CN107546093B - 气体注入装置、其制作方法及其应用的等离子处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种带有气体注入装置的等离子体处理装置，所述反应气体注入装置，包括一绝缘外壳，所述绝缘外壳围成一气体扩散腔，所述气体扩散腔一端与一反应气体源相连接，一端靠近基片支撑装置，包括若干气体扩散通道；通过在所述绝缘外壳内表面设置一导体内衬，并在等离子体处理工艺中实现对该导体内衬的接地处理，使得导体内衬形成一接地的电磁屏蔽，将射频功率源产生的射频电场屏蔽在气体注入器外部，避免了气体注入器内放电产生等离子体对气体注入器内表面造成的损害。

Description

气体注入装置、其制作方法及其应用的等离子处理装置

技术领域

本发明涉及半导体设备制造技术领域，尤其涉及一种向等离子体处理装置内供应气体的技术领域。

背景技术

半导体处理装置在现有技术中是公知的，并广泛应用于半导体集成电路、平板显示器，发光二极管(LED)，太阳能电池等的制造工业内。其中一类等离子体处理装置是半导体处理装置中的重要组成部分，用来对待处理基片进行高精度的加工如等离子体刻蚀、化学气相沉积(CVD)等。在等离子体处理装置中通常会施加至少一个射频电源以产生并维持等离子体于反应腔中。其中，有许多不同的方式施加射频功率，每个不同方式的设计都将导致不同的特性，比如效率、等离子解离、均一性等等。其中，一种设计是电感耦合(ICP)等离子腔。

在电感耦合等离子处理腔中，射频功率源通常经由一个线圈状的天线向反应腔内发射射频能量。为了使来自天线的射频功率耦合到反应腔内，在天线处放置一个绝缘材料窗。反应腔可以处理各种基片，比如硅基片等，基片被固定在夹盘上，等离子在基片上方产生。因此，天线被放置在反应器顶板上方，使得反应腔顶板是由绝缘材料制成或者包括一个绝缘材料窗。

图1示出了一种现有电感耦合等离子体反应腔设计的截面图。ICP反应腔100包括基本呈圆筒状的金属侧壁105和绝缘顶板107，构成可被抽真空器125抽真空的气密空间。基座120支撑夹盘115，所述夹盘115支撑待处理的基片101。来自射频功率源145的射频功率被施加到呈线圈状的天线140。来自气源150的反应气体通过管线155被供应到反应腔内，以点燃并维持等离子体，并由此对基片101进行加工。在标准电感耦合反应腔中，气体通过在反应腔周围喷头和中心喷头130之一或者两者一同注入来供应到真空容器内的。

利用中心喷头130向反应腔内注入反应气体时，由于中心喷头130内部具有一定空间，当射频功率源145施加射频功率至天线140时，反应气体在中心喷头130内部即会进行解离生成等离子体，或者反应腔内产生的等离子体会倒吸入中心喷头130内，上述等离子体会对中心喷头的内表面进行轰击，产生大片的颗粒污染物，这些颗粒污染物不仅会造成中心喷头堵塞，若掉落到基片表面还会造成基片处理工艺的缺陷。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明公开了一种等离子体处理装置，其中，包括：反应腔体，包括由顶板及反应腔侧壁围成的反应腔，所述顶板构成绝缘材料窗；

基片支撑装置，其设置于所述反应腔内的所述绝缘材料窗下方；

射频功率发射装置，其设置于所述绝缘材料窗上方，以发射射频能量到所述反应腔内；

反应气体注入器，包括一绝缘外壳，所述绝缘外壳围成一气体扩散腔，所述气体扩散腔一端与一反应气体源相连接，一端靠近基片支撑装置，包括若干气体扩散通道；

所述绝缘外壳内表面设置一导体内衬，所述导体内衬在等离子体处理工艺过程中接地。

优选的，所述反应气体注入器设置在所述绝缘材料窗的中心区域。

优选的，所述导体内衬为金属内衬，所述金属内衬包括圆柱形侧壁、底壁及上盖。

优选的，所述气体扩散腔上方设置一入射光装置及一反射光接收装置。

优选的，所述入射光装置及反射光接收装置为一设有激光头的干涉仪。

优选的，所述干涉仪包括一金属底座，所述金属底座构成所述气体扩散腔内部金属内衬的上盖，所述金属底座的材质为铝、铝合金或不锈钢中的一种。

优选的，所述金属内衬为一片式结构或网格状结构。

优选的，所述金属内衬底壁设置一下沉式锥形结构，所述锥形结构的锥形面与水平方向的夹角范围为10°-45°。

优选的，所述绝缘外壳包括耐等离子体腐蚀材料围成的圆筒状侧壁及底壁。

优选的，所述气体扩散通道包括若干竖直贯穿所述导体内衬和绝缘外壳底壁的气体通孔。

优选的，所述气体扩散通道还包括若干贯穿所述导体内衬和所述圆筒状侧壁的气体通孔。

优选的，所述气体通孔的孔径小于等于5mm。

优选的，所述若干气体通孔的开口面积之和大于等于所述绝缘外壳底壁面积的20％。

优选的，所述导体内衬与反应气体接触的表面设置一层阳极氧化膜。

进一步的，本发明还公开了一种气体注入装置，设置于一等离子体反应腔内，所述气体注入装置包括一绝缘外壳，所述绝缘外壳围成一气体扩散腔，所述气体扩散腔一端与一反应气体源相连接，一端设置若干气体扩散通道，所述绝缘外壳内部设置一接地的导体内衬。

优选的，所述绝缘外壳包括由耐等离子体腐蚀的陶瓷材料制成的环形侧壁及底壁。

优选的，所述导体内衬为金属内衬，所述金属内衬包括圆柱形侧壁、底壁及上盖。

优选的，所述金属内衬为一片式结构或网格状结构。

优选的，所述金属内衬底壁设置一下沉式锥形结构，所述锥形结构的锥形面与水平方向的夹角范围为10°-45°。

优选的，所述气体扩散通道包括若干竖直贯穿所述导体内衬和绝缘外壳底壁的气体通孔。

优选的，所述气体扩散通道还包括若干贯穿所述导体内衬和所述圆筒状侧壁的气体通孔。

优选的，所述气体通孔的孔径小于等于5mm。

优选的，所述若干气体通孔的开口面积之和大于等于所述绝缘外壳底壁面积的20％。

进一步的，本发明还公开了一种制作反应气体注入装置的方法，所述方法包括如下步骤：

制作一陶瓷外壳，所述陶瓷外壳包括一圆柱形侧壁及底壁，所述底壁设置一下沉式锥形结构，在所述侧壁及底壁上制作气体通孔；

制作一导体内衬，所述导体内衬的形状、大小与所述陶瓷外壳相匹配，所述导体内衬的底壁上也包括一下沉式锥形结构，所述导体内衬上设置与所述陶瓷外壳的气体通孔相对应的气体通孔；

将所述导体内衬置入所述陶瓷外壳内，利用所述导体内衬底壁的下沉式锥形结构与所述陶瓷外壳底壁的下沉式锥形结构匹配实现两组气体通孔的对齐设置；

在所述导体内衬上方设置一导体上盖，所述导体上盖上设置容许反应气体进入的通道。

优选的，所述气体通孔与所述陶瓷外壳一体烧结制作。

优选的，所述导体内衬为金属材料，为铝，铝合金或不锈钢中的一种。

优选的，所述导体内衬置于所述陶瓷外壳前，对其内表面进行阳极氧化。

优选的，所述陶瓷外壳底壁的锥形结构与导体内衬的锥形结构的锥形面与水平面间的夹角为10°-45°。

优选的，所述气体通孔垂直于所述上盖的方向设置，与所述陶瓷外壳底壁的锥形结构和导体内衬的锥形结构呈一夹角。

本发明的优点在于：在一等离子体处理装置内部设置一带有绝缘外壳的反应气体注入器，所述绝缘外壳围成一气体扩散腔，绝缘外壳内表面设置一导体内衬，所述导体内衬在等离子体处理工艺过程中接地，使得导体内衬形成一接地的电磁屏蔽，将射频功率源产生的射频电场屏蔽在气体注入器外部，避免了气体注入器内放电产生等离子体对气体注入器内表面造成的损害。

附图说明

附图作为本发明说明书的一部分，例证了本发明的实施例，并与说明书一起解释和说明本发明的原理。附图用图解的方式来解释举例实施例的主要特征。附图不是用于描述实际实施例所有特征也不用于说明图中元素间的相对尺寸，也不是按比例绘出。

图1示出现有技术等离子体处理装置结构示意图；

图2示出本发明所述等离子体处理装置结构示意图；

图3示出一种实施例的中心喷头结构示意图；

图4示出另一种实施例的中心喷头结构示意图。

具体实施方式

本发明公开了一种等离子体处理装置，一种用于等离子体处理装置的气体注入装置，及所述气体注入装置的制作方法，发明涉及的技术方案目的在于解决气体注入器内部空间存在等离子体并产生腐蚀的问题。下文将结合具体实施例和附图对本发明的装置和方法进行详细描述。

图2示例性的示出一种电感耦合等离子体处理装置，容易想到的，本发明公开的技术方案同样适用于其他需要设置具有一定空间的气体注入装置的等离子体处理装置。在图2所示的装置中，ICP反应腔200包括金属侧壁205和绝缘顶板207构成的气密的真空反应腔体，并且由抽真空泵225抽真空。所述绝缘顶板207仅作为示例，也可以采用其它的顶板样式，比如穹顶形状的，带有绝缘材料窗的顶板等。基座220支撑夹盘215，所述夹盘上放置着待处理的基片201。偏置功率被施加到所述基座220上，但是由于与揭露的本发明实施例无关，在图2中未示出。所述射频电源245的射频功率被施加到天线240，该天线基本是线圈状的。

反应气体从反应气体源250经过管线255被供应到反应腔内，在射频能量的作用下点燃并维持等离子体，从而对基片进行加工。在本实施例中，部分反应气体通过外围喷头206被供应到真空空间中，部分反应气体也可以选择从中心喷头230注入反应腔。若干个外围喷头206环绕设置在反应腔侧壁一周，通常具有较小的口径，而中心喷头230通常只设置一个，为了提供足够的反应气体，需要较大的供气面积，因此中心喷头230内部形成体积较大的气体扩散腔235。气体扩散腔235包括由耐等离子体腐蚀的材料围成的绝缘侧壁231及绝缘底壁232，以及设置在侧壁及底壁的若干气体通孔，当反应制程开始后，反应气体源250中的反应气体进入气体扩散腔235，射频功率源245施加射频功率至天线240，经绝缘材料窗耦合到气体扩散腔内的射频功率对反应气体进行解离，使得气体扩散腔内部存在等离子体。此外，即使中心喷头不存在反应气体，经外围喷头206注入反应腔的反应气体解离生成的等离子体也会经气体通孔倒吸入气体扩散腔235内，使得气体扩散腔的内表面被等离子体腐蚀，影响后续工艺制程。

为了避免气体扩散腔235内存在等离子体，图3示出本发明所述的一种中心喷头的结构示意图。在本实施例中，大致呈圆筒状的绝缘侧壁231与绝缘底壁232形成气体扩散腔235的绝缘外壳，一导体材料贴合设置在气体扩散腔外壁的内表面，形成中心喷头的导体内衬。导体内衬包括导体侧壁233，导体底壁234以及导体上盖238，导体材料选择铝、铝合金、不锈钢等适用于等离子体处理设备的金属材质。在工艺制程中，设置所述导体内衬接地，使其形成一个电磁屏蔽罩，有效阻止了射频功率耦合到气体扩散腔235内，进而避免了反应气体在气体扩散腔235内的解离及反应腔内的等离子体倒吸入气体扩散腔235内。在图3所示的实施例中，气体扩散通道包括贯穿所述导体底壁234和绝缘底壁232的气体通孔236，为了增加气体扩散腔内的反应气体向反应腔内提供反应气体的速度及面积，气体扩散通道还可以包括贯穿所述导体侧壁233和绝缘侧壁231的气体通孔237，所述气体通孔通常设置为圆形气体通孔。

随着集成电路中的器件集成密度及复杂度的不断增加，对半导体工艺过程的严格控制就显得尤为重要。对于亚深微米的多晶硅栅刻蚀工艺而言，由于栅氧层的厚度已经变得非常的薄，如何精确控制等离子体刻蚀过程是人们面临的一个技术上的挑战。由于电感耦合等离子体处理装置所产生的等离子体具有较高的刻蚀速率，如果工艺控制不合理，出现的过度刻蚀很容易会造成下一层材料的损伤，进而造成器件的失效。因此必须对刻蚀过程中的一些参数，如刻蚀用的化学气体、刻蚀时间、刻蚀速率及刻蚀选择比等参数进行严格控制。此外，刻蚀机状态的细微改变，如反应腔体内气体流量、温度、气体的回流状态、或是批与批之间晶片之间的差异，都会影响到基片的刻蚀速率，因此必须对基片的刻蚀速率进行实时监测，而干涉终点法(IEP)就是为了实现对刻蚀过程进行实时监控而设计的。

干涉终点法通过在绝缘材料窗上方设置一向基片表面发射入射光的入射光源及一接收处理反射光的干涉仪，入射光信号经半导体基片发射后携带了基片薄膜厚度变化的信息，干涉仪通过对反射后的光信号波长进行测量，并根据测量结果进行分析计算，可以得出实际的刻蚀速率，实现实时监控基片薄膜的刻蚀过程。由于绝缘材料窗的中心区域位置设置有中心喷头，为了对基片中心区域的处理进程进行监测，需要将一组入射光源及干涉仪设置在中心喷头内部，这要求中心喷头上设置的气体通孔能够保证光的通过量，同时保证反应腔内不会存在等离子体。

图4示出一种设有IEP监测系统的中心喷头结构示意图。在本实施例中，大致呈圆筒状的绝缘侧壁331与绝缘底壁332形成气体扩散腔335的绝缘外壳。一导体材料贴合设置在气体扩散腔外壁的内表面，形成中心喷头的导体内衬。导体内衬包括导体侧壁333及导体底壁334。气体扩散腔335上方设置一入射光源311及一干涉仪315，干涉仪315通过一金属安装座312安装固定在气体扩散腔上方，金属安装座312构成导体内衬的上壁，导体材料选择铝、铝合金、不锈钢等适用于等离子体处理设备的金属材质。工艺过程中，导体侧壁333、导体底壁334以及金属安装座312接地形成一电磁屏蔽罩，有效阻止了射频功率耦合到气体扩散腔335内，进而避免了反应气体在气体扩散腔335内的解离及反应腔内的等离子体倒吸入气体扩散腔335内。在本实施例中，气体扩散通道包括贯穿所述导体底壁334和绝缘底壁332的气体通孔336，由于入射光源311设置在气体扩散腔335的正上方，为了保证入射光源311发出的光能够入射到基片表面，同时还能保证经基片反射后的反射光进入气体扩散腔335内被干涉仪315接收，气体通孔336垂直于基片表面设置，由于基片通常设置为水平方向，因此，气体通孔336为竖直方向设置。同时，为了保证干涉仪315接收到的反射光足够对基片刻蚀速率进行计算分析，本实施例中设置气体通孔336的开口面积之和大于等于气体扩散腔335底面积的20％。除了设置竖直方向的气体通孔336，本实施例中，为了增加气体扩散腔335向反应腔内输送反应气体的速度和输送面积，在靠近气体扩散腔底壁一端的侧壁上设置若干贯穿导体内衬侧壁333和绝缘侧壁331的气体通孔337。气体通孔337可以垂直贯穿导体内衬侧壁333和绝缘侧壁331，更佳的，气体通孔337向下倾斜贯穿导体内衬侧壁333和绝缘侧壁331，使得反应气体能更快的到达基片表面。

在本实施例中，由于气体扩散腔正上方设置一入射光源，在对基片的刻蚀工艺进行监测过程中，入射光源竖直向下投射入射光，为了避免导体内衬的底壁334未设置气体通孔的区域反射过强的反射光到干涉仪315，影响干涉仪315接收来自基片的反射光，本实施例设置导体内衬的底壁334不为平面。例如设置为下沉式圆锥面结构，此时，导体底壁334形成漏斗状倾斜面，入射光投射到该倾斜面上时不再产生竖直向上的反射光，以避免该反射光对干涉仪的影响。导体底壁形成的倾斜面与水平方向的夹角范围在10°-45°之间，夹角小于10°，倾斜面产生的反应光还会进入干涉仪造成影响，夹角大于45°，会使得中心喷头过于狭长，对中心喷头的供气造成影响。在上述实施例中，为了便于安装可以将入射光源与干涉仪集成为一体，即所述入射光装置及反射光接收装置为一设有激光头的干涉仪。

在图3和图4所述的实施例中，为了防止气体扩散腔可能存在的等离子体对导体内衬的腐蚀，本发明所述的导体内衬与反应气体接触的表面进行了耐等离子体腐蚀处理，如进行阳极氧化等处理，使得导体内衬表面形成一层阳极氧化膜或者其他方式进行耐等离子体腐蚀涂层的设置。此外，由于导体内衬的目的在于对外部电场进行屏蔽，因此，只要能实现该目的的导体内衬结构均可以采用，如整片的导体材料作为导体内衬或者网格状的导体材料作为导体内衬均能够实现本发明的目的。

进一步的，本发明还提供一种制作图4所示中心喷头的方法，包括如下步骤：制作一由绝缘材料围成的圆柱形外壳，本发明所述的中心喷头由于直接放置在反应腔内接触等离子体的轰击腐蚀，因此选用耐等离子体腐蚀的陶瓷材料，由于陶瓷材料硬度较大，为了便于制作气体通孔，本发明将气体通孔336与绝缘侧壁331、绝缘底壁332一体烧结而成；所述绝缘底壁332包括一下沉式锥形结构；制作一由导体材料围成的圆柱形内衬结构，所述导体内衬的形状、大小与所述陶瓷外壳相匹配，包括一导体侧壁333、导体底壁334所述导体底壁334上也包括一下沉式锥形结构，对所述导体内衬与反应气体接触的表面进行耐等离子体腐蚀处理，如对进行阳极氧化形成阳极氧化膜或者其他方式进行耐等离子体腐蚀涂层的设置。所述导体内衬上设置与所述陶瓷外壳的气体通孔相对应的气体通孔；将所述导体内衬置入所述陶瓷外壳内，利用所述导体内衬底壁的下沉式锥形结构与所述陶瓷外壳底壁的下沉式锥形结构匹配实现两组气体通孔的对齐设置；在所述导体内衬上方设置一导体上盖，所述导体上盖上设置容许反应气体进入的通道。所述通道与反应气体源350相连接。

本发明通过在具有一定空间的气体注入器内部设置一导体内衬，并在等离子体处理工艺中实现对该导体内衬的接地处理，使得导体内衬形成一接地的电磁屏蔽，将射频功率源产生的射频电场屏蔽在气体注入器外部，避免了气体注入器内放电产生等离子体对气体注入器内表面造成的损害。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (29)

1.一种等离子体处理装置，其中，包括：

反应腔体，包括由顶板及反应腔侧壁围成的反应腔，所述顶板构成绝缘材料窗；

基片支撑装置，其设置于所述反应腔内的所述绝缘材料窗下方；

射频功率发射装置，其设置于所述绝缘材料窗上方，以发射射频能量到所述反应腔内；

反应气体注入器，包括一绝缘外壳，所述绝缘外壳围成一气体扩散腔，所述气体扩散腔一端与一反应气体源相连接，一端靠近基片支撑装置，包括若干气体扩散通道；

所述绝缘外壳内表面设置一导体内衬，所述导体内衬包括一底壁，所述底壁设置一下沉式锥形结构，所述导体内衬在等离子体处理工艺过程中接地。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述反应气体注入器设置在所述绝缘材料窗的中心区域。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述导体内衬为金属内衬，所述金属内衬包括圆柱形侧壁、底壁及上盖。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述气体扩散腔上方设置一入射光装置及一反射光接收装置。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述入射光装置及反射光接收装置为一设有激光头的干涉仪。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述干涉仪包括一金属底座，所述金属底座构成所述气体扩散腔内部金属内衬的上盖，所述金属底座的材质为铝、铝合金或不锈钢中的一种。

7.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述金属内衬为一片式结构或网格状结构。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述金属内衬底壁设置一下沉式锥形结构，所述锥形结构的锥形面与水平方向的夹角范围为10°-45°。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述绝缘外壳包括耐等离子体腐蚀材料围成的圆筒状侧壁及底壁。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述气体扩散通道包括若干竖直贯穿所述导体内衬和绝缘外壳底壁的气体通孔。

11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述气体扩散通道还包括若干贯穿所述导体内衬和所述圆筒状侧壁的气体通孔。

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述气体通孔的孔径小于等于5mm。

13.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述若干气体通孔的开口面积之和大于等于所述绝缘外壳底壁面积的20%。

14.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述导体内衬与反应气体接触的表面设置一层阳极氧化膜。

15.一种气体注入装置，设置于一等离子体反应腔内，其特征在于：所述气体注入装置包括一绝缘外壳，所述绝缘外壳围成一气体扩散腔，所述气体扩散腔一端与一反应气体源相连接，一端设置若干气体扩散通道，所述绝缘外壳内部设置一接地的导体内衬，所述导体内衬包括一底壁，所述底壁设置一下沉式锥形结构。

16.如权利要求15所述的气体注入装置，其特征在于：所述绝缘外壳包括由耐等离子体腐蚀的陶瓷材料制成的环形侧壁及底壁。

17.如权利要求15所述的气体注入装置，其特征在于：所述导体内衬为金属内衬，所述金属内衬包括圆柱形侧壁、底壁及上盖。

18.如权利要求17所述的气体注入装置，其特征在于：所述金属内衬为一片式结构或网格状结构。

19.如权利要求17所述的气体注入装置，其特征在于：所述金属内衬底壁设置一下沉式锥形结构，所述锥形结构的锥形面与水平方向的夹角范围为10°-45°。

20.如权利要求16所述的气体注入装置，其特征在于：所述气体扩散通道包括若干竖直贯穿所述导体内衬和绝缘外壳底壁的气体通孔。

21.如权利要求20所述的气体注入装置，其特征在于：所述气体扩散通道还包括若干贯穿所述导体内衬和所述环形侧壁的气体通孔。

22.如权利要求21所述的气体注入装置，其特征在于：所述气体通孔的孔径小于等于5mm。

23.如权利要求20所述的气体注入装置，其特征在于：所述若干气体通孔的开口面积之和大于等于所述绝缘外壳底壁面积的20%。

24.一种制作反应气体注入装置的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

制作一陶瓷外壳，所述陶瓷外壳包括一圆柱形侧壁及底壁，所述底壁设置一下沉式锥形结构，在所述侧壁及底壁上制作气体通孔；

制作一导体内衬，所述导体内衬的形状、大小与所述陶瓷外壳相匹配，所述导体内衬的底壁上也包括一下沉式锥形结构，所述导体内衬上设置与所述陶瓷外壳的气体通孔相对应的气体通孔；

将所述导体内衬置入所述陶瓷外壳内，利用所述导体内衬底壁的下沉式锥形结构与所述陶瓷外壳底壁的下沉式锥形结构匹配实现两组气体通孔的对齐设置；

在所述导体内衬上方设置一导体上盖，所述导体上盖上设置容许反应气体进入的通道。

25.如权利要求24所述的方法，其特征在于：所述气体通孔与所述陶瓷外壳一体烧结制作。

26.如权利要求24所述的方法，其特征在于：所述导体内衬为金属材料，为铝，铝合金或不锈钢中的一种。

27.如权利要求24所述的方法，其特征在于：所述导体内衬置于所述陶瓷外壳前，对其内表面进行阳极氧化。

28.如权利要求24所述的方法，其特征在于：所述陶瓷外壳底壁的锥形结构与导体内衬的锥形结构的锥形面与水平面间的夹角为10°-45°。

29.如权利要求24所述的方法，其特征在于：所述气体通孔垂直于所述上盖的方向设置，与所述陶瓷外壳底壁的锥形结构和导体内衬的锥形结构呈一夹角。