JP7348501B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7348501B2 JP7348501B2 JP2019180927A JP2019180927A JP7348501B2 JP 7348501 B2 JP7348501 B2 JP 7348501B2 JP 2019180927 A JP2019180927 A JP 2019180927A JP 2019180927 A JP2019180927 A JP 2019180927A JP 7348501 B2 JP7348501 B2 JP 7348501B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- connection terminal
- mounting
- mounting position
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000012744 reinforcing agent Substances 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 210000001072 colon Anatomy 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010199 LiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005084 Strontium aluminate Substances 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
[実施形態1]
(発光素子1)
(第一反射部30)
(配線パターン20)
(導電部材29)
(接続用端子23)
(延伸部24)
[実施形態2]
[実施形態3]
[実施形態4]
[実施形態5]
(第二反射部50)
(被覆部材60)
(波長変換部材62)
(保護素子70)
1、1’…発光素子;1A…第一発光素子;1B…第二発光素子;1C…第三発光素子;
1D…第四発光素子;1E…第五発光素子;1F…第六発光素子;
2、2’…p電極
3、3’…n電極
10…実装基板
20、20B、20C、20D、20E…配線パターン
21…実装位置:21A…第一実装位置;21B…第二実装位置;21C…第三実装位置
21D…第四実装位置;21E…第五実装位置;21F…第六実装位置
22…実装領域
23…接続用端子
2311…第一発光素子用第一接続用端子
2312…第一発光素子用第二接続用端子
2313…第一発光素子用第三接続用端子
2314…第一発光素子用第四接続用端子
2321…第二発光素子用第一接続用端子
2322…第二発光素子用第二接続用端子
2323…第二発光素子用第三接続用端子
2324…第二発光素子用第四接続用端子
2331…第三発光素子用第一接続用端子
2332…第三発光素子用第二接続用端子
2333…第三発光素子用第三接続用端子
2334…第三発光素子用第四接続用端子
2341…第四発光素子用第一接続用端子
2342…第四発光素子用第二接続用端子
2343…第四発光素子用第三接続用端子
2344…第四発光素子用第四接続用端子
24…延伸部;24A…第一延伸部;24B…第二延伸部;24C…第三延伸部
25…ランド
26…外部接続端子
29…導電部材
30…第一反射部
49…ワイヤ
50…第二反射部
60…被覆部材
62…波長変換部材
70…保護素子
Claims (13)
- 所定の配線パターンを上面に形成した実装基板と、
前記配線パターン中に規定された複数の実装位置にそれぞれ実装され、該配線パターンを介して直列及び/又は並列に接続された複数の発光素子と、
を備える発光装置であって、
前記複数の発光素子のそれぞれは、裏面側に一対の電極を形成しており、
前記複数の実装位置のそれぞれは、前記電極と接続するための接続用端子を4個以上有し、前記接続用端子のそれぞれが電気的に離れており、
前記発光素子を前記実装位置に実装する姿勢に応じて、離れて隣り合う前記接続用端子同士を跨ぐように前記電極で接続されて前記配線パターン上に実装される前記発光素子の直列接続数及び並列接続数が決定されるよう構成されており、
前記接続用端子は、前記発光素子が前記実装位置に実装された状態で、前記実装基板上で前記発光素子から表出しないよう構成されてなる発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置であって、
前記配線パターンは、前記複数の実装位置の内、互いに隣接する実装位置の一方に含まれる複数の接続用端子の少なくとも一部が、当該実装位置と隣接する他の実装位置に含まれる複数の接続用端子の少なくとも一部と導通されてなる発光装置。 - 請求項2に記載の発光装置であって、
前記配線パターンは、前記複数の実装位置の内、互いに隣接する実装位置において、一方の実装位置に含まれる接続用端子と、他方の実装位置に含まれる接続用端子とを接続する延伸部が設けられており、
前記延伸部の幅を、前記接続用端子の幅よりも狭くしてなる発光装置。 - 請求項3に記載の発光装置であって、
前記一対の電極は、それぞれ一方向に延長された形状に形成されており、
前記発光素子を前記実装位置に実装することで、前記一対の電極のそれぞれが、前記隣接する接続用端子同士を導通させて前記複数の発光素子を直列及び並列に接続するよう構成してなる発光装置。 - 所定の配線パターンを上面に形成した実装基板と、
前記配線パターン中に規定された複数の実装位置にそれぞれ実装され、該配線パターンを介して直列及び/又は並列に接続された複数の発光素子と、
を備える発光装置であって、
前記複数の発光素子のそれぞれは、裏面側に一対の電極を形成しており、
前記複数の実装位置のそれぞれは、前記電極と接続するための接続用端子を4個以上有し、前記接続用端子のそれぞれが電気的に離れており、
前記発光素子を前記実装位置に実装する姿勢に応じて、離れて隣り合う前記接続用端子同士を跨ぐように前記電極で接続されて前記配線パターン上に実装される前記発光素子の直列接続数及び並列接続数が決定されるよう構成されており、
前記配線パターンは、前記複数の実装位置の内、互いに隣接する実装位置の一方に含まれる複数の接続用端子の少なくとも一部が、当該実装位置と隣接する他の実装位置に含まれる複数の接続用端子の少なくとも一部と導通されており、
前記配線パターンは、前記複数の実装位置の内、互いに隣接する実装位置において、一方の実装位置に含まれる接続用端子と、他方の実装位置に含まれる接続用端子とを接続する延伸部が設けられており、
前記延伸部の幅を、前記接続用端子の幅よりも狭くしており、
前記一対の電極は、それぞれ一方向に延長された形状に形成されており、
前記発光素子を前記実装位置に実装することで、前記一対の電極のそれぞれが、前記隣接する接続用端子同士を導通させて前記複数の発光素子を直列及び並列に接続するよう構成してなる発光装置。 - 請求項3~5のいずれか一項に記載の発光装置であって、
前記姿勢に応じて、前記発光素子を90°回転させて実装することで、前記配線パターンの直列接続数及び並列接続数が変更されるよう構成されてなる発光装置。 - 請求項3~6のいずれか一項に記載の発光装置であって、
前記発光素子が、正方形状であり、
前記一対の電極が、該正方形状の対向する二辺に沿って設けられており、
前記実装位置が、該正方形状と対応する正方形状に形成されており、
前記複数個の接続用端子が、前記複数の実装位置のそれぞれにおいて、該正方形状の四隅に互いに離れて配置されてなる発光装置。 - 請求項3~7のいずれか一項に記載の発光装置であって、
前記配線パターンにおいて、前記複数の実装位置が行列状に配置されてなる発光装置。 - 請求項8に記載の発光装置であって、
前記行列状に配置された前記複数の実装位置の内、隅部に位置する実装位置の少なくとも一部は、他の接続用端子と接続されない接続用端子を含んでなる発光装置。 - 請求項3~9のいずれか一項に記載の発光装置であって、
前記複数の発光素子が、第一発光素子、第二発光素子、第三発光素子、第四発光素子を含み、
前記複数の実装位置が、
前記第一発光素子を実装する第一実装位置、
前記第二発光素子を実装する第二実装位置、
前記第三発光素子を実装する第三実装位置、
前記第四発光素子を実装する第四実装位置
を含み、
前記第一実装位置は、第一発光素子用第一接続用端子、第一発光素子用第二接続用端子、第一発光素子用第三接続用端子、第一発光素子用第四接続用端子を備えており、
前記第二実装位置は、第二発光素子用第一接続用端子、第二発光素子用第二接続用端子、第二発光素子用第三接続用端子、第二発光素子用第四接続用端子を備えており、
前記第三実装位置は、第三発光素子用第一接続用端子、第三発光素子用第二接続用端子、第三発光素子用第三接続用端子、第三発光素子用第四接続用端子を備えており、
前記第四実装位置は、第四発光素子用第一接続用端子、第四発光素子用第二接続用端子、第四発光素子用第三接続用端子、第四発光素子用第四接続用端子を備えており、
前記延伸部が、第一延伸部、第二延伸部、第三延伸部を含んでおり、
前記第一発光素子用第一接続用端子は、外部接続端子と接続され、
前記第一発光素子用第三接続用端子は第二発光素子用第一接続用端子と、第一発光素子用第四接続用端子は第二発光素子用第二接続用端子と、それぞれ前記第一延伸部を通じて接続されており、
前記第二発光素子用第四接続用端子は、前記第二延伸部を通じて、前記第三発光素子用第三接続用端子と接続と接続されており、
前記第三発光素子用第一接続用端子は前記第四発光素子用第三接続用端子と、前記第三発光素子用第二接続用端子は前記第四発光素子用第四接続用端子と、それぞれ前記第三延伸部を通じて接続されており、
前記第四発光素子用第二接続用端子は、外部接続端子、又は隣接する他の接続用端子に接続されてなる発光装置。 - 請求項10に記載の発光装置であって、
前記第一発光素子用第二接続用端子、前記第二発光素子用第三接続用端子、前記第三発光素子用第四接続用端子、前記第四発光素子用第一接続用端子は、他の接続用端子と接続されずに離れてなる発光装置。 - 請求項10又は11に記載の発光装置であって、
前記配線パターンは、
前記第一実装位置と第二実装位置の間に、第五実装位置を、
前記第三実装位置と第四実装位置の間に、第六実装位置を、
それぞれ設けており、
前記第五実装位置に第五発光素子を、前記第六実装位置に第六発光素子を、それぞれ実装してなる発光装置。 - 請求項1~12のいずれか一項に記載の発光装置であって、さらに、
前記実装基板上における前記配線パターン以外の領域を被覆する第一反射部を備える発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019180927A JP7348501B2 (ja) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 発光装置 |
US17/035,698 US11316087B2 (en) | 2019-09-30 | 2020-09-29 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019180927A JP7348501B2 (ja) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021057498A JP2021057498A (ja) | 2021-04-08 |
JP7348501B2 true JP7348501B2 (ja) | 2023-09-21 |
Family
ID=75162394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019180927A Active JP7348501B2 (ja) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11316087B2 (ja) |
JP (1) | JP7348501B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220125862A (ko) * | 2021-03-04 | 2022-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US12085802B2 (en) | 2022-05-31 | 2024-09-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display apparatus and light source apparatus thereof |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009059966A (ja) | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Panasonic Corp | 実装用基板及び発光モジュール |
JP2017085096A (ja) | 2015-10-23 | 2017-05-18 | シチズン電子株式会社 | 発光モジュール |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10490719B2 (en) * | 2015-11-20 | 2019-11-26 | Lumileds Holding B.V. | Die bond pad design to enable different electrical configurations |
JP6485385B2 (ja) | 2015-11-24 | 2019-03-20 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
US9967979B2 (en) | 2015-11-24 | 2018-05-08 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
-
2019
- 2019-09-30 JP JP2019180927A patent/JP7348501B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-29 US US17/035,698 patent/US11316087B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009059966A (ja) | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Panasonic Corp | 実装用基板及び発光モジュール |
JP2017085096A (ja) | 2015-10-23 | 2017-05-18 | シチズン電子株式会社 | 発光モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11316087B2 (en) | 2022-04-26 |
US20210098671A1 (en) | 2021-04-01 |
JP2021057498A (ja) | 2021-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10026718B2 (en) | Light emitting device | |
JP6079629B2 (ja) | 発光装置 | |
KR102491241B1 (ko) | 발광 장치 | |
TWI580892B (zh) | LED lighting module and LED lighting device | |
JP6583247B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6191667B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2017188592A (ja) | 発光装置 | |
US9768228B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP5598323B2 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
US9893038B2 (en) | Light-emitting device having first and second wiring patterns | |
JP7096504B2 (ja) | 発光装置 | |
KR102498145B1 (ko) | 발광 장치 | |
JP7348501B2 (ja) | 発光装置 | |
CN109216527B (zh) | 发光装置 | |
TW201921719A (zh) | 發光裝置 | |
JP2018129434A (ja) | 発光装置 | |
TWM327548U (en) | Light emitting semiconductor device | |
US20230361258A1 (en) | Light emitting device | |
JP7089186B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2018191015A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP6773166B2 (ja) | 発光装置 | |
TWI849023B (zh) | 螢光體基板、發光基板及照明裝置 | |
JP2022007882A (ja) | 発光装置 | |
JP7368771B2 (ja) | 発光装置、線状光源およびその駆動方法 | |
JP7385115B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220830 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230720 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230821 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7348501 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |