JP7359322B2 - 四塩化ケイ素の測定ユニット、四塩化ケイ素の品質評価方法、四塩化ケイ素の品質管理方法、炭化ケイ素基板の製造方法、および、炭化ケイ素基板製造装置 - Google Patents
四塩化ケイ素の測定ユニット、四塩化ケイ素の品質評価方法、四塩化ケイ素の品質管理方法、炭化ケイ素基板の製造方法、および、炭化ケイ素基板製造装置 Download PDFInfo
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Description
SiCl4 + 2H2O → SiO2 + 4HCl・・・(1)
本発明の一実施形態にかかる炭化ケイ素基板製造装置および、測定ユニットについて、図1、図2を参照して説明する。図1は、炭化ケイ素基板製造装置500の構成を模式的に示す図であり、図中の矢印は液体状の四塩化ケイ素が流れる方向を示している。本実施形態にかかる炭化ケイ素基板製造装置500は、例えば、熱化学蒸着法により、成膜対象である支持基板上に炭化ケイ素のエピタキシャル膜や炭化ケイ素多結晶膜を成膜させて、炭化ケイ素基板を製造することに用いることができる。以下の説明では、支持基板に炭化ケイ素多結晶膜を成膜して、炭化ケイ素多結晶基板を製造することについて例示する。
SiCl4 + 2H2O → SiO2 + 4HCl・・・(1)
I=I0e-αx ・・・(2)
ニット100cは、管状部材140bの一部に光透過部120c1、120c2が設けられており、光透過部120c2は光透過部120c1から周方向に90°の箇所に設けられている。測定ユニット100cのように、測定ユニットの設置の都合に応じて、光Lが、四塩化ケイ素が流れる配管の中心を通らずに、入光した箇所(光透過部120c1)から例えば周方向に90°の箇所(光透過部120c2)から透過して受光素子130に受光されるように構成されていてもよい。また、測定ユニット100cの場合、光が管状部材140c内の反射鏡で角度を変えて反射して、受光素子130等へ進むという態様も取り得る。
次に、本発明の一実施形態にかかる品質評価方法について、図1を参照して説明する。本実施形態にかかる品質評価方法は、前述した測定ユニットを用いて、液体状の四塩化ケイ素の品質を評価するものである。以下の説明においては、前述した炭化ケイ素基板製造装置500の測定ユニット100を用いて、四塩化ケイ素の品質を評価する方法について説明する。
次に、本発明の一実施形態にかかる品質管理方法について、図1を参照して説明する。本実施形態にかかる品質管理方法は、前述した四塩化ケイ素の品質評価方法を用いて、例えば炭化ケイ素基板製造装置500等の炭化ケイ素基板製造装置において、液体状の四塩化ケイ素の品質を評価するものである。以下の説明においては、前述した炭化ケイ素基板製造装置500における、四塩化ケイ素の品質管理方法について説明する。
次に、本発明の一実施形態にかかる炭化ケイ素基板の製造方法について、図1を参照して説明する。本実施形態にかかる炭化ケイ素基板の製造方法は、前述した四塩化ケイ素の品質管理方法を用いて、例えば炭化ケイ素基板製造装置500等の炭化ケイ素基板製造装置において、炭化ケイ素多結晶膜や炭化ケイ素エピタキシャル膜を蒸着して、炭化ケイ素基板を製造するものである。以下の説明においては、前述した炭化ケイ素基板製造装置500における、炭化ケイ素基板の製造方法について説明する。
管430に設けられている点以外は測定ユニット100と同様の構成である。
(実施例1)
炭化ケイ素多結晶基板となる、炭化ケイ素多結晶膜を成膜する条件は以下の通りである。支持基板として、直径150mm、厚さ500μmの黒鉛基板を使用した。透明配管は、FEP製の円管状で、内径6mm、外径8mm、長さ5cmとした。本支持基板を炭化ケイ素基板製造装置500の蒸着炉内に固定し、炉内を排気ポンプにより真空引きを行った後、1350℃まで加熱した。原料ガスとして、SiCl4(四塩化ケイ素)、CH4を用い、キャリアガスとしてH2を用い、不純物ドーピングガスとしてN2を用いた。炭化ケイ素多結晶膜の蒸着工程においては、SiCl4:CH4:H2:N2=1:1:10:10の条件で、40時間の成膜を実施した。
比較例1として、気化器に供給された液体状四塩化ケイ素の光吸収係数が0.20cm-1であること以外は実施例1と同じ方法で成膜を行った。支持基板に成膜した炭化ケイ素多結晶膜の外観について、色むらや異物生成の有無を目視にて確認したところ、成膜した炭化ケイ素多結晶膜100枚中、色むらや異物生成が見られたのは20枚であった。炭化ケイ素多結晶膜におけるこれらの異常は、ガス状の四塩化ケイ素に残存する二酸化ケイ素由来の酸素源の混入により、色味の変化、低効率の悪化、空孔の発生が起こったものと考えられた。
以上の評価結果により本発明の例示的態様である実施例1のように、蒸着炉に供給する四塩化ケイ素を気化する気化器に供給される、液体状の四塩化ケイ素の光吸収係数を測定することで、四塩化ケイ素が空気と接触して変質したことを成膜する前に検知でき、炭化ケイ素多結晶膜の品質が向上することが確認された。また、液体状の四塩化ケイ素の品質の変化を炭化ケイ素の成膜前および成膜中に検知することができるため、高品質で歩留まりのよい炭化ケイ素基板の製造が可能となることが示された。また、液体マスフローコントローラや気化器等の、各装置の故障のリスクが低減され、生産性が向上することが見込まれた。
100、100A 測定ユニット
10 原料タンク
20 蒸着炉
30 気化器
40 原料供給配管
41、41A、41B、41C 第1原料供給配管
42 第2原料供給配管
50 液体マスフローコントローラ
60 廃棄タンク
90 原料濾過部
110 光源
120、120A 光透過部
130 受光素子
420 本流管
430 支流管
L 光
L’ 透過した光
Claims (7)
- 液体状の四塩化ケイ素の光吸収係数を算出する光吸収係数算出工程と、
前記光吸収係数算出工程で算出した前記光吸収係数が、基準を満たすか否かを判定する判定工程と、を備える、測定ユニットを用いる、液体状の四塩化ケイ素の品質を評価する四塩化ケイ素の品質評価方法を用いて、液体状の四塩化ケイ素の品質を評価する品質評価工程と、
前記判定工程において前記基準を満たした液体状の前記四塩化ケイ素の、液体状の前記四塩化ケイ素を供給する原料供給配管での供給を継続する供給工程を含む、四塩化ケイ素の品質管理方法を用いて、液体状の四塩化ケイ素の品質を管理する品質管理工程と、
前記品質管理工程において前記基準を満たした液体状の前記四塩化ケイ素を気化する気化工程と、
炭化ケイ素基板製造工程と、を含み、
前記光吸収係数の前記基準が、400nm~700nmの波長範囲において、0.1cm-1以下であり、
前記炭化ケイ素基板製造工程が、前記気化工程により気化した前記四塩化ケイ素を用いて、炭化ケイ素の化学蒸着を行う蒸着工程を含み、
前記測定ユニットは、液体状の四塩化ケイ素の光吸収係数を測定する測定ユニットであって、
光源と、
液体状の前記四塩化ケイ素を供給する前記原料供給配管に設けられ、前記光源からの光を透過する光透過部と、
前記光透過部を透過する前記光を受光する受光素子と、を備える、四塩化ケイ素の測定ユニットである、炭化ケイ素基板の製造方法。 - 前記測定ユニットは、前記光源と前記受光素子とが、前記光透過部を挟んで対向して設けられており、
前記光透過部において、液体状の前記四塩化ケイ素が流れる方向と、前記光源と前記受光素子との対向方向とが直交する、請求項1に記載の炭化ケイ素基板の製造方法。 - 前記四塩化ケイ素の品質管理方法は、前記判定工程において前記基準を満たさない液体状の前記四塩化ケイ素を廃棄する廃棄工程を含む、請求項1または2に記載の炭化ケイ素基板の製造方法。
- 液体状の四塩化ケイ素を貯蔵する原料タンクと、
炭化ケイ素を化学蒸着する蒸着炉と、
液体状の前記四塩化ケイ素を気化する気化器と、
前記原料タンクから前記気化器に液体状の前記四塩化ケイ素を供給する原料供給配管と、
液体状の前記四塩化ケイ素の光吸収係数を測定する測定ユニットと、を備え、
前記測定ユニットが、光源と、前記光源からの光を透過する光透過部と、前記光透過部を透過する前記光を受光する受光素子と、を有し、
前記光透過部が前記原料供給配管に設けられている、炭化ケイ素基板製造装置。 - 前記原料供給配管が、本流管と、前記本流管から分岐して、前記本流管を流れる液体状の前記四塩化ケイ素の一部が分岐して流れたのちに前記本流管に合流するように構成された支流管と、を有し、
前記光透過部が前記支流管に設けられている、請求項4に記載の炭化ケイ素基板製造装置。 - 液体マスフローコントローラをさらに備え、
前記原料供給配管は、前記原料タンクと前記液体マスフローコントローラをつなぐ第1原料供給配管と、
前記液体マスフローコントローラと前記気化器とをつなぐ第2原料供給配管と、を有し、
前記光透過部が、前記第1原料供給配管に設けられる、請求項4または5に記載の炭化ケイ素基板製造装置。 - 前記第1原料供給配管に接続された廃棄タンクをさらに有する、請求項6に記載の炭化ケイ素基板製造装置。
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Citations (8)
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---|---|---|---|---|
JP2003059836A (ja) | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 気相成長装置用ガス供給方法およびその装置 |
JP2005060118A (ja) | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス微粒子堆積体の製造方法及びガラスの製造方法 |
JP2005306645A (ja) | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Sumitomo Titanium Corp | 高純度四塩化けい素とその製造方法 |
JP2007530401A (ja) | 2004-03-19 | 2007-11-01 | インテグリス・インコーポレーテッド | ゼオライトを用いて無機ハロゲン化物及びオキシハロゲン化物を精製する方法及び装置 |
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---|---|---|---|---|
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JP2005060118A (ja) | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス微粒子堆積体の製造方法及びガラスの製造方法 |
JP2007530401A (ja) | 2004-03-19 | 2007-11-01 | インテグリス・インコーポレーテッド | ゼオライトを用いて無機ハロゲン化物及びオキシハロゲン化物を精製する方法及び装置 |
JP2005306645A (ja) | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Sumitomo Titanium Corp | 高純度四塩化けい素とその製造方法 |
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