CN109585631B - 发光装置 - Google Patents
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 109
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 101
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 101
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 58
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 3
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 3
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- RGYAVZGBAJFMIZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylhex-2-ene Chemical compound CCCC(C)=C(C)C RGYAVZGBAJFMIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007977 PBT buffer Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006230 acetylene black Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical class C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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Abstract
提供一种作为发光色可发出色度幅度宽的光的发光装置。发光装置,具备:第1发光元件和第2发光元件,发光峰值波长分别是430nm~480nm;第1透光性部件,配置在第1发光元件的上表面上,包括第1荧光体;第2透光性部件,配置在第2发光元件的上表面上;和密封部件,覆盖第1透光性部件和第2透光性部件,包括第2荧光体,能够分别独立驱动第1发光元件和第2发光元件,从第1透光性部件射出的射出光的色度不同于从第2透光性部件射出的射出光的色度。
Description
技术领域
本公开涉及发光装置。
背景技术
一般,使用了发光二极管等发光元件的发光装置被广泛用作照明器具等的各种光源。作为这种发光装置,例如,有如下的发光装置,其具备多个发光元件、荧光体和使电流单独流过各个发光元件的封装体(例如,专利文献1)。在这种发光装置中,通过调整各个发光元件的发光强度,从而能够将从发光装置射出的光设为期望的发光色。
【专利文献1】JP特开2013-120812号公报
但是,在专利文献1的发光装置中,作为发光色很难发出色度幅度宽的光。
发明内容
因此,本发明的一实施方式中,目的在于提供一种作为发光色能够发出色度幅度宽的光的发光装置。
本发明的一实施方式的发光装置具备:第1发光元件和第2发光元件,发光峰值波长分别是430nm~480nm;第1透光性部件,配置在第1发光元件的上表面上,包括第1荧光体;第2透光性部件,配置在第2发光元件的上表面上;密封部件,覆盖第1透光性部件和第2透光性部件,包括第2荧光体,能够分别独立驱动第1发光元件和第2发光元件,从第1透光性部件射出的射出光的色度不同于从第2透光性部件射出的射出光的色度。
通过本发明的一实施方式,能够提供一种作为发光色发出色度幅度宽的光的发光装置。
附图说明
图1A是第1实施方式涉及的发光装置的示意俯视图。
图1B是第1实施方式涉及的发光装置的示意仰视图。
图1C是第1实施方式涉及的发光装置的示意侧视图。
图1D是第1实施方式涉及的发光装置的示意侧视图。
图1E是第1实施方式涉及的发光装置的示意侧视图。
图1F是第1实施方式涉及的发光装置的示意侧视图。
图1G是图1A中的1G-1G线处的示意端面图。
图2是表示第1实施方式涉及的发光装置的色度的图。
图3A是说明封装体的下表面的一例的示意端面图。
图3B是说明封装体的下表面的一例的示意端面图。
图4A是表示封装体的一例的示意俯视图。
图4B是图4A中的4B-4B线处的示意端面图。
图5A是表示发光装置的一例的示意俯视图。
图5B是图5A中的5B-5B的示意端面图。
图5C是第1实施方式涉及的发光装置的变形例。
图6是第1实施方式涉及的发光装置的变形例。
图7A是第2实施方式涉及的发光装置的示意俯视图。
图7B是第2实施方式涉及的发光装置的示意仰视图。
图7C是图7A中的7C-7C线处的示意端面图。
图8A是第3实施方式涉及的发光装置的示意俯视图。
图8B是第3实施方式涉及的发光装置的示意仰视图。
图8C是第3实施方式涉及的发光装置的变形例。
图8D是表示安装基板的布线的示意俯视图。
图8E是表示掩模的开口的示意俯视图。
图8F是表示第3实施方式涉及的发光装置的变形例的示意俯视图。
图8G是表示第3实施方式涉及的发光装置的变形例的示意俯视图。
图8H是表示与发光元件连接的焊线的状态的图。
图8I是表示多个引线的示意俯视图。
图8J是表示与发光元件连接的焊线的状态的图。
图8K是表示与发光元件连接的焊线的状态的图。
图9A是表示第3实施方式涉及的发光装置的变形例的示意俯视图。
图9B是表示第3实施方式涉及的发光装置的变形例的示意仰视图。
图9C是表示多个发光装置的导电路径的一例的图。
图10A是第4实施方式涉及的发光装置的示意俯视图。
图10B是图10A中的10B-10B线处的示意端面图。
【符号说明】
100、100A、100B 发光装置
200、300、300A、300B、400 发光装置
1 封装体
2 凹部
3 凹陷部
4 槽部
5 光反射性部件
6a 角部
6b 角部
6c 角部
6d 角部
7 基板
8 透光层
9 凹陷部
9a 凸部
9aa 第1凸部
9ab 第2凸部
9b 第1凹部
9c 第2凹部
9d 第3凹部
9e 下表面凹部
10 第1发光元件
11 保护元件、第1保护元件
12 第2保护元件
15 第1透光性部件
20 第2发光元件
25 第2透光性部件
30 树脂部
40 密封部件
50 多个引线
51 第1引线
52 第2引线
53 第3引线
54 第4引线
61 第1荧光体
62 第3荧光体
63 第2荧光体
70a 第1布线部
70b 第2布线部
70c 第3布线部
70d 第4布线部
71 宽窄部
72 宽广部
75 开口部
76 宽窄部
77 宽广部
78 中间部
80 上表面
81 下表面
82 第1外侧面
83 第2外侧面
84 第3外侧面
85 第4外侧面
120 布线
X 倾斜部
Y 焊线
Z 直线部
具体实施方式
以下,基于附图进行详细说明。多个附图中所示的同一符号的部分表示相同或相似的部分或部件。
另外,以下例示用于具体化本发明的技术思想的发光装置,但本发明并不限于以下内容。此外,构成部件的尺寸、材质、形状及其相对配置等在没有特别记载的情况下,其宗旨并不是限定本发明的范围,仅仅是例示。各附图所示出的部件的大小、位置关系等有时为了便于理解等而有所夸张。另外,色名与色度坐标之间的关系、光的波长范围与单色光的色名之间的关系等遵循JISZ8110。
本说明书中和附图中,X方向表示横方向,包括右方向(X+方向)和左方向(X-方向)这两者。此外,Y方向表示纵方向,包括上方向(Y+方向)和下方向(Y_方向)这两者。
此外,在以下说明的实施方式中,“封装体”等用语在设置发光元件、焊线等之前和之后适当使用相同的用语。
(第1实施方式)
图1A是第1实施方式涉及的发光装置100的示意俯视图,图1B是发光装置100的示意仰视图,图1C至图1F是发光装置100的示意侧视图,图1G是图1A中的1G-1G线处的示意端面图。在图1A中,为了容易理解凹部2的内部,省略了密封部件40的图示,另外,由于第1透光性部件15等位于发光元件的上表面上,因此用虚线表示第1发光元件10和第2发光元件20的外缘。发光装置100具备:第1发光元件10和第2发光元件20;配置在第1发光元件10的上表面上的第1透光性部件15;和配置在第2发光元件20的上表面上的第2透光性部件25。第1透光性部件15和第2透光性部件25被密封部件40覆盖。第1实施方式涉及的发光装置100还具备具有凹部2的封装体1,第1发光元件10和第2发光元件20配置在凹部2的底面。
封装体1是用于配置第1发光元件10和第2发光元件20的基座。封装体1具备:包括第1引线51、第2引线52和第3引线53的多个引线5;和与多个引线50一体形成的树脂部30。此外,封装体1具有凹部2,第1引线51、第2引线52和第3引线53的上表面的一部分位于凹部2的底面。
图1A和图1B所示的封装体1具有上表面80和位于上表面80的相反侧的下表面81。此外,封装体1俯视时具有大致矩形的外形形状,具有第1外侧面82、位于第1外侧面82的相反侧的第2外侧面83、第3外侧面84和位于第3外侧面84的相反侧的第4外侧面85。图1C至图1F分别按顺序表示第1外侧面82、第2外侧面83、第3外侧面84和第4外侧面85。第1引线51在第1外侧面82、第3外侧面84和第4外侧面85中从树脂部30露出,第1引线51和树脂部30大致成同一面。第2引线52在第2外侧面83和第4外侧面85中从树脂部30露出,第2引线52和树脂部30大致成同一面。第3引线53在第2外侧面83和第3外侧面84中从树脂部30露出,第3引线53和树脂部30大致成同一面。由此,在四个外侧面中,第1引线51、第2引线52和第3引线53并没有从树脂部30向外侧延伸,从而可提供占有面积小的小型发光装置100。
封装体1的下表面81起到在安装基板安装发光装置100的安装面的作用。此外,在封装体1的下表面81,第1引线51、第2引线52和第3引线53从树脂部30露出。由此,可有效地从封装体1的下表面81散出从第1发光元件10和第2发光元件20产生的热。此外,在封装体1的下表面81,多个引线50的下表面和树脂部30的下表面大致形成同一面。
第1发光元件10和第2发光元件20起到发光装置100的光源的作用,成为后述的荧光体的激励源。第1发光元件10和第2发光元件20具有430nm~480nm的发光峰值波长。第1发光元件10和第2发光元件20具有波长比近紫外线区域长的发光峰值波长,从而能够抑制近紫外线区域的光的问题(例如,对人体或照射物带来恶劣影响,或者发光装置的构成部件劣化使得发光装置的发光效率大幅降低的问题)。
并联连接第1发光元件10和第2发光元件20。由此,能够单独设定流过第1发光元件10和第2发光元件20的电流值,例如,能够使流过第1发光元件10和第2发光元件20的电流值不同来驱动这两个发光元件。在图1A所示的发光装置100中,第1发光元件10和第2发光元件20配置在第1引线51的上表面。第1发光元件10在上表面具有正负电极,正负电极中一个电极经由焊线与第2引线52电连接,另一个电极经由焊线与第1引线51电连接。第2发光元件20也是同样地在上表面具有正负电极,正负电极中一个电极经由焊线与第3引线53电连接,另一个电极经由焊线与第1引线51电连接。由此,发光装置100具备三个引线,从而能够独立地驱动各发光元件。另外,通过设置成可独立驱动多个引线50的最小限度的引线数,可减少由引线形成的封装体1的界面。其结果,能够抑制发光装置的强度降低的情况。
优选第1发光元件10和第2发光元件20在其间不配置壁等分区部件。由此,能够提高发光装置100的混色性。具体而言,在图1A所示的发光装置100中,第1发光元件10和第2发光元件20配置在一个收纳部内(凹部2内),在第1发光元件10与第2发光元件20之间没有配置壁等分区部件。由此,容易混合第1发光元件10附近的光和第2发光元件20附近的光的颜色,可成为混色性出色的发光装置。另外,例如,在灯具等其他部件中混合发光装置100的光的颜色的情况下,也可以在第1发光元件10与第2发光元件20之间不配置壁等分区部件。
在图1A所示的发光装置100中,第1发光元件10和第2发光元件20在俯视下是分开配置的。优选配置成第1发光元件10的中心在俯视时与第2发光元件20的中心在X方向和Y方向这双方向上错开。
换言之,优选封装体1从第1外侧面82至第1发光元件10的中心为止的最短距离不同于从第1外侧面82至第2发光元件20的中心为止的最短距离,且从第3外侧面84至第1发光元件10的中心为止的最短距离不同于第3外侧面84至第2发光元件20的中心为止的最短距离。通过俯视时错开配置第1发光元件10和第2发光元件20,能够降低一个发光元件发出的光被另一个发光元件吸收的比率,能够成为光提取良好的发光装置。
发光装置100具备配置在第1发光元件10的上表面的第1透光性部件15和配置在第2发光元件20的上表面的第2透光性部件25。在第1实施方式涉及的发光装置100中,第1透光性部件15包括第1荧光体61,第2透光性部件25不包括荧光体。由此,能够容易使从第1透光性部件15射出的射出光的色度不同于从第2透光性部件25射出的射出光的色度。
第1荧光体61是例如发出红色光的红色荧光体。1931CIE色度图上的光的色度一般在红色成分多时具有色度的x值变大的倾向。因此,通过作为第1荧光体61使用红色荧光体,从而能够容易使从第1透光性部件15射出的射出光的色度(特别是x值)不同于从第2透光性部件25射出的射出光的色度。第1荧光体61例如优选使用半值宽宽的红色荧光体。由此,能够提高发光装置100的显色性。红色荧光体的半值宽例如在80nm以上且100nm以下,优选在85nm以上且95nm以下。作为这种第1荧光体61,例如可使用具有由下述式(1)表示的组成的红色荧光体。
(Sr,Ca)AlSiN3:Eu(1)
通过使用具有由式(1)表示的组成的红色荧光体,能够提高发光装置的显色性的同时提高发光装置的光提取。
此外,第1荧光体61的含有量例如相对于第1透光性部件15的整个重量是50~150重量%。
第2透光性部件25不具有荧光体。因此,第2透光性部件25的射出光的大部分成为蓝色成分多的第2发光元件20的光(发光峰值波长为430nm~480nm的光)。由此,从第2透光性部件25射出的射出光成为色度的x值相对小的光,能够容易使从第1透光性部件15射出的射出光的色度不同于从第2透光性部件25射出的射出光的色度。
此外,通过在第2发光元件20的上表面设置第2透光性部件25,能够减少位于第2发光元件20的上方的第2荧光体63的量。由此,对于向第2发光元件20的上方发出的光而言,由第2荧光体63激励的比率变少。因此,例如,在第2荧光体63包括黄~红色荧光体的情况下,与不具有第2透光性部件25的发光装置相比,能够将向第2发光元件20的上方发出的光设为色度的x值相对小的光。其结果,能够进一步容易使从第1透光性部件15射出的射出光的色度不同于从第2透光性部件25射出的射出光的色度。
优选第1透光性部件15和第2透光性部件25仅覆盖发光元件的上表面。换言之,优选第1透光性部件15和第2透光性部件25覆盖发光元件的上表面,且不覆盖发光元件的侧面。由此,例如,作为密封部件40内的第2荧光体63使用了激励效率高的荧光体的情况下,能够有效激励从发光元件向侧方发出的光。其结果,能够成为光提取良好的发光装置。
此外,在发光元件的上表面涂敷成为第1透光性部件15和第2透光性部件25的液状树脂材料的情况下,在发光元件的上表面的缘部表面张力发挥作用,能够将树脂材料的扩展保留在发光元件的缘部内。由此,在制造多个发光装置的情况下,能够稳定地形成第1透光性部件15和第2透光性部件25的形状,能够提高制造的成品率。此外,通过稳定地形成第1透光性部件15和第2透光性部件25,从而能够成为具有期望的配光等的发光装置。
另外,通过各种方法形成第1透光性部件15和第2透光性部件25。例如,第1透光性部件15等可通过印刷树脂材料、灌封或喷射法等来形成,此外也可以通过粘接剂等粘贴片状或块状的树脂部件来形成。此外,包括荧光体的透光性部件例如可通过电泳沉积法等来形成。
在图1G所示的发光装置100中,第1透光性部件15和第2透光性部件25分别分开。在第1透光性部件15与第2透光性部件25之间配置有密封部件40的一部分。通过将第1透光性部件15和第2透光性部件25不设为一个连续的部件,从而能够抑制第1光源(第1发光元件10和第1透光性部件15)发出的光和第2光源(第2发光元件20和第2透光性部件25)发出的光互相干涉。其结果,能够容易调整第1光源和第2光源各自的色度。
密封部件40覆盖第1透光性部件15和第2透光性部件25。在图1G所示的发光装置100中,密封部件40位于凹部2内,覆盖第1透光性部件15的上表面、第2透光性部件25的上表面、第1发光元件10的侧面和第2发光元件20的侧面。
密封部件40具有第2荧光体63。第2荧光体63可以是一种荧光体,也可以是多种荧光体。通过使用多种荧光体,能够提高发光装置100的显色性。第2荧光体63包括例如具有由下述式(2)表示的组成的荧光体和具有由下述式(3)表示的组成的红色荧光体。
(Y,Lu,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce(2)
(Sr,Ca)AlSiN3:Eu(3)
发光装置100在仅驱动第1发光元件10的情况下,例如,可发出色温为1800~5000K的光。此外,发光装置100在仅驱动第2发光元件20的情况下,例如,设定比仅驱动第1发光元件10时更高的色温,可发出色温为3500~7000K的光。另外,发光装置100通过调整分别流过第1发光元件10和第2发光元件20的电流值,从而能够发出色温为1800~7000K的发光色的光。由此,能够成为作为发光色可发出幅度宽的相关色温的光的发光装置。
图2是表示1931CIE色度图上的发光装置100的色度的一例的图。在图2中,表示了在六个条件下分别驱动流过第1发光元件10和第2发光元件20的电流值来使这两个发光元件发光的发光装置100的色度。六个条件分别是,第1条件(第1发光元件:65mA、第2发光元件:0mA),第2条件(第1发光元件:52mA、第2发光元件:13mA),第3条件(第1发光元件:26mA、第2发光元件:39mA),第4条件(第1发光元件:39mA、第2发光元件:26mA),第5条件(第1发光元件:13mA、第2发光元件:52mA),第6条件(第1发光元件:0mA、第2发光元件:65mA)。第1条件下的发光装置的色度表示仅驱动了第1发光元件10时的发光装置100的色度,第6条件下的发光装置的色度表示仅驱动了第2发光元件20时的发光装置100的色度。
第1条件时,发光装置100发出色温为2700~3000K的光,第6条件时,发光装置100发出色温为5000~6500K的光。另外,发光装置100通过调整分别流过第1发光元件10和第2发光元件20的电流值,从而能够发出色温为2700~6500K的发光色的光。由此,能够设为作为发光色可发出幅度宽的相关色温的光的发光装置。
以下,详细说明在本发明的发光装置100中使用的各部件。
(封装体)
封装体1是用于配置发光元件的基座。封装体1至少具有主体和多个引线(多个电极部)。成为封装体1的主体的材料例如是氧化铝、氮化铝等陶瓷、树脂(例如,有机硅树脂、有机硅变性树脂、环氧树脂、环氧变性树脂、不饱和聚酯树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、三甲基戊烯树脂、聚降冰片烯树脂或包含一种以上这些树脂的混合树脂等)、纸浆、玻璃、或这些的复合材料等。封装体1的主体可以是单层结构,也可以是包括多个层的多层结构。
作为封装体1的例,可适当使用具备图1A的发光装置100中所使用的树脂部30和多个引线50的封装体。由此,能够成为散热性好且廉价的发光装置。另外,在图1A所示的发光装置100中,在封装体1的外侧面,多个引线50没有从树脂部30向外侧延伸出,但是本实施方式的发光装置不限于此。也就是说,在封装体1的外侧面,多个引线50也可以从树脂部30向外侧延伸出。由此,能够有效地向外侧散发发光元件产生的热。
此外,在图1G所示的发光装置100中,多个引线50的下表面和树脂部30的下表面大致成为了同一面,但是本发明的发光装置不限于此。例如,如图3A所示,在封装体1的下表面81,多个引线50的下表面可以位于比树脂部30的下表面高的位置处。由此,在封装体1的下表面81,通过多个引线50的下表面和树脂部30形成凹陷部3。通过形成凹陷部3,能够使与各引线接合的接合部件位于各凹陷部3内,能够抑制各个接合部件互相接触而短路的可能性。
此外,如图3B所示,在封装体1的下表面81,多个引线50的下表面也可以位于比树脂部30的下表面低的位置处。由此,在封装体1的下表面81,多个引线50的下表面和侧面的一部分从树脂部30露出。其结果,接合部件与多个引线50的下表面一起还覆盖侧面的一部分,可提高接合部件的接合强度。
封装体1的外形形状和凹部2的开口形状俯视下可以是矩形、其他的多角形、圆形、椭圆形等形状。此外,凹部2的开口形状如图1A所示那样,在俯视时,可以是凹部2的矩形开口的一个角部被倒角等使开口形状的一部分发生变形。由此,开口的一部分可起到表示阳极标记或阴极标记等引线的极性的标记的作用。
作为封装体1的其他例,如图4A和图4B所示,可以使用具有平板状的基板7和由设置在基板7的上表面的光反射性树脂构成的框体状的树脂部30的封装体。图4A是封装体1的示意俯视图,图4B是图4A中的4B-4B线处的示意端向图。在图4A中,省略图示了密封部件40、第1透光性部件15和第2透光性部件25等。框体状的树脂部30具备作为反射光的反射器的作用和作为用于填充密封部件40的壁的作用。基板7在上表面具有多个引线(例如,第1引线51、第2引线52、第3引线53和第4引线54)。这种封装体1的大小根据要配置的发光元件数、目的和用途适当设定。作为基板7的材料,优选使用绝缘性材料,且优选使用不易使从发光元件等放出的光或外光等透过的材料。此外,为了提高封装体1的光反射性,也可以在发光元件搭载面设置反射部件。反射部件例如是混合炼制了氧化钛等反射性粒子与有机物或无机物的粘合剂的部件。所谓白色抗蚀剂或白色墨水、陶瓷墨水等相应于此。作为有机物的粘合剂,特别优选使用耐热性/耐光性出色的有机硅树脂。由此,在基板7的表面反射光,能够成为取光效率高的发光装置。
在图4A和图4B所示的发光装置中,交替地配置有第1发光元件10和第2发光元件20。由此,能够使从第1发光元件10和第2发光元件20射出的光充分混色,能够抑制俯视时的发光装置的颜色不均。另外,第1发光元件10和第2发光元件20的配置不限于此。
例如,第1发光元件10和第2发光元件20能够在X方向或Y方向上列状地配置由同一发光元件构成的发光元件群,或者也可以配置成同心圆状。
此外,封装体1也可以是不具有凹部2的形态。例如,封装体1可使用长条状的基板。这种封装体1例如具有可挠性,可通过卷轴等卷成辊状的状态下进行保管,并且可沿着曲面进行安装。作为基板的材料,例如可适当使用聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等绝缘性树脂。
此外,基板的厚度例如可设为10μm~200μm的程度。
(多个引线)
多个引线50具有导电性,起到用于向发光元件供电的电极的作用。
多个引线50作为母材例如可以使用铜、铝、金、银、铁、镍、或它们的合金、磷青铜、掺铁铜等金属。它们可以是单层,也可以是层叠结构(例如,包覆材料)。特别是,母材可使用廉价且散热性高的铜。此外,多个引线50也可以在母材的表面具有金属层。金属层例如包含银、铝、镍、钯、铑、金、铜、或它们的合金等。另外,金属层可以设置在多个引线50的整个面,也可以设置在一部分面。此外,关于金属层,可以设为在形成于引线的上表面的区域和形成于引线的下表面的区域中不同的层。例如,形成于引线的上表面的金属层是由包含镍和银的金属层的多层构成的金属层,形成于引线的下表面的金属层是不包含镍金属层的金属层。此外,例如,形成于引线的上表面的银等金属层可以比形成于引线的下表面的银等金属层厚。
在多个引线50的最表面形成包含银的金属层的情况下,优选在包含银的金属层的表面设置氧化硅等的保护层。由此,能够抑制包含银的金属层因大气中的硫成分等而变色的情况。保护层的成膜方法例如可以通过溅射等真空工艺成膜,但也可以使用其他已知的方法。
多个引线50至少具备第1引线51、第2引线52和第3引线53。通过多个引线50至少具有三个引线,从而能够分别独立地驱动多个发光元件。另外,多个引线50可以具备四个以上的引线,例如,可以除了第1引线51、第2引线52和第3引线53外还具备第4引线。第4引线可以起到散热部件的作用,也可以与第1引线51等同样地起到电极的作用。
(树脂部)
树脂部30作为成为母材的树脂材料可以使用热固性树脂、热塑性树脂等。具体而言,可以使用环氧树脂组成物、有机硅树脂组成物、有机硅变性环氧树脂等变性环氧树脂组成物、环氧变性有机硅树脂等变性有机硅树脂组成物、不饱和聚酯树脂、饱和聚酯树脂、聚酰亚胺树脂组成物、变性聚酰亚胺树脂组成物等固化体、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚碳酸酯树脂、聚苯硫醚(PPS)、液晶聚合物(LCP)、ABS树脂、酚醛树脂、丙烯酸树脂、PBT树脂等树脂。
特别是,优选使用环氧树脂组成物或变性有机硅树脂组成物的热固性树脂。
此外,作为树脂部30的树脂材料,优选使用耐热性和耐光性出色的有机硅树脂组成物(例如SMC树脂)。
树脂部30在成为上述的母材的树脂材料中优选含有光反射性物质。作为光反射性物质,优选使用不易吸收来自发光元件的光且与成为母材的树脂材料的折射率差大的部件。这种光反射性物质例如是氧化钛、氧化锌、氧化硅、氧化锆、氧化铝、氮化铝等。
此外,树脂部30为了提高发光装置100的对比度,也可以含有相对于发光装置100的外光(大多情况下是太阳光)光反射率低的填充剂。此时,树脂部30例如是黑色或接近黑色的颜色。作为填充剂,可根据目的利用乙炔黑、活性炭、石墨等碳或氧化铁、二氧化锰、氧化钴、氧化钼等过渡金属氧化物、或者有色有机颜料等。
另外,本发明的发光装置也可以不具备封装体1。图5A是表示发光装置的一例的示意俯视图,图5B是图5A中的5B-5B处的示意端面图。图5A和图5B所示的发光装置100A也可以不具备封装体1。
发光装置100A具备第1发光元件10和第2发光元件20、配置在第1发光元件10的上表面上的第1透光性部件15、配置在第2发光元件20的上表面上的第2透光性部件25、配置在各发光元件的侧面的透光层8和覆盖透光层8的外表面的树脂部30。在第1透光性部件15内含有第1荧光体61。此外,在图5B所示的发光装置100A中,透光层8覆盖着发光元件的上表面。
透光层8覆盖各发光元件的侧面,将从各发光元件的侧面射出的光导光至发光装置的上表面方向。也就是说,到达了各发光元件的侧面的光的一部分在侧面被反射并在发光元件内发生衰减,透光层8可以将该光通过透光层8后取到发光元件的外侧。透光层8可以使用在树脂部30中例示的树脂材料,特别优选是有机硅树脂、有机硅变性树脂、环氧树脂、酚醛树脂等热固性的透光性树脂。另外,优选透光层8的光的透射率高。因此,通常,优选在透光层8中不添加反射、吸收或散射光的添加物。
树脂部30覆盖设置在各发光元件的侧面的透光层8的外表面和各发光元件的侧面的一部分。关于树脂部30,例如,在比较了透光层8与各发光元件的热膨胀率差(称为“第1热膨胀率差ΔT30”)和树脂部30与各发光元件的热膨胀率差(称为“第2热膨胀率差ΔT40”),选择会成为ΔT40<ΔT30的树脂部30的树脂材料。由此,能够抑制各发光元件从透光层8剥离的情况。
此外,图5C所示的发光装置100B是发光装置100A的变形例。在发光装置100B中,前述的透光层对应于第1透光性部件15和第2透光性部件25。也就是说,第1荧光体61也可以包含在前述的透光层中。由此,与发光装置100A相比,能够减少部件数,可以成为廉价的发光装置。
此外,发光装置100B的密封部件40可使用板状的荧光体。板状的荧光体例如可使用荧光体的烧结体或者在玻璃或陶瓷等中含有荧光体的物体。由此,发光装置100B例如可被用作高输出的发光装置。
(第1发光元件、第2发光元件)
第1发光元件10和第2发光元件20起到发光装置100的光源的作用,进而成为荧光体的激励源。第1发光元件10和第2发光元件20可使用发光二极管元件等,可包含能够实现可见光区域的发光的氮化物半导体(InxAlyGa1-x-yN、0≤x、0≤y、x+y≤1)。
第1发光元件10和第2发光元件20各自的发光峰值波长是430nm~480nm。第1发光元件10和第2发光元件20具有波长比近紫外线区域长的一侧的发光峰值波长,从而能够抑制近紫外线区域的光的问题(例如,对人体或照射物带来恶劣影响,或者发光装置的构成部件劣化使得发光装置的发光效率大幅下降的问题)。发光装置100只要至少具备两个发光元件即可,也可以具备三个以上的发光元件。
(第1透光性部件、第2透光性部件)
第1透光性部件15位于第1发光元件10的上表面上,第2透光性部件25位于第2发光元件20的上表面上。第1透光性部件15包括第1荧光体61。第1透光性部件15等可以被配置成与发光元件的上表面直接相接,位于发光元件的上方,在第1透光性部件15等与发光元件的上表面之间存在其他部件(例如,上述的保护层)。
此外,第1透光性部件15和第2透光性部件25还可以覆盖发光元件的侧面。通过第1透光性部件15等覆盖发光元件的上表面和侧面,从而能够抑制向发光元件的上方射出的光与向侧方射出的光之间的颜色不均。另外,第1透光性部件15和第2透光性部件25这两者可以覆盖发光元件的上表面和侧面,而且例如,也可以是只有一个透光性部件覆盖发光元件的上表面和侧面。在图6中,第1透光性部件15配置在第1发光元件10的上表面上,第1发光元件10的侧面未覆盖盖。第2透光性部件25覆盖第2发光元件20的上表面和侧面,还覆盖第1发光元件10的侧面和第1透光性部件15。由此,能够使从第1发光元件10和第2发光元件20射出的光充分混色,例如能够抑制从上方观察发光装置100B时的颜色不均。
第1透光性部件15和第2透光性部件25可以是各种形状。特别是,第1透光性部件15和第2透光性部件25优选如图1G所示那样的大致半球状或大致半椭圆体。换言之,第1透光性部件15和第2透光性部件25优选上表面的全部是曲面。由此,能够抑制从第1发光元件10等射出的光在第1透光性部件15等的表面被反射而返回第1发光元件10等的一侧的情况。
第1透光性部件15和第2透光性部件25在高度方向上可以是相同的高度,也可以是不同的高度。例如,在高度方向上,第1透光性部件15可以比第2透光性部件25高。由此,例如,能够增加第1透光性部件15中含有的第1荧光体61的含有量。由此,能够容易使从第1透光性部件15射出的光的色度和从第2透光性部件25射出的光的色度不同。
第1透光性部件15和第2透光性部件25作为成为母材的树脂材料,可以使用热固性树脂、热塑性树脂等。成为母材的树脂材料可以使用可用作树脂部30的母材的树脂材料。特别是,优选使用有机硅树脂组成物或环氧树脂组成物。此外,可在第1透光性部件15和第2透光性部件25中分散氧化钛、氧化硅、氧化锆、氧化铝等光散射粒子。此外,可以使成为第1透光性部件15的母材的树脂材料和成为第2透光性部件25的母材的树脂材料的折射率不同。
第1荧光体61只要是通过第1发光元件10的光激励的荧光体即可,例如,可以使用(Ca,Sr,Ba)5(PO4)3(Cl,Br):Eu、(Sr,Ca,Ba)4Al14O25:Eu、(Ca,Sr,Ba)8MgSi4O16(F,Cl,Br)2:Eu、(Y,Lu,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu、3.5MgO·0.5MgF2·GeO2:Mn、(x-s)MgO·(s/2)Sc2O3·yMgF2·uCaF2·(1-t)GeO2·(t/2)Mt 2O3:zMn、Ca3Sc2Si3O12:Ce、CaSc2O4:Ce、(La,Y)3Si6N11:Ce、(Ca,Sr,Ba)3Si6O9N4:Eu、(Ca,Sr,Ba)3Si6O12N2:Eu、(Ba,Sr,Ca)Si2O2N2:Eu、(Ca,Sr,Ba)2Si5N8:Eu、(Ca,Sr,Ba)S:Eu、(Ba,Sr,Ca)Ga2S4:Eu、K2(Si,Ti,Ge)F6:Mn的荧光体。
另外,第1透光性部件15或第2透光性部件25除了树脂材料以外还可以由陶瓷、玻璃或荧光体的烧结体等形成。由此,在高输出的发光装置中能够提高发光装置的可靠性。
(密封部件)
发光装置100具备覆盖第1透光性部件15和第2透光性部件25的密封部件40。密封部件40从外力、尘埃、水分等中保护发光元件等。密封部件40优选使从发光元件射出的光的60%以上透射过去,进一步优选使90%以上透射过去。作为密封部件40的母材,可使用在树脂部30中使用的树脂材料。作为成为母材的树脂材料,可使用热固性树脂、热塑性树脂等,例如,可使用有机硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂或包含它们中的一种以上的树脂。密封部件可以由单一层形成,或者也可以由多层构成。此外,可在密封部件40中分散氧化钛、氧化硅、氧化锆、氧化铝等光散射粒子。
密封部件40包括对来自发光元件的光的波长进行变换的第2荧光体63。第2荧光体63可以是一种荧光体,也可以是多种荧光体。作为第2荧光体63使用多种荧光体,能够提高发光装置100的显色性等。作为第2荧光体63,可以使用在第1荧光体61中使用的荧光体。作为第2荧光体63,优选使用半值宽宽的荧光体,例如,优选使用(Y,Lu,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce,进一步优选使用混合了(Y,Lu,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce与(Sr,Ca)A1SiN3:Eu的物质。由此,可成为显色性高的发光装置。此外,第2荧光体63优选是发出波长与第1荧光体61相等的光的荧光体、或发出波长比第1荧光体61短的光的荧光体。
由此,能够抑制从第1荧光体61发出的光被第2荧光体63吸收的比率。
光散射粒子和/或荧光体的含有量优选例如相对于密封部件40的整个重量是10~150重量%程度。
另外,密封部件40除了树脂材料以外也可以由陶瓷、玻璃或荧光体的烧结体等形成。由此,在高输出的发光装置中能够提高发光装置的可靠性。此外,高输出的发光装置的情况下,可由陶瓷、玻璃或荧光体的烧结体等形成第1透光性部件15、第2透光性部件25和密封部件40。
(保护元件)
发光装置100为了提高静电耐压可具备保护元件。在图1A所示的发光装置100中,保护元件11位于第2引线52的上表面。保护元件可以是一个,也可以是多个。例如,发光装置100可相对于一个发光元件配置一个保护元件。在发光装置100中,由于各发光元件的导电路径是分开的,因此通过相对于各个发光元件配置一个保护元件,从而能够进一步提高发光装置100的静电耐压。
(第2实施方式)
图7A是第2实施方式涉及的发光装置200的示意俯视图,图7B是发光装置200的示意仰视图,图7C是图7A中的7C-7C线处的示意端面图。在图7A中,为了容易观察凹部2的内部,省略图示了密封部件40和光反射性部件5。发光装置200与第1实施方式涉及的发光装置100的主要区别在于,具备包围元件搭载区域的槽部4和光反射性部件5。因此,关于发光装置200,以槽部4和光反射性部件5为中心进行说明。
如图7A所示,发光装置200具有包围元件搭载区域的槽部4。槽部4起到阻止成为后述的光反射性部件5的树脂材料的阻止部的作用。槽部4在凹部2的底面配置在形成光反射性部件5的区域(外周区域)与元件搭载区域之间。
槽部4可以是连续的一个槽,也可以是断续形成的多个槽。在槽部4为断续形成的多个槽的情况下,各槽的隔开距离优选设定为较窄的距离。由此,能够抑制成为光反射性部件5的树脂材料到达发光元件的侧面。各槽的隔开距离例如是1μm~100μm,优选是10μm~50μm。
光反射性部件5在凹部2内形成光反射面,具有有效地向上方取出第1发光元件10和第2发光元件20等的光的作用。光反射性部件5的光反射面位于凹部2的内侧面与槽部4之间。发光装置200通过具备光反射性部件5,从而能够提高发光装置的光提取率。
光反射性部件5优选不易对来自发光元件的光或外光等引起透射或吸收的部件。光反射性部件5优选是白色。成为光反射性部件5的母材的树脂材料可使用热固性树脂、热塑性树脂等。具体而言,可使用酚醛树脂、环氧树脂、BT树脂、PPA或有机硅树脂等。光反射性部件5在成为它的母材的树脂材料中含有光反射性物质。
作为光反射性物质,优选使用不易吸收来自发光元件的光且与成为母材的树脂材料的折射率差大的部件。这种光反射性物质例如是氧化钛、氧化锌、氧化硅、氧化锆、氧化铝、氮化铝。光反射性部件5优选未固化状态的粘度低于树脂部30的未固化状态的粘度的部件。由此,在凹部2内,光反射性部件5的流动良好,能够抑制光反射性部件5填充不足的可能性。光反射性部件5的未固化状态的粘度优选是1pa·s~20pa·s,更优选5pa·s~15pa·s。此外,优选光反射性部件5在未固化状态下触变性高。
优选光反射性部件5的光反射率比树脂部30高。例如,光反射性部件5中含有的光反射性物质(例如氧化钛)的含有量比树脂部30中含有的光反射性物质(例如氧化钛)的含有量多。具体而言,优选光反射性部件5中含有的光反射性物质的含有量是树脂部30中含有的光反射性物质的含有量的1.5倍以上,更优选是2倍以上,进一步优选是2.5倍以上。例如,光反射性部件5中,在未固化的树脂材料的整个重量中含有30~75重量%的氧化钛,树脂部30中,在未固化的树脂材料的整个重量中含有15~20重量%的氧化钛。
(第3实施方式)
图8A是第3实施方式涉及的发光装置300的示意俯视图,图8B是发光装置300的示意仰视图。发光装置300与第1实施方式涉及的发光装置100的主要区别在于,还具备第4引线54和具备多个保护元件。因此,关于发光装置300,以与发光装置100的区别点为中心进行说明。
发光装置300作为多个引线50还具备第4引线54。在图8A所示的发光装置300中,第1发光元件10配置在第1引线51的上表面,第2发光元件20配置在第2引线52的上表面。并且,第1发光元件10的正负电极中的一个电极通过焊线与第1引线51连接,另一个电极通过焊线与第3引线53连接。此外,第2发光元件20的正负电极中的一个电极通过焊线与第2引线52连接,另一个电极通过焊线与第4引线54连接。由此,能够完全分离第1发光元件10的导电路径(第1引线51和第3引线53)和第2发光元件20的导电路径(第2引线52和第4引线54)。因此,能够以高的自由度调整分别流过第1发光元件10和第2发光元件20的电流值。
发光装置300具备多个保护元件。图8A所示的发光装置300具备第1保护元件11和第2保护元件12。第1保护元件11配置在第3引线53的上表面,第2保护元件12配置在第4引线54的上表面。在发光装置300中,第1发光元件10的导电路径和第2发光元件20的导电路径独立,因此通过针对各个发光元件配置一个保护元件,从而能够进一步提高发光装置300的静电耐压。
此外,如图8C所示,优选发光装置300在位于凹部2的底面的树脂部30的上表面具有凹陷部9。通过发光装置300具有凹陷部9,从而能够提高树脂部30与密封部件40的密接性。凹陷部9可以是各种形状,例如,俯视时,可以形成在第1引线51与第2引线52之间、第1引线51与第3引线53之间、第2引线52与第4引线54之间、或第3引线53与第4引线54之间,还可以在这些区域连续地形成。在图8C中,凹陷部9在俯视时在第1引线51与第2引线52之间、第1引线51与第3引线53之间和第2引线52与第4引线54之间连续地形成。
图8D是表示安装发光装置300的安装基板的布线120的示意俯视图。此外,图中用虚线表示的部分是发光装置300的外缘。图8D所示的安装基板的布线120具有第1布线部70a、第2布线部70b、第3布线部70c和第4布线部70d。此外,第1布线部70a等具备具有第1宽度h1的宽窄部71、和具有宽度比第1宽度h1宽的第2宽度h2的宽广部72。位于发光装置300的下表面的多个引线50经由接合部件与安装基板侧的布线120电连接。具体而言,第1引线51位于第1布线部70a的宽窄部71上,第2引线52位于第2布线部70b的宽窄部71上,第3引线53位于第3布线部70c的宽窄部71上,第4引线54位于第4布线部70d的宽窄部71上。通过使位于各宽窄部71上的引线的宽度对应于宽窄部71的第1宽度h1,从而能够提高发光装置300的自对准性。
此外,通过将发光装置300配置成发光装置300的外缘位于各布线部的宽广部72上,从而能够在发光装置300旋转的情况下在宽广部72的外缘实现自对准。其结果,能够进一步提高发光装置300的自对准性。
接着,在图8E中表示在安装基板的布线120上形成了接合部件的情况。安装基板的布线120上的接合部件例如可以是使用具备开口部75的掩模通过在开口部内配置接合部件来形成的。掩模的厚度例如是50~200μm,优选是75~150μm,更优选是90~120μm。由此,能够在布线上配置适当的接合部件的量,例如,能够降低因接合部件的量过剩而倾斜地配置发光装置或者很难进行发光装置300的自对准的可能性。在图8E中,实施了阴影的区域是掩模的开口部75(形成接合部件的区域)。掩模的开口部75的外缘俯视时可以与各布线部的外缘一致,或者也可以不与各布线部的外缘一致。图8E所示的开口部75的外缘一部分与布线部的外缘一致,另一部分比布线部的外缘更靠内侧。
具体而言,俯视时,将各开口部75配置成开口部75与相邻的开口部75之间的隔开距离大于对应的布线部与布线部之间的隔开距离。由此,能够降低接合部件熔化时接合部件横跨各布线部扩展而导致短路的可能性。由此,减少接合部件的量,同时在各布线部中接合部件容易扩展。此外,如图8E所示,优选开口部75具备宽窄部76、宽广部77和位于宽窄部76与宽广部77之间的中间部78。中间部78的宽(图中的左右宽)比宽窄部76的宽度宽,比宽广部77的宽度窄。通过开口部75具备中间部78,从而接合部件能够容易在开口部75内扩展。
此外,优选掩模的各开口部75的平面面积的总和相对于安装基板的各布线部的平面面积的总和在30%以上,更优选在40%以上,进一步优选在50%以上。由此,能够抑制接合部件的量不足而使得发光装置300与安装基板的接合强度降低的可能性。此外,优选掩模的各开口部75的平面面积的总和相对于安装基板的各布线部的平面面积的总和小于100%。由此,能够降低接合部件熔化时接合部件横跨各布线部扩展而短路的可能性。
接着,在图8F中作为发光装置300的变形例示出发光装置300A。发光装置300A在凹部2的侧壁的一部分具有凸部9a。凸部9a具有沿着从封装体1的外侧面朝向封装体1的内侧的方向突出的形状。优选凸部9a横跨多个引线50中的至少两个引线形成。由此,至少两个引线间的强度变高,封装体1的强度得到提高。在图8F所示的发光装置300A中,凸部9a横跨第1引线51与第2引线52之间形成,而且横跨第3引线53与第4引线54之间形成。由此,能够提高封装体1的强度。此外,如发光装置300A那样,各引线的隔开区域从凹部2的侧壁至对置的侧壁为止形成在直线上的情况下,有时封装体1的强度会变低。这种发光装置300A的情况下,通过在各引线的隔开区域的直线上配置凸部9a,从而能够抑制封装体1的强度的降低。在发光装置300A中,凸部9a形成在各引线的隔开区域(第1引线51与第2引线52之间的隔开区域和第3引线53与第4引线54之间的隔开区域)的直线上。由此,能够有效提高封装体1的强度。
此外,优选发光装置300A在凹部2的侧壁具有第1凹部9b。发光装置300A通过具有第1凹部9b,从而与密封部件40的密接强度得到提高。
此外,通过将与发光元件或保护元件连接的焊线的一端连接到第1凹部9b的附近,从而能够确保连接焊线的大的区域,能够降低焊线的连接不良等可能性。在图8F所示的发光装置300A中,与第1保护元件11和第2保护元件12连接的焊线的一端分别被连接至1凹部9b的附近。
优选发光装置300A具有覆盖保护元件的光反射性部件5。由此,能够降低来自发光元件的光被保护元件吸收的可能性。
此外,优选发光装置300A在保护元件的附近的引线的上表面具有第2凹部9c。优选第2凹部9c在一个引线的上表面位于连接了与发光元件连接的焊线的一端的区域和保护元件之间。由此,能够抑制接合保护元件的接合部件扩展至连接了与发光元件连接的焊线的一端的区域,能够降低引起焊线的连接不良等的可能性。
此外,第2凹部9c俯视时可以是直线形状、曲线形状或组合了直线或曲线的形状。第2凹部9c例如可以是俯视时如图8F那样弯曲的形状。弯曲的形状例如是L字状。由此,在连接保护元件的接合部件、上述的光反射性部件5流入了连接发光元件的焊线的一端的区域侧的情况下,能够增大与接合部件等相接的第2凹部9c的接触面积。其结果,能够降低发光元件的焊线变成连接不良的可能性,可成为可靠性高的发光装置。
接着,在图8G中,作为发光装置300A的变形例示出发光装置300B。发光装置300B在凹部2的侧壁的一部分具有第1凸部9aa、和俯视时宽度不同于第1凸部9aa的宽度的第2凸部9ab。通过使第1凸部9aa和第2凸部9ab在俯视时的形状不同,从而例如能够起到作为表示发光装置300B的引线的极性的标记的作用。另外,在图8G所示的发光装置300B中,第1凸部9aa和第2凸部9ab从凹部2的底面形成至树脂封装体1的上表面80。此外,第1凸部9aa和第2凸部9ab成为了树脂部30的一部分。
发光装置300B在凹部2的侧壁,在保护元件的焊线的一端和发光元件的焊线的一端附近具有第1凹部9b。发光装置300B通过具有多个第1凹部9b,从而与密封部件40的密接强度得到提高。此外,提高将与发光元件和保护元件连接的焊线的一端连接至第1凹部9b的附近,从而能够确保连接焊线的大的区域。特别是,如图8H所示,在与发光元件10、20连接的焊线Y的一部分位于透光性部件15、25内的情况下,可容易增大透光性部件15、25与焊线Y的倾斜部X(在图8H中,焊线Y的弯曲部和焊线Y与引线的连接部之间的部分)之间的隔开距离。由此,例如,在发光元件的上方涂敷了成为透光性部件的树脂材料时,能够降低该树脂材料顺着焊线流动的可能性。其结果,能够形成具有期望的形状的透光性部件。在图8G所示的发光装置300B中,第1发光元件10、第2发光元件20、以及与第1保护元件11和第2保护元件12连接的焊线的一端被连接至第1凹部9b的附近。
此外,在图8J和图8K中,示出焊线Y的其他形状。在图8J中,焊线Y具有从透光性部件15、25的内侧延伸至外侧的直线部Z。并且,直线部Z形成为直线部Z和透光性部件15、25的上表面的法线所形成的角度θ为90度±15度。由此,例如,在发光元件10、20的上方涂敷了成为透光性部件15、25的树脂材料时,能够降低该树脂材料顺着焊线流动的可能性。其结果,能够形成具有期望的形状的透光性部件。此外,发光元件的电极与焊线Y的连接部分C可根据发光元件的电极的位置或电极形状等实现各种变更。此时,如图8K所示,可以在连接部分C与直线部Z之间形成多个弯曲点,调整直线部Z的起点与终点的位置。由此,能够将直线部Z和透光性部件形成的角度θ设为期望的角度。在图8K中,焊线Y具有三个弯曲点R、S、T,具有从连接部分C到弯曲点R向上方向延伸的第1焊线部YA、从弯曲点R延伸到弯曲点S的第2焊线部YB、从弯曲点S延伸到弯曲点T的直线部Z以及从弯曲点T延伸到引线的上表面的第3焊线部YC。在高度方向上,优选弯曲点S的位置低于弯曲点R和弯曲点T的位置。由此,例如,容易形成焊线Y的环形形状,而且能够提高焊线Y的耐久性。
图8I是表示发光装置300B的多个引线50的示意俯视图。发光装置300B具备多个引线50。图8I所示的多个引线50具备第1引线51、第2引线52、第3引线53和第4引线54。优选多个引线50在上表面具备嵌入树脂部30的一部分的第3凹部9d。由此,能够提高多个引线50与树脂部30的密接性。第3凹部9d可以在多个引线50中的所有引线的上表面设置,也可以只在一部分引线的上表面进行设置。此外,第3凹部9d在一个引线的上表面可以仅是一个,也可以是两个以上。在图8I所示的多个引线50中,在第1引线51和第2引线52的上表面形成有多个第3凹部9d。此外,第1引线51和第2引线52的上表面之中,在图8G所示的第1凹部9b所处的区域附近,没有形成第3凹部9d。
图8I的被虚线包围的区域是在发光装置300B的下表面从树脂部30露出的部分。图8I所示的多个引线50在下表面具有下表面凹部9e。通过多个引线50具有下表面凹部9e,从而树脂部30的一部分嵌入下表面凹部9e,能够提高多个引线50与树脂部30的密接性。此外,优选第3凹部9d不位于下表面凹部9e的上方。由此,能够降低第3凹部9d和下表面凹部9e连结(贯通)使得引线强度降低的情况。
此外,发光装置300可以如图9A和图9B所示那样配置多个引线50。图9A和图9B所示的发光装置300在凹部2的底面具备角部6a、6b、6c、6d,第1发光元件10位于角部6a的附近,第1保护元件11位于角部6b的附近,第2发光元件20位于角部6c的附近,第2保护元件12位于角部6d的附近。也就是说,第1发光元件10和第2发光元件20配置在对角,第1保护元件11和第2保护元件12配置在对角。提高在发光装置300中如上述那样配置多个引线50,从而例如如图9C所示那样容易环绕安装基板侧的布线图案。在图9C中,例如,串联连接排列成一列的发光装置300的第1发光元件10和排列成与一列相邻的另一列的发光装置300的第2发光元件20,独立驱动位于一个发光装置300内的第1发光元件10和第2发光元件20。另外,安装基板侧的布线图案可以是各种图案。
(第4实施方式)
图10A是第4实施方式涉及的发光装置400的示意俯视图,图10B是发光装置400的示意仰视图。发光装置400与第1实施方式涉及的发光装置100的主要区别在于,第2透光性部件25具备第3荧光体62。因此,关于发光装置400,以第2透光性部件25和第3荧光体62为中心进行说明。
在发光装置400中,第1透光性部件15包括第1荧光体61,第2透光性部件25包括第3荧光体62。通过第2透光性部件25包括第3荧光体62,从而能够进一步容易使从第1透光性部件15射出的射出光的色度和从第2透光性部件25射出的射出光的色度不同。
作为第3荧光体62的一例,第3荧光体62是组成与第1荧光体61相同的荧光体。在作为第1荧光体61和第3荧光体62使用同一组成的荧光体的情况下,第1透光性部件15包括的第1荧光体61的含有量不同于第2透光性部件25包括的第3荧光体62的含有量。例如,在作为第1荧光体61和第3荧光体62使用同一组成的红色荧光体的情况下,通过使各个荧光体的含有量不同,从而能够将红色荧光体的含有量多的射出光的色度的x值设置成相对大。通过使用相互相同组成的荧光体,从而容易调整从各透光性部件射出的光的色度,能够更有效地将混色后的发光装置400的光设为期望的光。
此外,作为第3荧光体62的另一例,第1荧光体61是发出长波长的光的荧光体,第3荧光体62是发出短波长的光的荧光体。例如,作为第1荧光体61使用发出红色光的红色荧光体,作为第3荧光体62使用发出蓝~绿色的光的荧光体。由此,能够相对增大从第1透光性部件15射出的射出光的色度的x值,进而能够相对减小从第2透光性部件25射出的射出光的色度的x值。
第1发光元件10和第2发光元件20可将各自的发光峰值波长设为大致相同(例如误差在5nm的范围内)。由此,例如,在作为第1荧光体61和第3荧光体62使用了不同种类的荧光体的情况下,可容易使从第1透光性部件15射出的光的色度与从第2透光性部件25射出的光的色度不同。
此外,第1发光元件10和第2发光元件20可将各自的发光峰值波长设为不同程度在10nm以上。由此,例如,即使在作为第1荧光体61和第3荧光体62以大致相同的含有量使用了同一组成的荧光体,也容易使各自的色度不同。
另外,第1实施方式至第4实施方式中说明的各发光装置的特征部可适当适用于其他实施方式。此外,在第1实施方式等中,主要说明了向第1发光元件10的上方射出的光的色度的x值大于向第2发光元件20的上方射出的光的色度的x值的情况,但是并不限于此。
Claims (10)
1.一种发光装置,具备:
第1发光元件和第2发光元件,发光峰值波长分别是430nm~480nm;
第1透光性部件,配置在所述第1发光元件的上表面上,包括第1荧光体;
第2透光性部件,配置在所述第2发光元件的上表面上;
封装体,包括:多个引线,包括第1引线、第2引线、第3引线以及第4引线;和树脂部,与所述多个引线形成为一体,所述封装体具备凹部,所述凹部具有配置所述第1发光元件和所述第2发光元件的底面;和
密封部件,配置在所述凹部,覆盖所述第1透光性部件和所述第2透光性部件,包括第2荧光体,
能够分别独立驱动所述第1发光元件和所述第2发光元件,
从所述第1透光性部件射出的射出光的色度不同于从所述第2透光性部件射出的射出光的色度,
所述第1透光性部件未覆盖所述第1发光元件的侧面,
所述第2透光性部件未覆盖所述第2发光元件的侧面,
所述密封部件覆盖所述第1发光元件的侧面以及所述第2发光元件的侧面,
在所述凹部的底面的树脂部的上表面,设置有设置在所述第1引线与所述第2引线之间、所述第1引线与所述第3引线之间、所述第2引线与所述第4引线之间或者所述第3引线与所述第4引线之间当中的1组以上之间的凹陷部。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述第1荧光体是发出红色光的红色荧光体。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,
所述第2透光性部件不包括荧光体。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,
所述第2透光性部件包括第3荧光体。
5.根据权利要求4所述的发光装置,其中,
所述第1荧光体和所述第3荧光体是同一组成的荧光体,
所述第1透光性部件包括的第1荧光体的含有量不同于所述第2透光性部件包括的第3荧光体的含有量。
6.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,
所述发光装置在仅驱动了所述第1发光元件时,发出色温为2700~3000K的光,在仅驱动了所述第2发光元件时,发出色温为5000~6500K的光。
7.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,
所述发光装置发出色温为2700~6500K的光。
8.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,
所述第2荧光体射出的光的波长短于所述第1荧光体射出的光的波长。
9.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,
所述第1发光元件和所述第2发光元件配置在所述第1引线的上表面。
10.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,
所述第1发光元件配置在所述第1引线的上表面,
所述第2发光元件配置在所述第2引线的上表面,
所述第3引线与所述第1发光元件的一个电极电连接,
所述第4引线与所述第2发光元件的一个电极电连接。
Applications Claiming Priority (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017190323 | 2017-09-29 | ||
JP2017-190323 | 2017-09-29 | ||
JP2018028355 | 2018-02-21 | ||
JP2018-028355 | 2018-02-21 | ||
JP2018089696 | 2018-05-08 | ||
JP2018-089696 | 2018-05-08 | ||
JP2018133153 | 2018-07-13 | ||
JP2018-133153 | 2018-07-13 | ||
JP2018153832A JP6705476B2 (ja) | 2017-09-29 | 2018-08-20 | 発光装置 |
JP2018-153832 | 2018-08-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109585631A CN109585631A (zh) | 2019-04-05 |
CN109585631B true CN109585631B (zh) | 2023-09-26 |
Family
ID=63685804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811145261.7A Active CN109585631B (zh) | 2017-09-29 | 2018-09-28 | 发光装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11257990B2 (zh) |
EP (1) | EP3462490B1 (zh) |
KR (1) | KR102638560B1 (zh) |
CN (1) | CN109585631B (zh) |
TW (1) | TWI798266B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11769862B2 (en) | 2020-03-26 | 2023-09-26 | Nichia Corporation | Light emitting device |
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JP7506319B2 (ja) | 2020-09-30 | 2024-06-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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- 2018-09-27 EP EP18197052.6A patent/EP3462490B1/en active Active
- 2018-09-28 TW TW107134297A patent/TWI798266B/zh active
- 2018-09-28 CN CN201811145261.7A patent/CN109585631B/zh active Active
- 2018-09-29 KR KR1020180116653A patent/KR102638560B1/ko active IP Right Grant
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CN109585631A (zh) | 2019-04-05 |
KR102638560B1 (ko) | 2024-02-19 |
EP3462490A1 (en) | 2019-04-03 |
EP3462490B1 (en) | 2020-04-22 |
KR20190038452A (ko) | 2019-04-08 |
US20190103525A1 (en) | 2019-04-04 |
TW201921719A (zh) | 2019-06-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |