JP7436409B2 - 酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに酸化物薄膜 - Google Patents
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 12
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 10
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N oxotungsten Chemical class [W]=O VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3256—Molybdenum oxides, molybdates or oxide forming salts thereof, e.g. cadmium molybdate
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3258—Tungsten oxides, tungstates, or oxide-forming salts thereof
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
本発明は、仕事関数の高い酸化物薄膜を成膜するのに適した、酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに酸化物薄膜に関する。
有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子などの発光素子における透明電極（陽極）としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）が用いられている。陽極に電圧を印加することで注入された正孔は、正孔輸送層を経由して、発光層で電子と結合する。近年、正孔輸送層への電荷注入効率を向上させる目的で、ＩＴＯよりも仕事関数が高い酸化物を用いることが研究されている。たとえば、非特許文献１には、有機半導体デバイスにおける酸化物薄膜として、ＴｉＯ2、ＭｏＯ2、ＣｕＯ、ＮｉＯ、ＷＯ3、Ｖ2Ｏ5、ＣｒＯ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｃｏ3Ｏ4などの高い仕事関数のものが報告されている。
非特許文献１に示されるように、ＷＯ3は比較的高い仕事関数を有する。このＷＯ3膜は酸化タングステン焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて成膜することができるが（特許文献１、２）、ＷＯ3単相では焼結体の高密度化が困難であり、体積抵抗率が高いために、ＤＣスパッタリングが困難であった。そのため、特許文献２には、ＷＯ3にＷＯ2を添加することで、焼結体の高密度化を達成し、導電性を高めてＤＣスパッタリングを可能とすることが開示されている。なお、特許文献３、４には、ＷとＭｏの酸化物を含む酸化物スパッタリングターゲットが開示されている。
Mark T Greiner and Zheng-Hong Lu, "Thin-Film metal oxides in organic semiconductor devices: their electronic structures, work functions and interfaces", NPG Asia Materials (2013) 5,e55, 19 July 2013
上述の通り、有機ＥＬなどの有機半導体デバイスを構成する膜として、仕事関数の高い酸化物膜が求められている。ＷＯ3、ＭｏＯ3は、ともに高い仕事関数を有する材料として知られているが、両材料とも単相で高密度なスパッタリングターゲットを製造することが困難であった。このようなことから本発明は、上述課題を解決するために提案されたものであって、仕事関数の高い膜を成膜することができる高密度のスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
本発明は、上記課題を解決するために提案されたものであって、その課題を解決できる本発明の一態様は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、及び、酸素（Ｏ）からなる酸化物スパッタリングターゲットであって、相対密度が９０％以上であることを特徴とする酸化物スパッタリングターゲットである。
本発明によれば、相対密度が高い酸化物スパッタリングターゲットを製造することができ、このような酸化物スパッタリングターゲットを用いて仕事関数の高い酸化物薄膜を製造することができるという優れた効果を有する。
本発明の実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットは、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、及び、酸素（Ｏ）からなる。但し、当該スパッタリングターゲットには、原料や製造過程などから混入する不純物が含まれる場合があり、成膜した薄膜の仕事関数などに特別な影響を及ぼさない量の不純物を含んでいてもよく、不純物の合計含有量が０．１ｗｔ％以下であれば、特に問題ないといえる。
本発明の実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットは、相対密度が９０％以上であることを特徴とするものである。より好ましくは９２％以上、さらに好ましくは９４％以上である。このような高密度のスパッタリングターゲットは、スパッタリングの際にクラックや割れ等を防ぐことができ、成膜時のパーティクルを低減することができる。
また、スパッタリングターゲットの相対密度は、体積抵抗率とも関連し、相対密度の値が低くなると、体積抵抗率が高くなる傾向にある。そのため、体積抵抗率を下げるためには、スパッタリングターゲットのＷとＭｏの含有比率の他、スパッタリングターゲットの製造方法や製造条件を厳格に調整して、相対密度を高める必要がある。
また、スパッタリングターゲットの相対密度は、体積抵抗率とも関連し、相対密度の値が低くなると、体積抵抗率が高くなる傾向にある。そのため、体積抵抗率を下げるためには、スパッタリングターゲットのＷとＭｏの含有比率の他、スパッタリングターゲットの製造方法や製造条件を厳格に調整して、相対密度を高める必要がある。
本発明の実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットは、モリブデンの酸化物を含有し、前記モリブデン酸化物はＭｏＯ2として存在していることが好ましい。モリブデン酸化物には、ＭｏＯ2とＭｏＯ3があるが、ＭｏＯ2はＭｏＯ3に比べて、密度が高く、導電性も高いため、ＭｏＯ3ではなく、ＭｏＯ2として存在させることが、高密度、且つ、低抵抗の酸化物スパッタリングターゲットを製造する上で重要である。
好ましい実施形態は、ＭｏＯ2相の（１１０）面に帰属するＸＲＤピーク強度をＩMoO2とし、バックグランドのＸＲＤ平均強度をＩBGとしたときに、ＩMoO2／ＩBGが３．０以上とすることである。
本願明細書おいて、ＭｏＯ2相の（１１０）面に帰属するＸＲＤピーク強度ＩMoO2、バックグランドのＸＲＤ平均強度ＩBGは以下のように定義される。
ＩMoO2：２５．８°≦２θ≦２６．３°の範囲におけるＸＲＤピーク強度
ＩBG：２０.０°≦２θ＜２２.０°の範囲におけるＸＲＤ平均強度
好ましい実施形態は、ＭｏＯ2相の（１１０）面に帰属するＸＲＤピーク強度をＩMoO2とし、バックグランドのＸＲＤ平均強度をＩBGとしたときに、ＩMoO2／ＩBGが３．０以上とすることである。
本願明細書おいて、ＭｏＯ2相の（１１０）面に帰属するＸＲＤピーク強度ＩMoO2、バックグランドのＸＲＤ平均強度ＩBGは以下のように定義される。
ＩMoO2：２５．８°≦２θ≦２６．３°の範囲におけるＸＲＤピーク強度
ＩBG：２０.０°≦２θ＜２２.０°の範囲におけるＸＲＤ平均強度
本発明の実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットは、タングステン酸化物を含有し、タングステン酸化物はＷＯ3として存在していることが好ましい。タングステン酸化物は、ＷＯ3が安定酸化物であるが、酸素欠損した、ＷＯ2、ＷＯ2.72～2.75、ＷＯ2.9などが存在する。酸素欠損したタングステン酸化物では、ターゲットの相対密度が上がり難く、また、仕事関数が低下する可能性が高いことから、ターゲットの高密度化、かつ、薄膜の高仕事関数を得るためには、ＷＯ3として存在していることが望ましい。
好ましい実施形態は、ＷＯ3相の（２０２）面に帰属するＸＲＤピーク強度をＩWO3とし、バックグランドのＸＲＤ平均強度をＩBGとしたときに、ＩｗO3／ＩBGが３．０以上である。本願明細書において、ＷＯ3相の（２０２）面に帰属するＸＲＤピーク強度ＩWO3、バックグランドのＸＲＤ平均強度ＩBGは以下のように定義される。
ＩWO3：３３．５°≦２θ≦３４．５°の範囲におけるＸＲＤピーク強度
ＩBG：２０.０°≦２θ＜２２.０°の範囲におけるＸＲＤ平均強度
好ましい実施形態は、ＷＯ3相の（２０２）面に帰属するＸＲＤピーク強度をＩWO3とし、バックグランドのＸＲＤ平均強度をＩBGとしたときに、ＩｗO3／ＩBGが３．０以上である。本願明細書において、ＷＯ3相の（２０２）面に帰属するＸＲＤピーク強度ＩWO3、バックグランドのＸＲＤ平均強度ＩBGは以下のように定義される。
ＩWO3：３３．５°≦２θ≦３４．５°の範囲におけるＸＲＤピーク強度
ＩBG：２０.０°≦２θ＜２２.０°の範囲におけるＸＲＤ平均強度
本発明の実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットは、ＷとＭｏの含有比率が原子％で０．１０≦Ｗ／（Ｗ＋Ｍｏ）＜１.０を満たすことが好ましい。ＷとＭｏの含有比率が原子％でＷ／（Ｗ＋Ｍｏ）が０．１０未満であると、本実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットを用いて形成した酸化物膜において、所望の仕事関数が得られないことがある。一方、Ｗ／（Ｗ＋Ｍｏ）＝１．０（ＷＯ3単相）であると、高密度の酸化物スパッタリングターゲットが得ることが困難となる。より好ましくは、ＷとＭｏの含有比率が原子％で０．１５≦Ｗ／（Ｗ＋Ｍｏ）≦０．８５である
本発明の実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットは、体積抵抗率が１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。より好ましくは０．５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは０．１Ω・ｃｍ以下である。これにより、高速成膜が可能なＤＣスパッタリングを安定して実施することができる。上述の通り、本実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲット中、酸化モリブデンはＭｏＯ2となっており、ＭｏＯ2はＭｏＯ3に比べて酸素欠損しているため体積抵抗率を低くすることができる。なお、Ｍｏの含有比率によって、体積抵抗率は変動し、Ｍｏの含有比率が増えると、体積抵抗率が低くなる傾向にある。
本発明の別の実施形態に係る酸化物薄膜は、上記酸化物スパッタリングターゲットを用いて成膜される薄膜であって、仕事関数が４．５ｅＶ以上であることを特徴とする。このような仕事関数が高い膜は、例えば、有機ＥＬ、有機太陽電池などの有機半導体デバイスにおいて正孔輸送層への電荷注入効率を向上させることができ、発光効率あるいは変換効率などの向上が期待できる。
（酸化物スパッタリングターゲットの製造方法）
以下に、本実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットの製造方法を示す。但し、以下の製造条件等は開示した範囲に限定するものではなく、いくらかの省略や変更を行ってもよいことは明らかである。
以下に、本実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットの製造方法を示す。但し、以下の製造条件等は開示した範囲に限定するものではなく、いくらかの省略や変更を行ってもよいことは明らかである。
原料粉末として、酸化タングステン（ＷＯ3）粉末、酸化モリブデン（ＭｏＯ2）粉末を準備し、これらの原料粉末を所望の組成比となるように秤量する。このとき、酸化モリブデンはＭｏＯ3ではなく、ＭｏＯ2を使用すること好ましい。次に、ボール径が０．５～３．０ｍｍのジルコニアビーズを用いて、湿式粉砕を行う。そして、粒径の中央値が０．１～５．０μｍとなるまで粉砕を行い、その後、造粒を行う。
次に、得られた造粒混合粉を真空又は不活性ガス（Ａｒなど）雰囲気、８００℃以上１０００℃以下でホットプレス焼結を行う。焼結温度が８００℃未満であると、高密度の焼結体が得られず、一方、１０００℃超であると、粒が粗大化し、クラックが発生するため好ましくない。また、焼結時間は、１～１０時間とすることが好ましい。その後、得られた焼結体をターゲット形状に切削、研磨などして、スパッタリングターゲットを作製することができる。
本願明細書において、スパッタリングターゲット及び薄膜の各種物性の分析方法等を以下に示す。
（スパッタリングターゲットの成分組成）
スパッタリングターゲットの成分組成の分析は、以下の装置を用いることができる。
装置：ＳＩＩ社製ＳＰＳ３５００ＤＤ
方法：ＩＣＰ-ＯＥＳ（高周波誘導結合プラズマ発光分析法）
なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなすことができる。本実施形態に係るスパッタリングターゲットの製造プロセスにおいて、特定の酸化物のみをロスするような工程はなく、組成比率の変化が少ないと考えられるためである。
（スパッタリングターゲットの成分組成）
スパッタリングターゲットの成分組成の分析は、以下の装置を用いることができる。
装置：ＳＩＩ社製ＳＰＳ３５００ＤＤ
方法：ＩＣＰ-ＯＥＳ（高周波誘導結合プラズマ発光分析法）
なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなすことができる。本実施形態に係るスパッタリングターゲットの製造プロセスにおいて、特定の酸化物のみをロスするような工程はなく、組成比率の変化が少ないと考えられるためである。
（スパッタリングターゲットのＸ線回折分析について）
スパッタリングターゲットのＸ線回折分析（ＸＲＤ）は、以下の方法により行う。
装置：リガク社製ＳｍａｒｔＬａｂ
管球：Ｃｕ－Ｋα線
管電圧：４０ｋＶ
電流：３０ｍＡ
測定方法：２θ－θ反射法
スキャン速度：２０．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０１°
スパッタリングターゲットのＸ線回折分析（ＸＲＤ）は、以下の方法により行う。
装置：リガク社製ＳｍａｒｔＬａｂ
管球：Ｃｕ－Ｋα線
管電圧：４０ｋＶ
電流：３０ｍＡ
測定方法：２θ－θ反射法
スキャン速度：２０．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０１°
（スパッタリングターゲットの体積抵抗率）
スパッタリングターゲットの体積抵抗率は、スパッタリングターゲットの表面を５点（中心１点、半径の１／２の箇所を９０度間隔で４点）測定し、それらの平均値とした。測定には、以下の装置を使用する。
装置：ＮＰＳ社製 抵抗率測定器 Σ－５＋
方式：定電流印加方式
方法：直流４探針法
スパッタリングターゲットの体積抵抗率は、スパッタリングターゲットの表面を５点（中心１点、半径の１／２の箇所を９０度間隔で４点）測定し、それらの平均値とした。測定には、以下の装置を使用する。
装置：ＮＰＳ社製 抵抗率測定器 Σ－５＋
方式：定電流印加方式
方法：直流４探針法
（スパッタリングターゲットの相対密度について）
相対密度（％）＝アルキメデス密度／真密度×１００
アルキメデス密度：スパッタリングターゲットターゲットから小片を切り出して、その小片からアルキメデス法を用いて密度を算出する。
真密度：原料の組成比率から計算したＷ、Ｍｏの原子比を、スパッタリングターゲットのＷ、Ｍｏの原子比とみなし、その原子比から、ＷのＷＯ3換算重量をａ（ｗｔ％）、ＭｏのＭｏＯ2換算重量をｂ（ｗｔ％）を求め、ＷＯ3、ＭｏＯ2の理論密度をそれぞれｄWO3、ｄMoO2として、真密度（ｇ／ｃｍ3）＝１００／（ａ／dWO3＋ｂ／dMoO2）を計算する。なお、ＷＯ3の理論密度をｄWO3＝７．１６ｇ／ｃｍ3、ＭｏＯ2の理論密度ｄMoO2＝６．４７ｇ／ｃｍ3、とする。
相対密度（％）＝アルキメデス密度／真密度×１００
アルキメデス密度：スパッタリングターゲットターゲットから小片を切り出して、その小片からアルキメデス法を用いて密度を算出する。
真密度：原料の組成比率から計算したＷ、Ｍｏの原子比を、スパッタリングターゲットのＷ、Ｍｏの原子比とみなし、その原子比から、ＷのＷＯ3換算重量をａ（ｗｔ％）、ＭｏのＭｏＯ2換算重量をｂ（ｗｔ％）を求め、ＷＯ3、ＭｏＯ2の理論密度をそれぞれｄWO3、ｄMoO2として、真密度（ｇ／ｃｍ3）＝１００／（ａ／dWO3＋ｂ／dMoO2）を計算する。なお、ＷＯ3の理論密度をｄWO3＝７．１６ｇ／ｃｍ3、ＭｏＯ2の理論密度ｄMoO2＝６．４７ｇ／ｃｍ3、とする。
（酸化物薄膜の仕事関数について）
酸化物薄膜の仕事関数の測定は、ガラス基板もしくはＳｉ基板上に成膜した２０×２０ｍｍのサンプルを作製し、以下の条件で測定を実施した。なお、仕事関数の測定結果は、通常、サンプルのサイズに依存しない。
方式：大気中光電子分光法
装置：理研計器製 ＡＣ－５装置
条件：測定可能な仕事関数の範囲：３．４ｅＶ～６．２ｅＶ
光源パワー:２０００Ｗ
酸化物薄膜の仕事関数の測定は、ガラス基板もしくはＳｉ基板上に成膜した２０×２０ｍｍのサンプルを作製し、以下の条件で測定を実施した。なお、仕事関数の測定結果は、通常、サンプルのサイズに依存しない。
方式：大気中光電子分光法
装置：理研計器製 ＡＣ－５装置
条件：測定可能な仕事関数の範囲：３．４ｅＶ～６．２ｅＶ
光源パワー:２０００Ｗ
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
（実施例１）
ＷＯ3粉とＭｏＯ2粉とを準備し、これらの粉末をＷＯ3：ＭｏＯ2＝８５：１５（ｍｏｌ％）で秤量した。次に、０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて３時間湿式ビーズミル混合粉砕を実施し、メジアン径０．８μｍ以下の混合粉末を得た。次に、この混合粉末を焼結温度：８２５℃、最高圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2、保持時間：６時間、雰囲気：アルゴン、の条件でホットプレス焼結を行い、焼結体を作製した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
実施例１で得られたスパッタリングターゲットについて評価した結果、相対密度は、９４．４％であり、体積抵抗率は７５．５ｍΩ・ｃｍであった。また、スパッタリングターゲットについてＸ線回折分析（ＸＲＤ）を行った結果、ＩMoO2／ＩBGは７．１であった。以上の結果を表１に示す。なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなして計算した。
ＷＯ3粉とＭｏＯ2粉とを準備し、これらの粉末をＷＯ3：ＭｏＯ2＝８５：１５（ｍｏｌ％）で秤量した。次に、０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて３時間湿式ビーズミル混合粉砕を実施し、メジアン径０．８μｍ以下の混合粉末を得た。次に、この混合粉末を焼結温度：８２５℃、最高圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2、保持時間：６時間、雰囲気：アルゴン、の条件でホットプレス焼結を行い、焼結体を作製した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
実施例１で得られたスパッタリングターゲットについて評価した結果、相対密度は、９４．４％であり、体積抵抗率は７５．５ｍΩ・ｃｍであった。また、スパッタリングターゲットについてＸ線回折分析（ＸＲＤ）を行った結果、ＩMoO2／ＩBGは７．１であった。以上の結果を表１に示す。なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなして計算した。
（実施例２～４）
ＷＯ3粉とＭｏＯ2粉とを準備し、これらの粉末を表１に記載するモル比となるように秤量した。次に、０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて３時間湿式ビーズミル混合粉砕し、メジアン径０．８μｍ以下の混合粉末を得た。次に、この混合粉末を焼結温度：８５０℃～８７５℃、最高圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2、保持時間：６時間、雰囲気：アルゴンの条件でホットプレス焼結を行い、焼結体を作製した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
実施例２～４のスパッタリングターゲットは、いずれも相対密度が９４％以上であり、体積抵抗率は１．０Ω・ｃｍ以下であった。また、スパッタリングターゲットについてＸ線回折分析（ＸＲＤ）を行った結果、ＩMoO2／ＩBGは３．０以上であった。なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなして計算した。
ＷＯ3粉とＭｏＯ2粉とを準備し、これらの粉末を表１に記載するモル比となるように秤量した。次に、０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて３時間湿式ビーズミル混合粉砕し、メジアン径０．８μｍ以下の混合粉末を得た。次に、この混合粉末を焼結温度：８５０℃～８７５℃、最高圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2、保持時間：６時間、雰囲気：アルゴンの条件でホットプレス焼結を行い、焼結体を作製した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
実施例２～４のスパッタリングターゲットは、いずれも相対密度が９４％以上であり、体積抵抗率は１．０Ω・ｃｍ以下であった。また、スパッタリングターゲットについてＸ線回折分析（ＸＲＤ）を行った結果、ＩMoO2／ＩBGは３．０以上であった。なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなして計算した。
（比較例１）
比較例１では、ＷＯ3粉のみとした。ＷＯ3粉を０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて３時間湿式ビーズミル混合粉砕し、メジアン径０．８μｍ以下の混合粉末を得た。次に、この混合粉末を焼結温度：９４０℃、最高圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2、保持時間：１０時間、雰囲気：酸素の条件で、常圧焼結を行い、焼結体を作製した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
比較例１のスパッタリングターゲットは、相対密度が９４％であり、体積抵抗率は１．６×１０4Ω・ｃｍであった。また、スパッタリングターゲットについてＸ線回折分析（ＸＲＤ）を行った結果、ＩMoO2／ＩBGは１．９であった。なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなして計算した。
比較例１では、ＷＯ3粉のみとした。ＷＯ3粉を０．５ｍｍのジルコニアビーズを用いて３時間湿式ビーズミル混合粉砕し、メジアン径０．８μｍ以下の混合粉末を得た。次に、この混合粉末を焼結温度：９４０℃、最高圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2、保持時間：１０時間、雰囲気：酸素の条件で、常圧焼結を行い、焼結体を作製した。その後、この焼結体を機械加工してスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
比較例１のスパッタリングターゲットは、相対密度が９４％であり、体積抵抗率は１．６×１０4Ω・ｃｍであった。また、スパッタリングターゲットについてＸ線回折分析（ＸＲＤ）を行った結果、ＩMoO2／ＩBGは１．９であった。なお、スパッタリングターゲットの成分組成は、原料の組成比率と同じとみなして計算した。
次に、実施例１～４のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタ成膜を行った。なお、成膜条件は以下の通りとした。得られたスパッタ膜について、仕事関数を測定した結果、Ａｒガス下では４．６２～４．７６ｅＶであり、Ａｒガス＋２％Ｏ2下では４．７１～４．７６ｅＶであり、Ａｒガス＋６％Ｏ2下では４．７４～４．７７ｅＶであり、所望の高い仕事関数が得られた。以上の結果を表１に示す。なお、スパッタ膜の成分組成は、原料比率と同じとみなして計算した。
（成膜条件）
装置：キャノンアネルバ製 ＳＰＬ－５００スパッタ装置
基板：シリコン基板
成膜パワー密度：２．７４Ｗ/ｃｍ2
成膜雰囲気：Ａｒ、Ａｒ＋２％Ｏ2、Ａｒ＋６％Ｏ2
ガス圧：０．５Ｐａ
膜厚：５０ｎｍ
（成膜条件）
装置：キャノンアネルバ製 ＳＰＬ－５００スパッタ装置
基板：シリコン基板
成膜パワー密度：２．７４Ｗ/ｃｍ2
成膜雰囲気：Ａｒ、Ａｒ＋２％Ｏ2、Ａｒ＋６％Ｏ2
ガス圧：０．５Ｐａ
膜厚：５０ｎｍ
本発明の実施形態に係る酸化物スパッタリングターゲットは、相対密度が高く、成膜時にターゲットに割れやクラックが発生することがなく、実用的、商業的レベルで使用することができる。さらに、体積抵抗率が低く、ＤＣスパッタリングが可能である。本発明は、特に有機エレクトロルミネッセンス素子などの発光素子における透明電極を形成するために有用である。
Claims (7)
- タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、及び、酸素（Ｏ）からなる酸化物スパッタリングターゲットであって、相対密度が９０％以上であり、ＭｏＯ２相の（１１０）面に帰属するＸＲＤピーク強度をＩＭｏＯ２とし、バックグランドのＸＲＤ平均強度をＩＢＧとしたとき、ＩＭｏＯ２／ＩＢＧが３．０以上であり、ＷＯ３相の（２０２）面に帰属するＸＲＤピーク強度をＩＷＯ３とし、バックグランドのＸＲＤ平均強度をＩＢＧとしたとき、ＩＷＯ３／ＩＢＧが３．０以上であることを特徴とする酸化物スパッタリングターゲット。
- ＭｏＯ２であるモリブデン酸化物を含有することを特徴とする請求項１に記載の酸化物スパッタリングターゲット。
- ＷＯ３であるタングステン酸化物を含有する請求項１又は２に記載の酸化物スパッタリングターゲット。
- ＷとＭｏの含有比率が原子％で０．１０≦Ｗ／（Ｗ＋Ｍｏ）＜１．０を満たす請求項１～３のいずれか一項に記載の酸化物スパッタリングターゲット。
- 体積抵抗率が１Ω・ｃｍ以下である請求項１～４のいずれか一項に記載の酸化物スパッタリングターゲット。
- 請求項１～５のいずれか一項に記載の酸化物スパッタリングターゲットの製造方法であって、酸化タングステン粉と酸化モリブデン粉とを混合し、その混合粉を８００℃以上１０００℃以下ホットプレス焼結して製造する酸化物スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記酸化モリブデン粉として、ＭｏＯ２を使用する請求項６に記載の酸化物スパッタリングターゲットの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202111358250.9A CN114959594A (zh) | 2021-02-26 | 2021-11-16 | 氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜 |
| TW110143455A TW202233867A (zh) | 2021-02-26 | 2021-11-23 | 氧化物濺鍍靶及其製造方法以及氧化物薄膜 |
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Publications (2)
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7436409B2 (ja) |
| KR (1) | KR20220122465A (ja) |
| CN (1) | CN114959594A (ja) |
| TW (1) | TW202233867A (ja) |
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| JP4066101B2 (ja) * | 1997-10-17 | 2008-03-26 | 旭硝子株式会社 | 低放射率積層体の製造方法 |
| TW200903192A (en) * | 2007-01-17 | 2009-01-16 | Sony Corp | Developing solution and method for production of finely patterned material |
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-
2021
- 2021-02-26 JP JP2021030722A patent/JP7436409B2/ja active Active
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| Publication number | Publication date |
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| TW202233867A (zh) | 2022-09-01 |
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