JP2021059047A

JP2021059047A - サーマルプリントヘッド及びその製造方法

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Publication number: JP2021059047A
Application number: JP2019184224A
Authority: JP
Inventors: 吾郎仲谷; Goro Nakaya; 雅寿中西; Masatoshi Nakanishi
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2019-10-07
Filing date: 2019-10-07
Publication date: 2021-04-15

Abstract

【課題】蓄熱する機能を有する中空層を備える新規なサーマルプリントヘッドを提供する。また、当該サーマルプリントヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上の酸化物層と、前記酸化物層上の活性層と、前記酸化物層上の中空層と、前記活性層上及び前記中空層上の絶縁層と、前記絶縁層上のヒーター層と、を備え、前記中空層は、前記絶縁層を介して前記活性層と離間するサーマルプリントヘッドを用いる。【選択図】図５

Description

本実施形態は、サーマルプリントヘッド及びその製造方法に関する。

サーマルプリントヘッドは、例えば、ヘッド基板上に主走査方向に並ぶ多数の発熱部を備えている。各発熱部は、ヘッド基板にグレーズ層を介して形成した抵抗体層上に、その一部を露出させるようにして、上方側電極層と下方側電極層をそれらの端部を対向させて積層することにより形成されている。上方側電極層と下方側電極層間を通電することにより、上記抵抗体層の露出部（発熱部）がジュール熱により発熱する。

また、サーマルプリントヘッドは、印字媒体への熱伝達を効率化して高速印字を可能とするために、主走査方向に延伸する蓄熱部としての凸状グレーズを設け、この凸状グレーズの頂部に各発熱部を配置している。このような凸状グレーズは、各発熱部へのプラテンローラ当たりを良好にして、印字品位を向上させることにも役立つ。

上記のような凸状グレーズは一般に、ガラスペーストを用いてスクリーン印刷をし、これを焼成することにより形成される。しかしながら、このような凸状グレーズの形成方法では、印刷時に形成される膜厚が製品ごとに、あるいは主走査方向の各所でまちまちになることがある。これらのことは、サーマルプリントヘッドの製品品位あるいは印字品位の一定化を阻害する要因となっていた。

特開２００７−２６９０３６号公報

本実施形態の一態様は、凸状グレーズを備えることなく、適切な蓄熱性能を有する新規なサーマルプリントヘッドを提供する。また、本実施形態の他の一態様は、当該サーマルプリントヘッドの製造方法を提供する。

本実施形態は、基板、前記基板上の酸化物層、又は前記酸化物層上の活性層のいずれかの一部分が除去されており、当該一部分が中空層となる。当該中空層は蓄熱する機能を有するため、サーマルプリントヘッドの蓄熱層として機能する。本実施形態の一態様は以下のとおりである。

本実施形態の一態様は、基板と、前記基板上の酸化物層と、前記酸化物層上の活性層と、前記酸化物層上の中空層と、前記活性層上及び前記中空層上の絶縁層と、前記絶縁層上のヒーター層と、を備え、前記中空層は、前記絶縁層を介して前記活性層と離間するサーマルプリントヘッドである。

本実施形態の他の一態様は、基板と、前記基板上の酸化物層と、前記基板上の中空層と、前記酸化物層上及び前記中空層上の活性層と、前記活性層上の絶縁層と、前記絶縁層上のヒーター層と、を備え、前記中空層は、前記酸化物層と接するサーマルプリントヘッドである。

本実施形態の他の一態様は、基板と、前記基板内の中空層と、前記基板上の酸化物層と、前記酸化物層上の活性層と、前記活性層上の絶縁層と、前記絶縁層上のヒーター層と、を備えるサーマルプリントヘッドである。

本実施形態の他の一態様は、酸化物層及び前記酸化物層上の活性層を含む積層体が表面に設けられた基板を用意し、前記活性層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上にヒーター層を形成し、前記絶縁層上及び前記ヒーター層上に第１層間絶縁層を形成し、前記第１層間絶縁層に第１開口を形成し、前記第１開口を介して前記ヒーター層と電気的に接続する配線層を形成し、前記第１層間絶縁層上及び前記配線層上に第２層間絶縁層を形成し、前記絶縁層、前記第１層間絶縁層、及び前記第２層間絶縁層に前記活性層に達する第２開口を形成し、前記活性層の一部を除去して中空層を形成するサーマルプリントヘッドの製造方法である。

本実施形態の他の一態様は、酸化物層及び前記酸化物層上の活性層を含む積層体が表面に設けられた基板を用意し、前記活性層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上にヒーター層を形成し、前記絶縁層上及び前記ヒーター層上に第１層間絶縁層を形成し、前記第１層間絶縁層に第１開口を形成し、前記第１開口を介して前記ヒーター層と電気的に接続する配線層を形成し、前記第１層間絶縁層上及び前記配線層上に第２層間絶縁層を形成し、前記活性層、前記絶縁層、前記第１層間絶縁層、及び前記第２層間絶縁層に前記酸化物層に達する第２開口を形成し、前記酸化物層の一部を除去して中空層を形成するサーマルプリントヘッドの製造方法である。

本実施形態の他の一態様は、酸化物層及び前記酸化物層上の活性層を含む積層体が表面に設けられた基板を用意し、前記活性層上にレジストを形成し、前記レジストをマスクとして前記活性層の一部を除去し、前記活性層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上にヒーター層を形成し、前記絶縁層上及び前記ヒーター層上に第１層間絶縁層を形成し、前記第１層間絶縁層に第１開口を形成し、前記第１開口を介して前記ヒーター層と電気的に接続する配線層を形成し、前記第１層間絶縁層上及び前記配線層上に第２層間絶縁層を形成し、前記酸化物層、前記絶縁層、前記第１層間絶縁層、及び前記第２層間絶縁層に前記基板に達する第２開口を形成し、前記基板の一部を除去して中空層を形成するサーマルプリントヘッドの製造方法である。

本実施形態によれば、凸状グレーズを備えることなく、適切な蓄熱性能を有する新規なサーマルプリントヘッドを提供することができる。また、本実施形態の他の一態様は、当該サーマルプリントヘッドの製造方法を提供することができる。

図１は、本実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す平面図である。図２は、本実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部平面図である。図３は、本実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。図４は、図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、実施形態１に係るサーマルプリントヘッドを示す断面図である。図６は、実施形態１に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、酸化物層１００と当該酸化物層１００上の活性層１０１とを含む積層体が表面に設けられた基板１を用意する工程の断面図である。図７は、実施形態１に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、活性層１０１を加工して活性層１０２を形成する工程の断面図である。図８は、実施形態１に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、絶縁層１０４を形成する工程の断面図である。図９は、実施形態１に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、ヒーター層１０６を形成する工程の断面図である。図１０は、実施形態１に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、層間絶縁層１０８及び配線層１１０を形成する工程の断面図である。図１１は、実施形態１に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、層間絶縁層１１２を形成する工程の断面図である。図１２は、実施形態１に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、絶縁層１０４、層間絶縁層１０８、及び層間絶縁層１１２に活性層１０２に達する開口１１４を形成する工程の断面図である。図１３は、実施形態１に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、活性層１０２の一部を除去して中空層１１６を形成する工程の断面図である。図１４は、実施形態２に係るサーマルプリントヘッドを示す断面図である。図１５は、実施形態２に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、酸化物層１００と当該酸化物層１００上の活性層１０１とを含む積層体が表面に設けられた基板１を用意する工程の断面図である。図１６は、実施形態２に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、活性層１０１を加工して活性層１０２を形成する工程の断面図である。図１７は、実施形態２に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、絶縁層１０５を形成する工程の断面図である。図１８は、実施形態２に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、ヒーター層１０６を形成する工程の断面図である。図１９は、実施形態２に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、層間絶縁層１０７及び配線層１１０を形成する工程の断面図である。図２０は、実施形態２に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、層間絶縁層１１１を形成する工程の断面図である。図２１は、実施形態２に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、活性層１０２、絶縁層１０５、層間絶縁層１０７、及び層間絶縁層１１１に酸化物層１００に達する開口１１３を形成する工程の断面図である。図２２は、実施形態２に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、酸化物層１００の一部を除去して中空層１１５を形成する工程の断面図である。図２３は、実施形態３に係るサーマルプリントヘッドを示す断面図である。図２４は、実施形態３に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、酸化物層１００と当該酸化物層１００上の活性層１０１とを含む積層体が表面に設けられた基板１を用意する工程の断面図である。図２５は、実施形態３に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、レジスト１２０を形成する工程の断面図である。図２６は、実施形態３に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、活性層１０１の一部を除去して活性層１０３を形成する工程の断面図である。図２７は、実施形態３に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、レジスト１２０を剥離する工程の断面図である。図２８は、実施形態３に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、絶縁層１２２を形成する工程の断面図である。図２９は、実施形態３に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、ヒーター膜１２４を形成する工程の断面図である。図３０は、実施形態３に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、レジスト１２５を形成する工程の断面図である。図３１は、実施形態３に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、ヒーター膜１２４の一部を除去してヒーター層１２６を形成する工程の断面図である。図３２は、実施形態３に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、レジスト１２５を剥離する工程の断面図である。図３３は、実施形態３に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、層間絶縁層１２８を形成する工程の断面図である。図３４は、実施形態３に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、配線層１３０及び層間絶縁層１３２を形成する工程の断面図である。図３５は、実施形態３に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、酸化物層１００、絶縁層１２２、層間絶縁層１２８、及び層間絶縁層１３２に基板１に達する開口１３４を形成する工程の断面図である。図３６は、実施形態３に係るサーマルプリントヘッドの製造方法を示す図であり、基板１の一部を除去して中空層１３６及び基板１ａを形成する工程の断面図である。

次に、図面を参照して、本実施形態について説明する。以下に説明する図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各構成部品の厚みと平面寸法との関係等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。

また、以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置等を特定するものではない。本実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。

具体的な本実施形態の一態様は、以下の通りである。

＜１＞基板と、前記基板上の酸化物層と、前記酸化物層上の活性層と、前記酸化物層上の中空層と、前記活性層上及び前記中空層上の絶縁層と、前記絶縁層上のヒーター層と、を備え、前記中空層は、前記絶縁層を介して前記活性層と離間するサーマルプリントヘッド。

＜２＞基板と、前記基板上の酸化物層と、前記基板上の中空層と、前記酸化物層上及び前記中空層上の活性層と、前記活性層上の絶縁層と、前記絶縁層上のヒーター層と、を備え、前記中空層は、前記酸化物層と接するサーマルプリントヘッド。

＜３＞基板と、前記基板内の中空層と、前記基板上の酸化物層と、前記酸化物層上の活性層と、前記活性層上の絶縁層と、前記絶縁層上のヒーター層と、を備えるサーマルプリントヘッド。

＜４＞前記中空層の深さは、１００μｍ以下である＜３＞に記載のサーマルプリントヘッド。

＜５＞前記中空層と接する領域において、前記基板の側面は曲面を有する＜３＞又は＜４＞に記載のサーマルプリントヘッド。

＜６＞前記絶縁層は前記中空層に達する開口を有する＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。

＜７＞前記基板は、単結晶半導体からなる＜１＞〜＜６＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。

＜８＞前記単結晶半導体は、シリコンからなる＜７＞に記載のサーマルプリントヘッド。

＜９＞前記ヒーター層は、抵抗体層と、前記抵抗体層上の電極と、を備える＜１＞〜＜８＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。

＜１０＞前記ヒーター層は、前記中空層と重畳する＜１＞〜＜９＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。

＜１１＞さらに、前記絶縁層上及び前記ヒーター層上の層間絶縁層と、前記層間絶縁層の開口を介して前記ヒーター層と電気的に接続する配線層と、を備える＜１＞〜＜１０＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。

＜１２＞前記中空層は、蓄熱する機能を有する＜１＞〜＜１１＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。

＜１３＞前記酸化物層は、Ｂｏｘ層であり、前記活性層は、ＳＯＩ層である＜１＞〜＜１２＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。

＜１４＞酸化物層及び前記酸化物層上の活性層を含む積層体が表面に設けられた基板を用意し、前記活性層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上にヒーター層を形成し、前記絶縁層上及び前記ヒーター層上に第１層間絶縁層を形成し、前記第１層間絶縁層に第１開口を形成し、前記第１開口を介して前記ヒーター層と電気的に接続する配線層を形成し、前記第１層間絶縁層上及び前記配線層上に第２層間絶縁層を形成し、前記絶縁層、前記第１層間絶縁層、及び前記第２層間絶縁層に前記活性層に達する第２開口を形成し、前記活性層の一部を除去して中空層を形成するサーマルプリントヘッドの製造方法。

＜１５＞前記活性層の一部は反応性イオンエッチングにより除去される＜１４＞に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

＜１６＞酸化物層及び前記酸化物層上の活性層を含む積層体が表面に設けられた基板を用意し、前記活性層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上にヒーター層を形成し、前記絶縁層上及び前記ヒーター層上に第１層間絶縁層を形成し、前記第１層間絶縁層に第１開口を形成し、前記第１開口を介して前記ヒーター層と電気的に接続する配線層を形成し、前記第１層間絶縁層上及び前記配線層上に第２層間絶縁層を形成し、前記活性層、前記絶縁層、前記第１層間絶縁層、及び前記第２層間絶縁層に前記酸化物層に達する第２開口を形成し、前記酸化物層の一部を除去して中空層を形成するサーマルプリントヘッドの製造方法。

＜１７＞前記絶縁層、前記第１層間絶縁層、及び前記第２層間絶縁層のそれぞれは、窒化シリコンを含む＜１６＞に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

＜１８＞前記酸化物層の一部はフッ化水素を用いたエッチングによって除去される＜１６＞又は＜１７＞に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

＜１９＞酸化物層及び前記酸化物層上の活性層を含む積層体が表面に設けられた基板を用意し、前記活性層上にレジストを形成し、前記レジストをマスクとして前記活性層の一部を除去し、前記活性層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上にヒーター層を形成し、前記絶縁層上及び前記ヒーター層上に第１層間絶縁層を形成し、前記第１層間絶縁層に第１開口を形成し、前記第１開口を介して前記ヒーター層と電気的に接続する配線層を形成し、前記第１層間絶縁層上及び前記配線層上に第２層間絶縁層を形成し、前記酸化物層、前記絶縁層、前記第１層間絶縁層、及び前記第２層間絶縁層に前記基板に達する第２開口を形成し、前記基板の一部を除去して中空層を形成するサーマルプリントヘッドの製造方法。

＜２０＞前記基板の一部は反応性イオンエッチングにより除去される＜１９＞に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

＜２１＞前記基板は、単結晶半導体からなる＜１４＞〜＜２０＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

＜２２＞前記単結晶半導体は、シリコンからなる＜２１＞に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

＜２３＞前記ヒーター層は、抵抗体層と、前記抵抗体層上の電極と、を備える＜１４＞〜＜２２＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

＜２４＞前記ヒーター層は、前記中空層と重畳する＜１４＞〜＜２３＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

＜２５＞前記中空層は、蓄熱する機能を有する＜１４＞〜＜２４＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

＜２６＞前記酸化物層は、Ｂｏｘ層であり、前記活性層は、ＳＯＩ層である＜１４＞〜＜２５＞のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

（実施形態１）
本実施形態に係るサーマルプリントヘッド及びその製造方法について図面を用いて説明する。

図１〜図４は、本実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す。図１は、サーマルプリントヘッドを示す平面図である。図２は、サーマルプリントヘッドを示す要部平面図である。図３は、サーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。図４は、図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。

本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１は、基板１、接続基板５、及び放熱部材８を備える。基板１及び接続基板５は、放熱部材８上に副走査方向ｙに隣接させて搭載されている。基板１には、後述する構成により、主走査方向ｘに配列される複数の発熱部４１が形成されている。当該発熱部４１は、接続基板５上に搭載されたドライバＩＣ７により選択的に発熱駆動され、コネクタ５９を介して外部から送信される印字信号にしたがって、プラテンローラ９１により発熱部４１に押圧される感熱紙等の印字媒体に印字を行う。

基板１は、主走査方向ｘを長手方向とし、副走査方向ｙを短手方向とする細長矩形状の平面形状を有する。基板１の大きさは限定されないが、一例を挙げると、主走査方向ｘの寸法は、例えば５０〜１５０ｍｍ、副走査方向ｙの寸法は、例えば、２．０〜５．０ｍｍ、厚さ方向ｚの寸法は、例えば７２５μｍである。なお、以下の説明において、基板１における副走査方向ｙのドライバＩＣ７に近い側を上方側といい、ドライバＩＣ７から遠い側を下方側という。

基板１は、単結晶半導体からなる。単結晶半導体としては、例えば、シリコンなどを用いることができる。

接続基板５は、例えば、プリント配線基板を用いることができる。接続基板５は、基材層と図示しない配線層とが積層された構造を有する。基材層は、例えば、ガラスポキシ樹脂などを用いることができる。配線層は、例えば、銅などを用いることができる。

放熱部材８は、基板１からの熱を放散させる機能を有する。放熱部材８には、基板１及び接続基板５が取り付けられている。放熱部材８は、例えば、アルミニウムなどの金属を用いることができる。

絶縁層１９は、基板１を覆っている。絶縁層１９は、絶縁性材料を用いることができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、又はＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル）などを用いることができ、特にＴＥＯＳを用いることが好ましい。絶縁層１９の厚さは、特に限定されず、例えば、５〜１５μｍであり、好ましくは５〜１０μｍである。なお、絶縁層１９を設けない構成としてもよい。

抵抗体層４は、電極３からの電流が流れた部分が発熱する。このように発熱することによって印字ドットが形成される。抵抗体層４は、電極３を構成する材料よりも抵抗率が高い材料を用い、例えば、窒化タンタル、又はタンタルを含む酸化シリコンなどを用いることができる。図２に示すように、抵抗体層４は、複数の発熱部４１を含む。本実施形態では、抵抗体層４の厚さは、例えば、０．０５〜０．２μｍ程度である。本実施形態においては、抵抗体層４は、電極３と基板１との間に介在する。

電極３は、抵抗体層４に通電するための経路を構成している。電極３は、基板１の上方側に形成される複数の個別電極３１と、基板１の下方側に形成される共通電極３２とを含む。
電極３は導電体からなる。導電体としては、例えば、アルミニウム、銅、金などを用いることができる。本実施形態では、電極３の厚さは、例えば、０．２〜０．８μｍ程度である。

各個別電極３１は、概ね副走査方向ｙに延伸する帯状をしており、それらの下方側先端は領域１３の位置まで延伸している。各個別電極３１は、互いに導通していない。そのため、各個別電極３１には、サーマルプリントヘッドの組み込まれたプリンタが使用される際に、個別に、互いに異なる電位が付与されうる。各個別電極３１の上方側端部には、個別パッド部３１１が形成されている。個別パッド部３１１は、接続基板５に搭載されるドライバＩＣ７とワイヤ６１により接続される部分である。

共通電極３２は、サーマルプリントヘッドの組み込まれたプリンタが使用される際に複数の個別電極３１に対して電気的に逆極性となる部位である。共通電極３２は、複数の櫛歯部３２４と、これら複数の櫛歯部３２４を共通につなげる共通部３２３と、を有する。共通部３２３は基板１の上方側の縁に沿って主走査方向ｘに形成され、各櫛歯部３２４は、共通部３２３から分かれて副走査方向ｙに延伸する帯状をしており、その上方側先端は、各個別電極３１の先端に対して所定間隔を隔てて対向させられている。

また、電極３及び抵抗体層４等は保護膜で覆われている。当該保護膜は絶縁性の材料を用いることができ、例えば、窒化シリコン、酸化シリコンなどを用いることができる。当該保護膜の厚さは、例えば、３〜８μｍ程度である。

ドライバＩＣ７は、接続基板５上に搭載されており、複数の発熱部４１に個別に通電させるために設けられる。ドライバＩＣ７と上記各個別電極３１の各個別パッド部３１１間は、複数のワイヤ６１によって接続される。ドライバＩＣ７はまた、接続基板５上に形成された配線パターンに対して、ワイヤ６２によって接続されている。ドライバＩＣ７には、コネクタ５９を介して外部から送信される印字信号が入力される。複数の発熱部４１は、印字信号に従って個別に通電されることにより、選択的に発熱させられる。

ドライバＩＣ７、並びにワイヤ６１及び６２は、基板１と接続基板５とに跨るようにして保護樹脂７８で覆われている。保護樹脂７８は、例えば、エポキシ樹脂等の黒色の絶縁性樹脂などを用いることができる。ワイヤ６１及び６２は、例えば、金などの導体を用いることができる。

ここで、図５に上述した構成要素を含むサーマルプリントヘッドの一例の断面図を示す。

図５を用いて前述の基板１及び当該基板１上に設けられる構成要素について詳細に説明する。図５に示すサーマルプリントヘッドは、基板１と、基板１上の酸化物層１００と、酸化物層１００上の活性層１０２と、酸化物層１００上の中空層１１６と、活性層１０２上及び中空層１１６上の絶縁層１０４と、絶縁層１０４上のヒーター層１０６と、絶縁層１０４上及びヒーター層１０６上の層間絶縁層１０８と、層間絶縁層１０８の開口を介してヒーター層１０６と電気的に接続する配線層１１０と、層間絶縁層１０８上及び配線層１１０上の層間絶縁層１１２と、を備える。当該中空層１１６は絶縁層１０４を介して活性層１０２と離間する。

なお、本明細書等において、「電気的に接続」とは、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に限定されない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極、配線、スイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、容量素子、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。

ヒーター層１０６は、抵抗体層と当該抵抗体層上の電極からなり、中空層１１６と重畳する。中空層１１６は蓄熱する機能を有する。つまり、中空層１１６は蓄熱層として機能する。前述の抵抗体層は、発熱部を有する。

中空層１１６は活性層１０２の一部を除去した箇所に形成され、当該箇所は空間が設けられている。中空層１１６は空間であり、空気等の気体が満たされている。空気等の気体は、例えば、シリコンに比べて熱伝導率が小さいため、蓄熱性が高い。したがって、蓄熱性の高い気体で満たされた中空層１１６を本実施形態のサーマルプリントヘッドの蓄熱層として用いることができる。

なお、中空層１１６に満たされる気体は、空気に限られず、例えば、熱伝導率の小さいアルゴンなどを用いてもよい。

本実施形態のサーマルプリントヘッドが中空層１１６を備えることで、蓄熱層を活性層上に形成する必要がなく、製造プロセスの簡略化及びコストの低減等を実現することができる。

また、酸化物層１００は、例えば、酸化シリコンなどを用いることができ、Ｂｏｘ（ＢｕｒｉｅｄＯｘｉｄｅ）層であることが好ましい。さらに、活性層１０２は、例えば、単結晶半導体などを用いることができ、単結晶半導体としては、例えば、シリコンなどを用いることができる。

ヒーター層１０６は前述の電極３及び抵抗体層４の積層体に対応し、絶縁層１０４は前述の絶縁層１９に対応する。

次に、図面を用いて本実施形態のサーマルプリントヘッドの製造方法について説明する。

まず、図６に示すように、酸化物層１００と当該酸化物層１００上の活性層１０１とを含む積層体が表面に設けられた基板１を用意する。また、活性層１０１は、後の工程において前述の活性層１０２となる。なお、これに限られず、基板１を用意し、基板１上に酸化物層１００を形成し、さらに酸化物層１００上に活性層１０１を形成してもよい。

次に、活性層１０１上にレジストを形成し、レジストをマスクとして、図７に示すように、活性層１０１の一部を除去して活性層１０２を形成する。例えば、水酸化カリウムを用いた異方性エッチングを用いて活性層１０１の一部を除去することができる。その後、レジストを剥離する。当該剥離には、例えば、フッ酸を用いて行うことができる。

次に、図８に示すように、酸化物層１００上及び活性層１０２上に絶縁層１０４を形成する。絶縁層１０４は、例えば、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いたＴＥＯＳなどを用いることができる。

次に、図９に示すように、絶縁層１０４上にヒーター層１０６を形成する。ヒーター層１０６は、抵抗体層と当該抵抗体層上の電極からなる。ヒーター層１０６に含まれる抵抗体層は、例えば、スパッタリングを用いた窒化タンタル等を用いることができ、ヒーター層１０６に含まれる電極は、例えば、スパッタリングを用いたアルミニウム、銅、金等を用いることができる。

次に、図１０に示すように、絶縁層１０４上及びヒーター層１０６上に層間絶縁層１０８を形成し、層間絶縁層１０８にヒーター層１０６に達する開口を形成する。その後、当該開口を介してヒーター層１０６と電気的に接続する配線層１１０を形成する。層間絶縁層１０８は、保護膜としての機能を有する。層間絶縁層１０８は、例えば、ＣＶＤを用いた窒化シリコン、酸化シリコン等を用いることができる。配線層１１０は、例えば、スパッタリングを用いたアルミニウム、銅、金等を用いることができる。

次に、図１１に示すように、層間絶縁層１０８上及び配線層１１０上に層間絶縁層１１２を形成する。その後、層間絶縁層１１２に配線層１１０に達する開口を形成する。層間絶縁層１１２は、例えば、ＣＶＤを用いた窒化シリコン、酸化シリコン等を用いることができる。

次に、図１２に示すように、絶縁層１０４、層間絶縁層１０８、及び層間絶縁層１１２に活性層１０２に達する開口１１４を形成する。なお、前述の配線層１１０に達する開口を形成する際、絶縁層等に対してエッチング選択比が大きい配線層１１０はエッチングストッパーとして機能するため、配線層１１０に達する開口と開口１１４とを一括で形成することもできる。

次に、図１３に示すように、活性層１０２の一部を除去して中空層１１６を形成する。中空層１１６は、ヒーター層１０６と重畳するように形成される。反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）を用いて活性層１０２の一部を除去することができる。

中空層１１６は空間であり、空気等の気体が満たされている。空気等の気体は、例えば、シリコンに比べて熱伝導率が小さいため、蓄熱性が高い。したがって、蓄熱性の高い気体で満たされた中空層１１６を本実施形態のサーマルプリントヘッドの蓄熱層として用いることができる。

以上の工程により、本実施形態のサーマルプリントヘッドを製造することができる。

（実施形態２）
本実施形態では、実施形態１と異なるサーマルプリントヘッド及びその製造方法について図面を用いて説明する。

本実施形態では、実施形態１と異なる部分について説明する。つまり、本実施形態において、特に言及していない部分は実施形態１の説明を援用することができるものとする。

図１４に本実施形態のサーマルプリントヘッドの一例の断面図を示す。図１４に示すサーマルプリントヘッドは、基板１と、基板１上の酸化物層１００ａと、基板１上の中空層１１５と、酸化物層１００ａ上及び中空層１１５上の活性層１０２と、活性層１０２上の絶縁層１０５と、絶縁層１０５上のヒーター層１０６と、絶縁層１０５上及びヒーター層１０６上の層間絶縁層１０７と、層間絶縁層１０７の開口を介してヒーター層１０６と電気的に接続する配線層１１０と、層間絶縁層１０７上及び配線層１１０上の層間絶縁層１１１と、を備える。なお、中空層１１５は、酸化物層１００ａと接する。

ヒーター層１０６は、抵抗体層と当該抵抗体層上の電極からなり、中空層１１５と重畳する。中空層１１５は蓄熱する機能を有する。つまり、中空層１１５は蓄熱層として機能する。前述の抵抗体層は、発熱部を有する。

中空層１１５は酸化物層の一部を除去した箇所に形成され、当該箇所は空間が設けられている。中空層１１５は空間であり、空気等の気体が満たされている。空気等の気体は、例えば、シリコンに比べて熱伝導率が小さいため、蓄熱性が高い。したがって、蓄熱性の高い気体で満たされた中空層１１５を本実施形態のサーマルプリントヘッドの蓄熱層として用いることができる。

なお、中空層１１５に満たされる気体は、空気に限られず、例えば、熱伝導率の小さいアルゴンなどを用いてもよい。

本実施形態のサーマルプリントヘッドが中空層１１５を備えることで、蓄熱層を活性層上に形成する必要がなく、製造プロセスの簡略化及びコストの低減等を実現することができる。

まず、図１５に示すように、酸化物層１００と当該酸化物層１００上の活性層１０１とを含む積層体が表面に設けられた基板１を用意する。また、活性層１０１は、後の工程において前述の活性層１０２となる。なお、これに限られず、基板１を用意し、基板１上に酸化物層１００を形成し、さらに酸化物層１００上に活性層１０１を形成してもよい。

次に、活性層１０１上にレジストを形成し、レジストをマスクとして、図１６に示すように、活性層１０１の一部を除去して活性層１０２を形成する。例えば、水酸化カリウムを用いた異方性エッチングを用いて活性層１０１の一部を除去することができる。その後、レジストを剥離する。当該剥離には、例えば、フッ酸を用いて行うことができる。

次に、図１７に示すように、酸化物層１００上及び活性層１０２上に絶縁層１０５を形成する。絶縁層１０５は、例えば、ＣＶＤを用いた窒化シリコン等の窒化物などを用いることができる。

次に、図１８に示すように、絶縁層１０５上にヒーター層１０６を形成する。ヒーター層１０６は、抵抗体層と当該抵抗体層上の電極からなる。ヒーター層１０６に含まれる抵抗体層は、例えば、スパッタリングを用いた窒化タンタル等を用いることができ、ヒーター層１０６に含まれる電極は、例えば、スパッタリングを用いたアルミニウム、銅、金等を用いることができる。

次に、図１９に示すように、絶縁層１０５上及びヒーター層１０６上に層間絶縁層１０７を形成し、層間絶縁層１０７にヒーター層１０６に達する開口を形成する。その後、当該開口を介してヒーター層１０６と電気的に接続する配線層１１０を形成する。層間絶縁層１０７は、保護膜としての機能を有する。層間絶縁層１０７は、例えば、ＣＶＤを用いた窒化シリコン等の窒化物などを用いることができる。配線層１１０は、例えば、スパッタリングを用いたアルミニウム、銅、金等を用いることができる。

次に、図２０に示すように、層間絶縁層１０７上及び配線層１１０上に層間絶縁層１１１を形成する。その後、層間絶縁層１１１に配線層１１０に達する開口を形成する。層間絶縁層１１１は、例えば、ＣＶＤを用いた窒化シリコン等の窒化物などを用いることができる。

次に、図２１に示すように、活性層１０２、絶縁層１０５、層間絶縁層１０７、及び層間絶縁層１１１に酸化物層１００に達する開口１１３を形成する。なお、前述の配線層１１０に達する開口を形成する際、絶縁層等に対してエッチング選択比が大きい配線層１１０はエッチングストッパーとして機能するため、配線層１１０に達する開口と開口１１３とを一括で形成することもできる。

次に、図２２に示すように、酸化物層１００の一部を除去して中空層１１５及び酸化物層１００ａを形成する。中空層１１５は、ヒーター層１０６と重畳するように形成される。フッ化水素を用いたエッチングにより酸化物層１００の一部を除去することができる。

中空層１１５は空間であり、空気等の気体が満たされている。空気等の気体は、例えば、シリコンに比べて熱伝導率が小さいため、蓄熱性が高い。したがって、蓄熱性の高い気体で満たされた中空層１１５を本実施形態のサーマルプリントヘッドの蓄熱層として用いることができる。

（実施形態３）
本実施形態では、実施形態１及び２と異なるサーマルプリントヘッド及びその製造方法について図面を用いて説明する。

本実施形態では、実施形態１及び２と異なる部分について説明する。つまり、本実施形態において、特に言及していない部分は実施形態１及び２の説明を援用することができるものとする。

図２３に本実施形態のサーマルプリントヘッドの一例の断面図を示す。図２３に示すサーマルプリントヘッドは、基板１ａと、基板１ａ内の中空層１３６と、基板１ａ上の酸化物層１００と、酸化物層１００上の活性層１０３と、酸化物層１００上及び活性層１０３上の絶縁層１２２と、絶縁層１２２上のヒーター層１２６と、絶縁層１２２上及びヒーター層１２６上の層間絶縁層１２８と、層間絶縁層１２８の開口を介してヒーター層１２６と電気的に接続する配線層１３０と、層間絶縁層１２８上及び配線層１３０上の層間絶縁層１３２と、を備える。

中空層１３６は、酸化物層１００、絶縁層１２２、層間絶縁層１２８、及び層間絶縁層１３２に形成された複数の開口１３４からエッチングを行うことにより形成される。

ヒーター層１２６は、抵抗体層と当該抵抗体層上の電極からなり、中空層１３６と重畳する。中空層１３６は蓄熱する機能を有する。つまり、中空層１３６は蓄熱層として機能する。前述の抵抗体層は、発熱部を有する。

中空層１３６は酸化物層の一部を除去した箇所に形成され、当該箇所は空間が設けられている。中空層１３６は空間であり、空気等の気体が満たされている。空気等の気体は、例えば、シリコンに比べて熱伝導率が小さいため、蓄熱性が高い。したがって、蓄熱性の高い気体で満たされた中空層１３６を本実施形態のサーマルプリントヘッドの蓄熱層として用いることができる。

なお、中空層１３６に満たされる気体は、空気に限られず、例えば、熱伝導率の小さいアルゴンなどを用いてもよい。

本実施形態のサーマルプリントヘッドが中空層１３６を備えることで、蓄熱層を活性層上に形成する必要がなく、製造プロセスの簡略化及びコストの低減等を実現することができる。

絶縁層１２２、ヒーター層１２６、層間絶縁層１２８、配線層１３０、及び層間絶縁層１３２のそれぞれは、前述の絶縁層１０４、ヒーター層１０６、層間絶縁層１０８、配線層１１０、及び層間絶縁層１１２の説明を援用することができる。

まず、図２４に示すように、酸化物層１００と当該酸化物層１００上の活性層１０１とを含む積層体が表面に設けられた基板１を用意する。また、活性層１０１は、後の工程において前述の活性層１０２となる。なお、これに限られず、基板１を用意し、基板１上に酸化物層１００を形成し、さらに酸化物層１００上に活性層１０１を形成してもよい。

次に、図２５に示すように、活性層１０１上にレジスト１２０を形成する。

次に、図２６に示すように、レジスト１２０をマスクとして活性層１０１の一部を除去して活性層１０３を形成する。活性層１０１の一部は、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いて除去することができる。

次に、図２７に示すように、レジスト１２０を剥離する。当該剥離には、例えば、フッ酸を用いて行うことができる。

次に、図２８に示すように、酸化物層１００上及び活性層１０３上に絶縁層１２２を形成する。絶縁層１２２は、例えば、ＣＶＤを用いたＴＥＯＳなどを用いることができる。

次に、図２９に示すように、絶縁層１２２上にヒーター層１２６となるヒーター膜１２４を形成する。ヒーター膜１２４は、抵抗体膜と当該抵抗体膜上の電極からなる。ヒーター膜１２４に含まれる抵抗体膜は、例えば、スパッタリングを用いた窒化タンタル等を用いることができ、ヒーター膜１２４に含まれる電極は、例えば、スパッタリングを用いたアルミニウム、銅、金等を用いることができる。

次に、図３０に示すように、ヒーター膜１２４上にレジスト１２５を形成する。

次に、図３１に示すように、レジスト１２５をマスクとしてヒーター膜１２４の一部を除去してヒーター層１２６を形成する。ヒーター膜１２４の一部は、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いて除去することができる。

次に、図３２に示すように、レジスト１２５を剥離する。当該剥離には、例えば、フッ酸を用いて行うことができる。

次に、図３３に示すように、絶縁層１２２上及びヒーター層１２６上に層間絶縁層１２８を形成する。層間絶縁層１２８は、保護膜としての機能を有する。層間絶縁層１２８は、例えば、ＣＶＤを用いた窒化シリコン、酸化シリコン等を用いることができる。

次に、図３４に示すように、層間絶縁層１２８にヒーター層１２６に達する開口を形成する。その後、当該開口を介してヒーター層１２６と電気的に接続する配線層１３０を形成する。さらに、層間絶縁層１２８上及び配線層１３０上に層間絶縁層１３２を形成する。その後、層間絶縁層１３２に配線層１３０に達する開口を形成する。配線層１３０は、例えば、スパッタリングを用いたアルミニウム、銅、金等を用いることができる。層間絶縁層１３２は、例えば、ＣＶＤを用いた窒化シリコン、酸化シリコン等を用いることができる。

次に、図３５に示すように、酸化物層１００、絶縁層１２２、層間絶縁層１２８、及び層間絶縁層１３２に基板１に達する複数の開口１３４を形成する。なお、前述の配線層１３０に達する開口を形成する際、絶縁層等に対してエッチング選択比が大きい配線層１３０はエッチングストッパーとして機能するため、配線層１３０に達する開口と開口１３４とを一括で形成することもできる。

次に、図３６に示すように、基板１の一部を除去して中空層１３６及び基板１ａを形成する。中空層１３６は、ヒーター層１２６と重畳するように形成される。反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いて基板１に溝を形成し、その後、等方性ＲＩＥを用いて基板１の一部を除去することができる。なお、等方性ＲＩＥには、エッチングカスとして、例えば、フッ化硫黄ガス等を用いることができる。

複数の開口１３４から当該溝にエッチングカスを供給して基板１をエッチング（等方性ＲＩＥ）するため、基板１の溝から等方的に基板１が除去される。このため、開口１３４同士の間隔と基板１に形成する溝の深さを適宜調整することで隣同士の溝からの基板１の除去の領域が重なって連通し、基板１に１つの除去領域（中空層１３６）が形成される。

例えば、中空層１３６の深さは、等方的に基板１が除去されることを考慮し、１００μｍ以下であると好ましく、３０〜１００μｍであることがより好ましく、５０〜８０μｍであることがさらに好ましい。

また、等方的に基板１が除去されるため、中空層１３６形成後の基板１ａの側面は曲面を有する。

中空層１３６は空間であり、空気等の気体が満たされている。空気等の気体は、例えば、シリコンに比べて熱伝導率が小さいため、蓄熱性が高い。したがって、蓄熱性の高い気体で満たされた中空層１３６を本実施形態のサーマルプリントヘッドの蓄熱層として用いることができる。

［その他の実施形態］
上述のように、いくつかの実施形態について記載したが、開示の一部をなす論述及び図面は例示的なものであり、限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替の実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。このように、本実施形態は、ここでは記載していない様々な実施形態等を含む。

１基板
１ａ基板
３電極
４抵抗体層
５接続基板
７ドライバＩＣ
８放熱部材
１３領域
１９絶縁層
３１個別電極
３２共通電極
４１発熱部
５９コネクタ
６１ワイヤ
６２ワイヤ
７８保護樹脂
９１プラテンローラ
１００酸化物層
１００ａ酸化物層
１０１活性層
１０２活性層
１０３活性層
１０４絶縁層
１０５絶縁層
１０６ヒーター層
１０７層間絶縁層
１０８層間絶縁層
１１０配線層
１１１層間絶縁層
１１２層間絶縁層
１１３開口
１１４開口
１１５中空層
１１６中空層
１２０レジスト
１２２絶縁層
１２４ヒーター膜
１２５レジスト
１２６ヒーター層
１２８層間絶縁層
１３０配線層
１３２層間絶縁層
１３４開口
１３６中空層
３１１個別パッド部
３２３共通部
３２４櫛歯部
Ａ１サーマルプリントヘッド

Claims

基板と、
前記基板上の酸化物層と、
前記酸化物層上の活性層と、
前記酸化物層上の中空層と、
前記活性層上及び前記中空層上の絶縁層と、
前記絶縁層上のヒーター層と、を備え、
前記中空層は、前記絶縁層を介して前記活性層と離間するサーマルプリントヘッド。
基板と、
前記基板上の酸化物層と、
前記基板上の中空層と、
前記酸化物層上及び前記中空層上の活性層と、
前記活性層上の絶縁層と、
前記絶縁層上のヒーター層と、を備え、
前記中空層は、前記酸化物層と接するサーマルプリントヘッド。
基板と、
前記基板内の中空層と、
前記基板上の酸化物層と、
前記酸化物層上の活性層と、
前記活性層上の絶縁層と、
前記絶縁層上のヒーター層と、を備えるサーマルプリントヘッド。
前記中空層の深さは、１００μｍ以下である請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
前記中空層と接する領域において、前記基板の側面は曲面を有する請求項３又は４に記載のサーマルプリントヘッド。
前記絶縁層は前記中空層に達する開口を有する請求項１〜５のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。
前記基板は、単結晶半導体からなる請求項１〜６のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。
前記単結晶半導体は、シリコンからなる請求項７に記載のサーマルプリントヘッド。
前記ヒーター層は、
抵抗体層と、
前記抵抗体層上の電極と、を備える請求項１〜８のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。
前記ヒーター層は、前記中空層と重畳する請求項１〜９のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。
さらに、前記絶縁層上及び前記ヒーター層上の層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の開口を介して前記ヒーター層と電気的に接続する配線層と、を備える請求項１〜１０のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。
前記中空層は、蓄熱する機能を有する請求項１〜１１のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。
前記酸化物層は、Ｂｏｘ層であり、
前記活性層は、ＳＯＩ層である請求項１〜１２のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。
酸化物層及び前記酸化物層上の活性層を含む積層体が表面に設けられた基板を用意し、
前記活性層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上にヒーター層を形成し、
前記絶縁層上及び前記ヒーター層上に第１層間絶縁層を形成し、
前記第１層間絶縁層に第１開口を形成し、
前記第１開口を介して前記ヒーター層と電気的に接続する配線層を形成し、
前記第１層間絶縁層上及び前記配線層上に第２層間絶縁層を形成し、
前記絶縁層、前記第１層間絶縁層、及び前記第２層間絶縁層に前記活性層に達する第２開口を形成し、
前記活性層の一部を除去して中空層を形成するサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記活性層の一部は反応性イオンエッチングにより除去される請求項１４に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
酸化物層及び前記酸化物層上の活性層を含む積層体が表面に設けられた基板を用意し、
前記活性層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上にヒーター層を形成し、
前記絶縁層上及び前記ヒーター層上に第１層間絶縁層を形成し、
前記第１層間絶縁層に第１開口を形成し、
前記第１開口を介して前記ヒーター層と電気的に接続する配線層を形成し、
前記第１層間絶縁層上及び前記配線層上に第２層間絶縁層を形成し、
前記活性層、前記絶縁層、前記第１層間絶縁層、及び前記第２層間絶縁層に前記酸化物層に達する第２開口を形成し、
前記酸化物層の一部を除去して中空層を形成するサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記絶縁層、前記第１層間絶縁層、及び前記第２層間絶縁層のそれぞれは、窒化シリコンを含む請求項１６に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記酸化物層の一部はフッ化水素を用いたエッチングによって除去される請求項１６又は１７に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
酸化物層及び前記酸化物層上の活性層を含む積層体が表面に設けられた基板を用意し、
前記活性層上にレジストを形成し、前記レジストをマスクとして前記活性層の一部を除去し、
前記活性層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上にヒーター層を形成し、
前記絶縁層上及び前記ヒーター層上に第１層間絶縁層を形成し、
前記第１層間絶縁層に第１開口を形成し、
前記第１開口を介して前記ヒーター層と電気的に接続する配線層を形成し、
前記第１層間絶縁層上及び前記配線層上に第２層間絶縁層を形成し、
前記酸化物層、前記絶縁層、前記第１層間絶縁層、及び前記第２層間絶縁層に前記基板に達する第２開口を形成し、
前記基板の一部を除去して中空層を形成するサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記基板の一部は反応性イオンエッチングにより除去される請求項１９に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記基板は、単結晶半導体からなる請求項１４〜２０のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記単結晶半導体は、シリコンからなる請求項２１に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記ヒーター層は、
抵抗体層と、
前記抵抗体層上の電極と、を備える請求項１４〜２２のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記ヒーター層は、前記中空層と重畳する請求項１４〜２３のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記中空層は、蓄熱する機能を有する請求項１４〜２４のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記酸化物層は、Ｂｏｘ層であり、
前記活性層は、ＳＯＩ層である請求項１４〜２５のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。