JP7449152B2

JP7449152B2 - 太陽電池の製造方法および太陽電池

Info

Publication number: JP7449152B2
Application number: JP2020076477A
Authority: JP
Inventors: 正典兼松; 訓太吉河
Original assignee: Kaneka Corp
Current assignee: Kaneka Corp
Priority date: 2020-04-23
Filing date: 2020-04-23
Publication date: 2024-03-13
Anticipated expiration: 2040-04-23
Also published as: JP2021174839A

Description

本発明は、裏面電極型（バックコンタクト型）の太陽電池の製造方法、および裏面電極型の太陽電池に関する。

特許文献１～３には、裏面電極型の太陽電池における２つの極性の電極と配線部材との接続に関する技術が開示されている。特許文献１および２には、裏面電極型の太陽電池において、
・第１電極および第２電極に交差する第１配線および第２配線を有し、
・第１配線は、第１電極と交差する点で第１電極と接続され、第２電極と交差する点で絶縁層によって第２電極と絶縁され、
・第２配線は、第２電極と交差する点で第２電極と接続され、第１電極と交差する点で絶縁層によって第１電極と絶縁される、
ことが記載されている。

また、特許文献３には、裏面電極型の太陽電池セルにおいて、
・ｐ電極およびｎ電極に交差するｐ電極用配線およびｎ電極用配線を有し、
・裏面に絶縁樹脂が形成され、
・ｐ電極用配線は、ｐ電極と交差する点で絶縁樹脂の孔部の導電部材によってｐ電極と接続され、ｎ電極と交差する点で絶縁樹脂によってｎ電極と絶縁され、
・ｎ電極用配線は、ｎ電極と交差する点で絶縁樹脂の孔部の導電部材によってｎ電極と接続され、ｐ電極と交差する点で絶縁樹脂によってｐ電極と絶縁される、
ことが記載されている。

特開２０１８－１３３５６７号公報特開２０１５－１５９２８６号公報特開２０１４－１２７５５０号公報

本願発明者（ら）は、このような太陽電池の製造プロセスの簡略化および低コスト化を図る。

本発明は、製造プロセスの簡略化および低コスト化が可能な太陽電池の製造方法および太陽電池を提供することを目的とする。

本発明に係る太陽電池の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側の一部である第１領域に順に積層された第１導電型半導体層、第１透明電極層および第１金属電極層と、前記半導体基板の前記一方主面側の他の一部である第２領域に順に積層された第２導電型半導体層、第２透明電極層および第２金属電極層を備える裏面電極型の太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の前記一方主面側における前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層の上に、一連の透明電極層材料膜を形成する透明電極層材料膜形成工程と、前記透明電極層材料膜の上に、一連の金属電極層材料膜を形成する金属電極層材料膜形成工程と、前記第１領域における前記金属電極層材料膜を第１非絶縁領域を除いて全体的に覆う第１絶縁層、および、前記第２領域における前記金属電極層材料膜を第２非絶縁領域を除いて全体的に覆う第２絶縁層であって、互いに離間する前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層をマスクとするエッチング法を用いて、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間における、および前記第１非絶縁領域および前記第２非絶縁領域における、前記金属電極層材料膜の露出部分およびこの露出部分に対応する前記透明電極層材料膜を除去することにより、前記第１領域にパターン化された前記第１透明電極層および前記第１金属電極層を形成し、前記第２領域にパターン化された前記第２透明電極層および前記第２金属電極層を形成し、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を除去せずに残す透明電極層および金属電極層形成工程と、前記第１非絶縁領域に、前記第１透明電極層の側面、前記第１金属電極層の側面および前記第１絶縁層の側面と接するように第１コンタクト電極を形成し、前記第２非絶縁領域に、前記第２透明電極層の側面、前記第２金属電極層の側面および前記第２絶縁層の側面と接するように第２コンタクト電極を形成するコンタクト電極形成工程と、を含む。

本発明に係る太陽電池は、半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側の一部である第１領域に順に積層された第１導電型半導体層、第１透明電極層および第１金属電極層と、前記半導体基板の前記一方主面側の他の一部である第２領域に順に積層された第２導電型半導体層、第２透明電極層および第２金属電極層を備える裏面電極型の太陽電池であって、前記第１金属電極層を第１非絶縁領域を除いて全体的に覆うように前記第１領域に形成された第１絶縁層と、前記第２金属電極層を第２非絶縁領域を除いて全体的に覆うように前記第２領域に形成された第２絶縁層と、前記第１非絶縁領域に形成された第１コンタクト電極と、前記第２非絶縁領域に形成された第２コンタクト電極と、を備える。前記第１非絶縁領域には、前記第１透明電極層および前記第１金属電極層が形成されておらず、前記第２非絶縁領域には、前記第２透明電極層および前記第２金属電極層が形成されておらず、前記第１コンタクト電極は、前記第１透明電極層の側面、前記第１金属電極層の側面および前記第１絶縁層の側面と接しており、前記第２コンタクト電極は、前記第２透明電極層の側面、前記第２金属電極層の側面および前記第２絶縁層の側面と接している。

本発明によれば、太陽電池の製造プロセスの簡略化および低コスト化が可能である。

本実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図である。図１の太陽電池におけるIIA－IIA線断面図である。図１の太陽電池におけるIIB－IIB線断面図である。本実施形態に係る太陽電池の製造方法における半導体層形成工程を示す図である。本実施形態に係る太陽電池の製造方法における電極層材料膜形成工程、すなわち透明電極層材料膜形成工程および金属電極層材料膜形成工程を示す図である。本実施形態に係る太陽電池の製造方法における絶縁層形成工程を示す図である。本実施形態に係る太陽電池の製造方法における電極層形成工程、すなわち透明電極層形成工程および金属電極層形成工程を示す図である。本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるコンタクト電極形成工程を示す図である。本実施形態の変形例１に係る太陽電池の断面図であって、図１におけるIIA－IIA線相当の断面図である。本実施形態の変形例１に係る太陽電池の断面図であって、図１におけるIIA－IIA線相当の断面図である。本実施形態の変形例２に係る太陽電池の裏面側の第１絶縁層の第１非絶縁領域の拡大図である。本実施形態の変形例３に係る太陽電池の裏面側の第１絶縁層の第１非絶縁領域の拡大図である。本実施形態の変形例４に係る太陽電池の裏面側の第１絶縁層の第１非絶縁領域の拡大図である。本実施形態の変形例５に係る太陽電池の裏面側の第１絶縁層の第１非絶縁領域の拡大図である。本実施形態の変形例６に係る太陽電池の裏面側の第１絶縁層の第１非絶縁領域の拡大図である。比較例１，２に係る太陽電池の断面図であって、図１におけるIIA－IIA線相当の断面図である。比較例１，２に係る太陽電池の断面図であって、図１におけるIIB－IIB線相当の断面図である。比較例１に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程、金属電極層材料膜形成工程および絶縁層形成工程を示す図である。比較例１に係る太陽電池の製造方法におけるコンタクト電極形成工程を示す図である。比較例１に係る太陽電池の製造方法における電極層形成工程、すなわち透明電極層形成工程および金属電極層形成工程を示す図である。図７Ａに示す太陽電池の製造工程における部分VIIDを拡大して示す図である。比較例２に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程、金属電極層材料膜形成工程およびコンタクト電極形成工程を示す図である。比較例２に係る太陽電池の製造方法における絶縁層形成工程を示す図である。比較例２に係る太陽電池の製造方法における電極層形成工程、すなわち透明電極層形成工程および金属電極層形成工程を示す図である。

以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態の一例について説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。また、便宜上、ハッチングや部材符号等を省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。

（本実施形態の太陽電池）
図１は、本実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図である。図２Ａは、図１の太陽電池におけるIIA－IIA線断面図であり、図２Ｂは、図１の太陽電池におけるIIB－IIB線断面図である。図１、図２Ａおよび図２Ｂに示す太陽電池１は、裏面電極型（バックコンタクト型、裏面接合型ともいう。）であってヘテロ接合型の太陽電池である。

太陽電池１は、２つの主面を備える半導体基板１１を備え、半導体基板１１の主面において第１領域７と第２領域８とを有する。以下では、半導体基板１１の主面のうちの受光する側の主面を受光面とし、半導体基板１１の主面のうちの受光面の反対側の主面（一方主面）を裏面とする。

第１領域７は、帯状の形状をなし、Ｙ方向（第２方向）に延在する。同様に、第２領域８は、帯状の形状をなし、Ｙ方向に延在する。第１領域７と第２領域８とは、Ｙ方向に交差するＸ方向（第１方向）に交互に設けられている。

図２Ａおよび図２Ｂに示すように、太陽電池１は、半導体基板１１の受光面側に順に積層されたパッシベーション層１３および光学調整層１５を備える。また、太陽電池１は、半導体基板１１の裏面側の一部（第１領域７）に順に積層されたパッシベーション層２３、第１導電型半導体層２５、第１電極層２７および第１絶縁層４１を備える。また、太陽電池１は、半導体基板１１の裏面側の他の一部（第２領域８）に順に積層されたパッシベーション層３３、第２導電型半導体層３５、第２電極層３７および第２絶縁層４２を備える。また、太陽電池１は、第１電極層２７に対応する第１コンタクト電極５１と、第２電極層３７に対応する第２コンタクト電極５２とを備える。

半導体基板１１は、単結晶シリコンまたは多結晶シリコン等の結晶シリコン材料で形成される。半導体基板１１は、例えば結晶シリコン材料にｎ型ドーパントがドープされたｎ型の半導体基板である。なお、半導体基板１１は、例えば結晶シリコン材料にｐ型ドーパントがドープされたｐ型の半導体基板であってもよい。ｎ型ドーパントとしては、例えばリン（Ｐ）が挙げられる。ｐ型ドーパントとしては、例えばホウ素（Ｂ）が挙げられる。半導体基板１１は、受光面側からの入射光を吸収して光キャリア（電子および正孔）を生成する光電変換基板として機能する。

半導体基板１１の材料として結晶シリコンが用いられることにより、暗電流が比較的に小さく、入射光の強度が低い場合であっても比較的高出力（照度によらず安定した出力）が得られる。

パッシベーション層１３は、半導体基板１１の受光面側に形成されている。パッシベーション層２３は、半導体基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。パッシベーション層３３は、半導体基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。パッシベーション層１３，２３，３３は、例えば真性（ｉ型）アモルファスシリコン材料を主成分とする材料で形成される。パッシベーション層１３，２３，３３は、半導体基板１１で生成されたキャリアの再結合を抑制し、キャリアの回収効率を高める。

光学調整層１５は、半導体基板１１の受光面側のパッシベーション層１３上に形成されている。光学調整層１５は、入射光の反射を防止する反射防止層として機能するとともに、半導体基板１１の受光面側およびパッシベーション層１３を保護する保護層として機能する。光学調整層１５は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、または酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）のようなそれらの複合物等の絶縁体材料で形成される。

第１導電型半導体層２５は、パッシベーション層２３上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。一方、第２導電型半導体層３５は、パッシベーション層３３上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。すなわち、第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５は、帯状の形状をなし、Ｙ方向に延在する。第１導電型半導体層２５と第２導電型半導体層３５とは、Ｘ方向に交互に並んでいる。第２導電型半導体層３５の一部は、隣接する第１導電型半導体層２５の一部の上に重なっていてもよい（図示省略）。

第１導電型半導体層２５は、例えばアモルファスシリコン材料で形成される。第１導電型半導体層２５は、例えばアモルファスシリコン材料にｐ型ドーパント（例えば、上述したホウ素（Ｂ））がドープされたｐ型の半導体層である。

第２導電型半導体層３５は、例えばアモルファスシリコン材料で形成される。第２導電型半導体層３５は、例えばアモルファスシリコン材料にｎ型ドーパント（例えば、上述したリン（Ｐ））がドープされたｎ型の半導体層である。なお、第１導電型半導体層２５がｎ型の半導体層であり、第２導電型半導体層３５がｐ型の半導体層であってもよい。

第１電極層２７は、第１導電型半導体層２５上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。一方、第２電極層３７は、第２導電型半導体層３５上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。すなわち、第１電極層２７および第２電極層３７は、帯状の形状をなし、Ｙ方向に延在する。第１電極層２７と第２電極層３７とは、Ｘ方向に交互に設けられている。

第１電極層２７は、第１導電型半導体層２５上に順に積層された第１透明電極層２８および第１金属電極層２９を有する。一方、第２電極層３７は、第２導電型半導体層３５上に順に積層された第２透明電極層３８および第２金属電極層３９を有する。

第１透明電極層２８および第２透明電極層３８は、透明な導電性材料で形成される。透明導電性材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムおよび酸化スズの複合酸化物）、ＺｎＯ（Zinc Oxide：酸化亜鉛）等が挙げられる。

第１金属電極層２９および第２金属電極層３９は、例えばスパッタリング等のＰＶＤ法、またはめっき法を用いて形成された銀、銅、アルミニウム等の金属材料を含む。これらの中でも、金属材料としては、公知のＡｇ粉末を含有する導電性ペースト材料と比較して安価な材料であるＣｕが好ましい。

第１絶縁層４１は、第１金属電極層２９上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。第２絶縁層４２は、第２金属電極層３９上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。すなわち、第１絶縁層４１および第２絶縁層４２は、図１に示すように、帯状の形状をなし、Ｙ方向に延在する。第１絶縁層４１と第２絶縁層４２とは、Ｘ方向に交互に設けられている。

第１絶縁層４１は、第１非絶縁領域４１ａを除いて、第１金属電極層２９を全体的に覆う。同様に、第２絶縁層４２は、第２非絶縁領域４２ａを除いて、第２金属電極層３９を全体的に覆う。

第１非絶縁領域４１ａには、第１絶縁層４１、第１金属電極層２９および第１透明電極層２８が形成されていない。すなわち、第１非絶縁領域４１ａは、第１導電型半導体層２５の表面、第１透明電極層２８の側面および第１金属電極層２９の側面を露出する開孔で構成される。第１非絶縁領域４１ａは、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１直線Ｘ１上に配置されている。

同様に、第２非絶縁領域４２ａには、第２絶縁層４２、第２金属電極層３９および第２透明電極層３８が形成されていない。すなわち、第２非絶縁領域４２ａは、第２導電型半導体層３５の表面、第２透明電極層３８の側面および第２金属電極層３９の側面を露出する開孔で構成される。第２非絶縁領域４２ａは、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１直線Ｘ１と異なる第２直線Ｘ２上に配置されている。

第１直線Ｘ１および第２直線Ｘ２は、第１電極層２７および第２電極層３７と交差し、Ｙ方向（第２方向）に交互に並んでいる。

第１絶縁層４１および第２絶縁層４２の材料としては、例えば酸化珪素（ＳｉＯ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、または酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）のようなそれらの複合物等が挙げられる。また、例えばスクリーン印刷によって塗布し、焼成することができるエポキシ樹脂系またはレジンエステル系などの熱硬化性樹脂を用いることもできる。これらの樹脂に対して、印刷性向上または耐薬品性向上の目的で、シリカまたはタルクなどの無機系の粒子を混合してもよい。

第１絶縁層４１の第１非絶縁領域４１ａには、第１コンタクト電極５１が形成されており、第２絶縁層４２の第２非絶縁領域４２ａには、第２コンタクト電極５２が形成されている。すなわち、第１コンタクト電極５１は、第１直線Ｘ１上に配置されており、第２コンタクト電極５２は、第２直線Ｘ２上に配置されている。

第１コンタクト電極５１は、第１導電型半導体層２５の表面、第１透明電極層２８の側面、第１金属電極層２９の側面および第１絶縁層４１の側面と接触している。一方、第２コンタクト電極５２は、第２導電型半導体層３５の表面、第２透明電極層３８の側面、第２金属電極層３９の側面および第２絶縁層４２の側面と接触している。

なお、第１非絶縁領域４１ａにおける第１導電型半導体層２５の表面は酸化しており、第１コンタクト電極５１は、第１導電型半導体層２５の表面の酸化層２５ｏに接していてもよい。同様に、第２非絶縁領域４２ａにおける第２導電型半導体層３５の表面は酸化しており、第２コンタクト電極５２は、第２導電型半導体層３５の表面の酸化層３５ｏに接していてもよい。

第１コンタクト電極５１および第２コンタクト電極５２は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ等の粒子状の金属材料、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料を印刷して硬化させてなる。これらの中でも、印刷材料としては、配線部材との接続のための半田とのコンタクト性の観点で、Ａｇペースト材料が好ましい。

第１絶縁層４１の第１非絶縁領域４１ａのＹ方向（第２方向）の幅、すなわち第１コンタクト電極５１のＹ方向（第２方向）の幅は、第１配線部材９１の幅よりも大きい。同様に、第２非絶縁領域４２ａのＹ方向（第２方向）の幅、すなわち第２コンタクト電極５２のＹ方向（第２方向）の幅は、第２配線部材９２の幅よりも大きい。例えば、第１非絶縁領域４１ａおよび第２非絶縁領域４２ａの幅、すなわち第１コンタクト電極５１および第２コンタクト電極５２の幅は、１ｍｍ以上５０ｍｍ以下である。これによれば、配線部材接続時のアライメントのクリアランスを確保することができる。

図１、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第１電極層２７と第２電極層３７とは、第１領域７と第２領域８との境界において分離している。すなわち、第１透明電極層２８と第２透明電極層３８とは離間しており、第１金属電極層２９と第２金属電極層３９とは離間している。また、第１絶縁層４１と第２絶縁層４２とは分離している。

第１透明電極層２８と第２透明電極層３８との間の領域、すなわち第１金属電極層２９と第２金属電極層３９との間の領域は、第１絶縁層４１および第２絶縁層４２で覆われていない。

第１金属電極層２９では、第１透明電極層２８と接する主面と反対側の主面は第１絶縁層４１で覆われている。同様に、第２金属電極層３９では、第２透明電極層３８と接する主面と反対側の主面は第２絶縁層４２で覆われている。

一方、第１金属電極層２９の側面および第１透明電極層２８の側面は第１絶縁層４１で覆われていない。同様に、第２金属電極層３９の側面および第２透明電極層３８の側面は第２絶縁層４２で覆われていない。

図１に示すように、第１配線部材９１は、第１直線Ｘ１に沿ってＸ方向（第１方向）に延在する。同様に、第２配線部材９２は、第２直線Ｘ２に沿ってＸ方向（第１方向）に延在する。すなわち、第１配線部材９１および第２配線部材９２は、第１電極層２７および第２電極層３７と交差し、Ｙ方向（第２方向）に交互に並んでいる。

第１配線部材９１は、第１絶縁層４１の第１非絶縁領域４１ａにおける第１コンタクト電極５１によって第１電極層２７に電気的に接続され、第２絶縁層４２によって第２電極層３７と電気的に絶縁される。同様に、第２配線部材９２は、第２絶縁層４２の第２非絶縁領域４２ａにおける第２コンタクト電極５２によって第２電極層３７に電気的に接続され、第１絶縁層４１によって第１電極層２７と電気的に絶縁される。

第１配線部材９１と第２配線部材９２とのＹ方向の中心間隔（ピッチ）は、第１電極層２７と第２電極層３７とのＸ方向の中心間隔（ピッチ）よりも大きい。例えば、第１配線部材９１と第２配線部材９２との中心間隔（ピッチ）は、５ｍｍ以上５０ｍｍ以下である。これによれば、電極層を流れる電流経路を短くすることができ、電極抵抗に起因する出力ロスを低減することができ、太陽電池の発電効率を向上することができる。

第１配線部材９１および第２配線部材９２としては、公知のタブ線等が挙げられる。

ここで、本願発明者（ら）は、このような太陽電池の製造プロセスの簡略化および低コスト化の目的で、配線部材９１，９２との絶縁およびコンタクトを確保するための絶縁層４１，４２およびコンタクト電極５１，５２を、電極層２７，３７、すなわち金属電極層２９，３９および透明電極層２８，３８、のエッチングのレジストとして兼用することを考案している。以下に、このような本願発明者（ら）の考案の電極層の製造プロセスについて、比較例１，２として説明する。

（比較例１，２の太陽電池）
図６Ａは、比較例１，２に係る太陽電池の断面図であって、図１におけるIIA－IIA線相当の断面図であり、図６Ｂは、比較例１，２に係る太陽電池の断面図であって、図１におけるIIB－IIB線相当の断面図である。図６Ａおよび図６Ｂに示す比較例１，２の太陽電池１Ｘは、図２Ａおよび図２Ｂに示す太陽電池１と比較して、主に、第１絶縁層４１Ｘの第１非絶縁領域４１ａにも、第１電極層２７Ｘ、すなわち第１透明電極層２８Ｘおよび第１金属電極層２９Ｘ、が形成されており、第１コンタクト電極５１Ｘが第１非絶縁領域４１ａにおける第１電極層２７Ｘの第１金属電極層２９Ｘ上に形成されている点、および第２絶縁層４２Ｘの第２非絶縁領域４２ａにも、第２電極層３７Ｘ、すなわち第２透明電極層３８Ｘおよび第２金属電極層３９Ｘ、が形成されており、第２コンタクト電極５２Ｘが第２非絶縁領域４２ａにおける第２電極層３７Ｘの第２金属電極層３９Ｘ上に形成されている点で、本実施形態と異なる。

（比較例１の太陽電池の製造方法）
以下では、図７Ａ～図７Ｃを参照して、比較例１の太陽電池の製造方法における電極層２７Ｘ，３７Ｘの製造プロセスについて主に説明する。比較例１の電極層２７Ｘ，３７Ｘの製造プロセスでは、絶縁層４１Ｘ，４２Ｘを形成した後に、コンタクト電極５１Ｘ，５２Ｘを形成し、その後、絶縁層４１Ｘ，４２Ｘおよびコンタクト電極５１Ｘ，５２Ｘをマスクとして、電極層２７Ｘ，３７Ｘ、すなわち金属電極層２９Ｘ，３９Ｘおよび透明電極層２８Ｘ，３８Ｘ、のパターニングを行う。

図７Ａは、比較例１に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程、金属電極層材料膜形成工程および絶縁層形成工程を示す図であり、図７Ｂは、比較例１に係る太陽電池の製造方法におけるコンタクト電極形成工程を示す図である。また、図７Ｃは、比較例１に係る太陽電池の製造方法における電極層形成工程、すなわち透明電極層形成工程および金属電極層形成工程を示す図である。図７Ａ～図７Ｃでは、半導体基板１１の裏面側を示し、半導体基板１１の表面側を省略する。

まず、図７Ａに示すように、例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５上にこれらに跨って一連の透明電極層材料膜２８Ｚを形成する（透明電極層材料膜形成工程）。次に、例えばスパッタリング等のＰＶＤ法、またはめっき法を用いて、透明電極層材料膜２８Ｚ上に、すなわち第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５に跨って一連の金属電極層材料膜２９Ｚを形成する（金属電極層材料膜形成工程）。

次に、透明電極層材料膜２８Ｚおよび金属電極層材料膜２９Ｚを介して第１導電型半導体層２５上に、すなわち第１領域７に、第１非絶縁領域４１ａを除いて第１絶縁層４１Ｘを形成する。また、透明電極層材料膜２８Ｚおよび金属電極層材料膜２９Ｚを介して第２導電型半導体層３５上に、すなわち第２領域８に、第２非絶縁領域４２ａを除いて第２絶縁層４２Ｘを形成する（絶縁層形成工程）。なお、第１絶縁層４１Ｘと第２絶縁層４２Ｘとは、互いに離間するように形成される。

例えば、スクリーン印刷またはグラビア印刷のようなプレス印刷、またはインクジェット印刷のような吐出印刷等のパターン印刷法を用いて、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料を印刷して焼成（硬化）することにより、第１絶縁層４１Ｘおよび第２絶縁層４２Ｘを形成する。

次に、図７Ｂに示すように、第１絶縁層４１Ｘの第１非絶縁領域４１ａに第１コンタクト電極５１Ｘを形成し、第２絶縁層４２Ｘの第２非絶縁領域４２ａに第２コンタクト電極５２Ｘを形成する（コンタクト電極形成工程）。例えば、スクリーン印刷またはグラビア印刷のようなプレス印刷、またはインクジェット印刷のような吐出印刷等のパターン印刷法を用いて、Ａｇ粒子、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料、すなわちＡｇペースト材料を印刷して焼成（硬化）することにより、第１コンタクト電極５１Ｘおよび第２コンタクト電極５２Ｘを形成する。

次に、図７Ｃに示すように、第１絶縁層４１Ｘおよび第１コンタクト電極５１Ｘ、および第２絶縁層４２Ｘおよび第２コンタクト電極５２Ｘをマスクとするエッチング法を用いて、金属電極層材料膜２９Ｚおよび透明電極層材料膜２８Ｚをパターニングすることにより、互いに分離された第１透明電極層２８Ｘおよび第２透明電極層３８Ｘ、および、互いに分離された第１金属電極層２９Ｘおよび第２金属電極層３９Ｘを形成する（電極層形成工程）。これにより、第１電極層２７Ｘおよび第２電極層３７Ｘが形成される。このとき、第１絶縁層４１Ｘおよび第２絶縁層４２Ｘを除去せずに残す。

図７Ｄは、図７Ａに示す太陽電池の製造工程における部分VIIDを拡大して示す図である。図７Ｄに示すように、この比較例１では、第１絶縁層４１Ｘ（および第２絶縁層４２Ｘ）のための印刷材料を焼成（硬化）する際に、印刷材料における樹脂材料が染み出してなる樹脂膜４１Ｚが、第１非絶縁領域４１ａ（および第２非絶縁領域４２ａ）における金属電極層材料膜２９Ｚの一部（例えば、凹凸構造（テクスチャ構造）の谷部）または全部を覆ってしまうことがある。すると、第１非絶縁領域４１ａに形成された第１コンタクト電極５１Ｘと第１金属電極層２９Ｘとの接触面積が小さくなり、抵抗が増大する（コンタクト性の低下）。また、第２非絶縁領域４２ａに形成された第２コンタクト電極５２Ｘと第２金属電極層３９Ｘとの接触面積が小さくなり、抵抗が増大する（コンタクト性の低下）。

（比較例２の太陽電池の製造方法）
次に、図８Ａ～図８Ｃを参照して、比較例２の太陽電池の製造方法における電極層２７Ｘ，３７Ｘの製造プロセスについて主に説明する。比較例２の電極層２７Ｘ，３７Ｘの製造プロセスでは、比較例１と比較して、絶縁層４１Ｘ，４２Ｘとコンタクト電極５１Ｘ，５２Ｘとの形成順序が反対である。すなわち、比較例２の電極層２７Ｘ，３７Ｘの製造プロセスでは、コンタクト電極５１Ｘ，５２Ｘを形成した後に、絶縁層４１Ｘ，４２Ｘを形成し、その後、絶縁層４１Ｘ，４２Ｘおよびコンタクト電極５１Ｘ，５２Ｘをマスクとして、電極層２７Ｘ，３７Ｘ、すなわち金属電極層２９Ｘ，３９Ｘおよび透明電極層２８Ｘ，３８Ｘ、のパターニングを行う。

図８Ａは、比較例２に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程、金属電極層材料膜形成工程およびコンタクト電極形成工程を示す図であり、図８Ｂは、比較例２に係る太陽電池の製造方法における絶縁層形成工程を示す図である。また、図８Ｃは、比較例２に係る太陽電池の製造方法における電極層形成工程、すなわち透明電極層形成工程および金属電極層形成工程を示す図である。図８Ａ～図８Ｃでも、半導体基板１１の裏面側を示し、半導体基板１１の表面側を省略する。

まず、図８Ａに示すように、上述同様に、例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５上にこれらに跨って一連の透明電極層材料膜２８Ｚを形成する（透明電極層材料膜形成工程）。次に、例えばスパッタリング等のＰＶＤ法、またはめっき法を用いて、透明電極層材料膜２８Ｚ上に、すなわち第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５に跨って一連の金属電極層材料膜２９Ｚを形成する（金属電極層材料膜形成工程）。

次に、後述する第１絶縁層４１Ｘの第１非絶縁領域４１ａに相当する領域に、第１コンタクト電極５１Ｘを形成する。また、第２絶縁層４２Ｘの第２非絶縁領域４２ａに相当する領域に、第２コンタクト電極５２Ｘを形成する（コンタクト電極形成工程）。例えば、上述同様に、スクリーン印刷またはグラビア印刷のようなプレス印刷、またはインクジェット印刷のような吐出印刷等のパターン印刷法を用いて、Ａｇ粒子、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料、すなわちＡｇペースト材料を印刷して焼成（硬化）することにより、第１コンタクト電極５１Ｘおよび第２コンタクト電極５２Ｘを形成する。

次に、図８Ｂに示すように、透明電極層材料膜２８Ｚおよび金属電極層材料膜２９Ｚを介して第１導電型半導体層２５上に、すなわち第１領域７に、第１非絶縁領域４１ａを除いて第１絶縁層４１Ｘを形成する。また、透明電極層材料膜２８Ｚおよび金属電極層材料膜２９Ｚを介して第２導電型半導体層３５上に、すなわち第２領域８に、第２非絶縁領域４２ａを除いて第２絶縁層４２Ｘを形成する（絶縁層形成工程）。なお、第１絶縁層４１Ｘと第２絶縁層４２Ｘとは、互いに離間するように形成される。

例えば、上述同様に、スクリーン印刷またはグラビア印刷のようなプレス印刷、またはインクジェット印刷のような吐出印刷等のパターン印刷法を用いて、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料を印刷して焼成（硬化）することにより、第１絶縁層４１Ｘおよび第２絶縁層４２Ｘを形成する。

次に、図８Ｃに示すように、上述同様に、第１絶縁層４１Ｘおよび第１コンタクト電極５１Ｘ、および第２絶縁層４２Ｘおよび第２コンタクト電極５２Ｘをマスクとするエッチング法を用いて、金属電極層材料膜２９Ｚおよび透明電極層材料膜２８Ｚをパターニングすることにより、互いに分離された第１透明電極層２８Ｘおよび第２透明電極層３８Ｘ、および、互いに分離された第１金属電極層２９Ｘおよび第２金属電極層３９Ｘを形成する（電極層形成工程）。これにより、第１電極層２７Ｘおよび第２電極層３７Ｘが形成される。このとき、第１絶縁層４１Ｘおよび第２絶縁層４２Ｘを除去せずに残す。

この比較例２では、図８Ｂに示すように、コンタクト電極周りの部分Ａが狭いため、この部分Ａに絶縁層４１Ｘ，４２Ｘが適切に形成されないことがある（製造プロセスの安定性の低下）。

これらの点に関し、本願発明者（ら）は、製造プロセスの簡略化および低コスト化を図っても、コンタクト電極と金属電極層とのコンタクト性の低下を低減することができ、また製造プロセスの安定性の低下を低減することができる太陽電池の製造方法を考案する。

（本実施形態の太陽電池の製造方法）
以下では、図３Ａ～図３Ｅを参照して、本実施形態に係る太陽電池の製造方法について説明する。図３Ａは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における半導体層形成工程を示す図であり、図３Ｂは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における電極層材料膜形成工程、すなわち透明電極層材料膜形成工程および金属電極層材料膜形成工程を示す図である。また、図３Ｃは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における絶縁層形成工程を示す図であり、図３Ｄは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における電極層形成工程、すなわち透明電極層形成工程および金属電極層形成工程を示す図である。また、図３Ｅは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるコンタクト電極形成工程を示す図である。図３Ａ～図３Ｅでは、半導体基板１１の裏面側を示し、半導体基板１１の表面側を省略する。

まず、図３Ａに示すように、半導体基板１１の裏面側の一部に、具体的には第１領域７に、パッシベーション層２３および第１導電型半導体層２５を形成する（半導体層形成工程）。例えば、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側の全てにパッシベーション層材料膜および第１導電型半導体層材料膜を製膜した後、フォトリソグラフィ技術または印刷技術を用いて生成するレジスト、またはメタルマスク、を利用したエッチング法を用いて、パッシベーション層２３および第１導電型半導体層２５をパターニングしてもよい。

なお、ｐ型半導体層材料膜に対するエッチング溶液としては、例えばオゾンを含有するフッ酸、または硝酸とフッ酸の混合液のような酸性溶液が挙げられ、ｎ型半導体層材料膜に対するエッチング溶液としては、例えば水酸化カリウム水溶液のようなアルカリ性溶液が挙げられる。

または、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側にパッシベーション層および第１導電型半導体層を積層する際に、マスクを用いて、パッシベーション層２３および第１導電型半導体層２５の製膜およびパターニングを同時に行ってもよい。

次に、半導体基板１１の裏面側の他の一部に、具体的には第２領域８に、パッシベーション層３３および第２導電型半導体層３５を形成する（半導体層形成工程）。例えば、上述同様に、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側の全てにパッシベーション層材料膜および第２導電型半導体層材料膜を製膜した後、フォトリソグラフィ技術または印刷技術を用いて生成するレジスト、またはメタルマスク、を利用したエッチング法を用いて、パッシベーション層３３および第２導電型半導体層３５をパターニングしてもよい。

または、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側にパッシベーション層および第２導電型半導体層を積層する際に、マスクを用いて、パッシベーション層３３および第２導電型半導体層３５の製膜およびパターニングを同時に行ってもよい。

なお、この半導体層形成工程において、半導体基板１１の受光面側の全面に、パッシベーション層１３を形成してもよい（図示省略）。

次に、図３Ｂに示すように、第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５上にこれらに跨って一連の透明電極層材料膜２８Ｚを形成する（透明電極層材料膜形成工程）。透明電極層材料膜２８Ｚの形成方法としては、例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法等が用いられる。

次に、透明電極層材料膜２８Ｚ上に、すなわち第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５に跨って一連の金属電極層材料膜２９Ｚを形成する（金属電極層材料膜形成工程）。金属電極層材料膜２９Ｚの形成方法としては、例えばスパッタリング等のＰＶＤ法、またはめっき法が用いられる。

次に、図３Ｃに示すように、透明電極層材料膜２８Ｚおよび金属電極層材料膜２９Ｚを介して第１導電型半導体層２５上に、すなわち第１領域７に、第１非絶縁領域４１ａを除いて第１絶縁層４１を形成する。また、透明電極層材料膜２８Ｚおよび金属電極層材料膜２９Ｚを介して第２導電型半導体層３５上に、すなわち第２領域８に、第２非絶縁領域４２ａを除いて第２絶縁層４２を形成する（絶縁層形成工程）。なお、第１絶縁層４１と第２絶縁層４２とは、互いに離間するように形成される。

第１絶縁層４１および第２絶縁層４２の形成方法としては、スクリーン印刷またはグラビア印刷のようなプレス印刷、またはインクジェット印刷のような吐出印刷等のパターン印刷法が挙げられる。

パターン印刷法では、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料を印刷して焼成（硬化）することにより、第１絶縁層４１Ｘおよび第２絶縁層４２Ｘを形成する。このとき、上述したように、印刷材料における樹脂材料が染み出してなる樹脂膜が、第１非絶縁領域４１ａおよび第２非絶縁領域４２ａにおける金属電極層材料膜２９Ｚの一部（例えば、凹凸構造（テクスチャ構造）の谷部）または全部を覆ってしまうことがある。

次に、図３Ｄに示すように、第１絶縁層４１および第２絶縁層４２をマスクとするエッチング法を用いて、第１絶縁層４１と第２絶縁層４２との間における、および第１非絶縁領域４１ａおよび第２非絶縁領域４２ａにおける、金属電極層材料膜２９Ｚの露出部分およびこの露出部分に対応する透明電極層材料膜２８Ｚを除去することにより、第１領域７にパターン化された第１透明電極層２８および第１金属電極層２９を形成し、第２領域８にパターン化された第２透明電極層３８および第２金属電極層３９を形成する（電極層形成工程：透明電極層形成工程および金属電極層形成工程）。これにより、第１電極層２７および第２電極層３７が形成される。このとき、第１絶縁層４１および第２絶縁層４２を除去せずに残す。

第１電極層２７では、第１非絶縁領域４１ａにおける金属電極層材料膜２９Ｚおよび透明電極層材料膜２８Ｚも除去される。また、第２電極層３７では、第２非絶縁領域４２ａにおける金属電極層材料膜２９Ｚおよび透明電極層材料膜２８Ｚも除去される。これにより、第１非絶縁領域４１ａおよび第２非絶縁領域４２ａにおける金属電極層材料膜２９Ｚを覆う上述した樹脂膜も除去される。これにより、上述した比較例１のように、樹脂膜に起因するコンタクト性の低下を低減することができる。

金属電極層材料膜２９Ｚおよび透明電極層材料膜２８Ｚの同時エッチングのエッチング溶液としては、過硫酸アンモニウム（過硫安）等の酸化剤と塩酸（ＨＣｌ）等の酸性溶液との混合溶液が挙げられる。これにより、第１非絶縁領域４１ａにおける第１導電型半導体層２５の表面が酸化し、酸化層２５ｏが形成される。また、第２非絶縁領域４２ａにおける第２導電型半導体層３５の表面が酸化し、酸化層３５ｏが形成される。

次に、図３Ｅに示すように、第１絶縁層４１の第１非絶縁領域４１ａに第１コンタクト電極５１を形成し、第２絶縁層４２の第２非絶縁領域４２ａに第２コンタクト電極５２を形成する（コンタクト電極形成工程）。これにより、第１コンタクト電極５１は、第１導電型半導体層２５の表面の酸化層２５ｏ、第１透明電極層２８の側面、第１金属電極層２９の側面および第１絶縁層４１の側面と接触する。また、第２コンタクト電極５２は、第２導電型半導体層３５の表面の酸化層３５ｏ、第２透明電極層３８の側面、第２金属電極層３９の側面および第２絶縁層の側面と接触する。

第１コンタクト電極５１および第２コンタクト電極５２の形成方法としては、スクリーン印刷またはグラビア印刷のようなプレス印刷、またはインクジェット印刷のような吐出印刷等のパターン印刷法が挙げられる。パターン印刷法では、Ａｇ粒子、樹脂材料および溶媒を含む印刷材料、すなわちＡｇペースト材料を印刷して焼成（硬化）することにより、第１コンタクト電極５１および第２コンタクト電極５２を形成する。

このように、流動性を有するペースト材料を用いることにより、第１非絶縁領域４１ａおよび第２非絶縁領域４２ａに印刷材料を適切に充填することができる。更に、第１絶縁層４１および第２絶縁層４２を形成した後に、第１コンタクト電極５１および第２コンタクト電極５２を形成することにより、上述した比較例２のように、絶縁層４１，４２が適切に形成されないような製造プロセスの安定性の低下を低減することができる。

その後、半導体基板１１の受光面側の全面に、光学調整層１５を形成する（図示省略）。以上の工程により、図１、図２Ａおよび図２Ｂに示す本実施形態の裏面電極型の太陽電池１が得られる。

以上説明したように、本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、配線部材９１，９２との絶縁を確保するための絶縁層４１，４２を、金属電極層２９，３９および透明電極層２８，３８のエッチングレジストとして兼用するので、金属電極層２９，３９および透明電極層２８，３８のエッチングレジストの形成および除去の工程を削減することができ、太陽電池の製造プロセスの簡易化および低コスト化が可能である。

また、本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、絶縁層４１，４２の形成後であって、コンタクト電極５１，５２の形成前に、金属電極層２９，３９および透明電極層２８，３８のエッチングを行う。これにより、非絶縁領域４１ａ，４２ａにおける染み出し樹脂膜を除去することができ、比較例１のように染み出し樹脂膜に起因するコンタクト性の低下を低減することができる。

また、本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、絶縁層４１，４２の形成後に、コンタクト電極５１，５２の形成を行うので、比較例２のように絶縁層４１，４２が適切に形成されないような製造プロセスの安定性の低下を低減することができる。

このように、製造プロセスの簡略化および低コスト化を図っても、コンタクト電極と金属電極層とのコンタクト性の低下を低減することができ、また製造プロセスの安定性の低下を低減することができる。

また、本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、金属電極層２９，３９の材料として、比較的に高価な公知のＡｇペーストに代えて、比較的に安価な金属、例えばＣｕ（例えば、スパッタリング等のＰＶＤ法を用いて製膜後、ウエットエッチング）を用いる。これにより、太陽電池の低コスト化が可能である。

（変形例１）
図４Ａおよび図４Ｂは、本実施形態の変形例１に係る太陽電池の断面図であって、図１におけるIIA－IIA線相当の断面図である。図４Ａおよび図４Ｂに示すように、第１絶縁層４１の第１非絶縁領域４１ａにおいて、第１金属電極層２９の側面および／または第１透明電極層２８の側面は、第１絶縁層４１の側面よりも減退していてもよい。換言すれば、第１コンタクト電極５１において、第１金属電極層２９の側面および／または第１透明電極層２８の側面に接する部分は、第１絶縁層４１の側面に接する部分よりも突出していてもよい。

なお、図４Ａに示すように、第１透明電極層２８の側面が第１金属電極層２９の側面よりも減退していてもよいし、図４Ｂに示すように、第１金属電極層２９の側面が第１透明電極層２８の側面よりも減退していてもよい。

同様に、第２絶縁層４２の第２非絶縁領域４２ａにおいて、第２金属電極層３９の側面および／または第２透明電極層３８の側面は、第２絶縁層４２の側面よりも減退していてもよい。換言すれば、第２コンタクト電極５２において、第２金属電極層３９の側面および／または第２透明電極層３８の側面に接する部分は、第２絶縁層４２の側面に接する部分よりも突出していてもよい。

なお、同様に、第２透明電極層３８の側面が第２金属電極層３９の側面よりも減退していてもよいし、第２金属電極層３９の側面が第２透明電極層３８の側面よりも減退していてもよい。

これによれば、アンカー効果により、第１コンタクト電極５１と第１金属電極層２９の側面および／または第１透明電極層２８の側面とのコンタクト性の信頼性、および、第２コンタクト電極５２と第２金属電極層３９の側面および／または第２透明電極層３８の側面とのコンタクト性の信頼性を向上することができる。

（変形例２）
図５Ａは、本実施形態の変形例２に係る太陽電池の裏面側の第１絶縁層の第１非絶縁領域の拡大図である。図５Ａに示すように、第１絶縁層４１の第１非絶縁領域４１ａにおいて、第１コンタクト電極５１は、第１領域７の延在方向（Ｙ方向）に延在する複数の帯形状を含んでいてもよく、第１透明電極層２８、第１金属電極層２９および第１絶縁層４１は、複数の帯形状以外の部分に存在していてもよい。

同様に、第２絶縁層４２の第２非絶縁領域４２ａにおいて、第２コンタクト電極５２は、第２領域８の延在方向（Ｙ方向）に延在する複数の帯形状を含んでいてもよく、第２透明電極層３８、第２金属電極層３９および第２絶縁層４２は、複数の帯形状以外の部分に存在していてもよい。

これにより、第１非絶縁領域４１ａにおいて、第１金属電極層２９の側面の総長および第１透明電極層２８の側面の総長は、第１非絶縁領域４１ａの周囲長よりも長くなる。これにより、第１コンタクト電極５１と第１金属電極層２９の側面および第１透明電極層２８の側面との接触面積を増加することができ、第１コンタクト電極５１と第１金属電極層２９の側面および第１透明電極層２８の側面とのコンタクト性をより向上することができる。

また、第１非絶縁領域４１ａにおいて、第１コンタクト電極５１は、第１領域７の延在方向（Ｙ方向）に連続して延在しており、また、第１透明電極層２８および第１金属電極層２９も、第１領域７の延在方向（Ｙ方向）に連続して延在している。これにより、第１透明電極層２８および第１金属電極層２９、並びに第１コンタクト電極５１の全体のＹ方向のライン抵抗を低減することができる。

同様に、第２非絶縁領域４２ａにおいて、第２金属電極層３９の側面の総長および第２透明電極層３８の側面の総長は、第２非絶縁領域４２ａの周囲長よりも長くなる。これにより、第２コンタクト電極５２と第２金属電極層３９の側面および第２透明電極層３８の側面との接触面積を増加することができ、第２コンタクト電極５２と第２金属電極層３９の側面および第２透明電極層３８の側面とのコンタクト性をより向上することができる。

また、同様に、第２非絶縁領域４２ａにおいて、第２コンタクト電極５２は、第２領域８の延在方向（Ｙ方向）に連続して延在しており、また、第２透明電極層３８および第２金属電極層３９も、第２領域８の延在方向（Ｙ方向）に連続して延在している。これにより、第２透明電極層３８および第２金属電極層３９、並びに第２コンタクト電極５２の全体のＹ方向のライン抵抗を低減することができる。

（変形例３）
図５Ｂは、本実施形態の変形例３に係る太陽電池の裏面側の第１絶縁層の第１非絶縁領域の拡大図である。図５Ｂに示すように、第１絶縁層４１の第１非絶縁領域４１ａにおいて、第１コンタクト電極５１は、第１領域７の面（ＸＹ平面）において放射状に延在する複数の帯形状を含んでいてもよく、第１透明電極層２８、第１金属電極層２９および第１絶縁層４１は、複数の帯形状以外の部分に存在していてもよい。

同様に、第２絶縁層４２の第２非絶縁領域４２ａにおいて、第２コンタクト電極５２は、第２領域８の面（ＸＹ平面）において放射状に延在する複数の帯形状を含んでいてもよく、第２透明電極層３８、第２金属電極層３９および第２絶縁層４２は、複数の帯形状以外の部分に存在していてもよい。

また、上述同様に、第１透明電極層２８および第１金属電極層２９、並びに第１コンタクト電極５１の全体のＹ方向のライン抵抗を低減することができる。

また、上述同様に、第２透明電極層３８および第２金属電極層３９、並びに第２コンタクト電極５２の全体のＹ方向のライン抵抗を低減することができる。

（変形例４）
図５Ｃは、本実施形態の変形例４に係る太陽電池の裏面側の第１絶縁層の第１非絶縁領域の拡大図である。図５Ｃに示すように、第１絶縁層４１の第１非絶縁領域４１ａにおいて、第１コンタクト電極５１は、第１領域７の面（ＸＹ平面）において格子状に延在する複数の帯形状を含んでいてもよく、第１透明電極層２８、第１金属電極層２９および第１絶縁層４１は、複数の帯形状以外の部分に存在していてもよい。

同様に、第２絶縁層４２の第２非絶縁領域４２ａにおいて、第２コンタクト電極５２は、第２領域８の面（ＸＹ平面）において格子状に延在する複数の帯形状を含んでいてもよく、第２透明電極層３８、第２金属電極層３９および第２絶縁層４２は、複数の帯形状以外の部分に存在していてもよい。

（変形例５）
図５Ｄは、本実施形態の変形例５に係る太陽電池の裏面側の第１絶縁層の第１非絶縁領域の拡大図である。図５Ｄに示すように、第１絶縁層４１の第１非絶縁領域４１ａにおいて、第１コンタクト電極５１は、海島構造における複数の島形状であってもよく、第１透明電極層２８、第１金属電極層２９および第１絶縁層４１は、海島構造における海形状に存在していてもよい。

同様に、第２絶縁層４２の第２非絶縁領域４２ａにおいて、第２コンタクト電極５２は、海島構造における複数の島形状であってもよく、第２透明電極層３８、第２金属電極層３９および第２絶縁層４２は、海島構造における海形状に存在していてもよい。

また、上述同様に、第１透明電極層２８および第１金属電極層２９、並びに第１コンタクト電極５１の全体のＹ方向のライン抵抗を低減することができる。また、第１コンタクト電極５１と第１金属電極層２９の側面および第１透明電極層２８の側面とのコンタクト箇所が分散することにより、高温・高湿環境下の信頼性試験において、一部のコンタクト箇所のコンタクト不良などが生じた際にも全体の抵抗上昇を抑制することができ、信頼性を向上することができる。

また、上述同様に、第２透明電極層３８および第２金属電極層３９、並びに第２コンタクト電極５２の全体のＹ方向のライン抵抗を低減することができる。また、第２コンタクト電極５２と第２金属電極層３９の側面および第２透明電極層３８の側面とのコンタクト箇所が分散することにより、高温・高湿環境下の信頼性試験において、一部のコンタクト箇所のコンタクト不良などが生じた際にも全体の抵抗上昇を抑制することができ、信頼性を向上することができる。

（変形例６）
図５Ｅは、本実施形態の変形例６に係る太陽電池の裏面側の第１絶縁層の第１非絶縁領域の拡大図である。図５Ｅに示すように、第１絶縁層４１の第１非絶縁領域４１ａにおいて、第１コンタクト電極５１は、海島構造における複数の海形状であってもよく、第１透明電極層２８、第１金属電極層２９および第１絶縁層４１は、海島構造における島形状に存在していてもよい。

同様に、第２絶縁層４２の第２非絶縁領域４２ａにおいて、第２コンタクト電極５２は、海島構造における複数の海形状を含んでいてもよく、第２透明電極層３８、第２金属電極層３９および第２絶縁層４２は、海島構造における島形状に存在していてもよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、種々の変更および変形が可能である。例えば、上述した実施形態では、結晶シリコン材料を用いた太陽電池１を例示したが、これに限定されない。例えば、太陽電池の材料としては、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の種々の材料が用いられてもよい。

また、上述した実施形態では、図２に示すようにヘテロ接合型の太陽電池１を例示した。しかし、本発明はこれに限定されず、ホモ接合型の太陽電池等の種々の太陽電池セルにも適用可能である。

１，１Ｘ太陽電池
７第１領域
８第２領域
１１半導体基板
１３，２３，３３パッシベーション層
１５光学調整層
２５第１導電型半導体層
２７，２７Ｘ第１電極層
２８，２８Ｘ第１透明電極層
２８Ｚ透明電極層材料膜
２９，２９Ｘ第１金属電極層
２９Ｚ金属電極層材料膜
３５第２導電型半導体層
３７，３７Ｘ第２電極層
３８，３８Ｘ第２透明電極層
３９，３９Ｘ第２金属電極層
４１，４１Ｘ第１絶縁層
４１Ｚ樹脂膜
４１ａ第１非絶縁領域
４２，４２Ｘ第２絶縁層
４２ａ第２非絶縁領域
５１，５１Ｘ第１コンタクト電極
５２，５２Ｘ第２コンタクト電極
９１第１配線部材
９２第２配線部材
Ｘ１第１直線
Ｘ２第２直線

Claims

半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側の一部である第１領域に順に積層された第１導電型半導体層、第１透明電極層および第１金属電極層と、前記半導体基板の前記一方主面側の他の一部である第２領域に順に積層された第２導電型半導体層、第２透明電極層および第２金属電極層を備える裏面電極型の太陽電池であって、
前記第１金属電極層を第１非絶縁領域を除いて全体的に覆うように前記第１領域に形成された第１絶縁層と、
前記第２金属電極層を第２非絶縁領域を除いて全体的に覆うように前記第２領域に形成された第２絶縁層と、
前記第１非絶縁領域に形成された第１コンタクト電極と、
前記第２非絶縁領域に形成された第２コンタクト電極と、
を備え、
前記第１非絶縁領域には、前記第１透明電極層および前記第１金属電極層が形成されておらず、
前記第２非絶縁領域には、前記第２透明電極層および前記第２金属電極層が形成されておらず、
前記第１コンタクト電極は、前記第１透明電極層の側面、前記第１金属電極層の側面および前記第１絶縁層の側面と接しており、
前記第２コンタクト電極は、前記第２透明電極層の側面、前記第２金属電極層の側面および前記第２絶縁層の側面と接している、
太陽電池。
前記第１非絶縁領域において、前記第１金属電極層の側面または前記第１透明電極層の側面は、前記第１絶縁層の側面よりも減退しており、
前記第２非絶縁領域において、前記第２金属電極層の側面または前記第２透明電極層の側面は、前記第２絶縁層の側面よりも減退している、
請求項１に記載の太陽電池。
前記第１非絶縁領域において、前記第１導電型半導体層の表面は酸化しており、
前記第２非絶縁領域において、前記第２導電型半導体層の表面は酸化しており、
前記第１コンタクト電極は、前記第１導電型半導体層の表面の酸化層に接しており、
前記第２コンタクト電極は、前記第２導電型半導体層の表面の酸化層に接している、
請求項１または２に記載の太陽電池。
前記第１非絶縁領域の平面視において、前記第１金属電極層の側面の総長および前記第１透明電極層の側面の総長は、前記第１非絶縁領域の周囲長よりも長く、
前記第２非絶縁領域の平面視において、前記第２金属電極層の側面の総長および前記第２透明電極層の側面の総長は、前記第２非絶縁領域の周囲長よりも長い、
請求項１～３のいずれか１項に記載の太陽電池。
前記第１非絶縁領域において、
前記第１コンタクト電極は、前記第１領域の延在方向にそれぞれ延在し、前記第１領域の延在方向に交差する方向に配列された複数の帯形状を含み、
前記第１透明電極層、前記第１金属電極層および前記第１絶縁層は、前記複数の帯形状以外の部分に存在し、
前記第２非絶縁領域において、
前記第２コンタクト電極は、前記第２領域の延在方向にそれぞれ延在し、前記第２領域の延在方向に交差する方向に配列された複数の帯形状を含み、
前記第２透明電極層、前記第２金属電極層および前記第２絶縁層は、前記複数の帯形状以外の部分に存在する、
請求項４に記載の太陽電池。
前記第１非絶縁領域において、
前記第１コンタクト電極は、前記第１領域の面において放射状に延在する複数の帯形状を含み、
前記第１透明電極層、前記第１金属電極層および前記第１絶縁層は、前記複数の帯形状以外の部分に存在し、
前記第２非絶縁領域において、
前記第２コンタクト電極は、前記第２領域の面において放射状に延在する複数の帯形状を含み、
前記第２透明電極層、前記第２金属電極層および前記第２絶縁層は、前記複数の帯形状以外の部分に存在する、
請求項４に記載の太陽電池。
前記第１非絶縁領域において、
前記第１コンタクト電極は、前記第１領域の面において格子状に延在する複数の帯形状を含み、
前記第１透明電極層、前記第１金属電極層および前記第１絶縁層は、前記複数の帯形状以外の部分に存在し、
前記第２非絶縁領域において、
前記第２コンタクト電極は、前記第２領域の面において格子状に延在する複数の帯形状を含み、
前記第２透明電極層、前記第２金属電極層および前記第２絶縁層は、前記複数の帯形状以外の部分に存在する、
請求項４に記載の太陽電池。
前記第１非絶縁領域において、
前記第１コンタクト電極は、海島構造における複数の島形状であり、
前記第１透明電極層、前記第１金属電極層および前記第１絶縁層は、前記海島構造における海形状に存在し、
前記第２非絶縁領域において、
前記第２コンタクト電極は、海島構造における複数の島形状であり、
前記第２透明電極層、前記第２金属電極層および前記第２絶縁層は、前記海島構造における海形状に存在する、
請求項４に記載の太陽電池。
前記第１非絶縁領域において、
前記第１コンタクト電極は、海島構造における海形状であり、
前記第１透明電極層、前記第１金属電極層および前記第１絶縁層は、前記海島構造における複数の島形状に存在し、
前記第２非絶縁領域において、
前記第２コンタクト電極は、海島構造における海形状であり、
前記第２透明電極層、前記第２金属電極層および前記第２絶縁層は、前記海島構造における複数の島形状に存在する、
請求項４に記載の太陽電池。
半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側の一部である第１領域に順に積層された第１導電型半導体層、第１透明電極層および第１金属電極層と、前記半導体基板の前記一方主面側の他の一部である第２領域に順に積層された第２導電型半導体層、第２透明電極層および第２金属電極層を備える裏面電極型の太陽電池の製造方法であって、
前記半導体基板の前記一方主面側における前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層の上に、一連の透明電極層材料膜を形成する透明電極層材料膜形成工程と、
前記透明電極層材料膜の上に、一連の金属電極層材料膜を形成する金属電極層材料膜形成工程と、
前記第１領域における前記金属電極層材料膜を第１非絶縁領域を除いて全体的に覆う第１絶縁層、および、前記第２領域における前記金属電極層材料膜を第２非絶縁領域を除いて全体的に覆う第２絶縁層であって、互いに離間する前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記第１絶縁層および前記第２絶縁層をマスクとするエッチング法を用いて、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間における、および前記第１非絶縁領域および前記第２非絶縁領域における、前記金属電極層材料膜の露出部分およびこの露出部分に対応する前記透明電極層材料膜を除去することにより、前記第１領域にパターン化された前記第１透明電極層および前記第１金属電極層を形成し、前記第２領域にパターン化された前記第２透明電極層および前記第２金属電極層を形成し、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を除去せずに残す透明電極層および金属電極層形成工程と、
前記第１非絶縁領域に、前記第１透明電極層の側面、前記第１金属電極層の側面および前記第１絶縁層の側面と接するように第１コンタクト電極を形成し、前記第２非絶縁領域に、前記第２透明電極層の側面、前記第２金属電極層の側面および前記第２絶縁層の側面と接するように第２コンタクト電極を形成するコンタクト電極形成工程と、
を含む、
太陽電池の製造方法。