JP7382869B2 - 貫通孔基板の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 124
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Description
10 第一基板
11 第一レジストマスク
12 微小径の開口
13 第一凹部
20 第二基板
21 第二レジストマスク
22 開口部
23 第二凹部
30 中間層(酸化膜層、接合金属層)
50 貫通孔基板(流路基板)
51 微小径の開口部
52 開口部
53 貫通孔形成領域
54 貫通孔(流路)
Claims (3)
- 所定の貫通孔形成領域を備えた貫通孔基板の製造方法であって、
シリコンからなる第一基板と、シリコンからなる第二基板と、該第一基板と該第二基板とに挟まれる金属膜とからなる張り合わせ基板を準備する工程と、
前記第一基板に複数の微小径の開口を備える第一レジストマスクを形成する工程と、
前記第一レジストマスクを用いて前記第一基板を前記金属膜まで異方性ドライエッチングする工程と、
前記第二基板に複数の前記微小径より大きな開口を備える第二レジストマスクを形成する工程と、
前記第二レジストマスクを用いて前記第二基板を前記金属膜まで異方性ドライエッチングする工程と、
前記貫通孔形成領域の前記金属膜を除去する工程と、
を備えることを特徴とする貫通孔基板の製造方法。 - 前記金属膜を除去する工程は、酸系エッチング液により前記金属膜を除去することを特徴とする請求項1記載の貫通孔基板の製造方法。
- 前記第一レジストマスクを用いて前記第一基板を前記金属膜まで異方性ドライエッチングする工程は、前記第一基板に前記金属膜を底面とした第一凹部を形成する工程であり、
前記第二レジストマスクを用いて前記第二基板を前記金属膜まで異方性ドライエッチングする工程は、前記第二基板に前記金属膜を底面とした第二凹部を形成する工程であって、
前記貫通孔形成領域の前記金属膜を除去する工程は、前記第二凹部に露出した前記金属膜と、隣り合う前記第二凹部の間に位置し前記第二基板に覆われた前記金属膜とを除去する工程である、ことを特徴とする請求項1または2に記載の貫通孔基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020048187A JP7382869B2 (ja) | 2020-03-18 | 2020-03-18 | 貫通孔基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020048187A JP7382869B2 (ja) | 2020-03-18 | 2020-03-18 | 貫通孔基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021146267A JP2021146267A (ja) | 2021-09-27 |
JP7382869B2 true JP7382869B2 (ja) | 2023-11-17 |
Family
ID=77850201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020048187A Active JP7382869B2 (ja) | 2020-03-18 | 2020-03-18 | 貫通孔基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7382869B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004209632A (ja) | 2002-12-30 | 2004-07-29 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 無機多孔メンブレンおよびその作成方法 |
JP2012076027A (ja) | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Kitakyushu Foundation For The Advancement Of Industry Science & Technology | 貫通孔規則配列フィルタ及びその製造方法 |
JP2015521103A (ja) | 2012-05-16 | 2015-07-27 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 低抵抗微細加工フィルタ |
-
2020
- 2020-03-18 JP JP2020048187A patent/JP7382869B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004209632A (ja) | 2002-12-30 | 2004-07-29 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 無機多孔メンブレンおよびその作成方法 |
JP2012076027A (ja) | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Kitakyushu Foundation For The Advancement Of Industry Science & Technology | 貫通孔規則配列フィルタ及びその製造方法 |
JP2015521103A (ja) | 2012-05-16 | 2015-07-27 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 低抵抗微細加工フィルタ |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021146267A (ja) | 2021-09-27 |
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