JP7409558B2 - 回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
[1] 下記工程(X)、(Y)及び(Z):
(X)金属層付き基材の該金属層上に、第1導体回路を形成する工程
(Y)前記金属層上に形成された第1導体回路を埋め込むように樹脂組成物により樹脂組成物層を形成し、該樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する工程
(Z)金属層付き基材を除去して、第1導体回路が露出した第1の主面を有する回路基板を形成する工程
を含む、回路基板の製造方法であって、
樹脂組成物が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む、回路基板の製造方法。
[2] 樹脂組成物中の無機充填材の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、20質量%以上75質量%以下である、[1]に記載の方法。
[3] 無機充填材の平均粒子径が0.6μm以下である、[1]又は[2]に記載の方法。
[4] 無機充填材がシリカである、[1]~[3]のいずれかに記載の方法。
[5] 樹脂組成物の最低溶融粘度が5000poise以下である、[1]~[4]のいずれかに記載の方法。
[6] 金属層の厚みが0.5μm未満である、[1]~[5]のいずれかに記載の方法。
[7] 金属層表面の算術平均粗さRaが200nm以下であり、金属層付き基材の厚み方向に測定した該金属層表面の高さの最大値と最小値の差TTVが50μm以下である、[1]~[6]のいずれかに記載の方法。
[8] 金属層付き基材において、基材が、金属層とは組成が異なる金属基材、無機基材及び有機基材から選ばれる、[1]~[7]のいずれかに記載の方法。
[9] 工程(Z)が、基材を除去した後、金属層を除去することによって行われる、[1]~[8]のいずれかに記載の方法。
[10] 工程(X)が、
(X-1)金属層上にフォトレジストを設け、該フォトレジストを露光・現像して、形成すべき第1導体回路の回路パターンに対応して金属層を露出させること、及び
(X-2)露出した金属層上に導体層を形成し、第1導体回路を形成すること
を含む、[1]~[9]のいずれかに記載の方法。
[11] 第1導体回路が、トレンチ型の導体回路を含む、[1]~[10]のいずれかに記載の方法。
[12] 工程(Y)が、支持フィルムと該支持フィルム上に設けられた樹脂組成物層とを含む樹脂シートを、該樹脂組成物層が第1導体回路と接合するように、基材に積層することを含む、[1]~[11]のいずれかに記載の方法。
[13] 工程(Y)の後に、
(i)絶縁層表面上に、第2導体回路を形成する工程、及び
(ii)第2導体回路を埋め込むように樹脂組成物層を形成し、該樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する工程
を含む、[1]~[12]のいずれかに記載の方法。
[14] 回路基板が、半導体パッケージ用である、[1]~[13]のいずれかに記載の方法。
[15] 第1の主面及び第2の主面を有する回路基板であって、
第1の主面においてトレンチ型の導体回路を含み、
トレンチ型の導体回路の最小ライン/スペース比(L/S)が2/2μm以下であり、
第1の主面に垂直であり且つトレンチ型の導体回路の延在方向にも垂直な方向Yにおける断面において、トレンチ型の導体回路の側壁が画定する直線の方向y1と方向Yとの角度差が20°以下であり、
トレンチ型の導体回路と共に第1の主面を画定する絶縁層が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む樹脂組成物の硬化物からなる、回路基板。
[16] トレンチ型の導体回路が、第1の主面から回路基板の深さ方向に向かって幅が増大する逆テーパー形状を有する、[15]に記載の回路基板。
[17] 第1の主面に垂直であり且つトレンチ型の導体回路の延在方向にも垂直な方向Yにおける断面において、トレンチ型の導体回路の厚さTと幅Wの比(T/W)が1.5以上である、[15]又は[16]に記載の回路基板。
[18] 第1の主面に垂直であり且つトレンチ型の導体回路の延在方向にも垂直な方向Yにおける断面において、トレンチ型の導体回路の露出面が、トレンチ型の導体回路と共に第1の主面を画定する絶縁層の露出面より0.05W以上凹んでいる、[15]~[17]のいずれかに記載の回路基板。
[19] 回路層数が2以上の多層構造を有する、[15]~[18]のいずれかに記載の回路基板。
[20] [15]~[19]のいずれかに記載される回路基板と、該回路基板のトレンチ型の導体回路と電気的に接続されるように第1の主面上に設けられた半導体チップとを含む、半導体パッケージ。
[21] ファンアウト(Fan-Out)型パッケージである、[20]に記載の半導体パッケージ。
本発明の回路基板の製造方法においては、導体回路を埋め込むように樹脂組成物層を形成し、該樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する。ここで、樹脂組成物層は、導体回路を埋め込むように形成し得ると共に硬化後に十分な絶縁性を呈する等の観点から、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む樹脂組成物を用いて形成される。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
硬化剤としては、例えば、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤等が挙げられる。硬化剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、アルミノシリケート、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でも炭酸カルシウム、シリカが好適であり、シリカが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。また、シリカとしては、球状シリカが好ましい。無機充填材は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、硬化促進剤を含有していてもよい。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含有していてもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられ、フェノキシ樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂は、1種単独で用いてもよく、又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、その他の添加剤をさらに含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、ゴム粒子等の有機充填材;有機銅化合物、有機亜鉛化合物、有機コバルト化合物等の有機金属化合物;フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイオディングリーン、ジアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック等の着色剤;シリコーン系レベリング剤、アクリルポリマー系レベリング剤等のレベリング剤;ベントン、モンモリロナイト等の増粘剤;シリコーン系消泡剤、アクリル系消泡剤、フッ素系消泡剤、ビニル樹脂系消泡剤等の消泡剤;尿素シラン等の接着性向上剤;トリアゾール系密着性付与剤、テトラゾール系密着性付与剤、トリアジン系密着性付与剤等の密着性付与剤;ヒンダードフェノール系酸化防止剤等の酸化防止剤;スチルベン誘導体等の蛍光増白剤;フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の界面活性剤;リン系難燃剤(例えばリン酸エステル化合物、ホスファゼン化合物、ホスフィン酸化合物、赤リン)、窒素系難燃剤(例えば硫酸メラミン)、ハロゲン系難燃剤、無機系難燃剤(例えば三酸化アンチモン)等の難燃剤;リン酸エステル系分散剤、ポリオキシアルキレン系分散剤、アセチレン系分散剤、シリコーン系分散剤、アニオン性分散剤、カチオン性分散剤等の分散剤;ボレート系安定剤、チタネート系安定剤、アルミネート系安定剤、ジルコネート系安定剤、イソシアネート系安定剤、カルボン酸系安定剤、カルボン酸無水物系安定剤等の安定剤等が挙げられる。これらの添加剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。斯かる添加剤の含有量は、絶縁層に要求される特性に応じて決定してよい。
本発明の回路基板の製造方法(以下、単に「本発明の方法」ともいう。)は、下記工程(X)、(Y)及び(Z)を含むことを特徴とする。
(X)金属層付き基材の該金属層上に、第1導体回路を形成する工程
(Y)前記金属層上に形成された第1導体回路を埋め込むように樹脂組成物により樹脂組成物層を形成し、該樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する工程
(Z)金属層付き基材を除去して、第1導体回路が露出した第1の主面を有する回路基板を形成する工程
さらに、本発明の回路基板の製造方法は、樹脂組成物がエポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含むことも特徴とする。
工程(X)において、金属層付き基材の該金属層上に、第1導体回路を形成する。
工程(X)で用いる金属層付き基材は、基材と、該基材上に設けられた金属層とを含む限り特に限定されない。
本発明においては、金属層付き基材の該金属層上に、第1導体回路を形成する。
(X-1)金属層上にフォトレジストを設け、該フォトレジストを露光・現像して、形成すべき第1導体回路の回路パターンに対応して金属層を露出させること、及び
(X-2)露出した金属層上に導体層を形成し、第1導体回路を形成すること
を含む。
工程(Y)において、第1導体回路を埋め込むように樹脂組成物により樹脂組成物層を形成し、該樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する。
先述のとおり、樹脂組成物層は、第1導体回路を埋め込むように形成し得ると共に硬化後に十分な絶縁性を呈する等の観点から、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む樹脂組成物を用いて形成される。該樹脂組成物は、上記<樹脂組成物>欄にて説明したとおりである。
樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する。これにより、第1導体回路を埋め込むように絶縁層が形成される。
(i)絶縁層表面上に、第2導体回路を形成する工程、及び
(ii)第2導体回路を埋め込むように樹脂組成物層を形成し、該樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する工程
をさらに含む。
工程(i)において、絶縁層表面上に、第2導体回路を形成する。
工程(ii)において、第2導体回路を埋め込むように樹脂組成物層を形成し、該樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する。
工程(Z)において、金属層付き基材を除去して、第1導体回路が露出した第1の主面を有する回路基板を形成する。
本発明の方法により、極めて微細なパターンを有する導体回路を備えた回路基板を製造することができる。本発明は、斯かる回路基板も提供する。
第1の主面及び第2の主面を有し、
第1の主面においてトレンチ型の導体回路を含み、
トレンチ型の導体回路の最小ライン/スペース比(L/S)が2/2μm以下であり、
トレンチ型の導体回路と共に第1の主面を画定する絶縁層が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む樹脂組成物の硬化物からなることを特徴とする。
本発明の方法によれば、断面形状が良好なトレンチ型の導体回路を形成することができる。詳細には、第1の主面100aに垂直であり且つトレンチ型の導体回路30の延在方向にも垂直な方向Yにおける断面(すなわち、図23に示す断面;方向Yは図23において上下方向である)において、トレンチ型の導体回路30の側壁が画定する直線の方向y1と方向Yとの角度差が20°以下であることを特徴とする。
本発明の回路基板において、第1の主面の算術平均粗さRaは、好ましくは200nm以下、より好ましくは150nm以下、さらに好ましくは100nm以下、80nm以下、60nm以下、50nm以下、40nm以下又は20nm以下である。該Raの下限は、特に限定されず、例えば1nm以上、2nm以上、3nm以上などとし得る。したがって好適な一実施形態において、本発明の回路基板の第1の主面の算術平均粗さRaは200nm以下である。
本発明の方法によれば、微細なパターンにてアスペクト比の高いトレンチ型の導体回路を形成することができる。詳細には、第1の主面100aに垂直であり且つトレンチ型の導体回路30の延在方向にも垂直な方向Yにおける断面(すなわち、図23に示す断面)において、トレンチ型の導体回路の厚さTと幅Wの比(T/W)は、好ましくは1.5以上、より好ましくは2以上、2.5以上又は3以上である。該アスペクト比(T/W)の上限は、例えば10以下、8以下などとし得る。ここで、トレンチ型の導体回路が先述のとおり逆テーパー形状を有するなど、方向Yにおける断面において深さ方向に幅Wが変化する場合、上記アスペクト比(T/W)の算出に際しては幅Wの最大値を採用する。
基材を除去して第1導体回路を露出させる本発明の方法によれば、基材と共に第1導体回路の一部が除去される場合がある。例えば、基材剥離後に金属層をエッチング等に除去することにより第1導体回路の一部を除去することが可能である。したがって一実施形態において、第1の主面100aに垂直であり且つトレンチ型の導体回路30の延在方向にも垂直な方向Yにおける断面(すなわち、図23に示す断面)において、トレンチ型の導体回路30の開口部(露出面)は、トレンチ型の導体回路30と共に第1の主面を画定する絶縁層51の露出面より0.05W以上凹んでいる。ここで、Wは、上記のとおり、同断面におけるトレンチ型の導体回路の幅Wを表す。該凹みは、0.06W以上、0.08W以上又は0.1W以上であってもよく、その上限は、例えば0.5W以下、0.4W以下、0.3W以下などとし得る。
本発明の回路基板を用いて半導体パッケージを製造することができる。本発明は、斯かる半導体パッケージも提供する。
無機充填材1:球状シリカ(電気化学工業社製「UFP-30」、平均粒径0.3μm、比表面積30.7m2/g)100部に対して、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製「KBM573」)2部で表面処理したもの。
ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX4000HK」、エポキシ当量約185)6部、ナフタレン型エポキシ樹脂(日鉄ケミカル&マテリアル社製「ESN475V」、エポキシ当量約332)5部、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX7760」、エポキシ当量約238)15部、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂(DIC社製「HP6000L」、エポキシ当量約213)2部、シクロヘキサン型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「ZX1658GS」、エポキシ当量約135)2部、フェノキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX7500BH30」、固形分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液、Mw=44000)2部を、ソルベントナフサ20部及びシクロヘキサノン10部の混合溶剤に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有クレゾールノボラック系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、水酸基当量約151、固形分50%の2-メトキシプロパノール溶液)4部、活性エステル系硬化剤(DIC社製「EXB-8000L-65TM」、活性基当量約220、不揮発成分65質量%のトルエン溶液)12部、無機充填材1を45部、アミン系硬化促進剤(4-ジメチルアミノピリジン(DMAP))0.05部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散した後に、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP020」)で濾過して、樹脂組成物1を調製した。
(1)無機充填材1の配合量を45部から65部に変更した点以外は、調製例1と同様にして、樹脂組成物2を調製した。
(1)樹脂シートの作製
支持体として、アルキド樹脂系離型剤(リンテック社製「AL-5」)で離型処理したPETフィルム(東レ社製「ルミラーR80」、厚さ38μm、軟化点130℃、「離型PET」)を用意した。樹脂組成物1を支持体の離型剤上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが20μmとなるように、ダイコーターにて均一に塗布し、70℃から95℃で4分間乾燥することにより、離型PET上に樹脂組成物層を設けた。次いで、樹脂組成物層の支持体と接合していない面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム(王子エフテックス社製「アルファンMA-411」、厚さ15μm)の粗面を、樹脂組成物層と接合するように積層した。これにより、離型PET(支持体)\樹脂組成物層\保護フィルムの層構成を有する樹脂シートを得た。
下記手順で、評価用の回路基板を製造した。
基材として、ガラスウェハ(ウェハの厚さ0.8mm、8インチサイズ)を用意し、130℃のオーブンに投入して30分間乾燥した。
ガラスウェハの表面に金属層を形成した。詳細には、ガラスウェハの表面に、スパッタリング装置(キャノンアネルバ(株)製「E-400S」)を用いて、厚さ200nmの金属層(Cu層)を形成した。
セミアディティブ法に準じて第1導体回路を形成した。詳細には、金属層付き基材の金属層上にフォトレジストを設け、露光・現像してL/S=1.5/1.5μm(線幅1mm)の櫛刃パターンに対応して金属層を露出させた。次いで、硫酸銅電解メッキを行い、露出した金属層上に3μmの厚さで導体層(第1導体回路)を形成した後、フォトレジストを除去した。そして第1導体回路未形成部の金属層のエッチング(シードエッチング)を実施することなく、下記(2-4)の処理に付した。よって、この時点で、導体層は連続している。
樹脂シートから保護フィルムを剥離し、樹脂組成物層を露出させた。そして、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコー・マテリアルズ社製2ステージビルドアップラミネーター「CVP700」)を用いて、樹脂組成物層が第1導体回路と接するように、金属層付き基材の片面に積層した。この積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、130℃、圧力0.74MPaにて45秒間圧着することにより実施した。次いで、120℃、圧力0.5MPaにて75秒間熱プレスして平滑化した。その後、支持体を剥離して、露出した樹脂組成物層上に銅箔(三井金属製「3EC-III」(35μm))を上記と同様の条件で積層した。
上記(2-4)で得た積層体を、100℃のオーブンに投入して60分間加熱し、次いで180℃のオーブンに移し替えて90分間加熱し、樹脂組成物層を熱硬化した。こうして、第1導体回路を埋め込むように金属層付き基材の金属層上に樹脂組成物層の硬化物(絶縁層;厚さ20μm)が設けられた基板Aを得た。
基板Aをダイシングで個片化し、基材(ガラスウェハ)側から研磨した。研磨した正確な厚みは測定していないが、研磨は金属層(銅層)までは到達しておらず、一部のガラスウェハは残存していることを確認した。この基板を基板Bとする。
基板Bを25℃、5%に調整したフッ化水素水溶液に30分間浸けて基材(ガラスウェハ)を完全に除去し、金属層の露出した基板を得た。この基板を基板Cとする。
基板Cをエッチング液(三菱瓦斯化学製「WLC-C2」)を用いたエッチングに供し、金属層を除去して、第1導体回路が露出した回路基板を得た。得られた回路基板を評価用回路基板Aとする。
樹脂組成物1に代えて樹脂組成物2を使用した以外は、実施例1と同様の手順で評価用回路基板Aを作製した。
樹脂組成物1、2の最低溶融粘度や、該樹脂組成物1、2の硬化物の比誘電率・線熱膨張係数、評価用回路基板Aの特性は、以下のとおり、測定・評価した。
樹脂組成物1、2について、動的粘弾性測定装置((株)ユー・ビー・エム製「Rheosol-G3000」)を使用して溶融粘度を測定し、最低溶融粘度を求めた。詳細には、試料樹脂組成物1gについて、直径18mmのパラレルプレートを使用して、開始温度60℃から200℃まで昇温速度5℃/分にて昇温し、測定温度間隔2.5℃、振動1Hz、歪み1degの測定条件にて動的粘弾性率を測定し、溶融粘度の極小値から最低溶融粘度(poise)を求めた。
樹脂組成物1、2を用いて作製した樹脂シートを180℃、90分間加熱して、樹脂組成物層を熱硬化した。得られた樹脂組成物層の硬化物を、幅2mm、長さ80mmの試験片に切断し、空洞共振器摂動法誘電率測定装置(関東応用電子開発社製「CP521」)及びネットワークアナライザー(アジレントテクノロジー社製「E8362B」)を使用して、空洞共振法で測定周波数5.8GHz、23℃にて比誘電率の測定を行った。各硬化物について、2本の試験片について測定を行い(n=2)、平均値を算出した。
樹脂組成物1、2を用いて作製した樹脂シートを180℃、90分間加熱して、樹脂組成物層を熱硬化した。得られた樹脂組成物層の硬化物を、幅5mm、長さ15mmの試験片に切断し、(株)リガク製熱機械分析装置(Thermo Plus TMA8310)を使用して、引張加重法で熱機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、荷重1g、昇温速度5℃/分の測定条件にて連続して2回測定した。2回目の測定における25℃から150℃における平均の線熱膨張係数(ppm/℃)を算出した。
(1)埋め込み性の評価
評価用回路基板Aについて、非接触型干渉顕微鏡(WYKO)を用いて第1導体回路側から観察を行った。そして、以下の基準で埋め込み性を評価した。
評価基準:
×:配線間に樹脂欠損による凹みがあり埋め込み不良が観察されたもの
○:上記埋め込み不良が観察されなかったもの
評価用回路基板Aについて、絶縁信頼性試験を実施した。具体的にはHAST試験機(楠本化成製「PM422」)を用いて、温度130℃、湿度85%の環境下、電極の両端に3.3Vの電圧を印加した(bHAST)。200時間後、評価用回路基板Aを取り出し、その抵抗値を抵抗測定機(J-RAS製「ECM-100」)にて測定した。そして、以下の基準で絶縁性を評価した。
評価基準:
×:抵抗値が108Ω未満
○:抵抗値が108Ω以上
2 金属層
10 金属層付き基材
10a 金属層(第1の主面)
10b 第の2主面
20、21、22 フォトレジスト
30 導体層(導体回路)
31 金属層(めっきシード層)
50 樹脂組成物層
51 絶縁層
51v ビア
100 回路基板
100a 回路基板の第1の主面
100b 回路基板の第2の主面
110 半導体チップ
120 封止層
200 半導体パッケージ
Claims (26)
- 下記工程(X)、(Y)及び(Z):
(X)金属層付き基材の該金属層上に、第1導体回路を形成する工程
(Y)前記金属層上に形成された第1導体回路を埋め込むように樹脂組成物により樹脂組成物層を形成し、該樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する工程
(Z)金属層付き基材を除去して、第1導体回路が露出した第1の主面を有する回路基板を形成する工程
を含む、回路基板の製造方法であって、
金属層付き基材における金属層の厚さが0.5μm未満であり、
樹脂組成物が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含み、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、無機充填材の含有量が20質量%以上である、回路基板の製造方法。 - 下記工程(X)、(Y)及び(Z):
(X)金属層付き基材の該金属層上に、第1導体回路を形成する工程(但し、金属層表面の最大山高さSpが0.400μm以上1.600μm以下である金属層付き基材を用いる場合を除く)
(Y)前記金属層上に形成された第1導体回路を埋め込むように樹脂組成物により樹脂組成物層を形成し、該樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する工程
(Z)金属層付き基材を除去して、第1導体回路が露出した第1の主面を有する回路基板を形成する工程
を含む、回路基板の製造方法であって、
樹脂組成物が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含み、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、無機充填材の含有量が20質量%以上である、回路基板の製造方法。 - 樹脂組成物中の無機充填材の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、40質量%以上75質量%以下である、請求項1又は2に記載の方法。
- 樹脂組成物中の無機充填材の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、50質量%以上である、請求項3に記載の方法。
- 無機充填材の平均粒子径が0.6μm以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。
- 無機充填材がシリカである、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。
- 樹脂組成物の最低溶融粘度が5000poise以下である、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。
- 金属層の厚みが0.5μm未満である、請求項2~7のいずれか1項に記載の方法。
- 金属層の厚みが0.3μm未満である、請求項1~8のいずれか1項に記載の方法。
- 金属層表面の算術平均粗さRaが200nm以下であり、金属層付き基材の厚み方向に測定した該金属層表面の高さの最大値と最小値の差TTVが50μm以下である、請求項1~9のいずれか1項に記載の方法。
- 金属層付き基材において、基材が、金属層とは組成が異なる金属基材、無機基材及び有機基材から選ばれる、請求項1~10のいずれか1項に記載の方法。
- 工程(Z)が、基材を除去した後、金属層を除去することによって行われる、請求項1~11のいずれか1項に記載の方法。
- 工程(X)が、
(X-1)金属層上にフォトレジストを設け、該フォトレジストを露光・現像して、形成すべき第1導体回路の回路パターンに対応して金属層を露出させること、及び
(X-2)露出した金属層上に導体層を形成し、第1導体回路を形成すること
を含む、請求項1~12のいずれか1項に記載の方法。 - 第1導体回路が、トレンチ型の導体回路を含む、請求項1~13のいずれか1項に記載の方法。
- 工程(Y)が、支持フィルムと該支持フィルム上に設けられた樹脂組成物層とを含む樹脂シートを、該樹脂組成物層が第1導体回路と接合するように、基材に積層することを含む、請求項1~14のいずれか1項に記載の方法。
- 工程(Y)の後に、
(i)絶縁層表面上に、第2導体回路を形成する工程、及び
(ii)第2導体回路を埋め込むように樹脂組成物層を形成し、該樹脂組成物層を硬化させて絶縁層を形成する工程
を含む、請求項1~15のいずれか1項に記載の方法。 - 回路基板が、半導体パッケージ用である、請求項1~16のいずれか1項に記載の方法。
- 第1の主面及び第2の主面を有する回路基板であって、
第1の主面においてトレンチ型の導体回路を含み、
トレンチ型の導体回路の最小ライン/スペース比(L/S)が2/2μm以下であり、
第1の主面に垂直であり且つトレンチ型の導体回路の延在方向にも垂直な方向Yにおける断面において、トレンチ型の導体回路の側壁が画定する直線の方向y1と方向Yとの角度差が20°以下であり、
トレンチ型の導体回路と共に第1の主面を画定する絶縁層が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む樹脂組成物であって、該樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、無機充填材の含有量が40質量%以上であり、硬化剤が活性エステル系硬化剤を含む樹脂組成物の硬化物からなる、回路基板。 - トレンチ型の導体回路と共に第1の主面を画定する絶縁層が、エポキシ樹脂、活性エステル系硬化剤及び無機充填材を含む樹脂組成物であって、該樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%とした場合、活性エステル系硬化剤の含有量が10質量%以上である樹脂組成物の硬化物からなる、請求項18に記載の回路基板。
- トレンチ型の導体回路の最小ライン/スペース比(L/S)が1.5/1.5μm以下である、請求項18又は19に記載の回路基板。
- トレンチ型の導体回路が、第1の主面から回路基板の深さ方向に向かって幅が増大する逆テーパー形状を有する、請求項18~20のいずれか1項に記載の回路基板。
- 第1の主面に垂直であり且つトレンチ型の導体回路の延在方向にも垂直な方向Yにおける断面において、トレンチ型の導体回路の厚さTと幅Wの比(T/W)が1.5以上である、請求項18~21のいずれか1項に記載の回路基板。
- 第1の主面に垂直であり且つトレンチ型の導体回路の延在方向にも垂直な方向Yにおける断面において、トレンチ型の導体回路の露出面が、トレンチ型の導体回路と共に第1の主面を画定する絶縁層の露出面より0.05W以上凹んでいる、請求項18~22のいずれか1項に記載の回路基板。
- 回路層数が2以上の多層構造を有する、請求項18~23のいずれか1項に記載の回路基板。
- 請求項18~24のいずれか1項に記載される回路基板と、該回路基板のトレンチ型の導体回路と電気的に接続されるように第1の主面上に設けられた半導体チップとを含む、半導体パッケージ。
- ファンアウト(Fan-Out)型パッケージである、請求項25に記載の半導体パッケージ。
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