KR20240025031A - 내산화성 금속 주석 - Google Patents
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Abstract
내산화성 금속 주석이며, 99.995질량％ 이상의 주석 및 불가피 불순물을 함유하여 이루어지고, 절단면의 표면을 AES에 의해 측정한 산화 피막의 두께가, 2.0nm 이하인, 내산화성 금속 주석에 의해, EUV 노광 장치에 적합하게 사용 가능한, 고순도 금속 주석을 제공한다.
Description
본 발명은, 내산화성 금속 주석에 관한 것이다.
근년, 반도체 제조의 미세화가 진행됨에 따라서, 고순도 금속 주석의 고순도 특성에 대한 요구도 높아져 오고 있다. 고순도 금속 주석은, 예를 들어 전해 정제에 의해 제조되고, 그 고순도 특성을 손상시키지 않도록 곤포되어서 출하된다. 특허문헌 1은 고순도 금속 주석의 전해 정제에 의한 제조를 개시하고 있다. 특허문헌 2는 고순도 금속 주석의 곤포 방법을 개시하고 있다.
반도체 제조의 미세화를 위해서, 용융된 주석이 EUV 노광 장치(극단 자외선 리소그래피 장치)에 사용된다. 이 사용에 적합한 고순도 금속 주석이 요구되도록 되어 왔다.
따라서, 본 발명의 목적은, EUV 노광 장치에 적합하게 사용 가능한, 고순도 금속 주석을 제공하는 데 있다.
EUV 노광 장치에 사용되는 주석은, 용융하여 사용된다. 액적 제너레이터라고 불리는 용기로부터 배출된 20㎛ 이하의 용융 주석의 액적을, CO2 가스 레이저와 반응시킴으로써, EUV(극단 자외선)가 발생한다. 안정된 EUV를 발생시키기 위해서는, 안정되게 20㎛ 이하의 주석의 액적을 계속하여 배출할 필요가 있다.
그런데, 본 발명자의 지견에 의하면, 주석에 산화물이 많이 포함되면 액적 제너레이터의 선단이 막혀, 액적의 안정된 발생을 방해하는 것을 알 수 있었다. 그리고, 이 주석에 포함되는 산화물이 얼마 안되어도, EUV 노광 장치에서는 용융한 주석이 연속적으로 공급되기 때문에, 눈 막힘의 원인으로 되는 산화물은 EUV 노광 장치를 운전하면 계속하여 축적해 가서, 언젠가는 트러블을 일으킨다. 이것을 방지하기 위해서는 정기적으로 EUV 노광 장치의 운전을 멈추어, 청소나 부품 교환을 하지 않으면 안되고, 결과로서 EUV 노광 장치를 포함하는 라인 전체의 운전 효율을 크게 저하시킨다.
그래서, 본 발명자는, EUV 노광 장치에 적합하게 사용 가능하게 하기 위해서, 산화물의 함유가 저감된, 내산화성의 고순도 금속 주석의 연구 개발을 예의 행하기로 하였다.
그리고, 본 발명자는, 용융 전의 금속 주석은, 고체로서 취급되고 있기 때문에, 그의 산화는 금속 고체의 표면에서 진행되는 것에 착안하여 추가로 예의 연구 개발을 행하여, 후술하는 수단에 의해 표면 산화의 진행이 현저하게 저감된 고순도 금속 주석을 얻고, 본 발명에 도달하였다.
따라서, 본 발명은 이하의 (1)을 포함한다:
내산화성 금속 주석이며,
99.995질량％ 이상의 주석, 및 불가피 불순물을 함유하여 이루어지고,
절단면의 표면을 AES에 의해 측정한 산화 피막의 두께가, 2.0nm 이하인, 내산화성 금속 주석.
본 발명에 의한 내산화성의 고순도 금속 주석은, 표면 산화의 진행이 현저하게 저감되고 있기 때문에, EUV 노광 장치에 사용되는 용융 주석으로서, 적합하게 사용 가능하다.
도 1은, 72시간 대기 폭로 후의 시료 3의 AES 측정의 결과를 나타내는 그래프이다.
도 2는, 도 1의 부분 확대도이다.
도 3은, 72시간 대기 폭로 후의 시료 4의 AES 측정의 결과를 나타내는 그래프이다.
도 4는, 도 3의 부분 확대도이다.
도 2는, 도 1의 부분 확대도이다.
도 3은, 72시간 대기 폭로 후의 시료 4의 AES 측정의 결과를 나타내는 그래프이다.
도 4는, 도 3의 부분 확대도이다.
본 발명을 구체적인 실시 형태를 들어서 이하에 상세하게 설명한다. 본 발명은 이하에 개시된 구체적인 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
[내산화성 금속 주석]
본 발명에 따른 내산화성 금속 주석은, 적합한 실시의 양태에 있어서, 99.995질량％ 이상의 주석 및 불가피 불순물을 함유하여 이루어지고, 절단면의 표면을 AES에 의해 측정한 산화 피막의 두께가, 2.0nm 이하인, 내산화성 금속 주석에 있다.
[산화 피막의 두께]
적합한 실시의 양태에 있어서, 본 발명에 따른 내산화성 금속 주석은, 절단면의 표면을, 절단 직후로부터 72시간의 대기 폭로 후에 AES에 의해 측정 개시하여 측정한 산화 피막의 두께가, 예를 들어 2.0nm 이하이고, 바람직하게는 1.9nm 이하, 더욱 바람직하게는 1.8nm 이하, 더욱 바람직하게는 1.7nm 이하, 더욱 바람직하게는 1.6nm 이하, 더욱 바람직하게는 1.5nm 이하, 더욱 바람직하게는 1.4nm 이하, 더욱 바람직하게는 1.3nm 이하, 더욱 바람직하게는 1.2nm 이하이다. 본 발명에 있어서의 내산화성이란, 절단 직후로부터 72시간의 대기 폭로 후의 산화 피막의 두께가, 상기와 같이 저감되고 있는 것을 말한다. 내산화성의 정도는, 소정 조건 하의 산화 피막의 두께의 측정에 의해, 정량화된다. 72시간의 대기 폭로는, 실온 하에서, 구체적으로는 약 25℃로 유지하여 행하여진다.
산화 피막의 두께는, AES(오제 전자 분광법)(사용 장치: PHI-700 알박 파이제 전압 10kV, 전류 10nA)에 의해 측정할 수 있다. 산화 피막의 두께는, 구체적으로는, 실시예에 있어서 후술하는 수단에 의해, 측정할 수 있다. AES에서는 종축의 단위를 Atomic concentration(％)으로 변환하고, 산소의 측정값이 5％(Atomic ％) 이하로 된 최초의 측정점까지에 요한 시간을 산출한다. 그리고, 그 시간과 스퍼터 레이트로부터 산화 피막을 산출한다. 예를 들어, 요한 시간이 1분, 스퍼터 레이트가 2nm/분의 경우라면 산화 피막은 1min×2nm/min=2nm로 산출할 수 있다.
[불가피 불순물]
본 발명의 내산화성 금속 주석에 있어서, 불가피 불순물의 함유량을 예를 들어 100질량ppm 이하, 바람직하게는 10질량ppm 이하로 할 수 있다. 바꿔 말하면, 본 발명의 내산화성 금속 주석에 있어서, Sn의 함유량을 예를 들어 99.995질량％ 이상, 바람직하게는 99.999질량％ 이상으로 할 수 있다.
불가피 불순물의 함유량 및 주석의 순도의 산출은 GDMS의 결과를 사용하여 행할 수 있다. 측정 결과가 측정 한계 미만이었던 원소는 측정 한계치를 포함하는 것으로서 계산한다. 예를 들어, Li 함유량의 GDMS 분석 결과가 0.005ppm 미만이었을 경우, Li 함유량은 0.005ppm으로 취급하여, 주석의 순도를 산출한다.
이 정의에 의해 산출한 표 1-1의 시료 2의 불순물 원소의 합계값은 7.672질량ppm이기 때문에, 시료 2의 순도는 99.999질량％ 이상, 즉 5N의 순도를 가진다. 한편, 시료 1의 불순물 원소의 합계값은 13.866질량ppm이기 때문에, 순도는 99.99질량％ 이상, 즉 4N의 순도를 가진다.
적합한 실시의 양태에 있어서, 불가피 불순물로서, 이하의 각 원소의 함유량을, 각각 기재한 범위로 할 수 있다. 단, 이하의 함유량의 수치의 단위는, wt％라고 기재된 것은 질량％이고, ppm이라고 기재된 것은 질량ppm이고, 특별히 기재가 없는 것은 질량ppm이다.
Li 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Be 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
B 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
F 함유량: 0.5ppm 이하, 바람직하게는 0.05ppm 미만(측정 한계 미만)
Na 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Mg 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Al 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Si 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
P 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
S 함유량: 0.05ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Cl 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
K 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Ca 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Sc 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.001ppm 미만(측정 한계 미만)
Ti 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
V 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.001ppm 미만(측정 한계 미만)
Cr 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Mn 함유량: 0.05ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Fe 함유량: 0.05ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Co 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Ni 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Cu 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Zn 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Ga 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Ge 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
As 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Se 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Br 함유량: 0.5ppm 이하, 바람직하게는 0.05ppm 미만(측정 한계 미만)
Rb 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Sr 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Y 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Zr 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Nb 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Mo 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Ru 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Rh 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Pd 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Ag 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Cd 함유량: 0.5ppm 이하, 바람직하게는 0.05ppm 미만(측정 한계 미만)
In 함유량: 5ppm 이하, 바람직하게는 1ppm 미만(측정 한계 미만)
Sb 함유량: 1ppm 이하, 바람직하게는 0.5ppm 미만(측정 한계 미만)
Te 함유량: 1ppm 이하, 바람직하게는 0.1ppm 미만(측정 한계 미만)
I 함유량: 0.5ppm 이하, 바람직하게는 0.05ppm 미만(측정 한계 미만)
Cs 함유량: 0.5ppm 이하, 바람직하게는 0.05ppm 미만(측정 한계 미만)
Ba 함유량: 1ppm 이하, 바람직하게는 0.1ppm 미만(측정 한계 미만)
La 함유량: 1ppm 이하, 바람직하게는 0.1ppm 미만(측정 한계 미만)
Ce 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Pr 함유량: 1ppm 이하, 바람직하게는 0.1ppm 미만(측정 한계 미만)
Nd 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Sm 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Eu 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Gd 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Tb 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Dy 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Ho 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Er 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Tm 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Yb 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Lu 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Hf 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Ta 함유량: 10ppm 이하, 바람직하게는 5ppm 미만(측정 한계 미만)
W 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Re 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Os 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Ir 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Pt 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Au 함유량: 0.5ppm 이하, 바람직하게는 0.05ppm 미만(측정 한계 미만)
Hg 함유량: 0.5ppm 이하, 바람직하게는 0.05ppm 미만(측정 한계 미만)
Tl 함유량: 0.2ppm 이하, 바람직하게는 0.02ppm 미만(측정 한계 미만)
Pb 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.01ppm 미만(측정 한계 미만)
Bi 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
Th 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
U 함유량: 0.1ppm 이하, 바람직하게는 0.005ppm 미만(측정 한계 미만)
[본 발명의 적합한 양태]
적합한 실시의 양태로서, 본 발명은 다음의 (1) 이하를 포함한다.
(1)
내산화성 금속 주석이며,
99.995질량％ 이상의 주석 및 불가피 불순물을 함유하여 이루어지고,
절단면의 표면을 AES에 의해 측정한 산화 피막의 두께가, 2.0nm 이하인, 내산화성 금속 주석.
(2)
절단면의 표면을, 절단 직후로부터 72시간의 대기 폭로 후에 AES에 의해 측정 개시하여 측정한 산화 피막의 두께가, 2.0nm 이하인, (1)에 기재된 내산화성 금속 주석.
(3)
AES에 의해 측정한 산화 피막의 두께가, 1.2nm 이하인, (1) 내지 (2) 중 어느 한 항에 기재된 내산화성 금속 주석.
(4)
99.999질량％ 이상의 주석 및 불가피 불순물을 함유하여 이루어지는, (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 기재된 내산화성 금속 주석.
(5)
불가피 불순물로서, Mn의 함유량이 0.005ppm 미만이고, Fe의 함유량이 0.005ppm 미만이고, Sb의 함유량이 0.5ppm 미만이고, S의 함유량이 0.01ppm 미만인, (1) 내지 (4) 중 어느 한 항에 기재된 내산화성 금속 주석.
(6)
(1) 내지 (4) 중 어느 한 항에 기재된 내산화성 금속 주석이, 진공 곤포되어 이루어지는, 내산화성 금속 주석 곤포체.
[실시예]
이하에, 실시예를 들어, 본 발명을 상세하게 설명한다. 본 발명은, 이하에 예시하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
[내산화성의 고순도 금속 주석의 조제]
[전해 정제]
시판의 주석(순도 4N)의 잉곳을 준비하였다. 분석에 제공하기 위해서, 이 일부를 채취하고, 시료 1로 하였다.
이 시판의 주석(순도 4N)에 대하여 전해 정제를 행하여 정제 주석을 얻었다. 구체적으로는 전해 정제는 다음의 수순과 조건으로 행하였다:
음극과 양극을 음이온 교환 막(아사히 가라스사제, 세레미온 AMV)에 의해 칸막이한 전해조의 음극측에 소정량의 황산 용액, 양극측에, pH0.5의 희황산 용액을 넣었다. 원료 주석으로부터 주조한 양극과 티타늄제의 음극을 전해조 내에 각각 배치하고, 전류 밀도 2A/dm2, 액온 33℃에서 전해 침출하여 황산 주석 전해액(주석 농도 105g/L)을 제작하였다.
또한, 전해 채취에 있어서는, 양극측에 산화 방지제로서 히드로퀴논을 5g/L 첨가하였다.
양극실 전해액을 발출하여, 납을 제거하는 정액조에 넣고, 거기에 순수에 분산시킨 슬러리상의 탄산스트론튬을 전해액에 대하여 5g/L 첨가해서 16시간 교반하고, 교반 후의 전해액을 흡인 여과에 의해 고액 분리하여, 전해액 중의 납을 제거하고, 제거 후의 전해액을 음극측에 투입하였다. 납 제거 후의 납 농도는 0.1mg/L 미만이었다.
음극측의 전해액에는, 폴리옥시에틸렌(10)노닐페닐에테르를 5g/L 첨가하였다. 이 상태에서, 전류 밀도 2A/dm2, pH0.5, 액온 30℃에서, 음극측 전해액의 주석 농도가 48g/L가 될 때까지 전해 채취를 하고, 전해조로부터 음극을 인상하였다. 음극 상에 석출한 전착 주석을 박리하여, 전해 정제에 의한 정제 주석을 얻었다.
전해 정제에 의해 얻어진 정제 주석을, 카본의 주형에 넣어서 약 300℃에서 용해하고, 약 30kg의 고순도 금속 주석의 잉곳(형상: 원주상, 크기: φ150mm×250mm)을 얻었다.
[열처리]
전해 정제에 의해 얻어진 고순도 금속 주석의 잉곳을, 고온 고진공화(800℃, 10-3Pa, 12시간)로 열처리를 실시 후, 그 잉곳을 회수하였다.
[GDMS 분석]
열처리 후의 잉곳의 일부를 채취하여, 시료 2를 얻었다. 시료 2에 대하여 GDMS 분석(장치명: Astrum)을 실시하였다. 이 결과를 표 1(표 1-1, 표 1-2, 표 1-3)에 나타내었다. 표 1에 있어서, 단위의 기재가 없는 수치의 단위는, 모두 질량ppm이다. 부등호로 나타낸 수치는 측정 한계 미만이었던 것을 나타낸다. 예를 들어 Cu의 「<0.005」는 Cu가 측정 한계(0.005질량ppm) 미만이었던 것을 나타낸다. 기체 성분인 C, N, O는 측정의 대상으로 하지 않았다. 표 1에 나타낸 바와 같이, 열처리 후의 잉곳은, 극히 고순도(순도: 5N)인 것을 확인할 수 있었다.
[단조]
이 잉곳(형상: 원주상, 크기: φ150mm×250mm)을 φ45mm의 원주상으로 단조를 실시하였다. 단조 후의 φ45mm의 원주상 잉곳을, 길이 100mm 정도로 절단하고, 선반 가공에 의해 외주 표면을 깎아서 φ30mm의 원주상 잉곳(길이: 100mm)을 얻었다. 선반 가공 시에는, 표면에 기름이 남지 않도록 증발하기 쉬운 에탄올을 절삭유로서 사용하였다.
[AES(오제 전자 분광법)에 의한 산화 피막 측정]
얻어진 φ30mm의 원주상의 잉곳을, AES로 측정할 수 있는 크기로 하기 위해서, 3mm 두께의 원반상으로 선반에서 절단하고, 바로 에탄올 세정하여, 시료 3을 얻었다. 시료 3을, 72시간 대기 중에서 폭로 후, AES(알박 파이사제, 장치명: PHI-700, 조건: 전압 10kV, 전류 10nA)로 측정하였다. 절단으로부터 측정 개시까지의 시간은 약 72시간으로 되도록 하였다. AES 측정은 SiO2 환산으로 2nm/min의 스퍼터 레이트로 실시하고, 산소의 원소 비율이 5％ 이하로 된 최초의 측정점의 시간을, 산화 피막의 두께에 상당하는 스퍼터 시간으로 하여 구하고, 이 스퍼터 시간과 스퍼터 레이트(2nm/min)로부터, 산화 피막의 두께를 산출하였다.
도 1에, 72시간 대기 폭로 후의 시료 3의 AES 측정의 결과 그래프를 나타낸다. 도 1의 그래프의 횡축은 스퍼터 시간(min)이고, 종축은 Atomic concentration(％)(원자 농도(％))이다. 도 1의 부분 확대도를, 도 2에 도시한다. 도 2에 있어서, 산소 원자 농도가 5％를 하회한 최초의 측정점의 스퍼터 시간은, 0.6분이었다. 즉 72시간 대기 폭로 후의 시료 3의 절단면의 산화 피막의 두께는 1.2nm였다.
[표 1-1]
[표 1-2]
[표 1-3]
[비교예 1]
실시예 1에서 사용된 것과 동일하게, 시판의 주석(순도 4N) 15kg의 잉곳을 준비하였다. 이 주석에 대하여, AES에서의 측정 가능한 사이즈로 하기 위해서, 띠톱 및 가위로 절단 가공하여, 형상 10mm×10mm×3mm의 시료를 제작하였다. 그 후, 절삭유 등으로 부착된 오염을 떨어뜨리기 위해서, 바로 에탄올로 세정하여, 시료 4를 얻었다. 이 시료 4에 대하여 실시예 1과 마찬가지로, 72시간 대기 폭로 후, AES 측정을 행하고, 산화 피막의 두께를 구하였다.
도 3에, 72시간 대기 폭로 후의 시료 4의 AES 측정의 결과 그래프를 나타낸다. 도 3의 부분 확대도를, 도 4에 도시한다. 도 4에 있어서, 산소 원자 농도가 5％를 하회한 최초의 측정점의 스퍼터 시간은, 3.6분이었다. 즉 72시간 대기 폭로 후의 시료 4의 절단면의 산화 피막의 두께는 7.2nm였다.
[비교예 2]
실시예 1과 마찬가지로, 시판의 주석(순도 4N)의 잉곳을 준비하고, 전해 정제를 행하여, 고순도 금속 주석의 잉곳을 얻었다. 단, 실시예 1과는 다르게, 그 후의 열처리 및 단조는 행하지 않았다. 얻어진 고순도 금속 주석의 잉곳에 대하여, 비교예 1과 마찬가지로 절단 가공하여, 형상 10mm×10mm×3mm의 시료를 제작하였다. 그 후, 절삭유 등으로 부착된 오염을 떨어뜨리기 위해서, 바로 에탄올로 세정하여, 시료 5를 얻었다. 이 시료 5에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로, 72시간 대기 폭로 후, AES 측정을 행하고, 산화 피막의 두께를 구하였다. 산화 피막은 2.4nm였다.
[비교예 3]
실시예 1과 마찬가지로, 시판의 주석(순도 4N)을 준비하였다. 단, 실시예 1과는 다르게, 전해 정제는 행하지 않았다. 이 시판의 주석(순도 4N)에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로, 열처리(800℃, 10-3Pa, 12시간)를 행하고, 다음으로 단조를 행한 후에, 절단 가공 및 선반 가공을 행하여 φ30mm의 원주상 잉곳을 제작하고, 이것을 3mm 두께의 원반상으로 선반에서 절단하고, 바로 에탄올 세정하여, 시료 6을 얻었다. 이 시료 6에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로, 72시간 대기 폭로 후, AES 측정을 행하고, 산화 피막의 두께를 구하였다. 산화 피막은 3.6nm이었다.
본 발명에 따르면, EUV 노광 장치에 적합하게 사용 가능한, 고순도 금속 주석을 제공할 수 있다. 본 발명은 산업상 유용한 발명이다.
Claims (1)
- 발명의 상세한 설명에 기재된 것을 특징으로 하는 내산화성 금속 주석.
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