JP7381089B2 - プレス焼結法製品キャリア、プレス焼結装置、及びプレス焼結法 - Google Patents
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- 238000005245 sintering Methods 0.000 title claims description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 171
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 16
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 7
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
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- B22F3/1007—Atmosphere
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- F27D5/00—Supports, screens, or the like for the charge within the furnace
- F27D5/0037—Supports specially adapted for semi-conductors
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
- B22F2003/1042—Sintering only with support for articles to be sintered
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/02—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers
- B22F7/04—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal
- B22F2007/042—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal characterised by the layer forming method
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2201/00—Treatment under specific atmosphere
- B22F2201/20—Use of vacuum
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/02—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers
- B22F7/04—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0425—Copper-based alloys
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C22C—ALLOYS
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- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0466—Alloys based on noble metals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Composite Materials (AREA)
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- Powder Metallurgy (AREA)
Description
上部と、
前記上部に形成された製品受け凹部であって、前記製品を受容し、該製品受け凹部の凹部底面上で前記製品を支持するように構成された製品受け凹部と、
前記製品受け凹部を囲む上部表面と、
前記上部表面に設けられ、前記製品受け凹部を囲む保持溝と、前記保持溝に連通し、前記製品受け凹部及び前記保持溝の上方に設けられたフィルム材、ホイル材、またはシート材などの可撓性カバーを保持するために前記保持溝内に真空を設けることを可能にする真空接続部と、
前記製品受け凹部内にガスを導入するために前記製品受け凹部内に配置された凹部ガス入口と、前記製品受け凹部内に配置された凹部ガス出口であって、前記製品受け凹部からガスを引き出して、前記製品受け凹部をパージするために前記凹部ガス入口から該凹部ガス出口へのガス流を設けることを可能にする凹部ガス出口とを備える。
プレス焼結法製品キャリアを提供するステップであって、該プレス焼結法製品キャリアは、
上部と、
前記上部に形成された製品受け凹部であって、前記製品を受容し、該製品受け凹部の凹部底面上で前記製品を支持するように構成された製品受け凹部と、
前記製品受け凹部を囲む上部表面と、
前記上部表面に設けられ、前記製品受け凹部を囲む保持溝と、前記保持溝に連通し、前記製品受け凹部及び前記保持溝の上方に設けられたフィルム材、ホイル材、またはシート材などの可撓性カバーを保持するために前記保持溝内に真空を設けることを可能にする真空接続部と、
前記製品受け凹部内にガスを導入するために前記製品受け凹部内に配置された凹部ガス入口と、前記製品受け凹部内に配置された凹部ガス出口であって、前記製品受け凹部からガスを引き出して、前記製品受け凹部をパージするために前記凹部ガス入口から該凹部ガス出口へのガス流を設けることを可能にする凹部ガス出口と
を備える、ステップと、
焼結しようとする少なくとも1つの製品を提供するステップと、
前記製品キャリアの製品受け凹部内に製品を配置し、製品受け凹部を覆うステップと、
製品受け凹部および保持溝の上方に、フィルム材、ホイル材、またはシート材などの可撓性カバーを設けるステップと、
真空接続部に真空を印加して、前記カバーを製品受け凹部の上方において前記上部表面に保持するために保持溝内に真空を設けるステップと、
前記凹部ガス入口を通じて前記製品受け凹部内にガス、任意で窒素、を導入し、前記凹部ガス出口を通じて前記製品受け凹部からガスを引き出して、製品受け凹部をパージするために凹部ガス入口から凹部ガス出口へのガス流を設けるステップと、
製品が製品キャリアによって製品受け凹部内で支持され可撓性カバーによって覆われている間、かつ可撓性カバーおよび製品に圧力を印加する間に、製品を焼結するステップと
を含む。
Claims (15)
- プレス焼結法で焼結しようとする少なくとも1つの製品(P)を支持するプレス焼結法製品キャリア(100)であって、
上部(110)と、
前記上部に形成された製品受け凹部(120)であって、前記製品を受容し、該製品受け凹部の凹部底面(125)上で前記製品を支持するように構成された製品受け凹部(120)と、
前記製品受け凹部を囲む上部表面(130)と、
前記上部表面に設けられ、前記製品受け凹部を囲む保持溝(140)と、前記保持溝に連通し、前記製品受け凹部及び前記保持溝の上方に設けられる、フィルム材、ホイル材、またはシート材(S)を含む可撓性カバーを保持するために前記保持溝内に真空を設けることを可能にする真空接続部(145)と、
前記製品受け凹部内にガスを導入するために前記製品受け凹部内に配置された凹部ガス入口(150)と、前記製品受け凹部内に配置された凹部ガス出口(160)であって、前記製品受け凹部からガスを引き出して、前記製品受け凹部をパージするために前記凹部ガス入口から該凹部ガス出口へのガス流を設けることを可能にする凹部ガス出口と
を備えるプレス焼結法製品キャリア。 - 前記上部表面(130)が平坦であり、かつ/または前記上部表面(130)が前記製品受け凹部(120)を完全に囲む、請求項1に記載のプレス焼結法製品キャリア。
- 前記保持溝(140)が前記製品受け凹部(120)を完全に囲む、請求項1または2に記載のプレス焼結法製品キャリア。
- 前記凹部ガス入口(150)が、前記製品受け凹部(120)の第1の側部(121)に設けられ、前記凹部ガス出口(160)が、前記製品受け凹部の第2の側部(122)に設けられ、前記第2の側部が前記第1の側部と対向する、請求項1~3のいずれか一項に記載のプレス焼結法製品キャリア。
- 前記凹部ガス入口(150)が、前記製品受け凹部(120)の側部に沿って分散配置された複数のガス流入孔(151)を備え、前記ガス流入孔が、使用時に、前記凹部底面(125)上に支持された前記製品(P)の方向に前記ガス流入孔からガスを流出させるように配置され、前記複数のガス流入孔(151)が、使用時に、ガスの層流を設けるように構成されている、請求項1~4のいずれか一項に記載のプレス焼結法製品キャリア。
- 前記凹部ガス出口(160)が、前記製品受け凹部(120)の側部に沿って分散配置された複数のガス流出孔(161)を備える、請求項1~5のいずれか一項に記載のプレス焼結法製品キャリア。
- 前記凹部ガス出口(160)は、使用時の水平面に対して、前記凹部ガス入口(150)よりも低い高さに設けられ、前記製品受け凹部(120)のうち前記凹部ガス出口(160)が設けられた側において、前記凹部底面(125)に追加の凹部(126)が設けられている、請求項1~6のいずれか一項に記載のプレス焼結法製品キャリア。
- 前記真空接続部(145)が、当該プレス焼結法製品キャリアの外面に沿って見たときに前記保持溝(140)が前記製品受け凹部(120)と前記真空接続部との間にあるような当該プレス焼結法製品キャリア(100)上の位置に設けられており、任意で、前記真空接続部が当該プレス焼結法製品キャリアの側面(101)上に設けられる、請求項1~7のいずれか一項に記載のプレス焼結法製品キャリア。
- 当該プレス焼結法製品キャリア(100)が、ガス源への接続のための第1のガス接続部(155)を備え、前記第1のガス接続部が前記凹部ガス入口(150)と連通し、前記第1のガス接続部が、当該プレス焼結法製品キャリアの外面に沿って見たときに前記保持溝(140)が前記製品受け凹部(120)と前記第1のガス接続部との間にあるような当該プレス焼結法製品キャリア上の位置に設けられており、任意で、前記第1のガス接続部が当該プレス焼結法製品キャリアの側面(101)上に設けられる、請求項1~8のいずれか一項に記載のプレス焼結法製品キャリア。
- 当該プレス焼結法製品キャリア(100)が、ガス抜き部への接続のための第2のガス接続部(165、165A)を備え、前記第2のガス接続部が前記凹部ガス出口(160)と連通し、前記第2のガス接続部が、当該プレス焼結法製品キャリアの外面に沿って見たときに前記保持溝(140)が前記製品受け凹部(120)と前記第2のガス接続部との間にあるような当該プレス焼結法製品キャリア上の位置に設けられており、任意で、前記第2のガス接続部が当該プレス焼結法製品キャリアの側面(101)上に設けられる、請求項1~9のいずれか一項に記載のプレス焼結法製品キャリア。
- 当該プレス焼結法製品キャリアおよび当該プレス焼結法によって支持される製品を冷却するための構成、ならびに当該プレス焼結法製品キャリアおよび当該プレス焼結法製品キャリアによって支持される製品を加熱するための構成のうち少なくとも1つをさらに備える請求項1~10のいずれか一項に記載のプレス焼結法製品キャリア。
- 前記製品受け凹部(120)および前記保持溝(140)を覆うための、フィルム材、ホイル材、またはシート材を含む可撓性カバーをさらに備える請求項1~11のいずれか一項に記載のプレス焼結法製品キャリア。
- 請求項1~12のいずれか一項に記載のプレス焼結法製品キャリアと、前記製品受け凹部(120)および前記保持溝(140)を覆うように構成された、フィルム材、ホイル材、またはシート材を含む可撓性カバーからなるキット。
- 請求項1~12のいずれか一項に記載のプレス焼結法製品キャリア(100)を備える焼結装置(10)。
- プレス焼結法製品キャリア(100)を提供するステップであって、前記プレス焼結法製品キャリアは、
上部(110)と、
前記上部に形成された製品受け凹部(120)であって、前記製品を受容し、該製品受け凹部の凹部底面(125)上で製品を支持するように構成された製品受け凹部(120)と、
前記製品受け凹部を囲む上部表面(130)と、
前記上部表面に設けられ、前記製品受け凹部を囲む保持溝(140)と、前記保持溝に連通し、前記製品受け凹部及び前記保持溝の上方に設けられる、フィルム材、ホイル材、またはシート材(S)を含む可撓性カバーを保持するために前記保持溝内に真空を設けることを可能にする真空接続部(145)と、
前記製品受け凹部内にガスを導入するために前記製品受け凹部内に配置された凹部ガス入口(150)と、前記製品受け凹部内に配置された凹部ガス出口(160)であって、前記製品受け凹部からガスを引き出して、前記製品受け凹部をパージするために前記凹部ガス入口から該凹部ガス出口へのガス流を設けることを可能にする凹部ガス出口と
を備える、ステップと、
焼結しようとする少なくとも1つの製品(P)を提供するステップと、
前記プレス焼結法製品キャリア(100)の前記製品受け凹部(120)内に前記製品を配置するステップと、
前記製品受け凹部および前記保持溝(140)の上方に、フィルム材、ホイル材、またはシート材を含む可撓性カバーを設けて、前記製品受け凹部を覆うステップと、
前記真空接続部(145)に真空を印加して、前記可撓性カバーを前記製品受け凹部の上方において前記上部表面に保持するために前記保持溝内に真空を設けるステップと、
前記凹部ガス入口(150)を通じて前記製品受け凹部内にガス、任意で窒素、を導入し、前記凹部ガス出口(160)を通じて前記製品受け凹部からガスを引き出して、前記製品受け凹部をパージするために前記凹部ガス入口から前記凹部ガス出口へのガス流を設けるステップと、
前記製品が前記プレス焼結法製品キャリアによって前記製品受け凹部内で支持され前記可撓性カバーによって覆われている間、かつ前記可撓性カバーおよび前記製品に圧力を印加する間に、前記製品を焼結するステップと
を含むプレス焼結法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL2021137 | 2018-06-15 | ||
NL2021137A NL2021137B1 (en) | 2018-06-15 | 2018-06-15 | Sintering Process Product Carrier |
PCT/NL2019/050368 WO2019240584A1 (en) | 2018-06-15 | 2019-06-14 | Press sintering process product carrier, press sintering apparatus and press sintering process |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021527756A JP2021527756A (ja) | 2021-10-14 |
JP7381089B2 true JP7381089B2 (ja) | 2023-11-15 |
Family
ID=62873558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020569125A Active JP7381089B2 (ja) | 2018-06-15 | 2019-06-14 | プレス焼結法製品キャリア、プレス焼結装置、及びプレス焼結法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11975387B2 (ja) |
EP (1) | EP3807026A1 (ja) |
JP (1) | JP7381089B2 (ja) |
KR (1) | KR20210030932A (ja) |
CN (1) | CN112351846B (ja) |
NL (1) | NL2021137B1 (ja) |
WO (1) | WO2019240584A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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DE102022102229A1 (de) | 2022-01-31 | 2023-08-03 | Fachhochschule Kiel, Körperschaft des öffentlichen Rechts | Induktionserwärmung niedertemperatur-presssintervorrichtung und zugehöriges verfahren |
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- 2019-06-14 KR KR1020217000945A patent/KR20210030932A/ko unknown
- 2019-06-14 US US16/972,014 patent/US11975387B2/en active Active
- 2019-06-14 WO PCT/NL2019/050368 patent/WO2019240584A1/en active Application Filing
- 2019-06-14 EP EP19743061.4A patent/EP3807026A1/en active Pending
- 2019-06-14 JP JP2020569125A patent/JP7381089B2/ja active Active
- 2019-06-14 CN CN201980040001.XA patent/CN112351846B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210030932A (ko) | 2021-03-18 |
US11975387B2 (en) | 2024-05-07 |
CN112351846A (zh) | 2021-02-09 |
NL2021137B1 (en) | 2019-12-20 |
TW202001174A (zh) | 2020-01-01 |
JP2021527756A (ja) | 2021-10-14 |
CN112351846B (zh) | 2023-08-25 |
EP3807026A1 (en) | 2021-04-21 |
US20210354198A1 (en) | 2021-11-18 |
WO2019240584A1 (en) | 2019-12-19 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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