JP7402672B2 - 保持装置、リソグラフィ装置、および物品製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、保持装置、リソグラフィ装置、および物品製造方法に関する。

近年、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置の重ね合わせ精度の向上に伴い、原版または基板とそれを保持するチャックの平面度が向上し、原版または基板とチャックとの間の密着性が向上している。リソグラフィ装置において、原版または基板を保持する方式としては、真空吸着方式および静電吸着方式がある。

真空吸着方式においては、基板とチャックとの間へ異物が入り込んで異物が基板に固着したり、基板とチャックとが強固に密着したりすることがある。静電吸着方式においても、静電チャックや基板の帯電によって電源切断時において基板に残留吸着力が生じ、基板とチャックが固着するおそれがある。

特許文献１には、チャック側に設けられる複数の非接触センサを用いて、チャックと基板との間の距離および基板の平面位置ずれを検出することが記載されている。特許文献２には、昇降ピンを用いて基板に力を加え、昇降ピンの位置変化により基板の離脱を検知することが記載されている。

特開２００６－３３２５１９号公報 特開２００５－１２３４２２号公報

しかし、従来技術では、基板（プレート）が局所的に固着している状態や基板が局所的に剥がれている状態を、基板がチャックから離脱したと誤って判定してしまう。また、従来技術では、基板の表面に沿う方向の大きな位置ずれしか検知することができず、微小な位置ずれを検知することができない。

本発明は、プレートが保持面から離脱したことの判定の高精度化に有利な技術を提供する。

本発明の一側面によれば、プレートを保持する保持装置であって、保持面で前記プレートを保持する保持部と、前記保持面に保持された前記プレートに形成されているマークを撮像する撮像部と、前記プレートを前記保持面から離脱させるための力が前記プレートに与えられる前の第１タイミングで前記撮像部により得られた前記マークの画像である第１画像と、前記力が前記プレートに与えられている間の第２タイミングで前記撮像部により得られた前記マークの画像である第２画像とに基づいて、前記プレートが前記保持面から離脱したか否かの判定を行う処理部と、を有することを特徴とする保持装置が提供される。

本発明によれば、プレートが保持面から離脱したことの判定の高精度化に有利な技術を提供することができる。

露光装置の構成を示す図。 レチクルアライメントを行うためのマークの配置例を示す図。 ウエハアライメントを行うためのマークの配置例を示す図。 保持装置の構成を示す図。 レチクル回収動作を説明する図。 レチクルアライメントを行うためのマークの配置例を示す図。 レチクル回収時のマークを用いた位置計測を説明する図。 レチクル回収動作のフローチャート。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の保持装置が適用される、リソグラフィ装置の一例である露光装置１００の概略図である。本明細書および図面においては、水平面をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向が示される。一般には、レチクル１はその表面が水平面（ＸＹ平面）と平行になるようにレチクルステージ３の上に置かれ、ウエハ４はその表面が水平面と平行になるようにウエハステージ６の上に置かれる。よって以下では、レチクル１またはウエハ４の表面に沿う平面内で互いに直交する方向をＸ軸およびＹ軸とし、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な方向をＺ軸とする。また、以下では、ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向といい、Ｘ軸周りの回転方向、Ｙ軸周りの回転方向、Ｚ軸周りの回転方向をそれぞれθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向という。

露光装置１００は、半導体デバイスの回路パターンが形成されたレチクル１（原版、マスク）を用いて、回路パターンを基板であるウエハ４に転写する露光装置である。露光装置１００は、例えば、投影光学系７とウエハ４との間に液体を介在させずに基板を露光する露光装置でありうる。あるいは、露光装置１００は、投影光学系７とウエハ４との間に液体を介在させて基板を露光する液浸露光装置であってもよい。

本実施形態では、プレートであるレチクル１を保持する保持装置が露光装置１００に適用された例を説明する。露光装置１００は、レチクルステージ３と、レチクルステージ３によって保持されるレチクル１を照明する照明光学系８と、ウエハステージ６と、レチクル１のパターンをウエハステージ６上のウエハ４に投影する投影光学系７とを備える。露光装置１００は、また、ウエハ４の表面の高さ（Ｚ方向の位置）を検出する面位置検出器１４と、ウエハ４の位置合わせを行うためのウエハアライメント検出器１６を備えうる。面位置検出器１４は、ウエハ４の表面に投光する投光部１４ａと、ウエハ４の表面で反射された反射光を受光する受光部１４ｂとを含む。露光装置は、さらに、露光処理を制御する制御部Ｃを含みうる。レチクル１およびウエハ４はそれぞれ、レチクルチャック２（原版保持部）およびウエハチャック５（基板保持部）によって保持されており、投影光学系７を介して光学的にほぼ共役な位置（投影光学系７の物体面および像面）に配置される。レチクルチャック２は、例えば、真空吸着や静電吸着等によってレチクル１を保持し、レチクルステージ３は、レチクルチャック２およびレチクル１を伴って例えばＸＹ方向に移動可能である。同様に、ウエハチャック５は、例えば、真空吸着や静電吸着等によってウエハ４を保持し、ウエハステージ６は、ウエハチャック５およびウエハ４を伴って例えばＸＹ方向に移動可能である。

レチクルステージ３の側方に設けられたレーザ干渉計１０は、レチクルステージ３の位置を計測する。制御部Ｃは、レチクルステージ３を駆動するアクチュエータを制御して、レチクルステージ３のＹ方向の位置を制御する。レチクルステージ３には、レチクル基準プレート１２が配置されている。レチクル基準プレート１２のパターン面の高さは、レチクル１のパターン面の高さとほぼ一致する。レチクルステージ３には、レーザ干渉計１０から射出されたビームを反射するバーミラー１１が固定されていて、レーザ干渉計１０によりレチクルステージ３の位置や移動量が逐次計測される。

同様に、ウエハステージ６の側方に設けられたレーザ干渉計１０は、ウエアステージ６の位置を計測する。制御部Ｃは、ウエハステージ６を駆動するアクチュエータを制御して、ウエハステージ６のＹ方向の位置を制御する。ウエハステージ６には、ウエハ基準プレート１３が配置されている。ウエハステージ６には、レーザ干渉計１０から射出されたビームを反射するバーミラー１１が固定されていて、レーザ干渉計１０によりウエハステージ６の位置や移動量が逐次計測される。

光源９は、例えば、２４８ｎｍの波長の光を発生するＫｒＦエキシマレーザでありうるが、その代わりに、例えば、水銀ランプ、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、ＥＵＶ光源なども採用されうる。光源９から射出された光束は、照明光学系８に入射し、設定された形状、干渉性、偏光状態に整形された後に、レチクル１を照明する。レチクル１の下面に形成された繊細な回路パターンで回折された光は、投影光学系７により、ウエハステージ６上に配置されたウエハ４上に結像する。

レチクル１の位置ずれを計測するために、レチクルアライメント検出器１５が使用される。レチクルアライメント検出器１５は、レチクルチャック２のレチクルを保持する保持面上のレチクル１に形成されているマークを撮像する撮像部である。制御部Ｃは、レチクルステージ３をレチクルアライメント検出器１５上に駆動する。レチクルアライメント検出器１５は、図２に示されるような、レチクルステージ３上のアライメントマーク１８（基準マーク）およびレチクル１上のアライメントマーク１７の画像を撮像する。制御部Ｃは、レチクルアライメント検出器１５により得られたマークの画像に基づいて、レチクル１が保持面から離脱したか否かの判定を行う処理部として機能しうる。例えば、制御部Ｃは、レチクルアライメント検出器１５により得られた画像から、アライメントマーク１７のアライメントマーク１８に対する位置を求めることにより、レチクル１のレチクルステージ３に対する位置ずれ量を求める。図２に示すように、レチクルステージ３上のアライメントマーク１８およびレチクル１上のアライメントマーク１７がそれぞれ、Ｘ方向に複数配置されることで、レチクル１のレチクルステージ３に対するＸ，Ｙ，θｚ方向の位置ずれを計測することができる。

ウエハアライメント検出器１６は、ウエハ４上に形成された複数のショット領域のうち所定の複数のサンプルショット領域のそれぞれに設けられた複数のアライメントマークを検出する。制御部Ｃは、その検出の結果に基づいて、当該サンプルショットの位置を求める。

なお、図１において、レチクルアライメント検出器１５およびウエハアライメント検出器１６はそれぞれ、投影光学系７を介さずにアライメントマークを検出するオフアクシス検出部として設けられているが、それに限られるものではない。例えば、レチクルアライメント検出器１５およびウエハアライメント検出器１６はそれぞれ、投影光学系７を介してアライメントマークを検出するＴＴＬ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｔｈｅ Ｌｅｎｓ）検出部として設けられてもよい。

図３に、ウエハアライメントを行うためのマークの配置例を示す。図３（ａ）はウエハ４上に格子状に形成された複数のショット領域を示し、図３（ｂ）は複数のショット領域のうちの１つのサンプルショット領域の拡大図を示している。図３（ｂ）に示すように、サンプルショット領域には、複数のアライメントマークＭＸ，ＭＹ，ＰＭが形成されている。これら複数のアライメントマークＭＸ，ＭＹ，ＰＭがウエハアライメント検出器１６の検出領域に位置するようにウエハステージ７が駆動される。その後、ウエハアライメント検出器１６により各アライメントマークの位置が検出され、制御部Ｃによりウエハステージ６に対するウエハ４の位置ずれ量が計測される。このように本実施形態では、ウエハアライメント検出器１６と制御部Ｃとでウエハ４の位置ずれ量を計測する計測部が構成される。

図４は、本実施形態における、プレートであるレチクル１を保持する保持装置の構成を示す図である。図４において、レチクル搬送部を構成するレチクルハンド２１は、レチクル１を保持して回収または供給動作を行う。レチクルハンド２１は、回収動作または供給動作終了後、レチクルステージ３の駆動に影響しない位置に退避可能である。

保持装置は、レチクル１を回収するとき、レチクルチャック２のレチクル１を保持する保持面からレチクル１に向けて気体を噴射することにより、レチクル１を保持面から離脱させるための力をレチクル１に与える気体噴射部３０を備えうる。レチクル１を回収するときに気体噴射部３０によってレチクル１の裏面に気体を噴射することによって、レチクル１のレチクルチャック２からの離脱が補助される。気体噴射部３０は、気体供給部２０と、気体供給部２０からの気体の流路である気体供給路１９とを含みうる。気体供給路１９は、レチクルステージ３内に形成されている。レチクルチャック２の保持面には、レチクル１に向けて気体を噴射する複数の気体噴射口１９ａが形成され、複数の気体噴射口１９ａはそれぞれ、気体供給路１９に連通する。

なお、気体噴射によってレチクル１に外力を加える代わりに、保持面に対して出没可能なリフトピンを駆動するピン駆動アクチュエータを設けてもよい。ピン駆動アクチュエータがリフトピンを押し上げることによってレチクル１をレチクルチャックの保持面から離脱させるための力を与えることができる。ただし、リフトピンによってレチクル１に加えられる外力は、レチクル１がレチクルチャック２に固着している場合であってもレチクル１またはレチクルチャック２に破壊が生じない力とされる。

また、レチクル１を回収、供給する位置は、レチクルステージ３の下部にレチクルアライメント検出器１５が存在する位置とする。したがって、レチクルアライメント検出器１５により、レチクルステージ３上のアライメントマーク１８およびレチクル１上のアライメントマーク１７の画像が撮像され、制御部Ｃは、それらの相対位置を計測することができる。

本実施形態における露光装置の構成は概ね以上のとおりである。次に、本実施形態における、レチクル１に対するレチクルチャック２の離脱検知方法について説明する。

図５を参照して、保持装置によるレチクル回収動作を説明する。
図５（ａ）は、レチクル１がレチクルチャック２から離脱される前の状態を示している。レチクルアライメント検出器１５によってレチクルステージ３上のアライメントマーク１８とレチクル１上のアライメントマーク１７が撮像され、制御部Ｃにより相対位置が計測される。このとき、レチクルハンド２１はレチクル１には接触していない。

図５（ｂ）は、図５（ａ）の状態からレチクルハンド２１が降下し、レチクル１にレチクルハンド２１が接触している状態を示す。レチクルハンド２１は、レチクル回収のためレチクル１を保持し、レチクルチャック２は、レチクル１の保持状態を解除するため、真空保持力または静電保持力を解除する。

図５（ｃ）は、図５（ｂ）の状態から、気体噴射部３０によりレチクル１をレチクルチャック２の保持面から離脱させるための力が与えられた状態を示している。レチクルハンド２１によってレチクル１が保持されつつ、レチクルチャック２からレチクル１に対して気体噴射部３０により気体２２が噴射されて、これによってレチクル１がレチクルチャック２から離脱可能な状態となる。

図６に示すように、レチクル１の例えばＸ方向の両端部にレチクルアライメントマーク１７ａおよび１７ｂが構成される。また、レチクルステージ３上の、レチクルアライメントマーク１７ａおよび１７ｂの対応する位置にそれぞれ、基準マークとなるアライメントマーク１８ａおよび１８ｂが構成される。レチクルチャック２が分割された構成である場合は、例えば、分割されたそれぞれのチャックに図６のような２対のアライメントマークが設けられる。なお、図６に示されたマーク配置は一例であって、例えばマークを３つ以上配置するなど、その他のマーク配置が採用されてもよい。

処理部としての制御部Ｃは、レチクル１を保持面から離脱させるための力がレチクル１に与えられる前の第１タイミングで撮像部であるレチクルアライメント検出器１５により得られたマークの画像である第１画像を取得する。また、制御部Ｃは、レチクル１を保持面から離脱させるための力がレチクル１に与えられている間の第２タイミングでレチクルアライメント検出器１５により得られたマークの画像である第２画像を取得する。制御部Ｃは、取得された第１画像および第２画像とに基づいて、レチクル１が保持面から離脱したと判定する。例えば、制御部Ｃは、保持面に沿う第１方向（ＸＹ方向）におけるマークの位置および保持面と直交する第２方向（Ｚ方向）におけるマークの位置の少なくともいずれか一方が変化したときにレチクル１が保持面から離脱したと判定する。以下、その具体例を説明する。

図７を参照して、レチクル回収時にレチクルアライメント検出器１５を用いたレチクルステージ３上のアライメントマーク１８ａとレチクル上のアライメントマーク１７ａの相対位置計測を説明する。なお、アライメントマーク１７ｂと１８ｂの相対位置計測も同様に行われる。

図７（ａ）は、レチクル１をレチクルチャック２から離脱させる前の状態（図５（ａ）、第１タイミング）での相対位置計測を示している。このとき、アライメントマーク１７ａと１８ａのＸ方向の相対位置ｄｘ１とＹ方向の相対位置ｄｙ１が計測される。また、アライメントマーク１７ａのコントラストであるコントラスト１も計測される。

図７（ｂ）は、レチクル１がレチクルチャック２から離脱した状態（図５（ｃ）、第２タイミング）での相対位置計測を示している。このとき、アライメントマーク１７ａと１８ａのＸ方向の相対位置ｄｘ２とＹ方向の相対位置ｄｙ２が計測される。また、アライメントマーク１７ａのコントラストであるコントラスト２も計測される。レチクル１とレチクルチャック２との間で局所的に固着が発生している場合、コントラスト計測時のレチクル１とレチクルチャック２の隙間が大きいと、固着箇所で破壊が生じうる。そのため、計測する相対位置の変位の範囲は例えば１００μｍ以下とする。

制御部Ｃは、アライメントマーク１７ａと１８ａのＸ方向の相対位置ｄｘ１とｄｘ２との差分、アライメントマーク１７ａと１８ａのＹ方向の相対位置ｄｙ１とｄｙ２の差分から、レチクル１と水平方向（ＸＹ方向）の位置変化量を算出する。また、制御部Ｃは、コントラスト１とコントラスト２の差から、レチクル１の鉛直方向（Ｚ方向）の変化量を算出する。

同様に、制御部Ｃは、もう一方のアライメントマーク１７ｂ、１８ｂのレチクル１の水平方向、鉛直方向の変化を確認する。２対のアライメントマークが同時に、レチクル１の水平方向と鉛直方向の少なくともどちらか一方が変化している場合、制御部Ｃは、レチクル１がレチクルチャック２の保持面から離脱したと判定する。

上記の例では、レチクル上のアライメントマーク１７とレチクルステージ上のアライメントマーク１８（基準マーク）との相対位置計測により、レチクル１の水平方向であるＸＹ位置を計測した。しかし、レチクルアライメントマーク検出系の基準位置に対する相対位置の変化で確認することでも同様の効果が得られる。

図８は、本実施形態におけるレチクル回収動作を示すフローチャートである。Ｓ１０２は、レチクル１がレチクルチャック２から離脱される前の、気体噴射部３０によりレチクル１をレチクルチャック２の保持面から離脱させるための力が与えられていない状態（図５（ａ）の状態）で実行される事前計測工程である。この状態にある第１タイミングでレチクルアライメント検出器１５により、レチクル１上のアライメントマーク１７の像とレチクルステージ３上の基準マークであるアライメントマーク１８の像とを含む第１画像が取得される。制御部Ｃは、図７（ａ）を参照して説明した方法で、取得された第１画像から両マークの相対位置およびコントラストを計測する。

Ｓ１０３で、制御部Ｃは、レチクルチャック２によるレチクル１の保持力を解除し、レチクルチャック２の上のレチクル１がレチクルハンド２１に保持させ、かつ、気体噴射部３０によりレチクル１に外力を作用させる。Ｓ１０４では、この状態にある第２タイミングで、レチクルアライメント検出器１５により、レチクル１上のアライメントマーク１７の像とレチクルステージ３上の基準マークであるアライメントマーク１８の像とを含む第２画像が取得される。制御部Ｃは、図７（ｂ）を参照して説明した方法で、取得された第２画像から両マークの相対位置およびコントラストを計測する。

Ｓ１０５で、制御部Ｃは、Ｓ１０２およびＳ１０４で計測された相対位置に基づいて、レチクル１の水平位置（ＸＹ方向の位置）の変化の判定を実施する。レチクル１の水平位置が変化していないと判定された場合、Ｓ１０７で、制御部Ｃは、離脱異常、すなわち、レチクルは保持面から正常に離脱していないと判定する。レチクル１の水平位置が変化したと判定された場合、Ｓ１０６で、制御部Ｃは、Ｓ１０２およびＳ１０４で計測されたコントラストに基づいて、レチクル１の鉛直方向（Ｚ方向）の位置の変化の判定を実施する。コントラストが変化していないと判定された場合は、Ｓ１０７で、制御部Ｃは、離脱異常、すなわち、レチクルは保持面から正常に離脱していないと判定する。離脱異常と判定された場合、Ｓ１０８で、制御部Ｃは、離脱異常をユーザに知らせるための警告を表示する等の報知を行う。Ｓ１０６でレチクル１の鉛直方向の位置が変化したと判定された場合は、Ｓ１０９で、制御部Ｃは、離脱正常、すなわち、レチクル１は保持面から正常に離脱したと判定する。離脱正常と判定された場合、制御部Ｃは、レチクルハンド２１を制御してレチクル１を所定の回収位置まで搬送する。

以上説明した実施形態によれば、レチクルが保持面から離脱したことの判定を高精度に行うことができる。

＜第２実施形態＞
上述の第１実施形態では、プレートであるレチクル１を保持する保持装置を有する露光装置１００について説明したが、上述の説明は、プレートであるウエハ４を保持する保持装置を有する露光装置にも同様に適用することができる。その場合、レチクルアライメント検出器１５に代えてウエハアライメント検出器１６を、マークを撮像する撮像部として用いることにより、ウエハ４がウエハチャック５の保持面から離脱したか否かの判定を行うことができる。

上述の実施形態では、露光装置に本発明を適用する実施形態について説明した。しかし、本発明は、インプリント装置や描画装置等の、露光装置以外のリソグラフィ装置にも適用することができる。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材とモールドとを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、モールドのパターンが転写された硬化物のパターンを形成する。描画装置は、荷電粒子線（電子線）やレーザビームで基板に描画を行うことにより基板上にパターン（潜像パターン）を形成する。

＜物品製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態における物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、上記のリソグラフィ装置（露光装置やインプリント装置、描画装置など）を用いて基板に原版のパターンを転写する工程と、かかる工程でパターンが転写された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１：レチクル、２：レチクルチャック、３：レチクルステージ、１５：レチクルアライメント検出器、１７、８：アライメントマーク、１９：気体供給路、２０：気体供給部、２１：レチクルハンド、３０：気体噴射部

Claims (9)

1. プレートを保持する保持装置であって、
   保持面で前記プレートを保持する保持部と、
   前記保持面に保持された前記プレートに形成されているマークを撮像する撮像部と、
   前記プレートを前記保持面から離脱させるための力が前記プレートに与えられる前の第１タイミングで前記撮像部により得られた前記マークの画像である第１画像と、前記力が前記プレートに与えられている間の第２タイミングで前記撮像部により得られた前記マークの画像である第２画像とに基づいて、前記プレートが前記保持面から離脱したか否かの判定を行う処理部と、
   を有することを特徴とする保持装置。
2. 前記処理部は、前記第１画像と前記第２画像とに基づいて、前記保持面に沿う第１方向における前記マークの位置および前記保持面と直交する第２方向における前記マークの位置の少なくともいずれか一方が変化したときに前記プレートが前記保持面から離脱したと判定する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の保持装置。
3. 前記保持部に対して前記プレートを供給および回収を行う搬送部を更に有し、
   前記第２タイミングは、前記保持部による前記プレートの保持力が解除され、前記プレートが前記搬送部によって保持され、かつ、前記力が前記プレートに与えられている間のタイミングである、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の保持装置。
4. 前記第１画像および前記第２画像はそれぞれ、前記マークの像および前記保持部に形成されている基準マークの像を含み、
   前記処理部は、前記第１画像と前記第２画像との間で、前記基準マークに対する前記マークの前記第１方向の位置ずれ量、および、前記マークのコントラストの少なくともいずれか一方が変化したときに、前記プレートが前記保持面から離脱したと判定する、
   ことを特徴とする請求項２に記載の保持装置。
5. 前記保持面から前記プレートに向けて気体を噴射することにより前記力を前記プレートに与える気体噴射部を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の保持装置。
6. 前記保持面から前記プレートをリフトピンで押すことにより前記力を前記プレートに与えるピン駆動アクチュエータを有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の保持装置。
7. 原版を用いて基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
   前記原版を保持する、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の保持装置を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
8. 基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
   前記基板を保持する、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の保持装置を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
9. 請求項７または８に記載のリソグラフィ装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
   前記工程で前記パターンが形成された基板を処理する工程と、
   を有し、前記処理された基板から物品を製造する、ことを特徴とする物品製造方法。

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