CN112888100B - 半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具 - Google Patents
半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112888100B CN112888100B CN201911205492.7A CN201911205492A CN112888100B CN 112888100 B CN112888100 B CN 112888100B CN 201911205492 A CN201911205492 A CN 201911205492A CN 112888100 B CN112888100 B CN 112888100B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- igbt
- pwm
- frequency
- duty ratio
- bridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 112
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 41
- 238000010411 cooking Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 53
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 45
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 235000014347 soups Nutrition 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/06—Control, e.g. of temperature, of power
- H05B6/062—Control, e.g. of temperature, of power for cooking plates or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/10—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications
- H05B6/12—Cooking devices
- H05B6/129—Cooking devices induction ovens
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Induction Heating Cooking Devices (AREA)
Abstract
本发明实施例提供一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具。所述方法包括：获取第一IGBT或第二IGBT对应的PWM的频率；在PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，调整第一IGBT对应的第一PWM的占空比与第二IGBT对应的第二PWM的占空比；其中，调整第一PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的第一IGBT的单次导通时长相同；调整PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的第二IGBT的单次导通时长相同。可在半桥电磁器具处于低功率加热状态下，加热功率变化时，通过调整PWM的占空比调整其加热功率。从而使半桥电磁器具可以连续低功率加热，提高用户体验，也可以提高烹饪效果。
Description
技术领域
本发明实施例涉及家用器具技术领域，尤其涉及一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具。
背景技术
半桥电磁炉在加热时，加热功率与脉冲宽度调制(Pulse width modulation，PWM)频率有关，半桥电磁炉的控制系统通过调节上下桥臂绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor,IGBT)的导通和截止的频率(即PWM的频率)来控制交变磁场的大小，进而控制锅具感应电流的大小，即控制加热功率大小。其中，功率越大，PWM的频率越低，功率越小，PWM的频率越高。
半桥电磁炉的加热功率非常小时，PWM的频率很高，会超过IGBT 最高工作频率，导致IGBT导通或关断波形不同程度失真，使IGBT处于异常工作状态，例如IGBT不能关断，则IGBT上电流持续增大超出最大限制后，导致IGBT损坏。
发明内容
本发明实施例提供一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具，使半桥电磁器具可以连续低功率加热，提高用户体验，也可以提高烹饪效果。
第一方面，本发明实施例提供一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法，应用于半桥电磁器具，所述半桥电磁器具包括：电磁线圈、第一IGBT、第二 IGBT、谐振电容，所述电磁线圈的一端连接在所述第一IGBT和所述第二 IGBT之间，所述电磁线圈的另一端与谐振电容连接，所述第一IGBT的导通用于控制所述谐振电容储能，所述第二IGBT的导通用于控制所述谐振电容释能；所述第一IGBT与所述第二IGBT不同时导通；所述方法包括：
获取所述第一IGBT或所述第二IGBT对应的PWM的频率；
在所述PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比；
其中，调整第一PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的所述第一IGBT的单次导通时长相同；
调整第二PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的所述第二 IGBT的单次导通时长相同。
本实施例，可在半桥电磁器具处于低功率加热状态下，加热功率变化时，通过调整PWM的占空比调整其加热功率。从而使半桥电磁器具可以连续低功率加热，提高用户体验，也可以提高烹饪效果。
可选的，所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比相同。
可选的，调整占空比后的第一PWM的频率小于等于所述预设工作频率；和，
调整占空比后的第二PWM的频率小于等于所述预设工作频率。
可选的，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT 对应的第二PWM的占空比，包括：
调整所述第二IGBT由导通变为截止的时刻与所述第一IGBT由截止变为导通的时刻之间的时长。
可选的，所述方法还包括：
获取所述半桥电磁器具的加热功率；
调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比，包括：
根据所述加热功率，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比。
可选的，根据所述加热功率，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比，包括：
若所述加热功率处于增加状态，则将所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比调小；
若所述加热功率处于减少状态，则将所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比调大。
可选的，所述方法还包括：
在所述第一PWM的频率小于第一IGBT的预设工作频率时，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的频率；和，
在所述第二PWM的频率小于第二IGBT的预设工作频率时，调整所述第二IGBT对应的第二PWM的频率。
可选的，所述预设工作频率为所述第一IGBT和所述第二IGBT的最高工作频率。
本实施例，在根据加热功率调节PWM的占空比或频率时，使第一IGBT 和第二IGBT的频率始终在其最高工作频率内，避免第一IGBT和第二IGBT 硬开，从而保护IGBT。
可选的，所述第一IGBT和所述第二IGBT的最高工作频率为60kHz。
第二方面，本发明实施例提供一种半桥电磁器具，电磁线圈、第一IGBT、第二IGBT、谐振电容以及控制单元，所述电磁线圈的一端连接在所述第一 IGBT和所述第二IGBT之间，所述电磁线圈的另一端与谐振电容连接，所述第一IGBT的导通用于控制所述谐振电容储能，所述第二IGBT的导通用于控制所述谐振电容释能；所述第一IGBT与所述第二IGBT不同时导通；所述控制单元与所述第一IGBT、所述第二IGBT连接；
所述控制单元，用于执行申请发明实施例第一方面任一项所述的方法。
第三方面，本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有程序指令，所述程序指令被处理器执行时实现发明实施例第一方面任一项所述的方法。
第四方面，本申请实施例提供一种程序产品，所述程序产品包括计算机程序，所述计算机程序存储在可读存储介质中，半桥电磁器具的处理单元可以从所述可读存储介质读取所述计算机程序，所述半桥电磁器具的处理单元执行所述计算机程序使得半桥电磁器具实施本申请发明实施例第一方面任一项所述的方法。
本发明实施例提供一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具，通过获取第一IGBT或第二IGBT对应的PWM的频率；在PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，调整第一IGBT对应的第一PWM的占空比与第二IGBT对应的第二PWM的占空比；其中，调整第一PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的第一IGBT的单次导通时长相同；调整 PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的第二IGBT的单次导通时长相同。可在半桥电磁器具处于低功率加热状态下，加热功率变化时，通过调整PWM的占空比调整其加热功率。从而使半桥电磁器具可以连续低功率加热，提高用户体验，也可以提高烹饪效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例提供的半桥电磁器具的加热电路的电路结构图；
图2为本发明一实施例提供的半桥电磁器具的电磁加热控制方法的流程图；
图3为本发明一实施例提供的PWM的时序图；
图4为本发明另一实施例提供的半桥电磁器具的电磁加热控制方法的流程图；
图5为本发明另一实施例提供的PWM的时序图；
图6为本发明另一实施例提供的PWM的时序图；
图7为本发明另一实施例提供的PWM的时序图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明一实施例提供的半桥电磁器具的加热电路的电路结构图。如图1所示，本实施例提供的半桥电磁器具的加热电路100包括：电磁线圈 110、第一IGBT、第二IGBT、谐振电容C2以及控制单元120。
需要说明的是，如图1所示，半桥电磁器具的加热电路还可以包括其他部件，图1中未全部示出，示例性的，例如还可以包括：EMC测试(EMC Test) 电路和整流电路、滤波电路以及第一驱动电路、光耦隔离电路、第二驱动电路。其中，EMC测试电路和整流电路、滤波电路以及第一驱动电路、光耦隔离电路、第二驱动电路的电路结构可参考现有技术，此处不再赘述。例如，滤波电路可以是通过电感L1和电容C1组成LC电源滤波电路。
其中，电磁线圈110的一端连接在第一IGBT和第二IGBT之间，电磁线圈110的另一端与谐振电容C2连接，谐振电容C2的另一端接地。第一IGBT 和第二IGBT的栅极G分别与控制单元120连接，第一IGBT的发射极E与第二IGBT的集电极C连接，第一IGBT的集电极C与滤波电路的输出端连接，第二IGBT的发射极E接地。因此，第一IGBT的导通用于控制谐振电容储能，第二IGBT的导通用于控制谐振电容释能。其中，第一IGBT与第二 IGBT不同时导通。
本实施例中，半桥电磁器具以半桥电磁炉为例进行说明，半桥电磁炉包括两个IGBT，其加热原理为：通过两个IGBT的依次导通，让电源电流在电磁线圈110中形成交变电流而产生交变磁场，此磁场会对放置在电磁线圈110 上面的锅具产生强大的感应电流而使锅具自身发热，实现烹饪。
具体的，控制单元120以微控制单元(Microcontroller Unit，MCU)为例进行说明。在控制单元120中设置有脉冲宽度调制(Pulse width modulation， PWM)模块，控制单元120通过PWM模块输出第一PWM的频率控制第一 IGBT的导通和截止，以及通过PWM模块输出第二PWM的频率控制第二 IGBT的导通和截止。在第一IGBT导通时，电流从第一IGBT的发射极E流向电磁线圈110，电磁线圈110中有电流过产生磁能并存储在电磁线圈110 上，并且，电磁线圈110向谐振电容组中的谐振电容充电，将此时电流的流向记为正向。其中，如图1所示，本发明实施例中谐振电容组包括谐振电容 1和谐振电容2。当第一IGBT截止，第二IGBT导通时，由于电感的极性不容许电流突变，电磁线圈110中的能量继续向谐振电容组中的谐振电容充电，当电磁线圈110中的能量全部转移到谐振电容组中的谐振电容时，充电电流减小到最小，也就是电磁线圈110的能量全部放完时，谐振电容组中的谐振电容两端的电压达到最大值。此时，由于第一IGBT截止，第二IGBT导通，谐振电容组中的谐振电容开始向电磁线圈110放电，通过第二IGBT形成放电回路，将此时电流的流向记为反向。此时，电磁线圈110的磁场方向发生变化。随着谐振电容组中的谐振电容向电磁线圈110放电，谐振电容组中的谐振电容两端的电压减少，电磁线圈110两端的反向电压增高。接着，第二 IGBT截止，第一IGBT导通，重复上述过程，从而产生振荡脉冲，即产生交变磁场。另外，根据上述可知，半桥电磁炉加热功率的大小主要是由两个IGBT 的导通时，电磁线圈110中产生电流的大小决定的，所以调节半桥电磁炉加热功率的大小，只需要调节两个IGBT的导通时间即可，即调节两个IGBT 的频率。
其中，在正常工作时，半桥电磁炉的两个IGBT的导通时间并不能无限减小，而有最小导通时间，即正常工作时，两个IGBT的频率不能大于IGBT 的最高工作频率。否则，会导致IGBT出现严重的硬开情况，即IGBT为非过零导通，从而造成IGBT的损耗较大，容易损坏。现有技术中，调小半桥电磁炉的加热功率时，可以增大两个IGBT的频率使半桥电磁炉的加热功率降低。但是，半桥电磁炉的加热功率减小到使两个IGBT的频率达到其最高工作频率时，如果用户继续使半桥电磁炉的加热功率减小，无法再通过增大两个IGBT的频率使半桥电磁炉的加热功率降低。因此，为了使半桥电磁炉可以低功率加热，需要使半桥电磁炉间断性加热，即半桥电磁炉加热一段时间后，停止加热一段时间，然后再加热一段时间，从而实现低功率加热。因此，半桥电磁炉无法实现连续的低功率加热。因此，当用户需要连续低功率加热，例如煲汤时，现有的半桥电磁炉的低功率时的热方式无法满足用户需求，并且，采用间歇加热的方式对食材进行烹饪，烹饪效果较差。
为解决现有技术中存在的上述问题，本发明的发明构思为：半桥电磁炉工作在低功率加热状态，控制两个IGBT的导通时长为允许的最短时长的情况下，改变两个IGBT的占空比，从而使半桥电磁炉在低功率加热状态是可以连续加热。其中，控制单元120采用下面实施例任一示出的半桥电磁器具的电磁加热控制方法调节第一IGBT或第二IGBT的占空比。
图2为本发明一实施例提供的半桥电磁器具的电磁加热控制方法的流程图，本发明实施例的执行主体为控制单元120，如图2所示，本实施例的方法可以包括：
S101、获取第一IGBT或第二IGBT对应的PWM的频率。
本实施例中，半桥电磁炉的第一IGBT导通时，第二IGBT截止；第二 IGBT导通时，第一IGBT截止，实现半桥电磁炉的加热功能。其中，第一IGBT 和第二IGBT对应的PWM的频率相同。
由于半桥电磁炉的加热功率与第一IGBT或第二IGBT对应的PWM的频率有关，通过调整PWM的频率可以调整半桥电磁炉的加热功率。因此，当半桥电磁炉的加热功率变化时，需要调整PWM的频率，以使加热功率达到变化后的加热功率。但是，由于第一IGBT和第二IGBT具有最高工作频率，因此，为避免第一IGBT和第二IGBT出现严重的硬开情况，设置预设工作频率，当加热功率变化，使PWM的频率达到预设工作频率时，不再进行调整 PWM的频率的调整，而是调整PWM的占空比。因此，半桥电磁炉的加热功率变化时，控制单元120获取第一IGBT或第二IGBT对应的PWM的频率。
由于第一IGBT和第二IGBT对应的PWM的频率相同，因此，控制单元 120可以获取PWM模块中第一PWM的频率，或者第二PWM的频率。
S102、在PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，调整第一 IGBT对应的第一PWM的占空比与第二IGBT对应的第二PWM的占空比。
其中，调整第一PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的第一 IGBT的单次导通时长相同；调整第二PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的第二IGBT的单次导通时长相同。
本实施例中，控制单元120获取到PWM的频率后，判断PWM的频率是否小于IGBT的预设工作频率，若PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率，通过调整PWM的占空比调整半桥电磁炉的加热功率。若PWM的频率小于IGBT的预设工作频率，通过调整PWM的频率调整半桥电磁炉的加热功率。
需要说明的是，通过调整PWM的频率调整半桥电磁炉的加热功率时，若加热功率降低，则随着PWM的频率的增大，可能会使PWM的频率等于 IGBT的预设工作频率。此时，如果半桥电磁炉的加热功率还没有调节到变化后的加热功率，则需要调整PWM的占空比调整半桥电磁炉的加热功率。
需要说明的是，PWM的占空比与PWM处于高低电平的时长有关，本发明实施例中，调整PWM的占空比需要保持PWM处于高电平的时长不变。即调整第一PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的第一IGBT的单次导通时长相同；以及调整第二PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的第二IGBT的单次导通时长相同。
在PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率，由于第一IGBT的导通时长较短，因此，电磁线圈110和谐振电容C2的储能较少，因此，在第二 IGBT的导通时，释放的电能少。并且，调整PWM的占空比，增加了第一IGBT 两次导通之间间隔的时长，从而实现在PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率，通过调整PWM的占空比调整半桥电磁炉的加热功率。并且，虽然第一IGBT两次导通之间间隔的时长增加，但是，用户感受不到半桥电磁炉停止加热。另外，通过调整PWM的占空比，电磁线圈110和谐振电容 C2的储能和释能之间也无需等待，从而使半桥电磁炉可以低功率连续加热。
其中，可选的，预设工作频率为第一IGBT和第二IGBT的最高工作频率，即控制单元120的PWM模块输出的第一PWM和第二PWM的最高频率。例如，第一IGBT和第二IGBT的最高工作频率为60kHz，则当第一IGBT和第二IGBT以60kHz的频率工作时，对应的加热功率为500W，则半桥电磁炉的加热功率从大于或等于500W的数值降低时，只要加热功率仍然大于或等于500W，可以通过调整第一PWM和第二PWM的频率使半桥电磁炉达到变化后的加热功率。当半桥电磁炉的加热功率降低为500W时，第一PWM和第二PWM的频率增大到最高工作频率，即第一IGBT和第二IGBT的导通时长达到其最短导通时长。当加热功率继续下降时，不能继续增加第一PWM和第二PWM的频率，需要通过调整PWM的占空比使半桥电磁炉达到变化后的加热功率。
因此，若当前PWM的频率小于第一PWM的最高频率，说明当前第一 IGBT和第二IGBT的导通时长没有达到其允许的最低导通时长。当加热功率变化时，可以通过调整第一PWM和第二PWM的频率使半桥电磁炉的加热频率达到调整后的加热频率。若当前PWM的频率大于过等于第一PWM的最高频率，说明当前第一IGBT和第二IGBT的导通时长达到其允许的最低导通时长。当加热功率变化时，需要通过调整第一PWM和第二PWM的占空比使半桥电磁炉的加热频率达到调整后的加热频率。
需要说明的是，预设工作频率例如还可以为第一IGBT和第二IGBT的最高工作频率的90％，即若第一IGBT和第二IGBT的最高工作频率为60kHz，那么，当第一IGBT和第二IGBT对应的PWM的频率达到54kHz及以上时，当半桥电磁炉的加热功率变化时，调整PWM的占空比。其中，由于IGBT 的制作工艺不同，第一IGBT和第二IGBT的最高工作频率不同。另外，预设工作频率可以根据不同的半桥电磁器具进行选择，本发明实施例对此不限制，能使IGBT不受损坏即可。
本实施例，通过获取第一IGBT或第二IGBT对应的PWM的频率；在 PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，调整第一IGBT对应的第一PWM的占空比与第二IGBT对应的第二PWM的占空比；其中，调整第一 PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的第一IGBT的单次导通时长相同；调整PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的第二IGBT的单次导通时长相同。可在半桥电磁器具处于低功率加热状态下，加热功率变化时，通过调整PWM的占空比调整其加热功率。从而使半桥电磁器具可以连续低功率加热，提高用户体验，也可以提高烹饪效果。
可选的，由于半桥电磁炉的加热是通过第一IGBT的导通和第二IGBT 的截止实现的，且第一IGBT和第二IGBT无法同时导通。因此，控制单元 120在调整第一IGBT对应的第一PWM的占空比和第二IGBT对应的第二 PWM的占空比时，需要使第一IGBT对应的第一PWM的占空比与第二IGBT 对应的第二PWM的占空比相同。
可选的，当前PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率，加热功率降低时，第一IGBT和第二IGBT的导通时长无法继续减小，而需要通过调整第一PWM的占空比和第二PWM的占空比，即延长第一PWM和第二PWM 处于低电平状态的时长。从而使调整占空比后的第一PWM的频率小于等于预设工作频率；和，调整占空比后的第二PWM的频率小于等于预设工作频率。而当加热功率升高时，保持当前PWM处于高电平的时长不变，缩短当前PWM处于低电平的时长，即缩短第一PWM和第二PWM处于低电平状态的时长，直至当前PWM的频率等于IGBT的预设工作频率。
可选的，S102的一种可能的实现方式为：调整第二IGBT由导通变为截止的时刻与第一IGBT由截止变为导通的时刻之间的时长。PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率，加热功率变化时，其中，变化后的加热功率对应的PWM的频率仍然大于或等于IGBT的预设工作频率。则如图3所示，调整图3中A至B之间的时长。
可选的，通过调整PWM的频率调整半桥电磁炉的加热功率，包括：在第一PWM的频率小于第一IGBT的预设工作频率时，调整第一IGBT对应的第一PWM的频率；和，在第二PWM的频率小于第二IGBT的预设工作频率时，调整第二IGBT对应的第二PWM的频率。其中，调整PWM的频率的方式可参考现有技术，此处不再赘述。
图4为本发明另一实施例提供的半桥电磁器具的电磁加热控制方法的流程图。如图4所示，在上述任一所示实施例的基础上，图4所示实施例的方法包括：
S201、获取第一IGBT或第二IGBT对应的PWM的频率。
本实施例S201的具体实现方式可参考S101，此处不再赘述。
S202、获取半桥电磁器具的加热功率。
本实施例中，半桥电磁炉在使用过程中，控制单元120检测到加热功率发生变化时，例如，用户重新设置加热功率，获取变化后的加热功率。
S203、在PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，根据加热功率，调整第一IGBT对应的第一PWM的占空比与第二IGBT对应的第二 PWM的占空比。
本实施例中，PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率，则在PWM 的频率大于或等于IGBT的预设工作频率的范围内，根据加热功率，调整第一PWM的占空比与第二PWM的占空比。
可选的，S203的一种可能的实现方式为：若加热功率处于增加状态，则将第一IGBT对应的第一PWM的占空比与第二IGBT对应的第二PWM的占空比调小；若加热功率处于减少状态，则将第一IGBT对应的第一PWM的占空比与第二IGBT对应的第二PWM的占空比调大。
例如，当PWM的频率等于IGBT的预设工作频率时对应的加热功率为 500W，其对应的第一PWM和第二PWM的时序图如图3所示。PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率，说明当前加热功能率为小于或等于500W。例如当前加热功率为300W，其对应的第一PWM和第二PWM的时序图如图5所示。
加热功率从300W降低为200W时，控制单元120检测到加热功率降低，则将第一PWM的占空比和第二PWM的占空比调小，即与图5所示的时长相比，延长第一PWM和第二PWM同时处于低电平状态的时长，其对应的第一PWM和第二PWM的时序图如图6所示。
加热功率再从200W增加到400W时，控制单元120检测到加热功率升高，则将第一PWM的占空比和第二PWM的占空比调大，即与图6所示的时长相比，缩短第一PWM和第二PWM同时处于低电平状态的时长，其对应的第一PWM和第二PWM的时序图如图7所示。其中，图3以及图5-图7中，A至B之间的长度与第一PWM和第二PWM同时处于低电平状态的时长成正相关。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
另外，需要说明的是，在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“相连”等应做广义理解，例如可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定、对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(random access memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法，其特征在于，应用于半桥电磁器具，所述半桥电磁器具包括：电磁线圈(110)、第一绝缘栅双极型晶体管IGBT、第二IGBT、谐振电容(C2)，所述电磁线圈(110)的一端连接在所述第一IGBT和所述第二IGBT之间，所述电磁线圈(110)的另一端与谐振电容(C2)连接，所述第一IGBT的导通用于控制所述谐振电容(C2)储能，所述第二IGBT的导通用于控制所述谐振电容(C2)释能；所述第一IGBT与所述第二IGBT不同时导通；所述方法包括：
获取所述第一IGBT或所述第二IGBT对应的脉冲宽度调制PWM的频率；
在所述PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比；
其中，调整第一PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的所述第一IGBT的单次导通时长相同；
调整第二PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的所述第二IGBT的单次导通时长相同；
所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比相同。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，调整占空比后的第一PWM的频率小于等于所述预设工作频率；和，
调整占空比后的第二PWM的频率小于等于所述预设工作频率。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比，包括：
调整所述第二IGBT由导通变为截止的时刻与所述第一IGBT由截止变为导通的时刻之间的时长。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取所述半桥电磁器具的加热功率；
调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比，包括：
根据所述加热功率，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述加热功率，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比，包括：
若所述加热功率处于增加状态，则将所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比调小；
若所述加热功率处于减少状态，则将所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比调大。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第一PWM的频率小于第一IGBT的预设工作频率时，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的频率；和，
在所述第二PWM的频率小于第二IGBT的预设工作频率时，调整所述第二IGBT对应的第二PWM的频率。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设工作频率为所述第一IGBT和所述第二IGBT的最高工作频率。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一IGBT和所述第二IGBT的最高工作频率为60kHz。
9.一种半桥电磁器具，其特征在于，包括：电磁线圈(110)、第一IGBT、第二IGBT、谐振电容(C2)以及控制单元(120)，所述电磁线圈(110)的一端连接在所述第一IGBT和所述第二IGBT之间，所述电磁线圈(110)的另一端与谐振电容(C2)连接，所述第一IGBT的导通用于控制所述谐振电容(C2)储能，所述第二IGBT的导通用于控制所述谐振电容(C2)释能；所述第一IGBT与所述第二IGBT不同时导通；所述控制单元(120)与所述第一IGBT、所述第二IGBT连接；
所述控制单元(120)，用于执行如权利要求1-8任一项所述的半桥电磁器具的电磁加热控制方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911205492.7A CN112888100B (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911205492.7A CN112888100B (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112888100A CN112888100A (zh) | 2021-06-01 |
| CN112888100B true CN112888100B (zh) | 2023-05-02 |
Family
ID=76038979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911205492.7A Active CN112888100B (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112888100B (zh) |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090034298A1 (en) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Champion Microelectronic Corporation | Control Method And Apparatus Of Resonant Type DC/DC Converter With Low Power Loss At Light Load And Standby |
| JP4929305B2 (ja) * | 2009-03-16 | 2012-05-09 | 日立アプライアンス株式会社 | 電磁誘導加熱装置 |
| CN102647104A (zh) * | 2012-04-13 | 2012-08-22 | 美的集团有限公司 | 一种半桥谐振电路的功率控制装置及控制方法 |
| CN104125667B (zh) * | 2014-05-12 | 2016-01-20 | 洛阳理工学院 | 桥式串联谐振感应加热电源新型互锁驱动保护电路 |
| JP2016143568A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | 日立アプライアンス株式会社 | 電磁誘導加熱装置 |
| CN107306460B (zh) * | 2016-04-25 | 2020-12-22 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 电磁加热系统和用于其的半桥隔离驱动电路 |
| CN107302809B (zh) * | 2016-08-18 | 2020-12-22 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 电磁加热烹饪系统及其加热控制装置和控制方法 |
| CN108072062B (zh) * | 2016-11-10 | 2020-07-03 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 一种电磁炉加热控制方法、系统和电磁炉 |
| CN108243516B (zh) * | 2018-02-05 | 2021-02-26 | 宁波拓邦智能控制有限公司 | 一种电磁加热设备的功率控制方法、装置及电磁加热设备 |
-
2019
- 2019-11-29 CN CN201911205492.7A patent/CN112888100B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112888100A (zh) | 2021-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3884664B2 (ja) | 誘導加熱装置 | |
| JP5591810B2 (ja) | 共鳴誘導性負荷に電気エネルギーを結合する回路及び方法 | |
| CN107155230B (zh) | 电磁加热烹饪装置及其加热控制电路和低功率加热控制方法 | |
| US20120187107A1 (en) | System and method for controlling quasi-resonant inverter and electric heating device employing the same | |
| JP2009512147A (ja) | 誘導加熱装置を動作させる方法 | |
| KR102101736B1 (ko) | 전자기 조리 기구 및 그의 전력 제어 방법 | |
| US11064573B2 (en) | Determining resonant frequency for quasi-resonant induction cooking devices | |
| EP3050398B1 (en) | Synchronization circuit for powering cooktop dual induction coil heating zone | |
| US20230284346A1 (en) | Induction heating device with improved interference noise elimination and output control functions | |
| JP2016143568A (ja) | 電磁誘導加熱装置 | |
| CN110351913B (zh) | 电磁加热烹饪器具及其中igbt管的驱动控制方法和装置 | |
| US20180176998A1 (en) | Evaluating zero-voltage switching condition of quasi-resonant inverters in induction cooktops | |
| CN112888100B (zh) | 半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具 | |
| CN106162970B (zh) | 电磁加热装置和具有其的电磁炉 | |
| JP6854826B2 (ja) | 電磁調理器具及びその電力制御方法 | |
| CN108377587B (zh) | 功率控制方法、装置和电磁加热设备 | |
| KR102175634B1 (ko) | 동작 안정성을 향상한 조리 기기 및 그 동작방법 | |
| KR100692634B1 (ko) | 유도가열 조리기 구동회로 및 그 구동방법 | |
| US20180176997A1 (en) | Ac decoupling and filtering of multi-channel quasi-resonant (qr) inverters in induction cooktops | |
| JP7107746B2 (ja) | 電磁誘導加熱調理器 | |
| JP3592458B2 (ja) | 電磁調理器 | |
| CN113498224A (zh) | 加热电路以及烹饪设备 | |
| Dong-Seok | A new control scheme for a Class-D inverter with induction heating jar application by constant switching frequency | |
| CN117750562A (zh) | 电路板控制方法与电路板 | |
| CN112888099B (zh) | 半桥电磁器具的igbt控制方法和半桥电磁加热器具 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |