JP7376595B2 - 浮遊ゲート、結合ゲート、及び消去ゲートを有するメモリセル、並びにその製造方法 - Google Patents
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Description
本出願は2018年12月3日に出願された、「Memory Cell With Floating Gate,Coupling Gate And Erase Gate,And Method Of Making Same」と題する米国特許出願第16/208,297号の優先権を主張する。
本発明は、不揮発性フラッシュメモリデバイスに関し、より具体的には、コア及び高電圧論理デバイスと同じチップに埋設されたフラッシュメモリのアレイに関する。
Claims (6)
- メモリデバイスであって、
半導体基板と、
該基板に形成された第1のソース領域及び第1のドレイン領域であって、前記基板の第1のチャネル領域は、前記第1のソース領域と前記第1のドレイン領域との間に延在している、第1のソース領域及び第1のドレイン領域と、
前記第1のチャネル領域の上方に配設され、該第1のチャネル領域から絶縁された浮遊ゲートであって、前記第1のチャネル領域の導電性は、前記浮遊ゲートによって単独で制御される、浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲートの上方に配設され、該浮遊ゲートから絶縁された制御ゲートと、
前記ソース領域の上方に配設され、該ソース領域から絶縁された消去ゲートであって、該消去ゲートは、前記浮遊ゲートの縁部に面し、前記浮遊ゲートの前記縁部から絶縁されるノッチを含む、消去ゲートと、
前記基板に形成された第2のソース領域及び第2のドレイン領域であって、前記基板の第2のチャネル領域は、前記第2のソース領域と前記第2のドレイン領域との間に延在している、第2のソース領域及び第2のドレイン領域と、
前記第2のチャネル領域の上方に配設され、該第2のチャネル領域から絶縁された第1の論理ゲートであって、該第1の論理ゲートは、前記第2のチャネル領域の導電性を制御する、第1の論理ゲートと、
前記基板に形成された第3のソース領域及び第3のドレイン領域であって、前記基板の第3のチャネル領域は、前記第3のソース領域と前記第3のドレイン領域との間に延在している、第3のソース領域及び第3のドレイン領域と、
前記第3のチャネル領域の上方に配設され、該第3のチャネル領域から絶縁された第2の論理ゲートであって、該第2の論理ゲートは、前記第3のチャネル領域の導電性を制御する、第2の論理ゲートと、を備え、
前記第1の論理ゲートは、第1の厚さを有する第1の絶縁体によって前記第2のチャネル領域から絶縁され、
前記第2の論理ゲートは、前記第1の厚さより大きい第2の厚さを有する第2の絶縁体によって前記第3のチャネル領域から絶縁され、
前記第3のソース領域は、前記基板の表面に対して、前記第2のソース領域より深く前記基板内に延在し、
前記第3のドレイン領域は、前記基板の前記表面に対して、前記第2のドレイン領域より深く前記基板内に延在するメモリデバイス。 - メモリデバイスであって、
半導体基板と、
該基板に形成された第1のソース領域と、
前記基板に形成された第1のドレイン領域及び第2のドレイン領域であって、前記基板の第1のチャネル領域は、前記第1のドレイン領域と前記第1のソース領域との間に延在し、前記基板の第2のチャネル領域は、前記第2のドレイン領域と前記第1のソース領域との間に延在する、第1のドレイン領域及び第2のドレイン領域と、
前記第1のチャネル領域の上方に配設され、該第1のチャネル領域から絶縁された第1の浮遊ゲートであって、前記第1のチャネル領域の導電性は、前記第1の浮遊ゲートによって単独で制御される、第1の浮遊ゲートと、
前記第2のチャネル領域の上方に配設され、該第2のチャネル領域から絶縁された第2の浮遊ゲートであって、前記第2のチャネル領域の導電性は、前記第2の浮遊ゲートによって単独で制御される、第2の浮遊ゲートと、
前記第1の浮遊ゲートの上方に配設され、該第1の浮遊ゲートから絶縁された第1の制御ゲートと、
前記第2の浮遊ゲートの上方に配設され、該第2の浮遊ゲートから絶縁された第2の制御ゲートと、
前記第1のソース領域の上方に配設され、該第1のソース領域から絶縁された消去ゲートであって、該消去ゲートは、前記第1の浮遊ゲートの縁部に面し、前記第1の浮遊ゲートの前記縁部から絶縁される第1のノッチと、前記第2の浮遊ゲートの縁部に面し、前記第2の浮遊ゲートの前記縁部から絶縁される第2のノッチとを含む消去ゲートと、
前記基板に形成された第2のソース領域及び第3のドレイン領域であって、前記基板の第3のチャネル領域は、前記第2のソース領域と前記第3のドレイン領域との間に延在している、第2のソース領域及び第3のドレイン領域と、
前記第3のチャネル領域の上方に配設され、該第3のチャネル領域から絶縁され、前記第3のチャネル領域の導電性を制御する第1の論理ゲートと、
前記基板に形成された第3のソース領域及び第4のドレイン領域であって、前記基板の第4のチャネル領域は、前記第3のソース領域と前記第4のドレイン領域との間に延在している、第3のソース領域及び第4のドレイン領域と、
前記第4のチャネル領域の上方に配設され、該第4のチャネル領域から絶縁され、前記第4のチャネル領域の導電性を制御する第2の論理ゲートと、を備え、
前記第1の論理ゲートは、第1の厚さを有する第1の絶縁体によって前記第3のチャネル領域から絶縁され、
前記第2の論理ゲートは、前記第1の厚さより大きい第2の厚さを有する第2の絶縁体によって前記第4のチャネル領域から絶縁され、
前記第3のソース領域は、前記基板の表面に対して、前記第2のソース領域より深く前記基板内に延在し、
前記第4のドレイン領域は、前記基板の前記表面に対して、前記第3のドレイン領域より深く前記基板内に延在するメモリデバイス。 - メモリデバイスを形成する方法であって、
半導体基板に第1のソース領域及び第1のドレイン領域を形成するステップであって、前記基板の第1のチャネル領域は、前記第1のソース領域と前記第1のドレイン領域との間に延在している、ステップと、
前記第1のチャネル領域の上方に、該第1のチャネル領域から絶縁された浮遊ゲートを形成するステップであって、前記第1のチャネル領域の導電性は、前記浮遊ゲートによって単独で制御される、ステップと、
前記浮遊ゲートの上方に、前記浮遊ゲートから絶縁された制御ゲートを形成するステップと、
前記ソース領域の上方に、前記ソース領域から絶縁された消去ゲートを形成するステップであって、前記消去ゲートは、前記浮遊ゲートの縁部に面し、前記浮遊ゲートの前記縁部から絶縁されるノッチを含む、ステップと、
前記基板に第2のソース領域及び第2のドレイン領域を形成するステップであって、前記基板の第2のチャネル領域は、前記第2のソース領域と前記第2のドレイン領域との間に延在している、ステップと、
前記第2のチャネル領域の上方に、前記第2のチャネル領域から絶縁された第1の論理ゲートを形成するステップであって、前記第1の論理ゲートは、前記第2のチャネル領域の導電性を制御する、ステップと、
前記基板に第3のソース領域及び第3のドレイン領域を形成するステップであって、前記基板の第3のチャネル領域は、前記第3のソース領域と前記第3のドレイン領域との間に延在している、ステップと、
前記第3のチャネル領域の上方に、前記第3のチャネル領域から絶縁された第2の論理ゲートを形成するステップであって、前記第2の論理ゲートは、前記第3のチャネル領域の導電性を制御する、ステップと、を含み、
前記第1の論理ゲートは、第1の厚さを有する第1の絶縁体によって前記第2のチャネル領域から絶縁され、
前記第2の論理ゲートは、前記第1の厚さより大きい第2の厚さを有する第2の絶縁体によって前記第3のチャネル領域から絶縁され、
前記第3のソース領域は、前記基板の表面に対して、前記第2のソース領域より深く前記基板内に延在し、
前記第3のドレイン領域は、前記基板の前記表面に対して、前記第2のドレイン領域より深く前記基板内に延在する、方法。 - 前記消去ゲート、前記第1の論理ゲート、及び前記第2の論理ゲートを形成するステップは、
前記基板の上方にポリシリコン層を形成するステップと、
前記ポリシリコン層をエッチングして、前記ポリシリコン層の別個の第1のブロック、第2のブロック、及び第3のブロックを形成するステップとを含み、前記第1のブロックは前記消去ゲートであり、前記第2のブロックは前記第1の論理ゲートであり、前記第3のブロックは前記第2の論理ゲートである、請求項3に記載の方法。 - メモリデバイスを形成する方法であって、
半導体基板に第1のソース領域を形成するステップと、
前記基板に第1のドレイン領域及び第2のドレイン領域を形成するステップであって、前記基板の第1のチャネル領域は、前記第1のドレイン領域と前記第1のソース領域との間に延在し、前記基板の第2のチャネル領域は、前記第2のドレイン領域と前記第1のソース領域との間に延在する、ステップと、
前記第1のチャネル領域の上方に、該第1のチャネル領域から絶縁された第1の浮遊ゲートを形成するステップであって、前記第1のチャネル領域の導電性は、前記第1の浮遊ゲートによって単独で制御される、ステップと、
前記第2のチャネル領域の上方に、該第2のチャネル領域から絶縁された第2の浮遊ゲートを形成するステップであって、前記第2のチャネル領域の導電性は、前記第2の浮遊ゲートによって単独で制御される、ステップと、
前記第1の浮遊ゲートの上方に、該第1の浮遊ゲートから絶縁された第1の制御ゲートを形成するステップと、
前記第2の浮遊ゲートの上方に、該第2の浮遊ゲートから絶縁された第2の制御ゲートを形成するステップと、
前記第1のソース領域の上方に、該第1のソース領域から絶縁された消去ゲートを形成するステップであって、前記消去ゲートは、前記第1の浮遊ゲートの縁部に面し、前記第1の浮遊ゲートの前記縁部から絶縁される第1のノッチと、前記第2の浮遊ゲートの縁部に面し、前記第2の浮遊ゲートの前記縁部から絶縁される第2のノッチとを含む、ステップと、
前記基板に第2のソース領域及び第3のドレイン領域を形成するステップであって、前記基板の第3のチャネル領域は、前記第2のソース領域と前記第3のドレイン領域との間に延在している、ステップと、
前記第3のチャネル領域の上方に、該第3のチャネル領域から絶縁された第1の論理ゲートを形成するステップであって、前記第1の論理ゲートは、前記第3のチャネル領域の導電性を制御する、ステップと、
前記基板に第3のソース領域及び第4のドレイン領域を形成するステップであって、前記基板の第4のチャネル領域は、前記第3のソース領域と前記第4のドレイン領域との間に延在している、ステップと、
前記第4のチャネル領域の上方に、該第4のチャネル領域から絶縁された第2の論理ゲートを形成するステップであって、前記第2の論理ゲートは、前記第4のチャネル領域の導電性を制御する、ステップと、を含み、
前記第1の論理ゲートは、第1の厚さを有する第1の絶縁体によって前記第3のチャネル領域から絶縁され、
前記第2の論理ゲートは、前記第1の厚さより大きい第2の厚さを有する第2の絶縁体によって前記第4のチャネル領域から絶縁され、
前記第3のソース領域は、前記基板の表面に対して、前記第2のソース領域より深く前記基板内に延在し、
前記第4のドレイン領域は、前記基板の前記表面に対して、前記第3のドレイン領域より深く前記基板内に延在する、方法。 - 前記消去ゲート、前記第1の論理ゲート、及び前記第2の論理ゲートを形成するステップは、
前記基板の上方にポリシリコン層を形成するステップと、
前記ポリシリコン層をエッチングして、前記ポリシリコン層の別個の第1のブロック、第2のブロック、及び第3のブロックを形成するステップとを含み、前記第1のブロックは前記消去ゲートであり、前記第2のブロックは前記第1の論理ゲートであり、前記第3のブロックは前記第2の論理ゲートである、請求項5に記載の方法。
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