JP7410795B2 - メトロロジデータへの寄与の分離 - Google Patents
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Description
[0001] 本出願は、本明細書にその全体が援用される、2016年2月22日に出願された米国特許出願第62/298,367号、2016年9月1日に出願された米国特許出願第62/382,764号、及び2017年2月15日に出願された米国特許出願第62/459,327号の優先権を主張する。
-放射(例えば、UV放射又はDUV放射)ビームPBを調節するための照明系(イルミネータ)IL、
-パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持し、且つアイテムPSに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするための第1の位置決めデバイスPMに接続されたサポート構造MT、
-基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持し、且つアイテムPSに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WT、及び
-パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ又は複数のダイを含む)上に結像するように構成された投影系(例えば屈折投影レンズ)PS、
を含む。
1.基板上のパターンのメトロロジデータに対する、モデリングされる第1のプロセス変数の第1の寄与を取得することと、
パターンのメトロロジデータに対する、モデリングされない第2のプロセス変数の第2の寄与を取得することと、
ハードウェアコンピュータにより第1の寄与及び第2の寄与を統合することによって、メトロロジデータを取得することと、
を含む、方法。
2.メトロロジデータが、クリティカルディメンジョン(CD)、クリティカルディメンジョン均一性(CDU)、側壁角、エッジ位置、オーバーレイ、焦点、パターンシフト、又はそれらから選択された組み合わせを含む、条項1に記載の方法。
3.メトロロジデータが、パターングループの統計値を含む、条項1又は2に記載の方法。
4.第2のプロセス変数が、基板の露光の下流のプロセスの特性である、条項1~3の何れか一項に記載の方法。
5.プロセスが、基板上のレジスト層の現像である、条項4に記載の方法。
6.プロセスが、基板のエッチングである、条項4に記載の方法。
7.第2のプロセス変数が、基板の特性である、条項1~3の何れか一項に記載の方法。
8.第2のプロセス変数が、基板上のレジスト層の特性である、条項1~3の何れか一項に記載の方法。
9.第2のプロセス変数の値が、未知である、条項1~8の何れか一項に記載の方法。
10.第1の寄与及び第2の寄与を統合することが、第1の寄与及び第2の寄与を加算すること、又は第1の寄与及び第2の寄与をコンボリューションすることを含む、条項1~9の何れか一項に記載の方法。
11.基板上のパターンのメトロロジデータに対する第2のプロセス変数の寄与を、ハードウェアコンピュータにより、メトロロジデータに対する第1のプロセス変数の寄与をメトロロジデータから除去することによって取得することを含む、方法。
12.第1のプロセス変数が、モデリングされる、条項11に記載の方法。
13.第1のプロセス変数の寄与の取得が、モデリングによるものである、条項12に記載の方法。
14.第1のプロセス変数の寄与が、第2のプロセス変数の非線形関数である、条項12に記載の方法。
15.第1のプロセス変数が、モデリングされない、条項11に記載の方法。
16.第1のプロセス変数の寄与が、実験的又は経験的に決定される、条項15に記載の方法。
17.基板上の第1のパターンのメトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、メトロロジデータに対する第1のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与をメトロロジデータから除去することによって取得することと、
第1のパターンのメトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に基づいて、ハードウェアコンピュータにより、基板上の第2のパターンのメトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を取得することと、
を含む、方法。
18.第2のパターンのメトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に基づいて、第1のグループの1つ又は複数のプロセス変数の内の1つ又は複数の変数を調整することによって、第2のパターンにおける欠陥の確率を減少させることをさらに含む、条項17に記載の方法。
19.第2のパターンに計測を行うことなく、第2のパターンにおける欠陥の確率を減少させる、条項18に記載の方法。
20.第2のパターンのメトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与が、第2のパターンのメトロロジデータを取得することなく取得される、条項17に記載の方法。
21.第2のパターンのメトロロジデータに対する第1のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、第2のパターンのメトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を第2のパターンのメトロロジデータから除去することによって取得することをさらに含む、条項17に記載の方法。
22.第2のパターンのメトロロジデータに対する第1のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与が、第2のパターンに関する第1のグループの1つ又は複数のプロセス変数の値を取得することなく取得される、条項21に記載の方法。
23.第2のパターンのメトロロジデータに対する第1のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与、第2のパターンのメトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与、又は両方に基づいて、第1のグループの1つ又は複数のプロセス変数の内の1つ又は複数のプロセス変数を調整することによって、第2のパターンにおける欠陥の確率を減少させることをさらに含む、条項21に記載の方法。
24.第1のパターンのメトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、第1のパターンのメトロロジデータに対する第1のグループのプロセス変数の変化の寄与をメトロロジデータから除去することによって取得することと、
第1のパターンのメトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に基づいて、基板上の第2のパターンのメトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を取得することと、
ハードウェアコンピュータにより、第2のパターンのメトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に基づいて、第2のパターンに関する第1のグループのプロセス変数が及ぶサブプロセスウィンドウ(サブPW)を取得することと、
を含む、方法。
25.第1のグループが、モデリングされる全てのプロセス変数を含み、及び第2のグループが、モデリングされない全てのプロセス変数を含む、条項24に記載の方法。
26.サブPWに基づいて、第1のグループのプロセス変数の内の1つ又は複数の値を調整することによって、第2のパターンにおける欠陥の確率を減少させることをさらに含む、条項24に記載の方法。
27.メトロロジデータに対するモデリングされる第1のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与、及びメトロロジデータに対するモデリングされない第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を統合することによって、ホットスポットのメトロロジデータの推定値を取得することと、
ハードウェアコンピュータにより、メトロロジデータの推定値に基づいて、ホットスポットに欠陥があるか否かを決定することと、
を含む、方法。
28.推定値が、ホットスポットに計測を行うことなく取得される、条項27に記載の方法。
29.パターンのメトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、第1のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与をメトロロジデータから除去することによって取得することと、
メトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を決定するためのモデルのパラメータの値を、ハードウェアコンピュータにより、パターンのメトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与に対してパラメータをフィッティングすることによって取得することと、
を含む、方法。
30.第1のグループの1つ又は複数のプロセス変数が、モデリングされない全てのプロセス変数を含む、条項29に記載の方法。
31.第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の全てのプロセス変数が、モデリングされる、条項29に記載の方法。
32.基板上のパターンのメトロロジデータの推定値を、メトロロジデータに対するモデリングされるプロセス変数の変化の寄与と、メトロロジデータに対するモデリングされないプロセス変数の変化の寄与とを統合することによって取得することと、
メトロロジデータの推定値が基準を満たすか否かを決定することと、
推定値が基準を満たさない場合、ハードウェアコンピュータにより、モデリングされるプロセス変数と、メトロロジデータに対するモデリングされないプロセス変数の変化の寄与との関係を調整することと、
を含む、方法。
33.関係の調整は、基板上のレジストの化学組成を変更することを含む、条項32に記載の方法。
34.関係の調整は、基板上のレジストの現像に使用される化学薬品を変更することを含む、条項32に記載の方法。
35.関係の調整は、基板のエッチングに使用されるエッチング装置を変更することを含む、条項32に記載の方法。
36.パターニングプロセスによって処理される基板のパターン、又はパターニングプロセスによって処理される基板用のパターンの第1の変数の値を、基板に関する第1の変数のフィンガープリントと、第1の変数の特定の値とを統合することによって計算することと、
第1の変数の計算値に少なくとも部分的に基づいて、パターンの第2の変数の値を決定することと、
を含む、方法。
37.パターンの第2の変数の値の決定は、第1の変数の計算値及び第2の変数に少なくとも部分的に基づいた再構築又はシミュレーション結果がルールに適合するまで、ハードウェアコンピュータにより、第2の変数を調整することを含む、条項36に記載の方法。
38.ルールは、基板上のパターンの測定結果と、再構築/シミュレーション結果との差が、閾値を超える又は閾値に合致することを示す、条項37に記載の方法。
39.再構築/シミュレーション結果が、計算放射分布であり、及び測定結果が、測定放射分布である、条項36又は37に記載の方法。
40.第1の変数の変化が、第2の変数の同じ変化よりも、再構築又はシミュレーション結果においてより大きな差をもたらす、条項37~39の何れか一項に記載の方法。
41.第1の変数が、基板上のメトロロジターゲットに関係する、条項36~40の何れか一項に記載の方法。
42.第1の変数が、基板上のメトロロジターゲットのパターンのクリティカルディメンジョンである、条項41に記載の方法。
43.第2の変数が、基板上のメトロロジターゲットに関係する、条項36~42の何れか一項に記載の方法。
44.第2の変数が、メトロロジターゲットのパターンの側壁角、メトロロジターゲットのパターンの高さ、メトロロジターゲットの層の厚さ、現像中のメトロロジターゲットのパターンのレジスト損失、メトロロジターゲットのフッティング、メトロロジターゲットの層の屈折率、メトロロジターゲットの層の吸収、及び/又はメトロロジターゲットの層の吸光係数から選択された1つ又は複数を含む、条項43に記載の方法。
45.パターンの第2の変数に基づいて、基板上へのパターンの転写の下流のプロセスに続いて、欠陥があるか否かを予測することをさらに含む、条項36~44の何れか一項に記載の方法。
46.基板上へのパターンの転写の下流のプロセスに続く、パターンにおける欠陥の予測に応答して、基板又は別の基板に関するパターニングプロセスの変数を調整する、条項45に記載の方法。
47.プロセスが、基板上のレジスト層の現像を含む、条項45又は46に記載の方法。
48.プロセスが、基板のエッチングを含む、条項45~47の何れか一項に記載の方法。
49.パターニングプロセスのリソグラフィ装置に関係する第1のグループの1つ又は複数の変数からの第1の寄与と、リソグラフィ装置におけるパターンの転写より前、又は後の1つ又は複数の製作プロセスに関係する第2のグループの1つ又は複数の変数からの第2の寄与と、パターンの転写に使用されるパターニングデバイスに関係する第3のグループの1つ又は複数の変数からの第3の寄与とを統合することによって、第1の変数のフィンガープリントを取得することをさらに含む、条項36~48の何れか一項に記載の方法。
50.第1のグループの変数が、リソグラフィ装置による照明、リソグラフィ装置の投影系、リソグラフィ装置の基板ステージの移動の移動標準偏差、基板ステージの移動の移動平均、焦点、ドーズ、帯域幅、露光期間、高周波レーザ帯域幅変化、高周波レーザ波長変化、及び/又は基板の平坦性の1つ又は複数の変数を含む、条項49に記載の方法。
51.第2のグループの変数が、スピンコーティング、ポストベーク、現像、エッチング、堆積、ドーピング、及び/又はパッケージングの1つ又は複数の変数を含む、条項49又は50に記載の方法。
52.第3のグループの変数が、マスクCD、アシストパターンの形状及び/又は位置、及び/又は解像度向上技術によって適用される調整の1つ又は複数の変数を含む、条項49~51の何れか一項に記載の方法。
53.第1の変数のフィンガープリントと、第1の変数の特定の値との統合は、第1の変数のフィンガープリントと、第1の変数の特定の値とを加算することを含む、条項36~52の何れか一項に記載の方法。
54.第1の変数の特定の値が、基板に関する第1の変数の一群の測定の平均値を求めることによって取得される、条項36~53の何れか一項に記載の方法。
55.第1の変数の特定の値が、第1の変数の設計値である、条項36~53の何れか一項に記載の方法。
56.第2の変数の値の決定時に使用される第1の変数が、第1の変数の計算値を中心とした特定の範囲内に制限された値を有する、条項36~54の何れか一項に記載の方法。
57.パターニングプロセスによって作成されるパターンに関連付けられた変数の基板全体フィンガープリントを取得することと、
ハードウェアコンピュータシステムにより、フィンガープリント内の基板位置から選択された変数の値に基づいて、パターンのフィーチャのコンターを予測することと、
を含む、方法。
58.予測が、変数の値を用いて、フィーチャの特定の形状の公称コンターを選択することを含む、条項57に記載の方法。
59.公称コンターが、シミュレーション又は数学モデルを用いた演算によって取得される、条項58に記載の方法。
60.公称コンターが、レジストにおいて期待されるコンターである、条項58又は59に記載の方法。
61.予測が、フィーチャの公称コンターのサイズを変更することを含む、条項57~60の何れか一項に記載の方法。
62.サイズの変更が、パターンに関連付けられたさらなる変数の値に基づき、その値が、さらなる変数の基板全体フィンガープリントから同じ基板位置で選択される、条項61に記載の方法。
63.さらなる変数の基板全体フィンガープリントが、ポストエッチング状況に対応する、条項62に記載の方法。
64.さらなる変数が、クリティカルディメンジョンを含む、条項62又は63に記載の方法。
65.変数が、焦点を含む、条項57~64の何れか一項に記載の方法。
66.フィーチャが、決定されたホットスポットである、条項57~65の何れか一項に記載の方法。
67.予測コンターを用いて、エッジ配置位置又は誤差を決定することをさらに含む、条項57~66の何れか一項に記載の方法。
68.フィーチャ又は別のフィーチャに欠陥のある可能性が高いか否かを決定するために、予測コンターに対するチェックを用いることをさらに含む、条項57~67の何れか一項に記載の方法。
69.予測コンターを用いて、数学モデルを較正することをさらに含む、条項57~68の何れか一項に記載の方法。
70.数学モデルが、光近接効果補正モデルを含む、条項69に記載の方法。
71.記録された命令を有する非一時的コンピュータ可読媒体を含むコンピュータプログラムであって、命令が、コンピュータによって実行されると、条項1~70の何れか一項に記載の方法を実施する、コンピュータプログラム。
Claims (4)
- メトロロジデータを処理するための方法であって、
基板上の第1のパターンのメトロロジデータに対する第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を、前記メトロロジデータに対する第1のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を前記メトロロジデータから除去することによって取得することと、
前記第1のパターンの前記メトロロジデータに対する前記第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の前記寄与に基づいて、ハードウェアコンピュータにより、前記基板上の第2のパターンのメトロロジデータに対する前記第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の寄与を取得することと、を含み、
前記第1のパターンは、メトロロジパターンであって機能パターンを含まないものであり、
前記第2のパターンは、機能パターンであり、
前記第1のグループの1つ又は複数のプロセス変数は、前記メトロロジデータに対してモデリングされる1つ又は複数の変数であり、
前記第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数は、前記メトロロジデータに対してモデリングされない1つ又は複数の変数であり、
前記第1のパターン及び前記第2のパターンに対する前記第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の影響は、類似する、方法。 - 前記第2のパターンのメトロロジデータに対する前記第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の前記寄与に基づいて、前記第1のグループの1つ又は複数のプロセス変数の内の1つ又は複数の変数を調整することによって、前記第2のパターンにおける欠陥の確率を減少させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のパターンの前記メトロロジデータに対する前記第2のグループの1つ又は複数のプロセス変数の変化の前記寄与が、前記第2のパターンの前記メトロロジデータを取得することなく取得される、請求項1に記載の方法。
- 記録された命令を有する非一時的コンピュータ可読媒体を含むコンピュータプログラムであって、
前記命令が、コンピュータによって実行されると、請求項1から3の何れか一項に記載の方法を実施する、コンピュータプログラム。
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