JP7354104B2 - 耐酸化性金属錫 - Google Patents
耐酸化性金属錫 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7354104B2 JP7354104B2 JP2020528358A JP2020528358A JP7354104B2 JP 7354104 B2 JP7354104 B2 JP 7354104B2 JP 2020528358 A JP2020528358 A JP 2020528358A JP 2020528358 A JP2020528358 A JP 2020528358A JP 7354104 B2 JP7354104 B2 JP 7354104B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ppm
- less
- content
- tin
- measurement limit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C13/00—Alloys based on tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C13/00—Alloys based on tin
- C22C13/02—Alloys based on tin with antimony or bismuth as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25C—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25C7/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells; Servicing or operating of cells
- C25C7/04—Diaphragms; Spacing elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
- B65D81/00—Containers, packaging elements, or packages, for contents presenting particular transport or storage problems, or adapted to be used for non-packaging purposes after removal of contents
- B65D81/18—Containers, packaging elements, or packages, for contents presenting particular transport or storage problems, or adapted to be used for non-packaging purposes after removal of contents providing specific environment for contents, e.g. temperature above or below ambient
- B65D81/20—Containers, packaging elements, or packages, for contents presenting particular transport or storage problems, or adapted to be used for non-packaging purposes after removal of contents providing specific environment for contents, e.g. temperature above or below ambient under vacuum or superatmospheric pressure, or in a special atmosphere, e.g. of inert gas
- B65D81/2007—Containers, packaging elements, or packages, for contents presenting particular transport or storage problems, or adapted to be used for non-packaging purposes after removal of contents providing specific environment for contents, e.g. temperature above or below ambient under vacuum or superatmospheric pressure, or in a special atmosphere, e.g. of inert gas under vacuum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B25/00—Obtaining tin
- C22B25/02—Obtaining tin by dry processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
- C22B9/04—Refining by applying a vacuum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25C—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25C1/00—Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions
- C25C1/14—Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions of tin
Description
本発明は、耐酸化性金属錫に関する。
近年、半導体製造の微細化が進むにつれて、高純度金属錫の高純度特性に対する要求も高まってきている。高純度金属錫は、例えば電解精製によって製造されて、その高純度特性を損なわないように梱包されて出荷される。特許文献１は高純度金属錫の電解精製による製造を開示している。特許文献２は高純度金属錫の梱包方法を開示している。
半導体製造の微細化のために、溶融された錫がＥＵＶ露光装置（極端紫外線リソグラフィ装置）に使用される。この使用に適した高純度金属錫が求められるようになってきた。
したがって、本発明の目的は、ＥＵＶ露光装置に好適に使用可能な、高純度金属錫を提供することにある。
ＥＵＶ露光装置に使用される錫は、溶融して使用される。ドロップレットジェネレーターと呼ばれる容器から排出された２０μｍ以下の溶融錫の液滴を、ＣＯ2ガスレーザーと反応させることで、ＥＵＶ（極端紫外線）が発生する。安定したＥＵＶを発生させるためには、安定して２０μｍ以下の錫の液滴を排出し続けることが必要である。
ところが、本発明者の知見によれば、錫に酸化物が多く含まれるとドロップレットジェネレーターの先端が詰まり、液滴の安定した発生を妨げることがわかった。そして、この錫に含まれる酸化物がわずかであっても、ＥＵＶ露光装置では溶融した錫が連続的に供給されるから、目詰まりの原因となる酸化物はＥＵＶ露光装置を運転すれば継続して蓄積してゆき、いつかはトラブルを生じる。これを防ぐには定期的にＥＵＶ露光装置の運転を止めて、清掃や部品交換をしなければならず、結果としてＥＵＶ露光装置を含むライン全体の運転効率を大きく低下させる。
そこで、本発明者は、ＥＵＶ露光装置に好適に使用可能とするために、酸化物の含有が低減された、耐酸化性の高純度金属錫の研究開発を鋭意行うこととした。
そして、本発明者は、溶融前の金属錫は、固体として取り扱われているから、その酸化は金属固体の表面で進行することに着目してさらに鋭意研究開発を行って、後述の手段によって表面酸化の進行が著しく低減された高純度金属錫を得て、本発明に到達した。
したがって、本発明は以下の（１）を含む：
耐酸化性金属錫であって、
９９．９９５質量％以上の錫、及び不可避不純物を含有してなり、
切断面の表面をＡＥＳによって測定した酸化皮膜の厚みが、２．０ｎｍ以下である、耐酸化性金属錫。
耐酸化性金属錫であって、
９９．９９５質量％以上の錫、及び不可避不純物を含有してなり、
切断面の表面をＡＥＳによって測定した酸化皮膜の厚みが、２．０ｎｍ以下である、耐酸化性金属錫。
本発明による耐酸化性の高純度金属錫は、表面酸化の進行が著しく低減されているために、ＥＵＶ露光装置に使用される溶融錫として、好適に使用可能である。
本発明を具体的な実施の形態をあげて以下に詳細に説明する。本発明は以下に開示された具体的な実施の形態に限定されるものではない。
［耐酸化性金属錫］
本発明に係る耐酸化性金属錫は、好適な実施の態様において、９９．９９５質量％以上の錫、及び不可避不純物を含有してなり、切断面の表面をＡＥＳによって測定した酸化皮膜の厚みが、２．０ｎｍ以下である、耐酸化性金属錫にある。
本発明に係る耐酸化性金属錫は、好適な実施の態様において、９９．９９５質量％以上の錫、及び不可避不純物を含有してなり、切断面の表面をＡＥＳによって測定した酸化皮膜の厚みが、２．０ｎｍ以下である、耐酸化性金属錫にある。
［酸化被膜の厚み］
好適な実施の態様において、本発明に係る耐酸化性金属錫は、切断面の表面を、切断直後から７２時間の大気曝露後にＡＥＳによって測定開始して測定した酸化皮膜の厚みが、例えば２．０ｎｍ以下であり、好ましくは１．９ｎｍ以下、さらに好ましくは１．８ｎｍ以下、さらに好ましくは１．７ｎｍ以下、さらに好ましくは１．６ｎｍ以下、さらに好ましくは１．５ｎｍ以下、さらに好ましくは１．４ｎｍ以下、さらに好ましくは１．３ｎｍ以下、さらに好ましくは１．２ｎｍ以下である。本発明における耐酸化性とは、切断直後から７２時間の大気曝露後の酸化被膜の厚みが、上記のように低減されていることをいう。耐酸化性の程度は、所定条件下の酸化皮膜の厚みの測定によって、定量化される。７２時間の大気曝露は、室温下、具体的には約２５℃に維持して行われる。
好適な実施の態様において、本発明に係る耐酸化性金属錫は、切断面の表面を、切断直後から７２時間の大気曝露後にＡＥＳによって測定開始して測定した酸化皮膜の厚みが、例えば２．０ｎｍ以下であり、好ましくは１．９ｎｍ以下、さらに好ましくは１．８ｎｍ以下、さらに好ましくは１．７ｎｍ以下、さらに好ましくは１．６ｎｍ以下、さらに好ましくは１．５ｎｍ以下、さらに好ましくは１．４ｎｍ以下、さらに好ましくは１．３ｎｍ以下、さらに好ましくは１．２ｎｍ以下である。本発明における耐酸化性とは、切断直後から７２時間の大気曝露後の酸化被膜の厚みが、上記のように低減されていることをいう。耐酸化性の程度は、所定条件下の酸化皮膜の厚みの測定によって、定量化される。７２時間の大気曝露は、室温下、具体的には約２５℃に維持して行われる。
酸化被膜の厚みは、ＡＥＳ（オージェ電子分光法）（使用装置：ＰＨＩ－７００ アルバックファイ製 電圧１０ｋＶ、電流１０ｎＡ）によって測定することができる。酸化被膜の厚みは、具体的には、実施例において後述する手段によって、測定することができる。ＡＥＳでは縦軸の単位をＡｔｏｍｉｃ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ（％）に変換し、酸素の測定値が５％（Ａｔｏｍｉｃ ％）以下になった最初の測定点までに要した時間を算出する。そして、その時間とスパッタレートから酸化被膜を算出する。例えば、要した時間が１分、スパッタレートが２ｎｍ／分の場合だと酸化被膜は１ｍｉｎ×２ｎｍ／ｍｉｎ＝２ｎｍと算出できる。
［不可避不純物］
本発明の耐酸化性金属錫において、不可避不純物の含有量を例えば１００質量ｐｐｍ以下、好ましくは１０質量ｐｐｍ以下とすることができる。言い換えれば、本発明の耐酸化性金属錫において、Ｓｎの含有量を例えば９９．９９５質量％以上、好ましくは９９．９９９質量％以上とすることができる。
本発明の耐酸化性金属錫において、不可避不純物の含有量を例えば１００質量ｐｐｍ以下、好ましくは１０質量ｐｐｍ以下とすることができる。言い換えれば、本発明の耐酸化性金属錫において、Ｓｎの含有量を例えば９９．９９５質量％以上、好ましくは９９．９９９質量％以上とすることができる。
不可避不純物の含有量、及び錫の純度の算出はＧＤＭＳの結果を用いて行うことができる。測定結果が測定限界未満であった元素は測定限界値を含むものとして計算する。例えば、Ｌｉ含有量のＧＤＭＳ分析結果が０．００５ｐｐｍ未満であった場合、Ｌｉ含有量は０．００５ｐｐｍと扱って、錫の純度を算出する。
この定義によって算出した表１－１の試料２の不純物元素の合計値は７．６７２質量ｐｐｍであるため、試料２の純度は９９．９９９質量％以上、すなわち５Ｎの純度を有する。一方、試料１の不純物元素の合計値は１３．８６６質量ｐｐｍであるため、純度は９９．９９質量％以上、すなわち４Ｎの純度を有する。
好適な実施の態様において、不可避不純物として、以下の各元素の含有量を、それぞれ記載した範囲とすることができる。ただし、以下の含有量の数値の単位は、ｗｔ％と記載されたものは質量％であり、ｐｐｍと記載されたものは質量ｐｐｍであり、特に記載がないものは質量ｐｐｍである。
Ｌｉ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｂｅ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｂ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｆ含有量：０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｎａ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｍｇ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ａｌ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｓｉ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｐ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｓ含有量：０．０５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃｌ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｋ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃａ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｓｃ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｔｉ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｖ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃｒ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｍｎ含有量：０．０５ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｆｅ含有量：０．０５ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃｏ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｎｉ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃｕ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｚｎ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｇａ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｌｉ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｂｅ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｂ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｆ含有量：０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｎａ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｍｇ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ａｌ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｓｉ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｐ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｓ含有量：０．０５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃｌ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｋ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃａ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｓｃ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｔｉ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｖ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃｒ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｍｎ含有量：０．０５ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｆｅ含有量：０．０５ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃｏ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｎｉ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃｕ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｚｎ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｇａ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｇｅ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ａｓ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｓｅ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｂｒ含有量：０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｒｂ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｓｒ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｙ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｚｒ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｎｂ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｍｏ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｒｕ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｒｈ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｐｄ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ａｇ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃｄ含有量：０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｉｎ含有量：５ｐｐｍ以下、好ましくは１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｓｂ含有量：１ｐｐｍ以下、好ましくは０．５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｔｅ含有量：１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｉ含有量：０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃｓ含有量：０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｂａ含有量：１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｌａ含有量：１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃｅ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｐｒ含有量：１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｎｄ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｓｍ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ａｓ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｓｅ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｂｒ含有量：０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｒｂ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｓｒ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｙ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｚｒ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｎｂ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｍｏ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｒｕ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｒｈ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｐｄ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ａｇ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃｄ含有量：０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｉｎ含有量：５ｐｐｍ以下、好ましくは１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｓｂ含有量：１ｐｐｍ以下、好ましくは０．５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｔｅ含有量：１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｉ含有量：０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃｓ含有量：０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｂａ含有量：１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｌａ含有量：１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｃｅ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｐｒ含有量：１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｎｄ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｓｍ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｅｕ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｇｄ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｔｂ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｄｙ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｈｏ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｅｒ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｔｍ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｙｂ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｌｕ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｈｆ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｔａ含有量：１０ｐｐｍ以下、好ましくは５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｗ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｒｅ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｏｓ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｉｒ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｐｔ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ａｕ含有量：０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｈｇ含有量：０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｔｌ含有量：０．２ｐｐｍ以下、好ましくは０．０２ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｐｂ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｂｉ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｔｈ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｕ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｇｄ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｔｂ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｄｙ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｈｏ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｅｒ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｔｍ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｙｂ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｌｕ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｈｆ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｔａ含有量：１０ｐｐｍ以下、好ましくは５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｗ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｒｅ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｏｓ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｉｒ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｐｔ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ａｕ含有量：０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｈｇ含有量：０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｔｌ含有量：０．２ｐｐｍ以下、好ましくは０．０２ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｐｂ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｂｉ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｔｈ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
Ｕ含有量：０．１ｐｐｍ以下、好ましくは０．００５ｐｐｍ未満（測定限界未満）
［本発明の好適な態様］
好適な実施の態様として、本発明は、次の（１）以下を含む。
（１）
耐酸化性金属錫であって、
９９．９９５質量％以上の錫、及び不可避不純物を含有してなり、
切断面の表面をＡＥＳによって測定した酸化皮膜の厚みが、２．０ｎｍ以下である、耐酸化性金属錫。
（２）
切断面の表面を、切断直後から７２時間の大気曝露後にＡＥＳによって測定開始して測定した酸化皮膜の厚みが、２．０ｎｍ以下である、（１）に記載の耐酸化性金属錫。
（３）
ＡＥＳによって測定した酸化皮膜の厚みが、１．２ｎｍ以下である、（１）～（２）のいずれかに記載の耐酸化性金属錫。
（４）
９９．９９９質量％以上の錫、及び不可避不純物を含有してなる、（１）～（３）のいずれかに記載の耐酸化性金属錫。
（５）
不可避不純物として、Ｍｎの含有量が０．００５ｐｐｍ未満であり、Ｆｅの含有量が０．００５ｐｐｍ未満であり、Ｓｂの含有量が０．５ｐｐｍ未満であり、Ｓの含有量が０．０１ｐｐｍ未満である、（１）～（４）のいずれかに記載の耐酸化性金属錫。
（６）
（１）～（４）のいずれかに記載の耐酸化性金属錫が、真空梱包されてなる、耐酸化性金属錫梱包体。
好適な実施の態様として、本発明は、次の（１）以下を含む。
（１）
耐酸化性金属錫であって、
９９．９９５質量％以上の錫、及び不可避不純物を含有してなり、
切断面の表面をＡＥＳによって測定した酸化皮膜の厚みが、２．０ｎｍ以下である、耐酸化性金属錫。
（２）
切断面の表面を、切断直後から７２時間の大気曝露後にＡＥＳによって測定開始して測定した酸化皮膜の厚みが、２．０ｎｍ以下である、（１）に記載の耐酸化性金属錫。
（３）
ＡＥＳによって測定した酸化皮膜の厚みが、１．２ｎｍ以下である、（１）～（２）のいずれかに記載の耐酸化性金属錫。
（４）
９９．９９９質量％以上の錫、及び不可避不純物を含有してなる、（１）～（３）のいずれかに記載の耐酸化性金属錫。
（５）
不可避不純物として、Ｍｎの含有量が０．００５ｐｐｍ未満であり、Ｆｅの含有量が０．００５ｐｐｍ未満であり、Ｓｂの含有量が０．５ｐｐｍ未満であり、Ｓの含有量が０．０１ｐｐｍ未満である、（１）～（４）のいずれかに記載の耐酸化性金属錫。
（６）
（１）～（４）のいずれかに記載の耐酸化性金属錫が、真空梱包されてなる、耐酸化性金属錫梱包体。
以下に、実施例を挙げて、本発明を詳細に説明する。本発明は、以下に例示する実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
［耐酸化性の高純度金属錫の調製］
［電解精製］
市販の錫（純度４Ｎ）のインゴットを用意した。分析に供するために、この一部を採取して、試料１とした。
この市販の錫（純度４Ｎ）に対して、電解精製を行って精製錫を得た。具体的には電解精製は次の手順と条件で行った：
陰極と陽極とを陰イオン交換膜（旭硝子社製、セレミオンＡＭＶ）により仕切った電解槽の陰極側に所定量の硫酸溶液、陽極側に、ｐＨ０．５の希硫酸溶液を入れた。原料錫から鋳造した陽極とチタン製の陰極を電解槽内にそれぞれ配置し、電流密度２Ａ／ｄｍ2、液温３３℃で電解浸出して硫酸錫電解液（錫濃度１０５ｇ／Ｌ）を作製した。
尚、電解採取にあたっては、陽極側に酸化防止剤としてヒドロキノンを５ｇ／Ｌ添加した。
陽極室電解液を抜き出して、鉛を除去する浄液槽へ入れ、そこへ純水に分散させたスラリー状の炭酸ストロンチウムを電解液に対し５ｇ／Ｌ添加して１６時間攪拌し、攪拌後の電解液を吸引濾過により固液分離して、電解液中の鉛を除去して、除去後の電解液を陰極側に投入した。鉛除去後の鉛濃度は０．１ｍｇ／Ｌ未満であった。
陰極側の電解液には、ポリオキシエチレン（１０）ノニルフェニルエーテルを５ｇ／Ｌ添加した。この状態で、電流密度２Ａ／ｄｍ2、ｐＨ０．５、液温３０℃で、陰極側電解液の錫濃度が４８ｇ／Ｌになるまで電解採取をし、電解槽から陰極を引き上げた。陰極上に析出した電着錫を引き剥がして、電解精製による精製錫を得た。
電解精製によって得られた精製錫を、カーボンの鋳型に入れて約３００℃で溶解し、約３０ｋｇの高純度金属錫のインゴット（形状：円柱状、大きさ：φ１５０ｍｍ×２５０ｍｍ）を得た。
［耐酸化性の高純度金属錫の調製］
［電解精製］
市販の錫（純度４Ｎ）のインゴットを用意した。分析に供するために、この一部を採取して、試料１とした。
この市販の錫（純度４Ｎ）に対して、電解精製を行って精製錫を得た。具体的には電解精製は次の手順と条件で行った：
陰極と陽極とを陰イオン交換膜（旭硝子社製、セレミオンＡＭＶ）により仕切った電解槽の陰極側に所定量の硫酸溶液、陽極側に、ｐＨ０．５の希硫酸溶液を入れた。原料錫から鋳造した陽極とチタン製の陰極を電解槽内にそれぞれ配置し、電流密度２Ａ／ｄｍ2、液温３３℃で電解浸出して硫酸錫電解液（錫濃度１０５ｇ／Ｌ）を作製した。
尚、電解採取にあたっては、陽極側に酸化防止剤としてヒドロキノンを５ｇ／Ｌ添加した。
陽極室電解液を抜き出して、鉛を除去する浄液槽へ入れ、そこへ純水に分散させたスラリー状の炭酸ストロンチウムを電解液に対し５ｇ／Ｌ添加して１６時間攪拌し、攪拌後の電解液を吸引濾過により固液分離して、電解液中の鉛を除去して、除去後の電解液を陰極側に投入した。鉛除去後の鉛濃度は０．１ｍｇ／Ｌ未満であった。
陰極側の電解液には、ポリオキシエチレン（１０）ノニルフェニルエーテルを５ｇ／Ｌ添加した。この状態で、電流密度２Ａ／ｄｍ2、ｐＨ０．５、液温３０℃で、陰極側電解液の錫濃度が４８ｇ／Ｌになるまで電解採取をし、電解槽から陰極を引き上げた。陰極上に析出した電着錫を引き剥がして、電解精製による精製錫を得た。
電解精製によって得られた精製錫を、カーボンの鋳型に入れて約３００℃で溶解し、約３０ｋｇの高純度金属錫のインゴット（形状：円柱状、大きさ：φ１５０ｍｍ×２５０ｍｍ）を得た。
［熱処理］
電解精製によって得られた高純度金属錫のインゴットを、高温高真空化（８００℃、１０-3Ｐａ、１２時間）で熱処理を実施後、そのインゴットを回収した。
電解精製によって得られた高純度金属錫のインゴットを、高温高真空化（８００℃、１０-3Ｐａ、１２時間）で熱処理を実施後、そのインゴットを回収した。
［ＧＤＭＳ分析］
熱処理後のインゴットの一部を採取して、試料２を得た。試料２に対してＧＤＭＳ分析（装置名：Ａｓｔｒｕｍ）を実施した。この結果を表１（表１－１、表１－２、表１－３）に示す。表１において、単位の記載のない数値の単位は、いずれも質量ｐｐｍである。不等号で示された数値は測定限界未満であったことを示す。例えばＣｕの「＜０．００５」はＣｕが測定限界（０．００５質量ｐｐｍ）未満であったことを示す。気体成分であるＣ、Ｎ、Ｏは測定の対象としなかった。表１に示されるように、熱処理後のインゴットは、極めて高純度（純度：５Ｎ）であることが確認できた。
熱処理後のインゴットの一部を採取して、試料２を得た。試料２に対してＧＤＭＳ分析（装置名：Ａｓｔｒｕｍ）を実施した。この結果を表１（表１－１、表１－２、表１－３）に示す。表１において、単位の記載のない数値の単位は、いずれも質量ｐｐｍである。不等号で示された数値は測定限界未満であったことを示す。例えばＣｕの「＜０．００５」はＣｕが測定限界（０．００５質量ｐｐｍ）未満であったことを示す。気体成分であるＣ、Ｎ、Ｏは測定の対象としなかった。表１に示されるように、熱処理後のインゴットは、極めて高純度（純度：５Ｎ）であることが確認できた。
［鍛造］
このインゴット（形状：円柱状、大きさ：φ１５０ｍｍ×２５０ｍｍ）をφ４５ｍｍの円柱状へと鍛造を実施した。鍛造後のφ４５ｍｍの円柱状インゴットを、長さ１００ｍｍ程度に切断し、旋盤加工により外周表面を削ってφ３０ｍｍの円柱状インゴット（長さ：１００ｍｍ）を得た。旋盤加工の際には、表面に油が残らないように蒸発しやすいエタノールを切削油として用いた。
このインゴット（形状：円柱状、大きさ：φ１５０ｍｍ×２５０ｍｍ）をφ４５ｍｍの円柱状へと鍛造を実施した。鍛造後のφ４５ｍｍの円柱状インゴットを、長さ１００ｍｍ程度に切断し、旋盤加工により外周表面を削ってφ３０ｍｍの円柱状インゴット（長さ：１００ｍｍ）を得た。旋盤加工の際には、表面に油が残らないように蒸発しやすいエタノールを切削油として用いた。
［ＡＥＳ（オージェ電子分光法）による酸化被膜測定］
得られたφ３０ｍｍの円柱状のインゴットを、ＡＥＳで測定できる大きさにするため、３ｍｍ厚の円盤状に旋盤で切断し、すぐにエタノール洗浄して、試料３を得た。試料３を、７２時間大気中で暴露後、ＡＥＳ（アルバックファイ社製、装置名：ＰＨＩ－７００、条件：電圧１０ｋＶ、電流１０ｎＡ）で測定した。切断から測定開始までの時間は約７２時間となるようにした。ＡＥＳ測定はＳｉＯ2換算で２ｎｍ／ｍｉｎのスパッタレートで実施し、酸素の元素比率が５％以下になった最初の測定点の時間を、酸化被膜の厚みに相当するスパッタ時間として求めて、このスパッタ時間とスパッタレート（２ｎｍ／ｍｉｎ）から、酸化被膜の厚みを算出した。
得られたφ３０ｍｍの円柱状のインゴットを、ＡＥＳで測定できる大きさにするため、３ｍｍ厚の円盤状に旋盤で切断し、すぐにエタノール洗浄して、試料３を得た。試料３を、７２時間大気中で暴露後、ＡＥＳ（アルバックファイ社製、装置名：ＰＨＩ－７００、条件：電圧１０ｋＶ、電流１０ｎＡ）で測定した。切断から測定開始までの時間は約７２時間となるようにした。ＡＥＳ測定はＳｉＯ2換算で２ｎｍ／ｍｉｎのスパッタレートで実施し、酸素の元素比率が５％以下になった最初の測定点の時間を、酸化被膜の厚みに相当するスパッタ時間として求めて、このスパッタ時間とスパッタレート（２ｎｍ／ｍｉｎ）から、酸化被膜の厚みを算出した。
図１に、７２時間大気暴露後の試料３のＡＥＳ測定の結果のグラフを示す。図１のグラフの横軸はスパッタ時間（ｍｉｎ）であり、縦軸はＡｔｏｍｉｃ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ（％）（原子濃度（％））である。図１の部分拡大図を、図２に示す。図２において、酸素原子濃度が５％を下回った最初の測定点のスパッタ時間は、０．６分であった。すなわち７２時間大気暴露後の試料３の切断面の酸化被膜の厚みは１．２ｎｍであった。
［比較例１］
実施例１で使用されたものと同じく、市販の錫（純度４Ｎ）１５ｋｇのインゴットを用意した。この錫に対して、ＡＥＳでの測定可能なサイズにするために、帯鋸及びはさみで切断加工して、形状１０ｍｍ×１０ｍｍ×３ｍｍの試料を作成した。その後、切削油等で付着した汚れを落とすため、すぐにエタノールで洗浄して、試料４を得た。この試料４に対して、実施例１と同様に、７２時間大気暴露後、ＡＥＳ測定を行って、酸化被膜の厚さを求めた。
実施例１で使用されたものと同じく、市販の錫（純度４Ｎ）１５ｋｇのインゴットを用意した。この錫に対して、ＡＥＳでの測定可能なサイズにするために、帯鋸及びはさみで切断加工して、形状１０ｍｍ×１０ｍｍ×３ｍｍの試料を作成した。その後、切削油等で付着した汚れを落とすため、すぐにエタノールで洗浄して、試料４を得た。この試料４に対して、実施例１と同様に、７２時間大気暴露後、ＡＥＳ測定を行って、酸化被膜の厚さを求めた。
図３に、７２時間大気暴露後の試料４のＡＥＳ測定の結果のグラフを示す。図３の部分拡大図を、図４に示す。図４において、酸素原子濃度が５％を下回った最初の測定点のスパッタ時間は、３．６分であった。すなわち７２時間大気暴露後の試料４の切断面の酸化被膜の厚みは７．２ｎｍであった。
［比較例２］
実施例１と同様に、市販の錫（純度４Ｎ）のインゴットを用意し、電解精製を行い、高純度金属錫のインゴットを得た。ただし、実施例１とは異なり、その後の熱処理、及び鍛造は行わなかった。得られた高純度金属錫のインゴットに対して、比較例１と同様に切断加工して、形状１０ｍｍ×１０ｍｍ×３ｍｍの試料を作成した。その後、切削油等で付着した汚れを落とすため、すぐにエタノールで洗浄して、試料５を得た。この試料５に対して、実施例１と同様に、７２時間大気暴露後、ＡＥＳ測定を行って、酸化被膜の厚さを求めた。酸化被膜は２．４ｎｍであった。
実施例１と同様に、市販の錫（純度４Ｎ）のインゴットを用意し、電解精製を行い、高純度金属錫のインゴットを得た。ただし、実施例１とは異なり、その後の熱処理、及び鍛造は行わなかった。得られた高純度金属錫のインゴットに対して、比較例１と同様に切断加工して、形状１０ｍｍ×１０ｍｍ×３ｍｍの試料を作成した。その後、切削油等で付着した汚れを落とすため、すぐにエタノールで洗浄して、試料５を得た。この試料５に対して、実施例１と同様に、７２時間大気暴露後、ＡＥＳ測定を行って、酸化被膜の厚さを求めた。酸化被膜は２．４ｎｍであった。
［比較例３］
実施例１と同様に、市販の錫（純度４Ｎ）を用意した。ただし、実施例１とは異なり、電解精製は行わなかった。この市販の錫（純度４Ｎ）に対して、実施例１と同様に、熱処理（８００℃、１０-3Ｐａ、１２時間）を行い、次に鍛造を行った後に、切断加工及び旋盤加工を行ってφ３０ｍｍの円柱状インゴットを作成し、これを３ｍｍ厚の円盤状に旋盤で切断し、すぐにエタノール洗浄して、試料６を得た。この試料６に対して、実施例１と同様に、７２時間大気暴露後、ＡＥＳ測定を行って、酸化被膜の厚さを求めた。酸化被膜は３．６ｎｍであった。
実施例１と同様に、市販の錫（純度４Ｎ）を用意した。ただし、実施例１とは異なり、電解精製は行わなかった。この市販の錫（純度４Ｎ）に対して、実施例１と同様に、熱処理（８００℃、１０-3Ｐａ、１２時間）を行い、次に鍛造を行った後に、切断加工及び旋盤加工を行ってφ３０ｍｍの円柱状インゴットを作成し、これを３ｍｍ厚の円盤状に旋盤で切断し、すぐにエタノール洗浄して、試料６を得た。この試料６に対して、実施例１と同様に、７２時間大気暴露後、ＡＥＳ測定を行って、酸化被膜の厚さを求めた。酸化被膜は３．６ｎｍであった。
本発明によれば、ＥＵＶ露光装置に好適に使用可能な、高純度金属錫を提供できる。本発明は産業上有用な発明である。
Claims (6)
- 耐酸化性金属錫であって、
９９．９９５質量％以上の錫、及び不可避不純物を含有してなり、
切断面の表面をＡＥＳによって測定した酸化皮膜の厚みが、１．２ｎｍ以上、２．０ｎｍ以下である、耐酸化性金属錫。 - 切断面の表面を、切断直後から７２時間の大気曝露後にＡＥＳによって測定開始して測定した酸化皮膜の厚みが、１．２ｎｍ以上、２．０ｎｍ以下である、請求項１に記載の耐酸化性金属錫。
- ＡＥＳによって測定した酸化皮膜の厚みが、１．２ｎｍ以上、１．６ｎｍ以下である、請求項１～２のいずれかに記載の耐酸化性金属錫。
- ９９．９９９質量％以上の錫、及び不可避不純物を含有してなる、請求項１～３のいずれかに記載の耐酸化性金属錫。
- 不可避不純物として、Ｍｎの含有量が０．００５ｐｐｍ未満であり、Ｆｅの含有量が０．００５ｐｐｍ未満であり、Ｓｂの含有量が０．５ｐｐｍ未満であり、Ｓの含有量が０．０１ｐｐｍ未満である、請求項１～４のいずれかに記載の耐酸化性金属錫。
- 請求項１～５のいずれかに記載の耐酸化性金属錫が、真空梱包されてなる、耐酸化性金属錫梱包体。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019039018 | 2019-03-04 | ||
| JP2019039018 | 2019-03-04 | ||
| PCT/JP2020/008020 WO2020179614A1 (ja) | 2019-03-04 | 2020-02-27 | 耐酸化性金属錫 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2020179614A1 JPWO2020179614A1 (ja) | 2020-09-10 |
| JP7354104B2 true JP7354104B2 (ja) | 2023-10-02 |
Family
ID=72338631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020528358A Active JP7354104B2 (ja) | 2019-03-04 | 2020-02-27 | 耐酸化性金属錫 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210381082A1 (ja) |
| EP (1) | EP3872200A4 (ja) |
| JP (1) | JP7354104B2 (ja) |
| KR (2) | KR20200106916A (ja) |
| TW (1) | TWI739328B (ja) |
| WO (1) | WO2020179614A1 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013189710A (ja) | 2005-07-01 | 2013-09-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 高純度錫合金 |
| JP2018111135A (ja) | 2015-10-19 | 2018-07-19 | Ｊｘ金属株式会社 | 高純度錫及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4934785B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-05-16 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | Ｓｎめっき銅合金材料およびその製造方法 |
| JP2008156668A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 錫めっき厚さ設定方法 |
| JP6448417B2 (ja) | 2014-10-02 | 2019-01-09 | Ｊｘ金属株式会社 | 高純度錫の製造方法、高純度錫の電解採取装置及び高純度錫 |
| TWI634051B (zh) * | 2016-02-22 | 2018-09-01 | Ｊｘ金屬股份有限公司 | 高純度錫真空包裝品、將高純度錫真空包裝之方法及高純度錫真空包裝品之製造方法 |
| US11118276B2 (en) * | 2016-03-09 | 2021-09-14 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | High purity tin and method for producing same |
-
2020
- 2020-02-27 EP EP20767131.4A patent/EP3872200A4/en active Pending
- 2020-02-27 WO PCT/JP2020/008020 patent/WO2020179614A1/ja unknown
- 2020-02-27 KR KR1020207021936A patent/KR20200106916A/ko not_active IP Right Cessation
- 2020-02-27 KR KR1020247004051A patent/KR20240025031A/ko active Application Filing
- 2020-02-27 US US17/287,205 patent/US20210381082A1/en active Pending
- 2020-02-27 JP JP2020528358A patent/JP7354104B2/ja active Active
- 2020-03-03 TW TW109106911A patent/TWI739328B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013189710A (ja) | 2005-07-01 | 2013-09-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 高純度錫合金 |
| JP2018111135A (ja) | 2015-10-19 | 2018-07-19 | Ｊｘ金属株式会社 | 高純度錫及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2020179614A1 (ja) | 2020-09-10 |
| EP3872200A4 (en) | 2021-12-29 |
| WO2020179614A1 (ja) | 2020-09-10 |
| KR20200106916A (ko) | 2020-09-15 |
| KR20240025031A (ko) | 2024-02-26 |
| TWI739328B (zh) | 2021-09-11 |
| US20210381082A1 (en) | 2021-12-09 |
| TW202033783A (zh) | 2020-09-16 |
| EP3872200A1 (en) | 2021-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI628287B (zh) | 高純度錫及其製造方法 | |
| TWI577836B (zh) | High purity tin manufacturing methods, high purity tin electrolytic refining devices and high purity tin | |
| EP3524701B1 (en) | CORROSION-RESISTANT CuZn ALLOY | |
| JP2011214061A (ja) | α線量が少ないインジウム又はインジウムを含有する合金 | |
| CN111945000A (zh) | 一种金属提纯方法 | |
| JP7354104B2 (ja) | 耐酸化性金属錫 | |
| TWI810414B (zh) | 耐蝕性CuZn合金 | |
| WO2003097903A1 (fr) | Procede et dispositif de production de metal hautement pur | |
| EP3854895B1 (en) | Copper electrode material | |
| JP2014169502A (ja) | α線量が少ないインジウム又はインジウムを含有する合金 | |
| JP2000087271A (ja) | チタン材の洗浄方法 | |
| AU2011372574B2 (en) | High-purity yttrium, process for producing high-purity yttrium, high-purity yttrium sputtering target, metal gate film deposited with high-purity yttrium sputtering target, and semiconductor element and device equipped with said metal gate film | |
| JPH10324930A (ja) | 高純度カドミウムの製造方法及び製造装置 | |
| JP2016079450A (ja) | Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット | |
| JPH11269569A (ja) | ガリウムの精製方法 | |
| JPH11302837A (ja) | 薄膜形成用高純度Ｉｒ材料およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220825 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230426 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230531 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230906 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230920 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7354104 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |