基板１４側に降下すると、外部接続端子２９の先端部１９ｃは上蓋板４２の挿通孔４２ａの傾斜面４２ｄ１に沿って出口４２ｃに案内される。これにより外部接続端子２９はセラミック回路基板１４の主面に対して垂直に維持されて、挿通孔４２ａを挿通する（図１６参照）。外装ケース４０をさらにセラミック回路基板１４側に降下して外装ケース４０をセラミック回路基板１４に取り付けて（図１４参照）、内部に封止樹脂を充填して封止する。
上記半導体装置１０ｂは、半導体チップ１５と、半導体チップ１５がおもて面に設けられた導電板１３と導電板１３がおもて面に形成された絶縁板１１とを有するセラミック回路基板１４とを有する。また、半導体装置１０ｂは、導電板１３上にはんだ１６を介して設けられた筒状のコンタクト部品１７と、コンタクト部品１７に下端部が嵌合された、棒状の外部接続端子２９とを有する。さらに、半導体装置１０ｂは、セラミック回路基板１４の主面に対向する裏面の入口４２ｂと裏面の反対側のおもて面の、入口４２ｂに対向する出口４２ｃとを貫通する挿通孔４２ａに外部接続端子２９が入口４２ｂから出口４２ｃに挿通された平板状の上蓋板４２を有する。この場合において、上蓋板４２の挿通孔４２ａの内壁面４２ｄに、外部接続端子２９の挿通孔４２ａに対する挿通方向に対して外部接続端子２９側に傾斜した傾斜面４２ｄ１が備えられている。コンタクト部品１７がセラミック回路基板１４の主面に対して傾いて取り付けられた場合に、これに伴って外部接続端子２９も傾く。このような外部接続端子２９は、上蓋板４２の挿通孔４２ａを挿通すると挿通孔４２ａの傾斜面４２ｄ１に沿って摺動して、セラミック回路基板１４の主面に対して垂直に維持されて上蓋板４２が取り付けられる。したがって、外装ケース４０の上蓋板４２から突出される外部接続端子２９に対して、プリント回路基板の適切な位置に取り付けることができ、組み立て性の向上を図ることができる。また、この場合でも、外部接続端子２９は、下端部がコンタクト部品１７に、上端部側が上蓋板４２の２か所で支持されて、外部接続端子２９のセラミック回路基板１４に対する垂直性が維持される。このため、外部接続端子２９に対するプリント回路基板５０を取り付ける作業の作業性が向上する。
１０，１０ａ，１０ｂ 半導体装置
１１ 絶縁板
１２ 放熱板
１３ 導電板
１４ セラミック回路基板
１５ 半導体チップ
１６ はんだ
１７ コンタクト部品
１７ａ，１９ａ 胴体部
１７ｂ 貫通孔
１７ｂ１，１７ｂ２ 開口端部
１７ｃ１，１７ｃ２ フランジ
１８ ボンディングワイヤ
１９，２９ 外部接続端子
１９ａ１ 側面
１９ｂ，１９ｃ 先端部
１９ｄ，２９ｄ，３９ｄ 案内部
１９ｄ１，２９ｄ１，３２ｄ１，３９ｄ１，４２ｄ１ 傾斜面
１９ｄ２ 外面
２０，３０，４０ 外装ケース
２１ 側壁
２２，３２，４２ 上蓋板
２２ａ，３２ａ，４２ａ 挿通孔
２２ｂ，３２ｂ，４２ｂ 入口
２２ｃ，３２ｃ，４２ｃ 出口
２２ｄ，３２ｄ，４２ｄ 内壁面
５０ プリント回路基板
５１ 嵌合孔

Claims (25)

  1. 半導体チップと、
    前記半導体チップがおもて面に設けられた導電板と前記導電板がおもて面に形成された絶縁板とを有する基板と、
    前記導電板上に接合部材を介して設けられた筒状のコンタクト部品と、
    前記コンタクト部品に下端部が嵌合された、棒状の外部接続端子と、
    前記基板の主面に対向する裏面の入口と前記裏面の反対側のおもて面の、前記入口に対向する出口とを貫通する挿通孔を有し、前記外部接続端子が前記挿通孔に挿通された、平板状の上蓋板と、
    を有し、
    前記外部接続端子の側面の前記挿通孔に重なる交差領域または前記挿通孔の内壁面の少なくともいずれか一方に、前記入口から前記出口に向けて前記外部接続端子の中心側に傾斜した傾斜面を備え、
    前記傾斜面を備える案内部が前記交差領域に設けられており、
    前記上蓋板の前記挿通孔に挿通された前記外部接続端子と前記挿通孔との摩擦力は、前記コンタクト部品の前記外部接続端子に対する嵌合力よりも小さい、
    半導体装置。
  2. 前記案内部は、前記傾斜面を備えるくさび型状であって、前記外部接続端子の前記交差領域の周囲に沿って複数設けられている、
    請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記案内部は、前記外部接続端子の前記交差領域の周囲を取り囲み、側面視で円形状または楕円形状の樹脂により構成され、前記傾斜面を外面の一部に備える、
    請求項１に記載の半導体装置。
  4. 前記案内部は、側面視で半リング状の弾性部材により構成され、前記傾斜面を外面の一部に備える、
    請求項１に記載の半導体装置。
  5. 前記傾斜面が前記交差領域及び前記挿通孔の前記内壁面にそれぞれ設けられ、
    前記交差領域の前記傾斜面と前記内壁面の前記傾斜面とが重なっている、
    請求項１に記載の半導体装置。
  6. 前記傾斜面が前記挿通孔の前記内壁面に設けられており、
    前記挿通孔は側面視で前記入口から前記出口に向けて縮径している、
    請求項１に記載の半導体装置。
  7. 半導体チップと、導電板と前記導電板がおもて面に形成された絶縁板とを有する基板と、筒状のコンタクト部品と、棒状の外部接続端子と、裏面の入口と前記裏面の反対側のおもて面の、前記入口に対向する出口とを貫通する挿通孔を備える、平板状の上蓋板と、を用意する工程と、
    前記基板の主面の前記導電板上に前記半導体チップを接合し、前記導電板上に接合部材を介して前記コンタクト部品を接合する接合工程と、
    前記コンタクト部品に前記基板の主面側から前記外部接続端子の下端部を嵌合する嵌合工程と、
    前記基板の主面に前記上蓋板の前記裏面を対向させて、前記基板の主面側から前記上蓋板を被せつつ、前記上蓋板の前記入口から前記出口に前記外部接続端子を挿通して、前記上蓋板を取り付ける取付工程と、
    を有し、
    前記外部接続端子の側面の前記挿通孔に重なる交差領域または前記挿通孔の内壁面の少なくともいずれか一方に、前記外部接続端子の前記挿通孔に対する挿通方向に対して前記外部接続端子側に傾斜した傾斜面を備え、
    前記傾斜面を備える案内部が前記交差領域に設けられており、
    前記上蓋板の前記挿通孔に挿通された前記外部接続端子と前記挿通孔との摩擦力は、前記コンタクト部品の前記外部接続端子に対する嵌合力よりも小さい、
    半導体装置の製造方法。
  8. 前記取付工程では、前記外部接続端子は前記傾斜面に沿って前記入口から前記出口に案内されて前記挿通孔を挿通する、
    請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記傾斜面が前記交差領域及び前記挿通孔の前記内壁面にそれぞれ設けられ、
    前記取付工程では、前記交差領域の前記傾斜面に、前記内壁面の前記傾斜面を重ねて、前記上蓋板を前記基板に対して押圧して、前記上蓋板を取り付ける、
    請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 半導体チップと、
    前記半導体チップがおもて面に設けられた導電板と前記導電板がおもて面に形成された絶縁板とを有する基板と、
    前記導電板上に接合部材を介して設けられた筒状のコンタクト部品と、
    前記コンタクト部品に下端部が嵌合された、棒状の外部接続端子と、
    前記基板の主面に対向する裏面の入口と前記裏面の反対側のおもて面の、前記入口に対向する出口とを貫通する挿通孔を有し、前記外部接続端子が前記挿通孔に挿通された、平板状の上蓋板と、
    を有し、
    前記外部接続端子の側面の前記挿通孔に重なる交差領域または前記挿通孔の内壁面の少なくともいずれか一方に、前記入口から前記出口に向けて前記外部接続端子の中心側に傾斜した傾斜面を備え、
    前記上蓋板の前記挿通孔に挿通された前記外部接続端子と前記挿通孔との摩擦力は、前記コンタクト部品の前記外部接続端子に対する嵌合力よりも小さい、
    半導体装置。
  11. 前記傾斜面を備える案内部が前記交差領域に設けられており、
    前記案内部は、前記傾斜面を備えるくさび型状であって、前記外部接続端子の前記交差領域の周囲に沿って複数設けられている、
    請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 前記傾斜面を備える案内部が前記交差領域に設けられており、
    前記案内部は、前記外部接続端子の前記交差領域の周囲を取り囲み、側面視で円形状または楕円形状の樹脂により構成され、前記傾斜面を外面の一部に備える、
    請求項１０に記載の半導体装置。
  13. 前記傾斜面を備える案内部が前記交差領域に設けられており、
    前記案内部は、側面視で半リング状の弾性部材により構成され、前記傾斜面を外面の一部に備える、
    請求項１０に記載の半導体装置。
  14. 前記傾斜面が前記交差領域及び前記挿通孔の前記内壁面にそれぞれ設けられ、
    前記交差領域の前記傾斜面と前記内壁面の前記傾斜面とが重なっている、
    請求項１０に記載の半導体装置。
  15. 前記傾斜面が前記挿通孔の前記内壁面に設けられており、
    前記挿通孔は側面視で前記入口から前記出口に向けて縮径している、
    請求項１０に記載の半導体装置。
  16. 半導体チップと、導電板と前記導電板がおもて面に形成された絶縁板とを有する基板と、筒状のコンタクト部品と、棒状の外部接続端子と、裏面の入口と前記裏面の反対側のおもて面の、前記入口に対向する出口とを貫通する挿通孔を備える、平板状の上蓋板と、を用意する工程と、
    前記基板の主面の前記導電板上に前記半導体チップを接合し、前記導電板上に接合部材を介して前記コンタクト部品を接合する接合工程と、
    前記コンタクト部品に前記基板の主面側から前記外部接続端子の下端部を嵌合する嵌合工程と、
    前記基板の主面に前記上蓋板の前記裏面を対向させて、前記基板の主面側から前記上蓋板を被せつつ、前記上蓋板の前記入口から前記出口に前記外部接続端子を挿通して、前記上蓋板を取り付ける取付工程と、
    を有し、
    前記外部接続端子の側面の前記挿通孔に重なる交差領域または前記挿通孔の内壁面の少なくともいずれか一方に、前記外部接続端子の前記挿通孔に対する挿通方向に対して前記外部接続端子側に傾斜した傾斜面を備え、
    前記上蓋板の前記挿通孔に挿通された前記外部接続端子と前記挿通孔との摩擦力は、前記コンタクト部品の前記外部接続端子に対する嵌合力よりも小さい、
    半導体装置の製造方法。
  17. 前記取付工程では、前記外部接続端子は前記傾斜面に沿って前記入口から前記出口に案内されて前記挿通孔を挿通する、
    請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
  18. 前記傾斜面が前記交差領域及び前記挿通孔の前記内壁面にそれぞれ設けられ、
    前記取付工程では、前記交差領域の前記傾斜面に、前記内壁面の前記傾斜面を重ねて、前記上蓋板を前記基板に対して押圧して、前記上蓋板を取り付ける、
    請求項１６または１７に記載の半導体装置の製造方法。
  19. 半導体チップと、
    前記半導体チップがおもて面に設けられた導電板と前記導電板がおもて面に形成された絶縁板とを有する基板と、
    前記導電板上に接合部材を介して設けられた筒状のコンタクト部品と、
    四方が側面で構成された角柱状を成し、前記コンタクト部品に下端部が嵌合された外部接続端子と、
    前記基板の主面に対向する裏面の入口と前記裏面の反対側のおもて面の、前記入口に対向する出口とを貫通する挿通孔を有し、前記外部接続端子が前記挿通孔に挿通された、平板状の上蓋板と、
    を有し、
    前記外部接続端子の前記側面の前記挿通孔に重なる交差領域または前記挿通孔の内壁面の少なくともいずれか一方に、前記入口から前記出口に向けて前記外部接続端子の中心側に傾斜した傾斜面を備え、前記交差領域に前記傾斜面を備える案内部が設けられ、前記案内部は、前記傾斜面を備えるくさび型状であって、前記外部接続端子の前記交差領域の周囲に沿って複数設けられている、
    半導体装置。
  20. 前記上蓋板の前記挿通孔に挿通された前記外部接続端子と前記挿通孔との摩擦力は、前記コンタクト部品の前記外部接続端子に対する嵌合力よりも小さい、
    請求項１９に記載の半導体装置。
  21. 前記傾斜面を備える前記案内部が前記交差領域に、前記傾斜面が前記挿通孔の前記内壁面にそれぞれ設けられ、
    前記交差領域の前記案内部の前記傾斜面と前記内壁面の前記傾斜面とが重なっている、
    請求項１９に記載の半導体装置。
  22. 前記傾斜面が前記挿通孔の前記内壁面に設けられており、
    前記挿通孔は側面視で前記入口から前記出口に向けて縮径している、
    請求項１９に記載の半導体装置。
  23. 半導体チップと、導電板と前記導電板がおもて面に形成された絶縁板とを有する基板と、筒状のコンタクト部品と、四方が側面で構成された角柱状を成す外部接続端子と、裏面の入口と前記裏面の反対側のおもて面の、前記入口に対向する出口とを貫通する挿通孔を備える、平板状の上蓋板と、を用意する工程と、
    前記基板の主面の前記導電板上に前記半導体チップを接合し、前記導電板上に接合部材を介して前記コンタクト部品を接合する接合工程と、
    前記コンタクト部品に前記基板の主面側から前記外部接続端子の下端部を嵌合する嵌合工程と、
    前記基板の主面に前記上蓋板の前記裏面を対向させて、前記基板の主面側から前記上蓋板を被せつつ、前記上蓋板の前記入口から前記出口に前記外部接続端子を挿通して、前記上蓋板を取り付ける取付工程と、
    を有し、
    前記外部接続端子の前記側面の前記挿通孔に重なる交差領域または前記挿通孔の内壁面の少なくともいずれか一方に、前記外部接続端子の前記挿通孔に対する挿通方向に対して前記外部接続端子側に傾斜した傾斜面を備え、前記交差領域に前記傾斜面を備える案内部が設けられ、前記案内部は、前記傾斜面を備えるくさび型状であって、前記外部接続端子の前記交差領域の周囲に沿って複数設けられている、
    半導体装置の製造方法。
  24. 前記取付工程では、前記外部接続端子は前記傾斜面に沿って前記入口から前記出口に案内されて前記挿通孔を挿通する、
    請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。
  25. 前記傾斜面が前記交差領域及び前記挿通孔の前記内壁面にそれぞれ設けられ、
    前記取付工程では、前記交差領域の前記傾斜面に、前記内壁面の前記傾斜面を重ねて、前記上蓋板を前記基板に対して押圧して、前記上蓋板を取り付ける、
    請求項２３または２４に記載の半導体装置の製造方法。
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