JP7338271B2 - レジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
具体的に、本発明は、以下の構成を有する。
[2] 一般式(111)において、X101は、窒素原子、リン原子及びセレン原子から選択される少なくとも1種を含み、かつ環状構造を有する基である[1]に記載のレジスト材料。
[3] 一般式(111)において、X101は、窒素原子、リン原子及びセレン原子から選択される少なくとも1種を含む複素環基である[1]又は[2]に記載のレジスト材料。
[4] 一般式(111)において、X101は、窒素原子、リン原子及びセレン原子から選択される少なくとも1種を含み、かつ縮環構造を有する基である[1]~[3]のいずれかに記載のレジスト材料。
[5] 一般式(111)において、R101はフッ素原子、塩素原子又は臭素原子である[1]~[4]のいずれかに記載のレジスト材料。
[6] ポリマーは、下記一般式(102)で表される構造に由来する単位をさらに含む[1]~[5]のいずれかに記載のレジスト材料;
[7] ポリマーは、下記一般式(101)で表される構造に由来する単位をさらに含む[1]~[6]のいずれかに記載のレジスト材料;
[8] ポリマーは、下記一般式(103)で表される構造に由来する単位をさらに含む[1]~[7]のいずれかに記載のレジスト材料;
[9] [1]~[8]のいずれかに記載のレジスト材料から形成されるレジスト膜。
[10] [1]~[8]のいずれかに記載のレジスト材料を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程と、
露光工程と、
現像工程と、を含むパターン形成方法。
[11]現像工程の前に金属導入工程をさらに含む、[10]に記載のパターン形成方法。
本発明のレジスト材料は下記一般式(111)で表される構造に由来する単位を含むポリマーを含有する。なお、本明細書において、「単位」はポリマーの主鎖を構成する繰り返し単位(モノマー単位)である。なお、後述するように、ポリマーが糖誘導体に由来する単位を含むものである場合、1つの糖誘導体に由来する単位の側鎖にさらに糖誘導体に由来する単位を含む場合もあり、この場合、側鎖のポリマーを構成する繰り返し単位(モノマー単位)も本明細書でいう「単位」に相当する。
一般式(111)で表される構造に由来する単位の含有率(質量%)=一般式(101)で表される構造に由来する単位の質量×一般式(111)で表される構造に由来する単位(モノマー)数/ポリマーの重量平均分子量
溶解度(質量%)=ポリマーの質量/(ポリマーの質量+有機溶剤の質量)×100
ポリマーの合成は、リビングラジカル重合やリビングアニオン重合、原子移動ラジカル重合といった公知の重合法で行うことができる。例えばリビングラジカル重合の場合、AIBN(α、α’-アゾビスイソブチロニトリル)といった重合開始剤を用い、モノマーと反応させることによってコポリマーを得ることができる。リビングアニオン重合の場合、塩化リチウムの存在下でブチルリチウムとモノマーを反応させることによってポリマーを得ることができる。なお、本実施例において、ポリマーの合成例を示しているが、本実施形態はそれに限られるものではなく、上記各合成法や公知の合成法によって適宜合成することができる。例えば、国際公開WO99/062964等に記載されている方法を利用することができる。
セルロースについては、例えば特開2014-148629号公報に開示されている方法で抽出することができる。
ラジカル重合は開始剤を添加して熱反応や光反応で2個のフリーラジカルを生じさせることで起こる重合反応である。モノマー(例えばクロロアクリル酸メチルモノマーと2,2-(1,3-ジオキソ-4,5,6,7-)テトラヒドロキシイソインドリル-2-イルモノマーの末端のβ-1位にメタクリル酸を付加した糖メタクリレート化合物)と開始剤(例えばアゾビスブチロニトリル(AIBN)のようなアゾ化合物)を150℃で加熱することでクロロアクリル酸メチル-2,2-(1,3-ジオキソ-4,5,6,7-)テトラヒドロキシイソインドリル-2-イルランダムコポリマーを合成することができる。
RAFT重合は、チオカルボニルチオ基を利用した交換連鎖反応を伴う、ラジカル開始重合反応である。例えばキシロオリゴ糖の末端1位についたOH基をチオカルボニルチオ基に変換し、その後スチレンモノマーを30℃以上100℃以下で反応させてコポリマーを合成する、という手法を取ることができる(Material Matters vol.5, No.1 最新高分子合成 シグマアルドリッチジャパン株式会社)。
ATRP重合は、糖の末端OH基をハロゲン化し、金属錯体[(CuCl、CuCl2、CuBr、CuBr2もしくはCuI等)+TPMA(tris(2-pyridylmethyl)amine)]、MeTREN(tris[2-(dimethylamino)ethyl]amine)など)、モノマー(例えばクロロアクリル酸メチルモノマー)、及び、重合開始剤(2,2,5-トリメチル-3-(1-フェニルエトキシ)-4-フェニル-3-アザヘキサン)を反応させることにより、コポリマー(例えばクロロアクリル酸メチル-2,2-(1,3-ジオキソ-4,5,6,7-)テトラヒドロキシイソインドリル-2-イルブロックコポリマー)を合成することができる。
NMP重合は、アルコキシアミン誘導体を開始剤として加熱することで、モノマー分子とカップリングと反応を起こしニトロキシドを生じさせる。その後、熱解離によりラジカルが生じることでポリマー化反応が進む。このようなNMP重合は、リビングラジカル重合反応の一種である。モノマー(例えばスチレンモノマーとクロロアクリル酸メチルモノマーと2,2-(1,3-ジオキソ-4,5,6,7-)テトラヒドロキシイソインドリル-2-イルモノマー)とを混合し、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン 1-オキシル(TEMPO)を開始剤とし、140℃で加熱することでランダムコポリマーを合成することができる。
クリック反応は、プロパルギル基をもつ糖とCu触媒を用いた1,3-双極アジド/アルキン環化付加反応である。
本発明のレジスト材料は、さらに有機溶剤を含むものであってもよい。但し、レジスト材料は、有機溶剤に加えて、さらに水や各種水溶液などの水系溶媒を含んでいてもよい。有機溶剤としては、例えば、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、含硫黄系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明のレジスト材料は、後述するような任意成分を含むものであってもよい。
本発明のレジスト材料は、ポリマーに加えてさらにポリマーを構成するモノマー成分を含んでいてもよい。モノマー成分としては、例えば、上述した、一般式(111)で表される化合物、一般式(101)~(103)で表される化合物が挙げられる。
本発明のレジスト材料はさらに光反射防止剤を含んでもよい。光反射防止剤としては、例えば、吸光性を有する化合物を挙げることができる。吸光性を有する化合物としては、光反射防止膜の上に設けられるフォトレジスト中の感光成分の感光特性波長領域における光に対して高い吸収能を有するものを挙げることができ、例えば、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、アゾ化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、アントラキノン化合物、トリアジン化合物等が挙げられる。ポリマーとしては、ポリエステル、ポリイミド、ポリスチレン、ノボラック樹脂、ポリアセタール、アクリルポリマー等を挙げることができる。化学結合により連結した吸光性基を有するポリマーとしては、アントラセン環、ナフタレン環、ベンゼン環、キノリン環、キノキサリン環、チアゾール環といった吸光性芳香環構造を有するポリマー等を挙げることができる。
レジスト材料は、イオン液体や界面活性剤等をさらに含んでもよい。レジスト材料にイオン液体を含有させることで、ポリマーと有機溶剤との相溶性を高めることができる。
レジスト材料に界面活性剤を含有させることで、レジスト材料の基板への塗布性を向上させることができる。好ましい界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤が挙げられる。
その他、既知のレオロジー調整剤や、接着補助剤など任意の材料をレジスト材料に含めてもよい。
本発明は、上述したレジスト材料から形成されたレジスト膜に関するものであってもよい。レジスト膜は、基板等にパターンを形成する際に使用されるものであって、基板にエッチング処理を施す際の保護膜として機能し得る膜である。なお、レジスト膜には、パターンを形成する前の層状の膜も、パターン形成後の間欠膜も含まれる。
本発明は、上述したレジスト材料を用いたパターン形成方法に関するものでもある。具体的には、パターン形成方法は、上述したレジスト材料を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程と、露光工程と、現像工程と、を含むことが好ましい。
アクリル酸-2-ジメチルアミノメチル(東京化成社製)6.8g、2-クロロアクリル酸メチル(東京化成社製)6.7g及びα-メチルスチレン(東京化成社製)6.5gに、溶媒としてTHF150g、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.3gをフラスコ中で混合した後、フラスコを密閉し、窒素置換した。窒素雰囲気下、78℃に昇温し6時間撹拌した。その後、室温に戻し、フラスコ内を大気下とし、得られた溶液にメタノール400gを滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液を吸引ろ過し、白色のコポリマー1 10gを得た。得られたコポリマー1の各構成単位の構造は以下のとおりである。
2-[2-ヒドロキシ-5-[2-(メタクリルオキシエチル)]-フェニル]-2H-ベンゾトリアゾール(東京化成社製)4.5gと2-クロロアクリル酸メチル7.8g及びα-メチルスチレン7.7gに、溶媒としてTHF150g、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.3gをフラスコ中で混合した後、フラスコを密閉し、窒素置換した。窒素雰囲気下、78℃に昇温し6時間撹拌した。その後、室温に戻し、フラスコ内を大気下とし、得られた溶液にメタノール400gを滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液を吸引ろ過し、白色のコポリマー2 11gを得た。得られたコポリマー2の各構成単位の構造は以下のとおりである。
N-サクシンイミジル アクリレート(東京化成社製)12.1g、2-クロロアクリル酸メチル(東京化成社製)3.4g及びスチレン(東京化成社製)4.5gに、溶媒としてTHF150g、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.3gをフラスコ中で混合した後、フラスコを密閉し、窒素置換した。窒素雰囲気下、78℃に昇温し6時間撹拌した。その後、室温に戻し、フラスコ内を大気下とし、得られた溶液にメタノール400gを滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液を吸引ろ過し、白色のコポリマー3 12.0gを得た。得られたコポリマー3の各構成単位の構造は以下のとおりである。
メタクリル酸1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジル(東京化成社製)9.3g、2-クロロアクリル酸メチル5.4g及びα-メチルスチレン 5.3gに、溶媒としてTHF150g、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.3gをフラスコ中で混合した後、フラスコを密閉し、窒素置換した。窒素雰囲気下、78℃に昇温し6時間撹拌した。その後、室温に戻し、フラスコ内を大気下とし、得られた溶液にメタノール400gを滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液を吸引ろ過し、白色のコポリマー4 10.5gを得た。得られたコポリマー4の各構成単位の構造は以下のとおりである。
2,2-(1,3-ジオキソ-4,5,6,7-)テトラヒドロオキシイソインドリル-2-イル(Muse Chem社製)9.5g、2-クロロアクリル酸メチル5.3g及びα-メチルスチレン5.2gに、溶媒としてTHF150g、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.3gをフラスコ中で混合した後、フラスコを密閉し、窒素置換した。窒素雰囲気下、78℃に昇温し6時間撹拌した。その後、室温に戻し、フラスコ内を大気下とし、得られた溶液にメタノール400gを滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液を吸引ろ過し、白色のコポリマー5 12gを得た。得られたコポリマー5の各構成単位の構造は以下のとおりである。
2,3-ジヒドロ-1,4-チアセレニン-2-イルメタクリレート(Apichemical社製)11.4g、アクリル酸メチル(和光純薬社製)3.9g及びα-メチルスチレン4.6gに、溶媒としてTHF130g、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.3gをフラスコ中で混合した後、フラスコを密閉し、窒素置換した。窒素雰囲気下、78℃に昇温し6時間撹拌した。その後、室温に戻し、フラスコ内を大気下とし、得られた溶液にメタノール400gを滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液を吸引ろ過し、白色のコポリマー6 9.4gを得た。得られたコポリマー6の各構成単位の構造は以下のとおりである。
ジメチルビニルホスホナート(Merck社製)6.7g、2-クロロアクリル酸メチル5.9g及びメタクリル酸ベンジル4.6gに、溶媒としてTHF110g、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.3gをフラスコ中で混合した後、フラスコを密閉し窒素置換した。窒素雰囲気下、78℃に昇温し6時間撹拌した。その後、室温に戻しフラスコ内を大気下とし、得られた溶液にメタノール300gを滴下し、重合物を析出させた。析出した重合物を含む溶液を吸引ろ過し、白色のコポリマー7 10gを得た。得られたコポリマー7の各構成単位の構造は以下のとおりである。
(アセチル糖メタクリレートの合成)
キシロース20gを無水酢酸250gと酢酸320gの混合溶液へ添加し、30℃で2時間攪拌した。溶液のおよそ5倍量の冷水を攪拌しながらゆっくりと加え、2時間攪拌したのちに1晩静置した。フラスコ中でTHF400mLにエチレンジアミン1.2gと酢酸101.4gを加えて0℃にした溶液に、析出した結晶10gを加え、4時間攪拌した。これを冷水1Lに注入し、ジクロロメタンで2回抽出した。この抽出物20g、ジクロロメタン300mL及びトリエチルアミン4.8gをフラスコに入れ、-30℃に冷却した。塩化メタクリロイル2.8gを加えて2時間攪拌した。これを冷水300mLに注入し、ジクロロメタンで2回抽出し、溶媒を濃縮することにより、アセチル糖メタクリレート1を16.1g得た。得られたアセチル糖メタクリレートの構造は以下のとおりである。
2,2-(1,3-ジオキソ-4,5,6,7-)テトラヒドロキソインドリル-2-イル 6.3g、アセチル糖メタクリレート10.2g及びα-メチルスチレン3.5gに、溶媒としてTHF150g、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.3gをフラスコ中で混合した後、フラスコを密閉し、窒素置換した。窒素雰囲気下、78℃に昇温し6時間撹拌した。その後、室温に戻し、フラスコ内を大気下とし、得られた溶液にメタノール400gを滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液を吸引ろ過し、白色のコポリマー8 11.2gを得た。得られたコポリマー8の各構成単位の構造は以下のとおりである。
(アセチル糖クロロアクリル酸メチルメタクリレート)
アセチル糖メタクリレートの合成にて、塩化メタクリロイルを2-クロロアクリル酸クロリド(1Click Chemistry Stock Products社製)に変更して合成を行い、アセチル糖クロロアクリル酸メチル20gを得た。得られたアセチル糖クロロアクリル酸メチルメタクリレートの構造は以下のとおりである。
2,2-(1,3-ジオキソ-4,5,6,7-)テトラヒドロキシイソインドリル-2-イルl 6.1g、アセチル糖クロロアクリル酸メチルメタクリレート10.5g及びα-メチルスチレン3.5gに、溶媒としてTHF150g、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.3gをフラスコ中で混合した後、フラスコを密閉し、窒素置換した。窒素雰囲気下、78℃に昇温し6時間撹拌した。その後、室温に戻し、フラスコ内を大気下とし、得られた溶液にメタノール400gを滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液を吸引ろ過し、白色のコポリマー9 10gを得た。得られたコポリマー9の各構成単位の構造は以下のとおりである。
2-[2-ヒドロキシ-5-[2-(メタクリロイロキシ)エチル]-フェニル]-2H-ベンゾトリアゾール(東京化成社製)8.5g、2-クロロアクリル酸メチル(東京化成社製)3.8g及び3,5-ビス(トリフルオロメチル)スチレン(東京化成社製)7.7gに、溶媒としてTHF150g、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.3gをフラスコ中で混合した後、フラスコを密閉し、窒素置換した。窒素雰囲気下、78℃に昇温し6時間撹拌した。その後、室温に戻し、フラスコ内を大気下とし、得られた溶液にメタノール400gを滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液を吸引ろ過し、白色のコポリマー10 12gを得た。得られたコポリマー10の各構成単位の構造は以下のとおりである。
(クロロアクリル酸メチル-α-メチルスチレンランダムコポリマーの合成)
2-クロロアクリル酸メチル10.1g及びα-メチルスチレン9.9gに、溶媒としてTHF150g、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.3gをフラスコ中で混合した後、フラスコを密閉し、窒素置換した。窒素雰囲気下、78℃に昇温し6時間撹拌した。その後、室温に戻し、フラスコ内を大気下とし、得られた溶液にメタノール400gを滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液を吸引ろ過し、白色のコポリマー11 10gを得た。得られたコポリマー11の各構成単位の構造は以下のとおりである。
2-クロロアクリル酸メチル8.1g及びメタクリル酸ベンジル11.9gに、溶媒としてTHF150g、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.3gをフラスコ中で混合した後、フラスコを密閉し、窒素置換した。窒素雰囲気下、78℃に昇温し6時間撹拌した。その後、室温に戻し、フラスコ内を大気下とし、得られた溶液にメタノール400gを滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液を吸引ろ過し、白色のコポリマー5 10gを得た。得られたコポリマー5の各構成単位の構造は以下のとおりである。
(1-メタクリル酸アダマンチル-クロロアクリル酸メチル-メタクリル酸ベンジルランダムコポリマーの合成)
メタクリル酸1-アダマンチル(東京化成社製)10.0g、2-クロロアクリル酸メチル5.4g及びα-メチルスチレン4.6gに、溶媒としてTHF120g、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.3gをフラスコ中で混合した後、フラスコを密閉し、窒素置換した。窒素雰囲気下、78℃に昇温し6時間撹拌した。その後、室温に戻し、フラスコ内を大気下とし、得られた溶液にメタノール400gを滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液を吸引ろ過し、白色のコポリマー13 11gを得た。得られたコポリマー13の各構成単位の構造は以下のとおりである。
1-ビニルナフタレン(東京化成社製)7.1g、2-クロロアクリル酸メチル6.5g及びα-メチルスチレン6.4gに、溶媒としてTHF150g、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.3gをフラスコ中で混合した後、フラスコを密閉し、窒素置換した。窒素雰囲気下、78℃に昇温し6時間撹拌した。その後、室温に戻し、フラスコ内を大気下とし、得られた溶液にメタノール400gを滴下し、重合物を析出させた。その後、析出した重合物を含む溶液を吸引ろ過し、白色のコポリマー14 10gを得た。得られたコポリマー14の各構成単位の構造は以下のとおりである。
<重量平均分子量>
コポリマーの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラム(GPC)法にて測定した。
GPCカラム:Shodex K-806M/K-802連結カラム(昭和電工社製)
カラム温度:40℃
移動層:クロロホルム
検出器:RI
すべて重合が終了してから、GPC法で重合度を確認することにより、狙いの重合度、平均分子量のランダムコポリマーができていることを確認した。なお、各コポリマーの分子量は重量平均分子量Mwが50,000であった。
1H-NMRにより、コポリマーの単位(A)と単位(B):単位(C)の比率(モル比)を求めて、算出した。モル比とは、コポリマー中に存在する各単位の個数の比率を示す。
合成したコポリマーを秤量し、23℃のアニソール(東京化成社製)に2.5質量%になるように溶解させ、目視で溶解性を確認し、以下基準で評価した。
○:溶液が透明であり、白濁や沈殿はない
△:溶液が白濁しているが、沈殿はない
×:溶液中に沈殿がみられる
合成したコポリマーを秤量し、23℃のアニソール(東京化成社製)に3.0質量%になるように溶解させた。この溶液を、シリコンウエハー上に膜厚100nmになるようにスピンコートし、ホットプレートにて180℃で2分間加熱し、焼成した。焼成後のシリコンウエハーに電子ビーム描画装置ELS-F125(エリオニクス社製)を用いて加速電圧50kV、電流500pAの条件で電子線照射をし、潜像を描画した。その後、下記に示した工程を行い解像度、感度評価用サンプルを作製し、感度と解像度の評価を行った。
ドーズ量をそれぞれ60μC/cm2、160μC/cm2、260μC/cm2とし、レジスト膜上に100nmであり、ライン:スペース比が1:1のラインアンドスペースの潜像を描画した。描画後のシリコンウエハーを23℃の酢酸ペンチル(東京化成社製)に浸漬し現像を行った。現像後、窒素ブローにて乾燥させることで、感度評価用サンプルを作製した。
ラインアンドスペース部の表面及び断面について、走査型電子顕微鏡(SEM)JSM7800F(日本電子製)を用いて、加速電圧5kV、エミッション電流86.0μA、倍率100,000倍の条件で観察し、感度を確認した。状態については、下記の評価基準で評価を行った。なお、160μC/cm2以下のドーズ量にてラインアンドスペースのパターンが現像されていた場合を感度が良好であると評価した。
○:ラインアンドスペースのパターンが現像されている
×:ラインアンドスペースのパターンが現像されていない
ドーズ量を200μC/cm2として、レジスト膜上に線幅20nm、50nm、100nm、ライン:スペース比が1:1のラインアンドスペースの潜像を描画した。描画後のシリコンウエハーを23℃の酢酸ペンチル(東京化成社製)に浸漬し現像を行った。現像後、窒素ブローにて乾燥させることで、解像度評価用サンプルを作製した。
次いで、ラインアンドスペース部の表面及び断面について、走査型電子顕微鏡(SEM)JSM7800F(日本電子製)を用いて、加速電圧5kV、エミッション電流86.0μA、倍率100,000倍で観察し、解像度を確認した。状態については、下記の評価基準で評価を行った。なお、線幅50nm以下のラインアンドスペースにおいてラインパターンが直線状であり、かつスペース部のレジスト膜由来の残留物がない状態を、解像度が良好であると評価した。
○:ラインアンドスペースのラインパターンが直線状であり、かつスペース部のレジスト膜由来の残留物がない
×:ラインアンドスペースのラインパターンが直線状ではないか(蛇行しており)、もしくはスペース部にレジスト膜由来の残留物がある、もしくはラインパターンが確認できない
40 レジスト膜
Claims (8)
- 下記一般式(111)で表される構造に由来する単位と、
下記一般式(101)で表される構造に由来する単位と、を含むポリマーを含有するレジスト材料;
- 前記一般式(111)において、X101は、窒素原子、リン原子及びセレン原子から選択される少なくとも1種を含み、かつ環状構造を有する基である請求項1に記載のレジスト材料。
- 前記一般式(111)において、X101は、窒素原子、リン原子及びセレン原子から選択される少なくとも1種を含む複素環基である請求項1又は2に記載のレジスト材料。
- 前記一般式(111)において、X101は、窒素原子、リン原子及びセレン原子から選択される少なくとも1種を含み、かつ縮環構造を有する基である請求項1~3のいずれか1項に記載のレジスト材料。
- 前記一般式(101)において、R 2 が、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子である請求項1~4のいずれか1項に記載のレジスト材料。
- 前記ポリマーは、下記一般式(103)で表される構造に由来する単位をさらに含む請求項1~5のいずれか1項に記載のレジスト材料;
- 請求項1~6のいずれか1項に記載のレジスト材料から形成されるレジスト膜。
- 請求項1~6のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程と、
露光工程と、
現像工程と、を含み、前記現像工程の前に金属導入工程をさらに含む、パターン形成方法。
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