TW201812828A - 氣體注入裝置、其製作方法及其應用的電漿處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明係揭露一種帶有氣體注入裝置的電漿體處理裝置，反應氣體注入裝置，包含絕緣外殼，絕緣外殼圍成氣體擴散腔，氣體擴散腔一端與反應氣體源相連接，另一端靠近基片支撐裝置，包含複數個氣體擴散通道；藉由在絕緣外殼內表面設置導體內襯，並在電漿體處理製程中實現對該導體內襯的接地處理，使得導體內襯形成一接地的電磁屏蔽，將射頻功率源產生的射頻電場屏蔽在氣體注入器外部，避免了氣體注入器內放電產生電漿體對氣體注入器內表面造成的損害。

Description

氣體注入裝置、其製作方法及其應用的電漿處理裝置

本發明關於一種半導體設備製造技術領域，特別是關於一種向電漿體處理裝置內供應氣體的技術領域。

半導體處理裝置在習知技術中是大眾皆知的，並廣泛應用於半導體積體電路、平板顯示器，發光二極體（LED），太陽能電池等的製造工業內。其中一類電漿體處理裝置是半導體處理裝置中的重要組成部分，用來對待處理基片進行高精度的加工如電漿體蝕刻、化學氣相沉積（CVD）等。在電漿體處理裝置中通常會施加至少一個射頻電源以產生並維持電漿體於反應腔中。其中，有許多不同的方式施加射頻功率，每個不同方式的設計都將導致不同的特性，比如效率、電漿解離、均一性等等。其中，一種設計是電感耦合（ICP）電漿腔。

在電感耦合電漿處理腔中，射頻功率源通常經由一個線圈狀的天線向反應腔內發射射頻能量。為了使來自天線的射頻功率耦合到反應腔內，在天線處放置一個絕緣材料窗。反應腔可以處理各種基片，比如矽基片等，基片被固定在夾盤上，電漿在基片上方產生。因此，天線被放置在反應器頂板上方，使得反應腔頂板是由絕緣材料製成或者包含一個絕緣材料窗。

圖1表示出了一種習知電感耦合電漿體反應腔設計的截面圖。ICP反應腔100包含基本呈圓筒狀的金屬側壁105和絕緣頂板107，構成可被抽真空器125抽真空的氣密空間。基座120支撐夾盤115，夾盤115支撐待處理的基片101。來自射頻功率源145的射頻功率被施加到呈線圈狀的天線140。來自氣源150的反應氣體藉由管線155被供應到反應腔內，以點燃並維持電漿體，並由此對基片101進行加工。在標準電感耦合反應腔中，氣體藉由在反應腔周圍噴頭和中心噴頭130之一或者兩者一同注入來供應到真空容器內的。

利用中心噴頭130向反應腔內注入反應氣體時，由於中心噴頭130內部具有一定空間，當射頻功率源145施加射頻功率至天線140時，反應氣體在中心噴頭130內部即會進行解離產生電漿體，或者反應腔內產生的電漿體會倒吸入中心噴頭130內，上述電漿體會對中心噴頭的內表面進行轟擊，產生大片的顆粒污染物，這些顆粒污染物不僅會造成中心噴頭堵塞，若掉落到基片表面還會造成基片處理製程的缺陷。

為了解決上述技術問題，本發明公開了一種電漿體處理裝置，其中，包含：反應腔體，包含由頂板及反應腔側壁圍成的反應腔，頂板構成絕緣材料窗；

基片支撐裝置，其設置於反應腔內的絕緣材料窗下方；

射頻功率發射裝置，其設置於絕緣材料窗上方，以發射射頻能量到反應腔內；

反應氣體注入器，包含一絕緣外殼，絕緣外殼圍成一氣體擴散腔，氣體擴散腔之一端與一反應氣體源相連接，另一端靠近基片支撐裝置，包含複數個氣體擴散通道；

絕緣外殼內表面設置一導體內襯，導體內襯在電漿體處理製程過程中接地。

較佳地，反應氣體注入器設置在絕緣材料窗的中心區域。

較佳地，導體內襯為金屬內襯，金屬內襯包含圓柱形側壁、底壁及上蓋。

較佳地，氣體擴散腔上方設置一入射光裝置及一反射光接收裝置。

較佳地，入射光裝置及反射光接收裝置為一設有雷射頭的干涉儀。

較佳地，干涉儀包含一金屬底座，金屬底座構成氣體擴散腔內部金屬內襯的上蓋，金屬底座的材質為鋁、鋁合金或不銹鋼中的一種。

較佳地，金屬內襯為一片式結構或網格狀結構。

較佳地，金屬內襯底壁設置一下沉式錐形結構，錐形結構的錐形面與水平方向的夾角範圍為10°~45°。

較佳地，絕緣外殼包含耐電漿體腐蝕材料圍成的圓筒狀側壁及底壁。

較佳地，氣體擴散通道包含複數個豎直貫穿導體內襯和絕緣外殼底壁的氣體通孔。

較佳地，氣體擴散通道還包含複數個貫穿導體內襯和圓筒狀側壁的氣體通孔。

較佳地，氣體通孔的孔徑小於等於5 mm。

較佳地，複數個氣體通孔的開口面積之和大於等於絕緣外殼底壁面積的20%。

較佳地，導體內襯與反應氣體接觸的表面設置一層陽極氧化膜。

進一步的，本發明還公開了一種氣體注入裝置，設置於一電漿體反應腔內，氣體注入裝置包含一絕緣外殼，絕緣外殼圍成一氣體擴散腔，氣體擴散腔之一端與一反應氣體源相連接，另一端設置複數個氣體擴散通道，絕緣外殼內部設置一接地的導體內襯。

較佳地，絕緣外殼包含由耐電漿體腐蝕的陶瓷材料製成的環形側壁及底壁。

較佳地，導體內襯為金屬內襯，金屬內襯包含圓柱形側壁、底壁及上蓋。

較佳地，金屬內襯為一片式結構或網格狀結構。

較佳地，金屬內襯底壁設置一下沉式錐形結構，錐形結構的錐形面與水平方向的夾角範圍為10°~45°。

較佳地，氣體擴散通道包含複數個豎直貫穿導體內襯和絕緣外殼底壁的氣體通孔。

較佳地，氣體擴散通道還包含複數個貫穿導體內襯和圓筒狀側壁的氣體通孔。

較佳地，氣體通孔的孔徑小於等於5 mm。

較佳地，複數個氣體通孔的開口面積之和大於等於所述絕緣外殼底壁面積的20%。

進一步的，本發明還公開了一種製作反應氣體注入裝置的方法，方法包含如下步驟：

製作一陶瓷外殼，陶瓷外殼包含一圓柱形側壁及底壁，底壁設置一下沉式錐形結構，在側壁及底壁上製作氣體通孔；

製作一導體內襯，導體內襯的形狀、大小與陶瓷外殼相匹配，導體內襯的底壁上也包含一下沉式錐形結構，導體內襯上設置與陶瓷外殼的氣體通孔相對應的氣體通孔；

將導體內襯置入陶瓷外殼內，利用導體內襯底壁的下沉式錐形結構與陶瓷外殼底壁的下沉式錐形結構匹配實現兩組氣體通孔的對齊設置；

在導體內襯上方設置一導體上蓋，導體上蓋上設置容許反應氣體進入的通道。

較佳地，氣體通孔與陶瓷外殼一體燒結製作。

較佳地，導體內襯為金屬材料，為鋁，鋁合金或不銹鋼中的一種。

較佳地，導體內襯置於陶瓷外殼前，對其內表面進行陽極氧化。

較佳地，陶瓷外殼底壁的錐形結構與導體內襯的錐形結構的錐形面與水平面間的夾角為10°~45°。

較佳地，氣體通孔垂直於上蓋的方向設置，與陶瓷外殼底壁的錐形結構和導體內襯的錐形結構呈一夾角。

本發明的優點在於：在電漿體處理裝置內部設置帶有絕緣外殼的反應氣體注入器，絕緣外殼圍成氣體擴散腔，絕緣外殼內表面設置導體內襯，導體內襯在電漿體處理製程過程中接地，使得導體內襯形成接地的電磁屏蔽，將射頻功率源產生的射頻電場屏蔽在氣體注入器外部，避免了氣體注入器內放電產生電漿體對氣體注入器內表面造成的損害。

本發明公開了一種電漿體處理裝置，一種用於電漿體處理裝置的氣體注入裝置，及氣體注入裝置的製作方法，本發明涉及的技術方案目的在於解決氣體注入器內部空間存在電漿體並產生腐蝕的問題。下文將結合具體實施例和圖式對本發明的裝置和方法進行詳細描述。

圖2示例性的表示出一種電感耦合電漿體處理裝置，容易想到的，本發明公開的技術方案同樣適用於其他需要設置具有一定空間的氣體注入裝置的電漿體處理裝置。在圖2所示的裝置中，ICP反應腔200包含金屬側壁205和絕緣頂板207構成的氣密的真空反應腔體，並且由抽真空泵225抽真空。絕緣頂板207僅作為示例，也可以採用其它的頂板樣式，比如穹頂形狀的，帶有絕緣材料窗的頂板等。基座220支撐夾盤215，夾盤215上放置著待處理的基片201。偏置功率被施加到基座220上，但是由於與揭露的本發明實施例無關，在圖2中繪未示出。射頻電源245的射頻功率被施加到天線240，該天線240基本是線圈狀的。

反應氣體從反應氣體源250經過管線255被供應到反應腔內，在射頻能量的作用下點燃並維持電漿體，從而對基片進行加工。在本實施例中，部分反應氣體藉由外圍噴頭206被供應到真空空間中，部分反應氣體也可以選擇從中心噴頭230注入反應腔。複數個個外圍噴頭206環繞設置在反應腔側壁一周，通常具有較小的口徑，而中心噴頭230通常只設置一個，為了提供足夠的反應氣體，需要較大的供氣面積，因此中心噴頭230內部形成體積較大的氣體擴散腔235。氣體擴散腔235包含由耐電漿體腐蝕的材料圍成的絕緣側壁231及絕緣底壁232，以及設置在側壁及底壁的複數個氣體通孔，當反應製程開始後，反應氣體源250中的反應氣體進入氣體擴散腔235，射頻功率源245施加射頻功率至天線240，經絕緣材料窗耦合到氣體擴散腔235內的射頻功率對反應氣體進行解離，使得氣體擴散腔內部存在電漿體。此外，即使中心噴頭不存在反應氣體，經外圍噴頭206注入反應腔的反應氣體解離生成的電漿體也會經氣體通孔倒吸入氣體擴散腔235內，使得氣體擴散腔的內表面被電漿體腐蝕，影響後續技術製程。

為了避免氣體擴散腔235內存在電漿體，圖3示出本發明所述的一種中心噴頭的結構示意圖。在本實施例中，大致呈圓筒狀的絕緣側壁231與絕緣底壁232形成氣體擴散腔235的絕緣外殼，一導體材料貼合設置在氣體擴散腔外壁的內表面，形成中心噴頭的導體內襯。導體內襯包含導體側壁233，導體底壁234以及導體上蓋238，導體材料選擇鋁、鋁合金、不銹鋼等適用於電漿體處理設備的金屬材質。在技術製程中，設置導體內襯接地，使其形成一個電磁屏蔽罩，有效阻止了射頻功率耦合到氣體擴散腔235內，進而避免了反應氣體在氣體擴散腔235內的解離及反應腔內的電漿體倒吸入氣體擴散腔235內。在圖3所示的實施例中，氣體擴散通道包含貫穿導體底壁234和絕緣底壁232的氣體通孔236，為了增加氣體擴散腔內的反應氣體向反應腔內提供反應氣體的速度及面積，氣體擴散通道還可以包含貫穿所述導體側壁233和絕緣側壁231的氣體通孔237，氣體通孔通常設置為圓形氣體通孔。

隨著積體電路中的元件結合密度及複雜度的不斷增加，對半導體製程過程的嚴格控制就顯得尤為重要。對於亞深微米的多晶矽柵蝕刻製程而言，由於柵氧層的厚度已經變得非常的薄，如何精確控制電漿體蝕刻過程是人們面臨的一個技術上的挑戰。由於電感耦合電漿體處理裝置所產生的電漿體具有較高的蝕刻速率，如果製程控制不合理，出現的過度蝕刻很容易會造成下一層材料的損傷，進而造成元件的失效。因此必須對蝕刻過程中的一些參數，如蝕刻用的化學氣體、蝕刻時間、蝕刻速率及蝕刻選擇比等參數進行嚴格控制。此外，蝕刻機狀態的細微改變，如反應腔體內氣體流量、溫度、氣體的回流狀態、或是批與批之間晶片之間的差異，都會影響到基片的蝕刻速率，因此必須對基片的蝕刻速率進行實時監測，而干涉終點法（IEP）就是為了實現對蝕刻過程進行實時監控而設計的。

干涉終點法藉由在絕緣材料窗上方設置一向基片表面發射入射光的入射光源及一接收處理反射光的干涉儀，入射光訊號經半導體基片發射後攜帶了基片薄膜厚度變化的訊息，干涉儀藉由對反射後的光訊號波長進行測量，並根據測量結果進行分析計算，可以得出實際的蝕刻速率，實現實時監控基片薄膜的蝕刻過程。由於絕緣材料窗的中心區域位置設置有中心噴頭，為了對基片中心區域的處理進程進行監測，需要將一組入射光源及干涉儀設置在中心噴頭內部，這要求中心噴頭上設置的氣體通孔能夠保證光的通過量，同時保證反應腔內不會存在電漿體。

圖4表示出一種設有IEP監測系統的中心噴頭結構示意圖。在本實施例中，大致呈圓筒狀的絕緣側壁331與絕緣底壁332形成氣體擴散腔335的絕緣外殼。導體材料貼合設置在氣體擴散腔外壁的內表面，形成中心噴頭的導體內襯。導體內襯包含導體側壁333及導體底壁334。氣體擴散腔335上方設置一入射光源311及一干涉儀315，干涉儀315藉由一金屬安裝座312安裝固定在氣體擴散腔上方，金屬安裝座312構成導體內襯的上壁，導體材料選擇鋁、鋁合金、不銹鋼等適用於電漿體處理設備的金屬材質。製程過程中，導體側壁333、導體底壁334以及金屬安裝座312接地形成一電磁屏蔽罩，有效阻止了射頻功率耦合到氣體擴散腔335內，進而避免了反應氣體在氣體擴散腔335內的解離及反應腔內的電漿體倒吸入氣體擴散腔335內。在本實施例中，氣體擴散通道包含貫穿導體底壁334和絕緣底壁332的氣體通孔336，由於入射光源311設置在氣體擴散腔335的正上方，為了保證入射光源311發出的光能夠入射到基片301表面，同時還能保證經基片301反射後的反射光進入氣體擴散腔335內被干涉儀315接收，氣體通孔336垂直於基片表面設置，由於基片通常設置為水平方向，因此，氣體通孔336為豎直方向設置。同時，為了保證干涉儀315接收到的反射光足夠對基片蝕刻速率進行計算分析，本實施例中設置氣體通孔336的開口面積之和大於等於氣體擴散腔335底面積的20%。除了設置豎直方向的氣體通孔336，本實施例中，為了增加氣體擴散腔335向反應腔內輸送反應氣體的速度和輸送面積，在靠近氣體擴散腔335底壁一端的側壁上設置複數個貫穿導體內襯側壁333和絕緣側壁331的氣體通孔337。氣體通孔337可以垂直貫穿導體內襯側壁333和絕緣側壁331，更佳的，氣體通孔337向下傾斜貫穿導體內襯側壁333和絕緣側壁331，使得反應氣體能更快的到達基片表面。

在本實施例中，由於氣體擴散腔正上方設置一入射光源，在對基片的蝕刻製程進行監測過程中，入射光源豎直向下投射入射光，為了避免導體內襯的底壁334未設置氣體通孔的區域反射過強的反射光到干涉儀315，影響干涉儀315接收來自基片的反射光，本實施例設置導體內襯的底壁334不為平面。例如設置為下沉式圓錐面結構，此時，導體底壁334形成漏斗狀傾斜面，入射光投射到該傾斜面上時不再產生豎直向上的反射光，以避免該反射光對干涉儀的影響。導體底壁形成的傾斜面與水平方向的夾角範圍在10°~45°之間，夾角小於10°，傾斜面產生的反應光還會進入干涉儀造成影響，夾角大於45°，會使得中心噴頭過於狹長，對中心噴頭的供氣造成影響。在上述實施例中，為了便於安裝可以將入射光源與干涉儀集成為一體，即所述入射光裝置及反射光接收裝置為一設有雷射頭的干涉儀。

在圖3和圖4所述的實施例中，為了防止氣體擴散腔可能存在的電漿體對導體內襯的腐蝕，本發明所述的導體內襯與反應氣體接觸的表面進行了耐電漿體腐蝕處理，如進行陽極氧化等處理，使得導體內襯表面形成一層陽極氧化膜或者其他方式進行耐電漿體腐蝕塗層的設置。此外，由於導體內襯的目的在於對外部電場進行屏蔽，因此，只要能實現該目的的導體內襯結構均可以採用，如整片的導體材料作為導體內襯或者網格狀的導體材料作為導體內襯均能夠實現本發明的目的。

進一步的，本發明還提供一種製作圖4所示中心噴頭的方法，包含如下步驟：製作一由絕緣材料圍成的圓柱形外殼，本發明所述的中心噴頭由於直接放置在反應腔內接觸電漿體的轟擊腐蝕，因此選用耐電漿體腐蝕的陶瓷材料，由於陶瓷材料硬度較大，為了便於製作氣體通孔，本發明將氣體通孔336與絕緣側壁331、絕緣底壁332一體燒結而成；絕緣底壁332包含一下沉式錐形結構；製作一由導體材料圍成的圓柱形內襯結構，導體內襯的形狀、大小與所述陶瓷外殼相匹配，包含導體側壁333、導體底壁334，導體底壁334上也包含一下沉式錐形結構，對導體內襯與反應氣體接觸的表面進行耐電漿體腐蝕處理，如對進行陽極氧化形成陽極氧化膜或者其他方式進行耐電漿體腐蝕塗層的設置。導體內襯上設置與陶瓷外殼的氣體通孔相對應的氣體通孔；將導體內襯置入陶瓷外殼內，利用導體內襯底壁的下沉式錐形結構與陶瓷外殼底壁的下沉式錐形結構匹配實現兩組氣體通孔的對齊設置；在導體內襯上方設置一導體上蓋，導體上蓋上設置容許反應氣體進入的通道。通道與反應氣體源350相連接。

本發明藉由在具有一定空間的氣體注入器內部設置一導體內襯，並在電漿體處理製程中實現對該導體內襯的接地處理，使得導體內襯形成一接地的電磁屏蔽，將射頻功率源產生的射頻電場屏蔽在氣體注入器外部，避免了氣體注入器內放電產生電漿體對氣體注入器內表面造成的損害。

雖然本發明披露如上，但本發明並非限定於此。任何本發明所屬領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護範圍應當以申請專利範圍所限定的範圍為准。

100、200‧‧‧ICP反應腔

101、201、301‧‧‧基片

105、205‧‧‧金屬側壁

107、207‧‧‧絕緣頂板

115、215‧‧‧夾盤

120、220‧‧‧基座

125、225‧‧‧抽真空器

130、230‧‧‧中心噴頭

140、240‧‧‧天線

145、245‧‧‧射頻功率源

150‧‧‧氣源

155、255‧‧‧管線

206‧‧‧外圍噴頭

231、331‧‧‧絕緣側壁

232、332‧‧‧絕緣底壁

233、333‧‧‧導體側壁

234、334‧‧‧導體底壁

235、335‧‧‧氣體擴散腔

236、237、336、337‧‧‧氣體通孔

238‧‧‧導體上蓋

250、350‧‧‧反應氣體源

311‧‧‧入射光源

312‧‧‧金屬安裝座

315‧‧‧干涉儀

圖式作為本發明說明書的一部分，例證了本發明的實施例，並與說明書一起解釋和說明本發明的原理。圖式用圖解的方式來解釋舉例實施例的主要特徵。圖式不是用於描述實際實施例所有特徵也不用於說明圖中元素間的相對尺寸，也不是按比例繪出。 圖1表示出習知技術電漿體處理裝置之結構示意圖； 圖2表示出本發明所述電漿體處理裝置之結構示意圖； 圖3表示出一種實施例的中心噴頭之結構示意圖； 圖4表示出另一種實施例的中心噴頭之結構示意圖。

Claims (29)

1. 一種電漿體處理裝置，其包含： 反應腔體，包含由頂板及反應腔側壁圍成的反應腔，該頂板構成絕緣材料窗； 基片支撐裝置，其設置於該反應腔內的該絕緣材料窗下方； 射頻功率發射裝置，其設置於該絕緣材料窗上方，以發射射頻能量到該反應腔內； 反應氣體注入器，包含一絕緣外殼，該絕緣外殼圍成一氣體擴散腔，該氣體擴散腔之一端與一反應氣體源相連接，另一端靠近基片支撐裝置，包含複數個氣體擴散通道； 該絕緣外殼內表面設置一導體內襯，該導體內襯在電漿體處理製程過程中接地。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿體處理裝置，其中該反應氣體注入器設置在該絕緣材料窗的中心區域。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電漿體處理裝置，其中該導體內襯為金屬內襯，該金屬內襯包含圓柱形側壁、底壁及上蓋。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電漿體處理裝置，其中該氣體擴散腔上方設置一入射光裝置及一反射光接收裝置。
5. 如申請專利範圍第4項所述之電漿體處理裝置，其中該入射光裝置及反射光接收裝置為一設有雷射頭的干涉儀。
6. 如申請專利範圍第5項所述之電漿體處理裝置，其中該干涉儀包含一金屬底座，該金屬底座構成該氣體擴散腔內部金屬內襯的上蓋，該金屬底座的材質為鋁、鋁合金或不銹鋼中的一種。
7. 如申請專利範圍第3項所述之電漿體處理裝置，其中該金屬內襯為一片式結構或網格狀結構。
8. 如申請專利範圍第7項所述之電漿體處理裝置，其中該金屬內襯底壁設置一下沉式錐形結構，該錐形結構的錐形面與水平方向的夾角範圍為10°~45°。
9. 如申請專利範圍第1項所述之電漿體處理裝置，其中該絕緣外殼包含耐電漿體腐蝕材料圍成的圓筒狀側壁及底壁。
10. 如申請專利範圍第9項所述之電漿體處理裝置，其中該氣體擴散通道包含複數個豎直貫穿該導體內襯和絕緣外殼底壁的氣體通孔。
11. 如申請專利範圍第10項所述之電漿體處理裝置，其中該氣體擴散通道更包含複數個貫穿該導體內襯和該圓筒狀側壁的氣體通孔。
12. 如申請專利範圍第11項所述之電漿體處理裝置，其中該氣體通孔的孔徑小於等於5 mm。
13. 如申請專利範圍第10項所述之電漿體處理裝置，其中該複數個氣體通孔的開口面積之和大於等於該絕緣外殼底壁面積的20%。
14. 如申請專利範圍第1項所述之電漿體處理裝置，其中該導體內襯與反應氣體接觸的表面設置一層陽極氧化膜。
15. 一種氣體注入裝置，設置於一電漿體反應腔內，該氣體注入裝置包含一絕緣外殼，該絕緣外殼圍成一氣體擴散腔，該氣體擴散腔一端與一反應氣體源相連接，另一端設置複數個氣體擴散通道，該絕緣外殼內部設置一接地的導體內襯。
16. 如申請專利範圍第15項所述之氣體注入裝置，其中該絕緣外殼包含由耐電漿體腐蝕的陶瓷材料製成的環形側壁及底壁。
17. 如申請專利範圍第15項所述之氣體注入裝置，其中該導體內襯為金屬內襯，該金屬內襯包含圓柱形側壁、底壁及上蓋。
18. 如申請專利範圍第16項所述之氣體注入裝置，其中該金屬內襯為一片式結構或網格狀結構。
19. 如申請專利範圍第16項所述之氣體注入裝置，其中該金屬內襯底壁設置一下沉式錐形結構，該錐形結構的錐形面與水平方向的夾角範圍為10°~45°。
20. 如申請專利範圍第15項所述之氣體注入裝置，其中該氣體擴散通道包含複數個豎直貫穿該導體內襯和絕緣外殼底壁的氣體通孔。
21. 如申請專利範圍第20項所述之氣體注入裝置，其中該氣體擴散通道還包含複數個貫穿該導體內襯和該圓筒狀側壁的氣體通孔。
22. 如申請專利範圍第21項所述之氣體注入裝置，其中該氣體通孔的孔徑小於等於5 mm。
23. 如申請專利範圍第20項所述之氣體注入裝置，其中該複數個氣體通孔的開口面積之和大於等於該絕緣外殼底壁面積的20%。
24. 一種製作反應氣體注入裝置的方法，其包含下列步驟： 製作一陶瓷外殼，該陶瓷外殼包含一圓柱形側壁及底壁，該底壁設置一下沉式錐形結構，在該側壁及底壁上製作氣體通孔； 製作一導體內襯，該導體內襯的形狀、大小與該陶瓷外殼相匹配，該導體內襯的底壁上也包含一下沉式錐形結構，該導體內襯上設置與該陶瓷外殼的氣體通孔相對應的氣體通孔； 將該導體內襯置入該陶瓷外殼內，利用該導體內襯底壁的下沉式錐形結構與該陶瓷外殼底壁的下沉式錐形結構匹配實現兩組氣體通孔的對齊設置； 在該導體內襯上方設置一導體上蓋，該導體上蓋上設置容許反應氣體進入的通道。
25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該氣體通孔與該陶瓷外殼一體燒結製作。
26. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該導體內襯為金屬材料，為鋁，鋁合金或不銹鋼中的一種。
27. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該導體內襯置於該陶瓷外殼前，對其內表面進行陽極氧化。
28. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該陶瓷外殼底壁的錐形結構與導體內襯的錐形結構的錐形面與水平面間的夾角為10°~45°。
29. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該氣體通孔垂直於該上蓋的方向設置，與該陶瓷外殼底壁的錐形結構和導體內襯的錐形結構呈一夾角。