TW201921719A - 發光裝置 - Google Patents

發光裝置

Info

Publication number
TW201921719A
TW201921719A TW107134297A TW107134297A TW201921719A TW 201921719 A TW201921719 A TW 201921719A TW 107134297 A TW107134297 A TW 107134297A TW 107134297 A TW107134297 A TW 107134297A TW 201921719 A TW201921719 A TW 201921719A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting element
emitting device
lead
phosphor
Prior art date
Application number
TW107134297A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI798266B (zh
Inventor
板東篤史
松田和也
Original Assignee
日商日亞化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2018153832A external-priority patent/JP6705476B2/ja
Application filed by 日商日亞化學工業股份有限公司 filed Critical 日商日亞化學工業股份有限公司
Publication of TW201921719A publication Critical patent/TW201921719A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI798266B publication Critical patent/TWI798266B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)

Abstract

本發明提供一種作為發光色可發出寬幅之色度之光之發光裝置。
該發光裝置具備：第1發光元件及第2發光元件，其等各自之發光峰值波長為430 nm～480 nm；第1透光性構件，其配置於第1發光元件之上表面上，包含第1螢光體；第2透光性構件，其配置於第2發光元件之上表面上；及密封構件，其被覆第1透光性構件及第2透光性構件，包含第2螢光體；且第1發光元件及第2發光元件能夠分別獨立驅動；從第1透光性構件出射之出射光之色度與從第2透光性構件出射之出射光之色度不同。

Description

發光裝置
本發明係關於一種發光裝置。
一般而言，使用了發光二極體等發光元件之發光裝置被廣泛用作照明器具等各種光源。作為此種發光裝置，例如有如下之發光裝置，其具備複數個發光元件、螢光體及使電流個別地流通於各個發光元件之封裝體(例如，專利文獻1)。於此種發光裝置中，藉由調整各個發光元件之發光強度，從而能夠將從發光裝置出射之光設為期望之發光色。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-120812號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，於專利文獻1之發光裝置中，作為發光色難以發出寬幅之色度之光。
因此，本發明之一實施形態中，目的在於提供一種作為發光色能夠發出寬幅之色度之光之發光裝置。
[解決問題之技術手段]
本發明之一實施形態之發光裝置具備：第1發光元件及第2發光元件，其等各自之發光峰值波長為430 nm～480 nm；第1透光性構件，其配置於第1發光元件之上表面上，包含第1螢光體；第2透光性構件，其配置於第2發光元件之上表面上；及密封構件，其被覆第1透光性構件及第2透光性構件，包含第2螢光體；且第1發光元件及第2發光元件能夠分別獨立驅動；從第1透光性構件出射之出射光之色度與從第2透光性構件出射之出射光之色度不同。
藉由本發明之一實施形態，能夠提供一種作為發光色可發出寬幅之色度之光之發光裝置。
以下，基於圖式進行詳細說明。複數個圖式中所示之同一符號之部分表示相同或同等之部分或構件。
進而，以下例示用於使本發明之技術思想具體化之發光裝置，並非對本發明進行以下限定。又，構成構件之尺寸、材質、形狀及其相對配置等只要無特定記載，則並不旨在將本發明之範圍僅限定於此，而是意圖進行例示。各圖式所示出之構件之大小、位置關係等有時為了便於理解等而有所誇張。再者，色名與色度座標之關係、光之波長範圍與單色光之色名之關係等遵循JIS Z8110。
本說明書中及圖式中，X方向表示橫方向，包含右方向(X+ 方向)及左方向(X- 方向)兩者。又，Y方向表示縱方向，包含上方向(Y+ 方向)及下方向(Y- 方向)兩者。
又，於以下說明之實施形態中，有時「封裝體」等用語於設置發光元件或導線等之前及之後適當使用相同之用語。
(第1實施形態)
圖1A係第1實施形態之發光裝置100之模式俯視圖，圖1B係發光裝置100之模式仰視圖，圖1C至圖1F係發光裝置100之模式側視圖，圖1G係圖1A中之1G-1G線處之模式剖面圖。於圖1A中，省略密封構件40而圖示以便容易看清凹部2之內部，進而，由於第1透光性構件15等位於發光元件之上表面上，故而用虛線圖示第1發光元件10及第2發光元件20之外緣。發光裝置100具備：第1發光元件10及第2發光元件20；第1透光性構件15，其配置於第1發光元件10之上表面上；及第2透光性構件25，其配置於第2發光元件20之上表面上。第1透光性構件15及第2透光性構件25由密封構件40被覆。第1實施形態之發光裝置100進而具備具有凹部2之封裝體1，第1發光元件10及第2發光元件20配置於凹部2之底面。
封裝體1係用於配置第1發光元件10及第2發光元件20之基座。封裝體1具備：複數個引線5，其包含第1引線51、第2引線52及第3引線53；及樹脂部30，其與複數個引線50一體形成。又，封裝體1具有凹部2，第1引線51、第2引線52及第3引線53之上表面之一部分位於凹部2之底面。
圖1A及圖1B所示之封裝體1具有上表面80及位於上表面80之相反側之下表面81。又，封裝體1於俯視下具有大致矩形之外形形狀，具有第1外側面82、位於第1外側面82之相反側之第2外側面83、第3外側面84、及位於第3外側面84之相反側之第4外側面85。圖1C至圖1F分別依序表示第1外側面82、第2外側面83、第3外側面84及第4外側面85。第1引線51於第1外側面82、第3外側面84及第4外側面85中從樹脂部30露出，第1引線51與樹脂部30成為大致同一面。第2引線52於第2外側面83及第4外側面85中從樹脂部30露出，第2引線52與樹脂部30成為大致同一面。第3引線53於第2外側面83及第3外側面84中從樹脂部30露出，第3引線53與樹脂部30成為大致同一面。如此，於4個外側面中，第1引線51、第2引線52及第3引線53並未從樹脂部30向外側延伸，因此可提供佔有面積較小之小型發光裝置100。
封裝體1之下表面81作為將發光裝置100安裝於安裝基板之安裝面發揮作用。又，於封裝體1之下表面81，第1引線51、第2引線52及第3引線53從樹脂部30露出。藉此，可有效率地從封裝體1之下表面81散出從第1發光元件10及第2發光元件20產生之熱。又，於封裝體1之下表面81，複數個引線50之下表面及樹脂部30之下表面形成為大致同一面。
第1發光元件10及第2發光元件20作為發光裝置100之光源發揮作用，進而成為下述之螢光體之激發源。第1發光元件10及第2發光元件20具有430 nm～480 nm之發光峰值波長。第1發光元件10及第2發光元件20具有波長較近紫外區域長之發光峰值波長，藉此能夠抑制近紫外區域之光之問題(例如，對人體或照射物帶來惡劣影響，或者發光裝置之構成構件劣化使得發光裝置之發光效率大幅降低之問題)。
第1發光元件10及第2發光元件20並聯連接。藉此，能夠個別地設定流通於第1發光元件10及第2發光元件20之電流值，例如，能夠使流通於第1發光元件10及第2發光元件20之電流值不同地驅動該等發光元件。於圖1A所示之發光裝置100中，第1發光元件10及第2發光元件20配置於第1引線51之上表面。第1發光元件10於上表面具有正負電極，正負電極中之一電極經由導線而與第2引線52電性連接，另一電極經由導線而與第1引線51電性連接。第2發光元件20亦同樣地於上表面具有正負電極，正負電極中之一電極經由導線而與第3引線53電性連接，另一電極經由導線而與第1引線51電性連接。如此，發光裝置100具備三個引線，因此能夠獨立地驅動各發光元件。進而，藉由將複數個引線50設為可獨立驅動之最小限度之引線數，可減少由引線形成之封裝體1之界面。其結果，能夠抑制發光裝置之強度降低。
第1發光元件10及第2發光元件20較佳為於其間不配置壁等區隔構件。藉此，能夠提高發光裝置100之混色性。具體而言，於圖1A所示之發光裝置100中，第1發光元件10及第2發光元件20配置於一收容部內(凹部2內)，於第1發光元件10與第2發光元件20之間未配置壁等區隔構件。藉此，第1發光元件10附近之光與第2發光元件20附近之光容易混色，可成為混色性優異之發光裝置。再者，例如，於利用燈具等其他構件使發光裝置100之光混色之情形時，亦可於第1發光元件10與第2發光元件20之間配置壁等區隔構件。
於圖1A所示之發光裝置100中，第1發光元件10及第2發光元件20於俯視下係分開配置。第1發光元件10之中心較佳為於俯視下與第2發光元件20之中心於X方向及Y方向雙向上錯開配置。換言之，較佳為從封裝體1之第1外側面82至第1發光元件10之中心為止之最短距離與從第1外側面82至第2發光元件20之中心為止之最短距離不同，且從第3外側面84至第1發光元件10之中心為止之最短距離與從第3外側面84至第2發光元件20之中心為止之最短距離不同。藉由於俯視下錯開配置第1發光元件10及第2發光元件20，能夠降低一發光元件發出之光被另一發光元件吸收之比率，能夠成為光提取良好之發光裝置。
發光裝置100具備配置於第1發光元件10之上表面之第1透光性構件15及配置於第2發光元件20之上表面之第2透光性構件25。於第1實施形態之發光裝置100中，第1透光性構件15包含第1螢光體61，第2透光性構件25不包含螢光體。藉此，能夠容易使從第1透光性構件15出射之出射光之色度與從第2透光性構件25出射之出射光之色度不同。
第1螢光體61係例如發出紅色光之紅色螢光體。1931CIE色度圖上之光之色度一般於紅色成分較多時有色度之x值變大之傾向。因此，藉由作為第1螢光體61使用紅色螢光體，從而能夠容易使從第1透光性構件15出射之出射光之色度(特別是x值)與從第2透光性構件25出射之出射光之色度不同。第1螢光體61例如較佳為使用半值寬較寬之紅色螢光體。藉此，能夠提高發光裝置100之演色性。紅色螢光體之半值寬例如為80 nm以上且100 nm以下，較佳為85 nm以上且95 nm以下。作為此種第1螢光體61，例如可使用具有由下述式(1)表示之組成之紅色螢光體。
(Sr，Ca)AlSiN3 ：Eu(1)
藉由使用具有由式(1)表示之組成之紅色螢光體，能夠提高發光裝置之演色性，並且提高發光裝置之光提取。
又，第1螢光體61之含量例如相對於第1透光性構件15之總重量為50～150重量%。
第2透光性構件25不具有螢光體。因此，第2透光性構件25之出射光之大部分成為藍色成分較多之第2發光元件20之光(發光峰值波長為430 nm～480 nm之光)。藉此，從第2透光性構件25出射之出射光成為色度之x值相對較小之光，能夠容易使從第1透光性構件15出射之出射光之色度與從第2透光性構件25出射之出射光之色度不同。
又，藉由於第2發光元件20之上表面設置第2透光性構件25，能夠減少位於第2發光元件20之上方之第2螢光體63之量。藉此，向第2發光元件20之上方發出之光由第2螢光體63激發之比率變少。因此，例如，於第2螢光體63包含黃～紅色螢光體之情形時，與不具有第2透光性構件25之發光裝置相比，能夠將向第2發光元件20之上方發出之光設為色度之x值相對較小之光。其結果，能夠進而容易使從第1透光性構件15出射之出射光之色度與從第2透光性構件25出射之出射光之色度不同。
較佳為第1透光性構件15及第2透光性構件25僅被覆發光元件之上表面。換言之，較佳為第1透光性構件15及第2透光性構件25被覆發光元件之上表面，且不被覆發光元件之側面。藉此，例如，作為密封構件40內之第2螢光體63使用了激發效率較高之螢光體之情形時，能夠有效率地激發從發光元件向側方發出之光。其結果，能夠成為光提取良好之發光裝置。
又，於在發光元件之上表面塗佈成為第1透光性構件15及第2透光性構件25之液狀樹脂材料之情形時，於發光元件之上表面之緣部，表面張力發揮作用，能夠使樹脂材料之擴散止於發光元件之緣部內。藉此，於製造複數個發光裝置之情形時，能夠穩定地形成第1透光性構件15及第2透光性構件25之形狀，能夠提高製造之良率。又，藉由穩定地形成第1透光性構件15及第2透光性構件25，從而能夠成為具有期望之配光等之發光裝置。
進而，第1透光性構件15及第2透光性構件25可藉由各種方法形成。例如，第1透光性構件15等可藉由印刷樹脂材料、灌注或噴霧法等來形成，又，亦可藉由接著劑等貼附片狀或塊狀之樹脂構件而形成。又，包含螢光體之透光性構件例如可藉由電泳沈積法等來形成。
於圖1G所示之發光裝置100中，第1透光性構件15與第2透光性構件25分別分開。於第1透光性構件15與第2透光性構件25之間配置有密封構件40之一部分。藉由不將第1透光性構件15及第2透光性構件25設為一個連續之構件，從而能夠抑制第1光源(第1發光元件10及第1透光性構件15)發出之光與第2光源(第2發光元件20及第2透光性構件25)發出之光互相干涉。其結果，能夠容易地調整第1光源及第2光源各自之色度。
密封構件40被覆第1透光性構件15及第2透光性構件25。於圖1G所示之發光裝置100中，密封構件40位於凹部2內，被覆第1透光性構件15之上表面、第2透光性構件25之上表面、第1發光元件10之側面及第2發光元件20之側面。
密封構件40具有第2螢光體63。第2螢光體63可為1種螢光體，亦可為複數種螢光體。藉由使用複數種螢光體，能夠提高發光裝置100之演色性。第2螢光體63包含例如具有由下述式(2)表示之組成之螢光體及具有由下述式(3)表示之組成之紅色螢光體。
(Y，Lu，Gd)3 (Al，Ga)5 O12 ：Ce(2)
(Sr，Ca)AlSiN3 ：Eu(3)
發光裝置100於僅驅動第1發光元件10之情形時，例如，可發出色溫為1800～5000 K之光。又，發光裝置100於僅驅動第2發光元件20之情形時，例如，設定得較僅驅動第1發光元件10之情形時之色溫更高，可發出色溫為3500～7000 K之光。進而，發光裝置100藉由調整流通於第1發光元件10及第2發光元件20各者之電流值，從而能夠發出色溫為1800～7000 K之發光色之光。藉此，能夠製成作為發光色可發出寬幅之相關色溫之光之發光裝置。
圖2係表示1931CIE色度圖上之發光裝置100之色度之一例之圖。於圖2中，表示了於6個條件下分別驅動流通於第1發光元件10及第2發光元件20之電流值而使該等發光元件發光之發光裝置100之色度。6個條件分別為：第1條件(第1發光元件：65 mA、第2發光元件：0 mA)，第2條件(第1發光元件：52 mA、第2發光元件：13 mA)，第3條件(第1發光元件：26 mA、第2發光元件：39 mA)，第4條件(第1發光元件：39 mA、第2發光元件：26 mA)，第5條件(第1發光元件：13 mA、第2發光元件：52 mA)，第6條件(第1發光元件：0 mA、第2發光元件：65 mA)。第1條件下之發光裝置之色度表示僅驅動了第1發光元件10時之發光裝置100之色度，第6條件下之發光裝置之色度表示僅驅動了第2發光元件20時之發光裝置100之色度。
於第1條件之情形時，發光裝置100發出色溫為2700～3000 K之光，於第6條件之情形時，發光裝置100發出色溫為5000～6500 K之光。進而，發光裝置100藉由調整分別流通於第1發光元件10及第2發光元件20之電流值，從而能夠發出色溫為2700～6500 K之發光色之光。藉此，能夠製成作為發光色可發出寬幅之相關色溫之光之發光裝置。
以下，對本發明之發光裝置100中使用之各構件進行詳細說明。
(封裝體)
封裝體1係用於配置發光元件之基座。封裝體1至少具有主體及複數個引線(複數個電極部)。成為封裝體1之主體之材料例如係氧化鋁、氮化鋁等陶瓷、樹脂(例如，聚矽氧樹脂、聚矽氧改性樹脂、環氧樹脂、環氧改性樹脂、不飽和聚酯樹脂、酚樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、三甲基戊烯樹脂、聚降冰片烯樹脂或包含1種以上該等樹脂之混合樹脂等)、紙漿、玻璃、或其等之複合材料等。封裝體1之主體可為單層結構，亦可為包含複數個層之多層結構。
作為封裝體1之例，可較佳地使用具備圖1A之發光裝置100中所使用之樹脂部30及複數個引線50之封裝體。藉此，能夠製成散熱性較高且廉價之發光裝置。再者，於圖1A所示之發光裝置100中，於封裝體1之外側面，複數個引線50未從樹脂部30向外側延伸出，但本實施形態之發光裝置不限於此。亦即，於封裝體1之外側面，複數個引線50亦可從樹脂部30向外側延伸出。藉此，能夠將發光元件發出之熱有效率地向外側散出。
又，於圖1G所示之發光裝置100中，複數個引線50之下表面與樹脂部30之下表面成為大致同一面，但本發明之發光裝置不限於此。例如，如圖3A所示，於封裝體1之下表面81，複數個引線50之下表面可位於較樹脂部30之下表面高之位置。藉此，於封裝體1之下表面81，藉由複數個引線50之下表面與樹脂部30形成凹陷部3。藉由形成凹陷部3，能夠使與各引線接合之接合構件位於各凹陷部3內，而能夠抑制各個接合構件互相接觸而電性短路之可能性。又，如圖3B所示，於封裝體1之下表面81，複數個引線50之下表面亦可位於較樹脂部30之下表面低之位置。藉此，於封裝體1之下表面81，複數個引線50之下表面及側面之一部分從樹脂部30露出。其結果，接合構件被覆複數個引線50之下表面並且亦被覆側面之一部分，因此可提高接合構件之接合強度。
封裝體1之外形形狀及凹部2之開口形狀可設為俯視下矩形及其他多角形、圓形、橢圓形等形狀。又，凹部2之開口形狀如圖1A所示，於俯視下，可為將凹部2之矩形開口之1個角部進行倒角等使開口形狀之一部分發生變形。藉此，可使開口之一部分作為陽極標記或陰極標記等表示引線之極性之標記發揮作用。
作為封裝體1之其他例，如圖4A及圖4B所示，可使用具有平板狀之基板7及設置於基板7之上表面之由光反射性樹脂構成之框體狀之樹脂部30之封裝體。圖4A係封裝體1之模式俯視圖，圖4B係圖4A中之4B-4B線處之模式剖面圖。於圖4A中，省略了密封構件40、第1透光性構件15及第2透光性構件25等而進行圖示。框體狀之樹脂部30具備作為將光反射之反射器之作用及作為用於供填充密封構件40之壁之作用。基板7於上表面具有複數個引線(例如，第1引線51、第2引線52、第3引線53及第4引線54)。此種封裝體1之大小根據要配置之發光元件數、目的及用途適當設定。作為基板7之材料，較佳為使用絕緣性材料，且較佳為使用不易使從發光元件等放出之光或外界光等透過之材料。又，為了提高封裝體1之光反射性，亦可於發光元件載置面設置反射構件。反射構件例如為將氧化鈦等反射性粒子與有機物或無機物之黏合劑混練而成之構件。符合的是所謂白色抗蝕劑或白色墨水、陶瓷墨水等。作為有機物之黏合劑，尤佳為使用耐熱性、耐光性優異之聚矽氧樹脂。藉此，於基板7之表面反射光，而能夠製成光提取效率較高之發光裝置。
於圖4A及圖4B所示之發光裝置中，交替地配置有第1發光元件10及第2發光元件20。藉此，能夠使從第1發光元件10及第2發光元件20出射之光充分混色，而能夠抑制俯視下之發光裝置之顏色不均。再者，第1發光元件10及第2發光元件20之配置不限於此。例如，第1發光元件10及第2發光元件20可於X方向或Y方向上呈行狀地配置由同一發光元件構成之發光元件群，或者亦可呈同心圓狀配置。
又，封裝體1亦可為不具有凹部2之形態。例如，封裝體1可使用長條狀之基板。此種封裝體1例如具有可撓性，可在藉由捲軸等捲成卷狀之狀態下進行保管，並且可沿著曲面進行安裝。作為基板之材料，例如可較佳地使用聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等絕緣性樹脂。又，基板之厚度例如可設為10 μm～200 μm之程度。
(複數個引線)
複數個引線50具有導電性，作為用於向發光元件供電之電極發揮作用。複數個引線50作為母材例如可使用銅、鋁、金、銀、鐵、鎳、或其等之合金、磷青銅、摻鐵銅等金屬。其等可為單層，亦可為積層結構(例如，披覆材料)。特別是，母材較佳為使用廉價且散熱性較高之銅。又，複數個引線50亦可於母材之表面具有金屬層。金屬層例如包含銀、鋁、鎳、鈀、銠、金、銅、或其等之合金等。再者，金屬層可設置於複數個引線50之整個面，亦可局部地設置。又，關於金屬層，可設為於形成於引線之上表面之區域與形成於引線之下表面之區域中不同之層。例如，形成於引線之上表面之金屬層係由包含鎳及銀之金屬層之複數層構成之金屬層，形成於引線之下表面之金屬層係不包含鎳金屬層之金屬層。又，例如，形成於引線之上表面之銀等金屬層可設得較形成於引線之下表面之銀等金屬層更厚。
於在複數個引線50之最表面形成包含銀之金屬層之情形時，較佳為於包含銀之金屬層之表面設置氧化矽等保護層。藉此，能夠抑制包含銀之金屬層因大氣中之硫成分等而變色。保護層之成膜方法例如可藉由濺鍍等真空製程成膜，但亦可使用其他已知之方法。
複數個引線50至少具備第1引線51、第2引線52及第3引線53。藉由複數個引線50至少具有3個引線，從而能夠分別獨立地驅動複數個發光元件。再者，複數個引線50可具備4個以上之引線，例如，可除了具備第1引線51、第2引線52及第3引線53外還具備第4引線。第4引線可作為散熱構件發揮作用，亦可與第1引線51等同樣地作為電極發揮作用。
(樹脂部)
樹脂部30作為成為母材之樹脂材料可使用熱固性樹脂、熱塑性樹脂等。具體而言，可使用環氧樹脂組合物、聚矽氧樹脂組合物、聚矽氧改性環氧樹脂等改性環氧樹脂組合物、環氧改性聚矽氧樹脂等改性聚矽氧樹脂組合物、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂組合物、改性聚醯亞胺樹脂組合物等硬化體、聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚碳酸酯樹脂、聚苯硫醚(PPS)、液晶聚合物(LCP)、ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂、酚樹脂、丙烯酸系樹脂、PBT(polybutylene terephthalate，聚對苯二甲酸丁二酯)樹脂等樹脂。特別是，較佳為使用環氧樹脂組合物或改性聚矽氧樹脂組合物之熱固性樹脂。
又，作為樹脂部30之樹脂材料，較佳為使用耐熱性及耐光性優異之聚矽氧樹脂組合物(例如SMC樹脂)。
樹脂部30較佳為於上述之成為母材之樹脂材料中含有光反射性物質。作為光反射性物質，較佳為使用不易吸收來自發光元件之光且相對於成為母材之樹脂材料而言折射率差較大之構件。此種光反射性物質例如為氧化鈦、氧化鋅、氧化矽、氧化鋯、氧化鋁、氮化鋁等。
又，樹脂部30為了提高發光裝置100之對比度，亦可含有對發光裝置100之外界光(大多情形時係太陽光)光反射率較低之填充劑。於該情形時，樹脂部30例如係黑色或接近黑色之顏色。作為填充劑，可根據目的利用乙炔黑、活性炭、石墨等碳或氧化鐵、二氧化錳、氧化鈷、氧化鉬等過渡金屬氧化物、或者有色有機顏料等。
再者，本發明之發光裝置亦可不具備封裝體1。圖5A係表示發光裝置之一例之模式俯視圖，圖5B係圖5A中之5B-5B處之模式剖面圖。圖5A及圖5B所示之發光裝置100A亦可不具備封裝體1。發光裝置100A具備第1發光元件10及第2發光元件20、配置於第1發光元件10之上表面上之第1透光性構件15、配置於第2發光元件20之上表面上之第2透光性構件25、配置於各發光元件之側面之透光層8、及被覆透光層8之外表面之樹脂部30。於第1透光性構件15內含有第1螢光體61。又，於圖5B所示之發光裝置100A中，透光層8被覆發光元件之上表面。
透光層8覆蓋各發光元件之側面，將從各發光元件之側面出射之光導光至發光裝置之上表面方向。亦即，到達至各發光元件之側面之光之一部分於側面被反射並於發光元件內衰減，透光層8可將該光通過透光層8提取至發光元件之外側。透光層8可使用樹脂部30中例示之樹脂材料，尤佳為聚矽氧樹脂、聚矽氧改性樹脂、環氧樹脂、酚樹脂等熱固性之透光性樹脂。再者，較佳為透光層8之光之透過率較高。因此，通常，較佳為於透光層8中不添加會將光反射、吸收或散射之添加物。
樹脂部30覆蓋設置於各發光元件之側面之透光層8之外表面及各發光元件之側面之一部分。關於樹脂部30，例如，以當對透光層8與各發光元件之熱膨脹率差(將其稱為「第1熱膨脹率差ΔT30」)和樹脂部30與各發光元件之熱膨脹率差(將其稱為「第2熱膨脹率差ΔT40」)進行比較時成為ΔT40＜ΔT30之方式，選擇成為樹脂部30之樹脂材料。藉此，能夠抑制透光層8從各發光元件剝離。
又，圖5C所示之發光裝置100B係發光裝置100A之變化例。於發光裝置100B中，上述之透光層對應於第1透光性構件15及第2透光性構件25。亦即，第1螢光體61亦可包含於上述之透光層中。藉此，與發光裝置100A相比，能夠減少構件數，而能夠製成廉價之發光裝置。又，發光裝置100B之密封構件40可使用板狀之螢光體。板狀之螢光體例如可使用螢光體之燒結體或者使玻璃或陶瓷等中含有螢光體而成者。藉此，發光裝置100B例如可被用作高輸出之發光裝置。
(第1發光元件、第2發光元件)
第1發光元件10及第2發光元件20作為發光裝置100之光源發揮作用，進而成為螢光體之激發源。第1發光元件10及第2發光元件20可使用發光二極體元件等，可包含能夠實現可見光區域之發光之氮化物半導體(Inx Aly Ga1-x-y N、0≦x、0≦y、x+y≦1)。
第1發光元件10及第2發光元件20各自之發光峰值波長係430 nm～480 nm。第1發光元件10及第2發光元件20具有較近紫外區域為長波長側之發光峰值波長，藉此能夠抑制近紫外區域之光之問題(例如，對人體或照射物帶來惡劣影響，或者發光裝置之構成構件劣化使得發光裝置之發光效率大幅下降之問題)。發光裝置100只要至少具備2個發光元件即可，亦可具備3個以上之發光元件。
(第1透光性構件、第2透光性構件)
第1透光性構件15位於第1發光元件10之上表面上，第2透光性構件25位於第2發光元件20之上表面上。第1透光性構件15包含第1螢光體61。第1透光性構件15等可與發光元件之上表面直接接觸而配置，亦可位於發光元件之上方，且於第1透光性構件15等與發光元件之上表面之間存在其他構件(例如，上述之保護層)。
又，第1透光性構件15及第2透光性構件25可進而被覆發光元件之側面。藉由第1透光性構件15等被覆發光元件之上表面及側面，從而能夠抑制向發光元件之上方出射之光與向側方出射之光之間之顏色不均。再者，第1透光性構件15及第2透光性構件25兩者可被覆發光元件之上表面及側面，又，例如，亦可為僅單方之透光性構件被覆發光元件之上表面及側面。於圖6中，第1透光性構件15配置於第1發光元件10之上表面上，未被覆第1發光元件10之側面。第2透光性構件25被覆第2發光元件20之上表面及側面，進而被覆第1發光元件10之側面及第1透光性構件15。藉此，能夠使從第1發光元件10及第2發光元件20出射之光充分混色，例如能夠抑制從上方觀察發光裝置100B時之顏色不均。
第1透光性構件15及第2透光性構件25可設為各種形狀。特別是，第1透光性構件15及第2透光性構件25較佳為如圖1G所示般大致半球狀或大致半橢圓體。換言之，第1透光性構件15及第2透光性構件25較佳為上表面之全部成為曲面。藉此，能夠抑制從第1發光元件10等出射之光於第1透光性構件15等之表面被反射而返回第1發光元件10等側。
第1透光性構件15及第2透光性構件25於高度方向上可為相同之高度，亦可不同。例如，於高度方向上，第1透光性構件15可設得較第2透光性構件25高。藉此，例如，能夠增加第1透光性構件15中含有之第1螢光體61之含量。藉此，能夠容易使從第1透光性構件15出射之光之色度與從第2透光性構件25出射之光之色度不同。
第1透光性構件15及第2透光性構件25作為成為母材之樹脂材料，可使用熱固性樹脂、熱塑性樹脂等。成為母材之樹脂材料可使用能夠用作樹脂部30之母材之樹脂材料。特別是，較佳為使用聚矽氧樹脂組合物或環氧樹脂組合物。又，可於第1透光性構件15及第2透光性構件25中分散氧化鈦、氧化矽、氧化鋯、氧化鋁等光散射粒子。又，可使成為第1透光性構件15之母材之樹脂材料與成為第2透光性構件25之母材之樹脂材料之折射率不同。
第1螢光體61只要係藉由第1發光元件10之光激發之螢光體即可，例如，可使用(Ca，Sr，Ba)5 (PO4 )3 (Cl，Br)：Eu、(Sr，Ca，Ba)4 Al14 O25 ：Eu、(Ca，Sr，Ba)8 MgSi4 O16 (F，Cl，Br)2 ：Eu、(Y，Lu，Gd)3 (Al，Ga)5 O12 ：Ce、(Sr，Ca)AlSiN3 ：Eu、3.5MgO・0.5MgF2 ・GeO2 ：Mn、(x-s)MgO・(s/2)Sc2 O3 ・yMgF2 ・uCaF2 ・(1-t)GeO2 ・(t/2)Mt 2 O3 ：zMn、Ca3 Sc2 Si3 O12 ：Ce、CaSc2 O4 ：Ce、(La，Y)3 Si6 N11 ：Ce、(Ca，Sr，Ba)3 Si6 O9 N4 ：Eu、(Ca，Sr，Ba)3 Si6 O12 N2 ：Eu、(Ba，Sr，Ca)Si2 O2 N2 ：Eu、(Ca，Sr，Ba)2 Si5 N8 ：Eu、(Ca，Sr，Ba)S：Eu、(Ba，Sr，Ca)Ga2 S4 ：Eu、K2 (Si，Ti，Ge)F6 ：Mn之螢光體。
再者，第1透光性構件15或第2透光性構件25除了樹脂材料以外還可由陶瓷、玻璃或螢光體之燒結體等形成。藉此，於高輸出之發光裝置中能夠提高發光裝置之可靠性。
(密封構件)
發光裝置100具備被覆第1透光性構件15及第2透光性構件25之密封構件40。密封構件40保護發光元件等免受外力、塵埃、水分等之傷害。密封構件40較佳為使從發光元件出射之光之60%以上透過者、進而使90%以上透過者。作為密封構件40之母材，可使用樹脂部30中使用之樹脂材料。作為成為母材之樹脂材料，可使用熱固性樹脂、熱塑性樹脂等，例如，可使用聚矽氧樹脂、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂或包含其等中之1種以上之樹脂。密封構件可由單一層形成，又，亦可由複數層構成。又，可使密封構件40中分散氧化鈦、氧化矽、氧化鋯、氧化鋁等光散射粒子。
密封構件40包含對來自發光元件之光之波長進行轉換之第2螢光體63。第2螢光體63可為1種螢光體，亦可為複數種螢光體。藉由作為第2螢光體63使用複數種螢光體，能夠提高發光裝置100之演色性等。作為第2螢光體63，可使用第1螢光體61中使用之螢光體。作為第2螢光體63，較佳為使用半值寬較寬之螢光體，例如，較佳為使用(Y，Lu，Gd)3 (Al，Ga)5 O12 ：Ce，進而較佳為使用將(Y，Lu，Gd)3 (Al，Ga)5 O12 ：Ce及(Sr，Ca)AlSiN3 ：Eu混合而成之物質。藉此，可製成演色性較高之發光裝置。又，第2螢光體63較佳為發出波長與第1螢光體61同等之光之螢光體、或發出較第1螢光體61為短波長之光之螢光體。藉此，能夠抑制從第1螢光體61發出之光被第2螢光體63吸收之比率。
光散射粒子及/或螢光體之含量較佳為例如相對於密封構件40之總重量為10～150重量%程度。
再者，密封構件40除了樹脂材料以外亦可由陶瓷、玻璃或螢光體之燒結體等形成。藉此，於高輸出之發光裝置中能夠提高發光裝置之可靠性。又，於高輸出之發光裝置之情形時，可由陶瓷、玻璃或螢光體之燒結體等形成第1透光性構件15、第2透光性構件25及密封構件40。
(保護元件)
發光裝置100為了提高靜電耐壓可具備保護元件。於圖1A所示之發光裝置100中，保護元件11位於第2引線52之上表面。保護元件可為1個，亦可為複數個。例如，發光裝置100可相對於1個發光元件配置1個保護元件。於發光裝置100中，由於各發光元件之導電路徑分開，因此藉由對各個發光元件配置1個保護元件，從而能夠進而提高發光裝置100之靜電耐壓。
(第2實施形態)
圖7A係第2實施形態之發光裝置200之模式俯視圖，圖7B係發光裝置200之模式仰視圖，圖7C係圖7A中之7C-7C線處之模式剖面圖。於圖7A中，省略密封構件40及光反射性構件5而圖示以便容易看清凹部2之內部。發光裝置200與第1實施形態之發光裝置100之主要不同點在於：具備包圍元件載置區域之槽部4；及具備光反射性構件5。因此，針對發光裝置200，以槽部4及光反射性構件5為中心進行說明。
如圖7A所示，發光裝置200具有包圍元件載置區域之槽部4。槽部4作為阻擋成為下述之光反射性構件5之樹脂材料之阻擋部發揮作用。槽部4於凹部2之底面配置於供形成光反射性構件5之區域(外周區域)與元件載置區域之間。
槽部4可為連續之1個槽，亦可為斷續形成之複數個槽。於槽部4為斷續形成之複數個槽之情形時，各槽之隔開距離較佳為設定為較窄之距離。藉此，能夠抑制成為光反射性構件5之樹脂材料到達至發光元件之側面。各槽之隔開距離例如為1 μm～100 μm，較佳為10 μm～50 μm。
光反射性構件5於凹部2內形成光反射面，具有將第1發光元件10及第2發光元件20等之光高效地向上方提取之作用。光反射性構件5之光反射面位於凹部2之內側面與槽部4之間。發光裝置200藉由具備光反射性構件5，從而能夠提高發光裝置之光提取。
光反射性構件5較佳為不易對來自發光元件之光或外界光等引起透過或吸收之構件。光反射性構件5較佳為白色。成為光反射性構件5之母材之樹脂材料可使用熱固性樹脂、熱塑性樹脂等。具體而言，可使用酚樹脂、環氧樹脂、BT樹脂、PPA或聚矽氧樹脂等。光反射性構件5於該等成為母材之樹脂材料中含有光反射性物質。作為光反射性物質，較佳為使用不易吸收來自發光元件之光且相對於成為母材之樹脂材料而言折射率差較大之構件。此種光反射性物質例如為氧化鈦、氧化鋅、氧化矽、氧化鋯、氧化鋁、氮化鋁。光反射性構件5較佳為未硬化狀態之黏度低於樹脂部30之未硬化狀態之黏度。藉此，於凹部2內，光反射性構件5之流動良好，能夠抑制光反射性構件5填充不足之可能性。光反射性構件5之未硬化狀態之黏度較佳為1 pa・s～20 pa・s，更佳為5 pa・s～15 pa・s。又，較佳為光反射性構件5於未硬化狀態下觸變性較高。
較佳為光反射性構件5之光反射率較樹脂部30高。例如，光反射性構件5中含有之光反射性物質(例如氧化鈦)之含量較樹脂部30中含有之光反射性物質(例如氧化鈦)之含量多。具體而言，較佳為光反射性構件5中含有之光反射性物質之含量係樹脂部30中含有之光反射性物質之含量之1.5倍以上，更佳為2倍以上，進而較佳為2.5倍以上。例如，光反射性構件5中，於未硬化之樹脂材料之總重量中含有30～75重量%之氧化鈦，樹脂部30中，於未硬化之樹脂材料之總重量中含有15～20重量%之氧化鈦。
(第3實施形態)
圖8A係第3實施形態之發光裝置300之模式俯視圖，圖8B係發光裝置300之模式仰視圖。發光裝置300與第1實施形態之發光裝置100之主要不同點在於：進而具備第4引線54；及具備複數個保護元件。因此，針對發光裝置300，以與發光裝置100之不同點為中心進行說明。
發光裝置300進而具備作為複數個引線50之第4引線54。於圖8A所示之發光裝置300中，第1發光元件10配置於第1引線51之上表面，第2發光元件20配置於第2引線52之上表面。並且，第1發光元件10之正負電極中之一電極藉由導線而與第1引線51連接，另一電極藉由導線而與第3引線53連接。又，第2發光元件20之正負電極中之一電極藉由導線而與第2引線52連接，另一電極藉由導線而與第4引線54連接。藉此，能夠將第1發光元件10之導電路徑(第1引線51及第3引線53)與第2發光元件20之導電路徑(第2引線52及第4引線54)完全分離。因此，能夠自由度較高地調整流通於第1發光元件10及第2發光元件20各者之電流值。
發光裝置300具備複數個保護元件。圖8A所示之發光裝置300具備第1保護元件11及第2保護元件12。第1保護元件11配置於第3引線53之上表面，第2保護元件12配置於第4引線54之上表面。於發光裝置300中，第1發光元件10之導電路徑與第2發光元件20之導電路徑獨立，因此藉由對各個發光元件配置1個保護元件，從而能夠進而提高發光裝置300之靜電耐壓。
又，如圖8C所示，較佳為發光裝置300在位於凹部2之底面之樹脂部30之上表面具有凹陷部9。藉由發光裝置300具有凹陷部9，從而能夠提高樹脂部30與密封構件40之密接性。凹陷部9可設為各種形狀，例如，於俯視下，可形成於第1引線51與第2引線52之間、第1引線51與第3引線53之間、第2引線52與第4引線54之間、或第3引線53與第4引線54之間，進而可於該等區域連續地形成。於圖8C中，凹陷部9於俯視下於第1引線51與第2引線52之間、第1引線51與第3引線53之間及第2引線52與第4引線54之間連續地形成。
圖8D係表示安裝發光裝置300之安裝基板之配線120之模式俯視圖。又，圖中用虛線表示之部分表示發光裝置300之外緣。圖8D所示之安裝基板之配線120具有第1配線部70a、第2配線部70b、第3配線部70c及第4配線部70d。又，第1配線部70a等包含具有第1寬度h1之窄幅部71、及具有寬度較第1寬度h1寬之第2寬度h2之寬幅部72。位於發光裝置300之下表面之複數個引線50經由接合構件而與安裝基板側之配線120電性連接。具體而言，第1引線51位於第1配線部70a之窄幅部71上，第2引線52位於第2配線部70b之窄幅部71上，第3引線53位於第3配線部70c之窄幅部71上，第4引線54位於第4配線部70d之窄幅部71上。藉由使位於各窄幅部71上之引線之寬度對應於窄幅部71之第1寬度h1，從而能夠提高發光裝置300之自對準性。又，藉由將發光裝置300配置成發光裝置300之外緣位於各配線部之寬幅部72上，從而能夠於發光裝置300旋轉之情形時於寬幅部72之外緣實現自對準。其結果，能夠進而提高發光裝置300之自對準性。
繼而，於圖8E中表示於安裝基板之配線120上形成有接合構件之情況。安裝基板之配線120上之接合構件例如可藉由使用具備開口部75之遮罩於開口部內配置接合構件而形成。遮罩之厚度例如為50～200 μm，較佳為75～150 μm，更佳為90～120 μm。藉此，能夠於配線上配置適當之接合構件之量，例如，能夠降低因接合構件之量過剩而導致發光裝置傾斜地配置或者發光裝置300之自對準難以發揮作用之可能性。於圖8E中，施加有影線之區域係遮罩之開口部75(供形成接合構件之區域)。遮罩之開口部75之外緣於俯視下可與各配線部之外緣一致，又，亦可不與各配線部之外緣一致。圖8E所示之開口部75之外緣一部分與配線部之外緣一致，另一部分較配線部之外緣更靠內側。具體而言，於俯視下，將各開口部75配置成開口部75與相鄰之開口部75之隔開距離大於對應之配線部與配線部之隔開距離。藉此，能夠降低接合構件熔融時接合構件橫跨各配線部擴散而導致電性短路之可能性。藉此，減少接合構件之量，並且於各配線部中接合構件容易擴散。又，開口部75較佳為如圖8E所示，具備窄幅部76、寬幅部77及位於窄幅部76及寬幅部77之間之中間部78。中間部78之寬度(圖中之左右寬度)較窄幅部76之寬度寬，較寬幅部77之寬度窄。藉由開口部75具備中間部78，從而接合構件能夠容易於開口部75內擴散。
又，較佳為遮罩之各開口部75之平面面積之合計相對於安裝基板之各配線部之平面面積之合計為30%以上，更佳為40%以上，進而較佳為50%以上。藉此，能夠降低接合構件之量不足而使得發光裝置300與安裝基板之接合強度降低之可能性。又，較佳為遮罩之各開口部75之平面面積之合計相對於安裝基板之各配線部之平面面積之合計未達100%。藉此，能夠降低接合構件熔融時接合構件橫跨各配線部擴散而電性短路之可能性。
繼而，於圖8F中作為發光裝置300之變化例示出發光裝置300A。發光裝置300A於凹部2之側壁之一部分具有凸部9a。凸部9a具有沿著從封裝體1之外側面朝向封裝體1之內側之方向突出之形狀。較佳為凸部9a橫跨複數個引線50中之至少2個引線而形成。藉此，至少2個引線間之強度變高，封裝體1之強度得到提高。於圖8F所示之發光裝置300A中，凸部9a橫跨第1引線51與第2引線52之間形成，又，橫跨第3引線53與第4引線54之間形成。藉此，能夠提高封裝體1之強度。又，如發光裝置300A，於各引線之隔開區域從凹部2之側壁至對向之側壁為止形成於直線上之情形時，有時封裝體1之強度會變低。於此種發光裝置300A之情形時，藉由於各引線之隔開區域之直線上配置凸部9a，從而能夠抑制封裝體1之強度之降低。於發光裝置300A中，凸部9a形成於各引線之隔開區域(第1引線51與第2引線52之隔開區域及第3引線53與第4引線54之隔開區域)之直線上。藉此，能夠有效地提高封裝體1之強度。
又，較佳為發光裝置300A於凹部2之側壁具有第1凹部9b。發光裝置300A藉由具有第1凹部9b，從而與密封構件40之密接強度得到提高。又，藉由將與發光元件或保護元件連接之導線之一端連接於第1凹部9b之附近，從而能夠確保連接導線之區域較大，能夠降低導線之連接不良等可能性。於圖8F所示之發光裝置300A中，與第1保護元件11及第2保護元件12連接之導線之一端分別被連接於1凹部9b之附近。
較佳為發光裝置300A具有被覆保護元件之光反射性構件5。藉此，能夠降低來自發光元件之光被保護元件吸收之可能性。
又，較佳為發光裝置300A於保護元件之附近之引線之上表面具有第2凹部9c。較佳為第2凹部9c於一引線之上表面位於與發光元件連接之導線之一端所連接之區域和保護元件之間。藉此，能夠抑制接合保護元件之接合構件擴散至與發光元件連接之導線之一端所連接之區域，從而能夠降低引起導線之連接不良等之可能性。又，第2凹部9c於俯視下可為直線形狀、曲線形狀或組合直線或曲線而成之形狀。第2凹部9c例如可設為於俯視下如圖8F般彎曲之形狀。彎曲之形狀例如為L字狀。藉此，於接合保護元件之接合構件或上述之光反射性構件5流入了發光元件之導線之一端所連接之區域側之情形時，能夠增大與接合構件等接觸之第2凹部9c之接觸面積。其結果，能夠降低發光元件之導線變成連接不良之可能性，而能夠製成可靠性較高之發光裝置。
繼而，於圖8G中，作為發光裝置300A之變化例示出發光裝置300B。發光裝置300B於凹部2之側壁之一部分具有第1凸部9aa、及於俯視下具有與第1凸部9aa之寬度不同之寬度之第2凸部9ab。藉由使第1凸部9aa及第2凸部9ab於俯視下之形狀不同，從而例如能夠作為表示發光裝置300B之引線之極性之標記發揮作用。再者，於圖8G所示之發光裝置300B中，第1凸部9aa及第2凸部9ab從凹部2之底面形成至樹脂封裝體1之上表面80。又，第1凸部9aa及第2凸部9ab成為了樹脂部30之一部分。
發光裝置300B於凹部2之側壁，於保護元件之導線之一端及發光元件之導線之一端附近具有第1凹部9b。發光裝置300B藉由具有複數個第1凹部9b，從而與密封構件40之密接強度得到提高。又，藉由將與發光元件及保護元件連接之導線之一端連接於第1凹部9b之附近，從而能夠確保連接導線之區域較大。特別是，如圖8H所示，於與發光元件10、20連接之導線Y之一部分位於透光性構件15、25內之情形時，可容易地增大透光性構件15、25與導線Y之傾斜部X(於圖8H中，導線Y之彎曲部、與導線Y和引線之連接部之間之部分)之隔開距離。藉此，例如，於發光元件之上方塗佈了成為透光性構件之樹脂材料時，能夠降低該樹脂材料順著導線流動之可能性。其結果，能夠形成具有期望之形狀之透光性構件。於圖8G所示之發光裝置300B中，第1發光元件10、第2發光元件20、與第1保護元件11及第2保護元件12連接之導線之一端被連接於第1凹部9b之附近。
又，於圖8J及圖8K中，示出導線Y之其他形狀。於圖8J中，導線Y具有從透光性構件15、25之內側延伸至外側之直線部Z。並且，直線部Z形成為直線部Z與透光性構件15、25之上表面之法線所形成之角度θ為90度±15度。藉此，例如，於發光元件10、20之上方塗佈了成為透光性構件15、25之樹脂材料時，能夠降低該樹脂材料順著導線流動之可能性。其結果，能夠形成具有期望之形狀之透光性構件。又，發光元件之電極與導線Y之連接部分C可根據發光元件之電極之位置或電極形狀等進行各種變更。於此種情形時，如圖8K所示，可於連接部分C與直線部Z之間形成複數個彎曲點，調整直線部Z之起點與終點之位置。藉此，能夠將由直線部Z與透光性構件形成之角度θ設為期望之角度。於圖8K中，導線Y具有3個彎曲點R、S、T，具有從連接部分C向上方向延伸至彎曲點R之第1導線部YA、從彎曲點R延伸至彎曲點S之第2導線部YB、從彎曲點S延伸至彎曲點T之直線部Z、以及從彎曲點T延伸至引線之上表面之第3導線部YC。較佳為，於高度方向上，彎曲點S之位置低於彎曲點R及彎曲點T之位置。藉此，例如，容易形成導線Y之環形狀，又，能夠提高導線Y之耐久性。
圖8I係表示發光裝置300B之複數個引線50之模式俯視圖。發光裝置300B具備複數個引線50。圖8I所示之複數個引線50具備第1引線51、第2引線52、第3引線53及第4引線54。較佳為複數個引線50於上表面具備供樹脂部30之一部分進入之第3凹部9d。藉此，能夠提高複數個引線50與樹脂部30之密接性。第3凹部9d可設置於複數個引線50中之所有引線之上表面，又，亦可僅設置於一部分引線之上表面。又，第3凹部9d於1個引線之上表面可僅為一個，亦可為2個以上。於圖8I所示之複數個引線50中，於第1引線51及第2引線52之上表面形成有複數個第3凹部9d。又，第1引線51及第2引線52之上表面之中，於圖8G所示之第1凹部9b所處之區域附近，未形成第3凹部9d。
圖8I之被虛線包圍之區域係於發光裝置300B之下表面從樹脂部30露出之部分。圖8I所示之複數個引線50於下表面具有下表面凹部9e。藉由複數個引線50具有下表面凹部9e，從而樹脂部30之一部分進入下表面凹部9e，而能夠提高複數個引線50與樹脂部30之密接性。又，較佳為第3凹部9d不位於下表面凹部9e之上方。藉此，能夠抑制第3凹部9d與下表面凹部9e連結(貫通)使得引線強度降低。
又，發光裝置300可如圖9A及圖9B所示般配置複數個引線50。圖9A及圖9B所示之發光裝置300於凹部2之底面具備角部6a、6b、6c、6d，第1發光元件10位於角部6a之附近，第1保護元件11位於角部6b之附近，第2發光元件20位於角部6c之附近，第2保護元件12位於角部6d之附近。亦即，第1發光元件10及第2發光元件20配置於對角，第1保護元件11及第2保護元件12配置於對角。藉由於發光裝置300中如上述般配置複數個引線50，從而例如如圖9C所示般容易引繞安裝基板側之配線圖案。於圖9C中，例如，排列成一行之發光裝置300之第1發光元件10與排列成和一行相鄰之另一行之發光裝置300之第2發光元件20串聯連接，位於一發光裝置300內之第1發光元件10及第2發光元件20獨立驅動。再者，安裝基板側之配線圖案可設為各種圖案。
(第4實施形態)
圖10A係第4實施形態之發光裝置400之模式俯視圖，圖10B係發光裝置400之模式仰視圖。發光裝置400與第1實施形態之發光裝置100之主要不同點在於：第2透光性構件25具備第3螢光體62。因此，針對發光裝置400，以第2透光性構件25及第3螢光體62為中心進行說明。
於發光裝置400中，第1透光性構件15包含第1螢光體61，第2透光性構件25包含第3螢光體62。藉由第2透光性構件25包含第3螢光體62，從而能夠進而容易使從第1透光性構件15出射之出射光之色度與從第2透光性構件25出射之出射光之色度不同。
作為第3螢光體62之一例，第3螢光體62係與第1螢光體61同一組成之螢光體。於作為第1螢光體61及第3螢光體62使用同一組成之螢光體之情形時，第1透光性構件15包含之第1螢光體61之含量不同於第2透光性構件25包含之第3螢光體62之含量。例如，於作為第1螢光體61及第3螢光體62使用同一組成之紅色螢光體之情形時，藉由使各個螢光體之含量不同，從而能夠將紅色螢光體之含量較多之出射光之色度之x值設得相對較大。藉由使用相互同一組成之螢光體，從而容易調整從各透光性構件出射之光之色度，能夠高效地將混色後之發光裝置400之光設為期望之光。
又，作為第3螢光體62之另一例，第1螢光體61係發出長波之光之螢光體，第3螢光體62係發出短波之光之螢光體。例如，作為第1螢光體61使用發出紅色光之紅色螢光體，作為第3螢光體62使用發出藍～綠色之光之螢光體。藉此，能夠相對增大從第1透光性構件15出射之出射光之色度之x值，進而能夠相對減小從第2透光性構件25出射之出射光之色度之x值。
第1發光元件10及第2發光元件20可將各自之發光峰值波長設為大致同等(例如誤差5 nm之範圍內)。藉此，例如，於作為第1螢光體61及第3螢光體62使用了不同種類之螢光體之情形時，可容易使從第1透光性構件15出射之光之色度與從第2透光性構件25出射之光之色度不同。
又，第1發光元件10及第2發光元件20可將各自之發光峰值波長設為相差10 nm以上。藉此，例如，即便作為第1螢光體61及第3螢光體62以大致相同之含量使用了同一組成之螢光體，亦容易使各自之色度不同。
再者，第1實施形態至第4實施形態中說明之各發光裝置之特徵部可較佳地應用於其他實施形態。又，於第1實施形態等中，主要說明了向第1發光元件10之上方出射之光之色度之x值大於向第2發光元件20之上方出射之光之色度之x值之情形，但並不限於此。
1‧‧‧封裝體
2‧‧‧凹部
3‧‧‧凹陷部
4‧‧‧槽部
5‧‧‧光反射性構件
6a‧‧‧角部
6b‧‧‧角部
6c‧‧‧角部
6d‧‧‧角部
7‧‧‧基板
8‧‧‧透光層
9‧‧‧凹陷部
9a‧‧‧凸部
9aa‧‧‧第1凸部
9ab‧‧‧第2凸部
9b‧‧‧第1凹部
9c‧‧‧第2凹部
9d‧‧‧第3凹部
9e‧‧‧下表面凹部
10‧‧‧第1發光元件
11‧‧‧保護元件、第1保護元件
12‧‧‧第2保護元件
15‧‧‧第1透光性構件
20‧‧‧第2發光元件
25‧‧‧第2透光性構件
30‧‧‧樹脂部
40‧‧‧密封構件
50‧‧‧複數個引線
51‧‧‧第1引線
52‧‧‧第2引線
53‧‧‧第3引線
54‧‧‧第4引線
61‧‧‧第1螢光體
62‧‧‧第3螢光體
63‧‧‧第2螢光體
70a‧‧‧第1配線部
70b‧‧‧第2配線部
70c‧‧‧第3配線部
70d‧‧‧第4配線部
71‧‧‧窄幅部
72‧‧‧寬幅部
75‧‧‧開口部
76‧‧‧窄幅部
77‧‧‧寬幅部
78‧‧‧中間部
80‧‧‧上表面
81‧‧‧下表面
82‧‧‧第1外側面
83‧‧‧第2外側面
84‧‧‧第3外側面
85‧‧‧第4外側面
100‧‧‧發光裝置
100A‧‧‧發光裝置
100B‧‧‧發光裝置
120‧‧‧配線
200‧‧‧發光裝置
300‧‧‧發光裝置
300A‧‧‧發光裝置
300B‧‧‧發光裝置
400‧‧‧發光裝置
C‧‧‧連接部分
h1‧‧‧第1寬度
h2‧‧‧第2寬度
R‧‧‧彎曲點
S‧‧‧彎曲點
T‧‧‧彎曲點
X‧‧‧傾斜部
Y‧‧‧導線
YA‧‧‧第1導線部
YB‧‧‧第2導線部
YC‧‧‧第3導線部
Z‧‧‧直線部
θ‧‧‧角度
圖1A係第1實施形態之發光裝置之模式俯視圖。
圖1B係第1實施形態之發光裝置之模式仰視圖。
圖1C係第1實施形態之發光裝置之模式側視圖。
圖1D係第1實施形態之發光裝置之模式側視圖。
圖1E係第1實施形態之發光裝置之模式側視圖。
圖1F係第1實施形態之發光裝置之模式側視圖。
圖1G係圖1A中之1G-1G線處之模式剖面圖。
圖2係表示第1實施形態之發光裝置之色度之圖。
圖3A係說明封裝體之下表面之一例之模式剖面圖。
圖3B係說明封裝體之下表面之一例之模式剖面圖。
圖4A係表示封裝體之一例之模式俯視圖。
圖4B係圖4A中之4B-4B線處之模式剖面圖。
圖5A係表示發光裝置之一例之模式俯視圖。
圖5B係圖5A中之5B-5B之模式剖面圖。
圖5C係第1實施形態之發光裝置之變化例。
圖6係第1實施形態之發光裝置之變化例。
圖7A係第2實施形態之發光裝置之模式俯視圖。
圖7B係第2實施形態之發光裝置之模式仰視圖。
圖7C係圖7A中之7C-7C線處之模式剖面圖。
圖8A係第3實施形態之發光裝置之模式俯視圖。
圖8B係第3實施形態之發光裝置之模式仰視圖。
圖8C係第3實施形態之發光裝置之變化例。
圖8D係表示安裝基板之配線之模式俯視圖。
圖8E係表示遮罩之開口之模式俯視圖。
圖8F係表示第3實施形態之發光裝置之變化例之模式俯視圖。
圖8G係表示第3實施形態之發光裝置之變化例之模式俯視圖。
圖8H係表示與發光元件連接之導線之狀態之圖。
圖8I係表示複數個引線之模式俯視圖。
圖8J係表示與發光元件連接之導線之狀態之圖。
圖8K係表示與發光元件連接之導線之狀態之圖。
圖9A係表示第3實施形態之發光裝置之變化例之模式俯視圖。
圖9B係表示第3實施形態之發光裝置之變化例之模式仰視圖。
圖9C係表示複數個發光裝置之導電路徑之一例之圖。
圖10A係第4實施形態之發光裝置之模式俯視圖。
圖10B係圖10A中之10B-10B線處之模式剖面圖。

Claims (12)

  1. 一種發光裝置，其具備： 第1發光元件及第2發光元件，其等各自之發光峰值波長為430 nm～480 nm； 第1透光性構件，其配置於上述第1發光元件之上表面上，包含第1螢光體； 第2透光性構件，其配置於上述第2發光元件之上表面上；及 密封構件，其被覆上述第1透光性構件及上述第2透光性構件，包含第2螢光體；且 上述第1發光元件及上述第2發光元件能夠分別獨立驅動； 從上述第1透光性構件出射之出射光之色度與從上述第2透光性構件出射之出射光之色度不同。
  2. 如請求項1之發光裝置，其中上述第1螢光體係發出紅色光之紅色螢光體。
  3. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述發光裝置具備具有凹部之封裝體， 上述第1發光元件及上述第2發光元件配置於上述凹部之底面。
  4. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中上述第2透光性構件不包含螢光體。
  5. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中上述第2透光性構件包含第3螢光體。
  6. 如請求項5之發光裝置，其中上述第1螢光體及上述第3螢光體係同一組成之螢光體， 上述第1透光性構件所包含之第1螢光體之含量與上述第2透光性構件所包含之第3螢光體之含量不同。
  7. 如請求項1至6中任一項之發光裝置，其中上述第1透光性構件未被覆上述第1發光元件之側面， 上述第2透光性構件未被覆上述第2發光元件之側面。
  8. 如請求項1至7中任一項之發光裝置，其中上述發光裝置係 於僅驅動了上述第1發光元件時，發出色溫為2700～3000 K之光， 於僅驅動了上述第2發光元件時，發出色溫為5000～6500 K之光。
  9. 如請求項1至8中任一項之發光裝置，其中上述發光裝置發出色溫為2700～6500 K之光。
  10. 如請求項1至9中任一項之發光裝置，其中上述第2螢光體出射之光較上述第1螢光體出射之光為短波。
  11. 如請求項1至10中任一項之發光裝置，其中上述發光裝置具有第1引線、第2引線及第3引線， 上述第1發光元件及上述第2發光元件配置於上述第1引線之上表面。
  12. 如請求項1至10中任一項之發光裝置，其中上述發光裝置具有第1引線、第2引線、第3引線及第4引線， 上述第1發光元件配置於上述第1引線之上表面， 上述第2發光元件配置於上述第2引線之上表面， 上述第3引線電性連接於上述第1發光元件之一電極， 上述第4引線電性連接於上述第2發光元件之一電極。
TW107134297A 2017-09-29 2018-09-28 發光裝置 TWI798266B (zh)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-190323 2017-09-29
JP2017190323 2017-09-29
JP2018028355 2018-02-21
JP2018-028355 2018-02-21
JP2018089696 2018-05-08
JP2018-089696 2018-05-08
JP2018-133153 2018-07-13
JP2018133153 2018-07-13
JP2018-153832 2018-08-20
JP2018153832A JP6705476B2 (ja) 2017-09-29 2018-08-20 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201921719A true TW201921719A (zh) 2019-06-01
TWI798266B TWI798266B (zh) 2023-04-11

Family

ID=63685804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107134297A TWI798266B (zh) 2017-09-29 2018-09-28 發光裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11257990B2 (zh)
EP (1) EP3462490B1 (zh)
KR (1) KR102638560B1 (zh)
CN (1) CN109585631B (zh)
TW (1) TWI798266B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11769862B2 (en) 2020-03-26 2023-09-26 Nichia Corporation Light emitting device
USD993199S1 (en) * 2020-06-22 2023-07-25 Epistar Corporation Light-emitting device
DE102022124732A1 (de) * 2022-09-26 2024-03-28 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils und optoelektronisches bauteil

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100875443B1 (ko) * 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
JP2008084967A (ja) 2006-09-26 2008-04-10 Epson Imaging Devices Corp 発光装置、照明装置、電気光学装置、電子機器
JP2008085026A (ja) 2006-09-27 2008-04-10 Epson Imaging Devices Corp 発光装置、照明装置、電気光学装置、電子機器
US9374876B2 (en) * 2007-08-24 2016-06-21 Martin A. Alpert Multi-chip light emitting diode light device
JP5369486B2 (ja) 2008-04-28 2013-12-18 豊田合成株式会社 発光装置
KR101503499B1 (ko) 2008-09-11 2015-03-18 서울반도체 주식회사 멀티칩 발광 다이오드 패키지
JP2010129583A (ja) 2008-11-25 2010-06-10 Citizen Electronics Co Ltd 照明装置
JP5005712B2 (ja) 2009-02-03 2012-08-22 三菱電機株式会社 発光装置
US9349924B2 (en) * 2009-03-19 2016-05-24 Koninklijke Phililps N.V. Illumination device with remote luminescent material
KR101039994B1 (ko) * 2010-05-24 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101064036B1 (ko) 2010-06-01 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
WO2012001938A1 (ja) * 2010-06-28 2012-01-05 パナソニック株式会社 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
WO2012121304A1 (ja) 2011-03-08 2012-09-13 三菱化学株式会社 発光装置及び発光装置を備えた照明装置
KR101843501B1 (ko) * 2011-03-30 2018-03-29 서울반도체 주식회사 발광장치
KR20130014256A (ko) * 2011-07-29 2013-02-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 조명 시스템
JP5557828B2 (ja) 2011-12-07 2014-07-23 三菱電機株式会社 発光装置
KR20140039471A (ko) 2012-09-24 2014-04-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자 어레이 패키지
US9299687B2 (en) * 2012-10-05 2016-03-29 Bridgelux, Inc. Light-emitting assemblies comprising an array of light-emitting diodes having an optimized lens configuration
JP6291734B2 (ja) 2013-06-28 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6291735B2 (ja) 2013-07-05 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6764340B2 (ja) * 2013-08-01 2020-09-30 シグニファイ ホールディング ビー ヴィＳｉｇｎｉｆｙ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｂ．Ｖ． 適合された出力スペクトルを持つ発光装置
JP6331389B2 (ja) 2013-12-27 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6398563B2 (ja) * 2014-05-29 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102014112681A1 (de) 2014-09-03 2016-03-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Blitzlicht
KR102341366B1 (ko) * 2014-11-18 2021-12-21 서울반도체 주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프
US10323803B2 (en) * 2014-11-18 2019-06-18 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and vehicular lamp comprising same
WO2016129658A1 (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 シチズン電子株式会社 発光装置及びその製造方法
TWI553918B (zh) 2015-03-26 2016-10-11 艾笛森光電股份有限公司 發光二極體封裝元件
JP6575282B2 (ja) * 2015-10-08 2019-09-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6447524B2 (ja) * 2016-01-18 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置を備えたバックライト

Also Published As

Publication number Publication date
US20190103525A1 (en) 2019-04-04
TWI798266B (zh) 2023-04-11
CN109585631B (zh) 2023-09-26
US11257990B2 (en) 2022-02-22
EP3462490A1 (en) 2019-04-03
KR20190038452A (ko) 2019-04-08
CN109585631A (zh) 2019-04-05
KR102638560B1 (ko) 2024-02-19
EP3462490B1 (en) 2020-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8569944B2 (en) Light emitting device
JP4077170B2 (ja) 半導体発光装置
JP2010199547A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP6107415B2 (ja) 発光装置
TWI798266B (zh) 發光裝置
JP6076796B2 (ja) 半導体発光装置
JP7096504B2 (ja) 発光装置
JP2007288138A (ja) 発光装置
JP6326830B2 (ja) 発光装置及びそれを備える照明装置
JP2009071090A (ja) 発光装置
US10950764B2 (en) Light-emitting device
CN111009603A (zh) 发光装置
JP7089181B2 (ja) 発光装置
JP6920618B2 (ja) 発光装置
JP7248939B2 (ja) 発光装置
JP2022096128A (ja) 発光装置及び面状光源
JP7421145B2 (ja) 発光装置
JP2014158052A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP7161132B2 (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置
JP7460911B2 (ja) 発光装置及びそれを用いたディスプレイ
JP2021010015A (ja) 発光装置
JP2023091319A (ja) 発光装置
JP2024069127A (ja) 発光装置