JP7429925B2 - 誘導加熱器、及び、炊飯器 - Google Patents

Description

本開示は、一般に、誘導加熱器及び炊飯器に関する。本開示は、特に、誘導加熱用のコイルへの供給電力のデューティ制御を行う誘導加熱器及び当該誘導加熱器を備える炊飯器に関する。

特許文献１は、誘導加熱調理器の一種である電気炊飯器を開示する。特許文献１に記載の電気炊飯器は、ボディ内に着脱自在に収納される鍋の底面部を加熱する第１の加熱コイルと、鍋の底側面部を加熱する第２の加熱コイルとを備え、第１の加熱コイルと第２の加熱コイルを、各々独立に通電する。

特開平１０－１１３２７８号公報

特許文献１のような電気炊飯器では、第１の加熱コイルや第２の加熱コイルに供給する電力を大きくすることが望まれる場合がある。加熱コイルに供給する電力を大きくすると、電圧変動が大きくなる。電圧変動の増加は、フリッカを引き起こす一因になり得る。

本開示は、フリッカを低減できる、誘導加熱器及び炊飯器を提供する。

本開示の一態様の誘導加熱器は、誘導加熱用のコイルと、インバータ回路と、制御回路とを備える。インバータ回路は、電源回路からの電力に基づいてコイルに供給電力を供給する。制御回路は、供給電力を供給するオン期間と供給電力を供給しないオフ期間とを含む周期を繰り返すようにインバータ回路を制御することによって供給電力の実効値を調整する。制御回路は、立ち下がり処理を実行する。立ち下がり処理は、指示値を目標値に設定してからオン期間の終了までに、指示値又は指示値の傾きを段階的に変化又は指示値を曲線的に変化させて指示値を目標値から減少させることを含む。

本開示の一態様の炊飯器は、上記の誘導加熱器と、誘導加熱器で加熱される釜とを備える。

本開示の態様によれば、フリッカを低減できる。

一実施の形態の炊飯器の説明図 上記炊飯器の誘導加熱器の制御回路によるデューティ制御の説明図 上記誘導加熱器の立ち上がり期間における第１インバータ回路にかかる電圧の時間変化の一例のグラフ 上記誘導加熱器の立ち下がり期間における第１インバータ回路にかかる電圧の時間変化の一例のグラフ 比較例の誘導加熱器の制御回路によるデューティ制御の説明図 比較例の誘導加熱器の立ち上がり期間における第１インバータ回路にかかる電圧の時間変化の一例のグラフ 比較例の誘導加熱器の立ち下がり期間における第１インバータ回路にかかる電圧の時間変化の一例のグラフ 上記誘導加熱器の第１コイルの供給電力（入力電力）の時間変化の一例のグラフ 一変形例の誘導加熱器の制御回路によるデューティ制御の説明図 一変形例の誘導加熱器の制御回路によるデューティ制御の説明図

以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。なお、発明者（ら）は、当業者が本開示を十分に理解するために添付図面および以下の説明を提供するのであって、これらによって特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。

（１）実施の形態
（１－１）概要
図１は、一実施の形態の炊飯器１を示す。炊飯器１は、誘導加熱方式により調理を行う誘導加熱調理器の一種である。炊飯器１は、釜１００と、誘導加熱器１０とを備える。釜１００は、加熱対象物である。誘導加熱器１０は、誘導加熱方式により加熱対象物（釜１００）を加熱するための装置である。以下の実施の形態では、誘導加熱器１０は誘導加熱方式により釜１００を加熱して炊飯を行う。しかしながら、誘導加熱器１０を備える誘導加熱調理器は、炊飯器１に限定されず、ＩＨクッキングヒータ、ホットプレート等であってもよい。

図１に示すように、誘導加熱器１０は、誘導加熱用のコイル３１と、インバータ回路５１と、制御回路６０とを備える。インバータ回路５１は、電源回路２０からの電力に基づいてコイル３１に供給電力を供給する。制御回路６０は、図２に示すように、供給電力を供給するオン期間Ｔｏｎと供給電力を供給しないオフ期間Ｔｏｆｆとを含む周期Ｔを繰り返すようにインバータ回路５１を制御することによって供給電力の実効値を調整する。制御回路６０は、立ち下がり処理を実行する。立ち下がり処理は、供給電力の指示値をオン期間Ｔｏｎの供給電力の目標値Ｐ２に設定してからオン期間Ｔｏｎの終了までに、指示値又は指示値の傾きを段階的に変化又は指示値を曲線的に変化させて指示値を目標値Ｐ２から減少させることを含む。

このように、誘導加熱器１０では、制御回路６０が立ち下がり処理を実行する。立ち下がり処理は、指示値又は指示値の傾きを段階的に変化又は指示値を曲線的に変化させて指示値を目標値Ｐ２から減少させる。そのため、立ち下がり処理を実行しない場合に比べて、単位時間当たりの電力の変化量を小さくでき、これによって、フリッカの一因である電圧変動の抑制が可能である。したがって、誘導加熱器１０によれば、フリッカを低減できる。

（１－２）詳細
以下、本実施の形態の誘導加熱器１０について詳細に説明する。図１に示すように、誘導加熱器１０は、電源回路２０と、コイル３１，３２，３３と、共振コンデンサ（第１及び第２共振コンデンサ）４１，４２と、インバータ回路（第１及び第２インバータ回路）５１，５２と、制御回路６０とを備える。

電源回路２０は、外部電源２００からの電力により誘導加熱器１０で利用する電力を生成する。本実施の形態では、外部電源２００は、商用交流電源である。本実施の形態では、商用交流電源は、１００Ｖではなく比較的高電圧の２２０Ｖ～２５０Ｖの交流電圧を供給する。電源回路２０は、外部電源２００からの電力（交流電力）から直流電力を生成する。電源回路２０には、従来周知の構成を採用できるから詳細な説明は省略する。

コイル３１，３２，３３は、誘導加熱用のコイルである。コイル３１，３２，３３は、加熱対象物（釜１００）の加熱に用いられる。コイル３１，３２，３３に高周波電流が流れることにより高周波磁界が発生し、この高周波磁界によって加熱対象物が加熱される。本実施の形態では、加熱対象物は、炊飯器１の釜１００である。コイル３１は、比較的大電力で加熱対象物を加熱するためのコイル（主コイル）である。コイル３１は、炊飯器１の胴部の内底部に配置され、釜１００の下部を加熱するために利用される。コイル３２，３３は、比較的小電力で加熱対象物を加熱するためのコイル（副コイル）である。コイル３２は、炊飯器１の胴部の内壁部に配置され、釜１００の側部（胴部）を加熱するために利用される。コイル３３は、炊飯器１の蓋部に配置され、釜１００の上部を加熱するために利用される。コイル３１は、電源回路２０の出力端間に電気的に接続される。コイル３２，３３の直列回路は、電源回路２０の出力端間にコイル３１と並列的に電気的に接続される。

第１共振コンデンサ４１は、コイル３１と共振回路を構成するためのコンデンサである。第１共振コンデンサ４１は、コイル３１に並列に接続される。第２共振コンデンサ４２は、コイル３２，３３と共振回路を構成するためのコンデンサである。第２共振コンデンサ４２は、コイル３２，３３の直列回路に並列に接続される。

第１インバータ回路５１は、電源回路２０からの電力に基づいてコイル３１に供給電力（第１供給電力）を供給する。第１インバータ回路５１は、コイル３１に接続されるスイッチング素子５１０を有する。スイッチング素子５１０は、コイル３１及び第１共振コンデンサ４１の第１共振回路と直列回路を構成する。スイッチング素子５１０は、オンオフを繰り返すことで、第１共振回路に高周波の共振電流（高周波電流）を発生させる。より詳細には、スイッチング素子５１０がオンすることにより、コイル３１に電源回路２０から電流が流れ込み、コイル３１に電流が流れているときにスイッチング素子５１０がオフすると、コイル３１と第１共振コンデンサ４１が共振することによってコイル３１に高周波電流が発生する。このようにして、コイル３１には、高周波電力である第１供給電力が供給される。第１共振回路とスイッチング素子５１０との直列回路は、電源回路２０の出力端間に電気的に接続される。スイッチング素子５１０は、半導体スイッチング素子である。本実施の形態では、スイッチング素子５１０は、トランジスタであり、特に、Ｎチャネル型の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）である。

第２インバータ回路５２は、電源回路２０からの電力に基づいてコイル３２，３３に供給電力（第２供給電力）を供給する。第２インバータ回路５２は、コイル３２，３３に接続されるスイッチング素子５２０を有する。スイッチング素子５２０は、コイル３２，３３及び第２共振コンデンサ４２の第２共振回路と直列回路を構成する。スイッチング素子５２０は、オンオフを繰り返すことで、第２共振回路に高周波の共振電流を発生させる。より詳細には、スイッチング素子５２０がオンすることにより、コイル３２，３３に電源回路２０から電流が流れ込み、コイル３２，３３に電流が流れているときにスイッチング素子５２０がオフすると、コイル３２，３３と第２共振コンデンサ４２が共振することによってコイル３２，３３に高周波電流が発生する。このようにして、コイル３２，３３には、高周波電力である第２供給電力が供給される。第２共振回路とスイッチング素子５２０との直列回路は、電源回路２０の出力端間に電気的に接続される。スイッチング素子５２０は、半導体スイッチング素子である。本実施の形態では、スイッチング素子５２０は、トランジスタであり、特に、Ｎチャネル型の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）である。

制御回路６０は、例えば、１以上のプロセッサ（マイクロプロセッサ）と１以上のメモリとを含むコンピュータシステムにより実現され得る。なお、制御回路６０は、ＡＳＩＣや、プログラマブルロジックデバイス、ＦＰＧＡ等のその他の集積回路で実現されてもよい。

制御回路６０は、第１共振回路及び第２共振回路それぞれを共振させるために、第１インバータ回路５１及び第２インバータ回路５２を排他的に動作させる。より詳細には、制御回路６０は、第１インバータ回路５１のスイッチング素子５１０をオンにしている間は第２インバータ回路５２のスイッチング素子５２０をオフにする。第２インバータ回路５２のスイッチング素子５２０をオンにしている間は第１インバータ回路５１のスイッチング素子５１０をオフにする。

制御回路６０は、第１インバータ回路５１を制御して、コイル３１に供給電力（第１供給電力）を供給する。制御回路６０は、第１インバータ回路５１を用いたデューティ制御によって、コイル３１に供給される第１供給電力を調整する。以下、図２を参照して、第１インバータ回路５１を用いたデューティ制御について説明する。制御回路６０は、図２に示すように、第１供給電力を供給するオン期間Ｔｏｎ（ｔ１～ｔ２）と第１供給電力を供給しないオフ期間Ｔｏｆｆ（ｔ２～ｔ３）とを含む周期Ｔを繰り返すように第１インバータ回路５１を制御することによって第１供給電力の実効値を調整する。ｔ３は、次の周期Ｔのｔ１である。第１供給電力の実効値は、デューティ比に依存する。デューティ比は、オン期間Ｔｏｎ／周期Ｔで与えられる。第１供給電力の実効値は、周期Ｔにおける第１供給電力の平均値に対応する。

制御回路６０は、第１共振回路のコイル３１に第１供給電力を供給するために、第１インバータ回路５１のスイッチング素子５１０を、第１共振回路の共振周波数以上の駆動周波数（オンオフの周期）で駆動する。制御回路６０は、第１供給電力の値を、第１供給電力の指示値によって設定する。制御回路６０は、第１供給電力の指示値に応じて、第１インバータ回路５１のスイッチング素子５１０のデューティ比を設定することで、第１供給電力の値を調整する。制御回路６０は、スイッチング素子５１０のゲート－エミッタ間電圧を制御することによって、スイッチング素子５１０をオンオフする。より詳細には、制御回路６０は、スイッチング素子５１０の両端間にかかる電圧（コレクターエミッタ間の電圧）の波形の包絡線で定まる電圧が指示値に対応する値になるように、スイッチング素子５１０のデューティ比を設定する。

制御回路６０は、オン期間Ｔｏｎでは、第１供給電力の指示値を目標値Ｐ２に設定する。目標値Ｐ２は、本実施の形態では、第１インバータ回路５１からコイル３１に供給可能な第１供給電力の最大値である。これによって、第１供給電力の実効値を大きくできる。第１供給電力の最大値は、誘導加熱器１０の回路構成や回路定数にもよるが、例えば、１６００［Ｗ］である。

制御回路６０は、図２に示すように、オン期間Ｔｏｎにおいて、所定期間の間（ｔ１１０～ｔ１２０）、第１供給電力の指示値を目標値Ｐ２に設定するが、第１供給電力の指示値を目標値Ｐ２に設定する前後において、立ち上がり処理及び立ち下り処理をそれぞれ実行する。

立ち上がり処理は、オン期間Ｔｏｎの開始から供給電力の指示値をオン期間Ｔｏｎの供給電力の目標値Ｐ２に設定するまでに（図２のｔ１～ｔ１１０）、指示値の傾きを段階的に変化させて指示値を目標値Ｐ２まで増加させることを含む。これに対して、指示値の傾きを段階的に変化させないとは、指示値の傾きが一定であることを意味する。つまり、指示値の傾きを段階的に変化させて指示値を目標値Ｐ２まで増加させるとは、指示値の目標値Ｐ２までの変化が、傾きの異なる複数の直線で表されることを意味する。本実施の形態では、立ち上がり処理は、指示値の傾きを段階的に減少させる。より詳細には、立ち上がり処理は、指示値を異なる傾きで増加させる複数（本実施の形態では、２つ）の増加処理を含む。複数の増加処理は、指示値を第１の傾きで増加させる第１増加処理（図２のｔ１～ｔ１０１）と、第１増加処理の後に実行され、指示値を前記第１の傾きより小さい第２の傾きで増加させる第２増加処理（図２のｔ１０１～ｔ１１０）とを含む。第１増加処理では、指示値が初期値Ｐ１からＰ３１まで増加し、第２増加処理では、指示値がＰ３１からＰ２まで増加している。第２増加処理の期間は、第１増加処理の期間より長い。例えば、Ｐ３１は、１０００［Ｗ］である。ここで、初期値Ｐ１は、立ち上がり処理における指示値の最小値である。初期値Ｐ１は、第１インバータ回路５１からコイル３１に供給可能な第１供給電力の最小値に等しい。第１インバータ回路５１からコイル３１に供給可能な第１供給電力の最小値は、第１インバータ回路５１の安定した動作が保証されている第１供給電力の最小値である。第１供給電力の最小値を下回るように指示値を設定した場合には、第１インバータ回路５１に大きな負荷がかかり、ノイズ等の発生のおそれがある。そのため、本実施の形態では、第１インバータ回路５１にかかる負荷を低減できる。第１供給電力の最小値は、誘導加熱器１０の回路構成や回路定数にもよるが、例えば、７００［Ｗ］である。

立ち下がり処理は、指示値を目標値Ｐ２に設定してからオン期間Ｔｏｎの終了までに（図２のｔ１２０～ｔ２）、指示値を段階的に変化させて指示値を目標値Ｐ２から減少させることを含む。これに対して、指示値を段階的に変化させないとは、指示値が目標値Ｐ２とは別の値をとらない（目標値Ｐ２のままである）ことである。つまり、指示値を段階的に変化させて指示値を目標値Ｐ２から減少させるとは、指示値が少なくとも一回、目標値Ｐ２と異なる値に設定される。本実施の形態では、立ち下がり処理は、指示値を段階的に減少させる。より詳細には、立ち下がり処理は、指示値を目標値Ｐ２より小さい値に規定時間の間維持する１以上（本実施の形態では、２つ）の減少処理を含む。ここで、１以上の減少処理は、指示値を目標値Ｐ２より小さい第１値Ｐ４１に設定する第１減少処理（図２のｔ１２０～ｔ１２１）と、第１減少処理の後に実行され、指示値を第１値Ｐ４１より小さい第２値Ｐ４２に設定する第２減少処理（図２のｔ１２１～ｔ２）とを含む。第１減少処理と第２減少処理との期間は等しい。立ち下がり処理において、１回当たりの指示値の減少量は、目標値Ｐ２の１／２以下であるように設定される。したがって、Ｐ２－Ｐ４１≦Ｐ２／２であり、Ｐ４１－Ｐ４２≦Ｐ２／２である。一例として、Ｐ４１は、１３００［Ｗ］、Ｐ４２は、１０００［Ｗ］である。また、立ち下がり処理では、指示値の最小値は、第１インバータ回路５１からコイル３１に供給可能な供給電力の最小値（例えば、上述の７００［Ｗ］）以上である。これにより、第１インバータ回路５１にかかる負荷を低減できる。

オン期間Ｔｏｎにおいて、立ち上がり処理の期間（図２のｔ１～ｔ１１０）の長さ、及び、立ち下がり処理の期間（図２のｔ１２０～ｔ２）の長さは、オン期間Ｔｏｎにコイル３１に供給する電力量の設定値に応じて設定される。本実施の形態では、オン期間Ｔｏｎの電力波形の積算値（供給電力の積算値）がオン期間Ｔｏｎにコイル３１に供給する電力量の設定値になるように、立ち上がり処理の期間の長さ、及び、立ち下がり処理の期間の長さの少なくとも一方が調整される。これによって、立ち上がり処理及び立ち下がり処理による電力量の低下を抑制できる。その結果、オン期間Ｔｏｎに要求される電力量の要件を満たすことができる。

制御回路６０は、第２インバータ回路５２を制御して、コイル３２，３３に供給電力（第２供給電力）を供給する。制御回路６０は、第２インバータ回路５２を用いたデューティ制御によって、コイル３２，３３に供給される第２供給電力を調整する。制御回路６０は、第２供給電力を供給するオン期間と第２供給電力を供給しないオフ期間とを含む周期を繰り返すように第２インバータ回路５２を制御することによって第２供給電力の実効値を調整する。第２供給電力の実効値は、デューティ比に依存する。デューティ比は、オン期間／周期で与えられる。第２供給電力の実効値は、周期における第２供給電力の平均値に対応する。

制御回路６０は、第２共振回路のコイル３２，３３に第２供給電力を供給するために、第２インバータ回路５２のスイッチング素子５２０を、第２共振回路の共振周波数以上の駆動周波数（オンオフの周期）で駆動する。制御回路６０は、第２供給電力の値を、第２供給電力の指示値によって設定する。制御回路６０は、第２供給電力の指示値に応じて、第２インバータ回路５２のスイッチング素子５２０のデューティ比を設定することで、第２供給電力の値を調整する。制御回路６０は、スイッチング素子５２０のゲート－エミッタ間電圧を制御することによって、スイッチング素子５２０をオンオフする。

制御回路６０は、オン期間では、制御回路６０は、第２供給電力の指示値を目標値に設定する。コイル３２，３３は、コイル３１よりも低い電力を供給し、第２供給電力の目標値は、第１供給電力の目標値Ｐ２よりも小さい。例えば、第２供給電力の目標値は、８００［Ｗ］である。

制御回路６０は、第２インバータ回路５２については、立ち上がり処理及び立ち下り処理のいずれも実行しない。本実施の形態では、コイル３２，３３での単位時間当たりの電力の変化量が、コイル３１に比べて小さく、フリッカの一因である電圧変動自体が小さいためである。

（１－３）誘導加熱器の動作の確認
本実施の形態の誘導加熱器１０において、制御回路６０が立ち上がり処理及び立下り処理を実行した場合の誘導加熱器１０の動作を確認するために、第１インバータ回路５１のスイッチング素子５１０のコレクターエミッタ間電圧、及び、コイル３１の供給電力の時間変化を計測した。制御回路６０による立ち上がり処理及び立ち下がり処理の指示値の変化のパターンは、図２に示すとおりである。ただし、立ち上がり処理の期間（図２のｔ１～ｔ１１０）は０．１［ｓ］である。立ち下がり処理の第１減少処理の期間（図２のｔ１２０～ｔ１２１）及び第２減少処理の期間（図２のｔ１２１～ｔ２）はいずれも０．３［ｓ］である。

図３及び図４は、第１インバータ回路５１のスイッチング素子５１０のコレクターエミッタ間電圧を計測した結果を示す。また、比較例として、制御回路６０が立ち上がり処理及び立下り処理を実行しない場合の、第１インバータ回路５１のスイッチング素子５１０のコレクターエミッタ間電圧、及び、コイル３１の供給電力の時間変化を計測した。この場合の指示値の変化のパターンは、図５に示すとおりである。図５では、制御回路６０は、オン期間Ｔｏｎにおいて、指示値を初期値Ｐ１から目標値Ｐ２まで増加させ、所定期間の間（ｔ１１０～ｔ２）、指示値を目標値Ｐ２に設定した後に、オフ期間Ｔｏｆｆに移行する。図６及び図７は、この比較例における、第１インバータ回路５１のスイッチング素子５１０のコレクターエミッタ間電圧の時間変化の説明図である。

図３は、立ち上がり処理の期間（ｔ１～ｔ１１０）を含む所定期間のスイッチング素子５１０のコレクターエミッタ間電圧を示す。図３から明らかなように、立ち上がり処理の期間（ｔ１～ｔ１１０）において、コレクターエミッタ間電圧の包絡線Ｅ１は、第１増加処理の期間ｔ１～ｔ０１と第２増加処理の期間ｔ１０１～ｔ１１０とで傾きが変化している。このように、立ち上がり処理の期間（ｔ１～ｔ１１０）において、コレクターエミッタ間電圧の包絡線によって、制御回路６０による第１供給電力の指示値の変化が確認できる。一方で、図６から明らかなように、立ち上がり処理を実行していない場合には、オン期間Ｔｏｎの指示値の増加時（ｔ１～ｔ１１０）において、コレクターエミッタ間電圧の包絡線Ｅ２は、傾きが変化せず、一定である。

図４は、立ち下がり処理の期間（ｔ１２０～ｔ２）を含む所定期間のスイッチング素子５１０のコレクターエミッタ間電圧を示す。図４から明らかなように、立ち下がり処理の期間（ｔ１２０～ｔ２）において、コレクターエミッタ間電圧は、段階的に変化していることが確認できる。つまり、第１減少処理の期間ｔ１２０～ｔ１２１と第２減少処理の期間ｔ１２１～ｔ２とでコレクターエミッタ間電圧が変化している。このように、立ち下がり処理の期間（ｔ１２０～ｔ２）において、制御回路６０による第１供給電力の指示値の変化が確認できる。一方で、図７から明らかなように、立ち下がり処理を実行していない場合には、オン期間Ｔｏｎの終了時（ｔ２）まで、第１供給電力の指示値の変化が確認できない。

図８は、コイル３１の供給電力（第１供給電力）を計測した結果を示す。図８において、Ｇ１は、コイル３１の第１供給電力の計測値のグラフである。Ｇ２は、Ｇ１の近似線のグラフである。近似グラフＧ２から、立ち上がり処理の期間（ｔ１～ｔ１１０）において、第１供給電力が、第１増加処理の期間ｔ１～ｔ０１と第２増加処理の期間ｔ１０１～ｔ１１０とで傾きが変化していることが確認できる。つまり、制御回路６０による第１供給電力の指示値の変化が確認できる。また、立ち下がり処理の期間（ｔ１２０～ｔ２）において、第１供給電力が、第１減少処理の期間ｔ１２０～ｔ１２１と第２減少処理の期間ｔ１２１～ｔ２とで段階的に変化していることが確認できる。このように、立ち下がり処理の期間（ｔ１２０～ｔ２）において、制御回路６０による第１供給電力の指示値の変化が確認できる。

（１－４）フリッカの評価の結果
フリッカの低減の効果を確かめるために、下記表１に示す、図２に示すオン期間Ｔｏｎの立ち上がり処理及び立ち下がり処理の指示値のパターンＡ～Ｄについて、フリッカの程度を表す指標であるＰｓｔ（短期フリッカ指数、短時間フリッカ値）を評価した。第１インバータ回路のデューティ制御の周期Ｔ［ｓ］が短くなるほど、コイル３１での単位時間当たりの電力の変化量が大きくなるから、フリッカの一因となる電圧変動が大きくなる傾向にあり、その結果、Ｐｓｔが１超過となりやすい。フリッカの評価では、どの程度まで周期を低下させることができるかを、Ｐｓｔにより評価した。表１において、「立ち上がり時間」は、立ち上がり処理の期間（図２のｔ１～ｔ１１０）［ｓ］である。「第１減少値」は、立ち下がり処理の第１減少処理の指示値Ｐ４１［Ｗ］、「第１立ち下り時間」は、立ち下がり処理の第１減少処理の期間（図２のｔ１２０～ｔ１２１）［ｓ］である。「第２減少値」は、立ち下がり処理の第２減少処理の指示値Ｐ４２［Ｗ］、「第２立ち下り時間」は、立ち下がり処理の第２減少処理の期間（図２のｔ１２１～ｔ２）［ｓ］である。なお、Ｐ１は７００［Ｗ］、Ｐ２は１６００［Ｗ］としている。国際電気標準会議のＩＥＣ ６１０００－３－３「定格１６Ａ／相以下で条件付き接続の対象とならない機器の、公共低圧電源系統の電圧変動、電圧動揺、及びフリッカの制限」では、Ｐｓｔは１以下とされている。表１の「Ｐｓｔ」欄において、ＯＫはＰｓｔが１以下であることを意味し、ＮＧはＰｓｔが１超過であることを示している。

オン期間Ｔｏｎにおいて立ち上がり処理及び立ち下がり処理のいずれも実行しない場合に、どの程度まで周期を低下させることができるかをＰｓｔにより評価したところ、周期が１２［ｓ］以下になるとＰｓｔが１を超えることが確認された。これに対して、表１に示すように、パターンＡ～Ｄでは、いずれも周期を４［ｓ］まで低下させても、Ｐｓｔを１以下にすることが確認できた。パターンＢでは、更に、周期を２［ｓ］まで低下させても、Ｐｓｔを１以下にすることが確認できた。したがって、立ち上がり処理及び立ち下がり処理を実行することで、Ｐｓｔが改善されることが確認できた。

また、立ち上がり処理の立ち上り時間のフリッカの低減効果への影響を確かめるために、制御回路６０がオン期間Ｔｏｎに立ち上がり処理のみを実行する例についても、Ｐｓｔを評価した。表２は、Ｐｓｔの評価の結果を示す。

表２の結果から、立ち上がり処理において、立ち上がり時間を長くすれば、Ｐｓｔが改善されることが確認できた。

（２）変形例
本開示の実施の形態は、上記実施の形態に限定されない。上記実施の形態は、本開示の課題を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下に、上記実施の形態の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。

一変形例では、制御回路６０は、図９に示すように指示値が変化するように立ち上がり処理及び立ち下り処理をそれぞれ実行してもよい。

図９の例では、立ち上がり処理（図９のｔ１～ｔ１１０）は、指示値を一定の傾きで増加させる。図９の例では、指示値が初期値Ｐ１から目標値Ｐ２まで一定の傾きで増加している。指示値の傾きが小さいほど、立ち上がり時間が長くなる。立ち上がり処理は、オン期間Ｔｏｎの開始から所定の立ち上がり時間をかけて指示値を目標値Ｐ２に設定する。立ち上がり処理において、立ち上がり時間を長くすれば、Ｐｓｔが改善されることは、上記の表２の結果から確認されている。ここで、オン期間Ｔｏｎの開始時に指示値を目標値Ｐ２に設定すると、インバータ回路５１に過剰な負荷がかかる。インバータ回路５１に負荷がかからないように設定される最短時間よりも、立ち上がり時間は長く設定される。図５の比較例では、指示値を初期値Ｐ１から目標値Ｐ２まで増加させる時間が上記の最短時間となるように、指示値の傾きが設定されている。図９の例では、立ち上がり処理での指示値の傾きは、図５の比較例の指示値を初期値Ｐ１から目標値Ｐ２まで増加させる際の傾きよりも小さく設定されている。最短時間は、例えば、０．０４［ｓ］であり、図９の例では、立ち上がり時間は、例えば、０．２［ｓ］である。立ち上がり時間は、最短時間より長く、最短時間の５倍以下であってよい。

また、立ち上がり時間は、温度上昇によりインバータ回路５１が破損しないように設定される。インバータ回路５１からの供給電力が比較的低い状態でインバータ回路５１が長時間駆動されると、温度上昇によりインバータ回路５１が破損する可能性がある。そのため、立ち上がり時間は、このような温度上昇によるインバータ回路５１の破損が生じないように、設定される。立ち上がり時間は、周期Ｔにおいてインバータ回路５１からコイル３１への供給電力の実効値に基づいて設定される。供給電力の実効値は、周期Ｔでの電力の積算値である。図９の場合、例えば、供給電力の実効値をＰｓ、ｔ１＝０とすると、Ｐｓ＝｛Ｐ２×ｔ２－（Ｐ２－Ｐ１）×ｔ１１０／２－（Ｐ２－Ｐ４１）×（ｔ２－ｔ１２０）－（Ｐ４１－Ｐ４２）×（ｔ２－ｔ１２１）－（Ｐ４２－Ｐ４３）×（ｔ２－ｔ１２２）｝／Ｔである。ｔ１１０が立ち上がり時間に対応する。ｔ１１０により、実効値Ｐｓの調整が可能である。ｔ１１０は、実効値Ｐｓが一周期Ｔにコイル３１に与えたい供給電力の値となるように設定される。オン期間Ｔｏｎにインバータ回路５１からの供給電力が目標値Ｐ２になる期間を確保するために、立ち上がり時間は、オン期間Ｔｏｎの長さの半分未満に設定される。

図９の例では、立ち下がり処理は、指示値を目標値Ｐ２より小さい値に規定時間の間維持する３つの減少処理を含む。３つの減少処理は、第１減少処理（図９のｔ１２０～ｔ１２１）と、第２減少処理（図９のｔ１２１～ｔ１２２）と、第３減少処理（図９のｔ１２２～ｔ２）とを含む。第１減少処理は、指示値を目標値Ｐ２より小さい第１値Ｐ４１に設定する。第２減少処理は、第１減少処理の後に実行され、指示値を第１値Ｐ４１より小さい第２値Ｐ４２に設定する。第３減少処理は、第２減少処理の後に実行され、指示値を第２値Ｐ４２より小さい第３値Ｐ４３に設定する。第１～第３減少処理の期間は等しい。立ち下がり処理において、１回当たりの指示値の減少量は、目標値Ｐ２の１／２以下であるように設定される。したがって、Ｐ２－Ｐ４１≦Ｐ２／２であり、Ｐ４１－Ｐ４２≦Ｐ２／２であり、Ｐ４２－Ｐ４３≦Ｐ２／２である。一例として、Ｐ４１は、１３５０［Ｗ］、Ｐ４２は、１１００［Ｗ］、Ｐ４３は、８５０［Ｗ］である。ここで、指示値の減少値は均一であることが好ましい。また、立ち下がり処理では、指示値の最小値は、第１インバータ回路５１からコイル３１に供給可能な供給電力の最小値（例えば、上述の７００［Ｗ］）以上である。

立ち下がり処理は、３以上の減少処理を含んでいてもよい。立ち下がり処理では、後の減少処理の指示値は必ずしも、前の減少処理の指示値よりも小さくなくてよい。図９の例では、複数の減少処理の期間は等しいが、複数の増加処理の期間は特に限定されない。立ち下がり処理全体として、指示値が減少すればよい。

一変形例では、立ち上がり処理は、指示値を異なる傾きで増加させる３つの増加処理を含んでもよい。３つの増加処理は、第１増加処理と、第２増加処理と、第３増加処理とを含む。第１増加処理は、指示値を第１の傾きで増加させる。第２増加処理は、第１増加処理の後に実行され、指示値を第１の傾きより小さい第２の傾きで増加させる。第３増加処理は、第２増加処理の後に実行され、指示値を第２の傾きより小さい第３の傾きで増加させる。例えば、第１増加処理は、指示値を初期値Ｐ１から１１００［Ｗ］まで増加させる。第２増加処理は、指示値を１１００［Ｗ］から１４００［Ｗ］まで増加させる。第３増加処理は、指示値を１４００［Ｗ］から１６００［Ｗ］まで増加させる。第１～第３増加処理では、後の増加処理ほど期間が長くなっている。初期値Ｐ１は、立ち上がり処理における指示値の最小値であり、例えば、７００［Ｗ］である。立ち上がり処理は、３以上の増加処理を含んでいてもよい。立ち上がり処理では、後の増加処理の傾きは必ずしも、前の増加処理の傾きよりも小さくなくてよい。立ち上がり処理では、後の増加処理ほど期間が長くてもよいが、複数の増加処理の期間は特に限定されない。立ち上がり処理全体として、指示値が増加すればよい。

一変形例では、制御回路６０は、図１０に示すように指示値が変化するように立ち上がり処理及び立ち下り処理をそれぞれ実行してもよい。

図１０の例では、立ち上がり処理（図１０のｔ１～ｔ１１０）は、指示値を直線的ではなく曲線的に変化（図１０では増加）させる。これに対して、指示値を曲線的に変化させないとは、指示値の傾き（微分値）が一定である区間を含む。つまり、指示値を曲線的に変化させて指示値を目標値Ｐ２まで増加させるとは、指示値の目標値Ｐ２までの変化が、曲線で表される。つまり、立ち上がり処理は、オン期間Ｔｏｎの開始から供給電力の指示値をオン期間Ｔｏｎの供給電力の目標値Ｐ２に設定するまでに、指示値を曲線的に変化させて指示値を目標値Ｐ２まで増加させる。図１０の例では、指示値が初期値Ｐ１から目標値Ｐ２まで対数関数的に増加している。一例として、Ｐ２は、１６００［Ｗ］である。初期値Ｐ１は、立ち上がり処理における指示値の最小値であり、例えば、７００［Ｗ］である。

図１０の例では、立ち下がり処理は、指示値を目標値Ｐ２より小さい値に規定時間の間維持する１つの減少処理（図１０のｔ１２０～ｔ２）を含む。減少処理は、指示値を目標値Ｐ２より小さい値Ｐ４１に設定する。立ち下がり処理において、１回当たりの指示値の減少量は、目標値Ｐ２の１／２以下であるように設定される。したがって、Ｐ２－Ｐ４１≦Ｐ２／２である。一例として、Ｐ４１は、９００［Ｗ］である。また、立ち下がり処理では、指示値の最小値は、第１インバータ回路５１からコイル３１に供給可能な供給電力の最小値（例えば、上述の７００［Ｗ］）以上である。

一変形例では、立ち上がり処理は、指示値の傾きではなく指示値を段階的に変化させて指示値を目標値Ｐ２まで増加させてよい。つまり、立ち上がり処理においても、供給電力の指示値を間欠的（離散的）に変化させてよい。立ち上がり処理は、指示値を曲線的に変化させて指示値を目標値Ｐ２まで増加させてよい。この場合、指示値の変化は単調増加であることが好ましい。要するに、立ち上がり処理は、オン期間Ｔｏｎの開始から供給電力の指示値をオン期間Ｔｏｎの供給電力の目標値Ｐ２に設定するまでに、指示値又は指示値の傾きを段階的に変化又は指示値を曲線的に変化させて指示値を目標値Ｐ２まで増加させることを含んでいればよい。

一変形例では、立ち下がり処理は、指示値ではなく指示値の傾きを段階的に変化させて指示値を目標値Ｐ２から減少させてよい。つまり、立ち下がり処理においても、供給電力の指示値を異なる傾きで継続的に変化させてよい。立ち下がり処理は、指示値を曲線的に変化させて指示値を目標値Ｐ２から減少させてよい。この場合、指示値の変化は単調減少であることが好ましい。要するに、立ち下がり処理は、指示値を目標値Ｐ２に設定してからオン期間Ｔｏｎの終了までに、指示値又は指示値の傾きを段階的に変化又は指示値を曲線的に変化させて指示値を目標値Ｐ２から減少させることを含んでいればよい。

一変形例では、制御回路６０は、立ち上がり処理と立ち下がり処理との両方ではなく、少なくとも一方を実行してもよい。

一変形例では、制御回路６０は、第２インバータ回路５２についても、立ち上がり処理と立ち下がり処理との少なくとも一方を実行してもよい。要するに、誘導加熱器１０は、加熱対象物（例えば、炊飯器１の釜１００）を加熱するための複数のコイルと、複数のコイルに供給電力を供給する複数のインバータ回路とを備えてもよい。制御回路６０は、複数のインバータ回路の少なくとも一つに関して、立ち上がり処理と、立ち下がり処理との少なくとも一方を実行してよい。また、誘導加熱器１０は、単一のコイルと、単一のインバータ回路とを備えてもよい。つまり、コイル３２，３３、共振コンデンサ４２、及び第２インバータ回路５２は必須ではなく、省略可能である。

（３）態様
上記実施の形態及び変形例から明らかなように、本開示は、下記の態様を含む。以下では、上記実施の形態との対応関係を明示するためだけに、符号を括弧付きで付している。

第１の態様は、誘導加熱器（１０）であって、誘導加熱用のコイル（３１）と、インバータ回路（５１）と、制御回路（６０）とを備える。前記インバータ回路（５１）は、電源回路（２０）からの電力に基づいて前記コイル（３１）に供給電力を供給する。前記制御回路（６０）は、前記供給電力を供給するオン期間（Ｔｏｎ）と前記供給電力を供給しないオフ期間（Ｔｏｆｆ）とを含む周期（Ｔ）を繰り返すように前記インバータ回路（５１）を制御することによって前記供給電力の実効値を調整する。前記制御回路（６０）は、立ち下がり処理との少なくとも一方を実行する。前記立ち上がり処理は、前記オン期間（Ｔｏｆｆ）の開始から前記供給電力の指示値を前記オン期間（Ｔｏｎ）の前記供給電力の目標値（Ｐ２）に設定するまでに、前記指示値又は前記指示値の傾きを段階的に変化又は前記指示値を曲線的に変化させて前記指示値を前記目標値（Ｐ２）まで増加させることを含む。前記立ち下がり処理は、前記指示値を前記目標値（Ｐ２）に設定してから前記オン期間（Ｔｏｎ）の終了までに、前記指示値又は前記指示値の傾きを段階的に変化又は前記指示値を曲線的に変化させて前記指示値を前記目標値（Ｐ２）から減少させることを含む。この態様によれば、フリッカを低減できる。

第２の態様は、第１の態様に基づく誘導加熱器（１０）である。第２の態様では、前記立ち下がり処理は、前記指示値を段階的に減少させる。この態様によれば、供給電力の立ち下がり時の単位時間当たりの電力の変化量を低減できて、フリッカを低減できる。

第３の態様は、第２の態様に基づく誘導加熱器（１０）である。第３の態様では、前記立ち下がり処理は、前記指示値を前記目標値（Ｐ２）より小さい値（Ｐ４１，Ｐ４２，Ｐ４３）に規定時間の間維持する１以上の減少処理を含む。この態様によれば、供給電力の立ち下がり時の単位時間当たりの電力の変化量を低減できて、フリッカを低減できる。

第４の態様は、第３の態様に基づく誘導加熱器（１０）である。第４の態様では、前記１以上の減少処理は、前記指示値を前記目標値（Ｐ２）より小さい第１値（Ｐ４１）に設定する第１減少処理と、前記第１減少処理の後に実行され、前記指示値を前記第１値（Ｐ４１）より小さい第２値（Ｐ４２）に設定する第２減少処理とを含む。この態様によれば、供給電力の立ち下がり時の単位時間当たりの電力の変化量を低減できて、フリッカを低減できる。

第５の態様は、第２～第４の態様のいずれか一つに基づく誘導加熱器（１０）である。第５の態様では、前記立ち下がり処理において、１回当たりの前記指示値の減少量は、前記目標値（Ｐ２）の１／２以下である。この態様によれば、供給電力の立ち下がり時の単位時間当たりの電力の変化量を低減できて、フリッカを低減できる。

第６の態様は、第１～第５の態様のいずれか一つに基づく誘導加熱器（１０）である。第６の態様では、前記立ち下がり処理では、前記指示値の最小値は、前記インバータ回路（５１）から前記コイル（３１）に供給可能な前記供給電力の最小値以上である。この態様によれば、インバータ回路（５１）にかかる負荷を低減できる。

第７の態様は、第１～第６の態様のいずれか一つに基づく誘導加熱器（１０）である。第７の態様では、前記制御回路（６０）は、立ち上がり処理を実行する。前記立ち上がり処理は、前記オン期間（Ｔｏｎ）の開始から所定の立ち上がり時間をかけて前記指示値を前記目標値（Ｐ２）に設定する。前記所定の立ち上がり時間は、前記インバータ回路（５１）に負荷がかからないように設定される最短時間より長い。この態様によれば、インバータ回路（５１）にかかる負荷を低減できる。

第８の態様は、第１～第７の態様のいずれか一つに基づく誘導加熱器（１０）である。第８の態様では、前記制御回路（６０）は、立ち上がり処理を実行する。前記立ち上がり処理は、前記オン期間（Ｔｏｎ）の開始から前記指示値を前記目標値（Ｐ２）に設定するまでに、前記指示値又は前記指示値の傾きを段階的に変化又は前記指示値を曲線的に変化させて前記指示値を前記目標値（Ｐ２）まで増加させることを含む。この態様によれば、フリッカを更に低減できる。

第９の態様は、第８の態様に基づく誘導加熱器（１０）である。第９の態様では、前記立ち上がり処理は、前記指示値の傾きを段階的に減少させる。この態様によれば、供給電力の立ち上がり時の単位時間当たりの電力の変化量を低減できて、フリッカを低減できる。

第１０の態様は、第９の態様に基づく誘導加熱器（１０）である。第１０の態様では、前記立ち上がり処理は、前記指示値を異なる傾きで増加させる複数の増加処理を含む。前記複数の増加処理は、前記指示値を第１の傾きで増加させる第１増加処理と、前記第１増加処理の後に実行され、前記指示値を前記第１の傾きより小さい第２の傾きで増加させる第２増加処理とを含む。この態様によれば、供給電力の立ち上がり時の単位時間当たりの電力の変化量を低減できて、フリッカを低減できる。

第１１の態様は、第８～第１０の態様のいずれか一つに基づく誘導加熱器（１０）である。第１１の態様では、前記立ち上がり処理において、前記指示値の最小値は、前記インバータ回路（５１）から前記コイル（３１）に供給可能な前記供給電力の最小値以上である。この態様によれば、インバータ回路（５１）にかかる負荷を低減できる。

第１２の態様は、第１～第１１の態様のいずれか一つに基づく誘導加熱器（１０）である。第１２の態様では、前記目標値（Ｐ２）は、前記インバータ回路（５１）から前記コイル（３１）に供給可能な前記供給電力の最大値である。この態様によれば、供給電力の実効値を大きくできる。

第１３の態様は、第１～第１２の態様のいずれか一つに基づく誘導加熱器（１０）である。第１３の態様では、前記立ち下がり処理の期間の長さは、前記オン期間（Ｔｏｎ）に前記コイル（３１）に供給する電力量の設定値に応じて決定される。この態様によれば、立ち上がり処理及び立ち下がり処理による電力量の低下を抑制できる。

第１４の態様は、第１～第１３の態様のいずれか一つに基づく誘導加熱器（１０）である。第１４の態様では、前記インバータ回路（５１，５２）は、前記コイル（３１，３２，３３）に接続されるスイッチング素子（５１０，５２０）を含む。前記制御回路（６０）は、前記スイッチング素子（５１０，５２０）の両端間にかかる電圧の波形の包絡線で定まる電圧が前記指示値に対応する値になるように、前記スイッチング素子（５１０，５２０）のデューティ比を設定する。この態様によれば、フリッカを低減できる。

第１５の態様は、第１～第１４の態様のいずれか一つに基づく誘導加熱器（１０）である。第１５の態様では、前記誘導加熱器（１０）は、複数の前記コイル（３１，３２，３３）と、前記複数のコイル（３１，３２，３３）に前記供給電力を供給する複数の前記インバータ回路（５１，５２）とを備える。前記制御回路（６０）は、前記複数のインバータ回路（５１，５２）の少なくとも一つに対して前記立ち下がり処理を実行する。この態様によれば、フリッカを低減できる。

第１６の態様は、炊飯器（１）であって、第１～第１５の態様のいずれか一つに記載の誘導加熱器（１０）と、前記誘導加熱器（１０）で加熱される釜（１００）とを備える。この態様によれば、フリッカを低減できる。

以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。

本開示は、誘導加熱器及び炊飯器、特に誘導加熱用のコイルへの供給電力のデューティ制御を行う誘導加熱器及び当該誘導加熱器を備える炊飯器に適用可能である。

１ 炊飯器
１０ 誘導加熱器
２０ 電源回路
３１，３２，３３ コイル
５１，５２ インバータ回路
５１１ スイッチング素子
６０ 制御回路
１００ 釜
Ｔｏｎ オン期間
Ｔｏｆｆ オフ期間
Ｔ 周期
Ｐ１ 初期値
Ｐ２ 目標値
Ｐ４１ 第１値（目標値より小さい値）
Ｐ４２ 第２値（目標値より小さい値）
Ｐ４３ 第３値（目標値より小さい値）

Claims (16)

1. 誘導加熱用の第１及び第２コイルと、
   電源回路からの電力に基づいて前記第１及び第２コイルに供給電力をそれぞれ供給する第１及び第２インバータ回路と、
   前記供給電力を供給するオン期間と前記供給電力を供給しないオフ期間とを含む周期を繰り返すように前記第１及び第２インバータ回路を制御することによって前記供給電力の実効値を調整する制御回路と、
   を備え、
   前記第２コイルでの単位時間当たりの電力の変化量は、前記第１コイルに比べて小さく、
   前記制御回路は、前記第１インバータ回路に対して立ち下がり処理を実行し、前記第２インバータ回路に対して前記立ち下がり処理を実行せず、
   前記立ち下がり処理は、前記供給電力の指示値を前記オン期間の前記供給電力の目標値に設定してから前記オン期間の終了までに、前記指示値又は前記指示値の傾きを段階的に変化又は前記指示値を曲線的に変化させて前記指示値を前記目標値から減少させることを含む、
   誘導加熱器。
2. 前記立ち下がり処理は、前記指示値を段階的に減少させる、
   請求項１に記載の誘導加熱器。
3. 前記立ち下がり処理は、前記指示値を前記目標値より小さい値に規定時間の間維持する１以上の減少処理を含む、
   請求項２に記載の誘導加熱器。
4. 前記１以上の減少処理は、
   前記指示値を前記目標値より小さい第１値に設定する第１減少処理と、
   前記第１減少処理の後に実行され、前記指示値を前記第１値より小さい第２値に設定する第２減少処理と、
   を含む、
   請求項３に記載の誘導加熱器。
5. 前記立ち下がり処理において、１回当たりの前記指示値の減少量は、前記目標値の１／２以下である、
   請求項２～４のいずれか一つに記載の誘導加熱器。
6. 前記立ち下がり処理では、前記指示値の最小値は、前記第１インバータ回路から前記第１コイルに供給可能な前記供給電力の最小値以上である、
   請求項１～５のいずれか一つに記載の誘導加熱器。
7. 前記制御回路は、立ち上がり処理を実行し、
   前記立ち上がり処理は、前記オン期間の開始から所定の立ち上がり時間をかけて前記指示値を前記目標値に設定し、
   前記所定の立ち上がり時間は、前記第１インバータ回路に負荷がかからないように設定される最短時間より長い、
   請求項１～６のいずれか一つに記載の誘導加熱器。
8. 前記制御回路は、前記第１インバータ回路に対して立ち上がり処理を実行し、前記第２インバータ回路に対して前記立ち上がり処理を実行せず、
   前記立ち上がり処理は、前記オン期間の開始から前記指示値を前記目標値に設定するまでに、前記指示値又は前記指示値の傾きを段階的に変化又は前記指示値を曲線的に変化させて前記指示値を前記目標値まで増加させることを含む、
   請求項１～７のいずれか一つに記載の誘導加熱器。
9. 前記立ち上がり処理は、前記指示値の傾きを段階的に減少させる、
   請求項８に記載の誘導加熱器。
10. 前記立ち上がり処理は、前記指示値を異なる傾きで増加させる複数の増加処理を含み、
    前記複数の増加処理は、
    前記指示値を第１の傾きで増加させる第１増加処理と、
    前記第１増加処理の後に実行され、前記指示値を前記第１の傾きより小さい第２の傾きで増加させる第２増加処理と、
    を含む、
    請求項９に記載の誘導加熱器。
11. 前記立ち上がり処理において、前記指示値の最小値は、前記第１インバータ回路から前記第１コイルに供給可能な前記供給電力の最小値以上である、
    請求項８～１０のいずれか一つに記載の誘導加熱器。
12. 前記目標値は、前記第１インバータ回路から前記第１コイルに供給可能な前記供給電力の最大値である、
    請求項１～１１のいずれか一つに記載の誘導加熱器。
13. 前記立ち下がり処理の期間の長さは、前記オン期間に前記第１コイルに供給する電力量の設定値に応じて決定される、
    請求項１～１２のいずれか一つに記載の誘導加熱器。
14. 前記第１インバータ回路は、前記第１コイルに接続されるスイッチング素子を含み、
    前記制御回路は、前記第１インバータ回路の前記スイッチング素子の両端間にかかる電圧の波形の包絡線で定まる電圧が前記指示値に対応する値になるように、前記第１インバータ回路の前記スイッチング素子のデューティ比を設定する、
    請求項１～１３のいずれか一つに記載の誘導加熱器。
15. 前記第２インバータ回路は、前記第２コイルに接続されるスイッチング素子を含み、
    前記制御回路は、前記第２インバータ回路の前記スイッチング素子の両端間にかかる電圧の波形の包絡線で定まる電圧が前記指示値に対応する値になるように、前記第２インバータ回路の前記スイッチング素子のデューティ比を設定する、
    請求項１～１４のいずれか一つに記載の誘導加熱器。
16. 請求項１～１５のいずれか一つに記載の誘導加熱器と、
    前記誘導加熱器で加熱される釜と、
    を備える、
    炊飯器。

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