CN109312457B - 涂层装置以及涂层方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于在一个或多个基板(10)上沉积层的装置，具有布置在反应器壳体(1)中的过程室(2)；可调温的进气机构(3)，用于沿通向所述基板(10)的流动方向(S)将过程气体流导入所述过程室(2)；沿流动方向(S)直接布置在至少一个进气机构(3)的排气面之后的屏蔽元件(6)，该屏蔽元件处于屏蔽位置时将至少一个进气机构(3)和所述基板(10)相互热隔离；多个沿流动方向(S)布置在屏蔽元件(6)之后的掩模支架(7、7’)，分别用于固持掩模(8、8’)；彼此实体分离的基板架(9、9’)，用于固持所述基板(10)中的至少一个，所述基板架(9、9’)分别对应于多个掩模支架(7、7’)中的一个并且沿流动方向(S)布置在所述掩模(8、8’)之后；其中，针对多个基板架(9、9’)中的每一个均设有移动机构(11、11’)，用于将所述基板架(9、9’)从相对掩模支架(7、7’)的远离位置移动至相对掩模支架(7、7’)的邻近位置，在远离位置上，所述基板架(9、9’)可装载和可卸载基板(10、10’)，在邻近位置上，布置在所述基板架(9、9’)上的基板(10、10’)能够以贴靠在掩模(8、8’)上的贴靠位置被涂层。

Description

涂层装置以及涂层方法
技术领域
本发明涉及一种用于在一个或多个基板(也称为基底或衬底)上沉积层的装置，所述装置具有布置在反应器壳体中的过程室。设有进气机构，该进气机构可调温并且过程气体被导入该进气机构。所述进气机构具有排气面，过程气体可以透过该排气面沿过程气体流动方向流入所述过程室。沿流动方向在进气机构之后设有屏蔽元件，以便在热辐射方面将进气机构与基板相互隔离。所述屏蔽元件位于进气机构的排气面与掩模支架之间。掩模支架在涂层时支承用于对待涂层的基板进行横向结构化的掩模。所述掩模在对基板涂层期间接触式贴靠该基板的表面，该基板由可调温的基板架承载。用所述装置在大致呈矩形的基板上沉积OLED层。沉积于基板上的有机材料能够以施加电压或通电流的方式以三原色发光。用以此方式制成的基板制造屏幕显示器、显示面板或类似器件。
背景技术
专利文献US 7,964,037 B2公开一种具有中央进气机构的过程室，进气机构的排气孔可用“封盖”加以封闭。设有两个相对于进气机构沿直径对置的基板架，基板架分别承载一个基板，该基板被掩模覆盖，因此打开“封盖”后，可在基板上沉积结构化的表面。
由专利文献US 2014/0322852 A1已知一种用于沉积有机层的装置，其中，构成进气机构的材料源能够横向于流动方向地相对多个分别布置在基板架上的基板移动。
专利文献WO 2010/114274 A1描述一种用于同时涂布多个基板的装置，基板布置在单独地配属于基板的基板架上。其中，所述基板各自配属有进气机构。
专利文献DE 10 2010 000 447 A1描述一种具有进气机构和基板架的过程室，基板架位于进气机构的排气面所排出的过程气体流的流动路径上。基板架可沿流动方向相对于进气机构位移。设有屏蔽元件，该屏蔽元件可被置于基板架与进气机构的排气面之间。在使用掩模的情况下将层结构化地沉积于位于基板架上的基板上。
发明内容
本发明所要解决的技术方案在于，改良用于沉积有机层的装置的过程效率。
所述技术问题通过如下技术方案解决。
首先并且主要建议，用于沉积OLED层的装置具有以下特征：设有至少一个可调温的进气机构，用于将过程气体导入过程室。进气机构具有排气面，过程气体流可以通过该排气面排出。过程气体流从进气机构的排气面排出的方向定义为流动方向。此外规定，沿过程气体流的流动方向，至少一个屏蔽元件直接布置在进气机构之后，该屏蔽元件处于屏蔽位置时在热辐射方面将进气机构与基板相互隔离。在沉积OLED层时，进气机构并且尤其进气机构的排气面的温度高于基板的温度。至少一个屏蔽元件则具有至少减小进气机构向基板或被掩模支架固持的掩模的热传递的功能。沿流动方向在至少一个屏蔽元件之后布置有多个分别用于固持一个掩模的掩模支架。进气机构的排气面优选在排气平面内延伸。至少一个屏蔽元件在相对于排气平面的平行平面内延伸。掩模支架同样布置在平行于排气平面延伸的共同的平面内。按照本发明，设有多个基板架。每个基板架都设置为能固持至少一个基板，其中，至少一个基板分别在相对于排气平面的平行平面内延伸。基板架彼此分离。每个掩模支架都对应一个基板架。基板架沿流动方向布置在掩模之后并且能朝掩模的方向移动。为此设有移动机构，其中，每个基板架具有单独配属于它的移动机构，用该移动机构可以将基板架从相对掩模支架的远离位置送入相对掩模支架的邻近位置。在相对掩模支架的远离位置上，可以为基板架装载或卸载基板。在此，屏蔽元件位于屏蔽位置，因此在远离位置上，基板的表面温度不会超过过程温度，该过程温度优选低于100℃、优选低于60℃。这在借助抓持器将基板放置于基板架的表面时尤其有利。基板架的表面主动(以有源方式)调温。尤其通过冷却装置将该表面冷却至低于100℃，优选低于60℃的温度。为了在基板上沉积至少一个层，通过移动机构将基板架送入相对掩模支架的邻近位置。在此位置上，基板的待涂层的表面被优选为荫罩(Schattenmaske)的掩模覆盖，使得涂层仅在掩模预先规定的位置上进行。掩模可以具有许多规则地布置的开孔，因此，利用掩模能产生屏幕的像素结构。掩模在邻近位置上贴靠于基板。屏蔽元件可以构造为由多个部分组成。屏蔽元件可以由多个与掩模的表面延伸平行地延伸的屏蔽板构成。然而，屏蔽元件优选由一个平行于掩模布置的屏蔽板构成。在此可以设置多个屏蔽元件。优选规定，屏蔽元件是统一的元件。屏蔽元件由驱动机构在其延伸平面内从屏蔽位置移行至保存位置，其中，屏蔽元件处于保存位置时位于保存室中。进气机构可以具有加热元件。进气元件优选形成具有排气面的莲蓬头，该排气面具有许多排气孔。排气面可以由排气板形成，在该排气板中布置有许多加热元件通道。排气板的加热能以电的方式进行。但也可以规定液体加热。在本发明的也具有独立特征的改进方案中，设有能调节掩模与基板的相对位置的调整装置。调整装置尤其能够使掩模在掩模延伸平面内相对于基板位移。这点在沉积显示器的情况下尤其有利。利用调整装置能够高精度地定位显示器的像素或亚像素的位置。可以依次沉积多个彼此不同的层，其中，在单个沉积步骤之间如此改变掩模相对基板的相对位置，使得在基板上并排沉积以不同颜色发光的像素。调整装置可以具有主轴驱动器、气动驱动器或液压驱动器。但也可以移动基板架而非掩模支架以便进行位置调整。进气机构可以是统一的莲蓬头，该莲蓬头仅具有一个馈送孔或仅具有一个气体分配腔。但也可以设置例如隔板等器件，利用所述器件可以将进气机构的气体分配容积划分成多个单个容积。也可以使用两个分离的进气机构，其中，每个进气机构在功能上配属于一个掩模支架或一个基板架。但多个进气机构的排气面优选位于共同的平面内。此外可以规定，一体式的进气机构可具有多个永久地相互分离的气体分配容积，所述气体分配容积可以单独地被馈送以过程气体或冲洗气体。流动方向优选为竖向，其中，可以从下向上流动或者从上向下流动。基板架从装载位置至处理位置的移动则沿竖向进行。掩模相对于基板的位置的调整则沿水平方向进行。
此外，本发明还涉及一种用于在一个或多个基板上沉积层的方法，包括以下步骤：
-使用按照前述的装置；
-在相对掩模支架的远离位置上为基板架中的至少一个装载；
-至少使装载有基板的基板架同时从其远离位置移动至其邻近位置；
-通过将过程气体导入配属于装载的基板架的气体分配容积，来在多个基板上沉积通过使用掩模而被横向结构化的层。
在共同的过程室中涂布多个较小的基板而非涂布一个大基板，大基板在涂层过程之后必须被分割以制造小基板，而较小的基板在涂层后不必加以分割。每个基板都由单独配属于它的基板架固持，其中，每个基板架优选仅固持唯一的、尤其呈矩形的基板。掩模相对于基板的位置的调整同样单独进行。进气机构可以是共同的进气机构，该进气机构被馈送以相同的过程气体，该过程气体均匀地从排气面的所有排气孔排出，从而所有基板基本上以相同的过程参数被处理。但也可以仅为几个基板架配备基板，使得装置在实施涂层方法时具有装载的基板架和未装载的基板架。为此，优选如此改良进气机构，使得进气机构的气体分配容积可以被划分成多个气体分配容积。仅在配属于装载的基板架的气体分配容积中导入过程气体。而在配属于未装载的基板架的气体分配容积中导入冲洗气体或载气。在此，冲洗气体或载气的气体流量与过程气体的气体流量相符。在本发明的优选的设计方案中，过程室具有并排布置的两个基板架和两个掩模支架。
进气机构也可以具有两个永久地相互分离的气体分配容积。在此也规定，两个进气机构并排布置。在所有基板架都占据其远离位置的运行状态下为基板架装载及卸载基板，其中，在反应器壳体的壁部上设有装载端口，借助抓持器可以将基板运送穿过该装载端口。装载/卸载端口优选位于同一平面内，基板架处于其远离位置时也位于该平面内。因此，装载和卸载在低于过程温度的温度下进行，过程温度低于60℃。随后，这些装载有基板的基板架一起同时朝进气机构的方向移动并且接着被同时处理，其中，用于所有基板的涂层过程同时开始并且同时结束。
以下被视为是有利的，即，按照本发明，在唯一的过程室中对多个基板架上的多个基板同时实施涂层。
附图说明
以下结合附图阐述本发明的实施例。在附图中：
图1示出涂层装置的第一剖面示意图；
图2示出仅第二实施例的进气机构3、掩模支架7、7’和基板架9的示图；
图3以按照图1的示图示出本发明的第三实施例。
具体实施方式
按照本发明的装置是一种用于例如在矩形玻璃基板10、10’上沉积OLED层的反应器。为了固持基板10、10’，设有两个相互实体分离地布置在反应器壳体1中的基板架9、9’。基板架9、9’可以通过移动装置11、11’相互平行地沿箭头b、b’的方向移动。每个基板架9、9’都具有调温装置13、13’，该调温装置是冷却装置。基板架9、9’尤其可单独调温。冷却装置13可以是以冷却液通流的冷却通道。通过柔性的管道、例如软管可以向冷却通道13输送冷却剂。
在图1中所示的实施例中，设有统一的进气机构3。进气机构3可以具有一个或多个未示出的馈送管道，过程气体可透过该馈送管道被送入进气机构3的气体容积。该气体容积可以是统一的气体容积。用附图标记18示出壁部，在气体容积5、5’统一构造的实施例中不存在此壁部。也可以设置两个或多个馈气管道，所述馈气管道分别配属于两个气体容积5、5’中的一个。分隔壁18可以是可移动的或不可移动的。如果是可移动的壁部18，则其可以被置于两个气体容积5、5’被相互分隔的分隔位置。但该壁部也可以被置于气体容积5、5’彼此流体连通的位置。
箭头S、S’表示来自进气机构3的排气面的过程气体流，该排气面具有许多并排布置的排气孔4、4’。此外，构造排气孔4、4’的排气板可以具有加热元件12，用加热元件12可以将排气板加热至400℃以上的温度。加热元件12可以是通过通电流释放热量的线丝或者是通流高温液体的通道。
在进气机构3的设计方案的一个变型中，壁部18构成隔板，该隔板选择性地将共同的气体分配容积5划分成两个气体分配容积5、5’。在该变型中，进气机构3具有多个馈气管道。
沿流动方向S、S’与进气机构3的排气面相隔一定距离处设有平面屏蔽元件6，该屏蔽元件6可由金属板构成。屏蔽元件6可以被主动调温、例如冷却或加热。通过沿箭头a的方向移动屏蔽元件6，可以将屏蔽元件6从屏蔽位置带往保存位置，在屏蔽位置上，屏蔽元件6沿流动方向S、S’遮盖排气面。屏蔽元件可以被置于保存室17中，屏蔽元件6在实施沉积过程期间被保存于该保存室17中。
屏蔽元件6处于屏蔽位置时将两个或两个以上布置在相对于排气面的平行平面内的掩模支架7相对于由进气机构3限制的热辐射屏蔽。掩模支架7、7’位于共同的平面内，该平面平行于排气平面延伸。掩模支架7、7’由框架构成，所述框架支承掩模8、8’的边缘。该掩模用于将待沉积于基板10、10’上的层结构化成单个的像素/亚像素。
在图1中所示的实施例中，进气机构3在反应器壳体1中布置在上部。屏蔽元件6位于进气机构3的紧邻下方。在屏蔽元件6的下方设有两个分别支承一个掩模8、8’的掩模支架7、7’。
在掩模支架7、7’下方间隔一定距离处设有两个分别配备基板的基板架9、9’，所述基板架9、9’可以通过位移装置11、11’沿竖向向上移动。这沿箭头b、b’的方向进行。
可以一定程度地向上移动基板架9，直至基板10、10’接触式贴靠掩模8、8’。但也规定，在掩模8、8’的下侧与基板10、10’的上侧之间保留小间隙，以便通过相对于基板10、10’的水平移动对掩模8、8’进行定向。
图1中所示的装置尤其用于集束型设备(Clusteranlage)。其中，基板穿过装载和卸载端口16被送入反应器壳体1。装载和卸载端口16可以真空密封地封闭。
图2示出本发明的第二实施例，其中，上述用于掩模8、8’的相对于基板10、10’的位置调整的调整装置14被示出为功能元件。调整方向用箭头c、c’表示，调整装置14沿该调整方向相对于基板10、10’移动掩模8、8’。
不同于第一实施例，在图2中所示的第二实施例中，进气机构3被分隔壁19划分成若干被相互分隔的气体分配容积5、5’，其中，每个气体分配容积5、5’都单独配属于一个掩模支架7、7’或一个基板架9、9’。然而，屏蔽元件6是统一的屏蔽元件。该屏蔽元件尤其是材料统一的屏蔽板。气体分配容积5、5’的馈气通过单独的进气接管15、15’进行。分隔壁19可以设计为不会形成死区。图2中所示的位于两个分隔壁19之间的死区可以用惰性气体冲洗，或者用于向中间区域馈送气体、例如惰性气体或辅助气体。
优选地规定，在同时涂布两个基板10、10’时，通过两个进气接管15、15’向气体分配容积5、5’导入同一种气体混合物，从而在位于基板架9、9’上的基板10、10’上同时沉积具有相同层特性的层。为此，基板架9、9’同时从远离位置进入邻近位置，并且在涂层过程结束后同时从邻近位置返回远离位置。
图3中所示的实施例与前述实施例的区别主要在于进气机构3、3’的设计方案。此处设有两个相互实体分离的进气机构3、3’。这两个进气机构3、3’被统一的屏蔽元件6相对于掩模支架7、7’和掩模支架7、7’固持的掩模8、8’屏蔽。
图3中所示的装置尤其可以用于联机系统(Inline-System)。装载口16与卸载口16’相对布置。基板由抓持器穿过装载口16送入反应器壳体1并且被放置于基板架9、9’上。装载口16与卸载口16’被气密地封闭。通过导入惰性气体并且借助未示出的真空泵抽出该惰性气体，由此在反应器壳体1内部产生希望的压力下的惰性气体环境。配备有基板10、10’的基板架9、9’同时从其远离位置进入邻近位置。在层的沉积之后，基板架9、9’同时返回远离位置。打开卸载口16’之后，可以从基板架9、9’上取下基板10、10’。
但在前述装置中，同时被装载的基板的数目可以少于存在的基板架，使得同时被涂层的基板的数目少于存在的基板架9、9’。例如，可以在所述装置中分别仅对单个基板涂层，该基板则仅被放置于两个基板架9、9’中的一个基板架上。相应的另一基板架9、9’上不放置基板。在沉积过程期间，过程气体仅通过功能上配属于装载的基板架9、9’的排气孔4、4’沿流动方向S、S’流向被掩模8、8’覆盖的基板。功能上配属于未装载的基板架9、9’的排气孔4、4’则供载气流过，以便实现流动平衡并且避免死区容积。
前述实施方式用于说明本申请整体所包含的发明，所述发明至少通过以下特征组合分别独立构成相对于现有技术的改进方案，即：
一种用于在一个或多个基板10上沉积层的装置，具有布置在反应器壳体1中的过程室2及以下特征：
a)至少一个可调温的进气机构3，用于沿通向所述基板10的流动方向S将过程气体流导入所述过程室2；
b)至少一个沿流动方向S直接布置在至少一个进气机构3的排气面之后的屏蔽元件6，该屏蔽元件处于屏蔽位置时将至少一个进气机构3和该基板10相互热隔离；
c)多个沿流动方向S布置在屏蔽元件6之后的掩模支架7、7’，分别用于固持掩模8、8’；
d)多个彼此实体分离的基板架9、9’，用于固持所述基板10中的至少一个，所述基板架9、9’分别对应于多个掩模支架7、7’中的一个并且沿流动方向S布置在所述掩模8、8’之后；
e)针对多个基板架9、9’中的每一个的移动机构11、11’，用于将该基板架9、9’从相对掩模支架7、7’的远离位置移动至相对掩模支架7、7’的邻近位置，在远离位置上，所述基板架9、9’可装载和可卸载基板10、10’，在邻近位置上，布置在该基板架9、9’上的基板10、10’能够以贴靠在掩模8、8’上的贴靠位置被涂层；
f)其中，屏蔽元件(6)是统一的屏蔽元件，或者设有多个屏蔽元件，其中，一个或多个屏蔽元件处于屏蔽位置时同时布置在所有掩模支架(7、7’)与至少一个进气机构(3)的所有排气面之间，并且在同时涂布多个基板(10、10’)期间同时被容纳在保存室(17)中。
按照本发明所述的装置，其特征在于，所述基板架9、9’能单独调温并且能单独移动。
按照本发明所述的装置，其特征在于，屏蔽元件6是统一的屏蔽元件，或者设有多个屏蔽元件，其中，一个或多个屏蔽元件在屏蔽位置中布置在优选所有掩模支架7、7’与至少一个进气机构3之间。
按照本发明所述的装置，其特征在于，所述进气机构3具有加热元件12，并且所述基板架9、9’具有冷却元件13、13’。
按照本发明所述的装置，其特征在于，设有调整装置14、14’，用于单独改变掩模支架7、7’相对于配属于该掩模支架7、7’的基板架9、9’的相对位置。
按照本发明所述的装置，其特征在于，多个进气机构3、3’并排布置，或者一个进气机构3具有两个由可移动的隔板18彼此隔开的气体分配容积5、5’。
一种用于在一个或多个基板上沉积层的方法，包括以下步骤：
-使用本发明所述的装置；
-在相对掩模支架7、7’的远离位置上为至少一个所述基板架9、9’装载；
-至少将装载有基板10、10’的基板架9、9’同时从其远离位置移动至其邻近位置；
-通过将过程气体导入配属于装载的基板架9、9’的气体分配容积5、5’，来在多个基板10、10’上沉积通过使用掩模8、8’而被横向结构化的层。
按照本发明所述的方法，其特征在于，至少一个基板架9、9’保持未装载，并且将冲洗气体导入配属于未装载的基板架9、9’的气体分配容积5、5’，所述冲洗气体沿流动方向S流向掩模支架7。
按照本发明所述的方法，其特征在于，将在多个连续实施的步骤中通过掩模8结构化的层沉积在基板10上，其中，通过横向改变掩模支架7、7’相对于配属于该掩模支架7、7’的基板架9、9’的相对位置，在基板上10、10’产生横向并排排列的层结构。
按照本发明所述的方法，其特征在于，沉积OLED层，其中，进气机构3、3’的温度高于基板架9、9’的温度。
所有公开的特征(作为单个特征或特征组合)都为发明本质所在。因此，本申请的公开内容也包含相关/所附的优先权文件(在先申请副本)公开的全部内容，为此，优先权文件的特征也一并纳入本申请的权利要求中。附属权利要求以其特征表征本发明的针对现有技术的独立的改进方案，其目的尤其在于在所述权利要求的基础上进行分案申请。
附图标记列表
1 反应器壳体
2 过程室
3 进气机构
3’ 进气机构
4 排气孔
4’ 排气孔
5 气体分配容积
5’ 气体分配容积
6 屏蔽元件
7 掩模支架
7’ 掩模支架
8 掩模
8’ 掩模
9 基板架
9’ 基板架
10 基板
10’ 基板
11 移动装置
11’ 移动装置
12 加热元件
13 冷却元件
13’ 冷却元件
14 调整装置
14’ 调整装置
15 进气口
15’ 进气口
16 装载端口
16’ 卸载端口
17 保存室
18 隔板
19 分隔壁
S 过程气体流
S’ 过程气体流
a 箭头
b 箭头
b’ 箭头
c 箭头
c’ 箭头
S 箭头
S’ 箭头

Claims (10)

1.一种用于在一个或多个基板(10)上沉积层的装置，所述装置包括：
布置在反应器壳体(1)中的过程室(2)；
至少一个可调温的进气机构(3)，用于沿通向一个或多个基板(10)的流动方向(S)将过程气体导入所述过程室(2)，其中所述过程气体从至少一个进气机构(3)的排气面排出；
至少一个屏蔽元件(6)，所述屏蔽元件当处于屏蔽位置时沿流动方向(S)直接布置在至少一个进气机构(3)下游并且将至少一个进气机构(3)和一个或多个基板(10)相互热隔离；
沿流动方向(S)布置在至少一个屏蔽元件(6)下游的掩模支架(7、7’)，分别被构造用于固持掩模(8、8’)；
基板架(9、9’)，分别对应于掩模支架(7、7’)中的一个或多个并且沿流动方向(S)布置在所述掩模(8、8’)下游，其中，所述基板架(9、9’)彼此实体分离并且被构造用于固持所述一个或多个基板(10)中的至少一个；
针对基板架(9、9’)中的每一个的移动机构(11、11’)，被构造为将所述基板架(9、9’)从远离掩模支架(7、7’)的第一位置移动至邻近掩模支架(7、7’)的第二位置，在第一位置上，所述基板架(9、9’)可装载和可卸载一个或多个基板(10、10’)，在第二位置上，布置在所述基板架(9、9’)上的一个或多个基板(10、10’)中的至少一个能够在与一个或多个掩模(8、8’)处于接触的情况下被涂层；
其中，至少一个屏蔽元件(6)是统一的屏蔽元件，或者是多个屏蔽元件，并且能够在屏蔽位置与保存室(17)之间移动，
其中，所述保存室(17)被构造为在反应器壳体(1)的壁中的开槽，该开槽的高度小于至少一个进气机构(3)的排气面与所述掩模支架(7、7’)之间的距离，
其中，当至少一个屏蔽元件(6)位于所述屏蔽位置时，至少一个屏蔽元件(6)布置在所有掩模支架(7、7’)与至少一个进气机构(3)的整个排气面之间，并且
其中，当至少一个屏蔽元件(6)位于所述保存室(17)时，一个或多个基板(10、10’)被涂层。
2.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基板架(9、9’)是单独调温且单独移动的。
3.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，所述至少一个进气机构(3)包括加热元件(12)，并且所述基板架(9、9’)包括冷却元件(13、13’)。
4.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，至少一个进气机构包括彼此并排布置的多个进气机构(3、3’)。
5.一种用于在一个或多个基板(10)上沉积层的装置，所述装置包括：
布置在反应器壳体(1)中的过程室(2)；
至少一个可调温的进气机构(3)，用于沿通向一个或多个基板(10)的流动方向(S)将过程气体导入所述过程室(2)；
至少一个屏蔽元件(6)，所述屏蔽元件当处于屏蔽位置时沿流动方向(S)直接布置在至少一个进气机构(3)下游并且将至少一个进气机构(3)和一个或多个基板(10)相互热隔离；
沿流动方向(S)布置在至少一个屏蔽元件(6)下游的掩模支架(7、7’)，分别被构造用于固持掩模(8、8’)；
基板架(9、9’)，分别对应于掩模支架(7、7’)中的一个或多个并且沿流动方向(S)布置在所述掩模(8、8’)下游，其中，所述基板架(9、9’)彼此实体分离并且被构造用于固持所述一个或多个基板(10)中的至少一个；
针对基板架(9、9’)中的每一个的移动机构(11、11’)，被构造为将所述基板架(9、9’)从远离掩模支架(7、7’)的第一位置移动至邻近掩模支架(7、7’)的第二位置，在第一位置上，所述基板架(9、9’)可装载和可卸载一个或多个基板(10、10’)，在第二位置上，布置在所述基板架(9、9’)上的一个或多个基板(10、10’)中的至少一个能够在与一个或多个掩模(8、8’)处于接触的情况下被涂层；
调整装置(14、14’)，用于单独调整每个掩模支架(7、7’)相对于配属于所述掩模支架(7、7’)的基板架(9、9’)的位置，
其中，至少一个屏蔽元件(6)是统一的屏蔽元件，或者是多个屏蔽元件，并且能够在屏蔽位置与保存室(17)之间移动，
其中，当至少一个屏蔽元件(6)位于所述屏蔽位置时，至少一个屏蔽元件(6)布置在所有掩模支架(7、7’)与至少一个进气机构(3)的所有排气面之间，
其中，当至少一个屏蔽元件(6)位于所述保存室(17)时，一个或多个基板(10、10’)被涂层。
6.一种用于运行装置的方法，所述装置包括：布置在反应器壳体(1)中的过程室(2)；至少一个可调温的进气机构(3)，用于沿通向一个或多个基板(10)的流动方向(S)将过程气体导入所述过程室(2)；至少一个屏蔽元件(6)，所述屏蔽元件当处于屏蔽位置时沿流动方向(S)直接布置在至少一个进气机构(3)的排气面下游并且将至少一个进气机构(3)和一个或多个基板(10)相互热隔离；沿流动方向(S)布置在至少一个屏蔽元件(6)之后的掩模支架(7、7’)，分别被构造用于固持掩模(8、8’)；基板架(9、9’)，分别对应于掩模支架(7、7’)中的一个或多个并且沿流动方向(S)布置在所述掩模(8、8’)下游，其中，所述基板架(9、9’)彼此实体分离并且被构造用于固持所述一个或多个基板(10)中的至少一个；针对基板架(9、9’)中的每一个的移动机构(11、11’)，被构造为将所述基板架(9、9’)从远离掩模支架(7、7’)的第一位置移动至邻近掩模支架(7、7’)的第二位置，在第一位置上，所述基板架(9、9’)可装载和可卸载一个或多个基板(10、10’)，在第二位置上，布置在所述基板架(9、9’)上的一个或多个基板(10、10’)中的至少一个能够在与一个或多个掩模(8、8’)处于接触的情况下被涂层；其中，至少一个屏蔽元件(6)是统一的屏蔽元件，或者是多个屏蔽元件，并且能够在屏蔽位置与保存室(17)之间移动，所述方法包括：
-将一个或多个基板(10、10’)装载到位于所述第一位置的基板架(9、9’)中的一个或多个上；
-将已装载有一个或多个基板(10、10’)的一个或多个基板架(9、9’)从所述第一位置移动至所述第二位置；
-通过将过程气体导入配属于已装载有一个或多个基板(10、10’)的一个或多个基板架(9、9’)的气体分配容积(5、5’)，来在一个或多个基板(10、10’)上沉积由于使用掩模(8、8’)而被横向结构化的层。
7.按照权利要求6所述的方法，其特征在于，至少一个基板架(9、9’)保持未装载，并且将冲洗气体导入配属于至少一个未装载的基板架(9、9’)的气体分配容积(5、5’)，所述冲洗气体流向至少一个未装载的基板架(9、9’)。
8.按照权利要求6所述的方法，其特征在于，在多个连续实施的步骤中将通过掩模(8)结构化的层沉积在一个或多个基板(10)上，其中，通过横向改变至少一个掩模支架(7、7’)相对于配属于所述掩模支架(7、7’)的基板架(9、9’)的位置，在一个或多个基板(10、10’)上产生横向并排排列的层结构。
9.按照权利要求6所述的方法，其特征在于，在一个或多个基板(10、10’)上沉积有机发光二极管层，其中，至少一个进气机构(3、3’)的温度高于基板架(9、9’)的温度。
10.一种用于在一个或多个基板(10)上沉积层的装置，所述装置包括：
布置在反应器壳体(1)中的过程室(2)；
至少一个可调温的进气机构(3)，用于沿通向一个或多个基板(10)的流动方向(S)将过程气体导入所述过程室(2)，其中，至少一个进气机构(3)具有两个由可移动的隔板(18)彼此隔开的气体分配容积(5、5’)；
至少一个屏蔽元件(6)，所述屏蔽元件当处于屏蔽位置时沿流动方向(S)直接布置在至少一个进气机构(3)下游并且将至少一个进气机构(3)和一个或多个基板(10)相互热隔离；
沿流动方向(S)布置在至少一个屏蔽元件(6)下游的掩模支架(7、7’)，分别被构造用于固持掩模(8、8’)；
基板架(9、9’)，分别对应于掩模支架(7、7’)中的一个或多个并且沿流动方向(S)布置在所述掩模(8、8’)下游，其中，所述基板架(9、9’)彼此实体分离并且被构造用于固持所述一个或多个基板(10)中的至少一个；
针对基板架(9、9’)中的每一个的移动机构(11、11’)，被构造为将所述基板架(9、9’)从远离掩模支架(7、7’)的第一位置移动至邻近掩模支架(7、7’)的第二位置，在第一位置上，所述基板架(9、9’)可装载和可卸载一个或多个基板(10、10’)，在第二位置上，布置在所述基板架(9、9’)上的一个或多个基板(10、10’)中的至少一个能够在与一个或多个掩模(8、8’)处于接触的情况下被涂层；
其中，至少一个屏蔽元件(6)是统一的屏蔽元件，或者是多个屏蔽元件，并且能够在屏蔽位置与保存室(17)之间移动，
其中，当至少一个屏蔽元件(6)位于所述屏蔽位置时，至少一个屏蔽元件(6)布置在所有掩模支架(7、7’)与至少一个进气机构(3)的所有排气面之间，并且
其中，当至少一个屏蔽元件(6)位于所述保存室(17)时，一个或多个基板(10、10’)被涂层。
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