JP2001066777A - ポジ型感放射線性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】サブクォーターミクロンのパターン加工が可能
な解像度を持ち、高感度なポジ型感放射線性組成物を得
る。 【解決手段】下記一般式（１）で示される構造単位を含
む重合体および放射線の照射によって酸を発生する酸発
生剤を含有することを特徴とするポジ型感放射線性組成
物。 【化１】 （ここでＸはハロゲン元素またはシアノ基、Ｚは酸素原
子またはイミノ基、Ｒ¹は単結合またはＺに結合してい
る炭素が１級または２級で炭素数１から１０のアルキレ
ン基、Ａは炭素数６から１８のアリーレン基、Ｒ²は単
結合またはＡに結合している炭素が１級または２級で炭
素数１から１０のアルキレン基、Ｒ³は酸の作用で分解
し、脱離して水素と置き換わる基を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路、リ
ソグラフィー用マスクなどの製造に用いられるポジ型感
放射線性組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体回路、リソグラフィー用マ
スクの製造などの分野では、集積度の向上に伴って、パ
ターンの微細化が進んでいる。これを実現するためにレ
ジスト材料としてさらに高解像度のものが要求されるよ
うになってきており、０．２５μｍ以下のサブクォータ
ーミクロンのパターンが高感度で加工できることが必要
となってきた。さらに、従来のような比較的長波長の光
源を用いるリソグラフィーでは、このような微細な加工
を行うことは困難であり、さらに波長の短い遠紫外線、
Ｘ線や電子線を用いたリソグラフィーが検討されてお
り、このような光源に対応したレジストが求められてい
る。

【０００３】近年、このような光源に対応するため、高
感度、高解像度の特性を持つ公知のレジスト材料とし
て、化学増幅型のレジストが盛んに検討されている。化
学増幅型のレジストは光酸発生剤の作用によって露光部
に酸が発生し、この酸の触媒作用によって露光部の溶解
性が変化する機構を持つレジストである。従来、このよ
うな化学増幅型レジストのうち比較的良好なレジスト性
能を示すものに、樹脂成分として、ｔ−ブチルエステル
基やｔ−ブトキシカルボニル基でアルカリ可溶性樹脂中
のアルカリ親和性基を保護した樹脂、シリル基で同様に
保護した樹脂、ケタール基で同様に保護した樹脂、アセ
タール基で同様に保護した樹脂、（メタ）アクリル酸成
分を含有する樹脂等を使用したレジストが知られてい
る。

【０００４】また、特開平６−２８９６１５号公報には
アクリル酸誘導体の３級アルキルエステルを用いた、化
学増幅型レジストが示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、解像度
と感度は相反する関係にあり、サブクォーターミクロン
のパターン加工を行うための解像度を得るには、感度が
十分ではないなどの欠点があった。

【０００６】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、下記
一般式（１）で示される構造単位を含む重合体および放
射線の照射によって酸を発生する酸発生剤を含有するこ
とを特徴とするポジ型感放射線性組成物である。

【０００７】

【化２】 （ここでＸはハロゲン元素またはシアノ基、Ｚは酸素原
子またはイミノ基、Ｒ¹は単結合または、Ｚに結合して
いる炭素が１級または２級で炭素数１から１０のアルキ
レン基、Ａは炭素数６から１８のアリーレン基、Ｒ²は
単結合または、Ａに結合している炭素が１級または２級
で炭素数１から１０のアルキレン基、Ｒ³は酸の作用で
分解し、脱離して水素と置き換わる基を表す。）

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明について、以下に詳細に説
明する。

【０００９】発明者らは高解像度でしかも高感度が得ら
れるレジスト用ポリマーを検討した結果、特定のアクリ
ル酸エステル系モノマー単位を含有するポリマーを用い
ることによって、高解像度、高感度が実現できることを
見出した。このような重合体に放射線によって酸を発生
する酸発生剤を添加することで、効率的なポリマーの主
鎖切断に加え、化学増幅機構によるパターン形成が可能
となり、高感度で、高解像度のパターンを得ることがで
きる。

【００１０】本発明のポジ型感放射線性組成物には一般
式（１）で示される構造単位を含む重合体を含有する。
一般式（１）のＸで示されるハロゲン元素としてはヨウ
素、臭素、塩素、フッ素などが挙げられる。より好まし
くは臭素、塩素が挙げられる。Ｚは酸素原子、またはイ
ミノ基であり、酸素原子がより好ましく用いられる。Ｒ
¹、Ｒ²は単結合またはＺに結合している炭素が１級また
は２級で炭素数１から１０のアルキレン基を表してお
り、その具体的な例としてはそれぞれ、単結合、メチレ
ン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、α−プ
ロピレン、β−プロピレン、フェニルメチレン、フェニ
ルエチレン、ジメチルエチレンなどが挙げられ、Ｒ¹と
Ｒ²は同一であっても異なっても良い。またＲ²は単結合
が好ましく用いられる。

【００１１】一般式（１）のＡで示される基はアリーレ
ン基であって、具体的な例としては１，４−フェニレ
ン、１，３−フェニレン、１，２−フェニレン、４−ブ
ロモ−１，２−フェニレン、２−クロロ−１，４−フェ
ニレン、３−クロロ−１，４−フェニレン、４−クロロ
−１，２−フェニレン、３−メチル−１，２−フェニレ
ン、４−メチル−１，２−フェニレン、５−メチル−
１，２−フェニレン、３，５−ジブロモ−１，４−フェ
ニレン、３，５−ジブロモ−１，２−フェニレン、３，
５−ジ−ｔ−ブチル−１，２−フェニレン、３，５−ジ
−ｔ−ブチル−１，４−フェニレン、３，５−ジクロロ
−１，２−フェニレン、３，５−ジクロロ−１，４−フ
ェニレン、３，５−ジヨード−１，２−フェニレン、
３，５−ジメトキシ−１，４−フェニレン、３，５−ジ
ニトロ−１，２−フェニレン、モノメトキシジフェノー
ル酸、４，４’−ビフェニレン、３，５−ジメチル−
１，４−フェニレン、３，５−ジメチル−１，２−フェ
ニレン、３−メトキシ−１，２−フェニレン、５−メト
キシ−１，２−フェニレン、４−メトキシ−１，３−フ
ェニレン、３−メトキシ−１，４−フェニレン、５−メ
トキシ−１，４−フェニレン、４−メトキシ−１，２−
フェニレン、３−メチル−１，２−フェニレン、４−メ
チル−１，２−フェニレン、５−メチル−１，２−フェ
ニレン、６−メチル−１，２−フェニレン、２−メチル
−１，３−フェニレン、４−メチル−１，３−フェニレ
ン、１，４−トリレン、１，２−ナフチレン、２，３−
ナフチレン、１，６−ナフチレン、２，６−ナフチレ
ン、４−ニトロ−１，３−フェニレン、３−ニトロ−
１，４−フェニレン、３，４，６−トリクロロフェニレ
ンなどが挙げられるが、これらに限定されない。

【００１２】一般式（１）のＲ³で示される基は酸の作
用で分解、脱離し、水素原子と置き換わる基で、具体的
にはカルボン酸の水素原子を酸の作用によって脱離しや
すい基で保護した構造を例として上げることができる。

【００１３】酸の作用によって脱離しやすい基の具体的
な例としては１，１−ジフェニルエチル基、１，２−ジ
フェニルエチル基、１，１，２−トリフェニルエチル
基、１−シクロプロピルエチル基、１−シクロブチルエ
チル基、１−シクロペンチルエチル基、１−シクロヘキ
シルエチル基、１−フェニルエチル基、１−メチルチオ
エチル基、１−エチルチオエチル基、１−クロロエチル
基、２−クロロエチル基、１−ブロモエチル基、２−ブ
ロモエチル基、１，１−ジクロロエチル基、１，２−ジ
クロロエチル基、２，２−ジクロロエチル基、１，１，
２−トリクロロエチル基、１，２，２−トリクロロエチ
ル基、１，１，２，２−テトラクロロエチル基、イソプ
ロピル基、１−メトキシ−２−プロピル基、１−エトキ
シ−２−プロピル基、２−メトキシ−２−プロピル基、
２−エトキシ−２−プロピル基、１−プロポキシ−２−
プロピル基、１−イソプロポキシ−２−プロピル基、２
−イソプロポキシ−２−プロピル基、１−ブトキシ−２
−プロピル基、１−クロロ−２−プロピル基、２−クロ
ロ−２−プロピル基、１−ブロモ−２−プロピル基、２
−ブロモ−２−プロピル基、１，１−ジクロロ−２−プ
ロピル基、１，２−ジクロロ−２−プロピル基、１，２
−ジブロモ−２−プロピル基、１，３−ジクロロ−２−
プロピル基、１，３−ジブロモ−２−プロピル基、１−
クロロ−３−ブロモ−２−プロピル基、１−ブロモ−２
−クロロ−２−プロピル基、１，１，２−トリクロロ−
２−プロピル基、１，１，３−トリクロロ−２−プロピ
ル基、１，１，１−トリクロロ−２−プロピル基、１−
フェニル−２−プロピル基、２−フェニル−２−プロピ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｓｅｃ−アミ
ル基、ｓｅｃ−イソアミル基、ｔ−アミル基、ｓｅｃ−
ヘキシル基、２−メチル−ペンチル基、２−メチル−２
−ペンチル基、２−メチル−３−ペンチル基、３−メチ
ル−１−ペンチル基、４−メチル−１−ペンチル基、４
−メチル−２−ペンチル基、１，１−ジメチルブチル
基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、メトキシカルボニル−２−プ
ロピル、エトキシカルボニル−２−プロピル、フェネチ
ジノ−３−ブチリル基、２，２−ジフェニルエチル基、
２−ニトロエチル基、３−フェニルブチル基、２−メチ
ルカルボニルエチル基、メチル−２−ブチリル基、メチ
ル−２−イソブチリル基、メチル−３−ブチリル基、メ
チル−３−イソブチリル基、エチル−２−ブチリル基、
エチル−２−イソブチリル基、フェニルカルボニルシク
ロヘキシル基、５−ブチルカルボニル−ｓｅｃ−アミル
基、３−エチルカルボニル−ｉｓｏ−プロピル基、メト
キシカルボニルイソプロピル、フェネチル基、クロロフ
ェネチル基、ブロモフェネチル基、メトキシフェネチル
基、メチルチオフェネチル基、α−メチルフェネチル
基、β−メチルフェネチル基、４−メトキシシクロヘキ
シル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニ
ル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオ
フラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、４−
メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラ
ヒドロチオピラニル基、シクロプロピルメチル基、１−
メトキシエチル基、１，１−ジメトキシエチル基、１−
エトキシエチル基、１，１−ジエトキシエチル基、１−
フェノキシエチル基、１−フェニルチオエチル基、１，
１−ジフェノキシエチル基、１−ベンジルオキシエチル
基、１−ベンジルチオエチル基、１−メトキシカルボニ
ルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、１−ｎ
−プロポキシカルボニルエチル基、１−イソプロポキシ
カルボニルエチル基、１−ｎ−ブトキシカルボニルエチ
ル基、１−ｔ−ブトキシカルボニルエチル基、１，１−
ジメチルブチル基、トリメチルシリル基、エチルジメチ
ルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリ
ル基、イソプロピルジメチルシリル基、メチルジイソプ
ロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔ−ブチ
ルジメチルシリル基、メチルジ−ｔ−ブチルシリル基、
フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基
等が挙げられるが、これらに限定されない。

【００１４】本発明で用いられる重合体は一般式（１）
で表される構造単位のみを含む重合体であっても良い
が、化学増幅型レジストとしての特性を損なわない限
り、他のモノマー単位を含む共重合体であっても良い。
他のモノマー構造としてはアクリル酸、メチルアクリレ
ート、エチルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレ
ート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレ
ート、ｔ−ブチルアクリレート、メタクリル酸、メチル
メタクリレート、エチルメタクリレート、ヒドロキシエ
チルアクリレート、トリフルオロエチルメタクリレー
ト、イソプロピルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリ
レート、ｔ−ブチルメタクリレート、メチル−α−クロ
ロアクリレート、エチル−α−クロロアクリレート、ヒ
ドロキシエチル−α−クロロアクリレート、トリフルオ
ロエチル−α−クロロアクリレート、イソプロピル−α
−クロロアクリレート、ｎ−ブチル−α−クロロアクリ
レート、ｔ−ブチル−α−クロロアクリレート、メチル
−α−シアノアクリレート、エチル−α−シアノアクリ
レート、ヒドロキシエチル−α−シアノアクリレート、
イソプロピル−α−シアノアクリレート、ｎ−ブチル−
α−シアノアクリレート、スチレン、ｐ−ヒドロキシス
チレン、α−メチルスチレン、α−メチル−ｐ−ヒドロ
キシスチレン、マレイン酸、無水マレイン酸、クロトン
酸、フマル酸、メサコン酸、シトラコン酸、イタコン
酸、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、クロトン
ニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メタコ
ンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル、
アクリルアミド、メタクリルアミド、クロトンアミド、
マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シト
ラコンアミド、イタコンアミド、ビニルアニリン、ビニ
ルピロリドン、ビニルイミダゾールなどを挙げることが
できる。他のモノマー構造が酸性官能基を有する場合に
は該酸性官能基の水素原子を前述の酸脱離基で置換した
構造のモノマー単位を含むこともできる。

【００１５】本発明で用いられる一般式（１）で示され
る構造単位を含む重合体の重量平均分子量はＧＰＣで測
定されるポリスチレン換算で５０００〜１５００００
０、より好ましくは１００００〜１００００００であ
る。

【００１６】本発明のポジ型感放射線性組成物には、放
射線の照射によって酸を発生する酸発生剤が含まれる。
ここで用いられる酸発生剤は、発生する酸によって一般
式（１）の酸の作用で分解する基を分解することができ
るようなものであればどのようなものであっても良い。
オニウム塩、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合
物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸
エステル化合物、スルホンイミド化合物などを例として
挙げることができる。

【００１７】オニウム塩の具体的な例としては、ジアゾ
ニウム塩、アンモニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニ
ウム塩、ホスホニウム塩、オキソニウム塩などを挙げる
ことができる。好ましいオニウム塩としてはジフェニル
ヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムピ
レンスルホネート、ジフェニルヨードニウムドデシルベ
ンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフ
レート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアン
チモネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスル
ホネート、（ヒドロキシフェニル）ベンジルメチルスル
ホニウムトルエンスルホネートなどが挙げられる。

【００１８】ハロゲン含有化合物の具体的な例として
は、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル
基含有ヘテロ環状化合物などが挙げられる。好ましいハ
ロゲン含有化合物としては１，１−ビス（４−クロロフ
ェニル）−２，２，２−トリクロロエタン、２−フェニ
ル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジ
ン、２−ナフチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）
−ｓ−トリアジンなどを挙げることができる。

【００１９】ジアゾケトン化合物の具体的な例として
は、１，３−ジケト−２−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾ
キノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物などが挙げら
れる。好ましいジアゾケトン化合物は１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホン酸と２，２，３，４，４’
−テトラヒドロキシベンゾフェノンとのエステル、１，
２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸と１，１，
１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタンとのエス
テルなどを挙げることができる。

【００２０】ジアゾメタン化合物の具体的な例として
は、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−
トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−キシ
リルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−クロロフェ
ニルスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ
−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルス
ルホニル（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾ
メタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジ
アゾメタン、フェニルスルホニル（ベンゾイル）ジアゾ
メタン等を挙げることができる。

【００２１】スルホン化合物の具体的な例としては、β
−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物
などが挙げられる。好ましい化合物としては、４−トリ
スフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、
ビス（フェニルスルホニル）メタンなどが挙げられる。

【００２２】スルホン酸エステル化合物の例としては、
アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸
エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホ
ネートなどが挙げられる。スルホン酸化合物の具体的な
例としてはベンゾイントシレート、ピロガロールトリメ
シレート、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアン
トラセン−２−スルホネートなどを挙げることができ
る。

【００２３】スルホンイミド化合物の具体的な例として
はＮ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシ
ンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニ
ルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロ
メチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプ
ト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−
（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサ
ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジ
カルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホ
ニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６
−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリ
フルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキ
シルイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）
ジフェニルマレイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファニルス
ルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］
ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ
−（カンファニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．
２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボ
キシルイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）
ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェ
ニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メ
チルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−
（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマ
レイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３
−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルス
ルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］
ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ
−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホ
ニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（２
−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スク
シンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルス
ルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオ
ロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイ
ミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニ
ルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオ
ロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシ
クロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカル
ボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニ
ルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−
（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）
ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフ
ェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−
フルオロフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ
−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニ
ルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフ
ェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．
２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイ
ミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）
ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−
２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフ
ェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミ
ド等を挙げることができる。

【００２４】これらの酸発生剤は単独あるいは２種以上
を混合して用いることができる。酸発生剤の添加量は通
例ポリマーに対して０．０１〜５０重量％であり、より
好ましくは０．１〜１０重量％である。０．０１重量％
より少ないとパターン形成が不可能となり、５０重量％
より多いと現像液との親和性が低下し、現像不良などが
発生する。

【００２５】本発明のポジ型感放射線性組成物には溶解
抑止剤を添加することができる。溶解抑止剤は酸の作用
によって分解し、アルカリ可溶性となる基を有し、組成
物に添加されることによって、組成物のアルカリ溶解速
度を低下させる効果を持ち、酸の作用でアルカリ可溶性
となる基が分解することによって、組成物のアルカリ溶
解速度が増大する作用を持つ化合物である。溶解抑止剤
としてはたとえばフェノール性水酸基、カルボキシル
基、スルホキシ基などの酸性官能基を含有する化合物
で、該酸性官能基の水素原子を酸脱離基で置換した化合
物を用いることができる。ここで用いられる酸性官能基
を有する化合物としてはヒドロキノン、カテコール、ビ
スフェノールＡ、ヒドロキシフェニル酢酸、４−ヒドロ
キシベンゼンスルホン酸などを例として挙げることがで
きる。酸脱離基は前述の酸脱離基を挙げることができ
る。

【００２６】本発明で用いられる溶解抑止剤として高分
子化合物を用いることもできる。高分子の溶解抑止剤と
しては、ヒドロキシ基あるいはカルボキシル基を有する
重合体のヒドロキシ基、カルボキシル基の水素原子を前
述の酸脱離基によって置換したものが用いられる。ヒド
ロキシル基あるいはカルボキシル基を有する重合体の具
体的な例としてはヒドロキシスチレン、α−メチルヒド
ロキシスチレン、α−クロロヒドロキシスチレン、ビニ
ル安息香酸、カルボキシメチルスチレン、カルボキシメ
トキシスチレン、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン
酸、マレイン酸、イタコン酸、ケイ皮酸などの重合性二
重結合を持つ単量体の少なくとも１種の重合体や、ノボ
ラック樹脂に代表される縮合系重合体などが挙げられ
る。酸脱離基の具体的な例としては、前述の酸脱離基を
挙げることができる。

【００２７】溶解抑止剤は一般式（１）で示される構造
単位を含む重合体１００重量部に対して０〜１５０重量
部、好ましくは５〜１００重量部、より好ましくは５〜
５０重量部である。

【００２８】本発明のポジ型感放射線性組成物には必要
に応じて、界面活性剤、増感剤、安定剤、消泡剤、酸拡
散抑制剤などの添加剤を加えることもできる。

【００２９】本発明のポジ型感放射線性組成物は上記の
成分を溶媒に溶解することにより得られる。溶媒の使用
量としては特に限定されないが、固形分が５〜３５重量
％となるように調整される。好ましく用いられる溶媒と
しては酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピオ
ン酸エチル、酪酸メチル、安息香酸メチル、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、β−イソブチル酸
メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキ
シプロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステ
ル類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセ
ロソルブ等のセロソルブ類、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブア
セテート等のセロソルブエステル類、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリ
コールエステル類、１，２−ジメトキシエタン、１，２
−ジエトキシエタン、テトラヒドロフラン、アニソール
などのエーテル類、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、メチル−ｎ−アミルケトン、シクロヘキサ
ノン、イソホロンなどのケトン類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、スルホランなどの非プロトン性極
性溶媒から選ばれる溶媒、またはこれらの複合溶媒が挙
げられる。

【００３０】本発明のポジ型感放射線性組成物は被加工
基板上に塗布、乾燥され、通例、０．２μｍ〜２μｍの
膜厚の薄膜にして使用される。この薄膜に、紫外線、遠
紫外線、電子線、Ｘ線等の放射線を用いてパターン露光
し、現像を行うことによって微細パターンを得ることが
できる。特に電子線、Ｘ線を用いたパターン露光の場合
に効果が大きく、さらに電子線を用いた場合がより効果
が顕著となる。

【００３１】本発明の感放射線性組成物の現像は、公知
の現像液を用いて行うことができる。例としては、アル
カリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホ
ウ酸塩などの無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノ
ール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等の
アミン類、水酸化テトラメチルアンモニウム、コリン等
の４級アンモニウムを１種あるいは２種以上含む水溶液
が挙げられる。

【００３２】

【実施例】以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体
的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されな
い。

【００３３】合成例１ （１）２，３−ジクロロプロピオン酸クロリドの合成 １ｌの三つ口フラスコに、かきまぜ機および還流冷却管
を付け、２，３−ジクロロプロピオン酸１．４７モルと
塩化チオニル３．３５モルを仕込み、窒素気流下に、か
き混ぜて均一溶液とし、室温で一夜放置した後、油浴で
加熱し、８０℃で１時間リフラックスした。還流冷却管
を蒸留装置に置き換え、減圧蒸留し、２，３−ジクロロ
プロピオン酸クロリドを得た。

【００３４】（２）２−シクロヘキシロキシカルボニル
フェニル−α−クロロアクリレートの合成 １ｌの三つ口フラスコに、かきまぜ機、滴下ロートおよ
び還流冷却管を付け、サリチル酸シクロヘキシル０．２
０モル、およびトルエン６００ｍｌを仕込み、４０℃以
下に保ちながら弱い減圧下で、攪拌しながら２，３−ジ
クロロプロピオン酸クロリド０．２０モルとトルエン１
００ｍｌの溶液を約１時間かけて滴下した。滴下後徐々
に昇温し５０℃で１時間反応を続けた。その後フラスコ
を氷水浴で冷却し常圧に戻し、苛性ソーダ０．２０モル
と水２００ｍｌの溶液を、フラスコ内容物を激しくかき
混ぜながら、約３０分で滴下した。滴下後、冷却下に３
０分間攪拌を続けた。反応混合物を分液し、得られたト
ルエン溶液を水で洗浄した後、塩化カルシウムで乾燥
し、トルエンを減圧留去し、２−シクロヘキシロキシカ
ルボニルフェニル−α−クロロアクリレート０．１１モ
ルを得た。

【００３５】（３）ポリ（２−シクロヘキシロキシカル
ボニルフェニル−α−クロロアクリレート）の合成 アゾビスイソブチロニトリルを開始剤として、得られた
２−シクロヘキシロキシカルボニルフェニル−α−クロ
ロアクリレート１０．０ｇをジオキサン６０ｃｃに溶解
し、６０℃で２０時間静置し、溶液重合した。得られた
ポリマー溶液を水５００ｃｃとメタノール５００ｃｃの
溶液を攪拌下に注ぎ、沈殿したポリマーを濾取し、真空
乾燥してポリ（２−シクロヘキシロキシカルボニルフェ
ニル−α−クロロアクリレート）を得た。

【００３６】合成例２ （１）α−クロロアクリル酸の合成 ２ｌの三つ口フラスコに苛性ソーダ３．１６モルｇと水
７５０ｇの溶液を仕込みかきまぜ機と滴下ロート２個を
付け、一方の滴下ロートＡに２，３−ジクロロプロピオ
ン酸メチル３．００モルを、他方の滴下ロートＢに苛性
ソーダ３．１６モルと水２５０ｇの溶液をとった。つい
でこのフラスコを氷水浴で冷却しながら攪拌下に、滴下
ロートＡから２，３−ジクロロプロピオン酸メチル４５
０ｇを３０分かけて滴下した。ついで、滴下ロートＢか
ら苛性ソーダ３．００モルと水２５０ｇの溶液を１時間
かけて滴下した。室温で１時間攪拌を続けた。３５％の
塩酸３．１５モルと氷水１．５ｌの混合物をかき混ぜな
がら、反応内容物を注ぎ、クロロホルムで抽出した。ク
ロロホルム溶液を塩化カルシウムで乾燥した後、クロロ
ホルムをエバポレートして除き、α−クロロアクリル酸
２．５６モルを得た。

【００３７】（２）α−クロロアクリル酸クロリドの合
成 １ｌの丸底フラスコにα−クロロアクリル酸１．００モ
ルとベンゼン８０ｇをとり、溶解し、１０〜１５℃で攪
拌下に五塩化リン１．００モルを少しづつ加えた。つい
で室温で２時間攪拌を続けた後、減圧蒸留を行い、α−
クロロアクリル酸クロリド０．８３モルを得た。

【００３８】（３）４−ｔ−ブトキシカルボニルフェニ
ル−α−クロロアクリルアミドの合成 ４−アミノ安息香酸ｔ−ブチル０．１０モルとトルエン
１５０ｃｃの溶液と、酢酸ナトリウム０．１０モルと水
５０ｃｃの溶液を攪拌下に懸濁液とし、氷水浴で冷却し
ながらα−クロロアクリル酸クロリド０．１０モルを滴
下した。生成した固体を濾取し、エタノール−クロロホ
ルムから再結晶精製し、α−クロロアクリル酸−４−ｔ
−ブトキシカルボニルフェニルアミドを得た。

【００３９】（４）ポリ（４−ｔ−ブトキシカルボニル
フェニル−α−クロロアクリルアミド）の合成 合成例１の（３）の方法と同様の方法で、アゾビスイソ
ブチロニトリルを開始剤として、α−クロロアクリル酸
−４−ｔ−ブトキシカルボニルフェニルアミドをジオキ
サンに溶解し、６０℃で溶液重合し、ポリ（４−ｔ−ブ
トキシカルボニルフェニル−α−クロロアクリルアミ
ド）を得た。

【００４０】合成例３ （１）１−イソプロポキシカルボニル−２−ナフチル−
α−ブロモアクリレートの合成 １００ｃｃのテトラヒドロフラン中でα−ブロモアクリ
ル酸０．１２モルに塩化チオニル０．３０モルを作用さ
せ、減圧蒸留によりα−ブロモアクリル酸クロライド
０．０８モルを得た。２−ヒドロキシナフトエ酸イソプ
ロピル０．０７モルとα−ブロモアクリル酸クロライド
０．０７モルをトリエチルアミン０．０７モルの存在
下、テトラヒドロフラン１５０ｃｃ中で反応させ、１−
イソプロポキシカルボニル−２−ナフチル−α−ブロモ
アクリレートを得た。

【００４１】（２）ポリ（１−イソプロポキシカルボニ
ル−２−ナフチル−α−ブロモアクリレート）の合成 合成例１の（３）の方法と同様の方法で、アゾビスイソ
ブチロニトリルを開始剤として、得られたα−ブロモア
クリル酸−１−イソプロポキシカルボニル−２−ナフチ
ルをジオキサン中、６０℃で重合し、ポリ（１−イソプ
ロポキシカルボニル−２−ナフチル−α−ブロモアクリ
レート）を得た。

【００４２】合成例４ （１）４−イソプロポキシカルボニルベンジル−シアノ
アセテートの合成 五塩化リン０．２０モルをエーテル１５０ｃｃに分散
し、氷水浴で冷却下にかき混ぜながら、滴下ロートから
シアノ酢酸０．２０モルのエーテル５０ｃｃの溶液を滴
下した。滴下終了後直ちにエバポレートして、エーテル
とオキシ塩化リンを除き、残物にテトラヒドロフラン６
０ｃｃを加え、５０℃で攪拌しながら、４−ヒドロキシ
メチル安息香酸イソプロピル０．２１モルとテトラヒド
ロフラン１００ｃｃの溶液を滴下した。滴下後、１．５
時間反応を続けた後、蒸留操作により４−イソプロポキ
シカルボニルベンジル−シアノアセテート０．１６モル
を得た。

【００４３】（２）ポリ（４−イソプロポキシカルボニ
ルベンジル−α−シアノアクリレート）の合成 ベンゼン１１０ｃｃと４−イソプロポキシカルボニルベ
ンジル−シアノアセテート０．１４モルとパラホルムア
ルデヒド０．１４モルとピペリジン塩酸塩１ｇと氷酢酸
１ｇの分散液を加熱し、還流しながら水を除去し、水が
出なくなった後、ベンゼンを留去した。残物を冷却後ア
セトンに溶かし、水に再沈殿させた。樹脂状物を、傾寫
して集めアセトンに再溶解し、アセトン留去後減圧下に
加熱分解蒸留し、４−イソプロポキシカルボニルベンジ
ル−α−シアノアクリレート０．０７モルを得た。この
モノマーを、水分の混入を避けながら、乾燥したテトラ
ヒドロフラン中でアゾビスイソブチロニトリルを開始剤
として封管中で、５０℃でラジカル溶液重合し、ポリ
（４−イソプロポキシカルボニルベンジル−α−シアノ
アクリレート）を得た。

【００４４】合成例５ （１）ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルベンジル−α−クロ
ロアクリレートの合成 α−クロロアクリル酸ナトリウム０．２０モルと水７５
ｃｃの溶液を、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルベンジルブ
ロマイド０．２０モルをトルエン２５０ｃｃに溶かした
溶液を１５℃に冷却して激しく攪拌しながら、滴下し
た。滴下後１．５時間攪拌を続けた。内容物を分液し水
層をトルエンで洗浄し、分液した有機層と混合した。こ
の液を希塩酸で洗浄し、ついで炭酸ナトリウム水溶液、
水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後トルエンを留去し
てｐ−ｔ−ブトキシカルボニルベンジル−α−クロロア
クリレート０．１１モルを得た。

【００４５】（２）ポリ（ｐ−ｔ−ブトキシカルボニル
ベンジル−α−クロロアクリレート）の合成 合成例１の３．の方法と同様の方法で、アゾビスイソブ
チロニトリルを開始剤として、得られたα−クロロアク
リル酸−ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルベンジルエステル
をジオキサン中、６０℃で重合し、ポリ（ｐ−ｔ−ブト
キシカルボニルベンジル−α−クロロアクリレート）を
得た。

【００４６】合成例６ 合成例５で用いたｐ−ｔ−ブトキシカルボニルベンジル
ブロマイドの代わりに、４−クロロメチルフェニル酢酸
−ｓｅｃ−ブチルを用いる以外は合成例５と同様の操作
を行い、α−クロロアクリル酸−ｐ−ｓｅｃ−ブトキシ
カルボニルメチルベンジル０．１２モルを得、同様に重
合して、ポリ（ｐ−ｓｅｃ−ブトキシカルボニルメチル
ベンジル−α−クロロアクリレート）を得た。

【００４７】合成例７ （１）ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルフェニルメタクリレ
ートの合成 ｐ−ヒドロキシ安息香酸ｔ−ブチル０．２０モル、トリ
エチルアミン０．２０モルをベンゼン２００ｃｃに溶解
し、３５℃に保ちながら、攪拌下にメタクリル酸クロリ
ド０．２０モルを１．５時間かけて滴下した。ついで４
０℃で３０分かきまぜを続けた後室温に戻し、吸引濾過
をして塩を除き、ベンゼン溶液を水で洗浄し、乾燥した
後、蒸留操作によりベンゼンを留去し、ｐ−エトキシカ
ルボニルフェニルメタクリレート０．１０モルを得た。

【００４８】（２）ポリ（ｐ−エトキシカルボニルフェ
ニルメタクリレート）の合成 得られたｐ−エトキシカルボニルフェニルメタクリレー
トを、合成例１の（３）の方法と同様の方法で、アゾビ
スイソブチロニトリルを開始剤として、ジオキサン中、
６０℃で重合し、ポリ（ｐ−エトキシカルボニルフェニ
ルメタクリレート）を得た。

【００４９】合成例８ 耐圧瓶にα−クロロアクリル酸０．２５モル、ジクロロ
メタン６００ｍｌ、メタンスルホン酸１０ｍｌを加え、
これに液化したイソブチレン３００ｍｌを−５℃で加
え、室温で３０時間撹拌した。反応溶液を飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液に注ぎ、有機層を分離し、乾燥した
後、溶媒を留去してα−クロロアクリル酸ｔ−ブチル
０．１４モルを得た。アゾビスイソブチロニトリルを開
始剤として、得られたα−クロロアクリル酸ｔ−ブチル
をトルエン中、７０℃で重合し、ポリ（ｔ−ブチル−α
−クロロアクリレート）を得た。

【００５０】実施例１ 合成例１で得られたポリ（２−シクロヘキシロキシカル
ボニルフェニル−α−クロロアクリレート）３ｇ、トリ
フェニルスルホニウムトリフレート１５０ｍｇをプロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解
し、０．１μｍのフィルターで濾過し、レジスト組成物
を得た。得られたレジスト組成物をシリコンウエハ上に
スピンコートした後、９０℃で２分間加熱し、膜厚０．
５μｍのレジスト膜を得た。このレジスト膜に電子線露
光装置を用いて、加速電圧２０ｋＶでパターンを電子線
で描画露光した。パターンは同一の寸法（太さ）の６本
のラインと７本のスペースを交互に描くいわゆるライン
アンドスペースとした。太さ０．１μｍのラインアンド
スペースを最小にして、太さを０．０５μｍずつ大きく
して、最大の太さ０．５μｍまでの９組のラインアンド
スペースを１群とした。露光量は１μＣ／ｃｍ²を最小
の１群とし、公比１．２３とする等比数列的に露光量を
増大し、最大の露光量９．８μＣ／ｃｍ²までの１２群
を描画露光した。ついで９０℃、３分加熱した後、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行っ
た。

【００５１】０．２５μｍのラインアンドスペースが解
像できた最小の露光量（Ｑ_0.25)は３．５μＣ／ｃｍ
²で、解像できた最小のラインアンドスペースは０．１
５μｍであった。

【００５２】実施例２ 実施例１で用いたポリ（２−シクロヘキシロキシカルボ
ニルフェニル−α−クロロアクリレート）の代わりに、
合成例２で得られたポリ（４−ｔ−ブトキシカルボニル
フェニル−α−クロロアクリルアミド）を用いる以外は
実施例１と同様にレジスト膜を得、電子線で描画露光し
て、現像を行った。（Ｑ_0.25)は４．３μＣ／ｃｍ²で、
解像できた最小のラインアンドスペースは０．２０μｍ
が得られた。

【００５３】実施例３ 実施例１で用いたポリ（２−シクロヘキシロキシカルボ
ニルフェニル−α−クロロアクリレート）の代わりに、
合成例３で得られたポリ（１−イソプロポキシカルボニ
ル−２−ナフチル−α−ブロモアクリレート）を用いる
以外は実施例１と同様にレジスト膜を得、電子線で描画
露光して、現像を行った。（Ｑ_0.25)は３．５μＣ／ｃ
ｍ²で、解像できた最小のラインアンドスペースは０．
２０μｍが得られた。

【００５４】実施例４ 実施例１で用いたポリ（２−シクロヘキシロキシカルボ
ニルフェニル−α−クロロアクリレート）の代わりに、
合成例４で得られたポリ（４−イソプロポキシカルボニ
ルベンジル−α−シアノアクリレート）を用いる以外は
実施例１と同様にレジスト膜を得、電子線で描画露光し
て、現像を行った。（Ｑ_0.25)は２．８μＣ／ｃｍ²で、
解像できた最小のラインアンドスペースは０．２０μｍ
が得られた。

【００５５】実施例５ 実施例１で用いたポリ（２−シクロヘキシロキシカルボ
ニルフェニル−α−クロロアクリレート）の代わりに、
合成例５で得られたポリ（ｐ−ｔ−ブトキシカルボニル
ベンジル−α−クロロアクリレート）を用いる以外は実
施例１と同様にレジスト膜を得、電子線で描画露光し
て、現像を行った。（Ｑ_0.25)は２．８μＣ／ｃｍ²で、
解像できた最小のラインアンドスペースは０．１５μｍ
が得られた。

【００５６】実施例６ 実施例１で用いたポリ（２−シクロヘキシロキシカルボ
ニルフェニル−α−クロロアクリレート）の代わりに、
合成例６で得られたポリ（ｐ−ｓｅｃ−ブトキシカルボ
ニルメチルベンジル−α−クロロアクリレート）を用い
る以外は実施例１と同様に、レジスト膜を得、電子線で
描画露光して、現像を行った。（Ｑ_0.25)は３．５μＣ
／ｃｍ²で、解像できた最小のラインアンドスペースは
０．２５μｍが得られた。

【００５７】比較例１ 実施例１で用いたポリ（２−シクロヘキシロキシカルボ
ニルフェニル−α−クロロアクリレート）の代わりに、
合成例７で得られたポリ（ｐ−エトキシカルボニルフェ
ニルメタクリレート）を用いる以外は実施例１と同様に
レジスト膜を得、電子線で描画露光して、現像を行っ
た。（Ｑ_0.25)は８．０μＣ／ｃｍ²で、解像できた最小
のラインアンドスペースは０．３０μｍが得られ、感
度、解像度の点で、十分な特性ではなかった。

【００５８】比較例２ 実施例１で用いたポリ（２−シクロヘキシロキシカルボ
ニルフェニル−α−クロロアクリレート）の代わりに、
合成例８で得られたポリ（t-ブチル-α-クロロアクリレ
ート）を用いる以外は実施例１と同様にレジスト膜を
得、電子線で描画露光して、現像を行った。（Ｑ_0.25)
は６．５μＣ／ｃｍ²で、解像できた最小のラインアン
ドスペースは０．３５μｍが得られ、感度、解像度の点
で、十分な特性ではなかった。

【００５９】

【発明の効果】本発明のポジ型感放射線性組成物は、上
述のように特定のアクリル酸エステル系モノマー単位を
含有する重合体と、放射線の照射によって酸を発生する
酸発生剤を含有するポジ型感放射線性組成物を用いるこ
とによって、高解像度でかつ高感度の組成物を得ること
が可能となった。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１２年８月２３日（２０００．８．２
３）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００２

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体回路、リソグラフィー用マ
スクの製造などの分野では、集積度の向上に伴って、パ
ターンの微細化が進んでいる。これを実現するためにレ
ジスト材料としてさらに高解像度のものが要求されるよ
うになってきており、０．２５μｍ以下のサブクォータ
ーミクロンのパターンが高感度で加工できることが必要
となってきた。さらに、従来のような比較的長波長の光
源を用いるリソグラフィーでは、このような微細な加工
を行うことは困難であり、より波長の短い遠紫外線、真
空紫外線、Ｘ線や電子線を用いたリソグラフィーが検討
されており、このような光源に対応したレジストが用い
られている。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１５】本発明で用いられる重合体の重量平均分子
量はＧＰＣで測定されるポリスチレン換算で５０００〜
１５０００００が好ましく、より好ましくは１００００
〜１０００００である。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２３】スルホンイミド化合物の具体的な例として
はＮ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシ
ンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニ
ルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロ
メチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプ
ト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−
（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサ
ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジ
カルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホ
ニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６
−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリ
フルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキ
シルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）スクシ
ンイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）フタルイ
ミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ジフェニルマ
レイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）−７−
オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，
３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オ
キシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファ
スルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ
−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイ
ミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フ
タルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−メチルフェニル
スルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５
−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メ
チルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフ
ェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミ
ド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニル
オキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチ
ルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２
−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフ
ェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェ
ニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト
−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２
−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７
−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオ
ロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．
２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボ
キシミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスル
ホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−
（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイ
ミド、Ｎ−（２−フルオロフェニルスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニル
オキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフ
ェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプ
ト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−
（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキ
サビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−
ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルス
ルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−
５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−
（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジ
カルボキシルイミド等を挙げることができる。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３０】本発明のポジ型感放射線性組成物は被加工
基板上に塗布、乾燥され、通例、０．２μｍ〜２μｍの
膜厚の薄膜にして使用される。この薄膜に、紫外線、遠
紫外線、真空紫外線、電子線、Ｘ線等の放射線を用いて
パターン露光し、現像を行うことによって微細パターン
を得ることができる。特に電子線、Ｘ線を用いたパター
ン露光の場合に効果が大きく、さらに電子線を用いた場
合がより効果が顕著となる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AB08 AB16 AC04 AC05 AC06 AD03 BE00 BE10 BG00 FA03 FA12 FA17

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下記一般式（１）で示される構造単位を含
   む重合体、および放射線の照射によって酸を発生する酸
   発生剤を含有することを特徴とするポジ型感放射線性組
   成物。 【化１】 （ここでＸはハロゲン元素またはシアノ基、Ｚは酸素原
   子またはイミノ基、Ｒ¹は単結合またはＺに結合してい
   る炭素が１級または２級で炭素数１から１０のアルキレ
   ン基、Ａは炭素数６から１８のアリーレン基、Ｒ²は単
   結合またはＡに結合している炭素が１級または２級で炭
   素数１から１０のアルキレン基、Ｒ³は酸の作用で分解
   し、脱離して水素と置き換わる基を表す。）
2. 【請求項２】前記一般式（１）のＺが酸素原子であるこ
   とを特徴とする請求項１記載のポジ型感放射線性組成
   物。
3. 【請求項３】前記一般式（１）のＲ²が単結合であるこ
   とを特徴とする請求項１または請求項２記載のポジ型感
   放射線性組成物。