JP7448561B2 - 表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

表示パネル及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7448561B2
JP7448561B2 JP2021563680A JP2021563680A JP7448561B2 JP 7448561 B2 JP7448561 B2 JP 7448561B2 JP 2021563680 A JP2021563680 A JP 2021563680A JP 2021563680 A JP2021563680 A JP 2021563680A JP 7448561 B2 JP7448561 B2 JP 7448561B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
substrate
light guide
adhesive layer
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021563680A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023506339A (ja
Inventor
▲凱▼ 隋
▲倩▼ ▲ジン▼
金祥 薛
▲維▼ 黄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of JP2023506339A publication Critical patent/JP2023506339A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7448561B2 publication Critical patent/JP7448561B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133354Arrangements for aligning or assembling substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/0035Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
    • G02B6/00362-D arrangement of prisms, protrusions, indentations or roughened surfaces
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0065Manufacturing aspects; Material aspects
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0075Arrangements of multiple light guides
    • G02B6/0076Stacked arrangements of multiple light guides of the same or different cross-sectional area
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133614Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/07Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 buffer layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Description

本開示の実施例は、表示技術の分野に関し、特に表示パネル及びその製造方法に関するものである。
量子ドット発光ダイオード(QuantumDotLight Emitting Diode、QLEDと略称する)表示パネルは、有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode、OLEDと略称する)表示パネルに代わることができる新しい技術である。QLED表示パネルは、広色域、高輝度、色鮮やか、低コスト、高安定性などの利点がある。
本開示の実施例は、表示パネル及びその製造方法を提供する。
本開示の一態様によると、表示パネルに関する。前記表示パネルは、表示基板と、対向基板と、前記表示基板と前記対向基板との間に配置され、且つ互いに積層して設けられた第1接着層および導光層と、を含む。前記第1接着層は、光硬化性材料層を硬化することにより形成された光硬化層を含む。前記導光層は、硬化時に前記光硬化性材料層に光を取り込んで前記光硬化層を形成するために使用される。
本開示の例示的な実施例において、前記導光層は、複数の開口を含む。前記導光層の各開口は、前記表示パネルの発光領域のうちの対応する発光領域にそれぞれ配置される。
本開示の例示的な実施例において、前記導光層の開口には、透明樹脂又は前記第1接着層の材料が充填される。前記透明樹脂および前記第1接着層の材料の屈折率は、前記導光層の屈折率より小さい。
本開示の例示的な実施例において、前記導光層の前記第1接着層から離れた表面は、窪みと突起のうちの少なくとも一方を有する。
本開示の例示的な実施例において、前記表示パネルは、前記導光層の前記第1接着層から離れた側に配置された第2接着層をさらに含む。前記第2接着層および前記第1接着層の屈折率は、前記導光層の屈折率より小さい。
本開示の例示的な実施例において、前記表示パネルは、前記導光層と前記第1接着層との間に配置された第1クラッド層と、前記導光層と前記第2接着層との間に配置された第2クラッド層と、を含む。前記第1クラッド層の屈折率は、前記第1接着層の屈折率より小さく、前記第2クラッド層の屈折率は、前記第2接着層の屈折率より小さい。
本開示の例示的な実施例において、前記導光層は、前記第1接着層の前記表示基板に向かう側に配置される。
本開示の例示的な実施例において、前記導光層は、前記第1接着層の前記対向基板に向かう側に配置される。
本開示の例示的な実施例において、前記第1クラッド層および前記第2クラッド層の材料は、エポキシ樹脂、ポリメチルメタクリレートまたはシリカゲルを含む。
本開示の例示的な実施例において、前記導光層の材料は、アクリル、ポリスチレン、エチレン-プロピレン共重合体、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン系樹脂、ポリイミド系樹脂またはゴム系樹脂を含む。
本開示の例示的な実施例において、前記第1接着層の材料は、紫外光硬化性材料を含む。
本開示の例示的な実施例において、前記紫外光硬化性材料は、ギ酸エチルまたはカルボン酸塩を含む。
本開示の例示的な実施例において、前記対向基板は、第1基板と、前記第1基板の前記表示基板に向かう側に配置され、前記表示パネルの発光領域を規定するためのブラックマトリックスと、前記第1基板の前記表示基板に向かう側に配置され且つ前記発光領域に配置されたカラーレジストと、を含む。
本開示の例示的な実施例において、前記発光領域は、第1サブ発光領域、第2サブ発光領域、および第3サブ発光領域を含む。前記カラーレジストは、前記第1サブ発光領域に配置された赤色カラーレジスト、前記第2サブ発光領域に配置された緑色カラーレジスト、および前記第3サブ発光領域に配置された青色カラーレジストを含む。前記赤色カラーレジストは、前記第1基板に配置された赤色フィルムと前記赤色フィルムに配置された赤色量子ドット層とを含む。前記緑色カラーレジストは、前記第1基板に配置された緑色フィルムと前記緑色フィルムに配置された緑色量子ドット層とを含む。前記青色カラーレジストは、前記第1基板に配置された青色フィルムと前記青色フィルムに配置された散乱粒子層とを含む。
本開示の例示的な実施例において、前記表示基板は、第2基板と、前記第2基板の前記対向基板に向かう側に配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに配置された画素定義層と、を含み、前記画素定義層は、開口を有する。前記画素定義層の各開口は、前記発光領域のうちの対応する発光領域に配置される。前記表示基板は、前記薄膜トランジスタに配置され且つ前記画素定義層の各開口に配置された第1発光素子と、前記画素定義層および前記第1発光素子に配置された封止層と、をさらに含む。
本開示の例示的な実施例において、前記表示基板は、対向して設けられた第3基板および第4基板と、前記第3基板と前記第4基板との間に配置された液晶層と、前記第3基板の前記液晶層に向かう側に配置された第1配向層と、前記第4基板の前記液晶層に向かう側に配置された第2配向層と、前記第3基板と前記第1配向層との間に配置され且つ前記表示パネルの前記発光領域に配置された画素電極と、前記第3基板と前記画素電極との間に配置された薄膜トランジスタと、前記第3基板と前記画素電極との間に配置された誘電体層と、前記第3基板と前記誘電体層との間に配置された共通電極と、または、前記第4基板と前記第2配向層との間に配置された共通電極と、を含む。
本開示の別の態様によると、表示パネルを製造する方法に関する。前記方法は、表示基板と対向基板を準備することと、前記表示基板または前記対向基板には、導光層と、光硬化性材料を含む第1接着層とのうちの一方を設けることと、前記表示基板または前記対向基板には、前記導光層と前記第1接着層とのうちの他方を設けることと、前記表示基板と前記対向基板とを接合することにより、前記導光層と前記第1接着層が前記表示基板と前記対向基板との間に位置し、且つ互いに積層することと、前記導光層の側面から光を前記導光層内に取り込むことにより、前記第1接着層に含まれる前記光硬化性材料を硬化することで、光硬化層を形成することと、を含む。前記側面は、前記表示パネルの表示側と平行で且つ対向して設けられた前記導光層の第1面と第2面との間に位置する。
本開示の例示的な実施例において、前記表示基板または前記対向基板には、導光層と、光硬化性材料を含む第1接着層とのうちの一方を設けること及び前記表示基板または前記対向基板には、前記導光層と前記第1接着層とのうちの他方を設けることは、前記表示基板には、導光層を設けることと、前記導光層には、光硬化性材料を含む第1接着層を設けることと、を含む。
本開示の例示的な実施例において、前記表示基板または前記対向基板には、導光層と、光硬化性材料を含む第1接着層とのうちの一方を設けることは、前記表示基板には、光硬化性材料を含む第1接着層を設けることを含む。前記表示基板または前記対向基板には、前記導光層と前記第1接着層とのうちの他方を設けることは、前記対向基板には、導光層を設けることを含む。
本開示の例示的な実施例において、前記導光層は、開口を含む。前記導光層の各開口は、前記表示パネルの発光領域のうちの対応する発光領域にそれぞれ配置される。
本開示の例示的な実施例において、前記方法は、前記導光層を設ける前に、前記導光層の開口に透明樹脂または前記第1接着層の材料を充填することをさらに含む。前記透明樹脂および前記第1接着層の材料の屈折率は、前記導光層の屈折率より小さい。
本開示の例示的な実施例において、前記導光層の前記第1接着層から離れた表面は、窪みと突起のうちの少なくとも一方を有する。
本開示の例示的な実施例において、前記方法は、前記導光層を設ける前に、前記表示基板または前記対向基板には、第2接着層を設けることをさらに含む。前記第1接着層および前記第2接着層の屈折率は、前記導光層の屈折率より小さい。
本開示の例示的な実施例において、前記方法は、前記導光層を設ける前に、前記導光層の両側に第1クラッド層と第2クラッド層をそれぞれ形成することをさらに含む。
ここで、前記導光層は、前記第1クラッド層が前記導光層と前記第1接着層との間に位置し、前記第2クラッド層が前記導光層と前記第2接着層との間に位置するように配置される。前記第1クラッド層の屈折率は、前記第1接着層の屈折率より小さく、前記第2クラッド層の屈折率は、前記第2接着層の屈折率より小さい。
適応性の更なる態様および範囲は、本明細書に記載された説明から明らかになる。本出願の各態様が、単独で、または1つ以上の他の態様と組み合わせて実施できることを理解すべきである。また、本明細書での説明および特定の実施例が、説明のみを目的としており、本出願の範囲を限定することを意図していないことを理解すべきである。
本明細書で説明された図面は、選択された実施例のみを説明する目的のためのものであり、すべての実現可能な実施形態ではなく、且つ本出願の範囲を限定することを意図していない。
薄膜封止法を用いて得られたOLED表示パネルの横断面構造を示す概略図である。 接合方法を用いて得られたOLED表示パネルの横断面構造を示す概略図及び平面構造を示す概略図である。 接合方法を用いて得られたOLED表示パネルの横断面構造を示す概略図及び平面構造を示す概略図である。 接合方法を用いて得られたOLED表示パネルの横断面構造を示す概略図である。 接合方法を用いて得られたOLED表示パネルの横断面構造を示す概略図である。 本開示の実施例による表示パネルの横断面構造を示す概略図である。 本開示の実施例による表示パネルの横断面構造を示す概略図である。 本開示の実施例による導光層の平面を示す概略図である。 本開示の実施例による窪みを有する導光層の断面構造を示す概略図である。 本開示の実施例による突起を有する導光層の断面構造を示す概略図である。 本開示の実施例による表示パネルの部分構造を示す断面構造の概略図である。 本開示の実施例による表示パネルの横断面構造を示す概略図である。 本開示の実施例による表示パネルの横断面構造を示す概略図である。 本開示の実施例による表示パネルを製造する方法のフローチャートである。 本開示の実施例による表示パネルを製造する方法の断面構造を示す概略図である。 本開示の実施例による表示パネルを製造する方法の断面構造を示す概略図である。 本開示の実施例による表示パネルを製造する方法の断面構造を示す概略図である。 本開示の実施例による表示パネルを製造する方法の断面構造を示す概略図である。 本開示の実施例による表示パネルを製造する方法の断面構造を示す概略図である。 本開示の実施例による表示パネルを製造する方法の断面構造を示す概略図である。 本開示の実施例による表示パネルを製造する方法の断面構造を示す概略図である。
これらの図面全体を参照して、対応する参照番号は、対応する部品または特徴を示す。
まず、文脈においてさらに明示的に指摘されない限り、本明細書および添付の特許請求の範囲において使用された用語の単数形は複数形を含み、逆もまた然りである。したがって、単数形が言及された場合、通常、対応する用語の複数形を含む。類似に、「含有する」および「含む」という用語は、排他的ではなく包括的として解釈される。同様に、「含む」および「または」は、本明細書において別段の記載がない限り、包括的として解釈されるべきである。本明細書で「実例」という用語が使用される場合、特にそれが一連の用語の後に続く場合、前記「実例」は、例示的かつ説明的なものにすぎず、排他的または広範的と見なされるべきではない。
なお、本出願の要素及びその実施例を説明する場合、「1」、「1つ」、「当該」及び「前記」という冠詞は、1つまたは複数の要素が存在することを意図していると説明する必要がある。特に明記されていない限り、「複数」は2つ以上を意味する。「含有する」、「含む」、「包含する」および「有する」という用語は、包括的であることを意図し、且つ記載された要素以外の他の要素が存在し得ることを意味する。「第1」、「第2」、「第3」などの用語は、説明のみに使用され、相対的な重要性および形成順序を示したり示唆したりするものとして理解できない。
また、図面では、各層の厚さ及び領域を明瞭にするために誇張して記載している。層、領域、またはコンポーネントが他の部分の「上」に配置されることが言及された場合、他の部分に直接に配置されることを意味するか、またはその間に他のコンポーネントが介在し得ることを理解すべきである。逆に、あるコンポーネントが他のコンポーネントの上に「直接に」配置される場合、その間に他のコンポーネントが介在しないことを意味する。
本開示で説明されたフローチャートは、一例にすぎない。本開示の精神から逸脱しない場合、当該フローチャートまたは説明されたステップの多くの変形が存在することができる。例えば、前記ステップは、異なる順序で行われてもよく、またはステップを追加、削除、または変更することができる。これらの変形は、保護が要求される態様の一部であると考えられる。
図面を参照して、例示的な実施例をより完全に説明する。
現在、OLED表示パネルの光源は、主に青色OLEDまたは青色発光ダイオード(Light Emitting Diode、LEDと略称する)を採用し、直径の異なる赤色及び緑色量子ドットに青色バックライトを照射することにより、表示を実現する。OLED表示パネルの封止は、薄膜封止法または薄膜トランジスタ(ThinFilmTransistor、TFTと略称する)基板を被覆基板に接合する方法により実現されることができる。
図1は、薄膜封止法を用いて得られたOLED表示パネルの横断面構造を示す概略図である。薄膜封止法を用いて封止する場合、薄膜封止層104を形成した後、カラーフィルタ108、110または112及びブラックマトリックス106を形成するための水洗浄プロセスをさらに実施する必要がある。当該水洗浄プロセスは、薄膜封止層104とOLED発光素子103の発光層を損傷し、この結果、製品の歩留まりを低下させる。
図2a及び図2bは、接合方法を用いて得られたOLED表示パネルの横断面構造を示す概略図及び平面構造を示す概略図である。TFT基板10を被覆基板20に接合する方法を用いて封止する場合、薄膜封止層104とOLED発光素子103の発光層とを含むTFT基板10と、カラーフィルタ108、110または112とブラックマトリックス106とを含む被覆基板20とが分離して形成されるので、カラーフィルタ108、110または112とブラックマトリックス106は、TFT基板10の薄膜封止層104およびOLED発光素子103の発光層を損傷することなく形成される。また、当該接合方法を用いて封止する場合、TFT基板10と被覆基板20との間に、ダム(DAM)ゴム205とダムゴム205で囲まれた領域内にある充填ゴム105(図2bに示すように)をさらに設けることにより、水酸素を遮断する必要がある。ダムゴム205及び充填ゴム105を用いることで、TFT基板10及び被覆基板20を支持することができ、この結果、TFT基板10と被覆基板20との接合時の圧力による発光層又はTFTへの損傷を防止することができる。
上記の接合方法では、通常、充填ゴムをさらに硬化させる必要があるが、当該硬化には潜在的な問題がある。具体的に、紫外(UV)光を使用して充填ゴムを硬化させる場合、UV光を被覆基板20側から取り込んで充填ゴム105を硬化させると(図3aに示すように)、量子ドット層107、109における量子ドット材料が、UV光に対して強い光吸収効果を有するので、UV光が、充填ゴム105に到達することができず、ひいては硬化させることができず、UV光をTFT基板10側から取り込んで充填ゴム105を硬化させると(図3bに示すように)、UV光が、TFT101の性能を不利に劣化させ、TFT101のソース/ドレイン1011/1012または発光素子103のアノードが、UV光に対して反射効果を有するので、UV光が、充填ゴム105に到達することができず、ひいては充填ゴム105が硬化しにくくなる。熱硬化法を用いて充填ゴムを硬化させる場合,現在、封止に用いられた充填ゴムの硬化温度は、通常100℃より大きく、当該温度より低いと、硬化された充填ゴムは、不安定になり、この結果、封止効果に深刻な影響を与える。しかしながら、硬化温度が高くなると、OLED発光素子及び量子ドット材料の発光効率を大幅に低下させる。
本開示の実施例は、表示パネル及びその製造方法を提供し、表示パネルの製造過程において、光硬化性材料層を効果的に硬化することが保証される場合、表示パネルの他の素子を損傷することなく、この結果、良好な封止効果を提供するだけでなく、表示パネルに悪影響を与えないことができる。
図4は、本開示の実施例による表示パネルの横断面構造を示す概略図である。図4に示すように、表示パネル1は、表示基板10と、対向基板20と、表示基板10と対向基板20との間に配置され、且つ互いに積層して設けられた第1接着層105および導光層201と、を含む。
本開示の実施例において、第1接着層105は、例えば表示パネルの製造過程において光硬化性材料層105a(例えば、上記のような充填ゴム)を硬化することにより形成された光硬化層105bを含む。本開示の実施例によれば、導光層の存在により、第1接着層の光硬化性材料を硬化する間に、光が導光層201の側面から導光層201に取り込まれ、導光層201を介して表示基板と対向基板との間の接合界面に沿って光硬化性材料層105aに伝播して硬化させることで、光硬化層105bが得られ、この結果、表示基板10と対向基板20との間の接合が実現される。
また、表示基板10と対向基板20とを接合する間に、光が表示パネルの他の層を通過することなく、表示パネルの側面から導光層を介して第1接着層の光硬化性材料層に直接に取り込まれるので、光硬化処理が表示パネルにおける他の層に悪影響を与えることはなく、例えば、表示基板10における薄膜トランジスタ101の電気的性能を劣化させない。なお、硬化するための光が表示パネルの側面から取り込まれるので、光硬化性材料層に伝播する前に表示基板10及び対向基板20の構造によって吸収又は反射されて減衰することはない。
本開示の例示的な実施例において、導光層201の材料は、アクリル、ポリスチレン、エチレン-プロピレン共重合体、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン系樹脂、ポリイミド系樹脂またはゴム系樹脂を含んでもよい。
本開示の実施例において、第1接着層105は、紫外光硬化性材料を含んでもよい。例として、紫外光硬化性材料は、ギ酸エチル、アクリレートまたはカルボン酸塩を含んでもよい。本開示の実施例では、必要に応じて、敏感波長が紫外光とは異なる光硬化性材料を用いることもできることを理解すべきである。
本開示の例示的な実施例において、導光層は、複数の開口を含んでもよい。導光層の各開口は、表示パネルの発光領域のうちの対応する発光領域にそれぞれ配置される。
図5aは、本開示の実施例による表示パネルの横断面構造を示す概略図である。図5bは、本開示の実施例による導光層の平面を示す概略図である。図5aと図5bを参照すると、導光層201は、開口202を含んでもよい。本開示の実施例において、各開口202は、表示パネル1の発光領域Aのうちの対応する発光領域にそれぞれ配置される。
本開示の実施例において、開口202を設けることにより、導光層201が、表示時に表示基板10における発光素子103から放出される光の伝搬方向に影響を与えない。つまり、開口部202は、発光素子103によって放出された光が、隣接する発光領域A内での発光に影響を与えることなく、各発光領域Aを伝播することを可能にし、これによって、各発光領域A間の色クロストークを回避して表示効果を向上させる。
本開示の例示的な実施例において、導光層の第1接着層から離れた表面は、窪みと突起のうちの少なくとも一方を有する。
図6aは、本開示の実施例による窪みを有する導光層の断面構造を示す概略図である。なお、図6aの構造は、図4の構造における導光層を基本とする。
図6aに示すように、導光層201の第1接着層105から離れた表面2011は、窪み21を有する。本開示の実施例において、表示パネルを製造する間に、当該窪み21は、導光層201内を伝播する光を導光層201の光硬化性材料層105aに近い表面2012から出射させることができ、これにより、光硬化性材料層105aを硬化させて光硬化層105bを形成する。例えば、図6aでは、光(1)及び光(2)は、導光層201内での伝播期間に窪み21に入射した後、表面2012から出射される。一方、光(3)が窪み21に入射しないので、光を前方に伝播し続けることができる。
図6bは、本開示の実施例による突起を有する導光層の断面構造を示す概略図である。なお、図6bの構造は、図4の構造における導光層を基本とする。
図6bに示すように、導光層201の第1接着層105から離れた表面2011は、突起22を有する。図6aと同様に、図6bでは、当該突起22は、光を導光層201の光硬化性材料層105aに近い表面2012から出射させることができ、これにより、光硬化性材料層105aを硬化させて光硬化層105bを形成する。図6bに関する他の説明は、図6aと同様であり、ここでは説明を省略する。
なお、本開示の実施例において、図4に示された導光層201が開口を有しない場合、導光層201に突起22を設けることにより、表示時に異なる発光領域間の色移りを回避することもできる。具体的に、発光領域A内の突起22は、さらに、表示基板10における第1発光素子103から放出される光を収束させることができ、この結果、突起22が配置された発光領域Aにこの光を閉じ込めることができる。
本開示の例示的な実施例において、光硬化性材料層105aを効果的に硬化させるために、図5aの構造における導光層201は、図6a及び図6bに示された窪み21と突起22のうちの少なくとも一方を有してもよい。窪み21と突起22に関する説明について、図6a及び図6bを参照し、ここでは説明を省略する。上記の導光層に関する実施例のいずれかに加えて、表示パネルは、導光層の第1接着層から離れた側に配置された第2接着層をさらに含んでもよい。
例えば、表示パネル1は、導光層201を表示基板10と対向基板20のうちの一方に接着するために、導光層201の第1接着層105から離れた側に配置された第2接着層200をさらに含んでもよい。
本開示の実施例において、第2接着層200は、同様に、光硬化性材料層を硬化することにより形成された光硬化層を含んでもよい。第2接着層200は、第1接着層105と同じまたは異なる材料を使用できる。
また、本開示の実施例において、第2接着層200は、非光硬化性の光学的透明ゴムを含み得る。この場合、第1接着層105の厚さは、第2接着層200の厚さより小さい。
例として、第1接着層105の厚さは、6μm~50μmであり、第2接着層200の厚さは、50μm~300μmである。例えば、第2接着層200の厚さは、100μmである。
図4は、第2接着層200によって導光層201を対向基板20に接着する様子を示し、図8は、第2接着層200によって導光層201を表示基板20に接着する様子を示している。
本開示の例示的な実施例において、第2接着層200の材料は、有機シリコンゴム、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂またはエポキシ樹脂を含んでもよい。
本開示の例示的な実施例において、第2接着層200の屈折率は、導光層201の屈折率より小さい。本開示の例示的な実施例において、光硬化性材料層105aの屈折率は、導光層201の屈折率より小さい。したがって、表示パネルを製造する間に、当該屈折率の関係により、側面から導光層201に入射した光が、全反射して導光層201を伝播し、光が光硬化性材料層105a全体に到達するのに有利であり、この結果、光硬化層105bに硬化させ、より良い接合効果を実現する。
本開示の例示的な実施例において、導光層201の屈折率の範囲は、1.5~2.0であってもよい。例として、導光層201の屈折率は、1.84であってもよい。
本開示の例示的な実施例において、光硬化性材料層105aの屈折率(即ち、第1接着層105の硬化前の材料の屈折率)の範囲は、1.42~1.51であってもよい。例として、光硬化性材料層105aの屈折率は、1.50であってもよい。
本開示の例示的な実施例において、光硬化層105b(即ち、第1接着層105)の屈折率の範囲は、1.45~1.68であってもよい。例として、第1接着層105の屈折率は、1.53であってもよい。
本開示の例示的な実施例において、第2接着層200の屈折率の範囲は、1.35~1.59であってもよい。例として、第2接着層200の屈折率は、1.50であってもよい。
本開示の例示的な実施例において、導光層201が開口202を有する場合、導光層201の開口202には、透明樹脂又は第1接着層105の材料が充填されることができる。本開示の例示的な実施例において、例として、透明樹脂の屈折率は、導光層201の屈折率より小さい。したがって、表示パネルを製造する過程において、当該屈折率の関係により、光が、導光層201と開口202内の透明樹脂との間の界面または導光層201と開口202内の第1接着層105の材料との間の界面において反射され(例えば、全反射され)、この結果、光が導光層201を伝播するのに有利である。具体的に、反射された光が導光層201と開口202との間の界面に伝播した場合、光の一部は、当該界面から射出され、光の一部は、当該界面によって導光層201に反射されて導光層201を伝播し続ける。前記射出された光は、第1接着層105の材料を硬化するために使用されることができる。前記反射された光は、導光層201における突起22または窪み21(存在すれば)に当たると、突起22または窪み21によって反射され導光層201から放出され、この結果、第1接着層105の材料を硬化させる。本開示の例示的な実施例において、透明樹脂の材料は、エポキシ樹脂系材料を含んでもよい。本開示の例示的な実施例において、透明樹脂の屈折率は、約1.51であってもよい。
本開示の実施例において、図4を参照すると、導光層201と光硬化性材料層105a(即ち、第1接着層105の硬化前の材料状態)及び第2接着層200との屈折率の差が小さい場合、接合する過程において光の伝播を導光層内に制限させるのに不利であり、この結果、光源から遠く離れた光硬化性材料層105aの硬化に不利であり、第1接着層105の接着効果に影響を与える。
これに加えて、光の伝播を可能な限り導光層内に制限するために、本開示の実施例によれば、表示パネルは、導光層と光硬化性材料層との間に配置された第1クラッド層と、導光層と第2接着層との間に配置された第2クラッド層と、をさらに含んでもよい。
図7は、本開示の実施例による表示パネルの部分構造を示す断面構造の概略図である。図7に示すように、表示パネル1は、導光層201と第1接着層105との間に配置された第1クラッド層203と、導光層201と第2接着層200との間に配置された第2クラッド層204と、をさらに含んでもよい。
本開示の例示的な実施例において、第1クラッド層203の屈折率は、第1接着層105の屈折率より小さく、第2クラッド層204の屈折率は、第2接着層200の屈折率より小さい。
なお、上記からわかるように、第1接着層105が硬化される前の材料、即ち、光硬化性材料層105aの屈折率も、第1クラッド層203の屈折率より大きい。
図7の構成と第1クラッド層203及び第2クラッド層204が設けられていない構造(例えば、図4の構造)とを比較して、第1クラッド層203及び第2クラッド層204と導光層201との屈折率の差は、光硬化性材料層105a及び第2接着層200と導光層201との屈折率の差より大きい。したがって、第1クラッド層203と導光層201との間の界面及び第2クラッド層204と導光層201との間の界面において光の全反射が容易に実現され、導光層201内の光の伝播に有利であり、この結果、光源から遠く離れた光硬化性材料層105aも十分に硬化されることができ、接合効果が改善される。
本開示の例示的な実施例において、第1クラッド層203及び第2クラッド層204の材料は、エポキシ樹脂、ポリメチルメタクリレートまたはシリカゲルを含んでもよい。
本開示の例示的な実施例において、第1クラッド層203及び第2クラッド層204の屈折率の範囲は、1.05~1.5であってもよい。例として、第1クラッド層203及び第2クラッド層204の屈折率は、1.38であってもよい。
本開示の例示的な実施例において、第1クラッド層203及び第2クラッド層204の厚さの範囲は、10~100μmであってもよい。例として、第1クラッド層203及び第2クラッド層204の厚さは、20μmであってもよい。
本開示の例示的な実施例において、導光層201の厚さの範囲は、50~200μmであってもよい。例として、導光層201の厚さは、100μmであってもよい。
上記導光層を含む実施例のいずれかの構成に対しても、第1クラッド層203及び第2クラッド層204を適用できることを理解すべきであり、ここでは説明を省略する。
本開示の例示的な実施例において、一態様によると、導光層は、第1接着層の対向基板に向かう側に配置されてもよい。
例えば、図4を参照すると、導光層201は、第1接着層105の対向基板20に向かう側に配置される。
本開示の例示的な実施例において、別の態様によると、導光層は、第1接着層の表示基板に向かう側に配置されてもよい。
例えば、図8を参照すると、導光層201は、第1接着層105の表示基板10に向かう側に配置される。
本開示の例示的な実施例において、図8を参照すると、対向基板20は、第1基板113と、第1基板113の表示基板10に向かう側に配置され、表示パネルの発光領域Aを規定するためのブラックマトリックス106と、第1基板113の表示基板10に向かう側に配置され且つ発光領域Aに配置されたカラーレジストと、を含んでもよい。
本開示の例示的な実施例において、図8を続けて参照すると、発光領域Aは、第1サブ発光領域A1、第2サブ発光領域A2、および第3サブ発光領域A3を含んでもよい。本開示の例示的な実施例において、カラーレジストは、第1サブ発光領域A1に配置された赤色カラーレジスト、第2サブ発光領域A2に配置された緑色カラーレジスト、および第3サブ発光領域A3に配置された青色カラーレジストを含んでもよい。例として、赤色カラーレジストは、第1基板113に配置された赤色フィルム108と赤色フィルム108に配置された赤色量子ドット層107とを含んでもよい。例として、緑色カラーレジストは、第1基板113に配置された緑色フィルム110と緑色フィルム110に配置された緑色量子ドット層109とを含んでもよい。例として、青色カラーレジストは、第1基板113に配置された青色フィルム113と青色フィルム112に配置された散乱粒子層111とを含んでもよい。
表示パネルによる表示時に、表示基板における発光素子103は、例えば青色光を放出できることを理解すべきである。当該青色光が赤色量子ドット層107、緑色量子ドット層109、及び散乱粒子層111に照射されると、それぞれ赤色光、緑色光、及び青色光が得られ、カラー表示に用いられることができる。
本開示の例示的な実施例において、表示基板10は、OLEDなどの発光素子を含む表示基板であってもよい。
具体的に、図8を続けて参照すると、表示基板10は、第2基板100と、第2基板100の対向基板20に向かう側に配置された薄膜トランジスタ101と、薄膜トランジスタ100に配置され、発光領域Aのうちの対応する発光領域に配置された開口1021を有する画素定義層102と、薄膜トランジスタ101に配置され且つ画素定義層102の各開口1021に配置された第1発光素子103と、画素定義層102および第1発光素子103に配置された封止層104と、を含んでもよい。
薄膜トランジスタが1層として示されているが、当該層101が第1発光素子103を駆動するための複数の薄膜トランジスタを含むことができることを理解すべきである。例として、薄膜トランジスタは、ゲート、ゲート絶縁層、アクティブ層、ソース/ドレイン電極層を含んでもよい。
図8では、第1発光素子103(例えば、OLED)の具体的な構造が示されていないが、第1発光素子103がアノード層、発光層、及びカソード層を含むことができることを理解すべきである。例として、第1発光素子103は、例えば青色光を放出できる。
本開示の例示的な実施例において、別の態様によると、表示基板10は、LEDを用いて発光し、且つ液晶に基づく表示基板であってもよい。
具体的に、図9を参照すると、表示基板10’は、対向して設けられた第3基板302および第4基板309と、第3基板302と第4基板309との間に配置された液晶層305と、第3基板302の液晶層305に向かう側に配置された第1配向層303と、第4基板309の液晶層305に向かう側に配置された第2配向層306と、第3基板302と第1配向層303との間に配置され且つ表示パネル1の発光領域Aに配置された画素電極304と、第3基板302と画素電極304との間に配置された薄膜トランジスタ(図示せず)と、第4基板309と第2配向層306との間に配置された共通電極307と、を含んでもよい。本開示の例示的な実施例において、共通電極307は、第3基板302と画素電極304との間に配置されてもよく(当該位置関係を図示せず)、この場合、表示基板は、画素電極と共通電極との間に配置された誘電体層を含んでもよい。
本開示の例示的な実施例において、表示基板10’は、第3基板302の第1配向層303から離れた側に配置された第1偏光子301と第1偏光子301の第3基板302から離れた側に配置された第2発光素子300とを含んでもよい。例として、第2発光素子300は、LEDであってもよい。例として、当該第2発光素子300は、青色光を放出できる。
本開示の例示的な実施例において、対向基板20は、第1基板113の表示基板10’から離れた側に配置された第2偏光子310を含んでもよい。
本開示の実施例において、表示パネルを製造する方法をさらに提供し、光硬化性材料層を効果的に硬化することが保証される場合、表示パネルの他の素子を損傷することなく、この結果、良好な封止効果を提供するだけでなく、表示パネルに悪影響を与えないことができる。
図10は、本開示の実施例による表示パネルを製造する方法のフローチャートである。図10に示すように、本開示の実施例において、表示パネルを製造する方法は、ステップS101~ステップS105を含む。
以下、図11~図16を参照して本開示の実施例による表示パネルを製造する方法を説明する。
図11を参照すると、ステップS101において、表示基板10と対向基板20を準備する。
ステップS102とステップS103において、導光層と第1接着層のうちの一方を形成し、導光層と第1接着層のうちの他方を形成する。
例として、図12aを参照すると、ステップS102とステップS103は、表示基板10には、光硬化性材料を含む第1接着層105を設けることと、対向基板20には、導光層201を設けることと、を含んでもよい。なお、当該実施例において、第1接着層105の材料は、硬化前の状態にあり、即ち、上記実施例における光硬化性材料層105aとして表すことができる。
別の例として、図12bを参照すると、ステップS102とステップS103は、表示基板10には、導光層201を設けることと、対向基板20には、第1接着層105を設けることと、を含んでもよい。
なお、図12a及び図12bに示すように、導光層201を設ける前に、導光層201を表示基板10または対向基板20に接着するために、表示基板10または対向基板20には、第2接着層200を設ける必要がある。
なお、本開示の実施例による導光層201は、個別に製造されてもよい。本開示の実施例において、例えば貼り付けることにより、表示基板10または対向基板20には、導光層201を形成することができる。当該実施例における導光層201の構造、材料、厚さなどに関する説明について、図4~図9に関連して説明された実施例を参照できることを理解すべきであり、ここでは説明を省略する。
また、図7を参照すると、導光層201を設ける前に、導光層201の両側に第1クラッド層203と第2クラッド層204をそれぞれ形成する。本開示の実施例において、導光層201は、第1クラッド層203が導光層201と第1接着層105との間に位置し、第2クラッド層204が導光層201と第2接着204との間に位置するように配置される。本開示の例示的な実施例において、第1クラッド層203の屈折率は、第1接着層105の屈折率より小さく、第2クラッド層204の屈折率は、第2接着層200の屈折率より小さい。なお、第1クラッド層203及び第2クラッド層204に関する他の説明について、図7に関連して説明された実施例を参照でき、ここでは説明を省略する。
なお、当該実施例における接着層105の材料、厚さなどに関する説明について、図4~図9に関連して説明された実施例における光硬化性材料層105aを参照できることを理解すべきであり、ここでは説明を省略する。
ステップS104において、表示基板と対向基板とを接合する。
具体的に、図12aまたは図12bをもとに、表示基板10と対向基板20とを接合することにより、導光層201と第1接着層105が表示基板10と対向基板20との間に位置し、且つ互いに積層し、これにより、図4または図8に示されたような構造が得られる。
ステップS105において、光を導光層内に取り込む。
例えば、図4の構造に基づいてステップS105を説明する。具体的に、図13に示すように、導光層201の側面2013から光を導光層201内に取り込むことにより、第1接着層に含まれる光硬化性材料層105aを硬化することで、光硬化層105bを形成する。本開示の例示的な実施例において、当該側面2013は、表示パネル1の表示側(例えば、対向基板20の表示基板10から離れた側)と平行で且つ対向して設けられた導光層201の第1面2011と第2面2012との間に位置する。別の例として、側面2014から光を導光層201内に取り込んでもよい。
本開示の実施例において、当該光は、光硬化性材料層105aを硬化させて光硬化層105bを得ることで、表示基板10における薄膜トランジスタの性能に影響を与えず、且つ対向基板20における量子ドット材料の発光効率に影響を与えない。
本開示の例示的な実施例において、上記光は、例えば紫外光を含んでもよい。
本開示の例示的な実施例において、光硬化性材料層の材料は、紫外光硬化性材料を含んでもよい。
なお、図8の構造に基づくステップS105の説明は、上記の図4の構造に基づく説明と同様であり、ここでは説明を省略する。
以下、ステップS101に含まれる表示基板と対向基板を準備する具体的な方法を説明する。
まず、図14を参照して対向基板を準備する具体的な方法を説明する。
本開示の例示的な実施例において、図14を参照すると、対向基板20を準備することは、第1基板113を準備することと、第1基板113上にブラックマトリックス材料層を形成することと、ブラックマトリックス材料層をパターニングすることにより、表示パネルの発光領域Aを規定するブラックマトリックス106を形成することと、第1基板113には、発光領域A内にカラーレジストを形成することと、を含む。
本開示の例示的な実施例において、図14を続けて参照すると、発光領域Aは、第1サブ発光領域A1、第2サブ発光領域A2、及び第3サブ発光領域A3を含んでもよい。
本開示の例示的な実施例において、カラーレジストを形成することは、第1サブ発光領域A1内に赤色カラーレジストを形成することと、第2サブ発光領域A2内に緑色カラーレジストを形成することと、第3サブ発光領域A3内に青色カラーレジストを形成することと、を含んでもよい。
具体的に、図14を参照すると、本開示の例示的な実施例において、赤色カラーレジストを形成することは、第1基板113上に赤色フィルム108を形成することと、赤色フィルム108上に赤色量子ドット層107を形成することと、を含んでもよい。本開示の例示的な実施例において、緑色カラーレジストを形成することは、第1基板113上に緑色フィルム110を形成することと、緑色フィルム110上に緑色量子ドット層109を形成することと、を含んでもよい。本開示の例示的な実施例において、青色カラーレジストを形成することは、第1基板113上に青色フィルム112を形成することと、青色フィルム112上に散乱粒子層111を形成することと、を含んでもよい。なお、本開示の表示パネルは青色バックライトを使用できるので、青色フィルム112上に散乱粒子層111を形成する。当業者は、バックライトによって放出される光の色に基づいて、量子ドット層または散乱粒子層の形成を決定することができる。
表示パネルによる表示時に、表示パネルの光源は、青色光を放出することを理解すべきである。当該青色光が赤色量子ドット層107、緑色量子ドット層109、及び散乱粒子層111に照射されると、それぞれ赤色光、緑色光、及び青色光が得られ、カラー表示に用いられることができる。
次に、表示基板を準備する方法を説明する。
一方、図15を参照して、OLEDの発光素子を含む表示基板を準備する方法を説明する。
本開示の例示的な実施例において、図15を参照すると、表示基板10を準備する方法は、第2基板100を準備することと、第2基板100上に薄膜トランジスタ101を形成することと、薄膜トランジスタ101上に画素定義材料層を形成することと、画素定義材料層をパターニングすることにより、画素定義材料層に開口1021を形成することで、表示パネルの発光領域Aのうちの対応する発光領域に配置された開口1021を有する画素定義層102を形成することと、薄膜トランジスタ101において、画素定義層102の各開口1021に第1発光素子103を形成することと、画素定義層102及び第1発光素子103に封止層104を形成することと、を含んでもよい。
薄膜トランジスタが1層として示されているが、当該層101が第1発光素子103を駆動するための複数の薄膜トランジスタを含むことができることを理解すべきである。例として、薄膜トランジスタを形成することは、ゲート、ゲート絶縁層、アクティブ層、ソース/ドレイン電極層を順次に形成することを含んでもよい。
例えばOLEDの第1発光素子103を形成することは、アノード層、発光層、及びカソード層を順次に形成することを含んでもよい。例として、第1発光素子103は、例えば青色光を放出できる。
一方、図16を参照して、LEDの発光素子を含む表示基板を準備する方法を説明する。
本開示の例示的な実施例において、図16を参照すると、表示基板10’を準備することは、第3基板302を準備することと、第3基板302上に薄膜トランジスタ(図示せず)を形成することと、第3基板302及び薄膜トランジスタ上に画素電極材料層を形成することと、画素電極材料層をパターニングすることにより、表示パネルの発光領域Aに配置された画素電極304を形成することと、画素電極304上に第1配向層303を形成することと、を含んでもよい。
本開示の例示的な実施例において、表示基板10’を準備することは、第3基板302の第1配向層304から離れた表面に第1偏光子301を形成することと、第1偏光子301上に第2発光素子300を形成することと、をさらに含んでもよい。
本開示の例示的な実施例において、表示基板10’を準備することは、第4基板309を準備することと、第4基板309上に第2配向層306を形成することと、をさらに含んでもよい。
本開示の例示的な実施例において、例として、表示基板10’を準備することは、第2配向層306を形成する前に、図16に示すように第4基板309上に共通電極層307を形成することをさらに含んでもよい。別の例として、薄膜トランジスタを形成する前に、第3基板302上に共通電極層を形成し、共通電極層上に誘電体層を形成してもよく、この例が図面には示されていないが、この例が本開示の実施例によって保護される一部であることを理解すべきである。
本開示の例示的な実施例において、表示基板10’を準備することは、第3基板302と第4基板309とを接合することにより、第1配向層303、薄膜トランジスタ、画素電極304、共通電極307、及び第2配向層306が第3基板302と第4基板309との間に位置することと、第2配向層306と画素電極304及び第1配向層303との間に液晶を設けることと、をさらに含んでもよい。これにより、図9に示された表示基板10’が得られる。
なお、表示基板が図9に示された表示基板10’である場合、図9を参照すると、対向基板20を準備することは、第1基板113の表示基板10’から離れた側に第2偏光子310を形成することをさらに含んでもよい。
以上、説明および例示の目的で、実施例に関する説明を行なった。かかる説明は、網羅的または本願を制限することを意図していない。特定の実施例の各要素または特徴は、一般的に特定の実施例に限定されるものではないが、適切な場合には、具体的に示されていなくても、または記載されていなくても、これらの要素および特徴は、交換可能であり、且つ選択された実施例で使用されることができる。同様に、様々な態様で変更することができる。このような変更は、本願から逸脱したと見なすことはできず、これらのすべての変更は、本願の範囲内に含まれるものとする。
1 表示パネル
10 TFT基板、表示基板
10’ 表示基板
20 被覆基板、対向基板
21 窪み
22 突起
101 TFT、薄膜トランジスタ
102 画素定義層
103 OLED発光素子
104 薄膜封止層
105 充填ゴム、第1接着層
105a 光硬化性材料層
105b 光硬化層
106 ブラックマトリックス
107 赤色量子ドット層
108 赤色フィルム
109 緑色量子ドット層
110 緑色フィルム
111 散乱粒子層
112 青色フィルム
113 第1基板
200 第2接着層、第2基板
201 導光層
202 開口
203 第1クラッド層
204 第2クラッド層
205 ダムゴム
300 第2発光素子
301 第1偏光子
302 第3基板
303 第1配向層
304 画素電極
305 液晶層
306 第2配向層
307 共通電極
309 第4基板
310 第2偏光子
1011 ソース
1012 ドレイン
1021 開口

Claims (22)

  1. 表示基板と、
    対向基板と、
    前記表示基板と前記対向基板との間に配置され、且つ互いに積層して設けられた第1接着層および導光層と、
    を含む、表示パネルであって、
    ここで、前記第1接着層は、前記導光層の側面から前記導光層に取り込まれる光によって硬化される光硬化層を含み、
    前記導光層は、複数の開口を含み、前記導光層の各開口は、前記表示パネルの発光領域のうちの対応する発光領域にそれぞれ配置される、
    表示パネル。
  2. 前記導光層の開口には、透明樹脂又は前記第1接着層の材料が充填され、
    ここで、前記透明樹脂および前記第1接着層の材料の屈折率は、前記導光層の屈折率より小さい、
    請求項1に記載の表示パネル。
  3. 前記導光層の前記第1接着層から離れた表面は、窪みと突起のうちの少なくとも一方を有する請求項1に記載の表示パネル。
  4. 前記導光層の前記第1接着層から離れた側に配置された第2接着層をさらに含み、
    ここで、前記第2接着層および前記第1接着層の屈折率は、前記導光層の屈折率より小さい、
    請求項1から3のいずれか1項に記載の表示パネル。
  5. 前記導光層と前記第1接着層との間に配置された第1クラッド層と、
    前記導光層と前記第2接着層との間に配置された第2クラッド層と、
    をさらに含み、
    ここで、前記第1クラッド層の屈折率は、前記第1接着層の屈折率より小さく、前記第2クラッド層の屈折率は、前記第2接着層の屈折率より小さい、
    請求項4に記載の表示パネル。
  6. 前記導光層は、前記第1接着層の前記表示基板に向かう側に配置される請求項1に記載の表示パネル。
  7. 前記導光層は、前記第1接着層の前記対向基板に向かう側に配置される請求項1に記載の表示パネル。
  8. 前記第1クラッド層および前記第2クラッド層の材料は、エポキシ樹脂、ポリメチルメタクリレートまたはシリカゲルを含む請求項5に記載の表示パネル。
  9. 前記導光層の材料は、アクリル、ポリスチレン、エチレン-プロピレン共重合体、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン系樹脂、ポリイミド系樹脂またはゴム系樹脂を含む請求項1に記載の表示パネル。
  10. 前記第1接着層の材料は、紫外光硬化性材料を含む請求項1に記載の表示パネル。
  11. 前記紫外光硬化性材料は、ギ酸エチルまたはカルボン酸塩を含む請求項10に記載の表示パネル。
  12. 前記対向基板は、
    第1基板と、
    前記第1基板の前記表示基板に向かう側に配置され、前記表示パネルの発光領域を規定するためのブラックマトリックスと、
    前記第1基板の前記表示基板に向かう側に配置され且つ前記発光領域に配置されたカラーレジストと、
    を含む、
    請求項1に記載の表示パネル。
  13. 前記発光領域は、第1サブ発光領域、第2サブ発光領域、および第3サブ発光領域を含み、
    前記カラーレジストは、前記第1サブ発光領域に配置された赤色カラーレジスト、前記第2サブ発光領域に配置された緑色カラーレジスト、および前記第3サブ発光領域に配置された青色カラーレジストを含み、
    ここで、前記赤色カラーレジストは、前記第1基板に配置された赤色フィルムと前記赤色フィルムに配置された赤色量子ドット層とを含み、
    前記緑色カラーレジストは、前記第1基板に配置された緑色フィルムと前記緑色フィルムに配置された緑色量子ドット層とを含み、
    前記青色カラーレジストは、前記第1基板に配置された青色フィルムと前記青色フィルムに配置された散乱粒子層とを含む、
    請求項12に記載の表示パネル。
  14. 前記表示基板は、
    第2基板と、
    前記第2基板の前記対向基板に向かう側に配置された薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタに配置され、前記発光領域のうちの対応する発光領域に配置された開口を有する画素定義層と、
    前記薄膜トランジスタに配置され且つ前記画素定義層の各開口に配置された第1発光素子と、
    前記画素定義層および前記第1発光素子に配置された封止層と、
    を含む、
    請求項12に記載の表示パネル。
  15. 前記表示基板は、
    対向して設けられた第3基板および第4基板と、
    前記第3基板と前記第4基板との間に配置された液晶層と、
    前記第3基板の前記液晶層に向かう側に配置された第1配向層と、
    前記第4基板の前記液晶層に向かう側に配置された第2配向層と、
    前記第3基板と前記第1配向層との間に配置され且つ前記表示パネルの前記発光領域に配置された画素電極と、
    前記第3基板と前記画素電極との間に配置された薄膜トランジスタと、
    前記第3基板と前記画素電極との間に配置された誘電体層と、
    第2電極と前記誘電体層との間に配置された共通電極と、
    または、
    前記第4基板と前記第2配向層との間に配置された共通電極と、
    を含む、
    請求項12に記載の表示パネル。
  16. 表示基板と対向基板を準備することと、
    前記表示基板または前記対向基板には、導光層と、光硬化性材料を含む第1接着層とのうちの一方を設けることと、
    前記表示基板または前記対向基板には、前記導光層と前記第1接着層とのうちの他方を設けることと、
    前記表示基板と前記対向基板とを接合することにより、前記導光層と前記第1接着層が前記表示基板と前記対向基板との間に位置し、且つ互いに積層することと、
    前記導光層の側面から光を前記導光層内に取り込むことにより、前記第1接着層に含まれる前記光硬化性材料を硬化することで、光硬化層を形成することと、
    を含む、表示パネルを製造する方法であって、
    ここで、前記表示パネルは、前記表示基板と、前記対向基板と、前記導光層と、前記第1接着層と、を含み、前記側面は、前記表示パネルの表示側と平行で且つ対向して設けられた前記導光層の第1面と第2面との間に位置し、
    前記導光層は、複数の開口を含み、前記導光層の各開口は、前記表示パネルの発光領域のうちの対応する発光領域にそれぞれ配置される、
    表示パネルを製造する方法。
  17. 前記表示基板または前記対向基板には、導光層と、光硬化性材料を含む第1接着層とのうちの一方を設けること及び前記表示基板または前記対向基板には、前記導光層と前記第1接着層とのうちの他方を設けることは、
    前記表示基板には、導光層を設けることと、
    前記導光層には、光硬化性材料を含む第1接着層を設けることと、
    を含む、
    請求項16に記載の方法。
  18. 前記表示基板または前記対向基板には、導光層と、光硬化性材料を含む第1接着層とのうちの一方を設けることは、前記表示基板には、光硬化性材料を含む第1接着層を設けることを含み、
    前記表示基板または前記対向基板には、前記導光層と前記第1接着層とのうちの他方を設けることは、前記対向基板には、導光層を設けることを含む、
    請求項16に記載の方法。
  19. 前記導光層を設けた後に、前記導光層の開口に透明樹脂または前記第1接着層の材料を充填することをさらに含み、
    ここで、前記透明樹脂および前記第1接着層の材料の屈折率は、前記導光層の屈折率より小さい、
    請求項16に記載の方法。
  20. 前記導光層の前記第1接着層から離れた表面は、窪みと突起のうちの少なくとも一方を有する請求項16に記載の方法。
  21. 前記導光層を設ける前に、前記表示基板または前記対向基板には、第2接着層を設けることをさらに含み、
    ここで、前記第1接着層および前記第2接着層の屈折率は、前記導光層の屈折率より小さい、
    請求項16に記載の方法。
  22. 前記導光層を設ける前に、前記導光層の両側に第1クラッド層と第2クラッド層をそれぞれ形成することをさらに含み、
    ここで、前記導光層は、前記第1クラッド層が前記導光層と前記第1接着層との間に位置し、前記第2クラッド層が前記導光層と前記第2接着層との間に位置するように配置され、
    前記第1クラッド層の屈折率は、前記第1接着層の屈折率より小さく、前記第2クラッド層の屈折率は、前記第2接着層の屈折率より小さい、
    請求項21に記載の方法。
JP2021563680A 2019-10-17 2019-10-17 表示パネル及びその製造方法 Active JP7448561B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2019/111722 WO2021072707A1 (zh) 2019-10-17 2019-10-17 显示面板及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023506339A JP2023506339A (ja) 2023-02-16
JP7448561B2 true JP7448561B2 (ja) 2024-03-12

Family

ID=75537407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021563680A Active JP7448561B2 (ja) 2019-10-17 2019-10-17 表示パネル及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11860461B2 (ja)
EP (1) EP4002002A4 (ja)
JP (1) JP7448561B2 (ja)
KR (1) KR20220083638A (ja)
CN (1) CN113168045B (ja)
WO (1) WO2021072707A1 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004342236A (ja) 2003-05-16 2004-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学記録媒体の製造方法および光学記録媒体
JP2009193884A (ja) 2008-02-15 2009-08-27 Seiko Instruments Inc 照明装置及びこれを用いた表示装置
CN102999226A (zh) 2011-09-12 2013-03-27 宸鸿科技(厦门)有限公司 反射式触控显示器及其制造方法
JP2015013472A (ja) 2013-06-05 2015-01-22 三菱化学株式会社 積層体
US20150355485A1 (en) 2014-06-05 2015-12-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel and method for manufacturing the same
JP2016094530A (ja) 2014-11-14 2016-05-26 セメダイン株式会社 表示パネル積層体の製造方法
WO2016204166A1 (ja) 2015-06-15 2016-12-22 シャープ株式会社 波長変換方式発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器
US20180157090A1 (en) 2016-12-02 2018-06-07 Samsung Display Co. Ltd. Mold frame, display device including the same and method of assembling the display device

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01153918A (ja) 1987-12-11 1989-06-16 Kagaku Gijutsucho Kokuritsu Bosai Kagaku Gijutsu Center 光ファイバー式地震計
JP3710368B2 (ja) * 2000-09-25 2005-10-26 シャープ株式会社 積層フィルムの製造方法
CN1761983A (zh) * 2003-01-30 2006-04-19 触摸传感器技术有限责任公司 集成的小型轮廓的显示器
KR101720722B1 (ko) * 2010-04-05 2017-04-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2012042803A1 (ja) * 2010-09-28 2012-04-05 シャープ株式会社 液晶表示装置
WO2012042822A1 (ja) * 2010-10-01 2012-04-05 シャープ株式会社 フレキシブルディスプレイ及びその製造方法
JP5710302B2 (ja) * 2011-02-09 2015-04-30 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN103853372A (zh) * 2012-12-06 2014-06-11 联胜(中国)科技有限公司 触摸显示装置与触摸显示装置的操作方法
CN105493168B (zh) 2013-08-30 2018-10-12 松下知识产权经营株式会社 显示装置及其制造方法
KR101529934B1 (ko) * 2014-07-01 2015-06-18 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
JP6716870B2 (ja) * 2015-07-14 2020-07-01 大日本印刷株式会社 量子ドットシート、バックライト及び液晶表示装置
CN105445994B (zh) * 2015-12-16 2019-06-28 青岛海信电器股份有限公司 一种光源模块、背光模组及显示装置
KR102468361B1 (ko) * 2016-03-22 2022-11-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시장치의 제조 방법
CN106154636A (zh) * 2016-09-23 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示面板及其制作方法、显示装置
JP6790899B2 (ja) * 2017-02-17 2020-11-25 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール
CN109557699A (zh) * 2017-09-25 2019-04-02 中华映管股份有限公司 液晶显示器及其制造方法
JP6923814B2 (ja) * 2018-03-26 2021-08-25 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
CN108845454B (zh) * 2018-06-25 2020-11-03 福州大学 基于双面调光导光板的背光照明结构及其制作方法
WO2021049474A1 (ja) * 2019-09-12 2021-03-18 日本精機株式会社 表示装置
CN110797378B (zh) * 2019-10-28 2021-07-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种量子点彩膜基板、制作方法及显示面板

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004342236A (ja) 2003-05-16 2004-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学記録媒体の製造方法および光学記録媒体
JP2009193884A (ja) 2008-02-15 2009-08-27 Seiko Instruments Inc 照明装置及びこれを用いた表示装置
CN102999226A (zh) 2011-09-12 2013-03-27 宸鸿科技(厦门)有限公司 反射式触控显示器及其制造方法
JP2015013472A (ja) 2013-06-05 2015-01-22 三菱化学株式会社 積層体
US20150355485A1 (en) 2014-06-05 2015-12-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel and method for manufacturing the same
JP2016094530A (ja) 2014-11-14 2016-05-26 セメダイン株式会社 表示パネル積層体の製造方法
WO2016204166A1 (ja) 2015-06-15 2016-12-22 シャープ株式会社 波長変換方式発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器
US20180157090A1 (en) 2016-12-02 2018-06-07 Samsung Display Co. Ltd. Mold frame, display device including the same and method of assembling the display device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021072707A1 (zh) 2021-04-22
CN113168045A (zh) 2021-07-23
JP2023506339A (ja) 2023-02-16
EP4002002A4 (en) 2022-07-13
KR20220083638A (ko) 2022-06-20
US11860461B2 (en) 2024-01-02
EP4002002A1 (en) 2022-05-25
US20240085732A1 (en) 2024-03-14
US20230091595A1 (en) 2023-03-23
CN113168045B (zh) 2023-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6069479B2 (ja) Ledディスプレイ及びその製造方法
KR101936116B1 (ko) 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
TWI463189B (zh) 光學構件、包含其之顯示裝置、及其製造方法
JP6642604B2 (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
TWI670549B (zh) 顯示單元結構及使用量子棒之顯示元件
TWI582498B (zh) 光學構件及包含其之顯示裝置
JP2006164808A (ja) 発光素子,照明装置及びこれを有する表示装置
JP2010055918A (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
US9864256B2 (en) Optical member, display device including the same, and method for manufacturing the same
WO2020189407A1 (ja) 表示装置及び電子機器
JP2003257622A (ja) 有機elディスプレイとその製造方法
KR20070121091A (ko) 유기 전계 발광표시장치 및 그 제조방법
KR102568654B1 (ko) 백라이트 유닛, 백라이트 유닛을 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 제조하는 방법
JP2010107935A (ja) 平板表示装置及びその製造方法
WO2020118930A1 (zh) 显示面板以及显示面板的制备方法
KR20110022970A (ko) 표시장치
JP7448561B2 (ja) 表示パネル及びその製造方法
JP7010279B2 (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
JP2015215388A (ja) 表示装置
JP2014089281A (ja) 表示装置およびその製造方法、電子機器
JP5136844B2 (ja) バックライト及び液晶表示装置
TWI690749B (zh) 顯示裝置及其製作方法
KR101941455B1 (ko) 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101814809B1 (ko) 표시장치
KR20130009026A (ko) 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221014

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230628

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230710

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231005

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231023

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240123

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240205

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240229

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7448561

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150