JP7318988B2 - リセスゲートエンハンスメントデバイスを製造するための高精度エッチング装置、及びそれを用いたエッチング方法 - Google Patents
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Description
以上のエッチング方法のいずれにも限界があり、正確なエッチングを簡便かつ効果的に実現することができず、専用の光学終点検出器やレーザー装置を装備する必要があり、制御の難易度が高くなり、コストが高くなる。
さらに、前記誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバー内部にはエッチング対象基板を載置するベースが設けられ、ベースの下方にRFバイアスパワー源が接続され、それにより、プラズマの衝撃エネルギーを増加させる。
さらに、前記誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバーの材質が耐高圧合金鋼である。
エッチング対象基板を誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバー内に搬送して、ベースにセットするステップ(1)と、
プローブ、電流検出装置のそれぞれを貫通電極に接続するステップ(2)と、
プローブをそれぞれデバイスの同一ユニットのソース・ドレインに接続して、閉じた電流ループを構成するステップ(3)と、
メカニカルポンプ及び分子ポンプに接続されたバルブを開いて、メカニカルポンプ及び分子ポンプを用いて誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバーを真空吸引し、エッチングガスを導入するステップ(4)と、
RF源及びRFバイアスパワー源を起動して、基板をエッチングするステップ(5)と、
エッチングプロセス中に、HEMTデバイスのバリア層を絶えずに薄くし、2次元電子ガスの濃度を低下させ、これに伴い出力電流を変化させ、電流を観察することによりエッチング深さをリアルタイムで監視し、電流がゼロに表示されるとエンハンスメントエッチング深さを達成させ、エッチングを終了するステップ(6)と、
RF源及びバイアスパワー源を停止し、エッチング済みの基板を搬出し、前記リセスゲートエンハンスメントHEMTデバイスを得るステップ(7)とを含む。
(1)本発明では、GaN HMETデバイスにおけるバリア層の厚さと2次元電子ガスの濃度との関係特性を巧みに利用し、エッチング深さと電流の大きさとの関係に巧みに変換し、電流変化を観察することによりエッチング深さを直接監視し、電流がゼロになるとエッチングを終了し、それにより、直感的で精度が高く、操作性に優れている。
(2)ドライエッチングにおけるエッチング深さの制御に用いられる既存のプロセスのほとんどは、エッチング終点検出とエッチング自己停止のプロセスであり、ステップが複雑で、精度が限られており、一方、本発明のエッチング装置は、簡易な電流検出装置を外付けするだけでよく、構造が簡単であり、結果が直観的であり、制御が容易であり、余分なプロセスのステップを追加することがなく、産業化に有利である。
(3)エッチング中に、エッチングプロセスの制御が不合理であるか、又は反応室内のガス流量、温度、ガス還流などの状態に微細な変化が生じると、エッチングの異常を引き起こし、これらの異常は電流変化異常によって反映することができ、本発明による装置は速やかに発見して対策を取り、製品の廃棄を回避するのに有利である。
本発明の高精度エッチング装置は、図1の構造模式図に示すように、誘導結合プラズマエッチングキャビティ1、電流検出装置6、インダクタンスコイル8、RF源10、メカニカルポンプ11及び分子ポンプ12を含む。
誘導結合プラズマエッチングキャビティ1のチャンバーの底部の中心位置には、エッチング対象基板を載置するためのベース2が設けられ、前記ベース2はRFバイアスパワー源3に連結され、前記RFバイアスパワー源3はイオン衝撃のためのエネルギーを提供し、
誘導結合プラズマエッチングキャビティ1のチャンバー側壁の中央部には、2つの貫通電極4が設けられ、貫通電極の内部構造及び誘導結合プラズマエッチングキャビティとの接続は図2に示され、貫通電極は、太いリードチューブ101、細いリードチューブ102及びリードを含み、これらのうち、太いリードチューブは誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバー側壁103に接続され、前記太いリードチューブと細いリードチューブはねじ接続され、細いリード孔には連続的なリードが含まれており、誘導結合プラズマエッチングキャビティ1のチャンバー内においては、2つの貫通電極4はそれぞれ2本のプローブ5に接続され、2本のプローブ5はそれぞれエッチング対象基板における同一ユニットのソース・ドレインに連結され、誘導結合プラズマエッチングキャビティ1のチャンバー外部においては、2つの貫通電極4は全て電流検出装置6に連結されて、閉ループを構成する。
誘導結合プラズマエッチングキャビティ1のチャンバー上部にはセラミックスリーブ7が設けられ、セラミックスリーブ7は、外側にインダクタンスコイル8が巻き付けられており、頂部にガスバルブ9が設けられ、インダクタンスコイル8はRF源10に連結されて、誘導交番磁界を生じさせ、ガスバルブ9からのプロセスガスを励起させてプラズマとする。
誘導結合プラズマエッチングキャビティ1のチャンバー底部には、それぞれメカニカルポンプ11、分子ポンプ12に連結されるバルブが設けられ、それにより、メカニカルポンプ11及び分子ポンプ12は誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバー1を真空吸引すること、及びエッチングプロセス中に反応ガスヲタイムリーに抜くことを可能とする。
実施例2を例として本発明のエッチング方法を説明し、前記高精度エッチング装置を用いてリセスゲートエンハンスメントHEMTデバイスを製造するエッチング方法は、
エッチング対象基板を誘導結合プラズマエッチングキャビティ1のチャンバー内に搬送して、前記エッチング対象基板をベース2にセットするステップ(1)と、
電流検出装置6を2つの貫通電極4に接続するステップ(2)と、
2つのプローブ5をそれぞれ2つの貫通電極4に接続し、プローブ5を調整して、プローブ5をそれぞれエッチング対象基板のデバイスにおける同一ユニットのソース・ドレインに接続し、閉ループを構成するステップ(3)と、
メカニカルポンプ11を起動して、誘導結合プラズマエッチングキャビティ1のチャンバーを真空吸引するステップ(4)と、
真空度が150mTorrとなるまで真空吸引すると、分子ポンプ12を起動し、チャンバーの内圧が5mTとなるまでさらに真空吸引するステップ(5)と、
ガスバルブ9を介してCl2とBCl3の混合ガスを導入するステップ(6)と、
RF源10を起動し、パワーパラメータを250Wに設定し、RF源に接続されたインダクタンスコイル8にRF電流を流して、インダクタンスコイルが巻き付けられたセラミックスリーブ7内で交番磁界を生じさせ、Cl2とBCl3の混合ガスを励起させてプラズマとするステップ(7)と、
RFバイアスパワー源3を起動し、パワーパラメータを30Wに設定し、イオン衝撃エネルギーを増大するステップ(8)と、
エッチングプロセス中に、電流検出装置6によって電流変化を観察し、表示される電流がセロになると、エッチング終点になり、RF源10及びRFバイアスパワー源3を停止するステップ(9)と、
エッチングを終了して、エッチング済みの基板を搬出し、前記リセスゲートエンハンスメントHEMTデバイスを得るステップ(10)とを含む。
2.ベース
3.RFバイアスパワー源
4.貫通電極
5.プローブ
6.電流検出装置
7.セラミックスリーブ
8.インダクタンスコイル
9.ガスバルブ
10.RF源
11.メカニカルポンプ
12.分子ポンプ。
Claims (7)
- リセスゲートエンハンスメントデバイスを製造するための高精度エッチング装置であって、
誘導結合プラズマエッチングキャビティ、電流検出装置、インダクタンスコイル、RF源、メカニカルポンプ及び分子ポンプを含み、
前記誘導結合プラズマエッチングキャビティは、チャンバー、ベース、RFバイアスパワー源、貫通電極、プローブ、セラミックスリーブ及びガスバルブを含み、
前記RF源はインダクタンスコイルに接続され、
前記インダクタンスコイルは誘導結合コイルであり、前記セラミックスリーブに巻き付けられており、前記インダクタンスコイルにRF電流が流れると、交番磁界が生じ、プロセスガスを励起させて高密度プラズマとし、
前記メカニカルポンプ及び分子ポンプは誘導結合プラズマエッチングキャビティに接続され、
前記誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバー側壁に2つの貫通電極が設けられ、誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバー内においては、2つの貫通電極はそれぞれ2つのプローブに接続され、前記2つのプローブはエッチング対象基板における同一ユニットのソース・ドレインに連結され、誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバー外においては、2つの貫通電極は全て電流検出装置に接続されて、電流閉ループを構成する、ことを特徴とする高精度エッチング装置。 - 前記誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバーの底部にはベースが設けられ、前記ベースの下部がRFバイアスパワー源に接続され、前記RFバイアスパワー源はプラズマの衝撃エネルギーを向上させることができる、ことを特徴とする請求項1に記載のリセスゲートエンハンスメントデバイスを製造するための高精度エッチング装置。
- 前記セラミックスリーブは誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバーの上部に設けられ、前記セラミックスリーブは、頂部にガスバルブが設けられ、ガスバルブを介してプロセスガスの管路と連通している、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のリセスゲートエンハンスメントデバイスを製造するための高精度エッチング装置。
- 前記誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバーの底部には、それぞれメカニカルポンプ及び分子ポンプに接続される2つのバルブが設けられ、メカニカルポンプ及び分子ポンプはバルブを介して誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバー内部を真空吸引すること、及びエッチングプロセス中に反応ガスを抜くことが可能である、ことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のリセスゲートエンハンスメントデバイスを製造するための高精度エッチング装置。
- 前記誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバーの材質が耐高圧合金鋼である、ことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のリセスゲートエンハンスメントデバイスを製造するための高精度エッチング装置。
- 前記プローブはベリリウム銅メッキプローブである、ことを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のリセスゲートエンハンスメントデバイスを製造するための高精度エッチング装置。
- 請求項1~6のいずれか1項に記載の高精度エッチング装置を用いてリセスゲートエンハンスメントHEMTデバイスを製造するエッチング方法であって、
エッチング対象基板を誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバー内に搬送して、前記エッチング対象基板をベースにセットするステップ(1)と、
プローブ、電流検出装置のそれぞれを貫通電極に接続するステップ(2)と、
プローブをそれぞれエッチング対象基板における同一ユニットのソース・ドレインに接続して、閉じた電流ループを構成するステップ(3)と、
メカニカルポンプ及び分子ポンプに接続されたバルブを開いて、メカニカルポンプ及び分子ポンプを用いて誘導結合プラズマエッチングキャビティのチャンバー内を真空吸引し、エッチングガスを導入するステップ(4)と、
RF源及びRFバイアスパワー源を起動して、基板をエッチングするステップ(5)と、
エッチングプロセス中に、HEMTデバイスのバリア層を絶えずに薄くし、2次元電子ガスの濃度を低下させ、これに伴い出力電流を変化させ、電流を観察することによりエッチング深さをリアルタイムで監視し、電流がゼロに表示されるとエンハンスメントエッチング深さを達成させ、エッチングを終了するステップ(6)と、
RF源及びバイアスパワー源を停止し、エッチング済みの基板を搬出し、前記リセスゲートエンハンスメントHEMTデバイスを得るステップ(7)とを含む、ことを特徴とするエッチング方法。
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