JP7303873B2 - p-偏光放射を用いるヘッドアップディスプレイ(HUD)のための投影設備 - Google Patents
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Description
また、本発明は、次の態様であってもよい。
〈1〉ヘッドアップディスプレイ(HUD)のための投影設備であって、
-外側ペイン(1)及び内側ペイン(2)を有しており、前記外側ペイン(1)及び前記内側ペイン(2)が熱可塑性中間層(3)を介して互いに結合されており、かつHUD領域(B)を有している、複合ペイン(10);
-前記外側ペイン(1)又は前記内側ペイン(2)の表面(II、III)上にあり、前記中間層(3)に面しているか、前記中間層(3)に含まれている、導電性コーティング(20);及び
-前記HUD領域(B)に向けられているプロジェクタ(4);
を少なくとも備えており、
前記プロジェクタ(4)の放射が、p-偏光であり、
前記導電性コーティング(20)を備える複合ペイン(10)が、450nm~650nmの全スペクトル範囲で、p-偏光放射に対して、少なくとも10%の反射率を有しており、
前記導電性コーティング(20)が、少なくとも四つの導電層(21)を含んでおり、少なくとも四つの導電層(21)が、それぞれの場合で、二つの誘電体層又は層シーケンスの間に配置されており、かつ、
全ての導電層(21)の厚さの合計が、最大で30nmであり、かつ少なくとも一つの前記導電層(21)が、最大で5nmの厚さを有している、
投影設備。
〈2〉前記導電性コーティング(20)を有する前記複合ペイン(10)が、450nm~650nmの全スペクトル範囲で、p-偏光放射に対して、少なくとも12%、好ましくは少なくとも15%の反射率を有している、〈1〉項に記載の投影設備。
〈3〉最大発生反射率と平均反射率との差、及び最小発生反射率と平均反射率との差が、p-偏光放射に対して、最大で5%、好ましくは最大で3%、特に好ましくは最大で1%である、〈1〉又は〈2〉項に記載の投影設備。
〈4〉全ての導電層(21)の厚さの合計が、15nm~30nm、好ましくは20nm~25nmである、〈1〉~〈3〉項のいずれか一項に記載の投影設備。
〈5〉前記導電層(21)の少なくとも一つが、1nm~3nmの厚さを有している、〈1〉~〈4〉項のいずれか一項に記載の投影設備。
〈6〉残りの導電層(21)の厚さが、最大で10nm、好ましくは5nm~10nmである、〈5〉項に記載の投影設備。
〈7〉前記導電層(21)が、銀に基づいている、〈1〉~〈6〉項のいずれか一項に記載の投影設備。
〈8〉誘電体層シーケンスが、それぞれの場合で、二つの導電層(21)の間に配置されており、前記誘電体層シーケンスが、下記を備えている、〈1〉~〈6〉項のいずれか一項に記載の投影設備:
-窒化ケイ素(SiN)、窒化ケイ素-ジルコニウム(SiZrN)のような混合窒化ケイ素-金属、窒化アルミニウム(AlN)、又は酸化錫(SnO)に基づいている、反射防止層(22)、
-錫、ケイ素、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、亜鉛、ガリウム、及びインジウムの一種以上の元素の酸化物に基づいている、平滑化層(23)、
-酸化亜鉛に基づいている、第一及び第二マッチング層(24、25)、並びに
-任意で、ニオブ、チタン、ニッケル、クロム、及び/又はこれらの合金に基づいている、ブロッキング層(26)。
〈9〉前記導電性コーティング層(20)が、下記を含む、〈8〉項に記載の投影設備:
-窒化ケイ素に基づいており、15nm~25nm、好ましくは18nm~23nmの厚さを有している、反射防止層(22.1)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有している、第一マッチング層(24.1)、
-銀に基づいており、4nm~8nmの厚さを有している、導電層(21.1)、
-任意で、0.1nm~0.5nmの厚さを有しており、好ましくはNiCrに基づいている、ブロッキング層(26.1)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有している、第二マッチング層(25.2)、
-混合窒化ケイ素-金属に基づいており、15nm~25nm、好ましくは18nm~23nmの厚さを有している、反射防止層(22.2)、
-混合酸化錫-亜鉛に基づいており、5nm~10nmの厚さを有している、平滑化層(23.2)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有している、第一マッチング層(24.2)、
-銀に基づいており、7nm~10nmの厚さを有している、導電層(21.2)、
-任意で、NiCrに基づいており、0.1nm~0.5nmの厚さを有している、ブロッキング層(26.2)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有している、第二マッチング層(25.3)、
-混合窒化ケイ素-金属に基づいており、5nm~20nm、好ましくは10nm~15nmの厚さを有している、反射防止層(22.3)、
-混合酸化錫-亜鉛に基づいており、5nm~10nmの厚さを有している、平滑化層(23.3)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有している、第一マッチング層(24.3)、
-銀に基づいており、1nm~3nmの厚さを有している、導電層(21.3)、
-任意で、NiCrに基づいており、0.1nm~0.5nmの厚さを有している、ブロッキング層(26.3)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有している、第二マッチング層(25.4)、
-窒化ケイ素に基づいており、25nm~35nm、好ましくは28nm~32nmの厚さを有している、誘電体層(22a.4)と、混合窒化ケイ素-金属に基づいており、15nm~30nm、好ましくは20nm~25nmの厚さを有している、光学的高屈折層(22b.4)とに細分化されており、45nm~60nm、好ましくは50nm~55nmの厚さを有している、反射防止層(22.4)、
-混合酸化錫-亜鉛に基づいており、5nm~10nmの厚さを有している、平滑化層(23.4)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有している、第一マッチング層(24.4)、
-銀に基づいており、5nm~8nmの厚さを有している、導電層(21.4)、
-任意で、NiCrに基づいており、0.1nm~0.5nmの厚さを有している、ブロッキング層(26.4)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有している、第二マッチング層(25.5)、
-混合窒化ケイ素-金属に基づいており、30nm~50nm、好ましくは35nm~40nmの厚さを有している、反射防止層(22.5)。
〈10〉前記導電性コーティングが、1Ω/sq.~2Ω/sq.のシート抵抗を有している、〈1〉~〈9〉項のいずれか一項に記載の投影設備。
〈11〉前記プロジェクタ(4)の放射が、本質的に純粋なp-偏光である、〈1〉~〈10〉項のいずれか一項に記載の投影設備。
〈12〉前記複合ペイン(10)の外側表面(I、IV)が、実質的に、互いに平行に配置されている、〈1〉~〈11〉項のいずれか一項に記載の投影設備。
〈13〉前記プロジェクタ(4)の放射が、60°~70°の入射角で、前記複合ペイン(10)に当たる、〈1〉~〈12〉項のいずれか一項に記載の投影設備。
〈14〉前記導電性コーティング(20)が、40V~50Vの電圧源に連結されており、前記複合ペインを加熱する、〈1〉~〈13〉項に記載の投影設備。
〈15〉自動車、特に、乗用車又はトラックでの、HUDとしての、〈1〉~〈14〉項のいずれか一項に記載の投影設備の使用。
-窒化ケイ素(SiN)、窒化ケイ素-ジルコニウム(SiZrN)のような混合窒化ケイ素-金属、窒化アルミニウム(AlN)、又は酸化錫(SnO)に基づいている、反射防止層(22)、
-錫、ケイ素、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、亜鉛、ガリウム、及びインジウムのうちの一種以上の元素の酸化物に基づいている、平滑化層(23)、
-酸化亜鉛に基づいている、第一及び第二マッチング相(24、25)、並びに
-任意で、ニオブ、チタン、ニッケル、クロム、及び/又はこれらの合金に基づいている、ブロッキング層(26)。層の順番を特定する必要はない。上述の好ましい材料に基づいている反射防止層及びマッチング層は、最下の導電層の下及び最上の導電層の上に配置されていることが好ましい。
-15nm~25nm、好ましくは18nm~23nmの厚さを有しており、好ましくは窒化ケイ素に基づいている、反射防止層、
-5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有しており、好ましくは酸化亜鉛に基づいている、第一マッチング層、
-銀に基づいており、4nm~8nmの厚さを有している、導電層、
-任意で、0.1nm~0.5nmの厚さを有しており、好ましくはNiCrに基づいている、ブロッキング層、
-5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有しており、好ましくは酸化亜鉛に基づいている、第二マッチング層、
-15nm~25nm、好ましくは18nm~23nmの厚さを有しており、好ましくは、窒化ケイ素-ジルコニウム又は窒化ケイ素-ハフニウムのような混合窒化ケイ素-金属に基づいている、反射防止層、
-5nm~10nmの厚さを有しており、好ましくは混合酸化錫-亜鉛に基づいている、平滑化層、
-5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有しており、好ましくは酸化亜鉛に基づいている、第一マッチング層、
-銀に基づいており、7nm~10nmの厚さを有している、導電層、
-任意で、0.1nm~0.5nmの厚さを有しており、好ましくはNiCrに基づいている、ブロッキング層、
-5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有しており、好ましくは酸化亜鉛に基づいている、第二マッチング層、
-5nm~20nm、好ましくは10nm~15nmの厚さを有しており、好ましくは、窒化ケイ素-ジルコニウム又は窒化ケイ素-ハフニウムのような混合窒化ケイ素-金属に基づいている、反射防止層、
-5nm~10nmの厚さを有しており、好ましくは混合酸化錫-亜鉛に基づいている、平滑化層、
-5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有しており、酸化亜鉛に基づいている、第一マッチング層、
-銀に基づいており、1nm~3nmの厚さを有している、導電層、
-任意で、0.1nm~0.5nmの厚さを有しており、好ましくはNiCrに基づいている、ブロッキング層、
-5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有しており、好ましくは酸化亜鉛に基づいている、第二マッチング層、
-好ましくは、窒化ケイ素に基づいており、25nm~35nm、好ましくは28nm~32nmの厚さを有している、誘電体層と、窒化ケイ素-ジルコニウム又は窒化ケイ素-ハフニウムのような混合窒化ケイ素-金属に基づいており、15nm~30nm、好ましくは20nm~25nmの厚さを有している、光学的高反射層とに細分化されており、45nm~60nm、好ましくは50nm~55nmの厚さを有している、反射防止層、
-5nm~10nmの厚さを有している、好ましくは混合酸化錫-亜鉛に基づいている、平滑化層、
-5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有しており、好ましくは酸化亜鉛に基づいている、第一マッチング層、
-銀に基づいており、5nm~8nmの厚さを有している、導電層、
-任意で、0.1nm~0.5nmの厚さを有しており、好ましくはNiCrに基づいている、ブロッキング層、
-5nm~15nm、好ましくは8nm~12nmの厚さを有しており、好ましくは酸化亜鉛に基づいている、第二マッチング層、
-30nm~50nm、好ましくは35nm~40nmの厚さを有しており、好ましくは、窒化ケイ素-ジルコニウム又は窒化ケイ素-ハフニウムのような混合窒化ケイ素-金属に基づいている、反射防止層。
-窒化ケイ素に基づいており、20nm~22nmの厚さを有している、反射防止層、
-酸化亜鉛に基づいており、9nm~11nmの厚さを有している、第一マッチング層、
-銀に基づいており、5nm~7nmの厚さを有している、導電層、
-任意で、NiCrに基づいており、0.1nm~0.3nmの厚さを有している、ブロッキング層、
-酸化亜鉛に基づいており、9nm~11nmの厚さを有している、第二マッチング層、
-窒化ケイ素-ジルコニウム又は窒化ケイ素ハフニウムのような混合窒化ケイ素-金属に基づいており、20nm~22nmの厚さを有している、反射防止層、
-混合酸化錫-亜鉛に基づいており、6nm~8nmの厚さを有している、平滑化層、
-酸化亜鉛に基づいており、9nm~11nmの厚さを有している、第一マッチング層、
-銀に基づいており、7.5nm~9.5nmの厚さを有している、導電層、
-任意で、NiCrに基づいており、0.1nm~0.3nmの厚さを有している、ブロッキング層、
-酸化亜鉛に基づいており、9nm~11nmの厚さを有している、第二マッチング層、
-窒化ケイ素-ジルコニウム又は窒化ケイ素ハフニウムのような混合窒化ケイ素-金属に基づいており、12nm~14nmの厚さを有している、反射防止層、
-混合酸化錫-亜鉛に基づいており、6nm~8nmの厚さを有している、平滑化層、
-酸化亜鉛に基づいており、9nm~11nmの厚さを有している、第一マッチング層、
-銀に基づいており、1nm~3nmの厚さを有している、導電層、
-任意で、NiCrに基づいており、0.1nm~0.3nmの厚さを有している、ブロッキング層、
-酸化亜鉛に基づいており、9nm~11nmの厚さを有している、第二マッチング層、
-窒化ケイ素に基づいており、29nm~31nmの厚さを有している誘電体層と、窒化ケイ素-ジルコニウム又は窒化ケイ素-ハフニウムのような混合窒化ケイ素-金属に基づいており、22.5nm~24.5nmの厚さを有している光学的高屈折層とに細分化されている、反射防止層、
-混合酸化錫-亜鉛に基づいており、6nm~8nmの厚さを有している、平滑化層、
-酸化亜鉛に基づいており、9nm~11nmの厚さを有している、第一マッチング層、
-銀に基づいており、5.5nm~7.5nmの厚さを有している、導電層、
-任意で、NiCrに基づいており、0.1nm~0.3nmの厚さを有している、ブロッキング層、
-酸化亜鉛に基づいており、9nm~11nmの厚さを有している、第二マッチング層、
-窒化ケイ素-ジルコニウム又は窒化ケイ素-ハフニウムのような混合窒化ケイ素-金属に基づいており、36nm~38nmの厚さを有している、反射防止層。
(1) 外側ペイン
(2) 内側ペイン
(3) 熱可塑性中間層
(4) プロジェクタ
(5) 視認者/乗物運転者
(20) 導電性コーティング
(21) 導電層
(21.1)、(21.2)、(21.3)、(21.4) 第一、第二、第三、第四導電層
(22) 反射防止層
(22.1)、(22.2)、(22.3)、(22.4)、(22.5) 第一、第二、第三、第四、第五反射防止層
(22a) 反射防止層4の誘電体層
(22a.2)、(22a.3)、(22.4) 第一、第二、第三誘電体層
(22b) 反射防止層4の光学的高屈折層
(22b.2)、(22b.3)、(22b.4) 第一、第二、第三光学的高屈折層
(23) 平滑化層
(23.2)、(23.3)、(23.4) 第一、第二、第三平滑化層
(24) 第一マッチング層
(24.1)、(24.2)、(24.3)、(24.4) 一番目、二番目、三番目、四番目の第一マッチング層
(25) 第二マッチング層
(25.2)、(25.3)、(25.4)、(25.5) 一番目、二番目、三番目、四番目の第二マッチング層
(26) ブロッキング層
(26.1)、(26.2)、(26.3)、(26.4) 第一、第二、第三、第四ブロッキング層
(O) 複合ペイン10の上端
(U) 複合ペイン10の下端
(B) クリックセーブ複合ペイン10のHUD領域
(E) アイボックス
(I) 中間層3から離れている、外側ペイン1の室外側表面
(II) 中間層3に面している、外側ペイン1の室内側表面
(III) 中間層3に面している、内側ペイン2の室外側表面
(IV) 中間層3から離れている、内側ペイン2の室内側表面
Claims (15)
- ヘッドアップディスプレイ(HUD)のための投影設備であって、
-外側ペイン(1)及び内側ペイン(2)を有しており、前記外側ペイン(1)及び前記内側ペイン(2)が熱可塑性中間層(3)を介して互いに結合されており、かつHUD領域(B)を有している、複合ペイン(10);
-前記外側ペイン(1)又は前記内側ペイン(2)の表面(II、III)上にあり、前記中間層(3)に面しているか、前記中間層(3)に含まれている、導電性コーティング(20);及び
-前記HUD領域(B)に向けられているプロジェクタ(4);
を少なくとも備えており、
前記プロジェクタ(4)の放射が、p-偏光であり、
前記導電性コーティング(20)を備える複合ペイン(10)が、450nm~650nmの全スペクトル範囲で、p-偏光放射に対して、少なくとも10%の反射率を有しており、
前記導電性コーティング(20)が、少なくとも四つの導電層(21)を含んでおり、少なくとも四つの導電層(21)それぞれが、二つの誘電体層の間、二つの誘電体層スタックの間、又は誘電体層と誘電体層スタックとの間に配置されており、かつ、
全ての導電層(21)の厚さの合計が、最大で30nmであり、かつ少なくとも一つの前記導電層(21)が、最大で5nmの厚さを有している、
投影設備。 - 前記導電性コーティング(20)を有する前記複合ペイン(10)が、450nm~650nmの全スペクトル範囲で、p-偏光放射に対して、少なくとも12%の反射率を有している、請求項1に記載の投影設備。
- 最大発生反射率と平均反射率との差、及び最小発生反射率と平均反射率との差が、p-偏光放射に対して、最大で5%である、請求項1又は2に記載の投影設備。
- 全ての導電層(21)の厚さの合計が、15nm~30nmである、請求項1~3のいずれか一項に記載の投影設備。
- 前記導電層(21)の少なくとも一つが、1nm~3nmの厚さを有している、請求項1~4のいずれか一項に記載の投影設備。
- 残りの導電層(21)の厚さが、最大で10nmである、請求項5に記載の投影設備。
- 前記導電層(21)が、銀に基づいている、請求項1~6のいずれか一項に記載の投影設備。
- 二つの導電層(21)の間に配置されている、前記誘電体層又は前記誘電体層スタックのそれぞれが、前記誘電体層スタックであり、前記誘電体層スタックそれぞれが、下記を備えている、請求項1~6のいずれか一項に記載の投影設備:
-窒化ケイ素(SiN)、窒化ケイ素-ジルコニウム(SiZrN)のような混合窒化ケイ素-金属、窒化アルミニウム(AlN)、又は酸化錫(SnO)に基づいている、反射防止層(22)、
-錫、ケイ素、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、亜鉛、ガリウム、及びインジウムの一種以上の元素の酸化物に基づいている、平滑化層(23)、
-酸化亜鉛に基づいている、第一及び第二マッチング層(24、25)、並びに
-任意で、ニオブ、チタン、ニッケル、クロム、及び/又はこれらの合金に基づいている、ブロッキング層(26)。 - 前記導電性コーティング(20)が、下記を含む、請求項8に記載の投影設備:
-窒化ケイ素に基づいており、15nm~25nmの厚さを有している、反射防止層(22.1)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nmの厚さを有している、第一マッチング層(24.1)、
-銀に基づいており、4nm~8nmの厚さを有している、導電層(21.1)、
-任意で、0.1nm~0.5nmの厚さを有しており、NiCrに基づいている、ブロッキング層(26.1)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nmの厚さを有している、第二マッチング層(25.2)、
-混合窒化ケイ素-金属に基づいており、15nm~25nmの厚さを有している、反射防止層(22.2)、
-混合酸化錫-亜鉛に基づいており、5nm~10nmの厚さを有している、平滑化層(23.2)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nmの厚さを有している、第一マッチング層(24.2)、
-銀に基づいており、7nm~10nmの厚さを有している、導電層(21.2)、
-任意で、NiCrに基づいており、0.1nm~0.5nmの厚さを有している、ブロッキング層(26.2)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nmの厚さを有している、第二マッチング層(25.3)、
-混合窒化ケイ素-金属に基づいており、5nm~20nmの厚さを有している、反射防止層(22.3)、
-混合酸化錫-亜鉛に基づいており、5nm~10nmの厚さを有している、平滑化層(23.3)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nmの厚さを有している、第一マッチング層(24.3)、
-銀に基づいており、1nm~3nmの厚さを有している、導電層(21.3)、
-任意で、NiCrに基づいており、0.1nm~0.5nmの厚さを有している、ブロッキング層(26.3)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nmの厚さを有している、第二マッチング層(25.4)、
-窒化ケイ素に基づいており、25nm~35nmの厚さを有している、誘電体層(22a.4)と、混合窒化ケイ素-金属に基づいており、15nm~30nmの厚さを有している、光学的高屈折層(22b.4)とに細分化されており、45nm~60nmの厚さを有している、反射防止層(22.4)、
-混合酸化錫-亜鉛に基づいており、5nm~10nmの厚さを有している、平滑化層(23.4)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nmの厚さを有している、第一マッチング層(24.4)、
-銀に基づいており、5nm~8nmの厚さを有している、導電層(21.4)、
-任意で、NiCrに基づいており、0.1nm~0.5nmの厚さを有している、ブロッキング層(26.4)、
-酸化亜鉛に基づいており、5nm~15nmの厚さを有している、第二マッチング層(25.5)、
-混合窒化ケイ素-金属に基づいており、30nm~50nmの厚さを有している、反射防止層(22.5)。 - 前記導電性コーティングが、1Ω/sq.~2Ω/sq.のシート抵抗を有している、請求項1~9のいずれか一項に記載の投影設備。
- 前記プロジェクタ(4)の放射が、純粋なp-偏光である、請求項1~10のいずれか一項に記載の投影設備。
- 前記複合ペイン(10)の外側表面(I、IV)が、実質的に、互いに平行に配置されている、請求項1~11のいずれか一項に記載の投影設備。
- 前記プロジェクタ(4)の放射が、60°~70°の入射角で、前記複合ペイン(10)に当たる、請求項1~12のいずれか一項に記載の投影設備。
- 前記導電性コーティング(20)が、40V~50Vの電圧源に連結されており、前記複合ペインを加熱する、請求項1~13に記載の投影設備。
- 自動車での、HUDとしての、請求項1~14のいずれか一項に記載の投影設備の使用。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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