TW201804010A - 用於在一或數個基板上沉積有機層之裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

一種用於在一或數個基板(10)上沉積層之裝置，具有設於反應器殼體(1)中之製程室(2)且具有：可調溫的進氣機構(3)，用於將製程氣體流導入該製程室(2)並使其沿流動方向(S)流向該等基板(10)；沿該流動方向(S)直接設於該進氣機構(3)後面之屏蔽元件(6)，該屏蔽元件處於屏蔽位置時將該進氣機構(3)與該基板(10)熱隔離；數個沿該流動方向(S)設於該屏蔽元件(6)後面之遮罩支架(7、7’)，該等遮罩支架分別用於固定一遮罩(8、8’)；若干相互實體分離之基板架(9、9’)，該等基板架分別與該等數個遮罩支架(7、7’)中之一者相對應，沿該流動方向(S)設於該等遮罩(8、8’)後面且用於固定該等基板(10)中之至少一者；其中對應於該等數個基板架(9、9’)中之每一者皆設有一位移機構(11、11’)，該位移機構用於使該基板架(9、9’)自遠離該遮罩支架(7、7’)之遠離位置位移至鄰近該遮罩支架(7、7’)之鄰近位置，在該遠離位置上，可為該等基板架(9、9’)裝載及卸載該基板(10、10’)，在該鄰近位置上，設於該基板架(9、9’)上之基板(10、10’)可以貼靠於該遮罩(8、8’)之狀態被塗佈。

Description

用於在一或數個基板上沉積有機層之裝置及方法
本發明係有關於一種用於在一或數個基板上沉積層之裝置，該裝置具有設於反應器殼體中之製程室。設有進氣機構，該進氣機構可調溫並且製程氣體被導入該進氣機構。該進氣機構具有排氣面，製程氣體可透過該排氣面沿製程氣體流動方向流入該製程室。沿流動方向在該進氣機構後面設有屏蔽元件，以便在熱輻射方面將該進氣機構與該基板相互隔離。該屏蔽元件位於該進氣機構之排氣面與遮罩支架間。該遮罩支架在塗佈時為用於對該待塗佈基板實施橫向結構化之遮罩提供支撐。該遮罩在塗佈該基板期間接觸式貼靠該基板之表面，該基板由可調溫的基板架承載。藉由該裝置在大體呈矩形之基板上沉積OLED層。沉積於該基板上之有機材料能夠以施加電壓或通電流之方式以三原色發光。藉由以此方式製成之基板製造螢幕顯示器、顯示面板或類似器件。
US 7,964,037 B2披露一種具有中央進氣機構之製程室，進氣機構之排氣孔可用「封蓋」加以封閉。設有兩個關於進氣機構沿直徑對置之基板架，該等基板架分別承載一基板，該基板被遮罩覆蓋，因此打開「封蓋」後，可在基板上沉積結構化表面。
US 2014/0322852 A1揭露一種用於沉積有機層之裝置，其中形成進氣機構之材料源能夠橫向於流動方向地相對於數個 分別設於一基板架上之基板進行位移。
WO 2010/114274 A1描述一種用於同時塗佈數個基板之裝置，該等基板設於若干單獨對應每個基板之基板架上，其中該等基板各自對應進氣機構。
DE 10 2010 000 447 A1描述一種具有進氣機構及基板架之製程室，基板架位於進氣機構之排氣面所排出之製程氣體流的流徑上。基板架可沿流動方向相對於進氣機構位移。設有屏蔽元件，該屏蔽元件可被置於基板架與進氣機構之排氣面之間。在使用遮罩之情況下將層結構化沉積於位於基板架上之基板上。
本發明之目的在於改良用於沉積有機層之裝置的製程效率。
該目的透過申請專利範圍所給出之發明而達成，其中每個請求項皆為該目的之獨立解決方案，並且附屬項不僅為並列請求項之有益改良方案，亦為該目的之獨立解決方案。
首先且主要提出，該用於沉積OLED層之裝置具有以下特徵：設有至少一可調溫的進氣機構，用於將製程氣體導入製程室。進氣機構具有可排出製程氣體流之排氣面。進氣機構之排氣面排出製程氣體流之方向定義為流動方向。此外，沿製程氣體流之該流動方向，至少一屏蔽元件直接設於進氣機構後面，該屏蔽元件處於屏蔽位置時在熱輻射方面將進氣機構與基板相互隔離。沉積OLED層時，進氣機構且特別是進氣機構之排氣面的溫度高於基板之溫度。在此情況下，該至少一屏蔽元件具有至少減小自進氣機構向基板及向遮罩支架所支撐之遮罩傳熱的功能。沿流動方向在該至 少一屏蔽元件後面設有數個分別用於固定一遮罩之遮罩支架。進氣機構之排氣面較佳在排氣平面內延伸。該至少一屏蔽元件在平行於排氣平面之平面內延伸。遮罩支架同樣設於平行於排氣平面延伸之公共平面內。根據本發明，設有數個基板架。每個基板架皆被配置為能保持至少一基板，其中該至少一基板分別在一平行於排氣平面之平面內延伸。基板架相互分離。每個遮罩支架皆對應一基板架。基板架沿流動方向設於遮罩後面且能朝遮罩方向位移。為此設有位移機構，其中每個基板架皆具有單獨對應之位移機構，藉由該位移機構可將基板架自遠離遮罩支架之遠離位置送入鄰近遮罩支架之鄰近位置。在遠離遮罩支架之遠離位置上，可為基板架裝載或卸載基板。在此期間，屏蔽元件處於屏蔽位置，因此在遠離位置上，基板之表面溫度不會超過製程溫度，該製程溫度較佳低於100℃，較佳低於60℃。此點在藉由抓持器將基板放置於基板架之表面時特別有益。基板架之表面經主動調溫。特定言之，藉由冷卻裝置將該表面冷卻至低於100℃，較佳低於60℃之溫度。為了在基板上沉積至少一層，藉由位移機構將基板架送入鄰近遮罩支架之鄰近位置。在此位置上，基板之待塗佈表面被較佳為蔭罩之遮罩覆蓋，使得塗佈僅在遮罩所規定之位點上進行。遮罩可具有大量規則分佈之開孔，因此，藉由遮罩能產生螢幕之像素結構。遮罩在鄰近位置上貼靠於基板。屏蔽元件可被配置為由多個部分組成。屏蔽元件可由數個平行於遮罩之表面延伸的屏蔽板構成。然而，屏蔽元件較佳由一個平行於遮罩佈置之屏蔽板形成。可設置數個屏蔽元件。屏蔽元件較佳為統一的元件。屏蔽元件在驅動機構驅動下在其延伸平面內自屏蔽位置移行至保存位置，其中屏蔽元件處於保存位置時位於保存室 中。進氣機構可具有加熱元件。進氣元件較佳形成具有排氣面之蓮蓬頭，該排氣面具有大量排氣孔。排氣面可由排氣板形成，在該排氣板中設有大量加熱元件通道。排氣板之加熱可以電的方式進行。但亦可設置液體加熱。在本發明一項亦具有獨立特徵之改良方案中，設有能調節遮罩與基板之相對位置的調整裝置。調整裝置特定言之能夠使遮罩在遮罩延伸平面內相對於基板位移。此點在沉積顯示器之情況下特別有益。藉由調整裝置能高度精確地定位顯示器之像素或亞像素的位置。可依次沉積數個互不相同之層，其中在單個沉積步驟之間改變遮罩與基板之相對位置，以便在基板上並排沉積以不同顏色發光之像素。調整裝置可具有主軸驅動器、氣動驅動器或液壓驅動器。然而，亦可對基板架而非遮罩支架實施驅動以實現位置調整。進氣機構可為統一的蓮蓬頭，該蓮蓬頭僅具有一個饋送孔且僅具有一個氣體分配腔。但亦可設置諸如隔板等構件，藉由該等隔板可將進氣機構之氣體分配容積劃分成數個單容積。亦可使用兩個分離的進氣機構，其中每個進氣機構皆功能上對應一遮罩支架及一基板架。然而，該等數個進氣機構之排氣面較佳位於一公共平面內。此外，實體統一的進氣機構可具有數個永久性相互分離之氣體分配容積，該等氣體分配容積可單獨地被饋送製程氣體或沖洗氣體。流動方向較佳為豎向，其中可自下向上流動或者自上向下流動。在此情況下，基板架自裝料位置至處理位置之位移係沿豎向進行。遮罩相對於基板之位置調整則沿水平方向進行。
此外，本發明係有關於一種在一或數個基板上沉積層之方法，包括以下步驟：- 使用如前述請求項中任一項之裝置； - 在遠離遮罩支架之遠離位置上為基板架中之至少一者裝載基板；- 至少使裝有基板之基板架同時自其遠離位置位移至其鄰近位置；- 藉由將製程氣體導入對應於裝有基板之基板架的氣體分配容積，在基板上沉積藉由使用遮罩而被橫向結構化之層。
在公共製程室中塗佈數個較小基板而非塗佈一個大基板，大基板須在塗佈程序結束後被分割以製造小基板，而較小基板在塗佈後不必加以分割。每個基板皆由單獨對應之基板架保持，其中每個基板架較佳僅保持單獨一個特定言之呈矩形之基板。遮罩相對於基板之位置調整同樣為單獨進行。進氣機構可為統一的進氣機構，被饋送統一的製程氣體，該製程氣體均勻地自排氣面之所有排氣孔排出，因此，所有基板基本上係以相同之製程參數被處理。然而，亦可僅為個別基板架配備基板，使得裝置在實施塗佈方法時具有裝有基板之基板架及未裝載基板之基板架。為此，較佳改良進氣機構使得進氣機構之氣體分配容積能被劃分成數個氣體分配容積。僅在對應於裝有基板之基板架的氣體分配容積中導入製程氣體。在對應於未裝載基板之基板架的氣體分配容積中則導入沖洗氣體或載氣。其中，沖洗氣體或載氣之氣體流量與製程氣體之氣體流量相符。在本發明之較佳技術方案中，製程室具有並排佈置的兩個基板架及兩個遮罩支架。
進氣機構亦可具有兩個永久性相互分離之氣體分配容積。亦可並排佈置兩個進氣機構。在所有基板架皆處於其遠離位置之工作狀態下為基板架裝載及卸載基板，其中在反應器殼體之壁 部上設有裝料端口，藉由抓持器可將基板運送穿過該裝料端口。裝/卸料端口較佳位於基板架處於其遠離位置時所在之平面。因此，裝卸料係在低於製程溫度之溫度下進行，製程溫度低於60℃。而後，裝有基板之基板架同時朝進氣機構方向位移且接著被同時處理，其中塗佈程序針對所有基板皆為同時開始且同時結束。
以下被視為有益的：根據本發明，在單獨一個製程室中對數個基板架上之數個基板同時實施塗佈。
1‧‧‧反應器殼體
2‧‧‧製程室
3‧‧‧進氣機構
3’‧‧‧進氣機構
4‧‧‧排氣孔
4’‧‧‧排氣孔
5‧‧‧氣體分配容積
5’‧‧‧氣體分配容積
6‧‧‧屏蔽元件
7‧‧‧遮罩支架
7’‧‧‧遮罩支架
8‧‧‧遮罩
8’‧‧‧遮罩
9‧‧‧基板架
9’‧‧‧基板架
10‧‧‧基板
10’‧‧‧基板
11‧‧‧位移裝置
11’‧‧‧位移裝置
12‧‧‧加熱元件
13‧‧‧冷卻元件
13’‧‧‧冷卻元件
14‧‧‧調整裝置
14’‧‧‧調整裝置
15‧‧‧進氣部
15’‧‧‧進氣部
16‧‧‧裝料端口
16’‧‧‧卸料端口
17‧‧‧保存室
18‧‧‧隔板
19‧‧‧分隔壁
S‧‧‧製程氣體流
S’‧‧‧製程氣體流
a‧‧‧箭頭
b‧‧‧箭頭
b’‧‧‧箭頭
c‧‧‧箭頭
c’‧‧‧箭頭
S‧‧‧箭頭
S’‧‧‧箭頭
下面結合所附圖式闡述本發明之實施例。其中：圖1為塗佈裝置之第一剖面示意圖；圖2為僅關於第二實施例之進氣機構3、遮罩支架7、7’及基板架9之視圖；圖3為本發明第三實施例如圖1之視圖。
本發明之裝置為一用於例如在矩形玻璃基板10、10’上沉積OLED層之反應器。為了固定基板10、10’，設有兩個相互實體分離地佈置於反應器殼體1中之基板架9、9’。基板架9、9’可藉由位移裝置11、11’相互平行地沿箭頭b、b’之方向位移。每個基板架9、9’皆具有調溫裝置13、13’，該調溫裝置為冷卻裝置。基板架9、9’特定言之可單獨調溫。冷卻裝置13可為通冷卻液之冷卻通道。藉由可撓性管道，例如藉由軟管，可向冷卻通道13輸送冷卻劑。
在圖1所示之實施例中，設有統一的進氣機構3。進氣機構3可具有一或數個圖中未示出之饋送管道，製程氣體可透過 該饋送管道被送入進氣機構3之氣體容積。該氣體容積可為統一的氣體容積。圖中以符號18示出一壁部，在採用統一配置的氣體容積5、5’之實施例中不存在此壁部。亦可設置兩個或數個饋氣管道，該等饋氣管道分別對應兩氣體容積5、5’中之一者。分隔壁18可為可動或不可動。若為可動壁部18，則其可進入使得兩氣體容積5、5’被相互分隔之分隔位置。但該壁部亦可被置於使得氣體容積5、5’彼此流體連通之位置。
箭頭S、S’象徵來自進氣機構3之排氣面的製程氣體流，該排氣面具有大量並排佈置之排氣孔4、4’。此外，形成排氣孔4、4’之排氣板可具有加熱元件12，藉由該等加熱元件可將排氣板加熱至400℃以上之溫度。加熱元件12可為由於通電流而釋放熱量之線絲或者為通高溫液體之通道。
在進氣機構3之技術方案的一個變體中，壁部18形成隔板，該隔板選擇性地將公共的氣體分配容積5劃分成兩個氣體分配容積5、5’。在此項變體中，進氣機構3具有數個饋氣管道。
沿流動方向S、S’與進氣機構3之排氣面相隔一定距離處設有平面屏蔽元件6，該屏蔽元件可由金屬板形成。屏蔽元件6可被主動調溫，例如冷卻或加熱。屏蔽元件6可由沿流動方向S、S’遮蓋排氣面之屏蔽位置進入保存位置，具體實現方式為，屏蔽元件6沿箭頭a之方向位移。屏蔽元件可被送入保存室17，屏蔽元件6在實施沉積程序期間被保存於該保存室中。
屏蔽元件6處於屏蔽位置時為兩個或更多個設於平行於排氣面之平面內的遮罩支架7屏蔽進氣機構3所發射之熱輻射。遮罩支架7、7’位於平行於排氣平面延伸之公共平面內。遮罩 支架7、7’由框架構成，該等框架支撐遮罩8、8’之邊緣。該遮罩用於將有待沉積於基板10、10’上之層結構化成單個的像素/亞像素。
在圖1所示之實施例中，進氣機構3在反應器殼體1中設於上部。屏蔽元件6直接設於進氣機構3下方。屏蔽元件6下方設有兩個分別支撐一遮罩8、8’之遮罩支架7、7’。
在遮罩支架7、7’下方間隔一定距離處設有兩個各配備一基板之基板架9、9’，該等基板架可藉由位移裝置11、11’沿豎向向上位移。此係沿箭頭b、b’之方向進行。
基板架9可向上位移至基板10、10’接觸式貼靠遮罩8、8’為止。然而，亦可在遮罩8、8’之底面與基板10、10’之頂面間留下小間隙，以便透過相對於基板10、10’之水平位移來對遮罩8、8’實施定向。
圖1所示之裝置特別應用於集束型設備(Clusteranlage)。其中，基板透過裝卸料端口16被送入反應器殼體1。裝卸料端口16可被真空密封封閉。
圖2示出本發明之第二實施例，其中上述用於對遮罩8、8’實施相對於基板10、10’之位置調整的調整裝置14被呈現為功能元件。調整裝置14使遮罩8、8’相對於基板10、10’位移所使用之調整方向用箭頭c、c’標示。
不同於第一實施例之處在於，在圖2所示之第二實施例中，進氣機構3被分隔壁19劃分成若干被相互分隔之氣體分配容積5、5’，其中每個氣體分配容積5、5’皆單獨對應一遮罩支架7、7’及一基板架9、9’。然而，屏蔽元件6為統一的屏蔽元件。特定言之，該屏蔽元件為採用單一材料之屏蔽板。藉由獨用的進氣接頭 15、15’為氣體分配容積5、5’饋氣。分隔壁19可被配置為不會形成死區。圖2所示之形成於兩分隔壁19間之死區可用惰性氣體加以沖洗，或者可被用來為中間區域饋送氣體，例如惰性氣體或輔助氣體。
較佳地，在同時塗佈兩個基板10、10’時，透過兩進氣接頭15、15’向氣體分配容積5、5’導入同一種氣體混合物，以便在位於基板架9、9’上之基板10、10’上同時沉積一具有相同層特性之層。為此，基板架9、9’同時自遠離位置進入鄰近位置，並且在塗佈程序結束後同時自鄰近位置返回遠離位置。
圖3所示之實施例與前述實施例之區別主要在於進氣機構3、3’之技術方案。此處設有兩個相互實體分離之進氣機構3、3’。該二進氣機構藉由統一的屏蔽元件6與遮罩支架7、7’及遮罩支架7、7’所支撐之遮罩8、8’隔離開來。
圖3所示之裝置特別可用於聯機系統(Inline-System)。裝料口16與卸料口16’相對佈置。基板由抓持器透過裝料口16送入反應器殼體1並被放置於基板架9、9’上。將裝料口16與卸料口16’氣密封閉。導入惰性氣體並藉由圖中未示出之真空泵抽出該惰性氣體，藉此在反應器殼體1內部形成期望壓力下之惰性氣氛。配備有基板10、10’之基板架9、9’同時自其遠離位置進入鄰近位置。完成層之沉積後，基板架9、9’同時返回遠離位置。打開卸料口16’後，可自基板架9、9’上取下基板10、10’。
然而，在前述裝置中，同時被裝載之基板的數目可少於所存在之基板架，使得同時被塗佈之基板的數目少於所存在之基板架9、9’。舉例而言，可在該等裝置中分別僅塗佈一單個基板， 在此情況下，該基板僅被放置於兩基板架9、9’中之一者上。另一基板架9、9’上不放置基板。在實施沉積程序期間，製程氣體僅經由功能上對應於裝有基板之基板架9、9’的排氣孔4、4’沿流動方向S、S’流到被遮罩8、8’所覆蓋之基板上。功能上對應於未裝載基板之基板架9、9’的排氣孔4、4’則供載氣通過，以便實現流動平衡並避免形成死區容積。
前述實施方案係用於說明本申請整體所包含之發明，該等發明至少透過以下特徵組合分別獨立構成相對於先前技術之改良方案：一種用於在一或數個基板10上沉積層之裝置，具有設於反應器殼體1中之製程室2及以下特徵：a)至少一可調溫的進氣機構3，用於將製程氣體流導入該製程室2並使其沿流動方向S流向該等基板10；b)至少一沿該流動方向S直接設於該進氣機構3後面之屏蔽元件6，該屏蔽元件處於屏蔽位置時將該進氣機構3與該基板10熱隔離；c)數個沿該流動方向S設於該屏蔽元件6後面之遮罩支架7、7’，該等遮罩支架分別用於固定一遮罩8、8’；d)若干相互實體分離之基板架9、9’，該等基板架分別與該等數個遮罩支架7、7’中之一者相對應，沿該流動方向S設於該等遮罩8、8’後面且用於固定該等基板10中之至少一者；e)對應於該等數個基板架9、9’中之每一者的位移機構11、11’，該位移機構用於使該基板架9、9’自遠離該遮罩支架7、7’之遠離位置位移至鄰近該遮罩支架7、7’之鄰近位置，在該遠離位置 上，可為該等基板架9、9’裝載及卸載該基板10、10’，在該鄰近位置上，設於該基板架9、9’上之基板10、10’可以貼靠於該遮罩8、8’之狀態被塗佈；f)其中該屏蔽元件6為統一的屏蔽元件，或者設有數個屏蔽元件，其中該一或數個屏蔽元件處於該屏蔽位置時同時設於所有遮罩支架7、7’與該至少一進氣機構3之所有排氣面之間，並且在同時塗佈數個基板10、10’期間同時被容置於保存室17中。
如請求項1之裝置，其特徵在於，該等基板架9、9’可單獨調溫且可單獨位移。
如前述請求項中任一項或數項之裝置，其特徵在於，該屏蔽元件6為統一的屏蔽元件，或者設有數個屏蔽元件，其中該一或數個屏蔽元件處於該屏蔽位置時設於較佳所有該等遮罩支架7、7’與該至少一進氣機構3間。
如前述請求項中任一項或數項之裝置，其特徵在於，該進氣機構3具有加熱元件12且該基板架9、9’具有冷卻元件13、13’。
如前述請求項中任一項或數項之裝置，其特徵在於調整裝置14、14’，用於單獨改變該遮罩支架7、7’相對於該遮罩支架所對應之基板架9、9’的相對位置。
如前述請求項中任一項或數項之裝置，其特徵在於，數個進氣機構3、3’並排佈置，或者一個進氣機構3具有兩個被可動隔板18相互分隔之氣體分配容積5、5’。
一種在一或數個基板上沉積層之方法，包括以下步驟： - 使用前述請求項中任一項之裝置；- 在遠離該遮罩支架7、7’之遠離位置上為該等基板架9、9’中之至少一者裝載基板；- 至少使裝有基板10、10’之基板架9、9’同時自其遠離位置位移至其鄰近位置；- 藉由將製程氣體導入對應於該等裝有基板之基板架9、9’的氣體分配容積5、5’，在該等基板10、10’上沉積藉由使用該遮罩8、8’而被橫向結構化之層。
如請求項7之方法，其特徵在於，至少一基板架9、9’保持未裝載基板，並且將沖洗氣體導入對應於該等未裝載基板之基板架9、9’的氣體分配容積5、5’，該沖洗氣體沿該流動方向S流向該遮罩支架7。
如請求項7至9中任一項之方法，其特徵在於，將在數個接續實施之步驟中藉由該遮罩8而被結構化之層沉積於該基板10上，其中藉由橫向改變該遮罩支架7、7’相對於該遮罩支架所對應之基板架9、9’的相對位置，在該基板10、10’上產生橫向並排排列之層結構。
如請求項7或8中任一項之方法，其特徵在於，沉積OLED層，其中該進氣機構3、3’之溫度高於該等基板架9、9’之溫度。
所有已揭露特徵(作為單項特徵或特徵組合)皆為發明本質所在。故本申請之揭露內容亦包含相關/所附優先權檔案(在先申請副本)所揭露之全部內容，該等檔案所述特徵亦一併納入本申請之申請專利範圍。附屬項以其特徵對本發明針對先前技術之改良 方案的特徵予以說明，其目的主要在於在該等請求項基礎上進行分案申請。
1‧‧‧反應器殼體
2‧‧‧製程室
3‧‧‧進氣機構
4‧‧‧排氣孔
4’‧‧‧排氣孔
5‧‧‧氣體分配容積
5’‧‧‧氣體分配容積
6‧‧‧屏蔽元件
7‧‧‧遮罩支架
7’‧‧‧遮罩支架
8‧‧‧遮罩
8’‧‧‧遮罩
9‧‧‧基板架
9’‧‧‧基板架
10‧‧‧基板
10’‧‧‧基板
11‧‧‧位移裝置
11’‧‧‧位移裝置
12‧‧‧加熱元件
13‧‧‧冷卻元件
13’‧‧‧冷卻元件
16‧‧‧裝料端口
16’‧‧‧卸料端口
17‧‧‧保存室
18‧‧‧隔板
S‧‧‧製程氣體流
S’‧‧‧製程氣體流
a‧‧‧箭頭
b‧‧‧箭頭
b’‧‧‧箭頭
S‧‧‧箭頭
S’‧‧‧箭頭

Claims (9)

  1. 一種用於在一或數個基板上沉積層之裝置，具有設於反應器殼體(1)中之製程室(2)及以下特徵：a)至少一可調溫的進氣機構(3)，用於將製程氣體流導入該製程室(2)並使其沿流動方向(S)流向該等基板(10)；b)至少一沿該流動方向(S)直接設於該至少一進氣機構(3)之排氣面後面的屏蔽元件(6)，該屏蔽元件處於屏蔽位置時將該至少一進氣機構(3)與該基板(10)熱隔離；c)數個沿該流動方向(S)設於該屏蔽元件(6)後面之遮罩支架(7、7’)，該等遮罩支架分別用於固定一遮罩(8、8’)；d)若干相互實體分離之基板架(9、9’)，該等基板架分別與該等數個遮罩支架(7、7’)中之一者相對應，沿該流動方向(S)設於該等遮罩(8、8’)後面且用於固定該等基板(10)中之至少一者；e)對應於該等數個基板架(9、9’)中之每一者的位移機構(11、11’)，該位移機構用於使該基板架(9、9’)自遠離該遮罩支架(7、7’)之遠離位置位移至鄰近該遮罩支架(7、7’)之鄰近位置，在該遠離位置上，可為該等基板架(9、9’)裝載及卸載該基板(10、10’)，在該鄰近位置上，設於該基板架(9、9’)上之基板(10、10’)可以貼靠於該遮罩(8、8’)之狀態被塗佈；f)其中該屏蔽元件(6)為統一的屏蔽元件，或者設有數個屏蔽元件，其中該一或數個屏蔽元件處於該屏蔽位置時同時設於所有遮罩支架(7、7’)與該至少一進氣機構(3)之所有排氣面之間，並且在同時塗佈數個基板(10、10’)期間同時被容置於保存室(17)中。
  2. 如請求項1之裝置，其中，該等基板架(9、9’)可單獨調溫且 可單獨位移。
  3. 如請求項1之裝置，其中，該進氣機構(3)具有加熱元件(12)且該基板架(9、9’)具有冷卻元件(13、13’)。
  4. 如請求項1之裝置，其中，具有調整裝置(14,14’)，用於單獨改變該遮罩支架(7、7’)相對於該遮罩支架所對應之基板架(9、9’)的相對位置。
  5. 如請求項1之裝置，其中，數個進氣機構(3、3’)並排佈置，或者一個進氣機構(3)具有兩個被可動隔板(18)相互分隔之氣體分配容積(5、5’)。
  6. 一種在一或數個基板上沉積層之方法，包括以下步驟：使用前述請求項中任一項之裝置；在遠離該遮罩支架(7、7’)之遠離位置上為該等基板架(9、9’)裝載基板；至少使裝有基板(10、10’)之基板架(9、9’)同時自其遠離位置位移至其鄰近位置；藉由將製程氣體導入對應於該等裝有基板之基板架(9、9’)的氣體分配容積(5、5’)，在數個基板(10、10’)上同時沉積藉由使用該遮罩(8、8’)而被橫向結構化之層。
  7. 如請求項6之方法，其中，至少一基板架(9、9’)保持未裝載基板，並且將沖洗氣體導入對應於該等未裝載基板之基板架(9、9’)的氣體分配容積(5、5’)，該沖洗氣體沿該流動方向(S)流向該遮罩支架(7)。
  8. 如請求項6之方法，其中，將在數個接續實施之步驟中藉由該遮罩(8)而被結構化之層沉積於該基板(10)上，其中藉由橫向改變該 遮罩支架(7、7’)相對於該遮罩支架所對應之基板架(9、9’)的相對位置，在該基板(10、10’)上產生橫向並排排列之層結構。
  9. 如請求項6之方法，其中，沉積OLED層，其中該進氣機構(3、3’)之溫度高於該等基板架(9、9’)之溫度。
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