KR102450267B1 - 코팅 디바이스 및 코팅 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하나 또는 그 초과의 기판들(10) 상에 층을 증착시키기 위한 디바이스에 관한 것으로, 이 디바이스는, 반응기 하우징(1) 내에 배열되는 프로세스 챔버(2)를 포함하고, 기판들(10)로의 유동 방향(S)으로 프로세스 가스를 프로세스 챔버(2)로 유입시키기 위한, 온도-제어될 수 있는 가스 유입구 요소(3); 유동 방향(S)으로 가스 유입구 요소(3)의 직후에 배열되고 차폐 포지션에서 가스 유입구 요소(3)와 기판(10)을 서로 열적으로 절연시키는 차폐 요소(6); 각각이 마스크(8, 8')를 홀딩하기 위해 유동 방향(S)으로 차폐 요소(6) 이후에 배열되는 복수의 마스크 홀더들(7, 7'); 기판들(10) 중 적어도 하나를 홀딩하기 위한 기판 홀더들(9, 9')―각각의 기판 홀더가 복수의 마스크 홀더들(7, 7') 중 하나에 대응하고, 상기 기판 홀더들은 유동 방향(S)으로 마스크들(8, 8') 이후에 배열되고 서로 물리적으로 분리됨―을 가지며, 여기서 복수의 기판 홀더들(9, 9') 각각에 대해, 마스크 홀더(7, 7')로부터 원거리에 있는 포지션―상기 포지션에서 기판(10, 10')이 기판 홀더들(9, 9') 상에 로딩되고 기판 홀더들(9, 9')로부터 언로딩될 수 있음―으로부터 마스크 홀더(7, 7')에 인접한 포지션―상기 포지션에서 기판 홀더(9, 9') 상에 배열되는 기판(10, 10')이 마스크(8, 8')에 대한 접촉 포지션에 놓여 있는 동안 코팅될 수 있음―으로 기판 홀더(9, 9')를 변위시키기 위해 변위 요소(11, 11')가 제공된다.

Description

코팅 디바이스 및 코팅 방법
[0001] 본 발명은 하나 또는 그 초과의 기판들 상에 층을 증착시키기 위한 디바이스에 관한 것으로, 이 디바이스는, 반응기 하우징 내에 배열되는 프로세스 챔버(process chamber)를 포함한다. 온도-제어될 수 있고 프로세스 가스가 내부에 도입되는 가스 유입구 요소(gas inlet element)가 제공된다. 가스 유입구 요소는 가스 배출 표면(gas discharge surface)을 갖는데, 상기 가스 배출 표면을 통해 프로세스 가스가 프로세스 가스 유동 방향으로 프로세스 챔버로 유입될 수 있다. 차폐 요소는 가스 유입구 요소와 기판을 서로 열적으로 절연시키기 위해 유동 방향으로 볼 때 가스 유입구 요소의 하류에 제공된다. 차폐 요소는 가스 유입구 요소의 가스 배출 표면과 마스크 홀더(mask holder) 사이에 위치된다. 코팅 프로세스 동안, 마스크 홀더는 코팅될 기판을 측방향으로 구조화하기 위한 마스크를 지지한다. 기판이 코팅되는 동안, 마스크는, 접촉 방식으로, 온도-제어가능 기판 홀더에 의해 지지되는 기판의 표면 상에 놓여 있다. 이 디바이스는 본질적으로 직사각형인 기판들 상에 OLED 층들을 증착시키는 데 사용된다. 기판 상에 증착되는 유기 재료들은 이들 유기 재료들에 전압을 인가하는 것에 의해 또는 이들을 통해 전류를 유동시키는 것에 의해 3 원색들로 각각 조명하는 것이 가능하다. 그에 따라 생성된 기판들로 스크린들(screens), 디스플레이 패널들(display panels) 등에 대한 디스플레이들이 제조된다.
[0002] US 7,964,037 B2는 중심 가스 유입구 요소를 갖는 프로세스 챔버를 개시하고, 그것의 가스 배출 개구들은 "셔터(shutter)"로 폐쇄될 수 있다. 2 개의 기판 홀더들은 가스 유입구 요소를 기준으로 서로 정반대되게 제공되고, 마스크에 의해 커버되는 기판을 각각 지지하여, "셔터"가 개방된 후에 구조화된 표면이 기판 상에 증착될 수 있도록 한다.
[0003] US 2014/0322852 A1은 유기 층들을 증착시키기 위한 디바이스를 개시하고, 여기서 가스 유입구 요소를 형성하는 재료 소스는, 유동 방향을 가로질러, 기판 홀더 상에 각각 배열되는 다수의 기판들에 대해 변위될 수 있다.
[0004] WO 2010/114274 A1은 다수의 기판들을 동시에 코팅하기 위한 디바이스를 설명하는데, 상기 다수의 기판들은 각각의 기판에 개별적으로 할당되는 기판 홀더들 상에 배열되고, 여기서 가스 유입구 요소들은 기판들에 개별적으로 할당된다.
[0005] DE 10 2010 000 447 A1은 가스 유입구 요소 및 상기 가스 유입구 요소의 가스 배출 표면을 빠져나가는 프로세스 가스 유동의 유동 경로에 놓여 있는 기판 홀더를 갖는 프로세스 챔버를 설명한다. 기판 홀더는 유동 방향으로 가스 유입구 요소에 대해 변위될 수 있다. 차폐 요소가 제공되고 기판 홀더와 가스 유입구 요소의 가스 배출 표면 사이에서 이동될 수 있다. 기판 홀더 상에 놓여 있는 기판 상으로의 층들의 구조화된 증착은 마스크들을 사용하는 것에 의해 실현된다.
[0006] 본 발명은 유기 층들을 증착시키기 위한 디바이스의 프로세스 효율을 개선시키려는 목적에 기초한다.
[0007] 이 목적은 청구항들에 개시된 발명으로 달성되고, 여기서 각각의 청구항은 목적에 대한 독립적인 솔루션을 나타내고, 종속 청구항들은 동등한 청구항들의 유리한 향상들뿐만 아니라, 목적에 대한 독립적인 솔루션들을 나타낸다.
[0008] OLED 층들을 증착시키기 위한 디바이스는 다음의 특징부(characteristic feature)들을 갖는 것이 초기에 그리고 본질적으로 제안된다: 적어도 하나의 온도-제어가능 가스 유입구 요소가 프로세스 가스를 프로세스 챔버로 도입하기 위해 제공된다. 가스 유입구 요소는 가스 배출 표면을 갖는데, 상기 가스 배출 표면을 통해 프로세스 가스가 가스 유입구 요소를 빠져나갈 수 있다. 프로세스 가스 유동이 가스 유입구 요소의 가스 배출 표면을 빠져나가는 방향은 유동 방향을 규정한다. 게다가, 적어도 하나의 차폐 요소가, 프로세스 가스 유동의 유동 방향으로 볼 때 가스 유입구 요소의 바로 하류에 배열되고, 여기서 상기 차폐 요소는 차폐 포지션에서 가스 유입구 요소와 기판을 서로 열적으로 절연시키는 것이 제안된다. OLED 층들의 증착 동안, 가스 유입구 요소, 특히 가스 유입구 요소의 가스 배출 표면은 기판의 온도보다 더 높은 온도를 갖는다. 적어도 하나의 차폐 요소는 가스 유입구 요소로부터 마스크 홀더에 의해 홀딩되는 마스크로의 그리고 기판으로의 각각의 열 전달을 적어도 감소시키는 기능을 갖는다. 마스크를 각각 홀딩하기 위한 다수의 마스크 홀더들이 유동 방향으로 볼 때 적어도 하나의 차폐 요소의 하류에 배열된다. 가스 유입구 요소의 가스 배출 표면은 바람직하게는 가스 배출 평면에서 연장된다. 적어도 하나의 차폐 요소는 가스 배출 평면에 평행하게 놓여 있는 평면에서 연장된다. 마찬가지로, 마스크 홀더들은 가스 배출 평면에 평행하게 연장되는 공통 평면에 배열된다. 본 발명에 따르면, 다수의 기판 홀더들이 제공된다. 각각의 기판 홀더는 적어도 하나의 기판을 홀딩하도록 설계되고, 여기서 적어도 하나의 기판은 가스 배출 평면에 평행하게 놓여 있는 평면에 각각 연장된다. 기판 홀더들은 서로 분리된다. 하나의 기판 홀더는 각각의 마스크 홀더에 대응한다. 기판 홀더들은 유동 방향으로 볼 때 마스크들의 하류에 배열되고 마스크들을 향하는 방향으로 변위될 수 있다. 이 목적을 위해 변위 요소가 제공되고, 여기서 각각의 기판 홀더는 개별적으로 할당된 변위 요소를 갖는데, 상기 변위 요소에 의해 기판 홀더는 마스크 홀더로부터의 원거리 포지션으로부터 마스크 홀더와 인접한 포지션으로 이동될 수 있다. 마스크 홀더로부터의 원거리 포지션에서, 기판들은 기판 홀더 상에 로딩되거나 또는 기판 홀더로부터 언로딩될 수 있다. 이 경우에, 차폐 요소는 기판의 표면 온도가, 원거리 포지션에서 바람직하게는 100 ℃ 미만, 특히 60 ℃ 미만으로 놓여 있는 프로세스 온도를 초과하여 상승할 수 없도록 하는 차폐 포지션에 있다. 이것은 기판이 그리퍼(gripper)의 도움으로 기판 홀더의 표면 상에 배치되는 경우에 특히 유리하다. 기판 홀더의 표면은 능동적으로(actively) 온도-제어된다. 그것은 특히, 냉각 디바이스에 의해, 100 ℃ 미만, 특히 60 ℃ 미만의 온도로 냉각된다. 기판 상에 적어도 하나의 층을 증착시키기 위해, 기판 홀더는 변위 요소에 의해 마스크 홀더와 인접한 포지션으로 이동된다. 이 포지션에서, 코팅될 기판의 표면은 마스크에 의해 커버되는데, 상기 마스크는 바람직하게는 섀도우 마스크의 형태로 실현되어, 코팅이 마스크에 의해 규정되는 위치들에서만 단지 발생하도록 한다. 마스크는 스크린의 픽셀 구조체들(pixel structures)이 마스크로 생성될 수 있도록 복수의 규칙적으로 배열된 개구들을 포함할 수도 있다. 인접한 포지션에서, 마스크는 접촉 방식으로 기판 상에 놓여 있다. 차폐 요소는 다수의 부분들로 구성될 수도 있다. 그것은 마스크의 표면에 평행하게 연장되는 다수의 차폐 플레이트들로 이루어질 수도 있다. 그러나, 차폐 요소는, 마스크에 평행하게 배열되는 하나의 차폐 플레이트의 형태로 실현되는 것이 선호된다. 다수의 차폐 요소들이 제공될 수도 있다. 차폐 요소는 일체형 요소인 것이 선호된다. 차폐 요소는 차폐 요소의 평면에서 차폐 포지션으로부터 저장 포지션으로 구동 요소에 의해 변위되고, 여기서 차폐 요소는 저장 포지션에서의 저장 공간 내에 놓여 있다. 가스 유입구 요소는 가열 요소를 포함할 수도 있다. 가스 유입구 요소는 바람직하게는, 복수의 가스 배출 개구들을 포함하는 가스 배출 표면을 갖는 샤워 헤드를 형성한다. 가스 배출 표면은, 복수의 가열 요소 채널들이 배열되는 가스 배출 플레이트에 의해 형성될 수도 있다. 가스 배출 플레이트는 전기적으로 가열될 수도 있다. 그러나, 액체 가열 시스템도 또한 제공된다. 독립적인 특징을 또한 갖는 본 발명의 일 향상에 따르면, 마스크와 기판의 상대적 포지션을 조정하기 위한 조정 디바이스들이 제공된다. 조정 디바이스들은 특히, 마스크 평면에서 기판에 대해 마스크를 변위시키는 것이 가능하다. 이것은 디스플레이들이 증착되는 경우에 특히 유리하다. 디스플레이의 픽셀들 또는 서브픽셀들의 포지션은 조정 디바이스에 의해 고도로 정밀한 방식으로 조정될 수 있다. 서로 상이한 다수의 층들이 연속적으로 증착될 수 있고, 여기서 기판에 대한 마스크의 포지션은 상이한 컬러들로 조명하는 픽셀들이 기판 상에 서로에 인접하여 증착되도록 하는 방식으로 개별적인 증착 단계들 사이에서 변경된다. 조정 디바이스는 스핀들 드라이브, 공압 드라이브 또는 유압 드라이브를 가질 수도 있다. 그러나, 기판 홀더는 포지션 조정을 위해 마스크 홀더 대신에 또한 이동될 수도 있다. 가스 유입구 요소는, 단지 하나의 공급 개구 또는 단지 하나의 가스 분배 챔버를 각각 포함하는 일체형 샤워 헤드일 수도 있다. 그러나, 다이어프램(diaphragm)들과 같은 수단을 제공하는 것이 또한 가능하여, 그에 의해 가스 유입구 요소의 가스 분배 볼륨이 다수의 개별적인 볼륨들로 분할될 수 있다. 2 개의 별개의 가스 유입구 요소들을 사용하는 것이 또한 가능하고, 여기서 각각의 가스 유입구 요소는 마스크 홀더 또는 기판 홀더에 각각 기능적으로 할당된다. 그러나, 다수의 가스 유입구 요소들의 가스 배출 표면들은 바람직하게는 공통 평면에 놓여 있다. 나아가, 물리적으로 일체형인 가스 유입구 요소가, 서로 영구적으로 분리되고 프로세스 가스 또는 플러싱 가스(flushing gas)가 개별적으로 공급될 수 있는 다수의 가스 분배 볼륨들을 포함하는 것이 생각될 수 있을 것이다. 유동 방향은 바람직하게는 수직 방향이고, 여기서 유동은 저부(bottom)로부터 상부로 또는 상부로부터 저부로 발생할 수도 있다. 이 경우에, 기판 홀더는 로딩 포지션으로부터 프로세싱 포지션으로 수직 방향으로 변위된다. 기판에 대한 마스크의 포지션은 이 경우에 수평 방향으로 조정된다.
[0009] 본 발명은 게다가 하나 또는 그 초과의 기판들 상에 층을 증착시키기 위한 방법에 관한 것으로, 다음의 단계들을 갖는다:
- 선행하는 청구항들 중 하나에 따른 디바이스를 사용하는 단계;
- 마스크 홀더로부터의 원거리 포지션에서 기판 홀더들 중 적어도 하나를 로딩하는 단계;
- 기판들이 로딩된 기판 홀더들 중 적어도 하나를 그것의 원거리 포지션으로부터 그것의 인접한 포지션으로 동시에 변위시키는 단계; 및
- 로딩된 기판 홀더들에 할당된 가스 분배 볼륨들로 프로세스 가스를 도입하는 것에 의해, 기판들 상에, 마스크의 이용으로 인해 측방향으로 구조화되는 층을 증착시키는 단계.
[0010] 보다 소형의 기판들을 생성하기 위해 코팅 프로세스 후에 분할되어야 하는 대형 기판 대신에, 코팅 프로세스 후에 분할될 필요가 없는 복수의 보다 소형의 기판들이 공통 프로세스 챔버에서 코팅된다. 각각의 기판은 개별적으로 할당된 기판 홀더에 의해 홀딩되고, 여기서 각각의 기판 홀더는 바람직하게는 단일 기판, 특히 직사각형 기판을 홀딩한다. 기판에 대한 마스크의 포지션은 마찬가지로 개별적으로 조정된다. 가스 유입구 요소는 모든 기판들이 동일한 프로세스 파라미터들로 본질적으로 프로세싱되도록 가스 배출 표면의 모든 가스 배출 개구들로부터 균일하게 배출되는 균일한 프로세스 가스가 공급되는 공통 가스 유입구 요소의 형태로 실현될 수도 있다. 그러나, 코팅 프로세스 동안 디바이스가 로딩된 그리고 비어 있는 기판 홀더들을 포함하도록 기판들을 갖는 기판 홀더들의 단지 몇몇만을 로딩하는 것이 또한 가능하다. 이 목적을 위해, 가스 유입구 요소는 바람직하게는, 가스 유입구 요소의 가스 분배 볼륨이 다수의 가스 분배 볼륨들로 분할될 수 있도록 하는 방식으로 향상된다. 프로세스 가스는 로딩된 기판 홀더에 할당된 가스 분배 볼륨들에만 도입된다. 대조적으로, 플러싱 가스 또는 캐리어 가스는 비어 있는 기판 홀더에 할당된 가스 분배 볼륨들로 도입된다. 이 경우에, 플러싱 가스 또는 캐리어 가스의 가스 유동은 프로세스 가스의 가스 유동에 대응한다. 본 발명의 선호되는 실시예에서, 프로세스 챔버는, 서로 인접하여 놓여 있는 2 개의 마스크 홀더들 및 2 개의 기판 홀더들을 포함한다.
[0011] 가스 유입구 요소는 또한, 서로 영구적으로 분리되는 2 개의 가스 분배 볼륨들을 포함할 수도 있다. 또한, 2 개의 가스 유입구 요소들이 서로 인접하게 배열되는 것이 제안된다. 기판들은, 모든 기판 기판 홀더들이 이들의 원거리 포지션을 취하는, 작동 상태에서 기판 홀더들 상에 로딩되고 기판 홀더들로부터 언로딩되고, 여기서 그리퍼에 의해 기판들이 이송될 수 있게 하는 로딩 포트가 반응기 하우징의 벽에 제공된다. 로딩/언로딩 포트는 바람직하게는 이들의 원거리 포지션에서 기판 홀더들과 동일한 평면에 놓여 있다. 그에 따라, 로딩 및 언로딩 프로세스들은 60 ℃보다 더 낮은, 프로세스 온도 미만의 온도들에서 발생한다. 그 후에, 로딩된 기판 홀더들은 가스 유입구 요소의 방향으로 공동으로 그리고 동시에 변위되고 그에 후속하여 동시에 프로세싱되고, 여기서 모든 기판에 대한 코팅 프로세스는 동일한 시간에 시작되고 동일한 시간에 종료된다.
[0012] 본 발명은 유리하게는 단일 프로세스 챔버에서의 다수의 기판 홀더들 상의 다수의 기판들의 동시 코팅을 가능하게 한다.
[0013] 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시예들이 아래에 설명된다. 이들 도면들에서:
도 1은 코팅 디바이스의 제1 개략적 단면도를 도시한다.
도 2는 제2 예시적인 실시예의 단지 가스 유입구 요소(3), 마스크 홀더들(7, 7') 및 기판 홀더(9)만의 예시를 도시한다.
도 3은 본 발명의 제3 예시적인 실시예의 도 1에 따른 예시를 도시한다.
[0014] 본 발명의 디바이스는 예를 들어 직사각형 유리 기판들(10, 10') 상에 OLED 층들을 증착시키기 위한 반응기이다. 서로 물리적으로 분리되는 2 개의 기판 홀더들(9, 9')이 기판들(10, 10')을 홀딩하기 위해 반응기 하우징(1)에 배열된다. 기판 홀더들(9, 9')은 변위 디바이스들(11, 11')에 의해 화살표들 b, b'의 방향으로 서로 평행하게 변위될 수 있다. 각각의 기판 홀더(9, 9')는 냉각 디바이스 형태의 온도 제어 디바이스(13, 13')를 갖는다. 기판 홀더들(9, 9')은 특히 개별적으로 온도-제어될 수 있다. 냉각 디바이스(13)는 냉각 채널의 형태로 실현될 수도 있는데, 상기 냉각 채널을 통해 냉각 액체가 유동한다. 냉각제는 가요성 라인들에 의해, 예를 들어 호스들에 의해, 냉각 채널들(13)에 공급될 수 있다.
[0015] 일체형 가스 유입구 요소(3)가 도 1에 예시된 실시예에 제공된다. 가스 유입구 요소(3)는 하나 또는 그 초과의 도시되지 않은 공급 라인들을 포함할 수도 있는데, 상기 공급 라인들을 통해 프로세스 가스가 가스 유입구 요소(3)의 가스 볼륨으로 도입될 수 있다. 가스 볼륨은 일체형 가스 볼륨일 수도 있다. 참조 부호 18은 가스 볼륨들(5, 5')이 일체로 실현되는 예시적인 실시예에서는 제공되지 않는 벽을 식별한다. 2 개 또는 그 초과의 가스 공급 라인들이 또한 제공될 수도 있고 2 개의 가스 볼륨들(5, 5') 중 하나에 각각 할당될 수도 있다. 격벽(18)은 이동가능하거나 또는 이동가능하지 않을 수도 있다. 벽(18)이 이동가능하게 실현되는 경우, 그것은 2 개의 가스 볼륨들(5, 5')이 서로 분리되는 분리 포지션으로 변위될 수 있다. 그러나, 그것은 또한, 가스 볼륨들(5, 5')이 서로 유체적으로 연결되는 포지션으로 변위될 수 있다.
[0016] 화살표들 S, S'는 복수의 인접하게 배열된 가스 배출 개구들(4, 4')을 포함하는 가스 유입구 요소(3)의 가스 배출 표면으로부터의 프로세스 가스 유동들을 나타낸다. 가스 배출 개구들(4, 4')을 형성하는 가스 배출 플레이트는 게다가 가열 요소들(12)을 포함할 수도 있는데, 상기 가열 요소들(12)에 의해 가스 배출 플레이트가 400 ℃ 초과의 온도로 가열될 수 있다. 가열 요소들(12)은 전류가 와이어들을 통과할 때 열을 방출하는 와이어들의 형태로 또는 고온의 액체가 유동할 수 있는 채널들의 형태로 실현될 수도 있다.
[0017] 가스 유입구 요소(3)의 설계 변형에서, 벽(18)은, 일체형 가스 분배 볼륨(5)을 2 개의 가스 분배 볼륨들(5, 5')로 선택적으로 분할하는 다이어프램을 형성한다. 이 변형에서, 가스 유입구 요소(3)는 다수의 가스 공급 라인들을 갖는다.
[0018] 금속 플레이트로 형성될 수도 있는 평면 차폐 요소(6)는, 유동 방향(S, S')으로 볼 때 가스 유입구 요소(3)의 가스 배출 표면으로부터 이격된다. 차폐 요소(6)는 능동적으로 온도-제어, 예를 들어 냉각 또는 가열될 수도 있다. 차폐 요소(6)는 차폐 요소(6)를 화살표 a의 방향으로 변위시키는 것에 의해, 그것이 유동 방향(S, S')으로 가스 배출 표면을 커버하는 차폐 포지션으로부터 저장 포지션으로 이동될 수 있다. 그것은, 차폐 요소(6)가 증착 프로세스 동안 저장되는 저장 공간(17)으로 이동될 수 있다.
[0019] 그것의 차폐 포지션에서, 차폐 요소(6)는, 가스 유입구 요소(3)에 의해 제한되는 열 방사선으로부터, 가스 배출 표면에 평행하게 놓여 있는 평면에 배열되는 2 개 또는 그 초과의 마스크 홀더들(7)을 차폐한다. 마스크 홀더들(7, 7')은 가스 배출 평면에 평행하게 연장되는 공통 평면에 놓여 있다. 마스크 홀더들(7, 7')은 마스크(8, 8')의 에지를 지지하는 프레임들에 의해 형성된다. 마스크는 개별적인 픽셀들/서브픽셀들이 되도록 기판(10, 10') 상에 증착될 층들을 구조화하도록 기능한다.
[0020] 도 1에 예시된 예시적인 실시예에서, 가스 유입구 요소(3)는 반응기 하우징(1)의 상부 상에 배열된다. 차폐 요소(6)는 가스 유입구 요소(3) 바로 아래에 위치된다. 마스크(8, 8')를 각각 지지하는 2 개의 마스크 홀더들(7, 7')은 차폐 요소(6) 아래에 위치된다.
[0021] 기판이 각각 로딩되는 2 개의 기판 홀더들(9, 9')은 마스크 홀더들(7, 7') 아래에 위치되고 이들로부터 이격되며, 여기서 상기 기판 홀더들은 변위 디바이스들(11, 11')에 의해 수직 상향으로 변위될 수 있다. 이것은 화살표들 b, b'의 방향으로 발생한다.
[0022] 접촉 방식으로 기판들(10, 10')이 마스크들(8, 8')에 인접할 때까지 기판 홀더들(9)이 상향으로 변위될 수 있다. 그러나, 수평 변위에 의해 기판들(10, 10)에 대해 마스크들(8, 8')을 정렬시키기 위해 마스크들(8, 8')의 하부측과 기판들(10, 10')의 상부측 사이에 약간의 중간 공간이 유지되는 것이 또한 제안된다.
[0023] 도 1에 예시된 디바이스는 클러스터 시스템에서의 사용에 특히 적합하다. 이 경우에, 기판들은 로딩 및 언로딩 포트(16)를 통해 반응기 하우징(1) 내로 도입된다. 로딩 및 언로딩 포트(16)는 진공 기밀 방식(vacuum-tight manner)으로 밀봉될 수 있다.
[0024] 도 2는 기판(10, 10')에 대한 마스크(8, 8')의 포지션 조정을 위한 전술된 조정 디바이스(14)가 기능 요소의 형태로 예시되는 본 발명의 제2 예시적인 실시예를 도시한다. 조정 디바이스(14)가 기판(10, 10')에 대해 마스크(8, 8')를 변위시키는 조정 방향은 화살표들 c, c'로 표시된다.
[0025] 제1 예시적인 실시예와는 대조적으로, 도 2에 따른 제2 예시적인 실시예에서의 가스 유입구 요소(3)는 격벽들(partition walls)(19)에 의해 별개의 가스 분배 볼륨들(5, 5')로 분할되고, 여기서 각각의 가스 분배 볼륨(5, 5')은 마스크 홀더(7, 7')에 또는 기판 홀더(9, 9')에 각각 개별적으로 할당된다. 그러나, 차폐 요소(6)는 일체형 차폐 요소이다. 그것은 특히 재료-일체형 차폐 플레이트의 형태로 실현된다. 가스 분배 볼륨들(5, 5')의 공급은 개별적인 가스 유입구 노즐들(15, 15')에 의해 실현된다. 격벽(19)은 어떠한 데드 스페이스(dead space)도 형성되지 않도록 설계될 수도 있다. 도 2에 예시된 2 개의 격벽들(10) 사이의 데드 스페이스는 불활성 가스로 플러싱될 수 있거나 또는 가스, 예를 들어 불활성 가스 또는 캐리어 가스를 중간 영역 내로 공급하는 데 사용될 수 있다.
[0026] 2 개의 기판들(10, 10')이 동시에 코팅될 때, 동일한 가스 혼합물이 가스 유입구 노즐들(15, 15') 둘 다를 통해 가스 분배 챔버들(5, 5')로 도입되어, 동일한 층 속성들을 갖는 층이 기판 홀더들(9, 9') 상에 놓여 있는 기판들(10, 10') 상에 동시에 증착되도록 하는 것이 선호된다. 이 목적을 위해, 기판 홀더들(9, 9')은 원격 포지션으로부터 인접한 포지션으로 동시에 이동되고, 코팅 프로세스의 완료 후에 인접한 포지션으로부터 원거리 포지션으로 되돌아가게 동시에 이동된다.
[0027] 도 3에 예시된 예시적인 실시예는 가스 유입구 요소(3, 3')의 설계에 있어서 상술된 예시적인 실시예들과는 본질적으로 상이하다. 이 경우에, 서로 물리적으로 분리되는 2 개의 가스 유입구 요소들(3, 3')이 제공된다. 이들은 일체형 차폐 요소(6)에 의해 마스크 홀더들(7, 7') 및 상기 마스크 홀더들(7, 7')에 의해 홀딩된 마스크들(8, 8')로부터 차폐된다.
[0028] 도 3에 예시된 디바이스는 특히 인-라인 시스템에서의 사용에 적합하다. 로딩 개구(16)는 언로딩 개구(16')에 대향하여 배열된다. 기판들은 그리퍼에 의해 로딩 개구(16)를 통해 반응기 하우징(1)으로 도입되고 기판 홀더들(9, 9') 상에 배치된다. 로딩 개구(16) 및 언로딩 개구(16')는 가스 기밀 방식(gas-tight manner)으로 밀봉된다. 불활성 가스를 도입하고 도시되지 않은 진공 펌프에 의해 상기 불활성 가스를 진공배기하는(evacuating) 것에 의해서, 불활성 가스 분위기가 반응기 하우징(1) 내에서 원하는 압력으로 조정된다. 기판들(10, 10')이 로딩된 기판 홀더들(9, 9')은 원거리 포지션으로부터 인접한 포지션으로 동시에 이동된다. 층의 증착 후에, 기판 홀더들(9, 9')은 원격 포지션으로 되돌아가게 동시에 이동된다. 기판들(10, 10')은 언로딩 개구(16')가 개방된 후에 기판 홀더들(9, 9')로부터 제거될 수 있다.
[0029] 그러나, 상술된 디바이스들에서, 제공되는 것보다 더 적은 기판 홀더들에 기판들이 동시에 로딩될 수 있어서, 동시에 코팅되는 기판들의 수가 제공된 기판 홀더들(9, 9')의 수보다 더 적다. 예를 들어, 2 개의 기판 홀더들(9, 9') 중 단지 하나의 기판 홀더 상에 배열되는 단지 단일 기판만이 이들 디바이스들에서 코팅될 수 있다. 어떠한 기판도 나머지 하나의 각각의 기판 홀더(9, 9') 상에 배치되지 않는다. 증착 프로세스 동안, 프로세스 가스는 로딩된 기판 홀더(9, 9')에 기능적으로 할당되는 가스 배출 개구들(4, 4')을 통해 유동 방향(S, S')으로 마스크(8, 8')에 의해 커버된 기판을 향해서만 단지 유동한다. 유동 밸런스를 달성하고 데드 볼륨들을 회피하기 위해, 비어 있는 기판 홀더(9, 9')에 기능적으로 할당되는 가스 배출 개구들(4, 4')을 통해 캐리어 가스가 유동한다.
[0030] 선행하는 설명들은, 본 출원에 포함되고, 즉, 적어도 다음의 특징들의 조합들로 독립적으로 종래 기술을 각각 향상시키는 모든 발명들을 설명하도록 기능한다:
[0031] 하나 또는 그 초과의 기판들(10) 상에 층을 증착시키기 위한 디바이스로서, 상기 디바이스는, 반응기 하우징(1) 내에 배열되는 프로세스 챔버(2)를 포함하고, 다음의 특징부들:
a) 기판들(10)을 향하는 유동 방향(S)으로 프로세스 가스 유동을 프로세스 챔버(2)로 도입하기 위한 적어도 하나의 온도-제어가능 가스 유입구 요소(3);
b) 유동 방향(S)으로 볼 때 가스 유입구 요소(3)의 바로 하류에 배열되고 차폐 포지션에서 가스 유입구 요소(3)와 기판(10)을 서로 열적으로 절연시키는 적어도 하나의 차폐 요소(6);
c) 유동 방향(S)으로 볼 때 차폐 요소(6)의 하류에 배열되고 마스크(8, 8')를 홀딩하도록 각각 기능하는 다수의 마스크 홀더들(7, 7');
d) 하나 또는 그 초과의 마스크 홀더들(7, 7')에 각각 대응하고 유동 방향(S)으로 볼 때 마스크들(8, 8')의 하류에 배열되는 기판 홀더들(9, 9')―여기서 상기 기판 홀더들은 서로 물리적으로 분리되고 기판들(10) 중 적어도 하나를 홀딩하도록 기능함―; 및
e) 다수의 기판 홀더들(9, 9') 각각에 할당되고, 기판 홀더들(9, 9')을 마스크 홀더들(7, 7')로부터의 원거리 포지션―상기 원거리 포지션에서, 기판들(10, 10')은 기판 홀더들(9, 9') 상에 로딩되고 기판 홀더들(9, 9')로부터 언로딩될 수 있음―으로부터 마스크 홀더들(7, 7')과의 인접한 포지션―상기 인접한 포지션에서, 기판 홀더(9, 9') 상에 배열되는 기판(10, 10')이 마스크(8, 8')와의 접촉 포지션에서 코팅될 수 있음―으로 변위시키도록 기능하는 변위 요소들(11, 11')
을 가지며;
f) 여기서 차폐 요소(6)는 일체형 차폐 요소이거나 또는 다수의 차폐 요소들이 제공되고, 여기서 하나 또는 그 초과의 차폐 요소들은 이들의 차폐 포지션에서 모든 마스크 홀더들(7, 7')과 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)의 모든 가스 배출 표면들 사이에 동시에 배열되고, 다수의 기판들(10, 10')의 동시 코팅 동안 저장 공간(17)에 동시에 수용되는, 디바이스.
[0032] 청구항 제1 항에 있어서, 기판 홀더들(9, 9')은 개별적으로 온도-제어되고 개별적으로 변위될 수 있는 것을 특징으로 하는, 디바이스.
[0033] 선행하는 청구항들 중 하나 또는 그 초과에 있어서, 차폐 요소(6)는 균일한 차폐 요소이거나 또는 다수의 차폐 요소들이 제공되고, 여기서 하나 또는 그 초과의 차폐 요소들은 바람직하게는 차폐 포지션에서 모든 마스크 홀더들(7, 7')과 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3) 사이에 배열되는 것을 특징으로 하는, 디바이스.
[0034] 선행하는 청구항들 중 하나 또는 그 초과에 있어서, 가스 유입구 요소(3)는 가열 요소(12)를 포함하고, 기판 홀더(9, 9')는 냉각 요소(13, 13')를 포함하는 것을 특징으로 하는, 디바이스.
[0035] 선행하는 청구항들 중 하나 또는 그 초과에 있어서, 마스크 홀더(7, 7')의 포지션을 그에 할당된 기판 홀더(9, 9')에 대해 개별적으로 조정하기 위한 조정 디바이스들(14, 14')을 특징으로 하는, 디바이스.
[0036] 선행하는 청구항들 중 하나 또는 그 초과에 있어서, 다수의 가스 유입구 요소들(3, 3')이 서로 인접하게 배열되거나 또는 하나의 가스 유입구 요소(3)가 2 개의 가스 분배 볼륨들(5, 5')을 포함하고, 가스 분배 볼륨들(5, 5')은 이동가능 다이어프램(18)에 의해 서로 분리되는 것을 특징으로 하는, 디바이스.
[0037] 하나 또는 그 초과의 기판들 상에 층을 증착시키기 위한 방법으로서, 다음의 단계들:
- 선행하는 청구항들 중 하나에 따른 디바이스를 사용하는 단계;
- 기판 홀더들(9, 9') 중 적어도 하나를 마스크 홀더(7, 7')로부터의 그의 원거리 포지션에 로딩하는 단계;
- 적어도 기판들(10, 10')이 로딩된 기판 홀더들(9, 9')을 이들의 원거리 포지션으로부터 이들의 인접한 포지션으로 동시에 변위시키는 단계; 및
- 로딩된 기판 홀더들(9, 9')에 할당된 가스 분배 볼륨들(5, 5')로 프로세스 가스를 도입하는 것에 의해, 기판들(10, 10') 상에, 마스크(8, 8')의 이용으로 인해 측방향으로 구조화되는 층을 증착시키는 단계를 갖는, 방법.
[0038] 청구항 제7 항에 있어서, 적어도 하나의 기판 홀더(9, 9')는 비어 있는 채로 유지되고, 유동 방향(S)으로 마스크 홀더(7)를 향해 유동하는 플러싱 가스가 비어 있는 기판 홀더(9, 9')에 할당된 가스 분배 볼륨(5, 5')으로 도입되는 것을 특징으로 하는, 방법.
[0039] 청구항 제7 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서, 마스크(8)에 의해 구조화된 층들은 다수의 연속적인 단계들에서 기판(10) 상에 증착되고, 여기서 서로 인접하게 측방향으로 놓여 있는 층 구조체들이, 마스크 홀더(7, 7')의 포지션을 그에 할당된 기판 홀더(9, 9')에 대해 측방향으로 변경시키는 것에 의해 기판(10, 10') 상에서 생성되는 것을 특징으로 하는, 방법.
[0040] 청구항 제7 항 또는 제8 항에 있어서, OLED 층들이 증착되고, 여기서 가스 유입구 요소(3, 3')의 온도가 기판 홀더들(9, 9')의 온도보다 더 높은 것을 특징으로 하는, 방법.
[0041] 개시된 모든 특징부들은 (개별적으로, 뿐만 아니라 서로 조합하여) 본 발명에 필수적이다. 연관된/첨부된 우선권 서류들(우선권 출원의 사본)의 개시 내용은 이로써 본 출원의 개시에 완전히 포함되는데, 즉, 또한 이들 서류들의 특징부들을 본 출원의 청구항들에 통합시키려는 목적을 위해 포함된다. 종속 청구항들의 특징부들은, 특히 이들 청구항들에 기초한 분할 출원들을 제출하기 위해, 종래 기술의 독립적인 발명적 향상들을 특징으로 한다.
1 반응기 하우징
2 프로세스 챔버
3 가스 유입구 요소
3' 가스 유입구 요소
4 가스 배출 개구
4' 가스 배출 개구
5 가스 분배 볼륨
5' 가스 분배 볼륨
6 차폐 요소
7 마스크 홀더
7' 마스크 홀더
8 마스크
8' 마스크
9 기판 홀더
9' 기판 홀더
10 기판
10' 기판
11 변위 디바이스
11' 변위 디바이스
12 가열 요소
13 냉각 요소
13' 냉각 요소
14 조정 디바이스
14' 조정 디바이스
15 가스 유입구
15' 가스 유입구
16 로딩 포트
16' 언로딩 포트
17 저장 공간
18 다이어프램
19 격벽
S 프로세스 가스 유동
S' 프로세스 가스 유동
a 화살표
b 화살표
b' 화살표
c 화살표
c' 화살표
S 화살표
S' 화살표

Claims (10)

  1. 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 상에 층을 증착시키기 위한 디바이스로서,
    상기 디바이스는,
    반응기 하우징(reactor housing)(1) 내에 배열되는 프로세스 챔버(process chamber)(2);
    상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')을 향하는 유동 방향(S)으로, 프로세스 가스를 상기 프로세스 챔버(2)로 도입하기 위한 적어도 하나의 온도-제어 가스 유입구 요소(temperature-controlled gas inlet element)(3)―상기 프로세스 가스는 상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)의 가스 배출 표면으로부터 배출됨―;
    차폐 포지션에 위치될 때, 상기 유동 방향(S)으로 볼 때 상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)의 바로 하류에 배열되고 상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)와 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')을 서로 열적으로 절연시키는 적어도 하나의 차폐 요소(shielding element)(6);
    상기 유동 방향(S)으로 볼 때 상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)의 하류에 배열되고 각각 마스크(8, 8')를 홀딩하도록 구성되는 마스크 홀더들(mask holders)(7, 7');
    하나 또는 그 초과의 마스크 홀더들(7, 7')에 각각 대응하고 상기 유동 방향(S)으로 볼 때 마스크들(8, 8')의 하류에 배열되는 기판 홀더들(substrate holders)(9, 9')―상기 기판 홀더들(9, 9')은 서로 물리적으로 분리되고 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 중 적어도 하나를 홀딩하도록 구성됨―; 및
    상기 기판 홀더들(9, 9')의 각각에 할당되는 변위 요소들(displacement elements)(11, 11')을 포함하고,
    상기 변위 요소들(11, 11')은 상기 기판 홀더들(9, 9')을 상기 마스크 홀더들(7, 7')로부터 원거리인 제1 포지션으로부터 상기 마스크 홀더들(7, 7')에 인접한 제2 포지션으로 변위시키도록 구성되고,
    상기 제1 포지션에서, 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')이 상기 기판 홀더들(9, 9') 상에 로딩되고 상기 기판 홀더들(9, 9')로부터 언로딩되고,
    상기 제2 포지션에서, 상기 기판 홀더들(9, 9') 상에 배열된 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 중 적어도 하나가 하나 또는 그 초과의 마스크들(8, 8')과 접촉하는 동안 코팅되고,
    상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)는, 일체형 차폐 요소이거나 또는 다수의 차폐 요소들이고, 차폐 포지션과 저장 공간(17) 사이에서 변위가능하고,
    상기 저장 공간(17)은 상기 반응기 하우징(1)의 벽(wall) 내의 슬롯(slot)으로서 형성되고, 상기 슬롯은 상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)의 상기 가스 배출 표면과 상기 마스크 홀더들(7, 7') 사이의 거리보다 작은 슬롯 높이를 가지고,
    상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)가 차폐 포지션에 위치되는 동안, 상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)는 상기 마스크 홀더들(7, 7')의 모두와 상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)의 상기 가스 배출 표면의 전체의 사이에 배열되고,
    상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)가 상기 저장 공간(17)에 위치되는 동안, 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')은 코팅되는,
    하나 또는 그 초과의 기판들 상에 층을 증착시키기 위한 디바이스.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 기판 홀더들(9, 9')은 개별적으로 온도-제어되고 그리고 개별적으로 변위되는,
    하나 또는 그 초과의 기판들 상에 층을 증착시키기 위한 디바이스.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)는 가열 요소(12)를 포함하고, 상기 기판 홀더들(9, 9')은 냉각 요소(13, 13')를 포함하는,
    하나 또는 그 초과의 기판들 상에 층을 증착시키기 위한 디바이스.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)는 서로 인접하게 배열되는 다수의 가스 유입구 요소들(3, 3')을 포함하는,
    하나 또는 그 초과의 기판들 상에 층을 증착시키기 위한 디바이스.
  5. 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 상에 층을 증착시키기 위한 디바이스로서,
    상기 디바이스는,
    반응기 하우징(1) 내에 배열되는 프로세스 챔버(2);
    상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')을 향하는 유동 방향(S)으로, 프로세스 가스를 상기 프로세스 챔버(2)로 도입하기 위한 적어도 하나의 온도-제어 가스 유입구 요소(3);
    차폐 포지션에 위치될 때, 상기 유동 방향(S)으로 볼 때 상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)의 바로 하류에 배열되고 상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)와 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')을 서로 열적으로 절연시키는 적어도 하나의 차폐 요소(6);
    상기 유동 방향(S)으로 볼 때 상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)의 하류에 배열되고 각각 마스크(8, 8')를 홀딩하도록 구성되는 마스크 홀더들(7, 7');
    하나 또는 그 초과의 마스크 홀더들(7, 7')에 각각 대응하고 상기 유동 방향(S)으로 볼 때 마스크들(8, 8')의 하류에 배열되는 기판 홀더들(9, 9')―상기 기판 홀더들(9, 9')은 서로 물리적으로 분리되고 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 중 적어도 하나를 홀딩하도록 구성됨―;
    상기 마스크 홀더들(7, 7')의 각각의 포지션을 그에 할당된 기판 홀더(9, 9')에 대해 개별적으로 조정하기 위한 조정 디바이스들(14, 14'); 및
    상기 기판 홀더들(9, 9')의 각각에 할당되는 변위 요소들(11, 11')을 포함하고,
    상기 변위 요소들(11, 11')은 상기 기판 홀더들(9, 9')을 상기 마스크 홀더들(7, 7')로부터 원거리인 제1 포지션으로부터 상기 마스크 홀더들(7, 7')에 인접한 제2 포지션으로 변위시키도록 구성되고,
    상기 제1 포지션에서, 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')이 상기 기판 홀더들(9, 9') 상에 로딩되고 상기 기판 홀더들(9, 9')로부터 언로딩되고,
    상기 제2 포지션에서, 상기 기판 홀더들(9, 9') 상에 배열된 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 중 적어도 하나가 하나 또는 그 초과의 마스크들(8, 8')과 접촉하는 동안 코팅되고,
    상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)는, 일체형 차폐 요소이거나 또는 다수의 차폐 요소들이고, 차폐 포지션과 저장 공간(17) 사이에서 변위가능하고,
    상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)가 차폐 포지션에 위치되는 동안, 상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)는 상기 마스크 홀더들(7, 7')의 모두와 상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)의 모든 가스 배출 표면들의 사이에 배열되고,
    상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)가 상기 저장 공간(17)에 위치되는 동안, 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')은 코팅되는,
    하나 또는 그 초과의 기판들 상에 층을 증착시키기 위한 디바이스.
  6. 디바이스를 작동시키기 위한 방법으로서,
    상기 디바이스는,
    반응기 하우징(1) 내에 배열되는 프로세스 챔버(2);
    상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')을 향하는 유동 방향(S)으로, 프로세스 가스를 상기 프로세스 챔버(2)로 도입하기 위한 적어도 하나의 온도-제어 가스 유입구 요소(3);
    차폐 포지션에 위치될 때, 상기 유동 방향(S)으로 볼 때 상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)의 바로 하류에 배열되고 상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)와 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')을 서로 열적으로 절연시키는 적어도 하나의 차폐 요소(6);
    상기 유동 방향(S)으로 볼 때 상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)의 하류에 배열되고 각각 마스크(8, 8')를 홀딩하도록 구성되는 마스크 홀더들(7, 7');
    하나 또는 그 초과의 마스크 홀더들(7, 7')에 각각 대응하고 상기 유동 방향(S)으로 볼 때 마스크들(8, 8')의 하류에 배열되는 기판 홀더들(9, 9')―상기 기판 홀더들(9, 9')은 서로 물리적으로 분리되고 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 중 적어도 하나를 홀딩하도록 구성됨―; 및
    상기 기판 홀더들(9, 9')의 각각에 할당되는 변위 요소들(11, 11')을 포함하고,
    상기 변위 요소들(11, 11')은 상기 기판 홀더들(9, 9')을 상기 마스크 홀더들(7, 7')로부터 원거리인 제1 포지션으로부터 상기 마스크 홀더들(7, 7')에 인접한 제2 포지션으로 변위시키도록 구성되고,
    상기 제1 포지션에서, 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')이 상기 기판 홀더들(9, 9') 상에 로딩되고 상기 기판 홀더들(9, 9')로부터 언로딩되고,
    상기 제2 포지션에서, 상기 기판 홀더들(9, 9') 상에 배열된 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 중 적어도 하나가 하나 또는 그 초과의 마스크들(8, 8')과 접촉하는 동안 코팅되고,
    상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)는, 일체형 차폐 요소이거나 또는 다수의 차폐 요소들이고, 차폐 포지션과 저장 공간(17) 사이에서 변위가능하고,
    상기 방법은,
    상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')을 상기 제1 포지션에 위치된 하나 또는 그 초과의 기판 홀더들(9, 9') 상에 로딩하는 단계;
    상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')이 로딩된 상기 하나 또는 그 초과의 기판 홀더들(9, 9')을 상기 제1 포지션으로부터 상기 제2 포지션으로 변위시키는 단계; 및
    상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')이 로딩된 상기 하나 또는 그 초과의 기판 홀더들(9, 9')에 할당된 가스 분배 볼륨들(gas distribution volumes)(5, 5')로 프로세스 가스를 도입하는 것에 의해, 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 상에, 마스크들(8, 8')의 이용으로 인해 측방향으로 구조화되는 층을 증착하는 단계를 포함하는,
    디바이스를 작동시키기 위한 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 기판 홀더들(9, 9') 중 적어도 하나는 비어 있는 채로 남아 있고,
    플러싱 가스(flushing gas)는, 비어 있는 적어도 하나의 기판 홀더(9, 9')에 할당된 가스 분배 볼륨(5, 5')으로 도입되고, 상기 비어 있는 적어도 하나의 기판 홀더(9, 9')를 향해 유동되는,
    디바이스를 작동시키기 위한 방법.
  8. 제6 항에 있어서,
    마스크들(8)에 의해 구조화된 층들은 다수의 연속적인 단계들에서 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 상에 증착되고,
    서로 인접하게 측방향으로 놓여 있는 층 구조체들이, 상기 마스크 홀더들(7, 7') 중 적어도 하나의 포지션을 그에 할당된 기판 홀더(9, 9')에 대해 측방향으로 변경시키는 것에 의해, 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 상에 생성되는,
    디바이스를 작동시키기 위한 방법.
  9. 제6 항에 있어서,
    OLED 층들이 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 상에 증착되고,
    상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3, 3')의 온도는 상기 기판 홀더들(9, 9')의 온도보다 더 높은,
    디바이스를 작동시키기 위한 방법.
  10. 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 상에 층을 증착시키기 위한 디바이스로서,
    상기 디바이스는,
    반응기 하우징(1) 내에 배열되는 프로세스 챔버(2);
    상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')을 향하는 유동 방향(S)으로, 프로세스 가스를 상기 프로세스 챔버(2)로 도입하기 위한 적어도 하나의 온도-제어 가스 유입구 요소(3)―상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)는 이동가능 다이어프램(movable diaphram)에 의해 서로 분리되는 2 개의 가스 분배 볼륨들(5, 5')을 포함함―;
    차폐 포지션에 위치될 때, 상기 유동 방향(S)으로 볼 때 상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)의 바로 하류에 배열되고 상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)와 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')을 서로 열적으로 절연시키는 적어도 하나의 차폐 요소(6);
    상기 유동 방향(S)으로 볼 때 상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)의 하류에 배열되고 각각 마스크(8, 8')를 홀딩하도록 구성되는 마스크 홀더들(7, 7');
    하나 또는 그 초과의 마스크 홀더들(7, 7')에 각각 대응하고 상기 유동 방향(S)으로 볼 때 마스크들(8, 8')의 하류에 배열되는 기판 홀더들(9, 9')―상기 기판 홀더들(9, 9')은 서로 물리적으로 분리되고 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 중 적어도 하나를 홀딩하도록 구성됨―; 및
    상기 기판 홀더들(9, 9')의 각각에 할당되는 변위 요소들(11, 11')을 포함하고,
    상기 변위 요소들(11, 11')은 상기 기판 홀더들(9, 9')을 상기 마스크 홀더들(7, 7')로부터 원거리인 제1 포지션으로부터 상기 마스크 홀더들(7, 7')에 인접한 제2 포지션으로 변위시키도록 구성되고,
    상기 제1 포지션에서, 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')이 상기 기판 홀더들(9, 9') 상에 로딩되고 상기 기판 홀더들(9, 9')로부터 언로딩되고,
    상기 제2 포지션에서, 상기 기판 홀더들(9, 9') 상에 배열된 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10') 중 적어도 하나가 하나 또는 그 초과의 마스크들(8, 8')과 접촉하는 동안 코팅되고,
    상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)는, 일체형 차폐 요소이거나 또는 다수의 차폐 요소들이고, 차폐 포지션과 저장 공간(17) 사이에서 변위가능하고,
    상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)가 차폐 포지션에 위치되는 동안, 상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)는 상기 마스크 홀더들(7, 7')의 모두와 상기 적어도 하나의 가스 유입구 요소(3)의 모든 가스 배출 표면들의 사이에 배열되고,
    상기 적어도 하나의 차폐 요소(6)가 상기 저장 공간(17)에 위치되는 동안, 상기 하나 또는 그 초과의 기판들(10, 10')은 코팅되는,
    하나 또는 그 초과의 기판들 상에 층을 증착시키기 위한 디바이스.
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