JP7331318B2 - Ｏｌｅｄ表示基板、ｏｌｅｄ表示基板の製造方法及び表示装置 - Google Patents

Ｏｌｅｄ表示基板、ｏｌｅｄ表示基板の製造方法及び表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7331318B2
JP7331318B2 JP2019558491A JP2019558491A JP7331318B2 JP 7331318 B2 JP7331318 B2 JP 7331318B2 JP 2019558491 A JP2019558491 A JP 2019558491A JP 2019558491 A JP2019558491 A JP 2019558491A JP 7331318 B2 JP7331318 B2 JP 7331318B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor electrode
electrode
capacitor
insulating layer
oled display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019558491A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021523512A (ja
Inventor
金鈴 張
飛 ▲トウ▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of JP2021523512A publication Critical patent/JP2021523512A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7331318B2 publication Critical patent/JP7331318B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年５月１６日に中国特許庁に提出された中国特許出願２０１８１０４６９７８１．７の優先権を主張し、その全ての内容が援用により本出願に取り込まれる。
本開示は、表示技術分野に関し、特に、ＯＬＥＤ表示基板、ＯＬＥＤ表示基板の製造方法及び表示装置に関する。
アクティブマトリクス有機発光ダイオード（Ａｃｔｉｖｅ―ｍａｔｒｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイは広い市場応用の見込みがある。関連技術において、ボトムエミッション型有機発光ダイオードＯＬＥＤ表示素子は、主に、例えばＯＬＥＤテレビのような大型サイズのディスプレイに用いられる。但し、大型サイズのＯＬＥＤディスプレイには開口率が低いという問題点がずっと存在している。
本開示は、ＯＬＥＤ表示基板、ＯＬＥＤ表示基板の製造方法及び表示装置を提供する。
第１の態様によれば、本開示は有機発光ダイオードＯＬＥＤ表示基板を提供する。当該ＯＬＥＤ表示基板は、ベース基板上にアレイ状に配置された複数の開口領域と、前記ベース基板上に位置する複数の蓄積コンデンサとを含み、前記複数の蓄積コンデンサの各々の蓄積コンデンサの前記ベース基板における正投影と、前記複数の開口領域のうち前記蓄積コンデンサに対応する開口領域の前記ベース基板における正投影とは、重なり領域を有する。
選択的に、前記複数の蓄積コンデンサの各々の蓄積コンデンサの光透過率は、予め設定された閾値より大きく、前記蓄積コンデンサの前記ベース基板における正投影は、前記開口領域の前記ベース基板における正投影内に収まる。
選択的に、前記蓄積コンデンサは、第１コンデンサ電極と、前記第１コンデンサ電極上に設置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設置された第２コンデンサ電極と、前記第２コンデンサ電極上に設置された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に設置された第３コンデンサ電極とを含み、前記第３コンデンサ電極は、前記第１コンデンサ電極に電気的に接続される。
選択的に、前記第１コンデンサ電極は導体化された活性層であり、前記第２コンデンサ電極は透明電極であり、前記第３コンデンサ電極は、前記ＯＬＥＤ表示基板の陽極である。
選択的に、前記透明電極は、ＩＴＯ、グラフェン及びＭｏＴｉの中の一種を用いて作られる。
選択的に、前記予め設定された閾値は８０％以上である。
選択的に、前記第１絶縁層は層間絶縁層であり、前記第２絶縁層はパッシベーション層である。
選択的に、前記ＯＬＥＤ表示基板は、前記第１コンデンサ電極と前記第１絶縁層の間に位置するゲート絶縁層と、ゲート電極と、ゲートラインとを更に含む。
選択的に、前記ＯＬＥＤ表示基板は、前記第２コンデンサ電極と同一層に位置するソース電極と、ドレイン電極と、データラインとを更に含む。
選択的に、前記ＯＬＥＤ表示基板は、前記第１コンデンサ電極の下方に位置する遮光金属層と、前記遮光金属層と前記第１コンデンサ電極の間に位置するバッファ層とを更に含む。
第２の態様によれば、本開示は表示装置を提供する。当該表示装置は、第１態様において記載されたＯＬＥＤ表示基板を含む。
第３の態様によれば、本開示は、ベース基板上にアレイ状に配置された複数の開口領域を含むＯＬＥＤ表示基板の製造方法であって、前記ベース基板上に複数の蓄積コンデンサを作製することを含み、前記複数の蓄積コンデンサの各々の蓄積コンデンサの前記ベース基板における正投影と、前記複数の開口領域のうち前記蓄積コンデンサに対応する開口領域の前記ベース基板における正投影とは、重なり領域を有する前記ＯＬＥＤ表示基板の製造方法を提供する。
選択的に、前記ベース基板上に複数の蓄積コンデンサを作製し、前記複数の蓄積コンデンサの各々の蓄積コンデンサの前記ベース基板における正投影と、前記複数の開口領域のうち前記蓄積コンデンサに対応する開口領域の前記ベース基板における正投影とは、重なり領域を有することは、前記ベース基板上に光透過率が予め設定された閾値より大きい前記蓄積コンデンサを作製することを含み、前記蓄積コンデンサの前記ベース基板における正投影は前記開口領域の前記ベース基板における正投影内に収まる。
選択的に、前記ベース基板上に蓄積コンデンサを作製することは、前記ベース基板上に第１コンデンサ電極を作製することと、前記第１コンデンサ電極上に位置する第１絶縁層を作製することと、前記第１絶縁層上に第２コンデンサ電極を作製することと、前記第２コンデンサ電極上に位置する第２絶縁層を作製することと、前記第２絶縁層上に、前記第１コンデンサ電極と電気的に接続される第３コンデンサ電極を作製することとを含む。
選択的に、前記第１コンデンサ電極を作製することは、導体化された活性層を用いて前記第１コンデンサ電極を作製することを含み、前記第２コンデンサ電極を作製することは、透明導電材料を用いて前記第２コンデンサ電極を作製することを含み、前記第３コンデンサ電極を作製することは、前記第３コンデンサ電極として前記ＯＬＥＤ表示基板の陽極を用いることを含む。
選択的に、前記透明電極は、ＩＴＯ、グラフェン及びＭｏＴｉの中の一種を用いて作られる。
選択的に、前記予め設定された閾値は８０％以上である。
選択的に、前記第１コンデンサ電極上に位置する第１絶縁層を作製することは、前記第１コンデンサ電極上に位置する層間絶縁層を作製することを含み、前記第２コンデンサ電極上に位置する第２絶縁層を作製することは、前記第２コンデンサ電極上に位置するパッシベーション層を作製することを含む。
選択的に、前記ベース基板上に前記第１コンデンサ電極を作製した後であって、前記第１コンデンサ電極上に位置する第１絶縁層を作製する前に、前記製造方法は、前記第１コンデンサ電極上に位置するゲート絶縁層と、ゲート電極と、ゲートラインとを作製することを更に含む。
選択的に、前記第１絶縁層上に前記第２コンデンサ電極を作製した後であって、前記第２コンデンサ電極上に位置する第２絶縁層を作製する前に、前記製造方法は、前記第２コンデンサ電極の所在する層にソース電極と、ドレイン電極と、データラインとを作製することを更に含む。
選択的に、前記ベース基板上に第１コンデンサ電極を作製する前に、前記製造方法は、前記ベース基板上に遮光金属層を作製することと、前記遮光金属層上にバッファ層を作製することとを更に含む。
選択的に、前記第１コンデンサ電極上に位置するゲート絶縁層と、ゲート電極と、ゲートラインとを製造した後、導体化された活性層を用いて前記第１コンデンサ電極を作製することは、前記ゲート絶縁層を貫通するビアホールを形成するように前記ゲート絶縁層をパターンニングすることと、前記ビアホールを介して前記活性層の導体化すべき部分に対してイオン注入を行って、前記第１コンデンサ電極として、導体化された活性層を形成することとを含む。
関連するＯＬＥＤ表示基板の開口領域と蓄積コンデンサの位置関係の概略図である。 関連するＯＬＥＤ表示基板の画素構造の概略図である。 本開示に係るＯＬＥＤ表示基板の蓄積コンデンサの構造の概略図である。 本開示の幾つかの実施例に係るＯＬＥＤ表示基板の開口領域と蓄積コンデンサの位置関係の概略図である。 本開示の幾つかの実施例に係るＯＬＥＤ表示基板の蓄積コンデンサの具体的な構造の概略図である。
Ａ 蓄積コンデンサ
Ｂ 開口領域
２１ ベース基板
２２ 遮光金属層
２３ バッファ層
２４ 第１コンデンサ電極又は活性層
２５ 層間絶縁層
２６ 第２コンデンサ電極又は透明電極
２７ パッシベーション層
２８ 第３コンデンサ電極又は陽極
本開示が解決しようとする技術課題、技術方案及び利点をより明らかにするために、以下では、図面及び具体的な実施例により詳細に記述する。
関連するＯＬＥＤ表示基板は、開口領域と蓄積コンデンサとがそれぞれ別に設計され、蓄積コンデンサ領域に光線を通過させないようにすることで、ＯＬＥＤ表示基板の開口率を低下させる。
関連する３Ｔ１Ｃ画素構造を用いるＯＬＥＤディスプレイの開口率はおよそ２０％～３０％である。図１は関連するＯＬＥＤ表示基板の開口領域と蓄積コンデンサの位置関係の概略図であり、図２は関連するＯＬＥＤ表示基板の画素構造の概略図である。これらから分かるように、関連するＯＬＥＤ表示基板において、開口領域Ｂと蓄積コンデンサＡとがそれぞれ別に設計され、蓄積コンデンサ領域に光線を通過させないようにすることで、ＯＬＥＤ表示基板の開口率を低下させる。そして、画素構造が画素の一つの狭いスペースに集中されているため、バックボード工程で電気的特性不良を招きやすくなり、これもＯＬＥＤ表示基板生産における良品率がなかなか上がりにくかった原因の一つである。
本開示の実施例は、上記の問題点に対して、ＯＬＥＤ表示基板、ＯＬＥＤ表示基板の製造方法及び表示装置を提供し、これによりＯＬＥＤ表示基板の開口率を向上できる。
本開示の幾つかの実施例は、ＯＬＥＤ表示基板を提供する。図３及び図５を参考すると、当該ＯＬＥＤ表示基板は、ベース基板上に位置するアレイ状に配置された複数の開口領域Ｂと、複数の蓄積コンデンサＡとを含み、前記複数の蓄積コンデンサＡの各々の蓄積コンデンサの前記ベース基板２１における正投影と、前記複数の開口領域Ｂのうち前記蓄積コンデンサに対応する開口領域の前記ベース基板における正投影とは、重なり領域を有する。
選択的に、前記複数の蓄積コンデンサＡの各々の蓄積コンデンサの光透過率は、予め設定された閾値より大きく、例えば８０％以上であり、例えば９０％、９５％等である。
本実例において、蓄積コンデンサの光透過率は,予め設定された閾値より大きく、且つ蓄積コンデンサのベース基板における正投影と、開口領域のベース基板における正投影とは、重なり領域を有するように設計することにより、蓄積コンデンサの面積を増大することができ、且つ画素の開口領域の面積も増大させ、よってＯＬＥＤ表示基板の開口率を向上させることができ、また、画素構造の占有するスペースが増大されるため、線密度が著しく低下し、良品率の向上にも有利である。
蓄積コンデンサの電極は、透明導電材料を用いて作られて良い。蓄積コンデンサの電極材料及び電極の厚さを選ぶことで、蓄積コンデンサの光透過率を８０％以上にすることができるため、蓄積コンデンサを開口領域に設計することができ、よって画素の開口領域の面積を増加することができ、さらにＯＬＥＤ表示基板の開口率を向上させることができる。
選択的に、図４に示すように、前記蓄積コンデンサＡ（破線ブロック以内の部分）の前記ベース基板における正投影は、前記開口領域Ｂの前記ベース基板における正投影内に収まることにより、蓄積コンデンサＡは開口領域Ｂ以外の他の領域を占用せず、蓄積コンデンサを置く領域を開口領域以外に設置しておく必要がなくなり、開口領域の面積を最大化させることができる。
具体的な実例において、図３及び図５を参考すれば、前記蓄積コンデンサは、第１コンデンサ電極２４と、前記第１コンデンサ電極２４上に設置された第１絶縁層２５と、前記第１絶縁層２５上に設置された第２コンデンサ電極２６と、前記第２コンデンサ電極２６上に設置された第２絶縁層２７と、前記第２絶縁層２７上に設置された第３コンデンサ電極２８とを含み、前記第３コンデンサ電極２８は前記第１コンデンサ電極２４に電気的に接続される。当該第１コンデンサ電極２４と第２コンデンサ電極２６とは第１コンデンサＣ１を提供し、第２コンデンサ電極と第３コンデンサ電極とは第２コンデンサＣ２を提供し、当該二つのコンデンサは略並列に電気的に接続（並列接続）されるため、当該蓄積コンデンサの容量値は当該二つのコンデンサの容量値の和である。
前記第１コンデンサ電極２４は導体化された活性層を用いて作られて良く、前記第２コンデンサ電極２６は透明電極を用いて作られて良く、前記第３コンデンサ電極２８は、前記ＯＬＥＤ表示基板の陽極を用いて作られて良い。本実例は、透明電極の光透過率が高いという特徴を利用して、透明電極と導体化された活性層及び陽極の間で蓄積コンデンサを形成させ、この蓄積コンデンサを画素の開口領域とすることにより、画素の開口領域の面積も増大され、蓄積コンデンサの面積も増大され、形成されるコンデンサもそれに応じて増大される。それとともに、画素構造が大きく簡素化されるため、線密度が著しく低下し、良品率の向上に有利である。通常、ＯＬＥＤ表示基板の陽極も透明導電材料を用いて作られるため、蓄積コンデンサの二つのコンデンサ電極はともに透明となる。
選択的に、前記透明電極は、ＩＴＯ、グラフェン及びＭｏＴｉの中の一種を用いて良い。もちろん、透明電極の材料は、ＩＴＯ、グラフェン及びＭｏＴｉに限定されず、光透過率が高くて導電性能が優れた他の透明導電材料を用いても良い。
選択的に、前記ＯＬＥＤ表示基板は、第１コンデンサ電極２４と第２コンデンサ電極２６の間に設置された層間絶縁層２５と、第２コンデンサ電極２６と第３コンデンサ電極２８の間に設置されたパッシベーション層２７と含む。
選択的に、前記ＯＬＥＤ表示基板は、前記第１コンデンサ電極２４と前記層間絶縁層２５の間に位置するゲート絶縁層と、ゲート電極と、ゲートラインとを含む。
選択的に、前記ＯＬＥＤ表示基板は、前記第２コンデンサ電極２６と同一層に位置するソース電極と、ドレイン電極と、データラインとを含む。
選択的に、前記ＯＬＥＤ表示基板は、前記第１コンデンサ電極２４の下方に位置する遮光金属層２２と、前記遮光金属層２２と前記第１コンデンサ電極２４の間に位置するバッファ層２３とを含む。遮光金属層２２は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ等の金属及びこれら金属の合金であって良い。バッファ層２３は、酸化物、窒化物又は酸窒化物を選んで用いて良い。
本開示の幾つかの実施例は、上記のようなＯＬＥＤ表示基板を含む表示装置を更に提供する。前記表示装置は、テレビ、ディスプレイ、デジタルフォトフレーム、携帯電話、タブレットＰＣ等のような表示機能付きのいずれの製品又は部品であって良い。前記表示装置は、フレキシブル回路基板と、印刷回路基板と、バックボードとを更に含む。
本実例に係る表示装置において、蓄積コンデンサの光透過率は、予め設定された閾値より大きく、且つ蓄積コンデンサのベース基板における正投影と、当該蓄積コンデンサに対応する開口領域のベース基板における正投影とは、重なり領域を有するように設計することにより、蓄積コンデンサの面積を増大することができ、且つ画素の開口領域の面積も増大させ、よってＯＬＥＤ表示基板の開口率を向上させることができる。それとともに、画素構造の占有するスペースが増大されるため、線密度が著しく低下し、良品率の向上にも有利である。
本開示の幾つかの実施例は、アレイ状に配置された複数の開口領域を含むＯＬＥＤ表示基板の製造方法であって、ステップＳ１を含む前記ＯＬＥＤ表示基板の製造方法を更に提供する。
ステップＳ１において、ベース基板上に複数の蓄積コンデンサを作製し、且つ前記複数の蓄積コンデンサの各々の蓄積コンデンサの前記ベース基板における正投影と、前記複数の開口領域のうち前記蓄積コンデンサに対応する開口領域の前記ベース基板における正投影とは、重なり領域を有する。
選択的に、前記複数の蓄積コンデンサＡの各々の蓄積コンデンサの光透過率は、予め設定された閾値より大きく、例えば８０％以上であり、例えば９０％、９５％等である。
本実例において、ベース基板上に光透過率が予め設定された閾値より大きい蓄積コンデンサを作製し、且つ蓄積コンデンサのベース基板における正投影と、開口領域のベース基板における正投影とが重なり領域を有するように設計することにより、蓄積コンデンサの面積を増大することができ、且つ画素の開口領域の面積も増大させ、よってＯＬＥＤ表示基板の開口率を向上させることができる。それとともに、画素構造の占有するスペースが増大されるため、線密度が著しく低下し、良品率の向上にも有利である。
蓄積コンデンサの電極は、透明導電材料を用いて作られて良い。蓄積コンデンサの電極材料及び電極の厚さを選ぶことで、蓄積コンデンサの光透過率を８０％以上にすることができるため、蓄積コンデンサを開口領域に設計することができ、よって画素の開口領域の面積を増加することができ、さらにＯＬＥＤ表示基板の開口率を向上させることができる。
選択的に、前記複数の蓄積コンデンサの各々の蓄積コンデンサの前記ベース基板における正投影と、前記複数の開口領域のうち前記蓄積コンデンサに対応する開口領域の前記ベース基板における正投影とは、重なり領域を有することは、具体的に、前記複数の蓄積コンデンサの各々の蓄積コンデンサの前記ベース基板における正投影が、前記複数の開口領域のうち前記蓄積コンデンサに対応する開口領域の前記ベース基板における正投影以内に収まることを含む。
そうすれば、蓄積コンデンサは開口領域以外の他の領域を占用せず、従って蓄積コンデンサを置く領域を開口領域以外に設置しておく必要がなくなり、開口領域の面積を最大化させることができる。
具体的には、前記蓄積コンデンサを作製するステップは、以下のサブステップＳ１１乃至Ｓ１５を含む。
サブステップＳ１１において、第１コンデンサ電極を作製する。
サブステップＳ１２において、前記第１コンデンサ電極上に位置する第１絶縁層を作製する。
サブステップＳ１３において、前記第１絶縁層上に第２コンデンサ電極を作製する。
サブステップＳ１４において、前記第２コンデンサ電極上に位置する第２絶縁層を作製する。
サブステップＳ１５において、前記第２絶縁層上に、前記第１コンデンサ電極と電気的に接続される第３コンデンサ電極を作製する。
当該第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極とは第１コンデンサを提供し、第２コンデンサ電極と第３コンデンサ電極とは第２コンデンサを提供し、この二つのコンデンサは略並列に電気的に接続されるため、当該蓄積コンデンサの容量値はこの二つのコンデンサの容量値の和である。
選択的に、前記第１コンデンサ電極を作製するサブステップＳ１１は、導体化された活性層を用いて前記第１コンデンサ電極を作製することを含む。
前記第１絶縁層上に前記第２コンデンサ電極を作製するサブステップＳ１３は、透明導電材料を用いて前記第２コンデンサ電極を作製することを含む。
選択的に、前記第２絶縁層上に前記第３コンデンサ電極を作製するサブステップＳ１５は、前記第３コンデンサ電極として前記ＯＬＥＤ表示基板の陽極を用いることを含む。
本実例は、透明電極の光透過率が高いという特徴を利用して、透明電極と導体化を経た活性層及び陽極の間で蓄積コンデンサを形成させ、この蓄積コンデンサを画素の開口領域とすることにより、画素の開口領域の面積も増大され、蓄積コンデンサの面積も増大され、形成されるコンデンサもそれに応じて増大される。それとともに、画素構造が大きく簡素化されるため、線密度が著しく低下し、良品率の向上に有利である。通常、ＯＬＥＤ表示基板の陽極も透明導電材料を用いて作られるため、蓄積コンデンサの二つのコンデンサ電極はともに透明となり、蓄積コンデンサの光透過率が比較的に高いことを確保することができる。
以下、図面及び具体的な的実例を参照して本開示に係る表示基板の製造方法を詳細に紹介することにする。本実例の表示基板の製造方法は、ステップ1乃至ステップ９を含む。
ステップ１において、ベース基板２１を提供し、ベース基板２１上に遮光金属層２２を形成する。
ベース基板２１は、ガラス基板又は石英基板であって良い。具体的には、スパッタリング又は熱蒸発の方法で仕上がりベース基板２１上に厚さが約５００～４０００Åである遮光金属層２２を堆積して良い。遮光金属層２２はＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ等の金属及びこれら金属の合金であって良い。本実例に係るＯＬＥＤ表示基板の活性層は金属酸化物半導体で作製され、また、金属酸化物半導体は光照射を受けると変化しやすいため、ベース基板２１上に遮光金属層２２を形成する必要がある。遮光金属層２２は、金属酸化物半導体により作製された活性層を遮蔽することができ、さらに活性層に光照射を回避させることができる。
ステップ２において、ステップ１を経たベース基板２１上にバッファ層２３を作製する。
具体的には、プラズマ励起化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）方法を用いてステップ１を完了したベース基板１上にバッファ層２３を堆積し、バッファ層２３は酸化物、窒化物又は酸窒化物を選んで用いて良い。
ステップ３において、ステップ２を経たベース基板２１上に活性層２４を形成する。
具体的には、ステップ２を経たベース基板２１上に、活性層２４として、厚さが７００ÅであるＩＧＺＯを堆積し、ＩＧＺＯ上にフォトレジストを一層塗布し、マスクを用いてフォトレジストを露光させて、フォトレジストにフォトレジスト不保持領域とフォトレジスト保持領域とを形成させるようにすることができる。フォトレジスト保持領域は活性層２４のパターンの所在する領域に対応し、フォトレジスト不保持領域は上記のパターン以外の領域に対応する。そして、現像処理を行い、フォトレジスト不保持領域のフォトレジストは完全に除去され、フォトレジスト保持領域のフォトレジストの厚さはそのまま保持される。そして、エッチング工程によりフォトレジスト不保持領域のＩＧＺＯを完全にエッチングし、残りのフォトレジストを剥離して、活性層２４のパターンを形成する。
ステップ４において、ステップ３を経たベース基板２１上にゲート絶縁層と、ゲート電極と、ゲートラインとを形成する。
具体的には、プラズマ励起化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）方法を用いてステップ３を完了したベース基板２１上に厚さが５００～５０００Åであるゲート絶縁層を堆積して良い。ゲート絶縁層は、酸化物、窒化物又は酸窒化物を選んで用いて良く、対応する反応ガスはＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２又はＳｉＨ２Ｃｌ２、ＮＨ３、Ｎ２である
スパッタリング又は熱蒸発の方法を用いて、ゲート絶縁層上に厚さが約５００～４０００Åであるゲート金属層を堆積して良い。ゲート金属層はＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ等の金属及びこれら金属の合金で良く、ゲート金属層は単層構造又は多層構造で良く、多層構造は、例えばＣｕ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ等である。ゲート金属層上にフォトレジストを一層塗布し、マスクを用いてフォトレジストを露光させて、フォトレジストにフォトレジスト不保持領域とフォトレジスト保持領域とを形成させる。フォトレジスト保持領域は、ゲートライン及びゲート電極のパターンの所在する領域に対応し、フォトレジスト不保持領域は、上記のパターン以外の領域に対応する。そして、現像処理を行い、フォトレジスト不保持領域のフォトレジストは完全に除去され、フォトレジスト保持領域のフォトレジストの厚さはそのまま保持される。そして、エッチング工程によりフォトレジスト不保持領域のゲート金属薄膜を完全にエッチングし、残りのフォトレジストを剥離して、ゲートライン及びゲート電極のパターンを形成する。
その後、ゲート絶縁層に対してドライエッチングを行い、ゲート絶縁層を貫通するビアホールを介して導体化すべき活性層２４に対してＨイオン注入を行って、活性層２４を導体化させ、導体化された活性層２４は蓄積コンデンサの第１コンデンサ電極とされる。
ステップ５において、ステップ４を経たベース基板２１上に層間絶縁層２５を形成する。
具体的には、プラズマ励起化学気相堆積方法を用いてステップ４を完了したベース基板２１上に層間絶縁層２５を堆積して良く、層間絶縁層２５は酸化物、窒化物又は酸窒化物を選んで用いて良い。そして、ドライエッチングにより、層間絶縁層２５を貫通するビアホールを形成する。
ステップ６において、ステップ５を経たベース基板２１上に透明電極２６を形成する。
具体的には、ステップ５を経たベース基板２１上に透明導電層を形成し、透明導電層はＩＴＯ、グラフェン、ＭｏＴｉ等を用いて良い。そして、透明導電層上にフォトレジストを一層塗布し、マスクを用いてフォトレジストを露光させて、フォトレジストにフォトレジスト不保持領域とフォトレジスト保持領域とを形成させる。フォトレジスト保持領域は透明電極２６のパターンの所在する領域に対応し、フォトレジスト不保持領域は上記のパターン以外の領域に対応する。そして、現像処理を行い、フォトレジスト不保持領域のフォトレジストは完全に除去され、フォトレジスト保持領域のフォトレジストの厚さはそのまま保持される。そして、エッチング工程によりフォトレジスト不保持領域の透明導電層薄膜を完全にエッチングし、残りのフォトレジストを剥離して、透明電極２６のパターンを形成する。透明電極２６は、図２に示す画素構造におけるトランジスタＴ１のＳ電極（即ち、図２におけるポイントＰ）に接続されて、蓄積コンデンサの第２コンデンサ電極とされる。
ステップ７において、ステップ６を経たベース基板２１上にデータライン、ソース電極及びドレイン電極のパターンを形成する。
具体的には、ステップ６を完了したベース基板２１上に、マグネトロンスパッタリング、熱蒸発又は他の成膜方法を用いて厚さが約２０００～４０００Åであるソースドレイン金属層を一層堆積して良く、ソースドレイン金属層はＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ等の金属及びこれら金属の合金であって良い。ソースドレイン金属層は、単層構造又は多層構造であって良く、多層構造は、例えばＣｕ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ等である。ソースドレイン金属層上にフォトレジストを一層塗布し、マスクを用いてフォトレジストを露光させて、フォトレジストにフォトレジスト不保持領域とフォトレジスト保持領域とを形成させる。フォトレジスト保持領域はソース電極、ドレイン電極及びデータラインのパターンの所在する領域に対応し、フォトレジスト不保持領域は上記のパターン以外の領域に対応する。そして、現像処理を行い、フォトレジスト不保持領域のフォトレジストは完全に除去され、フォトレジスト保持領域のフォトレジストの厚さはそのまま保持される。そして、エッチング工程によりフォトレジスト不保持領域のソースドレイン金属層を完全にエッチングし、残りのフォトレジストを剥離して、ドレイン電極、ソース電極及びデータラインを形成する。
ステップ８において、ステップ７を経たベース基板２１上にパッシベーション層２７を形成する。
具体的には、ステップ７を完了したベース基板２１上に、マグネトロンスパッタリング、熱蒸発、ＰＥＣＶＤ又は他の成膜方法を用いて厚さが約２０００～１０００Åであるパッシベーション層を堆積して良く、パッシベーション層は酸化物、窒化物又は酸窒化物を選んで用いて良い。具体的には、パッシベーション層材料はＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ又はＳｉ（ＯＮ）ｘであって良い。パッシベーション層はＡｌ２Ｏ３を使っても良い。パッシベーション層は、単層構造であっても良いし、窒化ケイ素及び酸化ケイ素により構成された二層構造であっても良い。ケイ素酸化物に対応する反応ガスはＳｉＨ４、Ｎ２Ｏであって良い。窒化物又は酸窒化物に対応するガスはＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２又はＳｉＨ２Ｃｌ２、ＮＨ３、Ｎ２であって良い。パターニング工程により、ビアホールを含むパッシベーション層２７のパターンを形成する。
ステップ９において、ステップ８を経たベース基板２１上に陽極２８を形成する。
具体的には、ステップ８を経たベース基板２１上に透明導電層を形成し、透明導電層はＩＴＯを用いて良い。そして、透明導電層上にフォトレジストを一層塗布し、マスクを用いてフォトレジストを露光させて、フォトレジストにフォトレジスト不保持領域とフォトレジスト保持領域とを形成させる。フォトレジスト保持領域は陽極２８のパターンの所在する領域に対応し、フォトレジスト不保持領域は上記のパターン以外の領域に対応する。そして、現像処理を行い、フォトレジスト不保持領域のフォトレジストは完全に除去され、フォトレジスト保持領域のフォトレジストの厚さはそのまま保持される。そして、エッチング工程によりフォトレジスト不保持領域の透明導電層薄膜を完全にエッチングし、残りのフォトレジストを剥離して、陽極２８のパターンを形成する。陽極２８は、図２に示す画素構造におけるトランジスタＴ２のＳ電極（即ち、図２におけるノードＵ）に接続されて、蓄積コンデンサの第３コンデンサ電極とされる。
上記のステップを経るとＯＬＥＤ表示基板の蓄積コンデンサを製造することができる。蓄積コンデンサの構造は、図４に示すように、導体化された活性層２４、透明電極２６及び陽極２８は蓄積コンデンサのコンデンサ電極とされる。本実例に係る蓄積コンデンサは、比較的に高い光透過率を持つため、開口領域に設計されて良く、これにより、画素の開口領域の面積も増大され、蓄積コンデンサの面積も増大され、形成されるコンデンサもそれに応じて増大される。
上記の様態において、蓄積コンデンサの光透過率は、予め設定された閾値より大きく、且つ蓄積コンデンサのベース基板における正投影と、開口領域のベース基板における正投影とは、重なり領域を有するように設計することにより、蓄積コンデンサの面積を増大することができ、且つ画素の開口領域の面積も増大させ、従ってＯＬＥＤ表示基板の開口率を向上させることができる。それとともに、画素構造の占有するスペースが増大されるため、線密度が著しく低下し、良品率の向上にも有利である。
本開示の方法実施例において、前記各ステップの番号は各ステップの先後の順序を限定するために用いることはできず、本技術分野における通常の知識を有する者にとって、創造的労働をしないという前提で、各ステップの先後の変化も本開示の保護範囲内に含まれる。
別途に定義されない限り、本開示で使用される技術用語又は科学用語は、本開示の所属する分野における通常の知識を有する者により理解される通常の意味であるべきである。本開示で使用される「第１」、「第２」及び類似した語句はいかなる順序、数量又は重要性も表さず、単に異なる構成部分を区別するために用いられる。「含む」又は「包含」等の類似した語句は、当該単語の前に現れた素子又は物件が当該単語の後に現れた列挙された素子又は物件及びその均等物を包含することを意味するものであり、他の素子又は物件を排除するものではない。「接続」又は「互いに接続」等の類似した語句は必ずしも物理的又は機械的接続に限定されものではなく、直接又は間接的な電気的接続を含み得る。「上」、「下」、「左」、「右」等は相対位置関係を表すために用いられ、記述対象の絶対位置が変更された後、当該相対位置関係もそれに応じて変更され得る。
理解できることは、層、膜、領域又は基板のような素子が別の素子の「上」又は「下」に位置すると言及される場合、当該素子は別の素子の「直上」又は「直下」に位置してよく、或いは、中間素子が存在してよい。
上記のものは本開示の選択的な実施形態である。注意すべきことは、本技術分野における通常の知識を有する者にとって、本開示に記載の原理を逸脱しないという前提で幾つかの改善及び潤飾を更に行うことができ、これらの改善及び潤飾も本開示の保護範囲内であると見なされるべきである。

Claims (11)

  1. 有機発光ダイオードＯＬＥＤ表示基板であって、
    ベース基板上にアレイ状に配置された複数の画素の開口領域と、
    前記ベース基板上に位置する複数の蓄積コンデンサと、
    データ書き込みトランジスタと、
    駆動トランジスタと、
    センシングトランジスタと、
    第１ゲート電極及び第２ゲート電極と
    を含み、
    前記データ書き込みトランジスタは、前記駆動トランジスタに隣接し、前記データ書き込みトランジスタ及び前記センシングトランジスタは、前記駆動トランジスタの両側に位置し、且つ前記第１ゲート電極は前記第２ゲート電極と接続せず、
    前記複数の蓄積コンデンサの各々の蓄積コンデンサの前記ベース基板における正投影と、前記複数の画素の開口領域のうち前記蓄積コンデンサに対応する開口領域の前記ベース基板における正投影とは、重なり領域を有し、
    前記複数の蓄積コンデンサの各々の蓄積コンデンサの光透過率は、予め設定された閾値より大きく、
    前記蓄積コンデンサの前記ベース基板における正投影は、前記開口領域の前記ベース基板における正投影内に収まり、
    前記蓄積コンデンサは、第１コンデンサ電極と、前記第１コンデンサ電極上に設置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設置された第２コンデンサ電極と、前記第２コンデンサ電極上に設置された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に設置された第３コンデンサ電極とを含み、前記第３コンデンサ電極は、前記第１コンデンサ電極に電気的に接続され、
    前記第１コンデンサ電極は、導体化された活性層であり、
    前記第２コンデンサ電極は、透明電極であり、
    前記第３コンデンサ電極は、前記ＯＬＥＤ表示基板の陽極であり、
    前記予め設定された閾値は、８０％以上であり、
    前記第１コンデンサ電極と前記第１絶縁層の間に位置するゲート絶縁層と、ゲートラインと、前記ゲート絶縁層を貫通するイオン注入用のビアホールを更に含む、
    ＯＬＥＤ表示基板。
  2. 前記透明電極は、ＩＴＯ、グラフェン及びＭｏＴｉの中の一種を用いて作られる、請求項１に記載のＯＬＥＤ表示基板。
  3. 前記第１絶縁層は、層間絶縁層であり、
    前記第２絶縁層は、パッシベーション層である、請求項１又は２に記載のＯＬＥＤ表示基板。
  4. 前記第２コンデンサ電極と同一層に位置するソース電極と、ドレイン電極と、データラインとを更に含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のＯＬＥＤ表示基板。
  5. 前記第１コンデンサ電極の下方に位置する遮光金属層と、
    前記遮光金属層と前記第１コンデンサ電極の間に位置するバッファ層と
    を更に含む、請求項１～４のいずれか一項に記載のＯＬＥＤ表示基板。
  6. 請求項１～５のいずれか一項に記載のＯＬＥＤ表示基板を含む表示装置。
  7. ベース基板上にアレイ状に配置された複数の画素の開口領域、データ書き込みトランジスタと、駆動トランジスタと、センシングトランジスタと、第１ゲート電極及び第２ゲート電極とを含み、前記データ書き込みトランジスタは、前記駆動トランジスタに隣接し、前記データ書き込みトランジスタ及び前記センシングトランジスタは、前記駆動トランジスタの両側に位置し、且つ前記第１ゲート電極は前記第２ゲート電極と接続しないＯＬＥＤ表示基板の製造方法であって、
    前記ベース基板上に光透過率が予め設定された閾値より大きい複数の蓄積コンデンサを作製することを含み、
    前記複数の蓄積コンデンサの各々の蓄積コンデンサの前記ベース基板における正投影と、前記複数の画素の開口領域のうち前記蓄積コンデンサに対応する開口領域の前記ベース基板における正投影とは、重なり領域を有し、前記蓄積コンデンサの前記ベース基板における正投影は、前記開口領域の前記ベース基板における正投影内に収まり、
    前記ベース基板上に光透過率が予め設定された閾値より大きい複数の蓄積コンデンサを作製することは、
    前記ベース基板上に第１コンデンサ電極を作製することと、
    前記第１コンデンサ電極上に位置する第１絶縁層を作製することと、
    前記第１絶縁層上に第２コンデンサ電極を作製することと、
    前記第２コンデンサ電極上に位置する第２絶縁層を作製することと、
    前記第２絶縁層上に、前記第１コンデンサ電極と電気的に接続される第３コンデンサ電極を作製することと
    を含み、
    前記第１コンデンサ電極を作製することは、導体化された活性層を用いて前記第１コンデンサ電極を作製することを含み、
    前記第２コンデンサ電極を作製することは、透明導電材料を用いて前記第２コンデンサ電極を作製することを含み、
    前記第３コンデンサ電極を作製することは、前記第３コンデンサ電極として前記ＯＬＥＤ表示基板の陽極を用いることを含み、
    前記予め設定された閾値は、８０％以上であり、
    前記ベース基板上に前記第１コンデンサ電極を作製した後であって、前記第１コンデンサ電極上に位置する第１絶縁層を作製する前に、
    前記第１コンデンサ電極上に位置するゲート絶縁層と、ゲート電極と、ゲートラインとを作製することを更に含み、
    前記第１コンデンサ電極上に位置するゲート絶縁層と、ゲート電極と、ゲートラインとを作成した後、導体化された活性層を用いて前記第１コンデンサ電極を作製することは、
    前記ゲート絶縁層を貫通するビアホールを形成するように前記ゲート絶縁層をパターンニングすることと、
    前記ビアホールを介して前記活性層の導体化すべき部分に対してイオン注入を行って、前記第１コンデンサ電極として、導体化された活性層を形成することとを含む、
    ＯＬＥＤ表示基板の製造方法。
  8. 前記透明導電材料は、ＩＴＯ、グラフェン及びＭｏＴｉの中の一種を用いて作られる、請求項７に記載のＯＬＥＤ表示基板の製造方法。
  9. 前記第１コンデンサ電極上に位置する第１絶縁層を作製することは、前記第１コンデンサ電極上に位置する層間絶縁層を作製することを含み、
    前記第２コンデンサ電極上に位置する第２絶縁層を作製することは、前記第２コンデンサ電極上に位置するパッシベーション層を作製することを含む、請求項７又は８に記載のＯＬＥＤ表示基板の製造方法。
  10. 前記第１絶縁層上に前記第２コンデンサ電極を作製した後であって、前記第２コンデンサ電極上に位置する第２絶縁層を作製する前に、
    前記第２コンデンサ電極の所在する層にソース電極と、ドレイン電極と、データラインとを作製することを更に含む、請求項７又は８に記載のＯＬＥＤ表示基板の製造方法。
  11. 前記ベース基板上に第１コンデンサ電極を作製する前に、
    前記ベース基板上に遮光金属層を作製することと、
    前記遮光金属層上にバッファ層を作製することと
    を更に含む、請求項７又は８に記載のＯＬＥＤ表示基板の製造方法。
JP2019558491A 2018-05-16 2019-05-14 Ｏｌｅｄ表示基板、ｏｌｅｄ表示基板の製造方法及び表示装置 Active JP7331318B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810469781.7 2018-05-16
CN201810469781.7A CN108428730B (zh) 2018-05-16 2018-05-16 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
PCT/CN2019/086780 WO2019218993A1 (zh) 2018-05-16 2019-05-14 Oled显示基板及其制作方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021523512A JP2021523512A (ja) 2021-09-02
JP7331318B2 true JP7331318B2 (ja) 2023-08-23

Family

ID=63163226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019558491A Active JP7331318B2 (ja) 2018-05-16 2019-05-14 Ｏｌｅｄ表示基板、ｏｌｅｄ表示基板の製造方法及び表示装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11348987B2 (ja)
EP (1) EP3796391A4 (ja)
JP (1) JP7331318B2 (ja)
KR (1) KR102571091B1 (ja)
CN (1) CN108428730B (ja)
WO (1) WO2019218993A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108428730B (zh) 2018-05-16 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN109166896A (zh) * 2018-09-03 2019-01-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN109585520B (zh) * 2018-12-28 2024-05-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示模组、电子装置
CN110491886A (zh) * 2019-08-23 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN110600517B (zh) * 2019-09-16 2021-06-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN110690234A (zh) * 2019-11-11 2020-01-14 合肥京东方卓印科技有限公司 显示背板及其制作方法和显示装置
CN210607259U (zh) * 2019-12-13 2020-05-22 北京京东方技术开发有限公司 显示基板和显示装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340772A (ja) 2004-05-24 2005-12-08 Samsung Sdi Co Ltd キャパシタ及びこれを利用する発光表示装置
JP2009025453A (ja) 2007-07-18 2009-02-05 Casio Comput Co Ltd 表示パネル及びその製造方法
JP2011123467A (ja) 2009-12-10 2011-06-23 Samsung Mobile Display Co Ltd 平板表示装置及びその製造方法
CN102208406A (zh) 2010-03-30 2011-10-05 元太科技工业股份有限公司 一种像素的结构及其制程方法
JP2014010435A (ja) 2012-07-03 2014-01-20 Dainippon Printing Co Ltd 表示パネル及びその表示パネルを備えた表示装置
US20150214249A1 (en) 2013-03-28 2015-07-30 Boe Technology Group Co., Ltd. Array Substrate, Display Device and Manufacturing Method
JP2015179248A (ja) 2013-10-25 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2015225104A (ja) 2014-05-26 2015-12-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US20160247869A1 (en) 2014-09-02 2016-08-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel structure having high aperture ratio and circuit
CN106057821A (zh) 2016-07-22 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置
US20170338252A1 (en) 2016-05-17 2017-11-23 Innolux Corporation Display device

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100443127B1 (ko) * 2002-09-07 2004-08-04 삼성전자주식회사 커패시터의 하부전극 형성방법
JP2007109918A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Toppan Printing Co Ltd トランジスタおよびその製造方法
KR100818657B1 (ko) * 2006-12-27 2008-04-01 주식회사 하이닉스반도체 다층 구조의 유전막 및 그를 구비한 캐패시터의 제조 방법
CN100520548C (zh) * 2007-10-15 2009-07-29 友达光电股份有限公司 液晶显示面板、液晶显示像素结构、液晶显示阵列基板
KR101113394B1 (ko) * 2009-12-17 2012-02-29 삼성모바일디스플레이주식회사 액정표시장치의 어레이 기판
KR101822563B1 (ko) * 2010-12-08 2018-03-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101947007B1 (ko) * 2012-11-26 2019-02-12 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US9818765B2 (en) 2013-08-26 2017-11-14 Apple Inc. Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
KR102137392B1 (ko) * 2013-10-08 2020-07-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102049793B1 (ko) * 2013-11-15 2020-01-08 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
CN104064688B (zh) * 2014-07-11 2016-09-21 深圳市华星光电技术有限公司 具有存储电容的tft基板的制作方法及该tft基板
KR102315094B1 (ko) * 2014-11-13 2021-10-20 엘지디스플레이 주식회사 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법
CN106210250A (zh) 2015-05-28 2016-12-07 中兴通讯股份有限公司 车载终端及其控制方法、以及手持终端及其控制方法
KR102563777B1 (ko) * 2015-07-06 2023-08-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
EP3350837B1 (en) 2015-09-15 2022-04-06 BOE Technology Group Co., Ltd. Array substrate, related display panels, and related display apparatus
US10345977B2 (en) * 2016-10-14 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output panel and semiconductor device having a current sensing circuit
CN107316873B (zh) * 2017-07-19 2020-03-10 武汉天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN107910352B (zh) * 2017-11-20 2020-03-24 武汉天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板及显示装置
CN109920923B (zh) 2017-12-13 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管器件及制备方法、显示面板、显示装置
CN108428730B (zh) 2018-05-16 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340772A (ja) 2004-05-24 2005-12-08 Samsung Sdi Co Ltd キャパシタ及びこれを利用する発光表示装置
US20080217624A1 (en) 2004-05-24 2008-09-11 Samsung Sdi Co., Ltd. Capacitor and light emitting display using the same
JP2009025453A (ja) 2007-07-18 2009-02-05 Casio Comput Co Ltd 表示パネル及びその製造方法
JP2011123467A (ja) 2009-12-10 2011-06-23 Samsung Mobile Display Co Ltd 平板表示装置及びその製造方法
CN102208406A (zh) 2010-03-30 2011-10-05 元太科技工业股份有限公司 一种像素的结构及其制程方法
JP2014010435A (ja) 2012-07-03 2014-01-20 Dainippon Printing Co Ltd 表示パネル及びその表示パネルを備えた表示装置
US20150214249A1 (en) 2013-03-28 2015-07-30 Boe Technology Group Co., Ltd. Array Substrate, Display Device and Manufacturing Method
JP2015179248A (ja) 2013-10-25 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2015225104A (ja) 2014-05-26 2015-12-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US20160247869A1 (en) 2014-09-02 2016-08-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel structure having high aperture ratio and circuit
US20170338252A1 (en) 2016-05-17 2017-11-23 Innolux Corporation Display device
CN106057821A (zh) 2016-07-22 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN108428730A (zh) 2018-08-21
KR102571091B1 (ko) 2023-08-28
EP3796391A1 (en) 2021-03-24
US11348987B2 (en) 2022-05-31
US20210335956A1 (en) 2021-10-28
WO2019218993A1 (zh) 2019-11-21
JP2021523512A (ja) 2021-09-02
EP3796391A4 (en) 2022-02-16
CN108428730B (zh) 2021-01-26
KR20200083615A (ko) 2020-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7331318B2 (ja) Ｏｌｅｄ表示基板、ｏｌｅｄ表示基板の製造方法及び表示装置
US8877534B2 (en) Display device and method for manufacturing the same
JP2018061044A (ja) 薄膜トランジスタ基板
CN109300840B (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
CN109037346B (zh) 薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置
US10503321B2 (en) Optical sensing unit, touch panel, method for manufacturing optical sensing unit, method for manufacturing touch panel, and display device
WO2021036840A1 (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
US10777683B2 (en) Thin film transistor, method of manufacturing thin film transistor, array substrate and display panel
JP4691681B2 (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法
KR20160059003A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110010626B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
KR102651358B1 (ko) 미러 기판의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치
CN107968097B (zh) 一种显示设备、显示基板及其制作方法
US11075230B2 (en) Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate and display device
CN108878449A (zh) 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
WO2022116313A1 (zh) 一种阵列基板、显示面板及其制备方法
CN210272363U (zh) 阵列基板及显示面板
CN108305879A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及制作方法和显示装置
CN113421886B (zh) 显示面板及其制备方法
CN107302061A (zh) Oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN110620080A (zh) 阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板
US9165954B2 (en) Array substrate and method for manufacturing the same, and display device
WO2023226688A1 (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
JP2019536284A (ja) アレイ基板及びアレイ基板の製造方法
CN107134497B (zh) 薄膜晶体管及其制造方法、显示基板

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220510

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230207

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20230329

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230428

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230711

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230719

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7331318

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150