JP7398244B2 - 蓄熱層の形成方法及びサーマルプリントヘッドの製造方法 - Google Patents
蓄熱層の形成方法及びサーマルプリントヘッドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7398244B2 JP7398244B2 JP2019198166A JP2019198166A JP7398244B2 JP 7398244 B2 JP7398244 B2 JP 7398244B2 JP 2019198166 A JP2019198166 A JP 2019198166A JP 2019198166 A JP2019198166 A JP 2019198166A JP 7398244 B2 JP7398244 B2 JP 7398244B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat storage
- storage layer
- forming
- substrate
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 title claims description 139
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 176
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Description
本実施形態は、サーマルプリントヘッドにおける蓄熱層の形成方法及び当該形成方法を含むサーマルプリントヘッドの製造方法に関する。
サーマルプリントヘッドは、例えば、ヘッド基板上に主走査方向に並ぶ多数の発熱部を備えている。各発熱部は、ヘッド基板にグレーズ層（蓄熱層）を介して形成した抵抗体層上に、その一部を露出させるようにして、上方側電極層と下方側電極層をそれらの端部を対向させて積層することにより形成されている。上方側電極層と下方側電極層間を通電することにより、上記抵抗体層の露出部（発熱部）がジュール熱により発熱する。
また、サーマルプリントヘッドは、印字媒体への熱伝達を効率化して高速印字を可能とするために、主走査方向に延伸する蓄熱部としての凸状の蓄熱層を設け、この凸状の蓄熱層の頂部に各発熱部を配置している。このような凸状の蓄熱層は、各発熱部へのプラテンローラ当たりを良好にして、印字品位を向上させることにも役立つ。
上記のような凸状の蓄熱層は一般に、ガラスペーストを用いてスクリーン印刷をし、これを焼成することにより形成される。しかしながら、このような凸状の蓄熱層の形成方法では、蓄熱層の幅を微細にすることが困難である場合があった。
本実施形態の一態様は、幅を微細にすることが可能な蓄熱層の形成方法を提供する。また、本実施形態の他の一態様は、当該蓄熱層の形成方法を含むサーマルプリントヘッドの製造方法を提供する。
本実施形態の一態様は、基板上にレジストを形成する工程と、前記基板上及び前記レジスト上に第１蓄熱層を形成する工程と、前記基板上、前記レジスト上、及び前記第１蓄熱層上に粘着層を備える有機系シートを形成する工程と、前記有機系シートを剥離して、前記レジスト、及び前記第１蓄熱層の一部を除去して第２蓄熱層を形成する工程と、を有する蓄熱層の形成方法である。
本実施形態の他の一態様は、基板上に蓄熱層を形成する工程と、前記蓄熱層上に抵抗体層を形成する工程と、前記抵抗体層上に配線を形成する工程と、前記基板上、前記蓄熱層上、前記抵抗体層上、及び前記配線上に保護膜を形成する工程と、を有し、前記蓄熱層は、前記基板上にレジストを形成する工程と、前記基板上及び前記レジスト上に第１蓄熱層を形成する工程と、前記基板上、前記レジスト上、及び前記第１蓄熱層上に粘着層を備える有機系シートを形成する工程と、前記有機系シートを剥離して、前記レジスト、及び前記第１蓄熱層の一部を除去する工程を経て形成される、サーマルプリントヘッドの製造方法である。
本実施形態によれば、幅を微細にすることが可能な蓄熱層の形成方法を提供することができる。また、本実施形態の他の一態様は、当該蓄熱層の形成方法を含むサーマルプリントヘッドの製造方法を提供することができる。
次に、図面を参照して、本実施形態について説明する。以下に説明する図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各構成部品の厚みと平面寸法との関係等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
また、以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置等を特定するものではない。本実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
具体的な本実施形態の一態様は、以下の通りである。
＜１＞ 基板上にレジストを形成する工程と、前記基板上及び前記レジスト上に第１蓄熱層を形成する工程と、前記基板上、前記レジスト上、及び前記第１蓄熱層上に粘着層を備える有機系シートを形成する工程と、前記有機系シートを剥離して、前記レジスト、及び前記第１蓄熱層の一部を除去して第２蓄熱層を形成する工程と、を有する蓄熱層の形成方法。
＜２＞ 前記レジストは、複数形成されている＜１＞に記載の蓄熱層の形成方法。
＜３＞ 前記第２蓄熱層の幅は、前記レジストの一と前記レジストの他の一との間隔と等しい＜２＞に記載の蓄熱層の形成方法。
＜４＞ 前記第２蓄熱層の幅は、３００～１０００μｍである＜１＞～＜３＞のいずれか１項に記載の蓄熱層の形成方法。
＜５＞ 前記レジストと重畳する領域における第１蓄熱層が除去される＜１＞～＜４＞のいずれか１項に記載の蓄熱層の形成方法。
＜６＞ 前記第２蓄熱層は、溝を有する＜１＞～＜５＞のいずれか１項に記載の蓄熱層の形成方法。
＜７＞ 前記基板は、単結晶半導体からなる＜１＞～＜６＞のいずれか１項に記載の蓄熱層の形成方法。
＜８＞ 前記単結晶半導体は、シリコンからなる＜７＞に記載の蓄熱層の形成方法。
＜９＞ 基板上に蓄熱層を形成する工程と、前記蓄熱層上に抵抗体層を形成する工程と、前記抵抗体層上に配線を形成する工程と、前記基板上、前記蓄熱層上、前記抵抗体層上、及び前記配線上に保護膜を形成する工程と、を有し、前記蓄熱層は、前記基板上にレジストを形成する工程と、前記基板上及び前記レジスト上に第１蓄熱層を形成する工程と、前記基板上、前記レジスト上、及び前記第１蓄熱層上に粘着層を備える有機系シートを形成する工程と、前記有機系シートを剥離して、前記レジスト、及び前記第１蓄熱層の一部を除去する工程を経て形成される、サーマルプリントヘッドの製造方法。
＜１０＞ 前記レジストは、複数形成されている＜９＞に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
＜１１＞ 前記蓄熱層の幅は、前記レジストの一と前記レジストの他の一との間隔と等しい＜１０＞に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
＜１２＞ 前記蓄熱層の幅は、３００～１０００μｍである＜９＞～＜１１＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
＜１３＞ 前記レジストと重畳する領域における第１蓄熱層が除去される＜９＞～＜１２＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
＜１４＞ 前記蓄熱層は、溝を有する＜９＞～＜１３＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
＜１５＞ 前記基板は、単結晶半導体からなる＜９＞～＜１４＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
＜１６＞ 前記単結晶半導体は、シリコンからなる＜１５＞に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
本実施形態に係る蓄熱層の形成方法及び当該蓄熱層を備えるサーマルプリントヘッドについて図面を用いて説明する。
図１～図４に本実施形態に係る蓄熱層の形成方法で形成する蓄熱層を備えるサーマルプリントヘッドを示す。図１は、サーマルプリントヘッドを示す平面図である。図２は、サーマルプリントヘッドを示す要部平面図である。図３は、サーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。図４は、図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。
サーマルプリントヘッドＡ１は、基板１、接続基板５、及び放熱部材８を備える。基板１及び接続基板５は、放熱部材８上に副走査方向ｙに隣接させて搭載されている。基板１には、後述する構成により、主走査方向ｘに配列される複数の発熱部４１が形成されている。当該発熱部４１は、接続基板５上に搭載されたドライバＩＣ７により選択的に発熱駆動され、コネクタ５９を介して外部から送信される印字信号にしたがって、プラテンローラ９１により発熱部４１に押圧される感熱紙等の印字媒体に印字を行う。
基板１は、主走査方向ｘを長手方向とし、副走査方向ｙを短手方向とする細長矩形状の平面形状を有する。基板１の大きさは限定されないが、一例を挙げると、主走査方向ｘの寸法は、例えば、５０～１５０ｍｍ、副走査方向ｙの寸法は、例えば、２．０～５．０ｍｍ、厚さ方向ｚの寸法は、例えば、７２５μｍである。なお、以下の説明において、基板１における副走査方向ｙのドライバＩＣ７に近い側を上方側といい、ドライバＩＣ７から遠い側を下方側という。
基板１は、単結晶半導体からなる。単結晶半導体としては、例えば、シリコンなどを用いることができる。
接続基板５は、例えば、プリント配線基板を用いることができる。接続基板５は、基材層と図示しない配線層とが積層された構造を有する。基材層は、例えば、ガラスポキシ樹脂などを用いることができる。配線層は、例えば、銅などを用いることができる。
放熱部材８は、基板１からの熱を放散させる機能を有する。放熱部材８には、基板１及び接続基板５が取り付けられている。放熱部材８は、例えば、アルミニウムなどの金属を用いることができる。
絶縁層１９は、基板１を覆っている。絶縁層１９は、絶縁性材料を用いることができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、又はＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル）などを用いることができ、特にＴＥＯＳを用いることが好ましい。絶縁層１９の厚さは、特に限定されず、例えば、５～１５μｍであり、好ましくは５～１０μｍである。なお、絶縁層１９を設けない構成としてもよい。
抵抗体層４は、電極３からの電流が流れた部分が発熱する。このように発熱することによって印字ドットが形成される。抵抗体層４は、電極３を構成する材料よりも抵抗率が高い材料を用い、例えば、窒化タンタル、又はタンタルを含む酸化シリコンなどを用いることができる。図２に示すように、抵抗体層４は、複数の発熱部４１を含む。本実施形態では、抵抗体層４の厚さは、例えば、０．０５～０．２μｍ程度である。本実施形態においては、抵抗体層４は、電極３と基板１との間に介在する。
蓄熱部１３は基板表面に形成されている。蓄熱部１３はグレーズ層（蓄熱層）ともいうことがある。蓄熱部１３は、保護膜のうち発熱部４１を覆う部分を、印刷媒体に対し適切に当接させることができる。蓄熱部１３は、例えば、非晶質ガラスなどのガラス材料を用いることができる。このガラス材料の軟化点は、例えば、８００～８５０℃である。蓄熱部１３の副走査方向Ｘにおける寸法は、例えば、５００～６００μｍ程度である。
電極３は、抵抗体層４に通電するための経路を構成している。電極３は、基板１の上方側に形成される複数の個別電極３１と、基板１の下方側に形成される共通電極３２とを含む。電極３は導電体からなる。導電体としては、例えば、アルミニウム、銅、金などを用いることができる。本実施形態では、電極３の厚さは、例えば、０．２～０．８μｍ程度である。
各個別電極３１は、概ね副走査方向ｙに延伸する帯状をしており、それらの下方側先端は蓄熱部１３の位置まで延伸している。各個別電極３１は、互いに導通していない。そのため、各個別電極３１には、サーマルプリントヘッドの組み込まれたプリンタが使用される際に、個別に、互いに異なる電位が付与されうる。各個別電極３１の上方側端部には、個別パッド部３１１が形成されている。個別パッド部３１１は、接続基板５に搭載されるドライバＩＣ７とワイヤ６１により接続される部分である。
共通電極３２は、サーマルプリントヘッドの組み込まれたプリンタが使用される際に複数の個別電極３１に対して電気的に逆極性となる部位である。共通電極３２は、複数の櫛歯部３２４と、これら複数の櫛歯部３２４を共通につなげる共通部３２３と、を有する。共通部３２３は基板１の上方側の縁に沿って主走査方向ｘに形成され、各櫛歯部３２４は、共通部３２３から分かれて副走査方向ｙに延伸する帯状をしており、その上方側先端は、各個別電極３１の先端に対して所定間隔を隔てて対向させられている。
また、電極３及び抵抗体層４等は保護膜で覆われている。当該保護膜は絶縁性の材料を用いることができ、例えば、窒化シリコン、酸化シリコンなどを用いることができる。当該保護膜の厚さは、例えば、３～８μｍ程度である。
ドライバＩＣ７は、接続基板５上に搭載されており、複数の発熱部４１に個別に通電させるために設けられる。ドライバＩＣ７と上記各個別電極３１の各個別パッド部３１１間は、複数のワイヤ６１によって接続される。ドライバＩＣ７はまた、接続基板５上に形成された配線パターンに対して、ワイヤ６２によって接続されている。ドライバＩＣ７には、コネクタ５９を介して外部から送信される印字信号が入力される。複数の発熱部４１は、印字信号に従って個別に通電されることにより、選択的に発熱させられる。
ドライバＩＣ７、並びにワイヤ６１及び６２は、基板１と接続基板５とに跨るようにして保護樹脂７８で覆われている。保護樹脂７８は、例えば、エポキシ樹脂等の黒色の絶縁性樹脂などを用いることができる。ワイヤ６１及び６２は、例えば、金などの導体を用いることができる。
ここで、図５に上述した構成要素を含むサーマルプリントヘッドの一例の断面図を示す。
図５に示すサーマルプリントヘッドは、基板１と、基板１上の蓄熱層１６と、基板１上及び蓄熱層１６上の絶縁層１０１と、絶縁層１０１上の抵抗体層１０２と、抵抗体層１０２上の電極１０３と、絶縁層１０１上、抵抗体層１０２上、及び電極１０３上の保護膜１０４と、を備える。
蓄熱層１６は、前述の蓄熱部１３に対応する。
ここで、図面を用いて蓄熱層１６の形成方法について説明する。
まず、図６に示すように、基板１を用意する。基板１は、単結晶半導体又はセラミックからなるものを用いることができる。単結晶半導体としては、例えば、シリコンを用いることができる。セラミックとしては、例えば、アルミナ又は窒化アルミニウムを用いることができる。基板１の厚さは、例えば、０．６～１．０ｍｍ程度である。
次に、図７に示すように、基板１上に複数のレジスト９を形成する。レジスト９の一とレジスト９の他の一との間隔が後に形成される蓄熱層１６の幅と等しい。なお、本明細書等において、「等しい」とは、当該間隔と蓄熱層の幅の差が蓄熱層の幅の５％以下のものを含む。
次に、図８に示すように、基板１上及びレジスト９上に蓄熱層６を形成する。蓄熱層６は、例えば、ガラスを含むペーストを基板１及びレジスト９に厚膜印刷した後に、厚膜印刷されたペーストを焼成することにより形成することができる。当該ペーストを焼成する時の温度は、例えば、８００～８５０℃である。
次に、図９に示すように、基板１上、レジスト９上、及び蓄熱層６上に粘着層を備える有機系シート１１を形成する。有機系シート１１は、例えば、フィルムの片面に粘着剤が塗工されたシート（テープ）等を用いることができる。有機系シート１１としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、及びエポキシ樹脂などを含む。後の工程において、有機系シート１１の剥離と同時にレジスト９も剥離（除去）するため、有機系シート１１はレジスト９との密着性が高いものが好ましい。
次に、図１０に示すように、有機系シート１１を剥離し、レジスト９、及び蓄熱層６の一部を除去することで蓄熱層１６を形成する。蓄熱層１６の幅は、例えば、３００～１０００μｍである。有機系シート１１は、例えば、粘着剤が塗工されていない面（外方に露出している最外表面）に剥離テープを貼り付け、当該剥離テープを基板１に対して鋭角的にめくり上げることで、基板１からレジスト９、及び蓄熱層６の一部を剥離（除去）することができる。なお、レジスト９と重畳する領域における蓄熱層６が除去される。
以上の工程により、蓄熱層１６を形成することができる。
また、溝を有する蓄熱層を形成することもできる。図面を用いて溝を有する蓄熱層の形成方法について説明する。
前述の蓄熱層１６を形成方法と同様、まず、基板１を用意する。次に、基板１上に複数のレジスト９を形成する。次に、図１１に示すように、基板１上及びレジスト９上に蓄熱層６ａを形成する。蓄熱層６ａの形成は、蓄熱層６の説明を援用することができる。蓄熱層６ａは上面に溝を有する。当該溝は、レジスト９の一とレジスト９の他の一との間隔を大きくすること、又は蓄熱層６ａの厚さを薄くすることなどにより形成される。
次に、図１２に示すように、基板１上、レジスト９上、及び蓄熱層６上に有機系シート１１を形成する。
次に、図１３に示すように、有機系シート１１を剥離し、レジスト９、及び蓄熱層６ａの一部を除去することで蓄熱層１６ａを形成する。
以上の工程により、蓄熱層１６ａを形成することができる。
本実施形態によれば、蓄熱層の幅を微細にすることができる。
また、前述の形成方法で形成した蓄熱層を備えるサーマルプリントヘッドの製造方法についても説明する。
前述の形成方法で形成した蓄熱層１６上に、図５に示すように、絶縁層１０１、抵抗体層１０２、電極１０３、及び保護膜１０４を順に形成する。絶縁層１０１は、前述の絶縁層１９に対応する。抵抗体層１０２は、前述の抵抗体層４に対応する。電極１０３は、前述の電極３に対応する。保護膜１０４は絶縁性の材料を用いることができ、例えば、窒化シリコン、酸化シリコンなどを用いることができる。保護膜１０４の厚さは、例えば、３～８μｍ程度である。
以上の工程により、本実施形態によって形成する蓄熱層を備えるサーマルプリントヘッドを製造することができる。
［その他の実施形態］
上述のように、いくつかの実施形態について記載したが、開示の一部をなす論述及び図面は例示的なものであり、限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替の実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。このように、本実施形態は、ここでは記載していない様々な実施形態等を含む。
上述のように、いくつかの実施形態について記載したが、開示の一部をなす論述及び図面は例示的なものであり、限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替の実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。このように、本実施形態は、ここでは記載していない様々な実施形態等を含む。
１ 基板
３ 電極
４ 抵抗体層
５ 接続基板
６ 蓄熱層
６ａ 蓄熱層
７ ドライバＩＣ
８ 放熱部材
９ レジスト
１１ 有機系シート
１３ 蓄熱部
１６ 蓄熱層
１６ａ 蓄熱層
１９ 絶縁層
３１ 個別電極
３２ 共通電極
４１ 発熱部
５９ コネクタ
６１ ワイヤ
６２ ワイヤ
７８ 保護樹脂
９１ プラテンローラ
１０１ 絶縁層
１０２ 抵抗体層
１０３ 電極
１０４ 保護膜
３１１ 個別パッド部
３２３ 共通部
３２４ 櫛歯部
Ａ１ サーマルプリントヘッド
３ 電極
４ 抵抗体層
５ 接続基板
６ 蓄熱層
６ａ 蓄熱層
７ ドライバＩＣ
８ 放熱部材
９ レジスト
１１ 有機系シート
１３ 蓄熱部
１６ 蓄熱層
１６ａ 蓄熱層
１９ 絶縁層
３１ 個別電極
３２ 共通電極
４１ 発熱部
５９ コネクタ
６１ ワイヤ
６２ ワイヤ
７８ 保護樹脂
９１ プラテンローラ
１０１ 絶縁層
１０２ 抵抗体層
１０３ 電極
１０４ 保護膜
３１１ 個別パッド部
３２３ 共通部
３２４ 櫛歯部
Ａ１ サーマルプリントヘッド
Claims (8)
- サーマルプリントヘッドにおける蓄熱層の形成方法であって、
基板上にレジストを形成する工程と、
前記基板上及び前記レジスト上に第１蓄熱層を形成する工程と、
前記基板上、前記レジスト上、及び前記第１蓄熱層上に粘着層を備える有機系シートを形成する工程と、
前記有機系シートを剥離して、前記レジスト、及び前記第１蓄熱層の一部を除去して第２蓄熱層を形成する工程と、
前記第２蓄熱層を形成した後に配線層を前記第２蓄熱層上に形成する工程と、
を有する蓄熱層の形成方法。 - 前記レジストは、複数形成されている請求項１に記載の蓄熱層の形成方法。
- 前記第２蓄熱層の幅は、前記レジストの一と前記レジストの他の一との間隔と等しい請求項２に記載の蓄熱層の形成方法。
- 前記第２蓄熱層の幅は、３００～１０００μｍである請求項１～３のいずれか１項に記載の蓄熱層の形成方法。
- 前記レジストと重畳する領域における第１蓄熱層が除去される請求項１～４のいずれか１項に記載の蓄熱層の形成方法。
- 前記第２蓄熱層は、溝を有する請求項１～５のいずれか１項に記載の蓄熱層の形成方法。
- 前記基板は、単結晶半導体からなる請求項１～６のいずれか１項に記載の蓄熱層の形成方法。
- 前記単結晶半導体は、シリコンからなる請求項７に記載の蓄熱層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019198166A JP7398244B2 (ja) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 蓄熱層の形成方法及びサーマルプリントヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019198166A JP7398244B2 (ja) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 蓄熱層の形成方法及びサーマルプリントヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021070230A JP2021070230A (ja) | 2021-05-06 |
| JP7398244B2 true JP7398244B2 (ja) | 2023-12-14 |
Family
ID=75712161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019198166A Active JP7398244B2 (ja) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 蓄熱層の形成方法及びサーマルプリントヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7398244B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003037057A (ja) | 2001-05-18 | 2003-02-07 | Nitto Denko Corp | レジスト材の除去方法 |
| JP2005178198A (ja) | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Alps Electric Co Ltd | サーマルヘッドの製造方法 |
| JP2007269036A (ja) | 2007-06-04 | 2007-10-18 | Rohm Co Ltd | 薄膜型サーマルプリントヘッドの発熱体抵抗値の調整方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07120654B2 (ja) * | 1987-08-10 | 1995-12-20 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03142256A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Sharp Corp | サーマルヘッドの製造方法 |
-
2019
- 2019-10-31 JP JP2019198166A patent/JP7398244B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003037057A (ja) | 2001-05-18 | 2003-02-07 | Nitto Denko Corp | レジスト材の除去方法 |
| JP2005178198A (ja) | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Alps Electric Co Ltd | サーマルヘッドの製造方法 |
| JP2007269036A (ja) | 2007-06-04 | 2007-10-18 | Rohm Co Ltd | 薄膜型サーマルプリントヘッドの発熱体抵抗値の調整方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2021070230A (ja) | 2021-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6371529B2 (ja) | サーマルプリントヘッド、サーマルプリンタ | |
| CN108944063B (zh) | 热敏打印头和热敏打印头的制造方法 | |
| JP7398244B2 (ja) | 蓄熱層の形成方法及びサーマルプリントヘッドの製造方法 | |
| JP2001232838A (ja) | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 | |
| JP5595697B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JP2014069442A (ja) | サーマルプリントヘッドおよびそれを用いたサーマルプリンタ | |
| JP7360880B2 (ja) | サーマルプリントヘッド及びその製造方法 | |
| JP6010413B2 (ja) | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2018062152A (ja) | サーマルプリントヘッド | |
| JP2020199694A (ja) | サーマルプリントヘッド | |
| JP2021003809A (ja) | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 | |
| JP7063905B2 (ja) | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法 | |
| JP6012201B2 (ja) | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 | |
| JP7219634B2 (ja) | サーマルプリントヘッド | |
| US11097554B2 (en) | Thermal printhead and method of manufacturing the same | |
| JP7151054B2 (ja) | サーマルプリントヘッド、および、その製造方法 | |
| JP3824246B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JP2012061778A (ja) | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ | |
| WO2021106479A1 (ja) | サーマルプリントヘッド及びその製造方法 | |
| JP3844155B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JP2009066854A (ja) | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2022175561A (ja) | サーマルプリントヘッド、およびサーマルプリントヘッドの製造方法 | |
| JP2016215389A (ja) | サーマルプリントヘッド | |
| JP2023153472A (ja) | サーマルプリントヘッドの製造方法、およびサーマルプリントヘッド | |
| JP2021059047A (ja) | サーマルプリントヘッド及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220831 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230424 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230509 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230621 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230829 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231109 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20231122 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231128 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231204 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7398244 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |